UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

Ciencia y Tecnologa rumbo al Tercer Milenio

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA
ELECTRNICA

INFORME FINAL N 2:
TEMA: ANALISIS DE UN BJT EN CORRIENTE ALTERNA
PROFESOR: CUZCANO RIVAS ABILIO
CURSO

: CIRCUITOS ELECTRONICOS I

ALUMNOS:

CODIGO:

ARELA HUAMANI ERIK

1413220211
BAZAN RIVERA ELWIN
1323220364
QUICAA SALAZAR ALEXANDER
1323210223
SOPLOPUCO NAVARRO CARLOS
1413240013
SUCASAIRE MERMA CHRISTIAN
1323220195

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

BELLAVISTA CALLAO

2016

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

ANALISIS DE UN BJT EN CORRIENTE ALTERNA

I.
OBJETIVOS:
Conocer las caractersticas de c.a. generales de varias configuraciones
importantes de BJT.
Entender el funcionamiento de un BJT en c.a. para diversas
configuraciones importantes.
Comprobar experimentalmente las relaciones que existen en una
configuracin de un BJT en c.a..
Aprender experimentalmente a medir las intensidades de corriente
para diversas configuraciones de un BJT en c.a..
II.

MARCO TEORICO

Los transistores son dispositivos semiconductores con tres terminales de

conexin. Un voltaje o corriente muy pequea en una terminal puede controlar
grandes cantidades de corriente a travs de los otros dos pines. Esto significa
que los transistores pueden ser utilizados como amplificadores e
interruptores.
De cualquier manera, la regin central acta como llave o compuerta que
controla la corriente que se mueva a travs de las tres capas.
Las tres terminales de un transistor bipolar son el emisor, la base y el colector.
La base es muy delgada y tiene menos tomos dopados que el emisor y el
colector. Por eso una pequea corriente de base-emisor genera un flujo una
corriente mayor de emisor-colector.
Como hay tres terminales a considerar, existen diversas formas de exponer
las caractersticas .As entonces se tiene tres configuraciones

Figura 1. Esquema de un circuito amplificador en AC

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A. EMISOR COMUN
Para describir el comportamiento de la configuracin EC, se requiere de dos
conjuntos de caractersticas: Parmetros de Entrada Parmetros de Salida
Parmetros de Entrada: relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de
entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCE). Una vez que el
transistor esta encendido se supondr que el VBE es: VBE = 0.7V
6. Parmetros de Salida: relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje de
salida (VCE) para varios niveles de corriente de entrada (IB).
7. Regin Activa La unin colector-emisor se polariza inversamente, mientras
que la unin base-emisor se polariza directamente. Esta es la regin ms
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como amplificador.
Los amplificadores en EC tienen una alta ganancia de voltaje y de corriente
El anlisis de pequea seal de varias configuraciones de red de transistores
estndar, utiliza diferentes los modelos de aproximacin al comportamiento
real del transistor

Figura 2. Configuracin de polarizacin fija en emisor

Comn.

El anlisis de ca de seal pequea se inicia eliminando los efectos de cd de

VCC y reemplazando los capacitores de bloqueo C1 y C2 por
equivalentes de cortocircuito como se seala en la figura 3

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Figura 3. Red resultante simplificada

B. BASE COMUN
La configuracin en base comn se caracteriza por tener una impedancia de
entrada baja e impedancia de salida y una ganancia de corriente menor que
1. La ganancia de voltaje, sin embargo, puede ser bastante grande. La
configuracin estndar aparece en la figura 4.

Figura 4. Configuracin general en base comn.

Al sustituir el modelo equivalente en la figura 4 se obtiene el siguiente circuito

Figura 5. Circuito sustituido con el modelo con el modelo

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re

C. COLECTOR COMUN O EMISOR SEGUIDOR

El trmino seguidor se refiere al hecho de que la tensin de salida sigue
muy de cerca a la tensin de seal.
Las polarizaciones que se usan en un colector comn son la polarizacin
en emisor, polarizacin por divisor de voltaje, y polarizacin por
realimentacin de colector y de emisor.
Polarizacin fija y polarizacin por realimentacin de colector no se usan
ya que corto circuitan la salida en el colector comn.
Como el colector se conecta a tierra para el anlisis de ca, en realidad es
una configuracin en colector comn.

Figura 6. Definicin de la impedancia de salida para

la configuracin en colector comn
.
La configuracin en emisor seguidor se suele utilizar para propsitos de
igualacin de frecuencia.
Presenta una alta impedancia a la entrada y una baja impedancia a la salida,
la cual es la oposicin directa de la configuracin de polarizacin fija estndar.
MODOS DE OPERACIN
REGIN ACTIVA
La regin activa directa corresponde a una polarizacin directa de la unin
emisor-base. Esta es la regin de operacin normal del transistor para
amplificacin.
REGIN DE CORTE
Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin
en sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo
aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta
como un interruptor abierto IC= 0.
REGION DE SATURACION
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Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin

den esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo
encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE 0).
La regin a la izquierda de la figura se llama regin de saturacin. La
tensin de saturacin colector-emisor que define esta regin es
aproximado de 0.1 v a 0.2 v para transistores de baja potencia.

Figura 7. Grafica de las zonas de operacin

En esta regin, un incremento de la corriente de base no acarrea un
incremento proporcional de la corriente de colector. Asi , en el proyecto de
amplificadores lineales, se evita la regin de saturacin.

III.
MATERIALES:
Resistencias de diversos valores:

Fig.8. resistencias

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 Fuente de tensin DC:

Fig.9. fuente de tensin DC

Transistor BJT 2N3904:

Fig.10. transistor BJT 2N3904

Multmetro:

Fig.11. multmetro

Transistor BJT 2N2222:

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Fig.12. transistor BJT

Generador de ondas:

Fig.13. generador de ondas

IV.

DISEO(simulaciones)

a) Configuracin en emisor comn

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10

BAT1
RC
1K

15Vcc

C3
R1

4.7uF

19k

+11.3

AC mA

C1

2N3904

AC mA

15uF

Q1

+0.07

B
+4.06
AC Volts

95k

+11.4

AC mA

+155

R3

AC mV

RE

R2

100

3K

Fig.14. simulacin en proteus de emisor comn

Tabla de N1: Configuracin emisor comn (simulacin)

V i (mV )
155
102
212

I B (mA )
0.07
0.06
0.10

I E ( mA)
11.4
11.4
11.0

I C ( mA)
11.3
11.3
11.1

r 0 ()
2.28
2.28
2.36

V 0 (V )
4.06
3.88
4.65

Variamos en voltaje para observar diferentes seales.

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11

Para

Para

Para

Vi

=155mv

V i=120 mV

V i=212 mV

Fig.15. distintas seales con voltajes distintos en el

osciloscopio del proteus.

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b) Configuracin en base comn

R4

+2.05

2.2k

AC mA

C2

R1
100k

C
10uF

Q1

+10.0

2N2222

AC A

C3
+10.0

100uF

R2
22k

+0.95

R3

+2.03

C1

AC mA

10Vcc

300

10uF

Volts

BAT1

R5

10k

AC Volts

+155
AC mV

RE
470

Fig.16. simulacin de base comn

Tabla N2: configuracin base

comn

V i (V )
10
16
5
18

I B ( A)
10
19.2
2.83
22.3

I E (mA)
2.03
3.94
0.49
4.58

I C (mA)
2.05
3.94
0.55
4.57

r 0 ()
12.80
6.60
53.06
6.68

V 0 (V )
0.95
1.85
0.23
2.15

Tabla N2: configuracin base comn (experimental)

V i (V )
4,81
4,87

I B (A)
10.07
2.78

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I E (mA)
1.95
0.55

I C (mA)
2.13
0.58

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Variamos en voltaje para observar diferentes seales.

Para

V i=10 V

Para

V i=16 V

Para

V i=5 V

Para

V i=18 V
Fig.17. distintas seales con voltajes
distintos en el osciloscopio del proteus.

Seales obtenidas en el laboratorio a travs del osciloscopio:

Fig.18. simulacin de la seal de base comn

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Fig.19. simulacin de base comn con datos que nos da

el osciloscopio

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c) Configuracin en colector comn

BAT1
RC

18Vcc

4.8K

R1
90k
+1.83

AC mA

C1

Q1

+8.56

2N2222

AC A

100nF

C3

C
D

4.7uF

R3

+1.84

AC mA

+212
AC mV

1.2k

+84.7
AC mV

RE

R2

1.2k

18k

Fig.20. simulacin de colector comn

Tabla N3: configuracin colector comn

V i (mV )
212
106
35.3
190

I B (A)
8.56
8.53
8.52
8.55

I E (mA)
1.85
1.84
1.84
1.84

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I C ( mA)
1.83
1.83
1.83
1.83

r 0 ()
14.05
14.13
14.13
14.13

V 0 (mV )
84.7
42.4
14.1
75.9

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Variamos en voltaje para observar diferentes seales.

V i=212 mV

Para
Para

V i=106 mV

Para

V i=35.3 mV

Para

V i=190 mV

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Fig.21. distintas seales con voltajes

distintos en el osciloscopio del proteus.

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V.

CUESTIONARIO
1) Cules son las diferencias entre los transistores NPN y PNP?
Es bsicamente en su estructura interna, sea de mayor regin n o p adems
en el transistor NPN sale la corriente por el emisor, y en el PNP
ingresa la corriente por esta misma.
2) Cules son las caractersticas de entrada de los transistores
NPN?
La configuracin emisor comn es la que generalmente se utiliza en
aplicaciones de conmutacin, por ende las caractersticas de entrada en un
NPN es la relacin que se tiene entre la corriente base (I B) y el
comportamiento DE La tensin VBL este ltimo en funcin de IB.
3) Cul es la causa del tiempo de subida en los BJT?
El tiempo de subida depende de la constante de tiempo determinada por la
capacitancia de la unin, que en el caso normal, corriente de base es mayor
que la necesaria para saturar al transistor.
4) Cul es el modo de saturacin de los BJT?
Se puede definir como el punto arriba del cual todo aumento de la corriente de
base no aumenta en forma apreciable de corriente de colector.
Es la saturacin, la corriente de colector permanece casi constante.
5) Por qu es necesario invertir la polarizacin de los BJT durante su
apagado?
Es necesario la polarizacin para saturar al transistor, y asi no daar al
dispositivo durante el apagado porque se invierten las corrientes del colector y
el emisor

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VI.

Conclusiones

Al llevar este laboratorio podemos concluir que los transistores nos da

estos parmetros_
La polaridad del transistor NPN
Cada patita del transistor son: base, colector y emisor
En esta experiencia podemos concluir que:
Ya que la base separa la entrada de la salida, minimizando las
oscilaciones por altas frecuencias.
Tiene ganancia de voltaje
Su impedancia de entrada es baja y su impedancia de salida es alta.

VII.

Aplicaciones

Los transistores tienen una multitud de aplicaciones, entre ellas:

Amplificador de todo tipo, como tambin veremos en las simulaciones y
laboratorios.
Generan seales.

VIII.

BIBLIOGRAFIA

ABC de la electrnica Steren.PDF

BOYLESTAD - Electrnica. Teora de Circuitosy dispositivos electronicos - 10
Ed.pdf
RONAL I. SCHILLING. Circuitos electrnicos discretos e integrados.
Mrelbernitutoriales.com/el-bjt-en-alterna/
https://sites.google.com/site/analisis-ac
146.83.206.1/PDF_ELECTRONICA

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