Indice:

Introduo..Pag2
DodosRectificadores.Pag3
Juno de PN..Pag3
Identificao visual dos terminaispag5
Dodo ZenerPag6
Principio de funcionamento.Pag6
Constituio.pag7
Utilizao.pag8
Curva caracterstica.pag9
Caractersticas tcnicaspag9
ConclusaoPag10

Introduo:
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Objectivo Geral:

Conhecer o princpio de funcionamento dos Diodos.

Objectivos especficos:

Conhecer as caractersticas principais dos Diodos;

Determinar as diferenas entre os diferentes Diodos;
Conhecer as aplicaes dos Diodos;

Metodologia:

Para realizao do trabalho, basieime em brochuras e matrias didcticos em formato

electrnicos disponveis na internet, artigo disponveis na internet, brochuras e livros em
formato fsico relacionados com o curso.

1. DodosRectificadores.
Um dodo rectificador constitudo por uma juno PN dematerial semicondutor (silcio ou
germnio) e por doisterminais, o nodo (A) e o Ctodo (K).
Estes dois terminais so formados atravs de um processo chamado processo de dopagem. Neste
processo usam-se elementos tetravalente (Germanio e Silicio) e so dopados da seguinte
maneira:
- Em cada 106 tomos de elementos tetra valente introduzido 1 atomo de uma impureza doadora
ou seja para cada 106 tomos de silcio ou germnio, so introduzidos um elemento qumico da
tabela peridica pentavalente (Grupo VI-A). Formando assim um semicondutor do tipo N, pois
haver uma ligao covalente entre o silcio (se for o caso) e a impureza pentavalente, restando
um tomo livre, como ilustra a figura:

- Em cada 106 tomos de elementos tetra valente introduzido 1 tomo de uma impureza doadora
ou seja para cada 106 tomos de silcio ou germnio, so introduzidos um elemento qumico da
tabela peridica trivalente (Grupo IV-A). Formando assim um semicondutor do tipo P, pois
haver uma ligao covalente entre o silcio (se for o caso) e a impureza trivalente, restando uma
lacuna, como ilustra a figura:

1.1.

Juno de PN.

A juno de um material semicondutor do tipo P (com excesso de lacunas) com um material

semicondutor do tipo N (com excesso de electres livres) origina uma juno PN

1.2.

Formao de Camada de depleo.

Na zona da juno, os electres livres do semicondutor N recombinam-se com as lacunas do

semicondutor P formando uma zona sem portadores de carga elctrica que se designa por zona
neutra ou zona de depleo.
Devido a repulso mtua entre os electres do lado N espalham se em todas direces, alguns
atravessam a juno e combinam-se com as lacunas, quando isto ocorre o tomo associado tornase carregado negativamente (Ions negativo). Os ions esto fixos na estrutura por causa da ligao
covalente, a medida que o numero de ions aumenta, a zona de juno fica se electres e lacunas.
A essa zona sem lacunas e electres, chamamos de Zona de depleo.

1.3.

Formao de Barreira de potencial.

A Camada de depleo age como uma barreira impedindo a continuao da difuso dos electres
livres. A intensidade da camada de depleo aumenta com cada electro que atravessa a juno,
at que atinja o equilbrio.
A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de potencial. A
25oC, esta barreira de 0.7V para Silcio e de 0.3V para Germnio.

1.4.

Smbolo electrnico do Dodo Rectificador.

O smbolo usado em Dodos Rectificadores, e o seguinte:

1.4.1. Identificao visual dos terminais.

O terminal que se encontra mais prximo do anel o ctodo (K), Figura a;
O terminal ligado parte mais estreita afunilada o ctodo (K), Figura b;
O terminal ligado parte roscada o ctodo (K), Figura c.

Figura (a)

Figura (b)

Figura (c)

1.4.2. Polarizao directa do Dodo.

O dodoesta polarizado directamente, quando o nodo (Juno P) esta conectada ao polo positivo
da fonte e o Ctodo (Juno N), esta conectado ao polo negativo da fonte, como ilustrado na
figura abaixo.

Desta forma o dodo conduz corrente elctrica.

1.4.3. Polarizao inversa do Dodo.

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O dodoesta polarizado directamente, quando o nodo (Juno P) esta conectada ao polo

negativo da fonte e o Ctodo (Juno N), esta conectado ao polo positivo da fonte, como
ilustrado na figura abaixo.

Desta forma o dodo no conduz corrente elctica (Esta em corte).

Dodo Zener
Principio de funcionamento
Vimos que o dodo rectificador se comportava quase como isolador quando a polarizao era
inversa. O mesmo se passa com o dodo zener at um determinado valor da tenso (VZ), a partir
do qual ele comea a conduzir fortemente.
Qual ser ento o facto que justifica esta transformao de isolador em condutor?
A explicao -nos dada pela teoria do efeito de zener e o efeito de avalanche.
Efeito de zener ao aplicar ao dodo uma tenso inversa de determinado valor (VZ) rompida
a estrutura atmica do dodo e vencida a zona neutra, originando assim a corrente elctrica
inversa. Este efeito verifica-se geralmente para tenses inversas VR <5 Volt e o seu valor pode
ser variado atravs do grau de dopagem (percentagem de impurezas) do silcio ou do germnio.
Efeito de avalanche Para tenses inversas VR >7 Volt, a conduo do dodo explicada
exclusivamente pelo efeito de avalanche. Quando se aumenta o valor da tenso inversa,
aumenta tambm a velocidade das cargas elctricas (electres). A velocidade atingida pode ser
suficiente para libertar electres dos tomos semicondutores, atravs do choque. Estes novos
electres libertados e acelerados libertam outros, originando uma reaco em cadeia, qual se
d o nome de efeito de avalanche.
6

Para tenses inversas VR, entre 5V e 7V, a conduo do dodo explicada cumulativamente
pelos dois efeitos (efeito de zener e efeito de avalanche).

Constituio:
Um dodo zener constitudo por uma juno PN de material semicondutor (silcio ou germnio)
e por dois terminais, o nodo (A) e o Ctodo (K).

Identificao visual dos terminais:

O terminal que se encontra mais prximo do anel o ctodo (K).

K
K

Tenso de
zener (UZ=
8,2 V)

Tenso de
A
zener
(UZ=
A27 V)A

Utilizao:
Se desejarmos alimentar uma carga qualquer com uma tenso invarivel, perfeitamente isenta de
qualquer variao ou flutuao, nada mais h do que montar o sistema constitudo pelo dodo
zener (polarizado inversamente) e a resistncia limitadora R, de tal modo que o dodo fique em
paralelo com a carga.

+
_

R Resistncia que tem por funo limitar a corrente no zener (IZ).

Rc Resistncia de carga (receptor)
Polarizao:
8

O dodo zener quando polarizado inversamente (nodo a um potencial negativo em relao ao

ctodo) permite manter uma tenso constante aos seus terminais (UZ) sendo por isso muito
utilizado na estabilizao/regulao da tenso nos circuitos.

Curva caracterstica:
Os dodos zener so definidos pela sua tenso de zener (UZ) mas para que possa existir
regulao/estabilizao de tenso aos seus terminais a corrente que circula pelo dodo zener (IZ)
deve manter-se entre os valores de corrente zener definidos como mximo e mnimo, pois se
menor que o valor mnimo, no permite a regulao da tenso e, se maior, pode romper a
juno PN por excesso de corrente.

ZONA DE
TRABALHO

O grfico de funcionamento do zener mostra-nos que, directamente polarizado (1 quadrante),

ele conduz por volta de 0,7V, como um dodo comum. Porm, na ruptura (3 quadrante), o dodo
zener apresenta um joelho muito pronunciado, seguido de um aumento de corrente praticamente
vertical. A tenso praticamente constante, aproximadamente igual a Vz em quase toda a regio
9

de ruptura. As folhas de dados (data sheet) geralmente especificam o valor de Vz para uma
determinada corrente zener de teste Izt.
O grfico de funcionamento do zener mostra-nos que, directamente polarizado (1 quadrante),
ele conduz por volta de 0,7V, como um dodo comum. Porm, na ruptura (3 quadrante), o dodo
zener apresenta um joelho muito pronunciado, seguido de um aumento de corrente praticamente
vertical. A tenso praticamente constante, aproximadamente igual a Vz em quase toda a regio
de ruptura. As folhas de dados (data sheet) geralmente especificam o valor de Vz para uma
determinada corrente zener de teste Izt.

Quando um dodo zener est a trabalhar na zona de ruptura, um aumento na corrente produz um
ligeiro aumento na tenso. Isto significa que o dodo zener tem uma pequena resistncia que
tambm denominada impedncia zener (ZZ).

ZONA DE
RUPTURA

Caractersticas tcnicas:
Variando-se o nvel de dopagem dos dodos de silcio, o fabricante pode produzir dodos zener
com diferentes tenses de zener.
A utilizao do dodo zener limitada pelos seguintes parmetros:

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Vz Tenso de zener (este valor geralmente especificado para uma determinada corrente de
teste IZT)
Izmx Corrente de zener mxima
Izmin Corrente de zener mnima
Pz Potncia de dissipao (PZ = VZ x IZ)
Desde que a potncia no seja ultrapassada, o dodo zener pode trabalhar dentro da zona de
ruptura sem ser destrudo.

Conclusao:
Na realizacao do presente trabalho adiquiri conhecimentos bsicos a cerca dos diodos tas como ;

Conhecer as caractersticas principais dos Diodos;

Determinar as diferenas entre os diferentes Diodos;
Conhecer as aplicaes dos Diodos;

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Bibliografia
http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET , 20:45 , 28/03/2015
REZENDE, S.M. A Fisica de Materias e dispositivos electronicos. Recife, PE: Editoria
Universitria da UFPE, 1996

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