Guía Laboratorio Electronica I UNEFA Telecom Semestre

E NOTIFICAREPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITCNICA
DE LA FUERZA ARMADA NACIONAL
U.N.E.F.A. NCLEO MARACAY
COORDINACIN DE INGENIERA DE TELECOMUNICACIONES
GUA PRCTICA
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
MARZO DE 2013
Actualizado por:
Ing. Valmore J. Camacho S.
Coord. Ing. de Telecomunicaciones

UNEFA Ncleo Maracay
PRCTICA N 1
CIRCUITOS CON DIODOS (RECORTADORES)
Objetivo General: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en circuitos
recortadores.
Objetivos Especficos:
-
Observar experimentalmente las formas de ondas de circuitos recortadores mostrados

en cada parte de le presente gua de laboratorio.
Observar experimentalmente las grficas de transferencia de cada uno de los circuitos

recortadores mostrados en la presente gua de laboratorio.
Observar las variaciones en la forma de onda de la seal de salida de los distintos

recortadores en estudio y determinar las causas de las mismas.
Analizar y explicar las causas de estas variaciones.
Materiales: Diodo Rectificador 1N4001 1N4007, protoboard, resistores varios.

Pre-Laboratorio:
-
Lea con detenimiento los objetivos de la prctica.
Investigue sobre los circuitos recortadores y su funcionamiento y sobre las grficas

o curvas de Transferencia.
Lea los procedimientos descritos en la prctica. Si tiene dudas, consulte con el

profesor de laboratorio con antelacin a la prctica por los medios que l establezca
Obtenga de la Hoja de Datos de los diodos seleccionados los valores de los diodos
dados por el fabricante y explique lo que cada uno de ellos especifica.
Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vo y la curva

caracterstica de transferencia Vo vs. Vi.
NOTA: Antes de iniciar el laboratorio, cercirese de ajustar correctamente los controles del
osciloscopio (por ejemplo, la referencia de 0V para ambos canales y el tipo de
acoplamiento de las puntas del osciloscopio)
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UNEFA Ncleo Maracay
Parte I: Procedimiento
1. Monte el circuito de la figura 1:
XSC1
XFG1
Vi
R1
Vo
Ext Trig
+
_
10k
D1
1N4007G
CH1
CH2
Figura 1
2. Coloque los controles del generador de funciones en:

(1) Tipo de onda: senoidal (2) Frecuencia de la seal: 200 Hz (3) Amplitud inicial: 1Vp
(4) Offset: 0Vdc.
3. Aumente la amplitud de Vi progresivamente desde 1Vp hasta 10Vp y observe lo que
sucede en Vo (CH2)
4. Para amplitud media, fotografe la seal observada y mida los valores pico de la seal
(recuerde tomar notas de la posicin de los controles del Osciloscopio al momento de
efectuar la medicin Volts/Div para cada canal, Time/Div, etc.)
5. Obtenga a travs del Osciloscopio la Grfica de Transferencia (Grafica Vo vs. Vi).
Para ello, tome Vo en el canal 2 (CH2), Vi en el canal 1 (CH1) y coloque el control de
presentacin XY. Vare la amplitud y fotografe lo observado para amplitud mxima.
PREGUNTA PARA EL POST-LABORATORIO: De quienes dependen los valores
extremos (valores lmites) de la seal final? Justifique adecuadamente su respuesta.
6. Invierta el diodo (en media amplitud) y mida los valores pico; grafique en el
osciloscopio Vo vs. Vi y fotografe lo observado.
PARA EL POST-LABORATORIO: Justifique adecuadamente el por qu de las
diferencias entre los grficos anteriores.
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UNEFA Ncleo Maracay
Parte II: Procedimiento

XSC1
XFG1
Vi
D1
Ext Trig
+
Vo
1N4007G
R1
10k
CH1
CH2
Figura 2
2. Repita los pasos del 1 al 6 de la parte I de sta prctica.
Parte III: Procedimiento

1. Monte el circuito de la figura 3 (para ello, utilice la fuente DC disponible en el mesn):
Figura 3
(1)Tipo de onda: senoidal (2) Frecuencia de la seal: 200 Hz (3) Amplitud inicial: 1Vp
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UNEFA Ncleo Maracay
(4) Offset: 0Vdc (5) V1= 0Vdc

sucede en Vo (CH2).
4. Comience a aumentar V1 de 0V a 4V. Observe lo que sucede.
5. Mida los valores de Vo y obtenga la curva de transferencia Vo vs. Vi (guese por el
paso 5 de la Parte I de sta prctica).
6. Vare la fuente V1 y observe lo que sucede con la curva de transferencia. PARA EL
POST LABORATORIO: Anote lo sucedido y fotografe la forma de onda de Vo y
Vo vs. Vi (para V = 4 V). Explique adecuadamente el comportamiento observado.
Parte IV: Procedimiento
1. Monte el circuito de la figura 3 (para ello, utilice la fuente DC disponible en el meson):
Figura 4

(4)Offset: 0Vdc (5) V2= 0Vdc
sucede en Vo (CH2).
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UNEFA Ncleo Maracay
4. Comience a varias V2 de 0V a 6V. Observe lo que sucede.

5. Mida los valores de Vo y obtenga la curva de transferencia Vo vs. Vi (guese por el
paso 5 de la Parte I de sta prctica).
6. Vare la fuente V1 y observe lo que sucede con la curva de transferencia. PARA EL
POST LABORATORIO: Anote lo sucedido y fotografe la forma de onda de Vo y
Vo vs. Vi (para V2 = 6 V). Explique adecuadamente el comportamiento observado.
7. Repita los pasos 2 al 6 con el diodo invertido. Para el Post-laboratorio compare las
grficas obtenidas para ambos casos y justifique adecuadamente las diferencias entre
ambas. Concluya.
Parte V: Procedimiento
1. Monte el circuito de la figura 5 (para ello, utilice las fuentes DC disponible en el
mesn):
Figura 5

(4)Offset: 0Vdc (5) V1=0Vdc (6) V2= 0Vdc.
sucede en Vo (CH2).
4. Vare V1 y V2 y observe lo que sucede en Vo. Mida con el osciloscopio los valores
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UNEFA Ncleo Maracay
mximos de Vo para V1 = 4 Vdc y V2 = 6 Vdc

5. Grafique en el Osciloscopio Vo vs. Vi. Vare las fuentes, observe lo que sucede y
anote los resultados.
6. Fotografe las formas de onda obtenidas para Vo y Vo vs. Vi.
Post-Laboratorio:
-
Compare los grficos simulados con los obtenidos en la prctica,
Analice y concluya de acuerdo con las mediciones efectuadas segn lo describen

los procedimientos descritos en cada una de las partes de n sta prctica.
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PRCTICA N 2
CIRCUITOS CON DIODOS (RECTIFICADORES)
Objetivo General: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en la accin

de rectificar la seal de entrada en media onda y onda completa.
-
Observar las formas de ondas de salida de los diferentes tipos de rectificadores.
Observar, segn lo permitan los instrumentos disponibles en el laboratorio, las

curvas de transferencia de los diferentes circuitos rectificadores
Medir el valor medio (valor DC) del voltaje y corriente de salida para cada uno de los
circuitos rectificadores, sometido a varias condiciones.
Comparar los resultados obtenidos con los clculos tericos.
Materiales: Diodos 1N4007 (por lo menos cuatro), resistores (los valores que le indique el
profesor en un clase anterior a sta prctica), transformador de toma central con
entrada 110VAC y salidas 12V-0V-12V, Una resistencia con valor comprendido entre
1K y 5K, Watts.
Pre-Laboratorio:
-
Lea con detenimiento los objetivos de la prctica.
Investigue sobre los circuitos rectificadores de media onda y onda completa, su

funcionamiento, las ecuaciones de valor medio de voltaje para cada uno de ellos y
sus respectivas grficas o curvas de transferencias.
Lea los procedimientos descritos en la prctica. Si tiene dudas, consulte con el

profesor de laboratorio con antelacin a la prctica por los medios que l establezca
Efectu los clculos tericos correspondientes a cada circuito de la presente

prctica.
Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vo y la curva

caracterstica de transferencia Vo vs. Vi.
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
NOTA: Antes de iniciar el laboratorio, cercirese de ajustar correctamente los controles del
osciloscopio (por ejemplo, la referencia de 0V para ambos canales y el tipo de acoplamiento
de las puntas del osciloscopio)
Parte I: Procedimiento
Figura 6

(1)Tipo de onda: senoidal (2) Frecuencia de la seal: 200 Hz (3) Amplitud: la que
haya indicado el profesor en la clase anterior.
3. Obtenga Vo con el Osciloscopio y compare con la seal de entrada Vi. Fotografe
Vo y Vi.
4. Grafique Vo vs. Vi colocando el Osciloscopio en X-Y, y graficando Vo en el Canal 2
y Vi en el Canal 1.
5. Mida con un voltmetro el voltaje DC en la carga (figura 7a). Mida con un
ampermetro (figura 7b) o calcule la corriente DC que circula por la carga y por el
diodo. Para el Post-laboratorio compare los resultados obtenidos con los calculados
tericos y los valores obtenidos en las simulaciones del pre-laboratorio.
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Figura 7
6. Mida con el osciloscopio el voltaje de pico inverso (VPI) que aparece en las
terminales del diodo, comprelo con el valor pico de Vi. Concluya
Parte II: Procedimiento
Figura 7

(1)Tipo de onda: senoidal (2) Frecuencia de la seal: 200 Hz (3) Amplitud: la que
haya indicado el profesor en la clase anterior.
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
3. Obtenga Vo (voltaje en la resistencia R1) con el Osciloscopio y compare con la

seal de entrada Vi. Para Obtener Vo ajuste los controles del Osciloscopio para
que grafique en pantalla la diferencia entre Canal 1 (CH1) y Canal 2 (CH2)
Fotografe Vo y Vi.
4. Mida con un voltmetro el voltaje DC de la carga R1 (ver figura 8) y compare con el
calculado y simulado en el pre-laboratorio.
Figura 8
5. Mida con el Osciloscopio el voltaje de pico inverso (VPI) en los diodos D2 y D3 y

comprelo con el valor pico de Vi. Es posible medir el VPI en los otros dos diodos
con los instrumentos disponibles en el Laboratorio? Razone su respuesta.
6. Mida IR (en DC, figura 9); mida la corriente DC que circula por cada diodo (en la
figura 10, por ejemplo, aparece cmo medir la corriente en D4). y comprela con IR.
y con los valores calculados y simulados en el pre-laboratorio.
7. Desconecte una rama del puente (por ejemplo D4) y mida el voltaje en R1.
Comprelo con el resultado obtenido en el paso 4.
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10

UNEFA Ncleo Maracay
Figura 9
Figura 10
8. Explique lo que sucede con VR al desconectar una rama del circuito.

9. Explique la operacin de este circuito e indique qu relacin existe entre las
corrientes IR e ID.
Actualizado por:
11

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Parte III: Procedimiento
1. Monte el circuito de la figura 11
Figura 11
2. Grafique Vo y comprela con el valor pico de Vi. Fotografe Vo y Vi.
3. Obtenga la grfica Vo vs Vi con el osciloscopio.
4. Sustituya el D1 por un circuito abierto y verifique qu sucede a Vo.
5. Mida el voltaje DC de la carga Vo y comprelo con el calculado en el prelaboratorio.
6. Mida el VPI que aparece en cada diodo, comprelo con el valor pico de Vi.
7. Mida IR (en DC, figura 12); mida la corriente DC que circula por cada diodo (en la
figura 13 aparece cmo medir la corriente en D1) y comprela con IR y con los
valores calculados y simulados en el pre-laboratorio.
Figura 12
Actualizado por:
12

UNEFA Ncleo Maracay
Figura 13
8. Explique la operacin de este circuito e indique la diferencia entre el mismo y el
montado en la Parte II de sta prctica.
Post-Laboratorio:
-
Compare los grficos y valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los

obtenidos en la prctica, analice los resultados y concluya.
Actualizado por:
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UNEFA Ncleo Maracay
PRCTICA N 3
EL DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE - FUENTE DE
ALIMENTACIN REGULADA CON DIODO ZENER
Objetivo General: Verificar experimentalmente el comportamiento del Diodo Zener como

regulador de voltaje y emplearlo en el diseo de una fuente de alimentacin regulada.
Disear e implementar un circuito regulador de voltaje sencillo basado en diodo

zener, que al ser alimentado con una fuente DC variable, se pueda observar el
comportamiento en condiciones lmites de funcionamiento.
Disear e implementar una fuente regulada sencilla basada en diodo zener, a fin de
comprobar experimentalmente los diferentes parmetros relativos a esta
Materiales: Diodo Zener del voltaje que indique el docente para el diseo, diodos
rectificadores 1N4007 (por lo menos dos), resistores de valor cercano al calculado por el
estudiante para su diseo, Transformador de Toma Central de la prctica No 2 (entrada
110V, salida 12V-0V-12V). Condensadores de valores comerciales cercanos al calculado en
el diseo de la fuente.
Pre-Laboratorio:
Lea bien y asegrese de entender los objetivos de la prctica.
Investigue sobre las ecuaciones para el clculo y diseo de circuitos reguladores

basados en diodo zener.
Lea bien los procedimientos descritos en la presente prctica. Si tiene dudas,

Actualizado por:
14

UNEFA Ncleo Maracay
pregunte al profesor de laboratorio con suficiente antelacin a la prctica.

-
Realice los clculos sugeridos en el procedimiento 1 de la prctica. Recuerde

asumir el valor comercial ms cercano al calculado y determine la potencia de los
resistores y diodos que emplear.
Simule el circuito del procedimiento 1 de la prctica y obtenga todos los valores de

corrientes y voltajes DC que corresponda de acuerdo al caso que corresponda.
Disee una fuente de alimentacin regulada con Diodo Zener como la mostrada en
el procedimiento 2, segn las caractersticas y restricciones dadas por el instructor
de laboratorio. Estas restricciones pueden incluir: variacin IL de la corriente de
carga, variacin de RL, (que soporte la condicin de circuito abierto), un voltaje de
riso determinado, etc.
Simule la fuente de alimentacin regulada con Diodo Zener diseada y mida para
cada caso representado por las restricciones del diseo los voltajes y corrientes DC
correspondientes.
Parte I: Diodo Zener como regulador de voltaje. Procedimiento:
Atendiendo a las caractersticas del Zener adquirido y con relacin al circuito mostrado
en la figura 1:
IR
+
Va
IL
Rs
IZ
+
Vz
RL
ZENER
Figura 1
Actualizado por:
15
(Va
variable, RL

UNEFA Ncleo Maracay
variable)
1. Obtenga el valor de Rs de tal forma que su diodo Zener soporte variaciones de una
fuente de alimentacin no regulada denominada Va y variaciones de RL. Asumiendo
Vamax = 3Vz y
RL min = 470, calcule Vamin y RLmax de acuerdo con las
caractersticas del diodo Zener y tomando en cuenta sus condiciones bsicas de

seguridad.
2. Una vez obtenidos los valores, monte el circuito y mida Va, IR, IZ, IL y VZ, para cada
uno de los casos siguientes:
a) Vamax, RLmax
b) Vamax, RLmin
c) Vamin, RLmax
d) Vamin, RLmin
3. Determine cules de esos casos son los ms extremos y por qu.

4. Compare los valores obtenidos con los calculados y simulados previamente, concluya
sobre las condiciones de trabajo idneas para que un diodo Zener acte como
regulador de voltaje, as como tambin sobre lo criterios prioritarios a tomar en cuenta
en este diseo.
Parte II: Fuente de Alimentacin regulada con Diodo Zener. Procedimiento
1. Monte la fuente de alimentacin regulada con diodo zener mostrada en la figura 2 y

diseada en el pre-laboratorio de la prctica
Actualizado por:
16
Vin
-110/110V

UNEFA Ncleo Maracay
N:a
Rs
+
60 Hz
C
ZENER
RL
Figura 2
2. Una vez montado el diseo, realice todas las mediciones de los parmetros de
corriente y voltaje. Comprelos con los tericos y con los simulados.
Nota:
-
Tomar en cuenta las potencias disipadas (en teora) y usar valores comerciales.
Post-Laboratorio:
Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento

de la prctica
Compare los valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los obtenidos

en la prctica, analice y concluya.
Actualizado por:
17

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PRCTICA N 4
POLARIZACIN Y ESTABILIZACIN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON BJT
Objetivo: Estudiar las tcnicas de polarizacin y estabilizacin de amplificadores con BJT,

observando en cada caso la variacin de la ubicacin del punto Q por efecto de la
temperatura y reemplazo de transistores.
Materiales:
Q1 = 2N3904, Q2 = 2N2222. Resistores varios, Potencimetros, tres capacitores de 10f o
mayor valor, cautn.
Pre-Laboratorio:
Investigue: Qu es el punto Q? Qu es la recta de carga? Qu es mxima

excursin simtrica?
Obtenga de la Hoja de Datos de los BJT 2N3904 y 2N2222. En lo posible, trate de

conseguir la curva de mxima potencia, as como tambin las curvas caractersticas
de entrada y de salida de cada transistor.
Para los circuitos mostrados en las figuras 1, 2 y 3, calcule el valor de R para

obtener la mxima excursin simtrica para Q1 para dos valores de Vcc: 12Vdc y
15Vdc.
Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1, 2 y 3, ajuste el valor de Vs hasta
obtener el mximo nivel de salida sin distorsin y grafique las seales de entrada y
salida. Mida Vbe, Vce e Ic en DC, grafique la recta de carga de cada circuito y
seale sobre ella el punto Q de operacin.
En los circuitos diseados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento

presentado en el apartado anterior.
Actualizado por:
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UNEFA Ncleo Maracay
Procedimiento:
1. Polarizacin Fija
Monte el circuito de la figura 1
1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y vare la amplitud de la misma para obtener el

mximo nivel de Vsalida sin distorsin en el osciloscopio. Fotografe las seales de
entrada y de salida. Bajo estas condiciones mida en DC los valores de Ic, Vbe y
Vce, grafique la recta de carga del circuito y seale sobre ella el punto Q de
operacin.
2. Aplique calor al BJT durante dos minutos teniendo cuidado de no tocar su cobertura
y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la pantalla
del osciloscopio la seal de salida del amplificador. Fotografela y comprela con la
obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el elemento calrico, mida
en DC los valores de Ic, Vbe y Vce, comprelos con los obtenidos en el paso 1 y
seale sobre la recta de carga este nuevo punto Q.
3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2.
Actualizado por:
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UNEFA Ncleo Maracay
2. Polarizacin Colector a Base (por Retroalimentacin del Colector):
Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la experiencia anterior.
3. Polarizacin por Divisor de Tensin:
Para el circuito de la figura 3 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.
Actualizado por:
20

UNEFA Ncleo Maracay
Post-Laboratorio:
Para cada circuito compare las seales de salida fotografiadas en prctica y los
puntos Q sealados en las rectas de carga para: Q1, Q1 con calor, Q2 y Q2 con
calor.
Analice y concluya sobre el efecto del calor y de la variacin de (de transistor) en

relacin con el empleo de los tres circuitos empleados en la prctica.
Analice y concluya sobre el circuito ms eficiente para polarizar un BJT. Justifique.
Actualizado por:
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PRCTICA N 5
POLARIZACIN Y ESTABILIZACIN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON JFET
Objetivo: Estudiar las tcnicas de polarizacin y estabilizacin de amplificadores con JFET,

observando en cada caso la variacin de la ubicacin del punto Q por efecto de la
temperatura y reemplazo de transistores.
Materiales:
Q1 = 2N5454, Q2 = 2N5457 (es posible sustituir cualquier JFET por el MPF102) Resistores
varios, Potencimetros, capacitores de 10f, cautn.
Pre-Laboratorio:
Obtenga de la Hoja de Datos de los JFETs las curvas caractersticas de entrada y

de salida para cada transistor, as como tambin los valores Idss y Vp.
Para los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2, si Vdd = 15 V, obtenga el valor de

Rs para obtener la mxima excursin simtrica para Q1.
Simule cada uno de los circuitos, ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel
de salida sin distorsin y grafique las seales de entrada y salida. Mida Vgs, Vds e
Id en DC, grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q
de operacin.
En los circuitos diseados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento

presentado en el apartado anterior.
Actualizado por:
22

UNEFA Ncleo Maracay
Procedimiento:
1. Polarizacin Fija
Monte el circuito de la figura 1
1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y vare la amplitud de la misma para obtener el

mximo nivel de Vsalida sin distorsin en el osciloscopio. Fotografe las seales de
entrada y de salida. Bajo estas condiciones mida en DC los valores de Id, Vgs y
Vds, grafique la recta de carga del circuito y seale sobre ella el punto Q de
operacin.
2. Aplique calor al JFET durante dos minutos teniendo cuidado de no tocar su
cobertura y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la
pantalla del osciloscopio la seal de salida del amplificador. Fotografela y
comprela con la obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el
elemento calrico, mida en DC los valores de Id, Vgs y Vds, comprelos con los
obtenidos en el paso 1 y seale sobre la recta de carga este nuevo punto Q.
3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2.
Actualizado por:
23

UNEFA Ncleo Maracay
2. Polarizacin por Divisor de Tensin:
Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.
Post-Laboratorio:
Para cada circuito compare las seales de salida fotografiadas en prctica y los
puntos Q sealados en las rectas de carga para: Q1, Q1 con calor, Q2 y Q2 con
calor.
Analice y concluya sobre el circuito ms eficiente para polarizar un JFET, dada su

variabilidad en sus parmetros Idss y Vp. Justifique.
Analice y concluya sobre el efecto del calor en los JFET, comprelos con los BJT.
Actualizado por:
24

UNEFA Ncleo Maracay
PRCTICA N 6
DISEO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEA
SEAL CON BJT
Objetivo: Disear amplificadores a baja frecuencia y pequea seal con BJT, verificando las
caractersticas de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores.
Materiales: 2N3904 2N2222, Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f.
Pre-Laboratorio:
-
Disee un circuito amplificador con BJT en configuracin emisor comn (E-C) de la

figura 1, para una ganancia de voltaje Av = Vo/Vb que indique su instructor.
Disee un circuito amplificador con BJT en configuracin seguidor de emisor (C-C)

de la figura 2, para una impedancia de entrada Ri = Vb/Ii que indique su instructor.
Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2. Mida: Vbe, Vce e Ic en DC y
grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de
operacin.
Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin
distorsin y grafique las seales de entrada (Vb) y salida (Vo). Mida adems: Av,
Ai, Ri y Ro.
Figura 1
Figura 2
Actualizado por:
25

UNEFA Ncleo Maracay
Procedimiento:
1. Amplificador con BJT en configuracin Emisor Comn (E-C)
Monte el circuito de la figura 1 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros

DC de polarizacin del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medicin,
indique en qu regin de operacin (activa, corte o saturacin) se encuentra
trabajando este transistor y por qu.
Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturacin, ajuste los

valores del circuito hasta llevarlo a la regin activa. Ej. Vbe 0,6 V, Vce Vcc/2 e
Ic 0.
Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador. Fotografe Vo y Vb en conjunto.
Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vb. Analice y concluya.
Mida los parmetros: Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y

Resistencia de salida Ro (ver observaciones).
2. Amplificador con BJT en configuracin Seguidor de Emisor (C-C)

DC de polarizacin del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medicin,
indique en qu regin de operacin (activa, corte o saturacin) se encuentra
trabajando este transistor.
Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturacin, ajuste los

valores del circuito hasta llevarlo a la regin activa.
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador. Fotografe Vo y Vb en conjunto.
Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vb. Analice y concluya.

Actualizado por:
26

UNEFA Ncleo Maracay
Resistencia de salida Ro (ver observaciones).
Post-Laboratorio:
-
Compare los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones con los obtenidos
en la prctica.
Compare los parmetros Av, Ai, Ri,
Ro y fase de ambas configuraciones y
concluya.
OBSERVACIONES
Las mediciones se hacen en AC, a una frecuencia tal que la ganancia permanezca
constante alrededor de la frecuencia de medicin, o dicho de otra forma, a frecuencias
medias (f 1KHz).
MTODOS
PARA
LA
MEDICIN
DE
LOS
PARMETROS
DE
UN
CIRCUITO
AMPLIFICADOR
Ganancia de tensin Av=Vo/Vb.
Es importante tener claro los lugares donde hay que medir las tensiones para poder obtener
la ganancia deseada. Si se desea obtener la ganancia Vo/Vs, es necesario medir Vs del
generador de seales en circuito abierto, de tal forma que se pueda medir solamente Vs, sin
la carga del circuito
Resistencia de entrada, Ri=Vb/is
Un posible mtodo para hallar Ri es a travs de la medicin con carga y sin carga de Vb:
a)Mida Vs. Para lograr esto, haga una medicin en vaco de Vs (tensin de la fuente de
seales sin carga).
b)Mida Vb con carga
c)De la ecuacin Vb= Vs * Ri/(Ri + Rs), despeje Ri.
Rs es la resistencia del generador (50 )
Ganancia de corriente Ai=io/ib
Actualizado por:
27
28

UNEFA Ncleo Maracay
No es normal medir la corriente con un ampermetro en circuitos de naturaleza resistiva,

pues es mucho ms sencillo medir la tensin y luego dividirla entre el valor de la resistencia.
a)Obtenga io como io=Vo/Rc
b)Obtenga hie a travs de la expresin: Ri= Rb * hie/(Rb + hie) , Rb= R1* R2 /(
R1
R2)
c)Obtenga ib como ib=Vb/hie y luego haga el cociente io/ib=Ai
Resistencia de salida Ro, resistencia de Thevenin entre
colector y tierra
A pesar que el procedimiento terico para medir la resistencia de
salida es aplicar una fuente de tensin Vk entre colector y tierra,
con la entrada cortocircuitada y luego hacer el clculo del cociente
entre Vk e ik, donde ik es la corriente que circula por la fuente Vk, resulta ser poco prctico.
Si el amplificador se puede representar como el circuito de la figura, a travs de la medicin
de la tensin de colector Vc, con carga y sin carga, se puede determinar Ro siguiendo el
procedimiento:
a)Mida Vo en AC a travs de la tensin de colector en vaco (Sin RL)
b)Cargue el circuito con una resistencia conocida RL entre colector y tierra (colocndole el
capacitor Cc) y mida de nuevo la tensin de colector Vc en AC
c)Despeje Ro, de la ecuacin:
Vc= Vo* RL/ (Ro + RL)
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
PRCTICA N 7
DISEO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEA
SEAL CON JFET
Objetivo: Disear amplificadores a baja frecuencia y pequea seal con JFET, verificando
las caractersticas de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores.
Materiales: MPF102 2N5454, Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f.
Pre-Laboratorio:
-
Disee un circuito amplificador con JFET en configuracin fuente comn de la figura

1, para una ganancia |Av|= 2, RL=1k, VDD=20V
Disee un circuito amplificador con JFET en configuracin seguidor de fuente de la

figura 2, para una impedancia de entrada que indique su instructor.
Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2. Mida: Vgs, Vds e Id en DC y
grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de
operacin.
Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin
distorsin y grafique las seales de entrada (Vg) y salida (Vo). Mida adems: Av,
Ai, Ri y Ro.
Figura 1
Figura 2
Actualizado por:
29

UNEFA Ncleo Maracay
Procedimiento:
1. Amplificador con JFET en configuracin Fuente Comn.

DC de polarizacin del transistor, (Vgs, Vds e Id).
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador. Fotografe Vo y Vg en conjunto.
Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vg. Analice y concluya.

Resistencia de salida Ro.
2. Amplificador con JFET en configuracin Seguidor de Fuente.

DC de polarizacin del transistor, (Vgs, Vds e Id).
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador Av, Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y Resistencia
de salida Ro. Fotografe Vo y Vg en conjunto.
Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vg. Analice y concluya.
Post-Laboratorio:
-
Compare los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones con los obtenidos
en la prctica.
Compare los parmetros Av, Ai, Ri,
Ro y fase de ambas configuraciones y
concluya.
-
gm=gmo.(ID/Idss);
gmo=2.Idss / Vp
PRCTICA N 8
Actualizado por:
30

UNEFA Ncleo Maracay
ESTUDIO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS EN CONFIGURACIN CASCODE CON

BJT Y CON JFET
Objetivo: Verificar experimentalmente las caractersticas de etapas amplificadoras en etapas
cascode con BJT y con JFET.
Materiales
- 2 transistores BJT 2N2222.
- 2 transistores JFET MPF102.
- Potencimetros varios, resistores varios, capacitores varios.
Pre-Laboratorio:
-
Para el circuito de la figura 1, determine el valor de R para que los BJT posean una
corriente de colector igual a 10 ma.
Para el circuito de la figura 2, determine el valor de R para que los JFET posean una
corriente de drenador igual a 6 ma.
Realice las simulaciones de los dos circuitos, colocando en Vs la amplitud mxima

que no genere distorsin a la salida y obtenga cada uno de los valores solicitados
en el procedimiento de la prctica.
Procedimiento:
Monte cada uno de los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2 y en el laboratorio obtenga:
-
El punto Q de cada transistor (en DC).
La ganancia de tensin: Vout/Va, Va/Vin, Vout/Vin (en AC).
La ganancia de corriente: Iout/Ic, Ic/Iin, Iout/Iin (en AC).
Grafique las seales de entrada y de salida
Actualizado por:
31

UNEFA Ncleo Maracay
Figura 2
Figura1
Post Labortorio
-
Compare todos los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones del prelaboratorio con los obtenidos en la prctica. Analice y concluya.
Compare las ganancias de tensin y corriente de cada cascode y obtenga una

aplicacin de esta configuracin.
De acuerdo a los resultados obtenidos, esta configuracin sirve como amplificador

de potencia, tensin o corriente? Justifique su respuesta.
Actualizado por:
32

Guía Laboratorio Electronica I UNEFA Telecom Semestre

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E NOTIFICAREPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

Observar experimentalmente las formas de ondas de circuitos recortadores mostrados

Observar experimentalmente las grficas de transferencia de cada uno de los circuitos

Observar las variaciones en la forma de onda de la seal de salida de los distintos

Analizar y explicar las causas de estas variaciones.

Materiales: Diodo Rectificador 1N4001 1N4007, protoboard, resistores varios.

Lea con detenimiento los objetivos de la prctica.

Investigue sobre los circuitos recortadores y su funcionamiento y sobre las grficas

Lea los procedimientos descritos en la prctica. Si tiene dudas, consulte con el

Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vo y la curva

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

2. Coloque los controles del generador de funciones en:

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

Parte II: Procedimiento

2. Repita los pasos del 1 al 6 de la parte I de sta prctica.

Parte III: Procedimiento

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

(4) Offset: 0Vdc (5) V1= 0Vdc

3. Aumente la amplitud de Vi progresivamente desde 1Vp hasta 10Vp y observe lo que

Parte IV: Procedimiento

1. Monte el circuito de la figura 3 (para ello, utilice la fuente DC disponible en el meson):

2. Coloque los controles del generador de funciones en:

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

4. Comience a varias V2 de 0V a 6V. Observe lo que sucede.

2. Coloque los controles del generador de funciones en:

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

mximos de Vo para V1 = 4 Vdc y V2 = 6 Vdc

Compare los grficos simulados con los obtenidos en la prctica,

Analice y concluya de acuerdo con las mediciones efectuadas segn lo describen

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

Objetivo General: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en la accin

Observar las formas de ondas de salida de los diferentes tipos de rectificadores.

Observar, segn lo permitan los instrumentos disponibles en el laboratorio, las

Comparar los resultados obtenidos con los clculos tericos.

Lea con detenimiento los objetivos de la prctica.

Investigue sobre los circuitos rectificadores de media onda y onda completa, su

Lea los procedimientos descritos en la prctica. Si tiene dudas, consulte con el

Efectu los clculos tericos correspondientes a cada circuito de la presente

Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vo y la curva

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

2. Coloque los controles del generador de funciones en:

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

2. Coloque los controles del generador de funciones en:

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

3. Obtenga Vo (voltaje en la resistencia R1) con el Osciloscopio y compare con la

5. Mida con el Osciloscopio el voltaje de pico inverso (VPI) en los diodos D2 y D3 y

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

8. Explique lo que sucede con VR al desconectar una rama del circuito.

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

Parte III: Procedimiento

1. Monte el circuito de la figura 11

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

Compare los grficos y valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

Objetivo General: Verificar experimentalmente el comportamiento del Diodo Zener como

Disear e implementar un circuito regulador de voltaje sencillo basado en diodo

Lea bien y asegrese de entender los objetivos de la prctica.

Investigue sobre las ecuaciones para el clculo y diseo de circuitos reguladores

Lea bien los procedimientos descritos en la presente prctica. Si tiene dudas,

Coord. Ing. de Telecomunicaciones

pregunte al profesor de laboratorio con suficiente antelacin a la prctica.

Realice los clculos sugeridos en el procedimiento 1 de la prctica. Recuerde