TIRISTORES

Familia de dispositivos semiconductores de varias capas que presentan una

accin de conmutacin biestable, debido a su inherente realimentacin
regenerativa.
Tiene aptitud para controlar grandes potencias, con una potencia de control
mnima.
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores que se utilizan
en los circuitos conversores de potencia elctrica controlada. Compiten en
algunas aplicaciones, con los transistores de potencia. Actan como
interruptores de corriente elctrica, con caracterstica biestable por un
proceso interno regenerativo, que lo hace pasar de un estado no conductor, a
un estado conductor.
Los tiristores tienen menores perdidas por conduccin en estado encendido y
tienen mayores especificaciones para el manejo de la potencia elctrica a
convertir
Existen una gran variedad de dispositivos semiconductores denominados
tiristores, con dos, tres y hasta cuatro terminales externos. Por ejemplo el
tiristor convencional, denominado SCR (rectificador controlado de silicio),
tiene tres terminales, dos de los cuales los emplea para conducir la corriente
elctrica a convertir, y el tercer terminal se lo utiliza para encender el
dispositivo (pasaje al estado conductor). La operacin inversa, o sea el bloqueo
de la corriente controlada, solo se logra por accin natural (cruce por cero de la
corriente por el cambio de polaridad del voltaje), o por accin forzada de
circuitos de conmutacin auxiliares.
El GTO es un tiristor que tiene implementada la funcin de encendido y
apagado mediante una compuerta que se le aplican pulsos positivos (para
encendido) y pulsos negativos (para apagado), respecto al terminal ctodo.
Previo al anlisis del funcionamiento interno de estos dispositivos, veremos
primero el circuito bsico y funcionamiento de rectificador controlado de media
onda.

En el dibujo se aprecia al SCR con sus tres terminales nodo, ctodo y compuerta (gate). La
corriente principal circula entre nodo y ctodo. La tensin de disparo o control, se aplica entre la
compuerta y el ctodo. Esta ltima tensin, como veremos, es generalmente de tipo pulsante,
generada por un circuito electrnico especial, denominado circuito de disparo.
Para interpretacin del funcionamiento, resulta conveniente graficar las tensiones elctricas
intervinientes en el circuito, en funcin del tiempo.

En el intervalo de tiempo entre 0 y t1, el SCR tiene aplicada una tensin positiva entre nodo y
ctodo (directa), no conduciendo corriente, por lo que: vL= 0 y vac= vs.
En t1, el circuito de disparo aplica un pulso de corriente a la compuerta, haciendo que el SCR
pase al estado de conduccin. La tensin vac cae a una valor prximo a 1 volt y aparece un voltaje
en la carga vL= vs- vac vs. Cuando la tensin de alimentacin pasa por cero (t2) y si la corriente
de carga est en fase, esta tambin cae a cero, lo que hace que el SCR se apague y deje de
conducir. La tensin en sus extremos se eleva hacindose negativa y de valor vac = vs ; vl = 0.
Posteriores disparos durante el semiciclo negativo de la tensin de entrada (t3), no logran
encender al SCR. En el prximo semiciclo positivo, en t4, al aplicarle otro pulso en la compuerta,
nuevamente el SCR comienza a conducir corriente hasta el cruce por cero (t5).
Caractersticas de los tiristores
Bsicamente estn formados por una estructura semiconductora de cuatro capas pnpn con tres
junturas J1 , J2 , J3, como muestra el siguiente dibujo:

Cuando al nodo se le aplica tensin positiva respecto al ctodo, las junturas J1 y J3 se polarizan
directamente y la juntura J2 inversamente. Entre ambos terminales fluye una pequea corriente. Se
dice que el tiristor est en estado de bloqueo directo o desactivado. Si aumentamos la tensin
nodo-ctodo (vac), la juntura J2 entra en ruptura por avalancha (vac = VBO), denominado
voltaje de ruptura directo. Por el tiristor circulara una gran corriente, solo limitada por la carga
conectada al circuito. Se dice que el tiristor entro en estado de conduccin directo o activado. En
esta condicin, vac1 volt. La corriente se mantendr circulando, solo si esta supera un valor,
denominado corriente de retencin o enganche.
Cuando se aplica una tensin negativa en el nodo respecto al ctodo, J1 y J3 se polarizan
inversamente, y J2 se polariza directamente. En esta condicin, las junturas J1 y J3, se comportan
como dos diodos conectados en serie, soportando una tensin inversa, por lo que circulara una
pequea corriente de fuga entre nodo y ctodo (corriente inversa). Se dice que en esta condicin,
el tiristor est en estado de bloqueo inverso, similar a un diodo polarizado inversamente.
La activacin de un tiristor, haciendo vac > VBO, lo puede destruir. En la prctica vac < VBO y para
activarlo, se le aplica un voltaje positivo a la compuerta G, respecto al ctodo. Una vez activado,
puede quedar en esta condicin (por un mecanismo de realimentacin interna positiva), siempre y
cuando la corriente de nodo supere el valor de la corriente mnima de retencin o enganche (ia>
iL). Dadas estas condiciones, la tensin de compuerta se puede retirar, sin afectar el ltimo estado
conductor del tiristor.
El tiristor, en el estado conductor, se comporta en forma similar a la de un diodo polarizado
directamente y ya no hay control sobre el dispositivo.
El estado de bloqueo directo se logra, como dijimos, mediante la conmutacin natural de la tensin
de alimentacin a un valor negativo o mediante circuitos especiales de apagado del tiristor; todos
ellos actuando sobre la corriente de nodo para que su valor se haga menor a la de mnima de
mantenimiento (ia < iH).
TIPOS DE TIRISTORES
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por el proceso de difusin. Con tcnicas especiales y
estructuras de compuerta, controlan los valores de di/dt, tiempo de encendido y tiempo de
apagado. En gral se los activa con impulsos cortos de excitacin en la compuerta. Para apagarlos,
se requieren condiciones especiales de la tensin o circuitos especiales de apagado. Con el fin el
tener un control ms eficiente, tanto en las condiciones de activacin como en la desactivacin, se
han desarrollado una serie de dispositivos nuevos que han mejorado notablemente al clsico
tiristor SCR
Daremos a continuacin una clasificacin de los diversos tiristores de potencia que tienen
aplicaciones comerciales y una breve descripcin de ellos.

1) Tiristores controlados por fase (SCR)

2) Tiristores bidireccionales controlados por fase ( BCT)
3) Tiristores de conmutacin rpida (SCR)
4) Rectificadores controlados de silicio foto activados (LASCR)
5) Tiristores de trodo bidireccional (TRIAC
6) Tiristores de conduccin en sentido inverso (RCT)
7) Tiristores de apagado por compuerta (GTO)
8) Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
Tiristores controlados por fase (SCR)
Son tiristores de bajo costo, alta eficiencia y especificaciones de alto voltaje y corriente.
Se utilizan en los convertidores de de corriente alterna a corriente continua, a frecuencia industrial
(50 0 60 Hz) o sea, en rectificadores controlados por el mtodo de control por fase. Se usan en casi
todas las transmisiones de CC en alto voltaje (HVDC) y control de velocidad de motores de CC.
Tienen un tiempo de apagado tq del orden de los 50 a
100 seg. Tienen un voltaje en sus extremos en estado activado que varia desde 1,15 V para 600
V, hasta 2,5 V para tiristores de 4000 V de tensin de bloqueo directo e inverso. Por ejemplo un
tiristor SCR de 1200 V, 5500 A, el voltaje de cada suele ser de
1,25 V.
Los tiristores modernos, suelen tener una compuerta amplificadora como se muestra en el
siguiente esquema.

El encendido se realiza activando el tiristor auxiliar que a su vez amplifica la seal de compuerta
para el tiristor principal. Con esto se logra una simplificacin para el circuito generador de los
pulsos de disparo, unas caractersticas dinmicas altas con tasas de dv/dt tipicas de 1000V/seg.
y tasas de di/dt de 500 A/seg., obtenindose con estos valores, una simplificacin del inductor
limitante y circuito de proteccin contra la dv/dt.
Tiristores bidireccionales controlados por fase BCT

Es un dispositivo unico, de reciente aparicion para el control de alta potencia, que combina dos
tiristores en un mismo encapsulado. Tiene la ventaja de ser mas compacto simplificando el sistema
de enfiamient, mayor fiabilidad y menor costo final del convertidor. El comportamiento electrico del
BCT corresponde a dos tiristres fabricados en la misma oblea y conectados en antiparalelo. Tiene
dos compuertas, una para activar la corriente en sentido directo (tiristor A) y la otra, para activarla
en sentido inverso (tiritor B). La desactivacin se logra por disminucin de la corriente andica por
debajo de la minima de mantenimiento, similar a los SCR.
Tiene aplicaciones en frecuencia industrial tales como compensadores estaticos de voltamperes
reactivos (VAR), arrancadores suaves y de control de motores. Tienen especificaciones maximas
de tensiones de bloqueo de 6500v a 1800 A. La mxima especificacin de corriente es de 3000 A a
1800 v.
Tiristores de conmutacin rpida (SCR)
Son usados en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad, con conmutacin forzada
con el caso de los convertidores de cc a ca, denominados inversores. Tienen un tiempo
corto de apagado, entre 5 y 50 seg, dependiendo del intervalo de voltaje. La cada de voltaje en
sus extremos, cuando estn activados, es funcin inversa del tiempo de encendido (tq). Este
tiristor, suele llamrsele SCR rpido o tiristor inversor.
Estos tiristores, tienen valores altos de dv/dt, de unos 1000 V/seg y valores de di/dt de 1000
A/seg. Estos valores altos de dv/dt y di/dt, son importantes para reducir el tamao y peso de los
componentes auxiliares del circuito de conmutacin. Se disponen de tiristores rpidos con valores
de 1800 V de bloqueo directo e inverso y corriente de 2200 A, con una cada de tensin directa de
1,7 V. Existen tiristores rpidos con bloqueo inverso (no destructivo ) de unos 10 V, con un tiempo
de apagado muy corto de alrededor de 3 a 5 seg; a estos ltimos, tiristores asimtricos(ASCRS).
Tiristores foto activados (LASCR)
Estos tiristores, se activan por radiacin de luz directa, en la oblea de silicio, en la zona de la
juntura J2. La radiacin de luz genera en esta zona (polarizada inversamente, con tensin de
bloqueo directo, en los extremos del tiristor), generando suficiente pares
electrn-huecos que, por el proceso de realimentacin, activan al tiristor.
La estructura de la compuerta se disea de tal forma que proporciona suficiente sensibilidad para
ser activado con fuentes luminosas normales como por ejemplo radiacin luminosa provenientes
de fibras pticas o diodos emisores de luz(LEDS)
Estos tiristores se usan en aplicaciones de alto voltaje y corriente, a frecuencia industrial, como las
conversiones para transmisiones CC de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva.
Los LASCR, tienen un aislamiento elctrico completo entre la fuente de radiacin de activacin y el
circuito conversor que trabaja a alta tensin. Las especificaciones elctricas mximas de estos
dispositivos, llegan a 4000 V a 1500 con una potencia de activacin, menor de 100 mW. Soportan
una dv/dt de hasta 2000 V/seg y di/dt de unos 250 A/mseg

Tiristores de trodo bidireccional (TRIAC)

Es un dispositivo semiconductor de caracterstica biestable, con la particularidad que puede
conducir corriente controlada en ambos sentidos, con tensiones positivas y negativas, aplicadas a
sus terminales principales. La activacin, se realiza en forma similar a los SCR, aplicndoles una
tensin elctrica, de determinada polaridad, al terminal de compuerta.
Como el triac, puede conducir en ambas direcciones, sus terminales principales, se denominan T2
y T1, en reemplazo del ctodo y nodo de los dispositivos unidireccionales, como el SCR.
Estructuralmente, esta constituido de la siguiente forma:

Como vemos tenemos en la oblea de silicio, un SCR desde el terminal 2 al terminal 1, y otro SCR
en paralelo, pero conectado desde terminal 1 al terminal 2 (antiparalelo). Las compuertas de
ambos SCR estn unidas a una compuerta (G) comn.
La caracterstica tensin corriente del triac es la siguiente:

Si tomamos al Terminal T1 como referencia, podemos decir que el triac se activa tanto con
tensin positiva o negativa del Terminal T2 y adems el pulso aplicado a la compuerta respecto al

Terminal de referencia (T1) puede ser positivo o negativo. De esta forma tendremos cuatro
posibilidades de disparo a saber:
1) Terminal T2 positivo con pulso en G positivo (1 cuadrante con +VG) I+
1) Terminal T2 positivo con pulso en G negativo (1 cuadrante con -VG) I1) Terminal T2 negativo con pulso en G negativo (3 cuadrante con -VG) III1) Terminal T2 negativo con pulso en G positivo (2 cuadrante con +VG) III+
En la prctica las sensibilidades al disparo son diferentes. En el primer cuadrante se logra activar al
triac con menor corriente de compuerta, aplicndole un pulso de tensin positiva. Para el tercer
cuadrante la mayor sensibilidad, se logra con un pulso de tensin negativa, en la compuerta.
Esencialmente el TRIAC no presenta diferencias de funcionamiento con respecto al
SCR. Los regimenes mximos que garantiza el fabricante estn determinados por la temperatura
mxima de funcionamiento. Los valores de tensin de bloqueo estn disponibles hasta 1200 V y
corrientes mximas de 300 A. La frecuencia mxima de operacin es de 400Hz, con tiempos de
conmutacin de 200 a 400 seg.
Los TRIAC, tienen aplicaciones en los convertidores de ca a ca (modifican el valor eficaz de la
tensin alterna) por el mtodo de control por fase. Cuando trabajan con carga inductiva, debido a
que la corriente circula mas all del cruce por cero de latensin de alimentacin, cuando la
corriente se hace finalmente cero, el TRIAC se somete a una dv/dt alta debido a que en ese
momento la tensin en sus extremos toman el valor de la tensin externa que en ese momento
tiene un valor alto. Por ello es necesario protegerlo con una red pasiva RC, dado que si no se lo
hace, se pierde el control de potencia y el TRIAC se reactiva inmediatamente sin pulso de disparo.
Tiristores de conduccin es sentido inverso (RCT)
Estos tiristores se utilizan en aquellos convertidores que necesitan conducir una corriente en
sentido inverso, por causa de una carga inductiva y para mejorar los requisitos de apagado del
circuito de conmutacin. El RCT, esta compuesto en un mismo encapsulado por SCR y un diodo en
antiparalelo, como muestra la figura:

El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso en 1 a 2 volt en estado estable; en condiciones

transitorias su valor es de unos 30 volt por las inductancias parsitas internas. Se disponen de RCT
con tensiones de bloque directo de 400 a 2000 V con corrientes de hasta 500 A. A este dispositivo,
tambin se le suele llamar ASCR o tiristor asimtrico, con aplicaciones en circuitos especficos.
Tiristores de apagado por compuerta(GTO)
EL GTO, en forma similar a un SCR, se puede activar con una seal pulsante positiva en la
compuerta, pero tiene la posibilidad de apagarlo con una seal negativa aplicada en la misma
compuerta. Los GTO, se pueden construir con especificaciones de tensin y corrientes parecidas a
los SCR, con las siguientes ventajas: 1) No necesitan elementos auxiliares de conmutacin en
convertidores que necesitan la conmutacin forzada, reduciendo el costo peso y volumen del
convertidor. 2) Reduccin del ruido acstico y electromagntico por eliminacin de los reactores de
conmutacin. 3) Desactivacin
mas rpida lo que le permite trabajar con frecuencias de conmutacin mas elevada.

4) Mayor eficiencia de los convertidores.

En aplicaciones de baja potencia, los GTO tambin tienen ventajas sobre los transistores bipolares:
1) Mayor especificacin de voltaje de bloqueo. 2) Alta relacin de corriente pico controlable a
corriente promedio. 3) Alta relacin de corriente pico de sobrecarga y la corriente promedio. (10:1)
4) Alta ganancia entre la corriente en el estado activo y la corriente de compuerta necesaria para su
activacin (1:600). 5) Seal pulsante de corta duracin en compuerta para su activacin y
desactivacin a diferencia del transistor bipolar que requiere seal permanente en estado activo.
A continuacin veremos el corte transversal del GTO, su smbolo y su circuito equivalente:

A diferencia del SCR, el GTO tiene una capa adicional n+ cerca del nodo, que forma un circuito
de apagado entre la compuerta y el ctodo, en paralelo con la compuerta de encendido. El circuito
equivalente es similar al SCR, excepto por su mecanismo de apagado interno. La activacin se
logra con un pulso de corriente entrante, aplicado entre la compuerta y el ctodo. Para lograr la
realimentacin interna que lo lleve al estado activo o encendido, el pulso de corriente entrante debe
cumplir especificaciones, dadas por el fabricante, respecto al gradiente de elevacin, corriente
mxima y duracin del impulso.
El apagado se logra haciendo pasar un gran pulso de corriente entre el ctodo y la compuerta
(corriente saliente de la compuerta), para apartar suficientes portadores de carga del ctodo, que
correspondera al emisor del transistor Q2 (transistor npn, en el circuito equivalente) para cortarlo y
de esa manera sacar al transistor Q1 de la accin regenerativa. Con esta accin, el transistor Q1
queda con la base abierta y el GTO vuelve al estado desactivado o no conductor. De la misma
forma, el pulso de corriente de apagado debe cumplir con las especificaciones dadas por el
fabricante.
Respecto a la corriente de encendido del nodo, esta debe ser por lo menos del 1% del pulso de
activacin, para asegurarse que la compuerta mantenga la retencin del estado activo. Durante el
apagado, la corriente de nodo, tiene una larga cola residual de apagado por lo que se debe
esperar un tiempo especificado, hasta que se haya disipado la carga residual del nodo y se
pueda, nuevamente activarlo. En la prxima figura se muestra las especificaciones que debe
cumplir el pulso positivo de encendido, como as tambin la forma tpica de la corriente de nodo
en funcin del pulso negativo de apagado.

Como el GTO necesita una corriente elevada de apagado (aprox. 1/6. IA), es comn usar un
capacitor para proporcionar la corriente necesaria en la compuerta para apagarlo. El inductor se
coloca para limitar el valor de di/dt de la corriente de la compuerta circulando por S1, R2, R1 y L.
Se debe seleccionar el voltaje de suministro VGS al circuito de compuerta para alcanzar el valor
necesario de apagado. Los valores de R1 y
R2 se minimizan.
Durante el periodo de apagado, que comienza despus que la cola de corriente de nodo llega a
cero, la compuerta en el caso ideal, debera permanecer con polarizacion inversa, para asegurar la

mxima especificacin de bloqueo. Esta polarizacion inversa se puede obtener ya sea

manteniendo cerrado S1, durante el periodo de no conduccin, o usando un circuito de mayor
impedancia S2 y R3, siempre y cuando exista un voltaje negativo mnimo.
En el caso de una falla de los circuitos de auxiliares de apagado, la compuerta puede permanecer
en condicin de polarizacin inversa, y el GTO podr no bloquear la tensin. Para asegurar que se
mantenga un voltaje de bloqueo en el dispositivo, de debe aplicar una resistencia mnima de
compuerta RGC especificada por el fabricante.
Para la condicin de apagado, los GTO tienen baja ganancia, normalmente seis, lo que requiere un
pulso de corriente elevado para desactivarlo. La cada de voltaje en sus extremos, es mayor que
los SCR; por ejemplo para un GTO de 1200 V y 550 A, su cada de tensin es de 3,4 volt.
En algunas aplicaciones, los GTO necesitan un diodo rpido conectado en antiparalelo; en este
caso, no necesitan tener capacidades de bloqueo de voltaje inverso. Con modificaciones en la
capa interna n, se logran GTO asimtricos en un solo encapsulado.
Tiristores conectados por FET (FET-CTH)
Un tiristor FET-CTH, esta compuesto, en un solo encapsulado, de un tiristor convencional del tipo
SCR y un transistor MOSFET. Este ltimo cuando se le aplica un voltaje en su compuerta, conduce
la corriente de disparo o activacin del tiristor. La tensin necesaria aplicable al MOSFET para el
disparo, es de unos 3 volt.
Este dispositivo, tiene alta velocidad de conmutacin y altos valores de di/dt y dv/dt.
La siguiente figura, muestra el circuito equivalente del FET-CTH:

El encendido es por tensin elctrica, pero no se puede apagar, salvo por la conmutacin natural o
forzosa. Tiene aplicaciones cuando se debe usar disparo ptico para dar aislamiento elctrico entre
la seal de control y la del circuito convertidor.
Tiristor de apagado por MOS (MTO)
El MTO es una combinacin de un GTO y un MOSFET, que juntos mejoran las capacidades de
apagado del GTO. Vimos que en este ltimo, necesitamos una corriente inversa considerable para
cortar la corriente de emisor del transistor npn y de esta manera eliminar la realimentacin con el
transistor pnp para as desactivar al GTO. En el caso del MTO, el transistor MOS, que esta
conectado entre la base y emisor del transistor bipolar npn, hace caer la tensin base emisor por
debajo del umbral y de esta manera ste transistor deja de conducir, eliminando la realimentacin.
La estructura es parecida al GTO, conservando las ventajas de alto voltaje (hasta 10Kv) y elevada
corriente (4000 A), con aplicaciones de gran potencia (1 a 20 MVA).El MTO se apaga mas
rpidamente que el GTO y casi se eliminan las perdidas asociadas a las cargas de
almacenamiento. Tambin tienen una mayor dv/dt y en forma parecida al
GTO, tienen una larga cola de corriente de apagado.

Tiristores de apagado por emisor (ETO)

El ETO es un dispositivo hibrido compuesto por un MOS y un GTO, en el que se combinan las
ventajas de ambos semiconductores. Tiene dos compuertas, una normal para activarlo y otra, con
un MOSFET conectado en serie, para apagarlo. Su estructura y circuito equivalente, se muestra en
la siguiente figura:

La activacin se logra aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2; de esta manera el

MOSFET de canal P se mantiene en condicin de bloqueado y el MOSFET de canal N conduce,
permitiendo un flujo de corriente a la compuerta del GTO. Esta corriente inicia el proceso de
realimentacin interna la realimentacin haciendo que el
GTO conduzca y asi el ETO pasa al estado de conduccin o activacin.
El apagado se logra aplicando un voltaje negativo a la compuerta 2, apagando el MOSFET de
canal N ; la corriente principal se desva del ctodo (emisor del transistor bipolar npn del GTO) ,
hacia la base a travs del MOSFET de canal P, deteniendo el proceso de realimentacin interna y
apagando o desactivando al ETO.

En forma parecida al GTO, el ETO tambin tiene una cola larga de la corriente de nodo, al final
del apagado, por lo que se debe esperar para el siguiente encendido, hasta que la corriente
residual, del lado del nodo, se haya disipado por el proceso de recombinacin.
Se disponen de estos dispositivos con tensiones de bloqueo directo e inverso de valores de hasta 6
KV y corrientes de hasta 4000 A.
Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT)
En el IGCT, se integran un tiristor conmutado por compuerta (GCT) y un activador de compuerta en
tarjeta de circuito impreso multicapa. El GCT, es un GTO de conmutacin permanente con un pulso
de corriente de compuerta muy rpido y de valor muy alto, prcticamente del mismo valor que toma
la corriente de ctodo y la lleva a la compuerta en aproximadamente en 1 seg para asegurar un
apagado rpido.
La estructura interna de GCT y su circuito equivalente, es parecido al GTO, como se muestra en la
siguiente figura, que adems tiene un diodo integrado en paralelo:

El encendido del IGCT es similar al GTO, aplicando una corriente de encendido a la compuerta.
Para apagarlo, se recurre a una tarjeta de circuito impreso multicapa de compuerta que aplica un

pulso de apagado de subida rpida, por ejemplo una corriente de 4 KA/sg, con solo un voltaje de
20 volt de compuerta ctodo. Con esta variacin de la corriente de compuerta, el transistor npn,
del lado del ctodo, se apaga en su totalidad en menos de aprox. 1 seg. y de hecho el transistor
pnp al quedar su base abierta , tambin se apaga y el IGCT se desactiva. Debido a la muy corta
duracin del pulso, el consumo de compuerta se reduce al mnimo.
Tiristores controlados por MOS (MCT)
En un MCT, se combinan las propiedades de un tiristor regenerativo de cuatro capas, con una
estructura de compuerta MOS. En forma similar al transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT),
se logran las ventajas de los transistores bipolares con las de efecto de campo; el conjunto resulta
en una mejora respecto a un tiristor con un par de MOSFET, que lo activan y lo desactivan. Existen
varios dispositivos de estas estructuras MCT; solamente analizaremos una de ellas, el MCT de
canal p de mayor difusin. En la prxima figura representaremos su estructura interna:

El proceso de construccin de este dispositivo, es complejo, por lo que solamente nos remitiremos
a su circuito elctrico equivalente, formado por dos transistores bipolares, uno npn, el otro pnp y
dos transistores de efecto de campo MOS, uno de canal n y otro de canal p, conectados como
muestra la siguiente figura:

Debido a que la estructura del MCT es de tipo NPNP, diferente a un SCR normal que es del tipo
PNPN, el nodo se utiliza como Terminal de referencia, con respecto al cual se aplican las seales
de compuerta para su activacin y desactivacin.
El encendido de un MCT de canal p que esta en el estado de bloqueo directo (anodo positivo
respecto al ctodo) se puede realizar aplicando un pulso negativo, respecto al nodo. En el circuito
elctrico equivalente, vemos que esta accin, hace conducir al MOS de canal p (M1) y de esta
manera, a travs de sus terminales drenaje-surtidor, inyectan una corriente en la base del transistor
bipolar npn que inicia la realimentacin interna entre los transistores bipolares Q1 y Q2. El MCT
pasa al estado activo.
El MCT permanece en el estado activo, hasta que se invierta la polaridad de la tensin
nodo-ctodo, que gaga disminuir su corriente, o aplicando un pulso de apagado en su compuerta.
El proceso de apagado de un MCT, de canal p, es el siguiente: Si aplicamos un pulso positivo en la
compuerta, respecto al nodo, este pulso, hace conducir brevemente al MOS de canal n (M2), lo
que hace bajar su tensin drenaje-surtidor. Como estos ltimos terminales estn conectados a la
juntura base-emisor de Q1, cuando esta tensin cae por debajo de la tensin umbral, entonces
este ultimo transistor, deja de conducir corriente, abriendo la base de Q2 y de esta manera, se
anula la realimentacin interna. El MCT pasa al estado desactivado.
Para un MCT de canal n, la activacin se hace con un pulso positivo aplicado a la compuerta,
respecto al ctodo y la desactivacin, se realiza aplicando un pulso a la compuerta de polaridad
negativa, respecto al ctodo.
El MCT puede ser operado como dispositivo controlado por compuerta si la corriente controlada, no
supera el valor especificado. Para corrientes mayores, el apagado de un MCT, debe realizarse de
la misma manera que un SCR normal (por conmutacin de la tensin en sus extremos o
conmutacin forzosa).
Los anchos de pulso de compuerta no son crticos, con corrientes menores a la especificada. Para
corrientes mayores, el ancho del pulso, debe ser mayor. En muchos circuitos convertidores, como

por ejemplo los inversores, se aplican pulsos continuos de compuerta, tanto en el apagado como
en el encendido, para evitar falsos disparos en el control del MCT.
Los MCT tienen las siguientes caractersticas elctricas:
1) Tiene baja cada de tensin en sentido directo durante su estado conductor.
2) Tienen un corto tiempo de activacin, normalmente 0,4seg. y un corto tiempo de apagado de
aproximadamente 1,25 seg, por ejemplo para un MCT de 500 V y 300 A.
3) Tiene bajas perdidas por conmutacin.
4) Baja capacidad de bloqueo de la tensin inversa.
5) Alta impedancia de entrada en su compuerta lo que simplifica bastante el circuito generador de
pulsos de excitacin de compuerta.
6) Puede conectarse en paralelo para conmutar grandes corrientes, con pocas desviaciones de las
especificadas.
7) No puede utilizarse un transformador de pulsos si se necesita un pulso continuo para evitar
falsas excitaciones.
La estructura del MCT se reparte en toda la superficie del dispositivo, lo que le permite el
encendido y apagado rpido con bajas perdidas por conmutacin. La potencia o energa para su
activacin y desactivacin es baja y el retardo debido al almacenamiento de cargas, tambin es
muy bajo. Todas estas condiciones, lo aproximan como el dispositivo de retencin, ideal, para ser
usado en los convertidores de energa elctrica.
Tiristores de induccin estatica (SITH)
El SITH, llamado tambin diodo controlado-limado (FCD), fue introducido por Tezner en la dcada
de 1960. Es un dispositivo de portadores minoritarios por lo cual tiene baja resistencia o baja cada
de tensin en sus extremos cuando esta activo o conduciendo la corriente. Tiene grandes
velocidades de conmutacin de 1 a 6 seg, co capacidades de dv/dt y di/dt elevadas. Se lo puede
fabricar para soportar tensiones elevadas de hasta
2500 V con corrientes de hasta 500 A.
Este dispositivo, tiene una alta sensibilidad al proceso de fabricacin y pequeas perturbaciones en
su manufactura, producen grandes cambios en sus caractersticas.
Con la llegad de la tecnologa de carburo de silicio (SiC) se ha fabricado un SITH con una tensin
de bloqueo directo de 300 V.
En la siguiente figura, se representa un corte transversal de este dispositivo, su smbolo y su
circuito elctrico equivalente:

El funcionamiento de este dispositivo es el siguiente: Se enciende con un pulso de tensin positivo

entre compuerta y ctodo. Esto inicia la conduccin de corriente en el diodo pin (p+nn+), que
inyecta electrones del ctodo (n+) a la base n, entre la compuerta (p+) y el ctodo (n+), que se
difunden por el canal, modulando su resistividad, hacindolo mas conductor. Cuando estos
electrones llegan a la juntura J1, el nodo (p+), comienza a inyectar huecos en la base,
proporcionando la corriente de base del transistor Q2. Al aumentar la corriente de base, Q2 pasa a
la saturacin, haciendo que la juntura J2 se polarice directamente y provocando que el SITH, se
active completamente, todo esta accin, en un periodo muy breve.
La compuerta (p+) y la regin del canal, toma la forma de un transistor de efecto de campo de
juntura (JFET), proporcionando la corriente de base del transistor Q1(p+n p+).
Debido al alto contenido de dopantes de la compuerta p+, no pasan electrones a la compuerta.
Una parte de la corriente de huecos pasan por la compuerta p+ y por el canal directamente al
ctodo. El resto de la corriente de huecos pasa por la compuerta p+hacia el canal, como corriente
de compuerta del JFET en modo bipolar (BMFET). La corta distancia entre ctodo y compuerta da
como resultado una concentracin uniforme y grande de portadores en esa regin, haciendo que la
cada de tensin sea despreciable.
El apagado del SITH, se logra aplicando a la compuerta un pulso negativo de voltaje.
Esto provoca una capa de agotamiento en torno a la compuerta, creando una barrera de potencial
en el canal, que lo hace ms angosto, eliminando el exceso de portadores. Si el voltaje, aplicado a
la compuerta es suficientemente grande, el canal queda desprovisto de portadores de carga,
anulando la corriente entre el nodo y ctodo, desactivando al SITH.

Aplicaciones.

Rectificacin de corriente
Carga de bateras
Soldadura
Generacin de potencia a distancia

Procesos electroqumicos
Regulacin de fuentes de alimentacin
Control de velocidad de motores
Mquinas herramientas
Vehculos de traccin
Sustitucin de dispositivos electromecnicos
Rels
Protectores de sobre carga
Graduadores de iluminacin
Sistema de encendido de motores de explosin
Control de temperatura con termopares
Control de potencia
Radar,
Laser de impulsos
Generadores de ultrasonidos
Circuitos lgicos
Multivibradores de potencia
Control de tiempo, contadores
Fines de carrera, deteccin de niveles
Circuitos de alarma
Control de alumbrado de emergencia

Familia de tiristores