UNIVERSIDAD PEDAGGICA Y TECNOLOGICA DE COLOMBIA FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA 2015

Amplificador Multietapa. (Septiembre 2016)

Suly V. Cifuentes B., Estudiante VIII semestre Facultad de Ingeniera Electrnica
suly.cifuentes@uptc.edu.co vcifuentes9@gmail.com
Juan G. Robles P., Estudiante VII semestre Facultad de Ingeniera Electrnica
juan.robles01@uptc.edu.co

I.
RESUMEN
Esta prctica de laboratorio se procedi a desarrollar un
amplificador multi-etapa como recordatorio de lo aprendido en
el curso de electrnica II. Para el desarrollo de esta prctica se
requera hallar los respectivos parmetros y la caracterizacin
de cada transistor, para as poder llevar un buen desarrollo de
la prctica.
Ya teniendo los respectivos parmetros de cada transistor se
procede a hallar el valor de cada una de las resistencias de
cada etapa para as poder simular este esquema en el
simulador Orcad. Una vez verificado el ptimo
funcionamiento en la parte terica se procede a
implementacin en fsico de este amplificador multi-etapa,
probando el funcionamiento de cada una de las etapas por
separado, para luego poder acoplarlas por medio de
capacitores.
Abstract- This lab proceeded to develop a multi-stage
amplifier as a reminder of what has been learned in the
course of electronics II. For the development of this
practice was required to find the respective parameters
and the characterization of each transistor, in order to
bring a good development practice.
Already having the respective parameters of each
transistor proceeds to find the value of each of the
resistors of each stage in order to simulate this scheme in
Orcad simulator. Once verified optimum performance in
the theoretical part we proceed to physical implementation
of this multi-stage amplifier, testing the operation of each
stage separately, and then to couple them through
capacitors.
II.

INTRODUCCIN

Es muy fcil imaginarse que es un amplificador multi-etapa. A

primera impresin se observa que es un circuito que recibe una
seal y devuelve una seal idntica pero de diferente amplitud
(menor o mayor). Y que tiene ms de una etapa en la que realiza
dicha operacin. Ahora si bien es fcil ver de qu se habla, el
estudio es un poco ms complejo. Los 2 factores ms importantes en

un amplificador multi-etapa son: Las etapas amplificadoras y los

modos de acoplamiento. Las etapas amplificadoras ms conocidas
y usadas son: Transistorizadas con emisor comn, seguidor emisor
(colector comn), base comn, diferencial, y amplificacin con
operacionales. Los modos de acoplamiento Ms usuales son:
Acoplamiento directo, Capacitivo, y por transformador. Estas
configuraciones tienen sus ventajas y desventajas. Ya que por
ejemplo se recibe una mayor amplificacin y podemos reducir los
problemas por impedancias. Pero se tiene la desventaja de agregar
ms componentes y perder ancho de banda de trabajo. Conociendo
estas distintas etapas, ventajas, y desventajas se puede realizar
circuitos amplificadores para diferentes utilidades. Etapas
amplificadoras. Emisor comn: La seal se aplica a la base del
transistor y se extrae por el colector. El emisor se conecta a las
masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia tanto de tensin como de corriente y
alta impedancia de entrada. Base comn: La seal se aplica al
emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se conecta a
las masas tanto de la seal de entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La impedancia de
entrada es baja, la de salida media alta y la ganancia de corriente
algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de emisor
sale por la base. El desarrollo de un circuito de este tipo se
encontrar en el presente informe, en el apartado III correspondiente
al desarrollo y anlisis de resultados de la prctica, se encontrar el
desarrollo detallado de cada etapa y el respectivo anlisis del
resultado final de la onda.

III.

DESARROLLO, ANALISIS Y RESULTADOS

DE LA PRACTICA

3.1. Desarrollo terico Amplificador Multietapa: Para el

diseo del amplificador multi-etapa se requiri de una
RL=28Ohms una potencia de salida Pout=19W, un voltaje de
entrada Vinpp=100mV y una Impedancia de entrda mayor a
Zin>50KOhms. Teniendo en cuenta los datos mencionados
anteriormente se procede a despejar el voltaje de salida pico a
pico
con
la
ecuacin
1:

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V opp = 8 * RL * P out = 20.63v

(1)

Y conociendo Vopp y Vinpp hallamos la ganancia de voltaje

de todo el circuito que corresponde a:
V opp

Av = V inpp = 206.3

La que se dividir en dos etapas de emisor comn, en la

primer etapa se tendr una ganancia de Av=20,63 y en la
segunda una ganancia de Av=10. Para el diseo total se har
uso de cuatro etapas, dos de colector comn y dos de emisor
comn.
Fig. Etapa 1: Colector Comn
3.1.1. Etapa I: Colector comn: Para la primer etapa de
colector comn se tiene una ganancia de voltaje ideal de
Av=1, una RL= 28Ohms y se asume un Voltaje de
polarizacin de Vcc=24v, Como esta corresponde a la etapa de
potencia se hace uso de un transistor Tip 122 que se
caracteriza con un VCE=12Vy una corriente de colector de
552,59mA, Los parmetros correspondieron a un Beta=7527.6
y un VBE=1.325, ya que corresponde a un Transistor
Darlington. Los Clculos de los dems elementos del circuito
se plasmaron en la TABLA I, y su comprobacin terica se
encuentra en el Anexo 1.

3.1.2. Etapa II: Emisor Comn: Para la primer etapa de

emisor comn comn se tiene una ganancia de voltaje ideal de
Av=26.03, una RL= 14kOhms y se asume un Voltaje de
polarizacin de Vcc=24v.Para las etapas de amplificacin del
circuito que son las dos etapas de emisor comn se har uso
del transistor de propsito general 2N2222 que se caracteriza
con un VCE=8Vy una corriente de colector de 10mA, Los
parmetros correspondieron a un Beta=191 y un VBE=0.704v.
Los Clculos de los dems elementos del circuito se
plasmaron en la TABLA II, y su comprobacin terica se
encuentra en el Anexo 2.

TABLA I. ETAPA 1 COLECTOR COMN

Transistor: Tip 122 ( B=7527,6, Vbe=1,325 )

Ic = 10mA

Ib=52,35uA

Ie=10,052m
A

Vce=8

PRE=6,63w
t

VRE=8v

Vre=8v

Re=795,86

PRE=4mW

PR1=3,4m
w

R2=40k

RC=800

PRC=12m
W

R =496,6

Ptrt=80m
W

Av=0,9969

Zin=14k

Avmax=30
7

RB=15k

Vbb=9,48 V

R1=38K

PR1=5mW

PR2=4mW

RE1=36

RE2=760

Zin=5k

Vinpp=1v

Cre =1mF

Vce=12v

Vre=12v

Ic=552mA

Ib=73,4uA

Ie=552,66m
A

Ptst=6,63w

RE=21,71

Vbb=14,49v

R1=27k

PR2=5,2mw

R =355

TABLA II. ETAPA EMISOR COMUN (Av=26.03)

Transistor: Q2N2222( B=191 Vbe=0,704 )

Con los parmetros y clculos plasmados en la TABLA I se

procede a implementar en ORCAD la primer etapa del
circuito como se observa en la Figura 1.

CZin=1mF

Con los parmetros y clculos plasmados en la TABLA II se

procede a implementar en ORCAD la primer etapa del
circuito
como
se
observa
en
la
Figura
2.

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Fig. 2 Etapa Emisor comn Av= 26.03.

Fig.3 Etapa Emisor comn Av=10

3.1.3. Etapa III: Emisor Comn: Para la segunda etapa de

emisor comn se tiene una ganancia de voltaje ideal de
Av=10, una RL= 5kOhms y se asume un Voltaje de
polarizacin de Vcc=24v. Para las etapas de amplificacin del
circuito que son las dos etapas de emisor comn se har uso
del transistor de propsito general 2N2222 que se caracteriza
con un VCE=8Vy una corriente de colector de 10mA, Los
parmetros correspondieron a un Beta=191 y un VBE=0.704v.
Los Clculos de los dems elementos del circuito se
plasmaron en la TABLA III, y su comprobacin terica se
encuentra en el Anexo 3.

3.1.4. Etapa IV: Colector comn: Para la primer etapa de

colector comn se tiene una ganancia de voltaje ideal de
Av=1, una RL= 7.6kOhms y se asume un Voltaje de
polarizacin de Vcc=24v, En esta etapa se hace uso de un
transistor Tip 122 que se caracteriza con un VCE=12Vy una
corriente de colector de 10.79mA, Los parmetros
correspondieron a un Beta=2204.8 y un VBE=1.401, ya que
corresponde a un Transistor Darlington. Los Clculos de los
dems elementos del circuito se plasmaron en la TABLA IV, y
su comprobacin terica se encuentra en el Anexo 4.
TABLA IV. ETAPA FINAL COLECTOR COMUN

TABLA III. ETAPA EMISOR COMN (Av=10)

Transistor: Tip 122 ( B=2204,8 , Vbe=1,161v )
Transistor: Q2N2222 ( B=191 Vbe=0,704 )

Vce=12v

Vre=12v

Ic=10,77mA

Ib=4,85uA

Ic = 10mA

Ib=52,35uA

Ie=10,052mA

Vce=8v

Ie=10,774mA

Ptst=129mw

Re=1113

Pre=3,2mw

Vre=8v

VRE=8v

RE=795,86

Pre=12mW

Vbb=14,35v

R1=54k

Pr1=3,3mw

R2=77k

Rc=800

PRC=7mW

R =496,6

Ptrt=80m
W

Pr2=2,2mw

R =5322

Av=0,9975

Zin=220k

Avmax=30
7

RB=15k

Vbb=9,48 V

R1=38K

PR1=5mW

PR2=4mW

RE1=77

RE2=760

Zin=7,6k

Vinpp=100,28mv

CRE =1mF

CZin=1mF

Con los parmetros y clculos plasmados en la TABLA III se

procede a implementar en ORCAD la primer etapa del
circuito como se observa en la Figura 3.

Con los parmetros y clculos plasmados en la TABLA IV se

procede a implementar en ORCAD la primer etapa del
circuito
como
se
observa
en
la
Figura
4.

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Fig.4 Etapa Final Colector Comn.

Una de las principales razones por las que se present la falla

en el circuito es el mal acople de impedancias que existe entre
etapas y eso genera inestabilidad en el circuito. Tambin se
debe tener en cuenta que al ser elementos discretos tienden a
ser inestables y a cambiar sus caractersticas al paso del
tiempo y a condiciones no favorables. En este caso las
condiciones no favorables hacen referencia a la disipacin de
calor en los elementos. Tambin cabe resaltar que el no
encontrarse los elementos con los valores exactos no se logra
el resultado exacto ni esperado por el diseador.

Al finalizar el diseo de todas las etapas se procede a unirlas

por medio de capacitores de acople como se muestra en la
Figura 5 que corresponde al circuito amplificador multietapa
con ganancia Av=206.3.

IV.

Fig. 5 Amplificador Multietapa Completo

Y en la figura 6 se puede observar el resultado de la
simulacin en ORCAD. Cabe resaltar que en la
simulacin se observa que la amplificacin no
cumplio con los parametros deseados, ya que
debera amplificar un total de 20.6vpp y logra solo
una amplitud de 16.5vpp.

1.

Es necesario tener en cuenta que hay distintos factores que

pueden afectar el ptimo funcionamiento de un amplificador
multi-etapa, como los son la temperatura, la humedad, etc.

2.

En el momento de la implementacin es necesario utilizar

capacitor igual o mayor al voltaje entregado por la fuente, ya
que en el momento de visualizar la forma de onda en el
osciloscopio esta puede cambiar su forma y verse un poco
alterada, lo cual dificulta su interpretacin.

3.

La inestabilidad en este tipo de circuitos tiende a ser inmensa

cuando se implementan con elementos discretos como son los
transistores. Se logro observar a lo largo del desarrollo de la
practica la poca practicidad y eficiencia de este tipo de
circuitos y tambin el consumo excesivo de espacio, por lo
tanto se hace muy poco practica su implementacin

V.
Fig.6 Simulacin en el tiempo ORCAD.
Al realizar la implementacin fsica del circuito no se logr el
resultado esperado ya que la amplitud que se logro fue de
l
i
l
1Vpp como se observa en la Fig. 7 . y a gananc a de
amplificador se redujo de manera notable

Fig.7 Resultado prctico sobre Osciloscopio.

CONCLUSIONES

REFERENCIAS

[1].BOYLESTAD, Robert L. Electrnica: Teora de

Circuitos. Editorial Prentice Hall, 1995.
[2].GUTIRREZ, Humberto. Electrnica anloga: teora y
laboratorio. Ed. Humberto Gutirrez. 1996
[3]MALVINO, Albert Paul. Principios de electrnica.
Editorial McGraw-Hill, 1991.
[4]MILLMAN, Jacob. Electrnica integrada. Editorial
Hispano
Americano, 1986.

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ANEXO 1

ANEXO 2

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ANEXO 3

ANEXO 4