Trabajo de circuitos digitales

Tema: sistemas numricos

Entregado a: Ing. jose Caicedo Ortiz

Entregado por : Daniela correa y jose Villanueva

Curso: lunes 9:30

Facultad de ingeniera

Fecha: 08/08/2016
Universidad de la costas(CUC)

1. Defina las formas de onda digitales, pulso digital, periodo y frecuencia

del pulso, diagramas de tiempo en pulsos digitales.
- Formas de ondas digitales
Las formas de las ondas digitales consiste en alto y bajo, es decir un
impulso positivo es cuando pasa la tensin de nivel bajo a nivel bajo y
viceversa. Un impulso tiene dos flancos un flanco anterior (flanco de subida)
que se produce en un instante t0 y un flanco posterior(flanco de bajada)
que se produce en un instante t1.

Imagen impulso positivo y negativo.

El tiempo de subida se mide como el tiempo que tarda en pasar del 10% al
90% partiendo dese la lnea base con la amplitud del impulso y el tiempo de
bajada se mide en pasar del 90% hasta el 10%, esta razn se debe porque
el 10% inferior y el 10% superior no se incluye debido a la no linealidad de
la seal en estas reas.
-

Periodo y frecuencia del pulso

La frecuencia (f) se mide en ciclos por segundo o hertzios (hz) y el periodo

(T) se mide en segundos. Sus frmulas son

F=1/T
T= 1/f

Diagrama de tiempos

Un diagrama de tiempo es una grafica que muestra la relacin temporal entre

varias seales, y como va cambiando cada seal con las dems, mostrando un
registro en cada momento de tiempo como podemos observar en la imagen.

El objetivo ms relevante en este diagrama es ver el cambio de estado de un

objeto a largo plazo, mostrando as las respuestas o estmulos aceptados.
2. Qu es un circuito Digital Integrado, cuales tipos existen (DIP, SOIC,
PLCC, LCCC, FP)?
Es un tipo de circuito en donde encontramos todo sus componentes integrado
como dice el concepto, todo en uno solo chip de material semiconductor de
tamao pequeo.
Las nuevas tecnologas de circuitos digitales han creado los circuitos
integrados(CI) y los han usado a lo largo de los aos por su fiabilidad, su bajo
costo y su bajo consumo de energa. Un chip CI es la unin de transistores,
resistencias, condensadores y diodos en un pequeo chip de silicio. Sus
funciones son definidas por el fabricante y no se pueden modificar.
Estos chips tienen dos principales categoras la lgica para funciones fijas y la
lgica programable.
Encapsulados de CI
-

DIP: (Dual in-line package) Es un tipo de encapsulado CI donde sus

terminales deben insertarse en los taladros de la tarjeta de circuito
impreso.

Figura DIP

SOIC (Small-Outline Integrated Circuit): Es un encapsulado SMD

que tiene un parecido al DIP pero tiene pines con forma de alas.

Figura SOIC
-

PLCC ((Plastic Leaded Chip Carrier), encapsulado SMD cuyos terminales

se insertan en su cuerpo en forma de J.

Figura PLCC
-

LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier): Es un encapsulado SMD que

tiene contactos metlicos moldeados en su cuerpo.

Figura LCCC
-

FP (Flat package): Es un encapsulado cuadrado o rectangular con

patillas paralelas al plano de la base adherida a los dos lados opuestos
del permetro del encapsulado.

Figura FP

3. Qu es TTL, Qu es CMOS, explicar completamente?

TTL
Sus siglas significan transistor-transistor logic, es decir lgica transistor a
transistor es un tipo de tecnologa de circuitos electrnicos digitales. En los
componentes fabricados con tecnologa TTLRS los elementos de entrada y
salida del dispositivo son transistores bipolares (wikipedeia)
Aunque la tecnologa TTL tiene su origen en los estudios de Sylvania, fue
Signetics la compaa que la populariz por su mayor velocidad e
inmunidad al ruido que su predecesora DTL, ofrecida por
Fairchild Semiconductor y Texas Instruments, principalmente. Texas
Instruments inmediatamente pas a fabricar TTL, con su familia 74xx que
se convertira en un estndar de la industria.

Figura esquema de TTL

Caracteristicas

Su voltaje de alimentacin es de +5 voltios con vmin=4.75 Voltios y

Vmx = 5.25 Voltios. Por encima del voltaje mximo el circuito integrado se
puede daar y por debajo del voltaje mnimo el circuito integrado no
funcionara adecuadamente.

Su realizacin (fabricacin) se logra con transistores bipolares

multiemisores, como se puede observar en el grfico siguiente. (Ver E1, E2)

Las seales de TTL se degradan muy rpido si no se transmiten a travs de

circuitos adicionales.

Tiene 3 etapas la primera entrada de emisor que utiliza un transistor

multiemisor en vez de una matriz de diodios de DTL la segunda fase es un
transistor conectado a un emisor comn que produce en su colector y emisor
seales en contrafase y la ultima es la etapa driver que esta formada por varios

transistores, separados en dos grupos el primero va conectado al emisor del

separador de fase y ordena la corriente para producir el nivel bajo a la salida ,
el segundo grupo va conectado al colector del divisor de fase y produce el nivel
alto.
Los circuitos de tecnologa TTL se prefijan normalmente con el nmero 74 (54 en
las series militares e industriales). A continuacin un cdigo de una o varias cifras
que representa la familia y posteriormente uno de 2 a 4 con el modelo del circuito.

Con respecto a las familias cabe distinguir:

TTL: serie estndar.

TTL-L (low power): serie de bajo consumo.
TTL-S (schottky): serie rpida (usa diodos Schottky).
TTL-AS (advanced schottky): versin mejorada de la serie anterior.
TTL-LS (low power schottky): combinacin de las tecnologas L y S (es la
familia ms extendida).
TTL-ALS (advanced low power schottky): versin mejorada de la serie
LSS.
TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky).
TTL-AF (advanced FAST): versin mejorada de la serie F.
TTL-HCT (high speed C-MOS): Serie HC dotada de niveles lgicos
compatibles con TTL.
TTL-G (GHz C-MOS): GHz (From lbkj).

CMOS
Es un semiconductor complementario de xido metlico, es de la familia lgica
usada en la fabricacin de circuitos integrados. Una de sus principales
caractersticas es que consiste en la utilizacin conjunta de tipo pmos y tipo
nmos configuradas para que en estado de reposo solo use energa debido a las
corrientes parasitas se encuentra colocado en la placa base.
Otra de sus caractersticas es que es regenerativos es decir una seal
degradada que acometa una puerta lgica CMOS se vera restaurada a su valor
lgico inicial que son 0 o 1 siempre y cuando este dentro de los mrgenes de
ruido que el circuito pueda tolerar.
Uno de sus problemas es la reducida velocidad. En el momento que se
aumenta la frecuencia del reloj su consume sube hacindose mayor que las
otras tecnologas. Esto se debe a dos razones

La capacidad MOS, intrnseca de los transistores MOS

La utilizacin de MOS de canal P, mas lentos que los de canal N, por ser
la movilidad de los huecos menor que la de los electrones.

La creacin del CMOS es muy complejo por lo tanto optaron por la fabricacin
de una nueva tecnologa llamada I^2L.

Fueron apareciendo nuevas familias lgicas como los son HC y HCT en

competencia directa con la TTL-LS dominadora del sector digital hasta ahora.
La velocidad de estos nuevos CMOS hay que considerar la arquitectura de los
circuitos NMOS

Uso de cargas activas : esto es un transistor que se polariza con otros

transistores y no con resistencias debido al menor tamao de aquellos.
Tambin funciona como fuente de corriente constante.
Estructura de almacenamiento dinmicas: la propia capacidad MOS se
puede utilizar para retener informacin durante cortos periodos de
tiempo.

En cambio la tecnologa cmos puede eliminar la carga activa y suele sustituir

los registros dinmicos por estticos y asi puede bajar el reloj hasta cero.
4. Cules son las series ms comunes CMOS y TTL?

Segn The TTL Data Book for Design Engineers (el libro de datos TTL para
diseo de ingeniera) el cual muestra segn la referencia las caractersticas de
cada cicuito integrado son:

Bipolar
74 - Subserie inicial, obsoleta.
74L - Bajo consumo, pero lenta
H - Alta velocidad
S - Schottky, obsoleta
LS - Schottky de bajo consumo
AS - Schottky Avanzada
ALS - Schottky Avanzada de bajo consumo
F Rpida
CMOS
C - CMOS 4-15V similar a la serie 4000
HC - CMOS alta velocidad, rendimiento similar a LS, 12nS
HCT - Alta velocidad, niveles compatibles con bipolar
AC - CMOS avanzada, rendimiento entre S y F
AHC - CMOS avanzada de alta velocidad, velocidad tres veces superior a
HC
ALVC - Bajo voltaje - 1.65 to 3.3V, tpd 2nS
AUC - Bajo voltaje - 0.8 to 2.7V, tpd<1.9nS@1.8V
FC - CMOS rpida, rendimiento similar a F
LCX - CMOS con alimentacin de 3V y entradas de 5V
LVC - Bajo voltaje - 1.65 a 3.3V y entradas de 5V, tpd<5.5nS@3.3V,
tpd<9nS@2.5V
LVQ - Bajo voltaje - 3.3V
G - Velocidades superiores a 1 GHz, alimentacin entre 1.65V y 3.3V y
entradas de 5V, tpd 1nS (Producidas por Potato Semiconductor)
BiCMOS
BCT - BiCMOS, compatible con niveles TTl a la entrada

ABT - BiCMOS avanzada, compatible con niveles TTl a la entrada, ms

rpida que ACT y BCT
5. Comparar las tecnologas CMOS y TTL en trminos de dispositivos y
parmetros de funcionamiento (Retardo de Propagacin, Disipacin de
Potencia, fan-out).
Familia CMO
Parmetros caractersticos
OHmin: Es la tensin de salida mnima que se garantiza en nivel alto.
iHmin: Es la mnima tensin de entrada que se garantiza ser reconocida
como nivel alto.
Olmax: Es la tensin de salida mxima que se garantiza en nivel
bajo.
ilmax: Es la mxima tensin de entrada que se garantiza ser reconocida
como nivel bajo.
Los elementos lgicos abstractos procesan 0's y 1's. Los circuitos reales
procesan seales elctricas, en este caso niveles de tensin
Niveles lgicos y margen de ruido
Los parmetros relacionados con los niveles lgicos nos dan informacin acerca
de los niveles de ruido que ser capaz de aceptar nuestra lgica sin que se
corrompa la informacin. Estos parmetros pueden venir dados como valores
absolutos o como relativos a la alimentacin

Retardo de propagacin
Se define como el tiempo que transcurre desde que se produce un cambio en
la seal de entrada hasta que ste se refleja en la salida Se suele dar desde el
punto medio del flanco de subida o bajada de forma que se eliminan en lo
posible los tiempos de transicin
En caso de que se cargue una puerta en exceso los tiempos de transicin harn
incrementar el retardo de propagacin.
: Retardo de propagacin cuando la salida pasa de nivel alto a nivel bajo
pHL pLH.

: Retardo de propagacin cuando la salida pasa de nivel bajo a nivel alto.

Figura terardo de programacin familia CMO

Consume potencia cuando hay paso de corriente desde alimentacin a tierra
cuando la tensin de entrada esta lejos de la alimentacin y la tierra, es decir
en las transiciones.

Formula de potencia en CI para la familia CMO

Se consume potencia cuando cargamos la carga capacitiva a la salida. Esta
capacidad es debida a las conexiones y a la impedancia de carga.

Familia TTL

Caractersticas respecto a CMOS

Los transistores usados son bipolares, esto implica: corrientes de entrada
mucho mayores consumo de potencia en esttica mayor velocidad?
Podemos apreciar en los niveles lgicos, que no son simtricos.
Niveles lgicos indicativos para puertas TTL

Disipacin de Potencia en Conmutacin

En la familia CMOS, la disipacin de potencia se da prcticamente en
rgimen de conmutacin. La mayor disipacin de potencia en rgimen
esttico ocurre en la familia TTL.

Retardo de propagacin y frecuencia mxima de funcionamiento

El diseo de un sistema digital de un rgimen de trabajo a alta velocidad
debe incluir un tiempo de retardo de propagacin de compuertas bajo.
Lgicamente, un menor retardo de propagacin se traduce en una mayor
frecuencia mxima de funcionamiento. El tiempo de propagacin medio
(tPD) se mide en nS y la mxima de frecuencia de funcionamiento en MHz.
En la tabla. Se muestran los tiempos de las familias lgicas TTL y CMOS.
Disipacin de Potencia
Por razones econmicas predominan los dispositivos de baja disipacin de
potencia. La diferencia de potencia CMOS es un milln de veces menor a la
familia TTL.
6. Qu son, para que utilizan el cdigo GRAY el cdigo ASCII, Exceso a 3 y
el bit de paridad, su relacin con el sistema binario y los sistemas
digitales modernos?
El cdigo GRAY es un cdigo sin ponderacin que solo cambia un bit por
secuencia en una palabra de cdigo y sirve para evitar problemas de sistemas
donde pueda ocurrir un error si ms de un bit cambia de secuencia.
El cdigo ASCII es un cdigo alfanumrico que codifica 128 caracteres y
smbolos usando 7 bits en donde sus primeros 32 caracteres son de carcter de

control pero ibm indujo este cdigo el cual ahumento a 256 caracteres a 8 bit

Mtodo de paridad y deteccin de errores

Este mtodo consiste en la transmisin siempre para sistemas que involucran
errores de un bit.
Un bin extra se adjunta a un grupo de bits para forzar el numero de paridad
par o impar paridad impar, el sistema puede funcionar con impar o impar pero
nunca con ambas.
Este mtodo tiene que ver con el sistema binario por ejemplo si se quiere
transmitir un cdigo BCD el cdigo total trasmitido incluyendo el bit de paridas
es
00101 donde el primer 0 es el bit de paridad asi se reduce el error al transmitir
7. Datos serie y paralelo y como es su transmisin
La transmisin en serie se utiliza para realizar conexiones a larga distancia
pero no es tan usada debido a su lentitud y la transmisin paralela es mas
rpida por lo tanto es la mas usada pero tambin es mas costosa y es para
transmisiones cortas, estos funcionan el paralelo enva los bits
simultneamente por sus canales ya sea un cable etc.

8.

Mencione 5 aplicaciones de los sistemas digitales de acuerdo a su

carrera (Electrnica, Elctrica o Sistemas).

De las aplicaciones que tenemos en la ingeniera electrnica, de los sistemas

digitales hablando, encontramos el reproductor de disco compacto CD, la
msica de forma digital se almacena en l. Tambin, tenemos el diseo de
computadores, instrumentacin, control de procesos industriales y semforos.
A su vez, en la ingeniera de sistemas encontramos digitalizacin en los
sistemas operativos y en las redes de computadoras.
Referencias
Anonimo. Como probar un circuito integrado.
http://www.sharatronica.com/prueba_ic.html
Anonimo. 5 de mayo de 2003. The History of the Integrated Circuit. Nobel
Media AB. http://www.nobelprize.org/educational/physics/integrated_circuit/h
istory/index.html
Donate, A. H. (1997). Tcnicas electrnicas digitales: tecnologa y circuitera en
TTL y CMOS. Marcombo.
Floyd, T. L. (1997). Fundamentos de sistemas digitales (Vol. 7). E. B. L. de Turiso
(Ed.). Prentice Hall.
The Engineering Staff, Texas Instruments. The TTL Data Book for Design
Engineers (Primera edicin edicin). Dallas, Texas
Wanlass, F., & Sah, C. (1963, February). Nanowatt logic using fieldeffect metaloxide semiconductor triodes. In Solid-State Circuits Conference. Digest of
Technical Papers. 1963 IEEE International (Vol. 6, pp. 32-33). IEEE.