Etapa de salida Clase AB Quasi-complementaria.

Si bien uno de los fabricantes de transistores de potencia ofrecen juegos de

transistores NPN y PNP para usar en la simetra complementaria en todas las
potencias, esta no es una regla que se cumple en todos los casos, algunas de las
firmas fijan sus lmites en los valores que oscilan entre 50 a 115W a lo que se
entrega que la diversidad de los transistores NPN es siempre es mayor que la
PNP. Recordemos que ambos transistores son inherentes diferentes, ya que para
iguales diseos el PNP tiene peor respuesta, lo que obliga a redimensionarlos
para lograr caractersticas similares lo que no siempre se logra a la perfeccin (por
ejemplo la respuesta en frecuencia), en especial cuando la potencia aumenta. A
estos problemas se le agrega muchas veces la falta de disponibilidad comercial
(stock en mostrador) de estos juegos, en especial en grandes potencias. Por todo
ello viene a nuestra ayuda, como una opcin ms del diseador, el acoplamiento
quasi-complementario que utiliza dos transistores NPN en la salida precedidos por
una etapa complementaria de evidente menor potencia.

Esta configuracin puede analizarse de dos maneras diferentes:

Uno de los problemas de las etapas de salida clase B y AB es la reducida
capacidad para manejar potencia que presentan los transistores pnp. Para salvar
dicha dificultad en gran cantidad de diseos se implementa el transistor pnp (QP)
mediante un transistor pnp (Q3) y un transistor npn (Q4) capaz de manejar
elevadas potencias.

La tensin de saturacin del transistor formado por

Q3 y Q4 ser VCE3(sat)+VBE4. Este valor es
superior al normal con lo que la excursin de seal
negativa ser menor.

Problemas de inestabilidad del lazo de

retroalimentacin formado por Q3 y Q4. Propenso a oscilaciones a alta frecuencia
(~5 MHz)

Etapa de salida Clase AB Proteccin contra cortocircuito

Etapa de salida Clase AB Quasi-complementaria.

Debido a que los transistores pnp tienen una capacidad limitada de corriente, la
etapa de salida complementaria solo es adecuada para entregar una potencia de
carga de unos cuantos cientos de miliwatts o menos. Si se requiere una potencia
de salida de varios watts o ms, debern utilizarse transistores npn. Partiendo de
un transistor pnp Qp y de un transistor npn de alta potencia Q N1, se puede fabricar
un transistor pnp compuesto. Esta configuracin, que se conoce como etapa de
salida cuasicomplementaria.

El par formado por Qp y QN1 es equivalente a una transistor pnp.

La corriente del colector de Qp est dada por:

I CP =I S e

V EBP
VT

La corriente compuesta del colector IC es la corriente del emisor de QN1. Esto es:
I C =( 1+h fe ) I CP =( 1+ hfe ) I S e

V EBP
VT

que tiene la misma relacin que un transistor pnp normal. Sin embargo, el
transistor npn lleva la mayor parte de la corriente y el transistor pnp solo una
pequea cantidad de la misma .El voltaje de saturacin del pnp compuesto ser
VCE(SAT)+VBEN1, que es mayor que el de un transistor pnp normal.
El transistor pnp compuesto puede ser remplazado por una combinacin MOSbipolar que se conoce como PMOS compuesto,

La caracterstica de transferencia del PMOS est dada por:

I D =( 1+ hfe ) I DP =(1+h fe)

unC o W
( )(V GSV t )2
2
L

Por tanto, el PMOS compuesto tiene una relacin W/L que es (1+h fe) veces ms
grande que la correspondiente a un dispositivo PMOS normal.
En conclusin el amplificador cuasicomplementario utiliza un transistor pnp
compuesto, que puede entregar una potencia de salida ms grande que un
dispositivo pnp normal.

Proteccin contra cortocircuito y proteccin trmica

La etapa de salida normalmente est protegida contra cortocircuito y contra la
elevacin excesiva de temperatura.

Proteccin contra cortocircuito.

El circuito mostrado en la figura anterior est formado por el transistor Q 1 y el
resistor RE1. Si ocurre un corto circuito en la carga mientras Q N est conduciendo,
fluir una corriente grande por RE1, desarrollando un voltaje VRE1 llega a ser lo
suficientemente grande, el transistor Q1 se activa y lleva la mayor parte de la
corriente de polarizacin IR1. Por tanto la corriente de base QN es reducida a un
nivel seguro. Las cadas de voltaje a travs de los resistores de emisor disminuirn
el voltaje de salida en la misma cantidad, por tanto los valores de R E1 y RE2 deben
ser tan bajos como sea posible (del orden de los m). Sus valores quedan
determinados a partir de
R 1=R 2 =

Donde

V BE1
i O (med )

i O(corto) es la corriente del corto circuito permisible para activar el transistor

Q1. Para VBE1=0.7V e i O(corto) =200 mA, R 1=R 2 =0.7/200mA= 3.5 a pesar
que

R 1 y

R 2 reducen la excursin del voltaje de salida, estabilizaran la

corriente de polarizacin IQ protegiendo a QN y QP contra la elevacin excesiva de

temperatura en la unin.
Proteccin trmica.
El circuito mostrado en la anterior figura para la proteccin trmica est formado
por dos transistores (Q2 y Q3), tres resistores (R1, R2 y R3) y un diodo zener.

Normalmente, el transistor Q2 esta desactivado. Si la temperatura aumenta, V RE3

disminuye debido al coeficiente negativo de temperatura de Q 3, el voltaje zener Vz
aumenta, por el coeficiente positivo de temperatura del diodo zener D z. Como
resultado, el voltaje en el emisor de Q3 se eleva y el voltaje de base de Q2
tambin aumenta. Si la elevacin de temperatura es adecuada, Q 2 se activa y se
desva la corriente de referencia IR del amplificador, desconectndolo. LA
elevacin mxima permisible de temperatura T se puede calcular a partir de:
R

[ T ( K DZ + K Q 3 ) + V BE 3 ] R +1R
1

=V BE 2=V T ln
2

IR
IS

( )

Donde:
K DZ

= coeficiente de temperatura del diodo zener, en V/C

KQ3

= coeficiente de temperatura del transistor Q 3, en V/C

V BE 3

= voltaje base-emisor de polarizacin de Q3

En conclusin:
Los transistores de una etapa de salida normalmente estn protegidos contra las
corrientes excesivas que resultan de cortocircuitos. La proteccin se puede
proveer agregando un transistor adicional y un pequeo resistor de colector para
cada uno de los transistores de salida.
La proteccin trmica se obtiene aprovechando el coeficiente negativo de
temperatura de un transistor y el coeficiente positivo de temperatura del diodo
zener