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Introduccin
1.
Transistor
2.
Mosfet
3.
III. Metodologa
o 1 Osciloscopio de 2 Canales.
o 1 Generador de seales con resistencia de
salida de 50.
o 1 Multmetro digital.
o 1 Fuente DC.
o 3 Sondas.
o Conectores caimn- caimn.
o Conectores banana-caimn.
o Transistores
Mosfet
canal
enriquecimiento TC4007.
o Resistencias de 10 y 100k.
o Potencimetro de 10k.
o Diodo 1N4004.
o Led
de
Se
comenz
conectando
los
montajes
correspondientes a las compuertas lgicas NOT,
NAND y NOR comprobando que los circuitos se
comportaran de acuerdo a las tablas de verdad antes
consultadas, se realiz variando la tensin de
alimentacin de la compuerta entre 0 y 5 voltios.
Asimismo con el montaje del inversor Mosfet se
tomaron evidencias de los diferentes valores de
tensin con los que cuenta la funcin de
transferencia.
Simulacin
Circuito compuerta NOR:
Tabla de verdad
A
0
0
1
1
B
0
1
0
1
C
1
0
0
0
IV. Circuitos
Circuito compuerta NOT:
Tabla de verdad
A
0
1
B
1
0
Simulacin
Tabla de verdad
A
0
0
1
1
B
0
1
0
1
C
1
1
1
0
Simulacin
V. Tablas y resultados
Simulacin
Circuito inversor Mosfet
Corresponde al mismo circuito de compuerta
NOT, con la misma tabla de verdad. Segn el
datasheet u hoja de datos tcnicos las tensiones del
circuito corresponden a:
VOL = 0,05 V
VOH = 4,95 V
VIL = 1,0 V
VIH = 4,0 V
La funcin de transferencia que permite hallar los
anteriores valores es la siguiente:
Simulacin
IDS (mA)
3
2
1
0
0
VOL = 0,1 V
VOH = 4,8 V
VIL = 0,9 V
VIH = 3, 7 V
VG (V)
IDS (mA)
2,0280
1,5450
1,2870
0,9860
0,7380
0,4140
0,0147
12 Voltios
7 Voltios
VD
VD
ID (mA)
ID (mA)
10 Voltios
VD
( )2
2
ID (mA)
9 Voltios
VD
ID (mA)
4.
VIII. Publicaciones
Este informe se encuentra publicado en la pgina
web: http://tatanrosas.jimdo.com/unal/publicaciones
IX. Referencias
VII. Conclusiones
1.
2.