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Tema 1
INTRODUCCIN A LOS
SEMICONDUCTORES.
1.2.3.4.-
5.-
Introduccin
Clasificacin de los materiales.
Semiconductores intrnsecos. Estructura cristalina.
Semiconductores extrnsecos. Impurezas donadoras y aceptadoras.
4.1.- Semiconductores tipo n. Impurezas donadoras.
4.2.- Semiconductores tipo p. Impurezas aceptadoras.
Modelo de las bandas de energa.
6.-
1.- INTRODUCCIN.
La gran mayora de los dispositivos de estado slido que actualmente hay en el
mercado, se fabrican con un tipo de materiales conocido como semiconductores. De ah
que vamos a empezar nuestro estudio examinando las propiedades fsicas de dichos
elementos. Estudiaremos las caractersticas de los materiales que nos permiten
distinguir un semiconductor de un aislante y de un conductor. Veremos, adems, el
dopado de un semiconductor con impurezas para controlar su funcionamiento.
El estudio anterior puede abordarse desde dos puntos de vista:
Basndonos en la estructura cristalina de los semiconductores y, ms
concretamente, en el enlace covalente.
Desde el punto de vista energtico, es decir, a travs del modelo de las bandas de
energa.
En este captulo se abordarn ambos puntos de vista.
2.- CLASIFICACION DE LOS MATERIALES.
La materia, en general, est constituida por tomos formados por un ncleo
cargado positivamente rodeado de los electrones necesarios que hacen que el tomo sea
elctricamente neutro. Los electrones se distribuyen en rbitas que rodean al ncleo.
Los electrones de la ltima rbita se denominan electrones de valencia.
Las diferentes propiedades qumicas de los materiales se deben a que estn
formados por tomos distintos, mientras que, las distintas fases (slida, lquida o
gaseosa) de una misma sustancia se deben a lo ms o menos fuertemente unidos que se
encuentren sus tomos, siendo en la fase slida la distancia interatmica menor. Es
decir, en un slido la disposicin espacial de sus tomos juega un papel importante en la
determinacin de sus propiedades especficas. Atendiendo a esta disposicin atmica,
un slido puede ser: amorfo, policristalino o cristalino.
Figura 1.1.-
Clasificacin general de los slidos basada en el grado de orden atmico: (a) amorfo, (b)
policristalino y(c) cristalino
+
Iones
Figura 1.2.-
Disposicin esquemtica de los tomos en un plano del metal (tomos monovalentes). Los puntos
negros representan el gas electrnico, y cada tomo ha contribuido con un electrn a este gas.
cuenta que tanto el Si como el Ge poseen cuatro e de valencia, esto es, 4 e externos.
(a)
Figura 1.3.-
(b)
(a) Celda unitaria de la estructura de diamante. (b) ampliacin del vrtice superior de la red de
diamante de (a)
vecinos y adems cada tomo tiende a compartir uno de sus 4 e de valencia con cada
-
uno de los 4 tomos vecinos de los que toma otro e en proceso anlogo. Las barras de
conexin de la figura pueden considerarse como pistas a lo largo de cada una de las
-
cuales se mueven dos e en uno y otro sentido entre los tomos asociados. Esta
-
+4
+4
Ion de Silicio
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Enlace covalente
Figura 1.4.-
que muchos tomos del cristal influyen sobre el movimiento de cada e ligado.
EG Si 1,12 eV y EG Ge 0,7 eV a temperatura ambiente (300 K). La ausencia del e
en el enlace covalente de la Figura 1.5. est representada por un pequeo crculo.
Electrn libre
+4
+4
+4
Enlace covalente
Hueco
+4
+4
+4
Ion de Silicio
+4
+4
+4
Electrones de valencia
Figura 1.5.-
se comporta como si fuese una nueva partcula libre de carga positiva +q (=1,6 10
C)
tomo vecino abandone el enlace covalente para llenar el h . Un e que deja su enlace
+
para llenar un h deja, a su vez, otro h en su posicin inicial. Por tanto, el h se mueve
-
n = p = ni
-
nmero de e , sino que adems, el nmero de h disminuye por debajo del que tena el
-
p n = ni
+4
+4
+4
Electrn libe
+4
+5
+4
Ion de Silicio
Ion de impureza donadora
+4
+4
+4
Electrones de valencia
Figura 1.6.-
Red de cristal con un tomo de silicio desplazado por un tomo de impureza pentavalente.
Enlaces covalentes
+4
+4
+4
Electrones de valencia
Hueco
+4
+3
+4
Ion de Silicio
Ion de impureza aceptadora
+4
Figura 1.7.-
+4
+4
Red de cristal con un tomo de silicio desplazado por un tomo de impureza trivalente.
semiconductor de tipo p, los h son los portadores mayoritarios y los e los minoritarios,
-
es decir, siempre existen unos pocos e que proceden de la rotura estadstica de enlaces
covalentes a dicha temperatura.
Entre los donantes ms corrientes para el Si, se encuentran el fsforo (P),
arsnico (As) o antimonio (Sb), siendo el fsforo el ms comn.
Entre los aceptadores habituales para el Si, se encuentran el boro (B), galio (Ga),
indio (In) o aluminio (Al), siendo el boro el ms comn.
Finalmente, es de sealar que cuando el tomo donador o aceptador, cede o
-
N AC
EPTAD ORES n N D ON AD ORES p
n2
Como n p ni p i
ND
2
En un semiconductor tipo p
N A N D N A n i
p n
Como n p ni
p NA
ni
NA
habra que analizar las energas de los e pero no en el caso de un tomo aislado, sino
cuando estos tomos forman un slido. El clculo de estas energas as como el desglose
de los niveles energticos de los tomos aislados en bandas de energa cuando estos
tomos forman un slido, es competencia de la Mecnica Cuntica y se escapa del
alcance de este curso. A nosotros nos interesa el resultado final. Ms concretamente, nos
-
interesan las energas de los e de valencia, es decir de los e ms exteriores que sern
los que se vean afectados en gran medida por la proximidad de otros tomos (cuando
estos forman un slido).
Pues bien, resulta que en el caso de un semiconductor intrnseco, de un
semiconductor puro, a temperaturas muy bajas, es decir, cuando no hay prcticamente
agitacin trmica en el cristal, o lo que es lo mismo, cuando todos los e de valencia se
encuentran ligados a sus enlaces covalentes correspondientes, desde el punto de vista
energtico estos e se encuentran en una banda conocida como banda de valencia que
se encuentra totalmente ocupada. La banda superior de estados permitidos se conoce
con el nombre de banda de conduccin que, en este caso, estar totalmente vaca ya
que, de momento, no disponemos de portadores libres que pueden moverse por el
10
cristal. Entre ambas, existe una banda de estados no permitidos denominada banda
prohibida o gap de energas (Figura 1.8.).
E (Energ a de los electrones)
Banda d e conduc
cin
Banda de va lenci a
Figura 1.8.-
11
Figura 1.9.-
Figura 1.10.- Explicacin de la diferencia entre (a) aislante, (b) semiconductores y (c) metales utilizando el
modelo de bandas de energa.
Finalmente, falta por analizar el papel de las impurezas desde un punto de vista
energtico. Para ello basta con recordar que una impureza donadora posee un quinto e
ligado a ella que no se encuentra en ningn enlace covalente pero que tampoco tiene
libertad para deambular libremente por el cristal. Es decir, este quinto e posee una
energa que no pertenece ni a la banda de valencia ni a la banda de conduccin del
semiconductor puro. Sin embargo, a nada que le suministremos una pequea cantidad
de energa es capaz de convertirse en un portador libre. Por lo tanto, si queremos indicar
el estado de dicho e en el diagrama de bandas, lo debemos situar muy cerca de la banda
de conduccin (Figura 1.11.).
Figura 1.11.- Inclusin de los niveles donadores E = ED al diagrama de bandas de energa. Las
lneas discontinuas de anchura x indican la naturaleza localizada de los estados
donadores.
covalente no completo se situar muy prximo a la banda de valencia para que a nada
-
Figura 1.12.- Representacin grfica de la accin (a) donadora y (b) aceptadora utilizando el modelo de bandas
de energa.
Fn q E
JE
diferencia de los metales, tenemos otro tipo de portadores que son los h , de forma que
-
corriente de arrastre tendr dos componentes, una debida al movimiento de los e y otra
debida al movimiento de los huecos.
Por otra parte, si tenemos un semiconductor dopado de forma no uniforme
(situacin muy habitual en las aplicaciones de semiconductores) tendremos una
conduccin por difusin. La difusin es un conocido fenmeno de la cintica de gases
de partculas clsicas que tiene su origen en el movimiento aleatorio de agitacin
trmica que las hace recorrer todo el recinto que las encierra. Despus de un choque,
cada partcula tiene la misma probabilidad de dirigirse en cualquier direccin, lo que
hace que haya un flujo neto de partculas de las regiones ms pobladas a las menos
pobladas con el fin de homogeneizar su concentracin. Es decir, la difusin se produce
siempre que existan variaciones espaciales (gradientes) de la concentracin de
partculas. Si las partculas tienen carga, los flujos por difusin transportan carga
elctrica y constituyen, por tanto, corrientes elctricas.
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n
electro nes
huecos
Jn
Jp
J q
D
p
d p
J qD
n
d x
d n
d x
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