UNIVERSIDAD NACIONAL AUTNOMA DE MXICO

Facultad de Ciencias
Octubre/2016
LABORATORIO DE FSICA CONTEMPORNEA II

Profesor: Ren Ortega Alvarado

ATAQUE QUMICO EN SUPERFICIES CRISTALINAS

Equipo 4: Luis Javier Muoz Lpez & Rodolfo Arturo Gonzlez Trillo

RESUMEN
Se midi la densidad de defectos con forma de pirmide cuadrangular producidos por dislocaciones de
tornillo y de borde en cristales de NaCl ( aprox. de 5 5 mm2 y un grosor de 1 mm) cortados en la
direccin de sus caras cristalogrficas, analizando fotografas digitales de las superficies obtenidas
mediante microscopa ptica con aumentos de 40x y 80x luego de ser sometidas a ataque qumico con
una disolucin de cloruro mercrico en alcohol, variando los tiempos de exposicin entre 3 y 90 s,
calculando una tasa de crecimiento en el nmero de dislocaciones de (50 5) 104 # 2 1 ,
con # el nmero de defectos. Las densidades de defectos calculadas se comparan notablemente bien con
aquellas reportadas en la literatura.

1. Objetivos.

Estudiar las imperfecciones lineales (de

borde y de tornillo) presentes en las
redes cristalinas.
Conocer los principios bsicos de la
tcnica de ataque qumico para
emplearla en el estudio de las
imperfecciones presentes en cristales de
NaCl.
Determinar la densidad de dislocaciones
de cada cristal y luego determinar su
relacin funcional con el tiempo de
exposicin al agente qumico

2. Introduccin.
Un slido cristalino es aquel cuyos tomos estn
dispuestos de un modo tal que forman un patrn
tridimensional que es posible de obtener
mediante la repeticin peridica de unidades
estructurales bsicas, conocidas como celdas
primitivas. Cuando dicha periodicidad se extiende
a todo el slido se tiene un monocristal, en cambio
si esta se interrumpe en ciertas regiones, llamadas
lmites de grano, se tiene un material
policristalino.

Las aportaciones tericas de Frenkel y Mackenzie

demostraron que los cristales perfectos
presentan una elasticidad muy pequea, mientras
que experimentalmente se encontr que son
altamente deformables presentando lmites
elsticos hasta casi 490 veces mayores a los
tericos [1]. Para explicar dicho comportamiento
Taylor[2], Orowan [3] y Polanyi [4] propusieron
independientemente en 1934 que un tipo
particular de imperfeccin cristalina conocida
como dislocacin (introducida en fsica por
Prandtl y Dehlinger algn tiempo antes) se
desplaza en la red, ocasionando un deslizamiento
entre dos planos cuando se aplican tensiones muy
bajas.
Se pueden identificar tres clases de dislocaciones:
de tornillo, de borde y mixta [5].

Dislocaciones de tornillo.
La dislocacin de tornillo (Fig. 1) se puede ilustrar
haciendo un corte parcial en un cristal perfecto y,
a continuacin, torciendo ese cristal una distancia
atmica. Si se sigue un plano cristalogrfico
durante una revolucin respecto al eje de
torcimiento del cristal, comenzando en el punto x
y recorriendo distancia interatmicas iguales en
cada direccin, se termina una distancia atmica
abajo del punto de partida (el punto y). El vector
1

ATAQUE QUMICO EN SUPERFICIES CRISTALINAS

necesario para terminar el circuito y regresar al
punto de partida es el vector de Burgers [6]. Si
se continuara la rotacin, se describira una
trayectoria espiral. El vector de Burgers es
paralelo a la dislocacin de tornillo.

Dislocaciones mixtas.
Como se observa en la Fig. 3, las dislocaciones
mixtas tienen componentes de borde y de tornillo,
con una regin de transicin entre ellas. Sin
embargo, el vector de Burgers queda igual para
todas las porciones de la dislocacin mixta.

F IGURA 1: Dislocacin de tornillo y vector de

Burgers.

Dislocaciones de borde.
Una dislocacin de borde (Fig. 2) se puede
ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal
perfecto, abriendo el cristal y llenando en parte el
corte con un plano adicional de tomos. Si se
describe un circuito en torno a la dislocacin de
borde, en sentido de las manecillas del reloj
comenzando en el punto x y recorriendo una
cantidad igual de distancias atmicas en cada
direccin, se terminar en el punto y, a una
distancia atmica del punto de partida,
Nuevamente, el vector necesario para cerrar el
circuito es el vector de Burgers, el cual es en este
caso perpendicular a la dislocacin.

F IGURA 2: Dislocacin de borde.

F IGURA 3: Dislocacin mixta.

Cuando se aplica una fuerza cortante en la
direccin del vector de Burgers a un cristal que
contenga una dislocacin de borde, sta se puede
mover, rompiendo los enlaces de los tomos en un
plano. El plano de corte de desplaza un poco para
establecer enlaces con el plano parcial de tomos
originales, y el desplazamiento hace que la
dislocacin se mueva una distancia atmica hacia
el lado (Fig. 4). Si contina este proceso, la
dislocacin se mueve a travs del cristal hasta que
se produce un escaln en el exterior del mismo.
La direccin en que se mueve la dislocacin se
conoce como direccin de deslizamiento, y se le
llama plano de deslizamiento al plano formado
por el vector de Burgers y la dislocacin misma y
es aquel que recorre la dislocacin mientras se
desliza. Una dislocacin de tornillo produce el
mismo resultado: la dislocacin se mueve en una
direccin perpendicular al vector de Burgers,
aunque el cristal se deforma en direccin paralela
a ese vector. Como el vector de Burger de una
dislocacin de tornillo es paralelo a la lnea de
dislocacin, la especificacin del vector y de la
lnea de dislocacin no define un plano de
deslizamiento para una dislocacin de tornillo.

MUOZ LPEZ & GONZLEZ TRILLO

reportado que las pirmides con geometras como
la mostrada en la parte izquierda de la Fig. 5b
corresponden a dislocaciones de tornillo puras,
mientras que la de la izquierda de la Fig. 5c
corresponde a una dislocacin de borde pura. Las
dos geometras de la derecha corresponden a
dislocaciones mixtas.

F IGURA 4: Deslizamiento de una dislocacin de

borde.
Existen varios mtodos para determinar la
densidad de dislocaciones tales como la flexin
plstica, difraccin de rayos X, ataque trmico y
ataque qumico. Las dislocaciones en los cristales
crean zonas de compresin lo cual produce una
menor energa de amarre; cuando se ataca un
cristal qumicamente (lo cual implica exponer al
cristal a un cido o a una base) se arrancan tomos
de estas regiones formando figuras de corrosin
(Fig. 5) cuya forma depender del tipo de
dislocacin presente y la simetra del cristal.
De acuerdo con Gilman, Johnston y Sears [7], las
figuras de corrosin piramidales tienen una base
cuadrada con aristas paralelas a las direcciones
100 ; la orientacin de la dislocacin con
respecto a la superficie se determina trazando una
lnea que pase por el centro de la base de la
pirmide y su vrtice, la cual ser tangente a la
lnea de dislocacin (Fig. 5a). Tambin se ha

F IGURA 5: (a) Representacin de un cristal

atacado mostrando el plano de deslizamiento
() y el vector de Burguers b, as como tres
dislocaciones: una de tornillo ss (b-izq.), una de
borde ee (c-izq.) y otra mixta ii (b,c-der.).
En los materiales cristalinos se encuentran
cantidades enormes de dislocaciones las cuales,
adems de proporcionar un mecanismo para la
deformacin plstica como ya se mencion,
tambin proporcionan ductilidad e influyen sobre
las propiedades electrnicas y pticas de los
materiales [8], teniendo por lo general efectos
negativos sobre la conductividad y por otro lado
disminuyendo la eficiencia de los fotodetectores,
LEDs, lseres y celdas solares.

ATAQUE QUMICO EN SUPERFICIES CRISTALINAS

3. Procedimiento
experimental
Materiales

Agitador
Alcohol al 96%
Balanza electrnica
Cmara (Video Flex)/ordenador
Cloruro Mercrico (HgCl2)
Cristales de NaCl
Cronmetro
Cubreboca
Guantes de ltex
Microscopio (con objetivos de 40x y 80x)
Navaja y mazo
Pinzas
Piridina
Portamuestras
Probeta de 25 ml
Vaso de precipitados de 40 ml

Primero se prepararon los cristales de NaCl

cortndolos con la navaja y el mazo, aplicando un
golpe seco sobre un cristal de NaCl ms grande
hasta obtener muestras de aproximadamente 5x5
mm2 y del menor espesor posible. Se identific
cada uno de ellos colocndolos sobre un papel con
marcas dibujadas indicando los distintos tiempos
de exposicin a los que seran sometidos cada uno
de los cristales (Fig. 6).

de exposicin entre 3 y 60 segundos. Despus de

este tiempo el cristal se sac de la solucin y se
sumergi en piridina para detener el ataque,
luego el cristal se sec con papel filtro.
Una vez finalizado el proceso de ataque qumico,
las superficies expuestas de los cristales fueron
analizadas microscpicamente una por una con el
fin de localizar regiones libres de fracturas o
lmites de grano y que a su vez presentasen las
figuras de corrosin representadas en la Fig, 5.
Cuando se hubieron localizado dichas regiones,
las imgenes microscpicas fueron capturadas en
una computadora (mediante una cmara de la
lnea Ken-A-Vision Video Flex).
A manera de escala, se tomaron tambin
fotografas microscpicas de una regleta de vidrio
de aproximadamente el mismo grosor que los
cristales usados, con cuadrados negros grabados
en su superficie, de 40m de lado (segn el
fabricante).

4. Anlisis y Resultados
Las imgenes obtenidas durante el experimento
fueron analizadas con uso del software Adobe
Photoshop, con objetivo de obtener un conteo
adecuado de los defectos asociados a las
dislocaciones de borde y tornillo por unidad de
rea mediante el siguiente procedimiento.

F IGURA 6: Cristales antes de ser atacados.

Luego se prepar en la probeta una solucin
saturada de 0.8g de HgCl2 en 0.25 ml de alcohol, y
parte de ella se vaci en el vaso de precipitados en
donde fueron sumergidos cada uno de los
cristales, empleando un cronmetro para medir el
tiempo de exposicin y procurando la mayor
coordinacin posible entre su arranque y la
sumersin de los cristales. Se emplearon tiempos
4

Homogenizar el brillo de la imagen.

Convertir a escala de grises.
Aumentar brillo y contraste.
Determinar manualmente un rea libre de
zonas desenfocadas o fracturas del cristal, y
registrar el rea en pixeles.
Discriminar zonas oscuras a partir de un
umbral.
Contar las manchas con forma cuadrangular.
(Las que corresponden a las pirmides
cuadrangulares de las que se habl en la
introduccin, de este modo se discriminan
otra clase de defectos).

El anlisis anterior proporciona el nmero de

defectos en un rea dada en pixeles. Para obtener
el rea en medidas del SI, se midi tambin con el
software el rea de los cuadrados de la regleta en
las fotografas de referencia. Comparando con el
rea real de 40 40 m2 se obtuvo la

MUOZ LPEZ & GONZLEZ TRILLO

F IGURA 7: Fotografas de cortes de cristales atacados, de izquierda a derecha, 10, 20 y 35 s, mostrando

como aumenta la cantidad de defectos con forma de cuadrado (asociados a las dislocaciones de
tornillo y de borde). Al inicio se distinguen bien los defectos individuales, pero luego comienzan a
tocarse, hasta que llega un punto en que no caben ms y sus fronteras se vuelven difciles de ver.
equivalencia de un pxel a m2 , y dividiendo el
nmero de defectos entre el rea donde se realiz
el conteo se obtuvo la cantidad de defectos por
unidad de rea.

Defectos/unidad de rea [#/m2]

0.16
0.14
0.12

reactivos y la calidad de los cristales. Estos datos

se representan en Figura 8.
Se observa en Figura 7 una zona de pendiente
constante, unida mediante una lnea punteada,
correspondiente a la estimacin lineal mediante
mnimos cuadrados. La pendiente de este clculo,
que es la tasa de crecimiento de defectos por
unidad de rea es:
(50 5) 104 [

0.10

defectos
m2 s

].

En la misma figura se observa que el aumento en

la cantidad de defectos en los ltimos puntos se
vuelve algo ambiguo, esto se debe a las
observaciones experimentales que se resumen en
Figura 7.

0.08
0.06
0.04
0.02
0.00

10

20

30

40

Tiempo [s]

F IGURA 8: Grfico de la cantidad de defectos en

forma de pirmide cuadrangular por unidad de
rea para distintos tiempos de exposicin de las
superficies cristalinas al Cloruro de Mercurio II.
Se muestra una zona de crecimiento ms o
menos lineal, seguido por una zona de
estancamiento.
Se analizaron de 3 a 7 imgenes por tiempo de
exposicin, en dos iteraciones del experimento. La
segunda iteracin fue la nica que proporcion
datos fiables, debido a problemas con los

En [9] y [10] se reportan densidades de defectos

en cristales de cloruro de sodio de 0.8x106 a 4x106
defectos/cm2 y de 3.7x106 a 2.7x108
defectos/cm2, respectivamente, las cuales se
comparan bastante con el rango de 2x106 a
1.1x107 defectos/cm2 calculado en este
experimento. Cabe sealar que en la referencia
[10] no se llev a cabo un ataque qumico sino un
proceso de tensin-compresin del cristal a
temperaturas desde la ambiente hasta los 600C y
por periodos que van desde minutos a semanas, y
es por lo anterior que el nmero de dislocaciones
reportado comprende un intervalo tan grande.

ATAQUE QUMICO EN SUPERFICIES CRISTALINAS

5. Conclusiones
Se observaron a travs del microscopio los
defectos cristalinos, con la forma de la teora.
Se obtuvo una tasa de crecimiento de (50 5)
defectos

104 [

m2 s

] . Las densidades de defectos

calculadas se comparan notablemente bien con

aquellas reportadas en la literatura.

6. Referencias
[1] KITTEL, C. Introduccin a la fsica del estado
slido, 3 Edicin, Editorial Revert, 1995, p. 668.
[2] TAYLOR, G.I. The Mechanism of Plastic
Deformation of Crystals. Part I. Theoretical.
Proceedings of the Royal Society of London. Series
A. 145 (855):362-387.
[3] OROWAN, E. Z. Phys., 89, 1934, p. 634.
[4] POLYANI, Z. Z. Phys., 1934, p. 550.
[5] ASKELAND, D. R.; PRADEEP, P. P. Ciencia e
ingeniera de los materiales, 4 Edicin, Thomson,
2004, p. 142.
[6] BURGERS, J. M. Proc. Kon. Ned. Akad. Wet.,
42(293), 1948, p. 378.
[7] GILMAN, J.J., JONHNSTON, W.G. y SEARS, G.W.
Dislocation Etch Pit Formation in Lithium
Fluoride, Journal of Applied Physics, vol. 29, no. 5,
1958, p. 747.
[8] MAHAJAN, S. Dislocations in Compound
Semiconductor Crystals and Improvement by
Heavy Doping, en The Encyclopedia of Advanced
Materials, D. BLOOR, M. FLEMINGS Y S.
MAHAJAN, Eds., Pergamon, 1994, pp. 649-654.
[9] EYRING, L. Advances in High Temperature
Chemistry, Vol. 2, Academic Press, 1969, p. 214
[10] BEEMAN, M.L., KOHLSTED, D.L., Dislocation
density: stress relationships in natural and
synthetic sodium chloride, Tectonophysics, 149
(1988), p. 153