CENTRO DE INVESTIGACIN Y DE ESTUDIOS

AVANZADOS DEL INSTITUTO POLITCNICO

NACIONAL
UNIDAD ZACATENCO
DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELCTRICA
REA DE ELECTRNICA DEL ESTADO SLIDO

Transistor Bipolar
como
Termmetro Auto-Calibrado

Tesis que presenta:

Ing. Erik Zamora Gmez *

Para Obtener el Grado de:

Maestro en Ciencias

En la Especialidad de:
Ingeniera Elctrica

Director de la Tesis:
Dr. Jaime Mimila Arroyo

Mxico, D.F.

Enero 2007

Tened en mente que las cosas maravillosas que se aprenden en las

escuelas son el trabajo de muchas generaciones, producidas por el
esfuerzo entusiasta y la labor infinita de todos los pases del orbe.
Todo esto se pone en vuestras manos como herencia para que la
recibis, honris, aumentis y un da, con toda vuestra fe, la
traspasis a vuestra descendencia. Esta es la forma en que nosotros
los mortales logramos la inmortalidad en las cosas permanentes que
creamos en comn.

Albert Einstein

Resumen
Los termmetros secundarios, como los termopares, los termistores y las termouniones PN, son los ms usados en la industria y la
investigacin cientfica porque son de fcil fabricacin, econmicos y pequeos en comparacin con los termmetros primarios. Sin
embargo, los primarios tienen la ventaja que no requieren ser calibrados. Por eso se vuelve deseable un termmetro con las
caractersticas de los secundarios, y adems, que opere sin calibracin. Este trabajo explora, terica y experimentalmente, el uso
del transistor bipolar como un termmetro cuyo principio de medicin permite prescindir de la calibracin, es decir, poder
determinar su temperatura sin necesidad de compararlo previamente con otro termmetro, o bien, respecto alguna temperatura de
referencia.

Abstract
The secondary thermometers, as the thermocouples, the thermistors and the thermojunctions PN, are more used in the industry and the
scientific investigation because they are of easy production, economic and small in comparison with the primary thermometers.
However, the primary ones have the advantage that they do not require to be calibrated. For that reason it becomes desirable a
thermometer with the characteristics of the secondary ones, able to operate without calibration. This thesis explores, theoretical and
experimentally, the use of the bipolar transistor as a primary thermometer, whose operating principle allows obtain it
without calibration, thus, able to determine its temperature without necessity of comparing it previously with another thermometer or
relating to some reference temperature.

Zusammenfassung
Die sekundren Thermometer, als die Thermopaars, die Thermistors und die Thermojunctions-PN, werden mehr in der Industrie und
der Wissenschaft benutzt, weil sie leichter Produktion, wirtschaftlich und klein im Vergleich zu den primren Thermometern sind.
Aber die Primren haben den Vorteil, den sie nicht verlangen kalibriert zu werden. Aus dem Grund wird es ein Thermometer mit den
Merkmalen von den sekundren wnschenswert, und auch, da sie ohne Kalibrierung operieren. Diese Dissertation erforscht,
theoretisch und versuchsweise, die Verwendung des bipolar Transistors als ein Thermometer, dessen Manahmenprinzip
erlaubt man ohne Kalibrierung machen, das heit, fhig zu sein, seine Temperatur ohne Notwendigkeit zu bestimmen, es vorher mit
einem anderen Thermometer zu vergleichen oder betreffend etwas Hinweistemperatur.

Contenido
Introduccin General

I. Unin PN
1.1. Introduccin

1.2. Unin PN abrupta en equilibrio termodinmico

1.3. Transporte de carga: Modelo de Shockley

1.3.1. Inyeccin de minoritarios hacia las regiones cuasi-neutras

1.3.2. Recombinacin-generacin SRH de portadores dentro de la ZCE

13

1.3.3. Resistencia parasita en serie

16

1.4. Mediciones I V

16

II. Transistor Bipolar: Voltajes y Corrientes

2.1 Introduccin

21

2.2 Estructura fsica y de bandas de energa

21

2.3 Transporte de carga

22

2.3.1

Inyeccin de minoritarios hacia las regiones cuasi-neutras

23

2.3.2

Recombinacin de portadores dentro de la ZCE

26

2.4 Mediciones I V

27

2.4.1

Medicin IC e IB a temperatura ambiente

27

2.4.2

Medicin IE e IB a temperatura ambiente

29

III. Termmetro Auto-Calibrado: Teora y experimentacin

3.1 Introduccin

31

3.2 Unin pn como termmetro

32

3.3 Transistor como termmetro auto-calibrado

35

3.3.1

Mecanismo fsico

37

3.3.2

Sensibilidad

39

3.3.3

Rango operativo de temperatura

39

3.4 Exactitud y fuente de error atribuible al transistor

41

3.5 Desarrollo experimental

44

3.5.1

Medicin IC y IE a temperatura ambiente

44

3.5.2

Medicin IC variando la temperatura

47

3.6 Conclusiones finales y perspectivas de investigacin

Referencias

49

51

Apndices
A. Factor de idealidad por recombinacin SRH en la ZCE

53

B. Ajuste de las curvas I V

56

C. Error introducido por la modulacin de xeb(VEB)

57

D. Descripcin de las caractersticas del termmetro LM35DZ

59

Agradecimientos

63

Introduccin General
Dirijmonos hacia una sociedad que tiende
al logro gradual de un perfecto equilibrio
entre la imitacin y la curiosidad;
entre la copia sumisa e irreflexiva
y la experimentacin progresiva y racional
Desmond Morris

Un termmetro es un dispositivo en el que una variable fsica del mismo, x, es funcin reproducible y unvoca de la temperatura
T, es decir, x = f(T). La funcin f(T) permite mediante el valor medido de x determinar la temperatura a la que se encuentra el
termmetro, como lo esquematiza la fig. 1.

Fig. 1. Esquema general de un termmetro.

Los termmetros se clasifican en primarios (absolutos) y secundarios (sensores de temperatura calibrados). Los primarios se caracterizan en
que f(T) es independiente de los materiales constituyentes del termmetro. En contraste, los secundarios son aquellos en que f(T) es
funcin de los materiales que lo constituyen, requiriendo una calibracin para garantizar la exactitud de la temperatura medida.
Un ejemplo de los primarios es el termmetro de gas ideal a volumen constante. La teora cintica de los gases establece que la
presin P ejercida por el gas es funcin de su temperatura, de acuerdo con

P(T ) =

nR
T
V

Donde n es el nmero de moles de gas y R es la constante de los gases. La presin es proporcional a la temperatura como lo
ilustra la fig. 2; y el factor de proporcionalidad es independiente, dentro de ciertos lmites [1], del gas utilizado.

Fig. 2. Curva P T para el gas ideal.

El termistor es un ejemplo de termmetro secundario. Su conductividad elctrica depende de la temperatura a travs de la
concentracin de electrones n y huecos p, y de sus respectivas movilidades n y p. Para un semiconductor extrnseco es [2]

(T ) = q(n(T ) n (T ) + p(T ) p (T ) )

Donde q carga del electrn. La desventaja de este termmetro consiste en que cada muestra semiconductora para usarla como
termmetro requerir determinar su funcin (T) mediante otro termmetro ya calibrado.
A pesar de la calibracin, los secundarios son los ms usados en la industria y la investigacin cientfica porque son de fcil
construccin, econmicos y pequeos en comparacin con los primarios [3]. Adems, si su funcionamiento se basa en alguna propiedad
elctrica (como el termistor), entonces pueden incorporarse con mayor facilidad a un sistema electrnico que calcule automticamente la
temperatura. Un termmetro con las caractersticas de los secundarios, y adems, que prescinda de la calibracin, como en los
primarios, es bastante deseable. Los dispositivos a base de semiconductores les son propias la mayora de esas caractersticas, sin
embargo, la pregunta que aqu inmediatamente surge es existe un mecanismo fsico que permita implementar un termmetro cuya
calibracin no dependa de las propiedades fsicas de los materiales semiconductores que se utilicen? Este trabajo tiene por tesis que tal
mecanismo existe.
El objetivo general es explorar, terica y experimentalmente, el uso del transistor bipolar como un termmetro cuyo
principio de medicin permite prescindir de su calibracin es decir, poder determinar su temperatura sin estar obligados a
compararlo previamente con otro termmetro, o bien, respecto alguna temperatura de referencia (como el punto triple del agua). Para
alcanzar este objetivo es necesario entender el comportamiento electrosttico y los mecanismos de transporte de carga de la unin pn.
Con ello la comprensin del transporte de carga a travs un transistor bipolar, constituido por dos uniones pn, es directa; adems, esto
nos sirve para comprender por qu y cmo ella puede usarse en termometra.

El contenido del documento se estructura en:

Captulo I. Contiene el anlisis electrosttico y de transporte de carga para la unin pn, mediante el cual se discuten mediciones I V
de algunas uniones pn.
Captulo II. Bajo las polarizaciones en que opera como termmetro auto-calibrado, se analiza el transporte de carga a travs del
transistor y se discuten algunas mediciones I V, alcanzando conclusiones fundamentales para este trabajo.
Captulo III. Se presenta el uso del transistor como termmetro auto-calibrado: el mecanismo fsico que da lugar a la determinacin
de la temperatura, la sensibilidad, el rango de operacin y se analiza las posibles fuentes de error atribuibles al propio dispositivo;
dichos aspectos constituyen la contribucin de este trabajo. Se finaliza con la presentacin y discusin de los resultados
experimentales que fundamentan la tesis.

I. Unin PN

Un admirador le dijo a Niccol Paganini:

- Maestro, dara la vida por tocar el violn como usted.
l respondi:
- Yo la di.
Sancho, amigo, pon muy alto tu ideal
no vayas a tener la desgracia de alcanzarlo
Don Quijote

1.1

Introduccin
Se presenta el anlisis terico de las propiedades electrostticas y del transporte de carga para la unin pn, en base al

cual se discuten algunos resultados experimentales.

El contenido se organiza en:
Seccin 1.2, se describe la unin pn abrupta en equilibrio termodinmico, su distribucin de impurezas, su distribucin de carga y
de potencial elctrico, as como su diagrama de bandas de energa.
Seccin 1.3, se presenta la teora del transporte de carga a travs de la unin pn.
Seccin 1.4, se discute mediciones I V de algunas uniones pn.
Los conceptos bsicos y principios fsicos que se emplean para desarrollar la teora de la unin pn se encuentran en cualquier libro de
fsica del estado slido; se consult [2], [4], [5] y [6] para constituir el resumen (sec. 1.2 y 1.3) que en seguida se presenta.

1.2

Unin pn abrupta en equilibrio termodinmico

Considrese un semiconductor cuyas propiedades fsicas son homogneas en el espacio (x, y, z), excepto la impurificacin que es
funcin de x, como se muestra en la fig. 1.2-1. Hay dos regiones, una, con concentracin de impurezas aceptoras NA, y otra, con
concentracin de impurezas donadoras ND, esto constituye la unin pn abrupta (en adelante denotada slo por la UPN).

Fig. 1.2-1. Distribucin de impurezas aceptoras y donadoras a travs de la UPN.

Inicialmente, en la estructura anterior hay un gradiente abrupto de concentracin de electrones y huecos en x = 0, por lo que fluyen
huecos de la regin p hacia la n y electrones en sentido opuesto. Ambos portadores se recombinan al cruzar la unin, empobrecindose
esta regin de carga mvil y descubriendo la carga fija constituida por las impurezas ionizadas. Esta carga fija, negativa en la regin p y
positiva en la regin n, establece un campo elctrico que se opone a los flujos de carga por difusin causantes de la desaparicin de los
portadores. El equilibrio entre estos mecanismos se alcanza cuando el flujo neto de cada portador es nulo, entonces la UPN se
encuentra en equilibrio termodinmico. Como resultado final se tiene una carga espacial alrededor de x = 0.
La carga espacial establece una distribucin no homognea de potencial elctrico (x) a travs la estructura. La solucin de la ecuacin
de Poisson permite obtenerla en funcin de la distribucin de carga espacial. sta se compone de carga libre y carga fija: la primera son
huecos qp(x) y electrones -qn(x), donde p y n son sus concentraciones en equilibrio termodinmico, respectivamente; la segunda
corresponde a los donadores qN+d(x) y aceptores ionizados -qN-a(x). Entonces la ecuacin de Poisson es [6]

d 2 ( x) q
=
n( x) p( x) + N a ( x) N d+ ( x)
dx 2
s

1.2-1

Donde s es la permitividad elctrica del semiconductor y q es la carga del electrn. Una solucin aproximada [2] se obtiene
considerando nula la concentracin de portadores libres en la regin delimitada por xp y xn, denominada zona de carga espacial (ZCE),
y considerando que no hay carga neta fuera de sta, como se ilustra en la fig.1.2-2. Bajo tal aproximacin y de acuerdo con la
distribucin de impurezas considerando que todas estn ionizadas, la ec. 1.2-1 se transforma en
d 2 ( x) qN A
=
s
dx 2

xp < x < 0

1.2-2a

qN
d 2 ( x)
= D
s
dx 2

0 > x > xn

d 2 ( x)
=0
dx 2

x < xp

1.2-2b

x > xn

1.2-2c

Fig. 1.2-2. Regiones de carga espacial y regiones neutras.

Resolviendo las ecs. 1.2-2, bajo las condiciones de frontera adecuadas, se obtiene la distribucin de potencial en equilibrio (ecs 1.2-3)
mostrada en la fig. 1.2-3 [2]

( x) =

qN A
s

x2
x p x +
2

xp < x < 0

1.2-3a

( x) =

qN D
s

x2
x n x
2

0 > x > xn

1.2-3b

x < x p

1.2-3c

x > xn

1.2-3d

( x p ) =

( xn ) =

qN A x 2p
2 s

qN D xn2
2 s

Fig. 1.2-3. Distribucin de potencial elctrico en la unin pn.

Entre los extremos de las regiones p y n se establece una diferencia de potencial elctrico, denominada barrera de potencial nterconstruida bi, o bien, slo potencial interconstruido, dado por

bi ( x n ) ( x p ) =

2
qN D x n2 qN A x p
+
2 s
2 s

1.2-4

Para satisfacer la neutralidad de carga elctrica en la estructura, las cargas espaciales en cada regin, qNAxp del lado p y qNDxn del lado n,
deben ser iguales
1.2-5

N A x p = N D xn

De las ecs. 1.2-4 y 1.2-5 se obtienen los lmites de la ZCE

xp =

2 s N D N A
bi
q ND + NA

1.2-6a

xn =

2 s N A N D
bi
q NA + ND

1.2-6b

El potencial inter-construido es funcin de las propiedades fsicas del semiconductor (a travs de concentracin intrnseca ni), las
concentraciones de impurezas y la temperatura de la UPN [4], est dado por

bi =

kT N A N D
ln 2
q
ni (T )

1.2-7

La distribucin de potencial elctrico determina el diagrama de bandas de energa de la UPN. Dado que la energa de un electrn en el
mximo de la banda de valencia Ev es puramente potencial, el nivel Ev necesariamente tiene que seguir la distribucin de la energa
potencial -q(x), evidentemente lo mismo ocurre para el mnimo de la banda de conduccin Ec, como lo ilustra la fig. 1.2-4.

Fig. 1.2-4. Diagrama de bandas de energa de la UPN en equilibrio termodinmico

La barrera de energa potencial entre las dos regiones separa los portadores mayoritarios, confinando aquellos cuya energa cintica es
menor que qbi a cada lado de la unin. El resto de los portadores con energa mayor a qbi pueden fluir de un lado a otro, pero la
concentracin de ellos es homognea a travs de todo el semiconductor de modo que el flujo neto de carga por difusin es cero, como
se esquematiza en la fig. 1.2-4.
Resumiendo, en una UPN en equilibrio termodinmico se da una redistribucin de carga libre, creando una regin vaca de
portadores libres en la que los iones de impurezas establecen una carga fija. Ella, a su vez, establece una distribucin de potencial
electrosttico que constituye una barrera de energa para la carga mvil localizada a cada lado de la UPN.

1.3

Transporte de carga: modelo de Shockley

Basndose en el anlisis electroesttico de la UPN en equilibrio termodinmico, resumido en la seccin anterior, Shockley en

1948 [7] propuso los mecanismos fsicos que dan lugar al transporte de carga en la UPN, obteniendo as, la ecuacin que relaciona la
corriente I, que fluye a travs de ella, con el voltaje V entre sus extremos. Ms tarde, en 1957 Shockley [8] propone aadir la
contribucin de corriente producida por la recombinacin Shockley Read Hall (SRH) dentro de la ZCE. A continuacin
presentamos ambos mecanismos de transporte de carga, siguiendo este orden.

1.3.1

Inyeccin de minoritarios hacia las regiones cuasi-neutras

Al polarizar en directo la UPN con un voltaje V, se reduce la altura de la barrera de energa potencial q(bi V) y los portadores

con energa cintica suficiente pasan sobre ella, introduciendo un exceso de stos en las regiones cuasi-neutras (en adelante denotado
por RCNs), donde se difunden y recombinan. La fig. 1.3-1 esquematiza esta situacin.

Fig. 1.3-1. Inyeccin de minoritarios hacia las regiones cuasi-neutras.

El comportamiento de estos minoritarios inyectados a cada lado de la unin se cuantifica resolviendo las ecuaciones de continuidad [6]
para x < -xp y x > xn. La solucin de stas se simplifica haciendo las siguientes consideraciones y aproximaciones [2,4]:

Estado estacionario, esto es, dp ( x ) dt = dn( x ) dt = 0 .

No hay generacin de portadores por energa externa al semiconductor.

Temperatura uniforme a travs de toda la UPN.

Bajo nivel de inyeccin: la concentracin en exceso de los minoritarios inyectados en las RCNs es mucho menor que la de
mayoritarios, entonces las velocidades netas de recombinacin se aproximan a

U p ( x) = p( x) p

U n ( x) = n( x) n , donde p y n son los tiempos de vida de minoritarios [2].

Predomina el transporte por difusin: la corriente por arrastre de los minoritarios en las RCNs es despreciable con
respecto a la de difusin [2], entonces las densidades de corriente estn dadas por

J p ( x) = qD p dp( x) dx y

J n ( x) = qDn dn( x) dx .
Bajo las condiciones anteriores las ecuaciones de continuidad resultan ser [2]
d 2n( x) n( x)
2 =0
dx 2
Ln

x x p

1.3-1a

d 2 p ( x) p ( x)
2 =0
dx 2
Lp

x xn

1.3-1b

Donde L p =

D p p y Ln = Dn n son las longitudes de difusin de huecos y electrones, respectivamente.

Las ecs. 1.3-1 son vlidas en la extensin de las RCNs respectivas. Por lo tanto las condiciones de frontera que deben satisfacer son las
que se dan en los extremos de estas regiones, es decir, las concentraciones de los minoritarios en exceso localizadas en la vecindad con
la ZCE (-xp y xn) y en sus extremos finales, (x = - y ). Para el primer caso, el modelo de Shockley propone que los portadores
mayoritarios con energa suficiente para sobrepasar la barrera de energa potencial, la cruzan de tal forma que la distribucin en energa
de portadores dentro de la ZCE no es perturbada por el voltaje aplicado, dando lugar a cuasi-niveles de Fermi constantes dentro de la
ZCE. De acuerdo a esto, las concentraciones inyectadas en exceso son [2],

(
) = n (e

)
1)

p( xn ) = pn e qV / kT 1

1.3-2a

n( x p

1.3-2b

qV / kT

pn y np son las concentraciones de minoritarios en los bordes de la ZCE en equilibrio.

10

Para los extremos de la UPN, como las extensiones de p y n son semi-infinitas se considera que sus concentraciones de minoritarios no
son modificadas por la polarizacion de la unin, esto es
p( x ) = 0

1.3-3a

n( x ) = 0

1.3-3b

Aplicando las condiciones 1.3-2 y 1.3-3 a las ecs. 1.3-1, se obtiene

p( x) = p( xn )e

( x xn ) / L p

n ( x ) = n ( x p ) e

(x + x p ) / Ln

x xp

1.3-4a

x xn

1.3-4b

La fig. 1.3-2 ilustra la distribucin de minoritarios causada por la inyeccin, y por su consecuente difusin y recombinacin en las
RCNs.

Fig. 1.3-2. Distribucin de minoritarios en exceso en las regiones cuasi-neutras.

Las densidades de corriente que establecen las distribuciones de minoritarios se determinan aplicando la ley de difusin de Fick en cada
borde de la ZCE,

J p ( xn ) =

qD p p n

J n ( x p ) =

Lp

(e

qDn n p
Ln

qV / kT

(e

1.3-5a

qV / kT

1.3-5b

La densidad de corriente total J es la suma de ambas componentes,

Dn n p D p p n
J = q
+
L
Lp
n

qV / kT
( e
1)

1.3-6

11

En base a la ec. 1.3-6 se anticipa que:

en polarizacin directa (para V > 3kT/q) la corriente inyectada en las RCNs crece con una razn exponencial constante q/kT
conforme el voltaje externo reduce la altura de barrera, la fig.1.3-3 lo ilustra.

Fig. 1.3-3. Transporte de carga en polarizacin directa.

en polarizacin inversa (para V < -3kT/q) la altura de barrera crece, reduciendo exponencialmente la concentracin de
portadores mayoritarios que pueden pasarla, sin embargo, los minoritarios mantienen una corriente independiente del voltaje,
ver fig.1.3-4.

Fig. 1.3-4. Transporte de carga en polarizacin inversa.

Este modelo toma en consideracin slo la corriente de inyeccin de minoritarios, no obstante, el mismo Shockley al ver que existan
desviaciones experimentales propuso tomar en cuenta la recombinacin SRH dentro de la ZCE [8]; en la siguiente sub-seccin se
describe el modelo brevemente.

12

1.3.2

Recombinacin-generacin SRH de portadores dentro de la ZCE

En polarizacin directa hay, con respecto al equilibrio, una concentracin mayor de ambos tipos de portadores en la ZCE, los
cuales pueden recombinarse y establecer una corriente neta que fluye de la regin p a la n. En polarizacin inversa ocurre lo contrario, la
ZCE se empobrece de portadores libres, permitiendo que la generacin prevalezca sobre la recombinacin y entonces se establece una
corriente por generacin que fluye de la regin n a la p. La fig. 1.3-5 esquematiza ambas situaciones. El anlisis de la corriente generada
por estos procesos de recombinacin-generacin, asistidos por niveles profundos en la banda prohibida, se presentan a continuacin.

Fig. 1.3-5. Recombinacin-generacin de pares electrn-hueco dentro de la ZCE.

La densidad de corriente de recombinacin-generacin Jrg se determina sumando los eventos de recombinacin ocurridos dentro de la
ZCE,
xn

1.3-7

J rg = q Udx
xp

Donde U es la velocidad neta de recombinacin. Considrese que la UPN contiene una concentracin uniforme de niveles profundos
NT, de energa ET, como se esquematiza en la fig. 1.3-5; que los tiempos de vida para huecos y electrones son iguales, esto es p = n =
1/Ntct, donde ct es el coeficiente de captura para ambos portadores; y que las condiciones establecidas en la sec. 1.3 se mantienen:
estado estacionario, generacin nula por energa externa, cuasi-niveles de Fermi constantes a travs de la ZCE, y temperatura uniforme.
Bajo esas condiciones U est dada por [6]
E fn E fp
1
ni exp

kT

U = N t ct
E i E fp
E fn E i
E Ei
+ exp
+ 2 cosh t
exp

kT
kT
kT

1.3-8

Donde Ei es el nivel de Fermi intrnseco.

13

Para determinar U se requiere conocer las diferencias Efn - Ei y Ei - Efp. Una aproximacin [4,5] es suponer que la velocidad con que se
recombinan los portadores libres es uniforme a travs de la ZCE e igual a su mximo valor posible. Este mximo ocurre cuando ET =
Ei y los cuasi niveles de Fermi son equidistantes de ET, es decir Ei = (Efp + Efn)/2, entonces J rg max = qWU max y para voltajes V >
3kT/q se obtiene

J r max =

qni N t ctW
exp(qV / 2kT )
2

1.3-9

Donde W es el ancho de la ZCE.

En comparacin a la inyeccin de minoritarios en las RCNs, la corriente dada por la ec. 1.3-9 presenta una dependencia con el voltaje
de tipo exponencial con un factor igual a 2 en el exponente, en consecuencia, disminuye la capacidad para transportar carga a travs de
la UPN; adems, el factor pre-exponencial resulta ser dependiente del voltaje a travs de W(V) [2].
La ec. 1.3-9 es el resultado ms frecuentemente presentado y discutido en los libros de dispositivos semiconductores, sin embargo, en el
artculo de Sah-Noyce-Shockley [8] se demuestra en forma general que la corriente de recombinacin es proporcional a
J r exp (qV / r kT )

1.3-10

Donde r es el factor de idealidad para el transporte por recombinacin.

En el apndice A se obtiene que r est aproximadamente dado por
1.3-11

r =

d
ln f ( x' , V )dx '
d (qV / kT ) 1/ 2

1/ 2

1+

Donde

q ( bi V ) qV / 2 kT
f ( x' , V ) = cosh
x ' e
+ cosh (E t E i ) / kT
kT

1.3-12

La ec. 1.3-11 junto con la ec. 1.3-12 muestran que el factor de idealidad depende del voltaje aplicado V, de la temperatura T, del
potencial inter-construido bi y del nivel ET, es decir, es funcin de las propiedades fsicas de la UPN. Usando el software
apropiado, se grafican las curvas normalizadas r qV/kT tomando como parmetros bi/kT y (Et -Ei)/kT; stas son mostradas en las
figs. 1.3-6 y 1.3-7. Ah se observa que el factor de idealidad r slo puede variar entre 1 y 2. Con resultados semejantes Sah-NoyceShockley en 1957 mostraron que algunos de los valores para los factores de idealidad observados en las UPN podan explicarse por la
recombinacin SRH en su ZCE.

14

2.0
1.8
1.6
r

20

30

40

1.4

50

Ebi/kT

1.2
Et = Ei

1.0
0

10

20

qV/kT

30

40

50

Fig. 1.3-6. Curvas r qV/kT en funcin de Ebi/kT

2.0
Ebi/kT = 20
1.8

1.6
r

3
(Et-Ei)/kT

1.4

6
1.2

10

1.0
0

10
qV/kT

15

20

Fig. 1.3-7. Curvas r qV/kT en funcin de (Et - Ei)/kT

Finalmente, la corriente total para una UPN con rea transversal S es la suma de la corriente de inyeccin de minoritarios (ec. 1.3-6) ms
la de recombinacin en la ZCE (ec. A-7),

1.3-13

I = I d e qV / kT 1 + I r e qV / r kT 1

Donde I = qS Dn n p + D p p n
d
L
Lp
n

Ir =

1.3-14a

qSni N t ctW
2

1.3-14b

15

1.3.3

Resistencia parasita en serie

Por ltimo es indispensable considerar la resistencia parasita causada por las regiones cuasi-neutras, los contactos ohmicos, los
electrodos, etc. Su efecto puede ser modelado por una resistencia R en serie con el diodo, fig. 1.3-8. De la ley de Kirchoff de voltajes se
establece que el voltaje efectivo V que cae en la ZCE es V ' = V RI ; sustituyendo este valor en la ec. 1.3-13, obtenemos
V RI
V RI
1
1 + I r exp
I = I d exp
kT / q
r kT / q

1.3-15

La resistencia en serie produce que la curva I V se desvi del crecimiento puramente exponencial de la corriente para pasar a un
rgimen de crecimiento hmico, como lo ilustra la fig. 1.3-8.

Fig. 1.3-8. Efecto de la resistencia en serie.

1.4

Mediciones I V

Para completar el estudio del transporte de carga a travs de la UPN, vamos presentar y discutir mediciones I V de uniones pn
comerciales cuyas referencias se muestran en la tabla 1.4-1; contrastndolas con los dos mecanismos de transporte de carga antes
presentados.

Matrcula

Descripcin

1N4001

Rectificador, Si

NTE506

Rectificador, Si

NTE588

Rectificador, Si

NTE610

Varactor, Si

NTE109

Rectificador, Ge

Tabla 1.4-1. Uniones pn.

16

Las mediciones se realizaron utilizando un Analizador de Parmetros de Semiconductores HP4145B con las muestras mantenidas a
temperatura ambiente (~300K). Se midi la corriente de entre 0 y 1V con incrementos de 0.01V. La fig. 1.4-1 muestra las curvas I V.

1.E+00

q/2kT

Corriente, A

1.E-03

1.E-06

1.E-09

1N4001
NTE506
NTE588
NTE610
NTE109

=q/kT
1.E-12

T = 300K
1.E-15
0

0.2

0.4
0.6
Voltaje, V

0.8

Fig. 1.4-1. Mediciones I V.

Inicialmente supongamos que la corriente de estas uniones es originada nicamente por la inyeccin de minoritarios. Entonces de
acuerdo la ec. 1.3-6 debemos esperar que las pendientes de las curvas en la fig. 1.4-1 sean igual a q/kT donde T es 300K. En la misma
figura se grafica esta pendiente mediante los recuadros que aparecen junto a las curvas I V. Las pendientes experimentales difieren
considerablemente de la de los recuadros. Tal diferencia nos lleva a suponer que:

Como las pendientes experimentales son todas menores a la esperada, entonces las uniones posiblemente se calentaron durante la
medicin.

Usando la ec. 1.3-6 y el mtodo de mnimos cuadrados en la regin de voltaje donde V > 3kT/q y el efecto de la resistencia en serie R
es despreciable (ver Apndice B), se obtienen los ajustes mostrados en la fig. 1.4-2. Los parmetros de ajuste, el factor pre-exponencial
I0 y la temperatura T, se dan en la tabla 1.4-2.

17

1.E+00

Corriente, A

1.E-03

1.E-06

1.E-09

1N4001
NTE506
NTE588
NTE610
NTE109

1.E-12

1.E-15
0

0.2

0.4
0.6
Voltaje, V

0.8

Fig. 1.4-2. Ajustes a las mediciones I V.

Diodos

T (K)

I0(A)

1N4001

351

4.0X10-11

NTE506

415

5.0X10-10

NTE588

325

2.5X10-10

NTE610

355

3.5X10-14

NTE109

620

5.5X10-6

Tabla 1.4-2. Parmetros de ajuste.

A pesar de que todos los diodos fueron medidos a la misma temperatura (~300K), ellos en la tabla 1.4-2 toma valores desde 325 hasta
620K; aunque temperaturas como 620K son completamente irreales, ampliemos la discusin:

Si el calentamiento hubiera ocurrido, la pendiente de las curvas experimentales estara disminuyendo conforme el voltaje
aumenta, ya que desde los 300K, la temperatura aumentara a medida que crezca la corriente. En la fig. 1.4-2 no se observa tal
comportamiento, se ve que las pendientes varan ligeramente con el voltaje, pero en general ellas no tienden a disminuir.

18

De hecho, en la fig. 1.4-2 se observa que la corriente crece desde algunos picoamperes hasta alcanzar algunos miliamperes.
Considerando que el voltaje a lo mucho es 1Volt, entonces la potencia elctrica disipada vara desde picowatts hasta unos
cuantos miliwatts en funcin del voltaje aplicado. Tales valores son muy pequeos como para calentar las uniones.

El efecto Joule no puede calentar sbitamente el dispositivo, por ejemplo, es inverosmil creer que la temperatura del diodo
NTE506 haya crecido desde 300K a 415K en 10 segundos (tiempo aproximado que duro la medicin).

Por tanto, la temperatura de los diodos debi haber sido 300K aproximadamente. Veamos en la tabla 1.4-3 los factores de idealidad que
resultan considerando T = 300K.

T (K)

1N4001

351

1.17

NTE506

415

1.38

NTE588

325

1.08

NTE610

355

1.18

NTE109

620

2.07

Diodos

Tabla 1.4-3. Parmetros de ajuste.

Los factores de idealidad estn prcticamente entre 1 y 2, como corresponde al mecanismo de recombinacin. En conclusin,

En las UPN medidas hay una contribucin del mecanismo de recombinacin superpuesta a la inyeccin de
minoritarios, posiblemente junto con otras corrientes espurias que desvan aun ms el factor de idealidad.

Como se ver ms adelante el que existan corrientes, adems, de la debida a la inyeccin de minoritarios, es determinante en las
precauciones que hay que tomar cuando se usa la UPN como termmetro auto-calibrado.
Con la teora y los resultados experimentales, hasta aqu presentados, es suficiente para analizar el transporte de carga a travs
del transistor bipolar en el siguiente captulo, y para discutir el uso de la UPN como termmetro en el captulo III.

19

20

II. Transistor Bipolar: Voltajes y Corrientes

No corregir un error es cometer otro peor
Oigo y olvido,
Veo y recuerdo,
Hago y entiendo
Confucio. ~500 a.C

2.1

Introduccin
Se analiza el transporte de carga y se analizan algunos resultados experimentales para el transistor bipolar bajo las

condiciones que permitirn usarlo como termmetro auto-calibrado. El contenido se ordena en:
Seccin 2.2, se describe una estructura simple de transistor y se presenta su diagrama de bandas de energa en equilibrio
termodinmico.
Seccin 2.3, se analiza el transporte de carga a travs de las dos uniones pn que constituyen el transistor; considerando los
mecanismos de inyeccin de minoritarios y recombinacin SRH en la ZCE.
Seccin 2.4, se discute el factor de idealidad de algunas mediciones I V alcanzando conclusiones fundamentales para este trabajo.

2.2

Estructura fsica y de bandas de energa

Considrese un semiconductor cuyas propiedades fsicas son homogneas en el espacio (x, y, z). Su distribucin de impurezas

depende de x, constituyendo dos uniones pn abruptas separadas por una distancia dB, como se esquematiza en la fig. 2.2-1. Estas
B

regiones son pnp y se denominan Emisor (E), Base (B) y Colector (C), respectivamente.

Fig. 2.2-1. Distribucin de impurezas en el transistor bipolar tipo pnp.

21

Como en la UPN, en equilibrio termodinmico se descubre una carga fija neta en torno a las uniones metalrgicas del transistor.
La fig. 2.2-1 muestra la nomenclatura empleada para las extensiones de carga espacial y de la regin cuasi-neutra de base (en adelante,
la RCN-B). El anlisis electrosttico de la sec. 1.3 puede usarse para determinar el potencial elctrico en cada unin, sin necesidad de
volver plantear la ecuacin de Poisson. Considerando que la extensin de la base satisface la condicin dB > xeb + xbc, es decir que la
B

carga espacial descubierta en la vecindad de cada unin no se traslapa con la otra, entonces el potencial elctrico se distribuye en cada
unin de igual forma que en la UPN. Mediante las ecs. 1.2-3 se establece el diagrama de bandas de energa (fig. 2.2-2) para el transistor.

Fig. 2.2-2. Estructura de bandas de energa del transistor en equilibrio termodinmico

Las alturas de las barreras de energa potencial que existen en la unin emisor-base (UEB) y unin base-colector (UBC) estn dadas por
la ec. 1.2-7, adecundola para las concentraciones de impurezas de cada caso. Sucede lo mismo para las extensiones de las ZCEs (ecs.
1.2-6).

2.3

Transporte de carga
Se presentan los mecanismos de transporte de carga para la UPN aplicado al transistor, reducido al caso que nos interesa, es decir,

para las polarizaciones VEB > 0 y VCB = 0 en que funciona como termmetro auto-calibrado, como se ver ms adelante. La fig. 2.3-1
muestra la convencin para las corrientes IE, IB y IC, y para los voltajes VEB y VCB. Las consideraciones y aproximaciones hechas para la
B

UPN se mantienen, a menos de que se mencione otra cosa.

Fig. 2.3-1. Voltajes y corrientes propios al transistor.

22

2.3.1 Inyeccin de minoritarios hacia las regiones cuasi-neutras

Al polarizar la UEB en directo, se inyectan minoritarios hacia cada una de sus RCNs, en donde se difunden y recombinan. A
diferencia de la UPN, la base tiene una extensin finita, dando lugar a la transferencia de una parte de los minoritarios inyectados en la
base hacia el colector, como lo ilustra la fig. 2.3-2. El anlisis se centra en este efecto, denominado efecto transistor.

Fig. 2.3-2. Inyeccin de minoritarios por la UEB produciendo la transferencia de huecos hacia el colector
La situacin para los minoritarios inyectados en el emisor es equivalente al caso de la UPN, aqu tambin la extensin del emisor es
semi-infinita. La ecuacin de continuidad para estos portadores y su solucin son semejantes a lo realizado en la sec. 1.3 para electrones
(ec. 1.3-5b). Por analoga, adecuando la nomenclatura y suponiendo que el rea transversal S del transistor es uniforme, se obtiene que la
corriente debida a electrones inyectados en el emisor es

I nE = qS

Donde

DE nE qVEB / kT
e
1
LE

2.3-1

LE = DE E y nE es la concentracin de electrones en equilibrio en la RCN de emisor.

Para los minoritarios inyectados en la base se resuelve la ecuacin de continuidad bajo las mismas suposiciones hechas en la seccin
1.3.1, obteniendo

p( x) = Ae x / LB + Be x / LB
donde

2.3-2

LB = DB B .

23

La distribucin de huecos en exceso debe satisfacer las condiciones de frontera especficas del transistor, las cuales son impuestas por
las polarizaciones de ambas uniones, VEB > 0 y VCB = 0. Un razonamiento equivalente al presentado en la seccin 1.3.1 permite
establecer que su concentracin en los bordes de la RCN-B estn dadas por

p(0) = p B e qVEB / kT 1

2.3-3a

p ( xb ) = 0

2.3-3b

pB es la concentracin de minoritarios en equilibrio en la RCN-B.

B

Se aplican las condiciones 2.3-3 en la ec. 2.3-2 y se obtiene

p( x) =

p(0)
e ( xb x ) / LB e ( x xb ) / LB
2 sinh(xb / LB )

2.3-4

La distribucin de los minoritarios se caracteriza por la razn entre la extensin de la RCN-B, xb, la cual es la distancia que tienen que
recorrer los huecos para alcanzar la otra ZCE, y su longitud de difusin, LB. El acercamiento de las uniones pn reduce la recombinacin
B

de los minoritarios en la base y promueve la transferencia de carga hacia el colector:

Pongamos por ejemplo, cuando acercamos las uniones del transistor al grado que xb << LB entonces para una aproximacin de
B

1er orden a la ec. 2.3-4 se obtiene

p( x) p(0)

p(0)
x
xb

2.3-5

La fig. 2.3-3 muestra la distribucin de la ec. 2.3-5. La ley de difusin de Fick determina tanto la corriente de inyeccin hacia la
base (abastecida por el emisor IpE) como la que va hacia el colector IpC, en este caso como la distribucin es lineal entonces son
iguales, y estn dadas por

I pE = I pC = qS

DB p B qVEB / kT
e
1
xb

2.3-6

En contraste con la UPN, la corriente de huecos inyectados hacia la base, bajo esta aproximacin, deja depender de LB y ahora
B

es funcin de xb.

Fig. 2.3-3. Distribucin de minoritarios en exceso dentro de la regin cuasi-neutra de base si xb << LB.
B

24

En general, las corrientes IpE y IpC se determinan mediante la distribucin de minoritarios (ec. 2.3-4), evaluando la ley de Fick en x = 0 y
x = xb, respectivamente. A la corriente de emisor se le suma la de los electrones (ec. 2.3-1) y se obtienen las corrientes totales que fluyen
por el emisor IE y el colector IC,

(
= I (e

)
1)

2.3-7a

I E = I e e qVEB / kT 1
IC

qVEB / kT

2.3-7b

Donde
D n

D p
I e = qS E E + B B coth ( xb / LB )
LB
LE

I t = qS

2.3-8a

DB pB
1
LB sinh(xb / LB )

2.3-8b

Las ecs. 2.3-7 gobiernan el transporte de carga por inyeccin de minoritarios en el transistor. La figura 2.3-4 esquematiza los flujos de
corriente a travs de las uniones del transistor, despreciando la corriente inversa de la UEB.

Fig. 2.3-4. Corrientes elctricas a travs del transistor.

Por ltimo, vamos a evaluar la validez de la aproximacin xb << LB, graficando la expresin general de la corriente de colector (ec. 2.3B

7b) normalizada a la corriente dada por la ec. 2.3-6, esto es,

I C Normalizada =

IC
xb LB
=
I C Aprox senh( xb LB )

2.3-9

25

IC NORMALIZADA

1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01

0.1

1
xb/LB

10

100

Fig. 2.3-5. Corriente de colector normalizada en funcin de xb/LB.

B

La fig. 2.3-5 se muestra que la corriente de colector se vuelve casi independiente de la razn xb/LB para valores menores a 0.2,
B

es decir, bajo esa condicin la aproximacin es aceptable.

2.3.2 Recombinacin SRH dentro de la ZCE

De acuerdo a lo presentado en la sec. 1.3.2, si el transistor posee niveles de energa distribuidos a travs de su estructura,
entonces en la ZCE de la UEB se establece una corriente de recombinacin abastecida por el emisor y la base, como lo ilustra la fig. 2.36. Esta corriente se aade slo a la corriente total de emisor. De la misma forma como ocurre en la UPN se obtiene

I E = I e eqVEB / kT 1 + I re eqVEB / re kT 1

2.3-10

Fig. 2.3-6. Corrientes elctricas a travs del transistor.

26

Importa notar que a diferencia de la corriente de emisor, la de colector no es afectada, ella se sigue produciendo nicamente por la
inyeccin de minoritarios desde el emisor hacia la base sin contribucin de la de recombinacin. Adems, otros mecanismos
de transporte a travs de la UEB como la recombinacin superficial [5] y el tunelamiento a travs de la barrera de potencial [5], tampoco
pueden intervenir en la corriente de colector.
Por tanto, es razonable esperar que su factor de idealidad de la corriente de colector sea igual 1. Lo nico que podra modificarlo es la
dependencia de It con VEB a travs de xb; sin embargo, como se verificar en seguida este efecto puede ser despreciable.

2.4

Mediciones I V
Vamos a presentar y discutir mediciones I V de los transistores de la tab. 2.4-1, ah se muestra la matricula, el semiconductor

del cual est hecho y el tipo de estructura.

Matricula

Tipo de transistor

NTE100

Ge-PNP

NTE126A

Ge-PNP

TN2907A

Si-PNP

2N3906

Si-PNP

2N3904

Si-NPN

NTE229

Si-NPN

Tab. 2.4-1. Transistores.

2.4.1 Medicin IC e IB a temperatura ambiente

B

Se midi la corriente de colector y de base de cada uno de los transistores en funcin de VEB a temperatura ambiente poniendo
en corto circuito la UBC, VEB se incremento desde 0 a 1V en intervalos de 0.01V. Las curvas IC VEB y IB VCB se muestran en la fig.
B

2.4-1, junto a ellas se grafican recuadros cuya pendiente corresponde al valor de q/kT asumiendo que la temperatura es 300K. Ya
podemos notar en la fig. 2.4-1 que las corrientes de colector muestran una pendiente muy cercana a q/kT, mientras que en las de base
no es as.

27

1.E+00

1.E+00

1.E-03

1.E-03

=q/kT

1.E-06

=q/kT

1.E-09

=q/kT

IB

IC

1.E-06

NTE100
NTE126A
TN2907A
2N3906
2N3904
NTE229

1.E-12

T = 300K

1.E-09

=q/kT
1.E-12

T = 300K

1.E-15

NTE100
NTE126A
TN2907A
2N3906
2N3904
NTE229

1.E-15
0

0.2

0.4

VEB

0.6

0.8

0.2

0.4

VEB

0.6

0.8

Fig.2.4-1. Curvas IC VEB y IB VCB a temperatura ambiente.

B

Mediante del procedimiento de ajuste explicado en el apndice B, obtenemos los factores de idealidad considerando T = 300K y los
factores pre-exponenciales para las corrientes de colector y base, mostrados en la tabla 2.4-2. Y en las figs. 2.4-2 se muestran dichas
curvas ajustadas.
1.E+00

1.E-03

1.E-03

1.E-06

1.E-06
IB, A

IC, A

1.E+00

1.E-09

1.E-09

NTE100
NTE126A
TN2907A
2N3906
2N3904
NTE229

1.E-12

NTE100
NTE126A
TN2907A
2N3906
2N3904
NTE229

1.E-12

1.E-15

1.E-15
0

0.2

0.4

0.6

0.8

0.2

0.4

0.6
VEB, V

VEB, V

Fig. 2.4-2. Ajustes I V.

Transistores

c (T = 300K)

I0c(A)

b (T = 300K)

I0b(A)

NTE100

1.01

2.60X10-6

1.18

1.55X10-7

NTE126A

1.01

1.70X10-8

1.27

9.80X10-9

TN2907A

1.01

4.40X10-14

1.02

2.42X10-16

2N3906

1.00

8.80X10-15

1.10

4.55X10-16

2N3904

1.00

9.10X10-15

1.00

4.80X10-17

NTE229

1.00

1.70X10-15

1.12

3.05X10-16

Tabla 2.4-2. Parmetros de ajuste.

28

0.8

Los factores de idealidad para corriente de colector en todos los transistores resulto ser prcticamente igual a 1, mientras que la
corriente de base presenta valores impredecibles, mayores a 1. Este resultado confirma que

La corriente de colector se produce nicamente por los minoritarios inyectados hacia la base que despus alcanzan
el colector por difusin.

Mientras en que la corriente de base, adems de la inyeccin de minoritarios hacia la base y el emisor, tambin hay
otras corrientes aadidas que desvan el factor de idealidad de 1.

El resultado anterior tambin se puede obtener para la corriente de emisor, si usamos el emisor como colector, polarizando la UBC en
directo y dejando en corto circuito la UEB, como a continuacin se muestra.

2.4.2 Medicin IE e IB a temperatura ambiente

B

Se midi la corriente de emisor y de base en funcin de VCB a temperatura ambiente poniendo en corto circuito la UEB, VCB se
incremento desde 0 a 1V en intervalos de 0.01V. La fig. 2.4-3 muestra las curvas resultantes.

1.E+00

1.E+00

1.E-03

1.E-03

=q/kT

=q/kT

=q/kT

1.E-09
1.E-12

T = 300K

IB

1.E-06

IE

1.E-06

NTE100
NTE126A
TN2907A
2N3906
2N3904
NTE229

1.E-09

=q/kT

1.E-12

T = 300K

1.E-15

NTE100
NTE126A
TN2907A
2N3906
2N3904
NTE229

1.E-15
0

0.2

0.4

VCB

0.6

0.8

0.2

0.4

VCB

0.6

0.8

Fig. 2.4-3. Corrientes de emisor y base obtenidas a temperatura ambiente.

Con apoyo de los recuadros se observa en la fig.2.4-3 una buena concordancia entre la pendiente de las corrientes de emisor y la
pendiente esperada a T = 300K. Se procede de igual forma a lo hecho en la sec. 2.4.1, ajustando y obteniendo los factores de idealidad y
los factores pre-exponenciales de cada curva I V. Estos valores son presentados en la tabla 2.4-3, y las curvas ajustadas, en las figs. 2.44.

29

1.E+00

1.E-03

1.E-03

1.E-06

1.E-06
IB, A

IE, A

1.E+00

1.E-09

1.E-09

NTE100
NTE126A
TN2907A
2N3906
2N3904
NTE229

1.E-12

NTE100
NTE126A
TN2907A
2N3906
2N3904
NTE229

1.E-12

1.E-15

1.E-15
0

0.2

0.4

0.6

0.8

0.2

VCB, V

0.4

0.6

0.8

VCB, V

Fig. 2.4-4. Ajustes I V.

Transistores

e (T = 300K)

I0e(A)

b (T = 300K)

I0b(A)

NTE100

1.01

2.30X10-6

1.14

1.10X10-6

NTE126A

1.03

3.20X10-8

1.20

1.10X10-7

TN2907A

1.01

3.20X10-14

1.05

1.50X10-14

2N3906

1.00

9.70X10-15

1.06

2.25X10-14

2N3904

1.00

7.00X10-15

1.03

7.50X10-15

NTE229

1.00

1.38X10-15

1. 05

2.10X10-15

Tabla 2.4-3. Parmetros de ajuste.

Nuevamente observamos en la tabla 2.4-3 que las corrientes colectadas en el emisor presentan un factor de idealidad prcticamente igual
a 1, mientras que los factores de idealidad de las corrientes de base son mayores a 1. Esto vuelve a confirmar que la corriente colectada
slo es debida a la inyeccin de minoritarios en las RCNs, y que en la corriente de base hay otras contribuciones al transporte de carga
que desvan la curva I V de la idealidad. Las uniones EB y BC si se polarizan en directo presentan corrientes superpuestas a la
inyeccin de minoritarios que desvan el factor de idealidad de 1.0, pero ests mismas uniones cuando solamente colectan la carga
inyectada a la base, su corriente presentan un factor de idealidad igual a 1.0 debido a que no se encuentran polarizadas.
En conclusin, el factor de idealidad de la corriente de colector (y tambin usando el emisor como colector) es
sistemticamente igual 1 en los transistores medidos. Esto se debe al efecto transistor que permite que slo el mecanismo de
inyeccin de minoritarios produzca la corriente de colector. Debido a este resultado en el siguiente captulo se puede proponer el uso
del transistor como termmetro auto-calibrado.

30

III. Termmetro Auto-Calibrado:

Teora y Experimentacin
Imaginar puede resolver un problema en un mundo donde la ilusin, es la solucin
Annimo.
Todo lo que un hombre puede imaginar, otros lo harn realidad
Julio Verne

3.1

Introduccin
En los captulos I y II se present la teora del transporte de carga en la unin pn y en el transistor bipolar, as como la discusin

de algunas mediciones I V. Las conclusiones ms relevantes para los objetivos de este trabajo fueron:

Para la UPN, la corriente se debe a una contribucin de varios mecanismos, inyeccin de minoritarios hacia las RCNs
y recombinacin dentro la ZCE, as como posiblemente otras contribuciones espurias. Lo que conduce a factores de
idealidad de naturaleza prcticamente impredecible.

Para el transistor bipolar, si se polariza en directo una de sus uniones pn y la otra en corto circuito, entonces la
corriente que circula por esta ltima es debida exclusivamente a los minoritarios inyectados en la base que por difusin
alcanzaron la unin no polarizada. Por lo que, esta corriente crece exponencialmente con un factor de idealidad igual a
1.

En base a esas conclusiones se presenta el uso del transistor como termmetro auto-calibrado, analizando la teora y los resultados
experimentales en que se fundamenta. Pero antes se presenta los mtodos convencionales en los que la UPN funciona como sensor de
temperatura, discutiendo sus limitaciones actuales.
El contenido del captulo se estructura como sigue:
Seccin 3.2, se presenta y discute el uso convencional de la UPN como termmetro.
Seccin 3.3, se presenta el uso el transistor bipolar como termmetro auto-calibrado, y se analiza el principio fsico que interviene
en la determinacin de la temperatura junto con su sensibilidad y su rango de operacin.
Seccin 3.4, se analiza la exactitud y las fuentes de error atribuibles al transistor, estableciendo as las condiciones optimas para
garantizar una aceptable exactitud.
Seccin 3.5, se presentan y discuten resultados experimentales para transistores comerciales.
Seccin 3.6, se muestran las conclusiones finales y se menciona algunas perspectivas de investigacin futura.

31

3.2

Unin pn como termmetro

El transporte de carga de la UPN depende de la temperatura, como se mostr en el captulo I, lo que permite su uso en

termometra. De hecho, diversos autores han investigado las propiedades de la UPN como sensor de temperatura [9, 10]. Un mtodo,
actualmente ya convencional, consiste en polarizarla en directo con una corriente constante, como lo ilustra la fig. 3.2-1, as la
temperatura se puede determinar mediante el voltaje entre sus terminales, siempre y cuando se conozca la relacin V - T.

Fig. 3.2-1. Unin pn polarizada en directo con

corriente constante.
De acuerdo con la teora de Shockley (ec. 1.3-6), el voltaje en una unin pn dentro del rango donde V > 3kT/q y el efecto de R sea
despreciable, est dado en funcin de la temperatura por

V=

E g (T )
q

k I A (T )
ln
q
I

3.2-1

Donde
Dn (T )
D p (T )
N (T ) N v (T )
I A (T ) = qS
+
L (T ) p (T ) L (T ) n (T ) c
p
p
n
n

3.2-2

IA es dependiente de la temperatura a travs de las densidades efectivas de estados en las bandas de conduccin y valencia, de los
coeficientes y longitudes de difusin, y eventualmente, tambin de la concentracin de mayoritarios.
La ec. 3.2-1 establece que el voltaje disminuye casi linealmente con la temperatura [10], sin embargo, debido a que Eg y IA son
dependientes de la temperatura hay efectos no lineales en la relacin V T. En seguida se presentan algunas mediciones V T a
corriente constante de una unin pn de Silicio.
Se midi la corriente variando el voltaje de 0 a 1V en intervalos de 0.01V, esto se repiti entre 296 y 372K cada 5K. La medicin se hizo
con la precaucin de esperar el tiempo suficiente para que la temperatura de la unin se estabilizara. A partir de esos datos se
obtuvieron las curvas V T mostradas en la fig. 3.2-2, y mediante el mtodo de mnimos cuadrados se determin el mejor ajuste lineal.
En la tabla 3.2-1 se presentan los parmetros de ajuste obtenidos; para esta unin resulta que Eg = 1.28eV y IA = 1.2X107A.

32

0.7
0.6
Voltaje (V)

0.5
0.4

V = 1.28 - 2.2X10-3T

Corriente, A

-3

V = 1.28 - 2.5X10 T
V = 1.28 - 2.6X10-3T

1X10-4

V = 1.27 - 2.8X10-3T

1X10-5
1X10-6
1X10-7

0.3
0.2
0.1
0
200

225

250

275

300

325

350

375

400

Temperatura (K)
Fig. 3.2-2. Curvas V T a corriente constante de U1.
I, A

Eg

IA, A

1X10-4

1.28

1.2X107

1X10-5

1.28

3.9X107

1X10-6

1.28

1.2X107

1X10-7

1.27

1.2X107

Tab. 3.2-1. Parmetros de ajuste para la curva V T a corriente constante.

Como se ve en la fig. 3.2-2, la sensibilidad del voltaje con la temperatura, V/T, se encuentra entre -2.2 y -2.8 mV/K para una
corriente entre 0.1 y 100 A. Estos valores son tpicos para las uniones pn de Silicio [9]. El rango de operacin depende del
semiconductor que constituya la unin pn, por ejemplo, para diodos de silicio suele estar entre -50 y 150C [11] mientras que para los de
GaAs va de 4 300K [9].
Un termmetro que use este principio de medicin, ec. 3.2-1, requiere calibracin porque la relacin V T depende de las propiedades
fsicas de la unin pn, como la concentracin de impurezas, el ancho de banda, los coeficientes de difusin, etc. Adems, debido a las
normales inhomogeneidades en las propiedades fsicas de las obleas con las que se manufacturan los diodos, a la corriente de
recombinacin SRH en la ZCE y a la resistencia en serie, la relacin V T varia de un dispositivo a otro; por lo que es imposible
transformar esa ecuacin en

V (T ) = D E ln

F
T
I

3.2-3

Donde D, E y F sean constantes vlidas para todo diodo hecho del mismo material y para toda corriente de operacin I. Es
justamente esta imposibilidad la que hace necesaria la calibracin UNO a UNO de estos termmetros para garantizar su
exactitud.

33

Por ejemplo, si usamos la caracterstica V T de la fig. 3.2-2 a 0.1mA, la cual est dada por
3.2-4

V (T ) = 1.28 2.2 10 3 T Volts

Cuando la temperatura es 300K, el voltaje es aproximadamente 0.62V. Si al determinar la temperatura consideramos la

sensibilidad promedio, -2.5mV/K, en lugar del valor verdadero -2.2mV/K, obtendramos la temperatura de 264K,
introduciendo un error de 36K, es decir, un error de ms del 13%; lo que lo hace totalmente inutilizable. Este ejemplo ilustra la
importancia que tiene la calibracin con que se determine la funcin V(T): entre mayor exactitud se tenga en la calibracin
tambin mayor ser la exactitud con que se pueda determinar la temperatura.
Tngase en cuenta que una vez calibrada la unin pn a una dada corriente, entonces debe garantizarse no modificar la corriente porque
esto degradara la exactitud del termmetro. Es ms, si durante la vida til de la unin pn se modifican sus propiedades fsicas, la
recalibracin se hace indispensable.
En 1968 Verster [12] propuso determinar la temperatura mediante la diferencia de voltaje entre dos uniones pn de propiedades
fsicas similares. A partir de la ec. 3.2-1, considerando que para dos uniones IA1 = IA2 y Eg1 = Eg2, se obtiene

V = V1 V 2 = T

k I1
ln
q I2

3.2-5

En comparacin con el mtodo anterior (ec. 3.2-1), la diferencia de voltaje V s es exactamente proporcional a la temperatura, si y slo
si mantenemos constante las corrientes que polarizan las uniones. La principal ventaja de este mtodo es que la determinacin de la
temperatura no depende de las propiedades especficas de la unin pn, slo de las corrientes con que se polaricen. Sin embargo, la
recombinacin en la ZCE y la resistencia en serie son las principales causas por las que la ec. 3.2-5 slo es una aproximacin, y en
realidad es necesario usar modelos de transporte que contemplen estos efectos para mejorar la exactitud del mtodo. De hecho, al inicio
de este milenio Kanoun en [13] compara distintos modelos de transporte y en [14] propone el suyo para mejorar exactitud del mtodo.
Actualmente, ya hay en el mercado circuitos integrados que usan el mtodo de Verster para medir la temperatura, como el LM35. Estos
dispositivos son calibrados uno a uno [15, 16] por lo que vuelve ms caro su produccin.
Ahora bien lo ideal sera tener un termmetro cuya funcin con la temperatura fuera independiente de las propiedades fsicas de la UPN
e independiente de la polarizacin, con el fin de que sea la misma para todos los dispositivos y as evitaramos la necesidad de
calibrarlos. A continuacin se muestra que est posibilidad existe y se explica como podra llevarse cabo.

34

3.3

Transistor bipolar como termmetro auto-calibrado

En el capitulo II se estableci que polarizando VEB > 0 y VCB = 0, el efecto transistor separa, de entre todas las corrientes

que la polarizacion de la UEB produce, la debida a la inyeccin de minoritarios en la base, ya que estos se difunden y son
colectados por la UBC, constituyendo la corriente de colector. Esta corriente colectada debe presentar, de acuerdo con el modelo
de Shockley, un factor de idealidad igual 1, lo cual fue experimentalmente constatado en la sec. 2.4. Por tanto, podemos sostener que la
corriente de colector est dada por

I C = I t exp(qVEB / kT )

3.3-1

Donde, en general, It es

I t = qS

DB p B
1
.
L B sinh ( x b / L B )

3.3-2

Este resultado conduce a proponer el uso del transistor para determinar la temperatura prescindiendo de calibracin alguna. Para ello es
necesario considerar que el dispositivo opera bajo las siguientes condiciones de polarizacin:

3kT/q < VEB < VR, donde VR es un voltaje donde la resistencia en serie comienza a perturbar el crecimiento exponencial de la
corriente de colector.

La unin de colector est en corto circuito, como lo ilustran las figuras 3.3-1 y -2.

Fig. 3.3-1. Configuraciones elctricas para el transistor como termmetro auto-calibrado.

35

Fig. 3.3-2. Calculo de la temperatura mediante la medicin de m.

Suponiendo que It y T se mantiene constante durante la medicin de IC, la razn de cambio porcentual de la IC respecto al voltaje VEB,
denotada por m, es igual a

m=

d (ln I C ) q
=
dVEB
kT

3.3-3

De donde resulta que

T=

3.3-4

q
d (ln I C )

k
dVEB

La ec. 3.3-3 es contundente, como la constante q/k es el nico parmetro que determina a la funcin m(T), entonces m(T) debe ser la
misma para todos los transistores independientemente del material semiconductor y las concentraciones de impurezas con que se
fabriquen. Tambin es independiente de las condiciones de polarizacin, si 3kT/q < VEB < VR. Por tanto, este resultado permite
determinar la temperatura prescindiendo de la calibracin del transistor. nicamente se requiere medir mediante un ampermetro
y un voltmetro la corriente colectada (IC) y el voltaje de la unin emisora (VEB), respectivamente, para determinar la pendiente m, y
entonces a partir de ella, se calcula la temperatura aplicando la ec. 3.3-4.
Este uso que podra drsele al transistor tambin fue propuesto en 1974 por A.A. Felimban y D.J. Sandiford en [17]. En este trabajo de
investigacin se profundiza sobre algunos aspectos que ellos nunca consideraron. En concreto, la contribucin de esta tesis consiste
en:

36

Presentar y analizar la grafica de la caracterstica m(T), explicando el fenmeno fsico que la produce (ver sec. 3.3.1).

Analizar la sensibilidad de la pendiente m con la temperatura, presentando su ecuacin y curva caracterstica (ver sec. 3.3.2).

Presentar y discutir, al menos cualitativamente, los mecanismos fsicos que restringen la operacin del transistor como
termmetro auto-calibrado dentro de cierto rango de temperatura (ver sec. 3.3.3).

Analizar cuantitativamente el error introducido en la determinacin de temperatura por la modulacin del ancho de base xb
con el voltaje VEB, con el fin de dar las condiciones de diseo del transistor para reducir este efecto no deseado (ver sec. 3.4).

Adems, se realizaron dos experimentos para verificar que la temperatura determinada por este mtodo es realmente la
temperatura del transistor (ver. sec. 3.5).

3.3.1

Mecanismo fsico
La fig. 3.3-3 presenta la grafica de m(T), donde claramente vemos que m disminuye con la temperatura. Esto tiene su origen en la

forma en que se distribuyen en energa los portadores libres, en concreto, hablamos de los huecos mayoritarios en el emisor; a
continuacin se profundiza la discusin.

1.E+04

m, 1/V

1.E+03
1.E+02
1.E+01
1.E+00
0

100

200

300

400

500

600

Temperatura, K
Fig. 3.3-3. Curva caracterstica de m en funcin de T.
La estadstica que rige la distribucin energtica de los huecos es la de Fermi-Dirac, por lo que la concentracin de huecos con energa
E > EV + (Ebi - qVEB), es decir, aquellos que pueden sobrepasar la barrera de energa entre emisor y base, est dada por [2]

pB (VEB ,T ) = pE e ( Ebi qVEB ) / kT

3.3-5

Donde pE es la concentracin de huecos mayoritarios en la regin cuasi-neutra de emisor.

37

La ec. 3.3-5 muestra que la concentracin de huecos que pueden ser inyectados hacia la base crece exponencialmente a medida que el
voltaje aplicado crece, y que la rapidez con la que el voltaje aplicado va hacer pasar los huecos hacia la base depende de la temperatura
del gas de huecos que hay en el emisor, esto se ve reflejado a travs del factor 1/kT. Es precisamente este ltimo factor el que reaparece
en la ec. 3.2-1, por lo que la corriente de colector adquiere el mismo comportamiento. Ahora bien, est rapidez disminuye porque al
aumentar la temperatura los huecos se distribuyen sobre un rango de energa ms amplio y como su concentracin total se mantiene
constante, entonces la concentracin de huecos dentro un intervalo qVEB disminuye con la temperatura, esto se ilustra en la fig. 3.3-4.

Fig. 3.3-4. Distribuciones de los huecos del emisor a dos temperaturas, donde T2 > T1.

38

3.3.2

Sensibilidad
Siendo m la caracterstica del transistor que permite obtener la temperatura, entonces es lgico definir la sensibilidad S del

termmetro auto-calibrado como la razn del cambio de m respecto al cambio de temperatura T. La derivada dm/dT es igual a

S=

q
kT 2

3.3-6

Este resultado evidencia la principal desventaja de este mtodo, la sensibilidad depende de la temperatura. El termmetro es ms
sensible conforme la temperatura disminuye, como se observa en la fig. 3.3-5. Por lo que este termmetro puede ser ms til en
aplicaciones criognicas.

1.E+02

-1

Sensibilidad, V K

-1

1.E+03

1.E+01
1.E+00
1.E-01
1.E-02
0

100

200

300

400

500

600

Temperatura, K
Fig. 3.3-5. La sensibilidad |dm/dT| en funcin de la temperatura.

3.3.3

Rango operativo de temperatura

Hay dos situaciones extremas en el que el transistor es imposible operarlo como termmetro auto-calibrado. Ellas restringen su

uso a ciertos lmites de temperatura:

Temperaturas altas. El rango de voltaje en el que es posible determinar la temperatura, entre 3kT/q y VR, llega a ser
demasiado pequeo debido a que It es grande.

39

Temperaturas bajas. Cuando ocurre la recaptura de portadores libres por las impurezas debido a la baja energa trmica del
semiconductor, entonces aumenta la resistencia parasita en serie de las regiones cuasi-neutras. Es razonable esperar que por
debajo de cierta temperatura, se reduzca drsticamente el rango de voltaje en que se puede determinar la temperatura,
inutilizando el termmetro.

Para ejemplificar esas situaciones permtanos suponer que se tiene un transistor de Silicio, al cual se le ha hecho mediciones IC VEB a
distintas temperaturas, las cuales son mostradas en la fig. 3.3-6, y que 10-12A es la corriente mnima que se puede medir. Considerando la
dependencia de It(T) a travs slo de ni(T) [2] y considerando el efecto de la resistencia en serie, estas curvas fueron calculadas mediante

I C = qS

Eg
NV N C
DB
exp
L B N B sinh ( x b / L B )
kT

Donde se propuso que qS

qV EB I C R
exp
1

kT

3.3-7

NV N C
DB
= 2.3 10 3 A y Eg = 1.12eV para obtener un comportamiento tpico de las curvas IC
LB N B sinh ( xb / LB )

- VEB para una transistor de Silicio. Los valores propuestos para la resistencia en serie R se muestran en la fig. 3.3-6.

1.E+00
1.E-03
2

IC, A

500K

1.E-06

2
400K

1.E-09

10

50

300K

200K

100K

1.E-12
1.E-15
0

0.25

0.5

0.75
VEB, V

1.25

Fig. 3.3-6. Curvas IC- VEB a distintas temperaturas.

En la fig. 3.3-6 se observa que para cierta temperatura inferior a la temperatura en la que comienza la neutralizacin de las impurezas, la
resistencia en serie crece y entonces se puede alcanzar la situacin en que es imposible determinar la temperatura porque el rango de
voltaje, 3kT/q < VEB < VR, se reduce demasiado, como se observa para la temperatura de 100K. Por otro lado, a altas temperaturas la

40

resistencia serie se mantiene casi constante mientras que It crece hasta que nuevamente el rango de voltaje es demasiado pequeo, como
podra ocurrir a temperaturas cercanas a 500K para este ejemplo.
El ejemplo anterior ilustra los efectos que restringen el uso del transistor como termmetro auto-calibrado, mas no busca determinar el
rango de temperatura con exactitud, porque ste depende de las propiedades fsicas de cada transistor. As que si se requiere determinar
con exactitud el rango operativo de temperatura para un transistor en particular, se tendr que hacer experimentalmente.

3.4

Exactitud y fuente de error atribuible al transistor

El factor It se considero constante en la obtencin de la ec. 3.3-3; sin embargo, su valor puede variar durante la medicin de la

corriente de colector a causa de la modulacin de xb con el voltaje VEB, introduciendo un error T en la determinacin de la
temperatura. En seguida se cuantifica y se analiza este error causado por la naturaleza propia del transistor. Mediante la ec. 3.3-1 se
determina la ecuacin exacta para la temperatura,

T=

3.4-1

q
1
k d (ln I C ) d (ln I t )

dVEB
dVEB

El error porcentual T/T se puede determinar considerando que q dVEB

k d (ln I C )

es igual a la temperatura T ms un error T, entonces

la ec. 3.4-1 se transforma a

T=

1
1
k d (ln I t )

T + T q dVEB

Resolviendo para T/T se obtiene

T / T =

3.4-2

1
q / kT
1+
d (ln I t ) / dVEB

It vara con el voltaje a travs de xb, ya que conforme aumentamos la polarizacin en la UEB, la extensin de la carga espacial en la base
se reduce, por lo que xb aumenta respecto a su condicin en equilibrio, como se ilustra en la figura 3.4-1.

41

Fig. 3.4-1. Regiones de carga espacial y regin cuasi-neutra de la base.

En el apndice C se demuestra que la variacin logartmica de It causada por la modulacin de esta carga espacial, est dada por

d (ln I t )
1
=
2 EB
dVEB

3.4-3

1
1/ 2

EB

(xb 0 / xeb0 + 1)1 VEB

V
1 EB
EB

Donde xb0 = xb(VEB = 0) y xeb0 = xeb(VEB = 0). Entonces el error porcentual T/T introducido por la modulacin de xeb se determina
remplazando la ec. 3.4-1 en la ec. 3.4-2, esto es

T / T =

3.4-4

1
V
2q EB
(xb 0 / xeb0 + 1)1 EB
kT
EB

1/ 2

V
1 EB 1
EB

De acuerdo con esta ecuacin la exactitud del termmetro depende la manufactura del transistor a travs de:

la razn entre la extensin de regin cuasi-neutra de base y la extensin de la carga espacial en la base cuando el transistor est
en equilibrio termodinmico, esto es, xb0/xbe0; reduciendo el error T/T conforme esta razn aumenta.

el potencial inter-construido de la UEB; siendo menor el error T/T en estructuras cuyo EB sea mayor.

En las figs. 3.4-2 y -3 se muestra las curvas del error en funcin del voltaje VEB/EB obtenidas mediante la ec. 3.4-4; considerando que
EB es constante e igual a 0.7V, se hace un barrido para xb0/xeb0 de 1 a 1000 y para la temperatura de 100 a 500K.

42

0.03
bi = 0.7V

T = 300K

xb0/xeb0 = 5

Error T/T

xb0/xeb0 = 1

0.02
xb0/xeb0 = 10

0.01
xb0/xeb0 = 100

0
0

0.3

0.6
VEB/EB

0.9

1.2

Fig. 3.4-2. Curva T/T VEB/EB variando xb0/xeb0 para un transistor a 300K.

0.02

Error T/T

bi = 0.7V

xb0/xeb0 = 10

0.01

500K
400K
300K
200K
100K

0
0

0.3

0.6
VEB/EB

0.9

Fig. 3.4-3. Curva T/T VEB/EB variando la temperatura para un transistor en el

que xb0 es

10 veces xeb0.

De las fig. 3.4-2 y -3 se concluye que el error introducido por la dependencia de xeb con la polarizacin es despreciable, menor a 0.5%
para amplio rango de voltaje (0 < VEB < 0.9EB) y de temperatura (100K < T < 500K), si xb0 es al menos 10 veces mayor que xeb0. Por
lo tanto, esta fuente de error se puede reducir construyendo transistores en los que la extensin de la carga espacial xeb0 sea varias veces
menor a xb0. Algunas formas de lograrlo es impurificando con mayor concentracin la base que el emisor, es decir, NB >>
B

NE; o bien, ensanchando la base.

Por ejemplo, se tiene un transistor de Silicio operando como termmetro auto-calibrado y el voltaje con que polariza la UEB es de
alrededor 0.4V para determinar la temperatura. Considerando que EB y xeb/xeb0 son prcticamente constantes con la temperatura e
igual a 0.7V y 10, respectivamente; entonces a partir de la ec. 3.4-4 se grafica el error T/T en funcin la temperatura mostrado en la
fig. 3.4-4. Podemos observar en ella que el error se mantiene menor a 0.5% entre 100 y 500K, y que aumenta proporcionalmente con la
temperatura. Esta podra ser otra razn para preferir usar el termmetro auto-calibrado a baja temperaturas.

43

0.005

Error T/T

0.004
0.003
0.002
0.001
0
0

100

200

300

400

500

600

Temperatura, K
Fig. 3.4-4. Curva T/T T. (para VEB = 0.4V, EB = 0.7V, xb0/xeb0 =
10)
Con esto finalizamos la presentacin de algunos de los aspectos tericos concernientes al transistor usado como termmetro autocalibrado, a continuacin presentamos el desarrollo experimental que da solidez a la tesis.

3.5

Desarrollo experimental
Se presentan los experimentos que se efectuaron para explorar el uso del transistor como termmetro auto-calibrado, los

resultados obtenidos y su discusin. Estos experimentos se efectuaron usando solamente los transistores de Silicio de la tabla 2.4-1 que,
evidentemente, no fueron construidos para esta aplicacin especfica.

3.5.1

Medicin IC y IE a temperatura ambiente

En la sec. 2.4 se sealo la simetra del mecanismo de inyeccin en la base del transistor, lo que debe permitir determinar la

temperatura mediante la medicin de d(ln IC)/dVEB, o bien, mediante d(ln IE)/dVCB. En este experimento se propone medir IC y IE del
transistor estando a la misma temperatura ambiente, cada una bajo sus propias condiciones de polarizacin. El objetivo es comparar
las temperaturas obtenidas por cada una de estas mediciones.
El experimento se realizo primero midiendo IC(VEB) con VCB = 0V, y al finalizar esta medicin, se intercambiaron las terminales de
emisor y colector para proceder a medir IE(VCB) con VEB = 0V. El intercambio de estas terminales se procuro hacerlo lo ms rpido
posible (~20s) y sin manipular el transistor, con el fin de garantizar que ambas mediciones IC(VEB) y IE(VCB) se realicen a la misma
temperatura, al menos para cada transistor. Estas mediciones fueron hechas con los transistores de Silicio de la tabla 2.4-1. Las curvas IC
VEB y IE VCB obtenidas en este experimento son mostradas en la fig. 3.5-1 y 3.5-2, respectivamente.

44

1.E-01

IC

1.E-04

1.E-07

1.E-10

NTE229
NTE2709A
2N3904
2N3906

1.E-13
0

0.2

0.4

0.6

0.8

VEB
Fig. 3.5-1. Curvas IC-VEB

1.E-01

IE

1.E-04

1.E-07

1.E-10

NTE229
NTE2709A
2N3904
2N3906

1.E-13
0

0.2

0.4

0.6

0.8

VCB
Fig. 3.5-2. Curvas IE-VCB
Como se observa en las figs. 3.5-1 y -2 en todas las curvas existen suficiente nmero de puntos en que es posible determinar a
temperatura. Usando la metodologa que se describe en el apndice B, se determin la temperatura correspondiente a cada curva I V.
En las figs. 3.5-3 y 3.5-4 se muestran los ajustes y en la tabla 3.5-1 se muestra las temperaturas obtenidas.

45

1.E+00

1.E-03

IC, A

1.E-06

1.E-09
NTE229
TN2907A
2N3904
2N3906

1.E-12

1.E-15
0

0.2

0.4
VEB, V

0.6

0.8

Fig. 3.5-3. Ajustes a las curvas IC - VEB.

1.E+00

1.E-03

IE, A

1.E-06

1.E-09

NTE229
TN2907A
2N3904
2N3906

1.E-12

1.E-15
0

0.2

0.4

0.6
VCB, V

Fig. 3.5-4. Ajustes a las curvas IE VCB.

46

0.8

Transistor

TEB, K

TCB, K

NTE229

301

301

TN2907A

301

301

2N3904

300

300

2N3906

300

300

Tabla 3.5-1. Temperatura de la uniones emisor-base y colector-base.

La tabla 3.5-1 muestra que las temperaturas TEB y TCB son prcticamente iguales. Esto reconfirma que la temperatura obtenida a partir
de la pendiente de la curva ln I V es realmente la temperatura a la que se encentra el transistor durante la medicin de la corriente.

3.5.2

Medicin IC variando la temperatura

En seguida vamos a comparar la temperatura obtenida mediante el transistor (2N3904) con la temperatura dada por el

termmetro comercial (LM35DZ), calibrado por National Semiconductor. En el apndice D se describe las caractersticas de este
termmetro, de las cuales la ms importante es que su error mximo de medicin es 2.0C dentro de 0 a 100C y que este es funcin
de la temperatura como ilustra la fig. 3.5-5.

Fig. 3.5-5. Exactitud del sensor LM35DZ en funcin de la temperatura. Reimpreso de [15].
En este experimento se midi IC(VEB, VCB = 0), polarizando y calentando simultneamente el transistor y el termmetro comercial
hasta que el LM35DZ marque 100C. Se efectuaron mediciones IC VEB a cada 1C, estabilizando la temperatura en cada medicin.

47

Para garantizar que el transistor y el sensor se encuentren a la misma temperatura, se colocaron juntos entre dos placas de cobre
ajustadas por dos tornillos, tambin de cobre. Ambos dispositivos tienen el mismo encapsulado, TO-92, esperando que estn a la misma
temperatura. La placa de cobre se puso sobre una parrilla; como se muestra en la fig. 3.5-6.

Fig. 3.5-6. Esquema de la pieza de cobre que sujetaba el transistor y el sensor.

Empleando el procedimiento descrito en el apndice B, se determino la temperatura TEB del transistor, la cual fue posteriormente
comparada con la temperatura Tsensor correspondiente al LM35DZ. En la fig. 3.5-7 se muestra la diferencia que se obtuvo entre estas
dos temperaturas para cada una de las 75 mediciones hechas desde 25 hasta 100C.

2.5

Tsensor - TEB, C

2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-0.5
-1.0
25

50

75
Tsensor, C

Fig. 3.5-7. Diferencia de temperatura entre el sensor y el transistor.

48

100

El resultado ms importante de este experimento es que la diferencia entre las dos temperaturas se mantuvo siempre dentro del
error permisible del sensor LM35, es decir, entre 2.0C. Adems, vemos en la fig. 3.5-7 que la diferencia entre las dos
temperaturas aumenta con ella misma, esto bien puede explicarse a que la exactitud del sensor LM35 se deteriora conforme se
incrementa la temperatura; porque el comportamiento casi lineal de la curva en la fig. 3.5-7 coincide con lo publicado por el fabricante
respecto al comportamiento de la exactitud mxima del sensor mostrado en la fig. 3.5-5.
Con los resultados aqu expuestos es suficiente para sostener que la temperatura determinada por el mtodo propuesto es la temperatura
real del transistor. En seguida mostramos las conclusiones finales de este trabajo de investigacin.

3.6

Conclusiones finales y perspectivas de investigacin.

Basndonos en los resultados experimentales ya discutidos en la seccin anterior, se concluye

1.

El transistor bipolar constituye un termmetro auto-calibrado, que es

econmico y que puede ser incorporado

directamente a un sistema electrnico.

2.

La fabricacin de transistores que operen como termmetros auto-calibrados no necesita cumplir exigencias tecnolgicas
particulares para que funcione de forma aceptable.

3.

La exactitud del termmetro auto-calibrado puede mejorarse mediante geometras e impurificaciones adecuadas, como
procurando que xb/LB < 0.2, xb0/xeb0 > 10, NB >> NE y que las concentraciones de impurezas sean uniformes en cada
B

regin.
4.

El rango operativo de temperatura para termmetro auto-calibrado depende del material semiconductor y el tipo de
impurificantes con que se fabrique las uniones pn del transistor.

5.

La sensibilidad y el error debido a xeb(VEB) para el termmetro auto-calibrado mejoran conforme disminuye la temperatura,
por lo que este termmetro podra usarse en aplicaciones criognicas.

Finalmente, como perspectivas de investigacin se propone,

Determinar la exactitud experimental del termmetro auto-calibrado comparando su medicin con termmetros de alta
precisin y exactitud bajo temperaturas de referencia, como el triple punto del agua.

Fabricar transistores con las condiciones discutidas en la sec. 3.4 para deducir el efecto de la modulacin de xb, as como
analizar que material semiconductor e impurificantes seran los adecuados para un determinado rango operativo del
termmetro.

Implementar un sistema electrnico completo que automatice la determinacin de la temperatura del transistor en un mismo
chip, o bien, en un chip a parte del transistor, dependiendo de las condiciones de la aplicacin especfica.

49

50

REFERENCIAS
Ensea a tus alumnos cmo pensar, no qu pensar.
Sydney Sugarman.

1.

Mark W. Zemansky, Richard H. Dittman. Calor y termodinmica. McGraw Hill. 1985.

2.

J. P. McKelvey. Fsica del estado slido y de semiconductores. Limusa, 1996.

3.

Thomas W. Kerlin, Robert L. Shepard. Industrial Temperature Measurement. Instructional Resource Package, Student Text. Instrument
Society of America. 1982.

4.

S.M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology. 2Ed, John Wiley & Son, 2002.

5.

S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices. 2Ed, John Wiley & Son, 1981.

6.

Robert F. Pierret. Advanced Semiconductor Fundamentals. Addison-Wesley, 1987. Modular Series on State Devices. Vol.

7.

W. Shockley. The theory of p-n Junctions in semiconductors and p-n Junction transistors. Bell system technical journal, 1949, p. 435.

8.

W. Shockley, R. N. Noyce, C. Sah. Carrier generation and recombination in P-N junctions and P-N junction chacracteristics, Proceedings of the
IRE, 1957, vol. 45, p. 1228

9.

N. Sclar, D.B. Pollock. On diode thermometers. Solid-State Electronics, 1972, vol. 15, p. 473.

10. B.G: Cohen, W.B. Snow, A.R. Tretola. GaAs p-n junction diodes for wides range thermometry. Review of scientific instruments, 1963, vol.
34, N10, p. 1091.
11. C. E. Davis, P. B. Coates. Linearization of silicon junction characteristics for temperature measurement. Journal of physics E: Scientific
instruments, 1977, vol. 10, p. 613.
12. T. C. Verster. p-n junction as an ultra linear calculable thermometer. Electron Letter, 1968, vol. 4, no. 9, p. 175.
13. Olfa Kanoun. Modeling the p-n junction I U characteristic for an accurate calibration-free temperature measurement. IEEE transactions on
instrumentation and measurement, 2000, vol. 49, no. 4, p. 901.
14. Olfa Kanoun, Hans-Rolf Trnkler. Model performance improvements for a calibration-free temperature measurement based on p-n junctions.
Sensors and actuators A, 2002, vol. 101, p.275.
15. LM35 - Precision Centigrade Temperature Sensor. Noviembre 2000
16. Application Note 460, October 1986. LM34/LM35 Precision Monolithic Temperature Sensors. National Semiconductor Corporation.
1995.
17. A. A Felimpan, D. J. Sandiford. Transistors as absolute thermometers. J. Phys. E: Sci. Instrum. 1974, vol. 7, p. 341.

51

52

Apndice A: Factor de idealidad por recombinacin SRH en la ZCE

Como se ha mencionado en la sec. 1.3.2, la obtencin de corriente de recombinacin-generacin requiere determinar Efn - Ei y
Ei - Efp, aqu se presenta el anlisis para determinarlos.
En general, la distribucin del nivel de Fermi intrnseco Ei(x) lo establece la distribucin de potencial elctrico mediante

Ei ( x,V ) = q ( x,V ) + Ei 0

A-1

donde Ei0 = Ei (x = 0) es una constante que a continuacin vamos determinar con ayuda de la fig. A-1, ah se muestra el diagrama de
bandas de energa para la UPN y la localizacin de los cuasi-niveles de Fermi respecto al nivel de Fermi intrnseco.

Fig. A-1 Diagrama de bandas de energa de la unin pn.

Considerando que Ei(x, V) se encuentra exactamente a la mitad de la banda prohibida, entonces se debe cumplir que

E c Ei = Ei E v
Y en x = 0 esta igualdad conduce a

q n + (E c E fn ) + (E fn Ei 0 ) = q p + (E fp E v ) + (Ei 0 E fp )
donde n y p son los valores absolutos de las cadas de potencial en las regiones n y p.

53

Resolviendo para Ei0 la ecuacin anterior,

Ei 0 =

E fp + E fn

q ( n p )

(E

E fn ) (E fp E v )

A-2

Debido a que los cuasi-niveles de Fermi son uniformes a travs de la ZCE, entonces qV = E fn E fp , aplicando este resultado a la ec. A2 y reemplazndolo en A-1, se obtiene

E fn Ei ( x,V ) =

qV
+ q ( x , V ) E
2

A-3a

Ei ( x,V ) E fp =

qV
q ( x , V ) + E
2

A-3b

Donde E =

q ( n p )
2

(E

E fn ) (E fp E v )

Finalmente, la distribucin de la velocidad neta de recombinacin (ec. 1.3-8) se expresa en funcin del voltaje V mediante las ecs. A-3,
obteniendo

U ( x, V ) =

N t c t ni
e qV / kT 1
qV / 2 kT
2 e
cosh (q ( x, V ) E ) / kT + cosh (E t E i ) / kT

A-4

Sah-Noyce-Shockley proponen en [8] aproximar la distribucin de potencial (x,V) mediante una distribucin lineal a travs de la ZCE,
como la mostrada en la fig. A-2, dado por

( x, V ) =

bi V
W

W
W
<x<
2
2

Fig. A-2. Diagrama de bandas de energa para una distribucin de

potencial lineal.

54

A-5

Donde E es igual a cero porque se considera que NA = ND. Remplazando A-5 en A-4, se obtiene

U ( x, V ) =

N t c t ni
2

e qV / 2 kT

e qV / kT 1
V x
+ cosh(E t E i ) / kT
cosh bi
kT / q W

A-6

La corriente de recombinacin Jrg se determina sumando recombinaciones ocurridas dentro de la ZCE mediante la ec. 1.3-7 y A-6,
resultando

J rg =

1/ 2
qni N t c t W qV / kT
e
1 f ( x' , V )dx'
2
1 / 2

A-7

Donde f ( x' , V ) = cosh bi V x' e qV / 2 kT + cosh (E E ) / kT

t
i
kT / q

A-8

En el resultado anterior se hizo el cambio de variable x' = x / W con el fin de normalizar la integral; la cual no tiene una solucin
analtica. Con la ec. A-7 podemos determinar la pendiente d(ln(Jrg))/dV con el objetivo de analizar el factor de idealidad r producido
por la recombinacin SRH en la ZCE. Si despreciamos la variacin de W con el voltaje, l est dado para voltajes V > 3kT/q por
A-9

r =

d
ln f ( x' , V ) dx'
d ( qV / kT ) 1 / 2

1/ 2

1+

La discusin de la ec. A-9 se presenta en la sec. 1.3.2.

55

Apndice B: Ajuste de las curvas I V

Considrese la medicin I V de 1N4001 a 300K, mostrada en la fig. B-1. La ecuacin de transporte (1.3-6) nos impone
ajustarla mediante el factor pre-exponencial I0 y la temperatura T. El ajuste se realizo dentro del rango en que el efecto de la resistencia
en serie es despreciable y para V >3kT/q mediante la ec. B-1.

I = I 0 exp(qV / kT )

B-1

El primer paso consiste en eliminar las regiones no vlidas mostradas en la fig. B-1.

Para V > 3kT/q = 0.077V

1.E+00

Corriente, A

1.E-03

1.E-06

1.E-09

Efecto de la resistencia en
serie

1.E-12
0

0.2

0.4
0.6
Voltaje, V

0.8

Fig. B-1. Curva I V del 1N4001

A los datos que queden se les aplica el mtodo de mnimos cuadrados. Nosotros usamos la rutina de Excel destinada a este propsito,
como la fig. B-2 lo ilustra.
1.E+00

Corriente, A

1.E-03

1.E-06

I = 4.0X10-11eqV/k(351)
1.E-09

1.E-12
0

0.2

0.4

0.6

0.8

Voltaje, V

Fig. B-2. Ajuste por mnimos cuadrados

Realizando este mismo procedimiento a las restantes uniones pn de la tabla 1.4-1 fue como obtuvimos los parmetros de la tabla 1.4-2.

56

Apndice C: Error introducido por la modulacin de xeb(VEB)

Consideremos que xb << 0.2LB, entonces la ec. 3.3-2 se puede aproximar a
B

I t = qS

DB pB
xb

C-1

La variacin logartmica de It con VEB es

d (ln I t )
1 dxb
=
dVEB
xb dVEB

C-2

La extensin de la RCN-B es igual a

xb (VEB ) = xb 0 + xeb 0 xeb (VEB )

C-3

Donde xb0 es la extensin de la RCN-B y xeb0 es la extensin de la carga espacial en la base debida a la UEB, ambas cuando el transistor
est en equilibrio termodinmico, como lo ilustra la fig. C-1.

Fig. C-1. Regiones de carga espacial y regin cuasi-neutra de la base.

Entonces

dxb
dx
= eb
dV EB
dV EB

C-4

57

La extensin xeb est dada por

xeb (VEB ) =

2 s N E N B
( EB VEB )
q NE + NB

C-5

Y su variacin con el voltaje VEB es igual a

dxeb
xeb (VEB )
=
dVEB
2( EB VEB )

C-6

Ahora, combinando las ecs. C-6, -4, -2, y -3, se obtiene

d (ln I t )
xeb (VEB )
xeb (V EB )
1
1
=
=
dVEB
2( EB V EB ) xb (V EB )
2( EB V EB ) xb 0 + xeb0 xeb (V EB )

C-7

Esta misma ecuacin se puede expresar como

C-8

d (ln I t )
1
1
=
dV EB
2( EB V EB ) xb 0 / x eb 0 + 1
1
x eb (V EB ) / x eb 0

La razn xeb/xeb0 est dada por

xeb (VEB ) VEB

= 1
xeb 0
EB

1/ 2

C-9

Finalmente, remplazando la ec. C-9 en la ec. C-8 se obtiene la expresin para la variacin logartmica de It

d (ln I t )
1
=
2

dV EB
EB

C-10

(xb 0 / xeb 0 + 1)1

V EB

EB

1/ 2

V
1 EB
EB

58

Apndice D - Descripcin de las caractersticas del termmetro LM35DZ

En el experimento de la sec. 3.5-2, comparamos la temperatura obtenida a partir de un transistor con la del termmetro LM35DZ. Aqu
vamos detallar lo ms posible el funcionamiento y las caractersticas termoelctricas de este ltimo, tomando como fuente de
informacin la hoja tcnica que el propio fabricante que pone a disposicin del cliente en su pagina web, http://www.national.com/.
El LM35DZ es un termmetro fabricado por National Semiconductor, el cual es calibrado por propio fabricante. Este dispositivo
cuenta con tres terminales etiquetadas por: Vs, a la que se le puede aplicar un voltaje entre 4 y 20V, GND, se conecta a la tierra
elctrica, y Vo, cuyo voltaje de salida es linealmente proporcional a la temperatura, la cual crece a una razn de +10.0mV/C. Entonces
cada grado Celsius equivale 10mV, por lo que, cuando Vo = 1V equivale a que el sensor se halla a 100C, y cuando Vo = 0V a 0C. La
fig. D-1 esquematiza la forma en que polarizamos el sensor en dicho experimento.

Fig. D-1. Esquema de polarizacin del sensor LM35DZ

El fabricante nos garantiza que este sensor es capaz de medir la temperatura sobre un rango desde 0 hasta 100C. En su hoja tcnica,
tambin se reporta que el error de medicin depende de la temperatura, tal como la grafica D-2 lo muestra. En ella se observa tanto le
comportamiento del error tpico como el comportamiento del error mximo que un momento dado puede llegar tener el termmetro.
El fabricante garantiza que el error no puede llegar a ser mayor 1.5C cuando T = 25C, ni tampoco mayor a 2.0C cuando T = 0 y
100C.

Fig. D-2. Error de medicin del LM35DZ en funcin de la temperatura. Reimpreso de [15].

59

El principio bsico por la cual el LM35 mide la temperatura se fundamenta en la dependencia del voltaje que cae a travs de una unin
pn respecto a su temperatura, cuando ella es alimentada por una corriente constante. Este modo de operacin se presenta en la sec. 3.2,
el voltaje prcticamente crece linealmente con la temperatura. Esto mismo se consigue si en lugar de usar un diodo, se emplea una de las
uniones de un transistor bipolar. Por ejemplo, midiendo la cada de voltaje VBE en funcin de la temperatura fijando la corriente de
emisor a un valor constante, donde VBE resulta estar dado por

VBE =

kT J E

ln
q J E 0

D-1

Donde JE es la densidad de corriente de emisor, y JE0 es el factor pre-exponencial. Este factor es el responsable de la no linealidad,
puesto que depende de la temperatura. En un principio su efecto puede ser eliminado, o al menos reducido, si medimos la diferencia de
potencial V BE = V BE1 V BE 2 de dos transistores que posean el mismo valor de JE0, entonces

VBE =

kT J E1
ln
q J E 2

D-2

La diferencia de potencial VBE tambin crece linealmente con la temperatura, pero su razn de crecimiento es nicamente funcin de
las densidades de corriente de los emisores de cada transistor. Lo que implica que la relacin VBE T es lineal mientras que la razn
JE1/JE2 se mantenga constante.
El LM35 usa este principio para medir la temperatura, en la fig. D-3 se muestra el diagrama a bloques que proporciona el fabricante en
[16].

Fig. D-3. Diagrama a bloques del LM35DZ. Reimpreso de [16].

60

El termmetro usa dos transistores que se encuentran formando un par diferencial, que es alimentado por una fuente de corriente
constante, conectada en serie con los emisores. El transistor Q1 posee un rea transversal de emisor 10 veces mayor a la del transistor
Q2, por lo que, la corriente de este ltimo es un dcimo de la circula por Q1. De aqu que se desarrolla una diferencia de potencial VBE
a travs de R1 al conectar las bases de los transistores a cada terminal de dicha resistencia, y cuyo valor esta dado por la ec. A-2.
Entonces se crea un voltaje proporcional a la temperatura absoluta, VPTAT, a travs de la resistencia nR1; el cual es n veces VBE, el
amplificador A1 es el encargado de garantizar que esta condicin se cumpla. Por ltimo, el voltaje VPTAT es acondicionado por el
amplificador A2 para que Vout crezca 10mV cada grado Celsius. Adicionalmente, el termmetro cuenta con un circuito que compensa la
no linealidad de la dependencia VBE(T) conectado a la base de Q1.

61

62

AGRADECIMIENTOS
Al menos en Espaol, la palabra gracias tiene una nica acepcin, y ella no posee sinnimos que le hagan sombra.
Quiz la causa de ello sea que el agradecimiento es el cimiento ms profundo en que se finca la civilizacin, a fin de evitar
ambigedad alguna durante dicha accin. En la medida que somos capaces de reconocer y valorar las acciones que el
prjimo realiza por nosotros, las sociedades paulatinamente progresan. Agradecer es un acto estratgico para el bienestar de
todos, en particular y aun ms importante, para uno mismo.
Por eso quiero agradecer a las personas que contribuyeron indirecta y directamente a la confeccin de este trabajo de
investigacin, comenzando por el aspecto personal:
Mis PADRES. A ellos no les agradezco haberme concebido, porque eso cualquiera lo pudo haber hecho. Les
agradezco la excelente educacin moral y tica, sin ella mi vida hubiera sido un fracaso total. Adems, me
mostraron que todos los caminos del esfuerzo y el trabajo conducen hacia el xito, leccin que aprend
desde nio. Espero seguir aprendiendo ms de ustedes. GRACIAS.
Mis HERMANOS. A ellos les agradezco la compaa, el apoyo, y sobretodo que cada que cometa un error estaban
ellos ah para rerse y decirme: ahh, como eres wey. Slo sobre el suelo estril de los errores se puede
edificar la sabidura, incluso cuando nunca la concluyamos. GRACIAS.
Mis AMIGOS y FAMILIA. A ellos, que han sido tantos y con tan distintas personalidades, a cada uno le he
aprendido algo; han enriquecido mi conducta y actitud. Debido a ellos he logrado elaborarme a mi
mismo una personalidad propia, recuperando lo mejor de ellos. GRACIAS.
Y en el aspecto profesional:
Mis MAESTROS. Aqu incluyo a todos ellos que en el transcurso de mi vida me han mostrado las consecuencias de
mis acciones y pensamientos. Slo conocindolas soy capaz de enmendar mis errores. Adems, ellos me
dieron el conocimiento bsico para abordar el problema cientfico, aqu resuelto. GRACIAS.
Mi ASESOR. Al Dr. Mimila le agradezco el impulso para desarrollar mi capacidad para reflexionar. Me enseo que
reflexionar con creatividad siguiendo un objetivo concreto es el mejor camino para alcanzarlo. A l le
debo principalmente mi actual formacin cientfica, el desarrollo de mis habilidades intelectuales y la
preocupacin por mantener una visin ms amplia del objeto de estudio. Agradezco las discusiones
productivas que mantuvimos durante el desarrollo del presente trabajo. GRACIAS.
Un agradecimiento especial al M. C. Rubn Huerta que contribuy con las mediciones en que se fundamenta la
presente tesis. GRACIAS.
Finalmente, agradezco a la SOCIEDAD MEXICANA que mediante sus impuestos a travs del CONACYT* recib una
beca con la que cubr mis gastos de manutencin durante dos aos. GRACIAS.

*Becario de CONACYT No. 191895

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