Escuela Superior Politcnica

De
Chimborazo
Facultad De Mecnica
Escuela De Ingeniera Mecnica

INGENIERA DE MATERIALES II
TEMA:

DIFRACCIN DE RAYOS X

ALUMNO:
PATRICIO ROJAS

6747

SEMESTRE:
SEXTO B

FECHA:
28-10-2016

Riobamba-Ecuador

LA DIFRACCIN DE RAYOS X ES UNA HERRAMIENTA EXPERIMENTAL

PODEROSSIMA USADA POR INGENIEROS DE MATERIALES PARA IDENTIFICAR

ELEMENTOS, ALEACIONES Y COMPUESTOS. BREVEMENTE EXPLICAR SU

FUNCIONAMIENTO Y LA IMPORTANCIA DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA PARA
UTILIZAR DICHA TECNOLOGA (MAX. 500 PALABRAS).
La difraccin de los rayos x sirve para determinar la estructura atmica
detallada de un material y la posicin de los tomos, iones o molculas que
lo conforman debido a este ordenamiento podemos determinar propiedades
tanto fsicas y qumicas de dicho material, un claro ejemplo que podemos
plantear es la cristalizacin del carbono el grafito y el diamante los cuales
tiene propiedades totalmente distintas pero son similares en su composicin
qumica. Existen tres mtodos de difraccin de rayos x: ley de Bragg,
mtodo de laue, mtodo de Deby-Scherrer, algunas de las aplicaciones de la
difraccin de rayos x tenemos: identificar sustancias cristalinas
desconocidas, control de calidad de materias primas y productos
terminados, determinacin de transformaciones de fase, determinacin del
grado de orden estructural, determinacin de imperfecciones cristalinas
POR FAVOR DESCRIBIR CUALES SON LOS DEFECTOS INTRNSECOS Y
EXTRNSECOS EN UNA ESTRUCTURA CRISTALINA
Los defectos cristalinos son los que dan las propiedades a la materia como
deformacin plstica, resistencia a la rotura, conductividad elctrica,
trmica, etc.
Los defectos intrnsecos son los que se presentan en forma natural en
otras palabras se encuentran en materiales puros esto es propio de cada
material esto obedece a que los cristales se preparan a altas temperaturas,
a bajas temperaturas algunos defectos se van perdiendo siempre existirn
defectos a menos que el enfriamiento sea considerablemente lento, se
produce por el salto de sus propios tomos.
Los defectos extrnsecos son los defectos que se producen en el exterior
como las impurezas que presenta el material. Los defectos tambin pueden
ser originados mediante la induccin en la red de un tomo/ion diferente en
una posicin intersticial o bien reemplazando a uno de los que constituyen
el cristal.
DEFINIR LA ENERGA LIBRE DE GIBBS Y SU IMPORTANCIA EN LOS DEFECTOS
PUNTUALES
Los defectos puntuales afectan localmente a pequeos grupos de tomos
dentro de la red cristalina como su nombre indica es la presencia o ausencia
de un tomo o ion. La energa libre de Gibbs se refiere a la energa de
solidificacin a altas temperaturas, y ocasiona que se creen vacancias de
acuerdo a la energa aplicada mientras ms energa se le aplique ms
vacancias existir. El transporte de materia ocurre de las regiones de
potencial qumico ms alto a las regiones de potencial qumico inferior.