DIODO

RECTIFICADOR

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO Y MODELO MATEMATICO.

El diodo es un dispositivo que tiene aplicacin prcticamente en todo tipo de circuito. Es un dispositivo activo que
conduce con facilidad en una direccin cuando el nodo es, tpicamente, 1 V menos positivo con respecto al
ctodo, pero acta casi como un circuito abierto cuando se invierte el voltaje que lo atraviesa. Esta caracterstica
de estar conectado y conduciendo, o desconectado, lo hace un componente ideal para usarse en circuitos de
conmutacin, lgica, rectificadores, demoduladores, correctores de forma de onda y muchas otras aplicaciones.
Se usa el nombre de diodo porque el dispositivo solo tiene dos terminales: el nodo y el ctodo. Los nombres
para las terminales se usan para los diodos semiconductores y modernos y se tomaron de la vlvula diodo
termoinico inventada en 1907 por Flemming.
En la vlvula diodo se calienta el ctodo para que emita electrones. Despus la placa del nodo recolecta estos
electrones cuando el voltaje del nodo al ctodo es suficientemente positivo. Su valor tpico es de unos cuantos
volts. Cuando el nodo es negativo con respecto al ctodo se repelen los electrones. Por tanto, solo fluye
corriente del nodo cuando el diodo se polariza directamente. Sin embargo, en el diodo semiconductor el flujo
de corriente en la direccin directa se debe tanto a los huecos como a los electrones, pues el dispositivo est
construido de una unin de materiales p y n. El ctodo es el tipo n y usualmente est marcada en el cuerpo del
diodo mediante una barra.
Tipos de diodos
-

De unin p n de seal baja.

Rectificadores (superficie grande).

Inverso.

Tnel.

PIN.

Schottky (o portador caliente).

Zener y regulador de voltaje.

Varactor (o varicap.

Emisor de luz.

Fotosensible.

Un dispositivo diodo rectificador es un elemento de dos terminales (diodo = dos electrodos) que contiene una
unin slida rectificante y que es diseada especialmente para manejar bajas frecuencias y grandes corrientes
(sentido directo).Actualmente la mayora de los rectificadores que se emplean en circuitos electrnicos son
fabricados de uniones semiconductor semiconductor silicio, y estos se rigen por la ecuacin encontrada por
Schockley:
= 0 (eeV/mKT 1);

despejando V, tenemos:

Ecuacin Matemtica
donde:
= Es la corriente del diodo en sentido directo.
0 = Es la corriente de saturacin inversa.
KT/e = 26 mV para T = 27
K = Constante de Boltzman = 1.38 * 10-23 joules/K
E = es la carga del electrn = 1.6 * 10 19 col.
T = es la temperatura absoluta en grados Kelvin (K).
EL DIODO COMO RECTIFICADOR: El rectificador se usa para convertir los voltajes de c-a en los de c-c
fluctuante. Ahora bien, una de las caractersticas de los diodos es que solo conducen en una direccin; por lo
tanto, los diodos constituyen dispositivos unidireccionales y se adaptan idealmente para trabajo como
rectificadores. En la fig.1 se muestra un diodo rectificador con las formas de onda de sus voltajes de entrada y
salida. Durante los medios ciclos positivos del voltaje de entrada la placa es positiva con respecto al ctodo, de
manera que el tubo conduce. La corriente resultante de placa produce una cada de voltaje en el resistor de
carga RL y este voltaje constituye la salida de diodo. Durante los medios ciclos negativos del voltaje de entrada
la placa es negativa con respecto al ctodo y como el resultado, el diodo no conduce; por lo mismo, el resistor
de carga ya no produce el voltaje de salida, el diodo est en corte (circuito abierto):

ESTRUCTURA INTERNA Y SIMBOLO

VARIACIONES CON LA TEMPERATURA

La corriente de saturacininversasser casi igual al doble en magnitud porcada 10C deincremento en la
temperatura.
No es poco frecuente que un diodo de germanio con un IS del orden de 1 o 2A a 25C tenga una corriente de
fuga de100A=0.1mA a una temperatura de100C. Los niveles de corriente de esta magnitud en la regin de
polarizacin inversa con seguridad cuestionaran la condicin deseada de un circuito abierto en la regin de
polarizacin inversa. Los valores tpicos de IS para el silicio son mucho menores que para el germanio para unos
niveles similares de potencia y corriente. El resultado es que a mayor temperatura, los niveles de IS para los
diodos de silicio no alcanzan los mismos altos niveles que para el germanio, una razn muy importante para que
los dispositivos de silicio tengan un nivel significativamente mayor en el desarrollo y utilizacin en el diseo.
Fundamentalmente el equivalente de circuito abierto en la regin de polarizacin inversas mejor a cualquier
temperatura con silicio que con germanio.
Los niveles deI aumentan a mayor temperatura con niveles menores del voltaje de umbral. La temperatura mejora
las caractersticas en polarizacin directa, en realidad se convierten en caractersticas ideales , pero cuando se
revisan las hojas de especificacin se encuentra que las temperaturas mas all de rango de operacin normal
pueden tener un efecto muy perjudicial en los niveles de potencia y corriente mximas del diodo. En la regin de
polarizacin inversa, el voltaje de ruptura se incrementa con la temperatura.
CIRCUITOS EQUIVALENTES
Un circuito equivalente es una combinacin de elementos que se elige en forma adecuada para representar, lo
mejor posible, las caractersticas terminales reales de un dispositivo, sistema o similar en una regin de operacin
en particular.
Circuito equivalente de segmentos lineales
Una tcnicapara obtener un circuito equivalente para un diodo consiste en aproximar lascaractersticas del
dispositivo mediante segmentos lineales, debe resultar obvioque los segmentos lineales no resultan ser una
duplicacin exacta de lascaractersticas reales, sobre todo en la regin de inflexin de la curva derespuesta. Sin
embargo, los segmentos resultantes son suficientemente cercanos ala curva real como para establecer un circuito
equivalente, que ofrecer unaexcelente primera aproximacin al comportamiento real del dispositivo. Se defineel
nivel de resistencia cuando se encuentra en estado encendido. El diodoideal se incluye con el fin de establecer
que existe una nica direccin deconduccin a travs del dispositivo, y se genera una condicin de
polarizacininversa en el estado de circuito abierto para el dispositivo. Debido a que undiodo semiconductor de
silicio no alcanza el estado de conduccin hasta queVDalcanza 0.7 V con una polarizacin directa, debe de
aparecer unabatera VTque se opone a la conduccin en el circuito equivalente.La batera solo especifica el
voltaje a travs del dispositivo debe sermayor que el umbral del voltaje de labatera antes de que pueda
establecerse la conduccin a travs del dispositivoen la direccin que dicta el diodo ideal. Cuando se establezca
la conduccin, laresistencia del diodo ser el valor especificadorav.

Se debe detener en cuenta que VTen el circuito equivalente no es una fuente devoltaje independiente. Si se
coloca un voltmetro a travs de un diodo aisladoencima de una mesa de laboratorio, no se obtendr una lectura
de 0.7 V. Labatera solo representa el defasamiento horizontal de las caractersticas quedeben excederse para
establecer la conduccin. El nivel aproximado deravpuede determinarse a partir de un punto de operacin en la
hojade especificaciones.
Circuito Equivalente Simplificado
Para lamayor parte de las aplicaciones, la resistencia raves losuficientemente pequea como para omitirse en
comparacin con otros elementos enla red. La eliminacin de ravdel circuito equivalente es la mismaque aparece
en las caractersticas del diodo. Se establece que un diodo desilicio con polarizacin directa en un sistema
electrnico bajo condiciones deDC tiene una cada de 0.7 V a travs de el, en el estado de conduccin acualquier
nivel de corriente del diodo (dentro de las condicionesnormales).

Circuito Equivalente Ideal.

Ahora que seelimino ravdel circuito equivalente se tomara en cuenta un paso mas,y se establece que un nivel de
0.7-V puede, a menudo, omitirse, en comparacincon el nivel de voltaje aplicado. En este caso se reducir al de
un diodo ideal.En la industria, una sustitucin popular para la frase circuito equivalente dediodo esmodelode
diodo, un modelo que, por definicin, es larepresentacin de un dispositivo, objeto y sistemaexistente.

Obtencin de Parmetros con el Manual

BV...125 V (MIN)100 uA(BAY73)
BV...200 V (MIN) 100 uA(BA129)
VALORES NOMINALESMAXIMOSABSOLUTOS (Nota 1)
Temperaturas
Rango detemperatura de almacenamiento

-65C a +200C

Temperaturamxima de operacin de la unin

+175C

Temperatura dela conexin

+260C

Disipacin de potencia (Nota2)

Disipacinmxima de potencia total 25C de ambiente

Factor deperdida de disipacin de potencia lineal (desde 25C)

500mW
3.33mw/C

Voltajey corrientes mximas

WIV

voltaje inverso de trabajo

BAY73
BA129

100V
180V

IO

corriente rectificadapromedio

200mA

IF

corriente directacontinua

500mA

if

pico de corrientedirecta repetitivo

600mA

if(onda)

pico de corriente de ondadirecta

ancho depulso = 1s

1.0A

ancho depulso = 1uS

4.0A

CARACRERISTICAS ELECTRICAS(25Ctemperatura ambiente a menos que se observe locontrario).

Los datosacerca de los dispositivos semiconductores especficos suele presentarlos elfabricante de dos maneras.
Es comn que consistan solo en una breve descripcinlimitada, a veces de una pagina. De otra forma, es un
extenso examen de lascaractersticas con sus grficas, trabajo artstico, tablas, etc. Sin embargo,en cualquier
caso, existen piezas especificas de los que deben incluirse parauna correcta utilizacin del dispositivo.
Estosincluyen:
1.

Elvoltaje directo VF(corriente y temperaturaespecificadas).

2.

Lacorriente directa mxima IF(a una temperaturaespecificada).

3.

Lacorriente de saturacin mxima IR(a una corriente y temperaturaespecificadas).

4.

El valordel voltaje inverso[PIV o PRV o V(BR), donde BR proviene del termino ruptura(por la inicial en ingles
de: breakdown) (a una temperaturaespecificada)].

5.

El nivelmximo de disipacin de potencia a una temperatura enparticular.

6.

Losniveles de capacitancia.

7.

El tiempode recuperador inverso trr

8.

El rangode la temperatura de operacin.

Dependiendodel tipo de diodo que se considere, tambin se representan datos adicionales,como el rango de
frecuencia, el nivel de ruido, el tiempo de conmutacin, losniveles de resistencia trmica y los valores pico
repetitivos. Para laaplicacin considerada, el significado de los datos, en general, ser claro pors mismo. Si se

proporciona la mxima potencia o el valor nominal de disipacin,se entiende que este es igual al
productosiguiente:

DondeIDY VDson la corriente y el voltaje del diodo en unpunto de operacin en particular.

HOJA DE ESPECIFICACIONES

SIMBOL
O

BA
129

CARACT
ERISTICAS
BAY

73

VF

IR

Voltaje directo

Corriente inversa

MIN

MAX

MIN

MAX
1.00

UNIDADE
S
V

CONDICIONES
PRUEBA
IF=200mA

0.85

1.00

0.78

0.81

0.94

0.69

0.83

IF=100mA

0.78

0.88

0.60

0.71

IF=50mA

0.69

0.80

0.51

0.60

IF=10mA

0.67

0.75

IF=5.0mA

0.60

0.68

IF=0.1mA

10

V
nA

IF=0.1mA

500
5.0

5.0

nA

VR=100V

VR=20V, TA=125C

1.0

BV
C
Trr

Voltaje de ruptura
125
Capacitancia
Tiempo de recuperacin
inversa

200
8.0
3.0

6.0

uA

VR=100V, TA=125C

nA

VR=180V

uA

VR=180V, TA=100C

V
pF
uA

IR=100
VR=0, f =1.0MHz
If=10mA, VR=35V
RL=1.0 a 100k
CL=10pF, JAN 256

NOTA 1: estos son valores limites sobre los cuales si el funcionamiento del diodo puede ser daado
NOTA 2: estos son limites de estados estables. La fbrica debe consultar sobre aplicaciones que involucran
pulsos u operaciones con ciclo de trabajo bajo.

APLIACIONES TIPICAS
ENTRADAS SENOIDALES: RECTIFICACION DE MEDIA ONDA.
La aplicacin de los diodos, incluir funciones variables en el tiempo, tales como la forma de onda senoidal y la
onda cuadrada.
La red ms simple que se examinar con una seal variable en el tiempo aparece en la fig. 3. Se utilizar como
modelo ideal (obsrvese la ausencia de la identificacin S Ge, para denotar el diodo ideal).

A travs de un ciclo completo, se define por el periodo T de la fig., el valor promedio (la suma algebraica de las
reas arriba y abajo del eje) es cero. El circuito es llamado rectificador de media onda, que generar una forma
de onda V0, tendr un valor promedio en el proceso de conversin de ac y dc. Cuando un diodo se usa en el
proceso de rectificacin, sus valores nominales de potencia y corriente son normalmente muchos ms altos que
los de los diodos que se usan en otras aplicaciones, como en computadoras sistemas de comunicacin.

Durante el intervalo t=0 T/2 de la fig. 3 la polaridad del voltaje aplicado Vi es como para establecer "presin"
en la direccin que se indica, y encender el diodo con la polaridad indicada arriba de este. Al sustituir la
equivalencia de circuito cerrado por el diodo dar por resultado el circuito equivalente de la figura 4, donde la
seal de salida es una rplica exacta de la seal aplicada. Las dos terminales que define el voltaje de salida estn
conectadas directamente a la seal aplicada mediante la equivalencia de corta circuito del diodo.
Para el periodo T/2 T, la polaridad de la entrada vi es como se indica en la fig. 5, y la polaridad resultante a
travs del diodo ideal produce un estado "apagado" con un equivalente de circuito abierto. El resultado es la
ausencia de una trayectoria para el flujo de carga y v0 = iR = (0) R = 0 V para el periodo T/2 T. La entrada vi y
la salida v0 se dibujaron juntas en la fig. 6 con el propsito de establecer una comparacin. Ahora, la seal de
salida v0 tiene un rea neta positiva arriba del eje sobre un periodo completo y un valor promedio determinado
por:
Vdc = 0.318 Vm

media onda

Al proceso de eliminacin de la mitad de la seal de entrada para establecer un nivel dc se le llama rectificacin
de media onda.

Al efecto del uso de un diodo de silicio con VT = 0.7 Volts. Se seala la fig. 7 para la regin de polarizacin directa.
La seal aplicada debe de ser ahora por lo menos 0.7 volts antes de que el diodo pueda "encender". Para los
niveles de vi menores que 0.7 volts el diodo an est en estado de circuito abierto y v0 = 0 volts, como lo indica
en la misma figura. Cuando conduce, la diferencia entre v0 y vi se encuentra en un nivel fijo de VT = 0.7 volts y
v0 = vi - VT, segn se indica en la figura. El efecto neto es una reduccin en el rea arriba del eje, la cual reduce
de manera natural el nivel resultante de voltaje dc. Para las situaciones donde Vm >> VT, la ec. siguiente puede
aplicarse para determinar el valor promedio con un alto nivel de exactitud.
Vdc = 0.318 (Vm - VT)

EJEMPLO
a)

Dibujar la salida v0 y determinar el nivel dc de la salida de la red de la fig. 8

b)

Repetir el inciso anterior si el diodo ideal es reemplazado por un diodo de silicio.

c)

Repetir los incisos anteriores si Vm se incrementa a 200 V.

SOLUCIN
a)

En esta situacin el diodo conducir durante la parte negativa de la entrada segn se muestra en la fig. 9,
y v0 aparecer como se seala en la misma figura. Para el periodo completo, el nivel dc es

Vdc = -0.318 Vm = -0.318 (20 V) = -6.36 V

El signo negativo indica que la polaridad de la salida es opuesta a la polaridad definida de la fig. 8

b)

Utilizando un diodo de silicio, la salida tiene la apariencia de la fig. 10 y

Vdc -0.318 (Vm 0.7V) = -0.318 (19.3V) - 6.14 V

La caida resultante en el nivel dc es de 0.22 V o cerca del 3.5 %.

c) Ecuacin 2.7: Vdc = -0.318 Vm = -0.318 (200 V) = -63.6 V

Ecuacin 2.8: Vdc = -0.318 (Vm VT) = -0.318 (200 0.7) =
= -0.318 (199.3) = -63.38
PIV (PRV)
El valor de voltaje pico inverso (PIV; por las iniciales en ingls de: Peak Inverse Voltage; PRV; por las iniciales
en ingls de: Peak Rverse Voltage) del diodo es muy importante en el diseo de sistemas de rectificacin. El
valor PIV requerido para el rectificador de media onda puede determinarse a partir de la fig. 11, la cual muestra
el diodo de la fig. 3 con polarizacin inversa con un voltaje mximo aplicado. Al aplicar la ley de voltaje de
Kirchhoff, parece muy obvio que el valor PIV del diodo debe ser igual o mayor al valor del pico del voltaje
aplicado. Por tanto,
rectificador de media onda

Valor PIV Vm

Rectificador de Onda Completa.

Puente de diodos
El nivel de dc que se obtiene a partir de una entrada senoidal puede mejorar al 100% si se utiliza un proceso
que se llama rectificador de onda completa. La red ms usual para llevar a cabo tal funcin aparece en la fig.
12 con sus cuatro diodos en una configuracin en forma de puente. Durante el periodo t = 0 a T/2 la polaridad
de la entrada se muestra en la fig. 13. Las polaridades resultantes a travs de los diodos ideales tambin se
sealan en la fig. 13 para mostrar que D2 y D3 estn conduciendo, en tanto que D1 y D4 se hallan en estado
apagado. El resultado neto es la configuracin de la fig. 14, con su corriente y polaridad indicadas a travs
de R. Debido a que los diodos son ideales, el voltaje de carga v0 = vi segn se muestra en la misma figura.

Para la regin negativa de la entrada los diodos conductores son D1 y D4, generando la configuracin de la
fig. 15. El resultado importante es que la polaridad a travs de la resistencia de carga R es la misma que en la
fig. 13, estableciendo un segundo pulso positivo, como se indica en la fig. 2.55. Despus de un ciclo completo
los voltajes de entrada y de salida aparecern segn la fig.16

Debido a que el rea arriba del eje para un ciclo completo es ahora doble, en comparacin con la obtenida para
un sistema de media onda, el nivel de dc tambin ha sido duplicado y
Vdc =2 (0.318 Vm) = 0.636 Vm

onda completa

Si se emplea diodos de silicio en lugar de los ideales como se indican en la fig. 17, una aplicacin de la ley de
voltaje de Kirchhoff alrededor de la trayectoria de conduccin resultara:
Vi VT v0 VT = 0
V0 = vi 2VT
El valor pico para el voltaje de salida v0 es, por tanto,
V0 max = Vm 2VT
Para las situaciones donde Vm >> 2VT, puede aplicarse la ec. siguiente para el valor promedio con un nivel
relativamente alto de precisin.
Vdc 0.636 (Vm 2VT)
Si Vm es lo suficientemente ms grande que 2VT, entonces la ecuacin 2.10 a menudo se aplica como una
primera aproximacin para Vdc.

PIV
El PIV que se requiere para cada diodo (ideal) puede determinarse a partir de la figura 18 que se obtuvo en el
pico de la regin positiva de la seal de entrada. Para la malla indicada el voltaje mximo a travs de R es Vm
y el valor PIV se define por
PIV Vm

rectificador puente de onda completa

Transformador con derivacin central

Un segundo rectificador de onda completa muy popular aparece en la fig. 19 con solo dos diodos, pero requiere
de un transformador con derivacin central (CT, por la iniciales en ingls de: Center Tapped) para establecer de
entrada a travs de cada seccin del secundario del transformador. Durante la porcin positiva de vi aplicada
al primario del transformador, la red aparece como se muestra en la fig. 20. D1 asume el equivalente del corto
circuito y D2 el equivalente del circuito abierto, segn se determin por los voltajes secundarios y las direcciones
de corriente resultantes. El voltaje de salida aparece en la fig. 20.

Durante la porcin negativa de la entrada, la red aparece como lo indica la fig. 21, invirtiendo los papeles de los
diodos, pero manteniendo la misma polaridad para el voltaje a travs de la resistencia de carga R. El efecto neto
es una salida igual a la que aparece en la fig. 16 con los mismos niveles de dc.

PIV
La red de la fi. 22 ayudar a determinar el PIV neto para cada diodo de este rectificador de onda completa. La
insercin del voltaje mximo del voltaje secundario y el Vm de acuerdo con lo establecido para la red adjunta
dar por resultado
PIV = Vsecundario + VR = Vm + Vm
PIV 2Vm

transformador CT, rectificador de onda completa

EJEMPLO 2
Determinar la forma de onda de salida para la red de la fig. 23 y calcular y el nivel dc de salida y el PIV que se
requiere para cada diodo.

Solucin
La red aparecer como en la fig. 24 para la regin positiva del voltaje de entrada. El redibujo de la red generar
la configuracin de la fig. 25, donde vo = vi
v0 mx = vi mx = (10v) = 5 V, como lo indica la fig. 25. Para la parte negativa de la entrada la funcin de
los diodos ser intercambiada y vo aparecer segn la fig. 26.

El efecto de remover dos diodos de la configuracin puente fue, por tanto, reducir el nivel de dc disponible al
siguiente:
Vdc = 0.636 (5 V) = 3.18 V
O al disponible de un rectificador de media onda con la misma entrada. Sin embargo, el PIV segn se determin
en la fig. 18 es igual al voltaje mximo a travs de R, el cual es de 5 V o la mitad de lo que se requiere para un
rectificador de media onda con la misma entrada.

DIODO ZENER

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
Para un determinado valor de la tensin inversa, la relacin terica tensin-corriente en el diodo no se cumple, y
la corriente inversa aumenta rpidamente. Se dice que se ha producido la rotura del diodo. La tensin para la que
se presenta esta rotura es fija y gracias a esto y a su pequea resistencia dinmica interna, un diodo
correctamente proyectado puede ser empleado como regulador de tensin.
El aparato se denomina entonces diodo zener, en honor de la persona que dirigi los primeros estudios sobre
este fenmeno.

Eligiendo adecuadamente el material y su dopado se pueden conseguir elementos en los que la rotura se presente
a tensiones inversas comprendidas entre 3v y cientos de voltios. El fenmeno de rotura es reversible y no
destructivo, siempre que se limiten la potencia disipada y la temperatura de trabajo.
La teora original de zener explicaba que la elevacin repentina de la corriente para una tensin critica se deba
a la rotura de enlaces covalentes de los tomos de la zona de transicin, originada por la elevada intensidad del
campo creado por la suma del potencial de barrera y la tensin inversa.
para los diodos de silicio se necesitaran intensidades de campo de 1.5x106v/cm, y con capas de transicin de
cm, aquellos campos podran conseguirse con tensiones de 15 a 150 v.
Sin embargo, en las uniones normales, la teora de zener es menos verosmil que la interpretacin del fenmeno
mediante la rotura por avalancha. Los electrones y huecos de la corriente de saturacin inversa son acelerados
por la tensin inversa del diodo y alcanzan elevadas velocidades de desplazamiento.
Para un valor critico del campo, los electrones en movimiento adquieren energa suficiente para romper enlaces
de valencia al chocar con los tomos en reposo; despues de cada colision se forma un nuevo par electron-hueco.
Estas cargas resultan tambin aceleradas y crean mas paredes por choque con lo que la corriente crece mas
rpidamente y pronto se convierte en una avalancha. La condicin critica es que la intensidad del campo sea
suficientemente alta para que las cargas adquieran la energa necesaria sobre una distancia inferior al recorrido
libre medio.

SIMBOLO DEL DIODO

ESTRUCTURA INTERNA

MODELO MATEMATICO

de donde:

Los reguladores de tensin zener pueden utilizarse como elementos conectados en serie para conseguir una
cada de tensin fija, y cabe as mismo, emplearlos en circuitos en paralelo.
La corriente de trabajo se suele fijar aproximadamente en el 20% de la corriente mxima permisible (imax.el valor
de (r) se calcula, entonces mediante la expresion:

la intensidad total (diodo + carga) permanece constante y la tensin se mantiene en el valor ed.
La resistencia dinmica interna del diodo es muy baja sobre la regin casi vertical de la curva caracterstica. Las
resistencias dinmicas de los diodos para niveles de regulacin de 5 v pueden valer 1 ohm, e incluso menos
mientras que llegan a alcanzar 100 ohms y valores superiores si se trata de unidades para niveles de regulacin
de algunas centenas de voltios.

Circuito regulador con diodo zener.

Grafica caracterstica del diodo zener.

Tabla con caractersticas elctricas del diodo zener a 25c

Ejemplo
Determinar el voltaje nominal para un diodo zener fairchild 1n961, a una temperatura de 100c
De la ec.

se despeja

de tabla
tc = 0.72 c . coeficiente de temperatura tpico
vz = voltaje zener nominal
t1temperatura inicial
t0temperatura ambiente 25c

EFECTOS DE LA TEMPERATURA

Especialmente para niveles altos de potencia, se toma en cuenta las caractersticas del diodo con respecto a la
temperatura. Esta dependencia da lugar a una variacin de la tensin directa vf, la tensin zener vz, y la corriente
inversa de saturacin io, un aumento importante de la temperatura suele ir acompaado de un aumento en la
disipacin de potencia lo que hace que la temperatura del diodo aumente an ms. A no ser que pueda ser el
calor disipado el calor desarrollado dentro del diodo, conducir al deterioro o destruccin del diodo.
Tensin del diodo. Cuando funciona un diodo en sentido directo un aumento en la temperatura disminuye
la tensin.
Corriente inversa de saturacin. La corriente inversa de saturacin i o, tambin es funcin de la
temperatura. una temperatura prxima al del ambiente, se duplica io aproximadamente con un aumento de la
temperatura de 10 c.
Tensin zener. Se suele expresar como un coeficiente de temperatura (tc) donde tc es aproximado 0.1%
es decir, aumenta 0.001 vz, por cada aumento de 1 c de temperatura.
Se ha hallado que cuando vz es aproximadamente 6v tc es igual a cero y cuando vz es independiente del tiempo.
pero s
vz excede de 6v aproximadamente el tc es positivo, y si vz es menor de 6v el tc es negativo.
formula para calcular tc:

Efecto de la disipacin del calor sobre el funcionamiento del diodo. La disipacin de la potencia elctrica como
calor en el diodo hace que la temperatura de la unin aumente. Este aumento de la temperatura debe estar dentro
de los lmites aceptables. Una simple analoga trmica de la ley de ohm, en que la corriente es sustituida por la
potencia, la tensin por la temperatura y la resistencia elctrica por la resistencia trmica ? .
En la siguiente figura se muestra un diodo montado sobre un radiador de calor. El diodo est aislado
elctricamente del radiador grande de calor. el funcionamiento es el siguiente:
Cuando no hay conexin elctrica en el diodo, la temperatura de la unin t j , ser la misma temperatura ambiente
ta. Cuando se aplica una seal se disipar potencia el diodo, haciendo que aumente la temperatura de la unin.
El calor producido fluye hacia a fuera hasta la cpsula y luego es transportado por conduccin desde la cpsula
del diodo hasta el radiador de calor. Este tiene un rea superficial grande, desde la cual irradia el calor hasta
circunambiente.

El sistema alcanzar un estado de equilibrio trmico, cada uno de los elementos estarn a una temperatura
diferente. Una buena consideracin es que el aumento de la temperatura ser proporcional a la potencia
disipada en la unin.
un aumento en la temperatura de la unin por encima de la temperatura de la cpsula est relacionado con la
potencia disipada por la ecuacin:

Donde tj tc = aumento de la temperatura de la unin por encima de la temperatura de la cpsula, c.

pj = potencia elctrica disipada en la unin, w.
resistencia trmica entre la unin y la cpsula, c/w
La resistencia trmica es la que se considera como la constante de proporcionalidad. La resistencia trmica de la
cpsula est especfica por le fabricante.
consideremos un diodo alojado en una cpsula sin montura alguna, las temperaturas de la cpsula y del ambiente
difiere en una cantidad igual al producto de pj y la resistencia trmica entre la cpsula por encima de la temperatura
ambiente viene dado por:

Diodo y analoga elctricas del sistema trmico:

a) diodo sin montura b) analoga elctrica.
Disminucin de la temperatura tj - ta
Disipacin de potencia pj
Resistencia trmica

cada de tensin.
generador de corriente constante.
resistencia elctrica.

de la figura anterior se deduce la siguiente ecuacin:

las ecuaciones se basan en las condiciones siguientes:

1.

La mxima temperatura en la unin es aproximadamente de 100 c para diodos de

germanio y 150 a 200 c para diodos de silicio.

2.

La temperatura ambiente es una variable no controlada que depende del ambiente en

que deba funcionar el equipo.

3.

la potencia disipada en la unin del sistema elctrico y para corrientes y tensiones

variables con el tiempo viene dada por:

para funcionamiento en c. c. es simplemente

4.

Una vez elegido un diodo particular se debe fijar su resistencia trmica

vemos que la resistencia trmica cpsula ambiente es la nica variable que se dispone para el ajuste a fin de
mantener la temperatura de ka unin en valor de seguridad la resolucin es:

Curvas de degradacin. La potencia nominal de un diodo se especifica a temperatura ambiente a 25c. la

mxima potencia que el diodo puede disipar est determinada cuando la temperatura ambiente aumenta,
con el fin de mantener la temperatura de la uni en un lmite de seguridad, al fin de cuenta la curva la
designa el fabricante.
Se ve que con una temperatura de la cpsula menor que tco , el diodo puede disipar su mxima potencia
permisible. Con las temperaturas de la cpsula que exceden de tco. La mxima disipacin permisible resulta
disminuida hasta tc = tj, max. A esta temperatura mxima el diodo no puede disipar una potencia que exceda
de la mxima temperatura permisible de la unin.

Vemos que la tasa de disminucin de potencia cuando aumenta la temperatura de la cpsula es de

la
figura
anterior
si
observamos
que

.Que en
cuando

refirindonos a la figura anterior y sustituimos:

Representa la pendiente de la porcin de la curva de degradacin,

Caractersticas del diodo zener.

tipo: diodo zener de 18 v, 1n2826

1. tensin nominal de referencia vzt = 18v.
2. tolerancia = 5%.
3. disipacin mxima (a 25 c) = 50 w.
4.

Corriente de prueba izt = 700 ma.

5.

Impedancia dinmica para izk , rzk, = 2 ?.

6.

Corriente de codo izk = 5ma.

7.

impedancia dinmica para izk, rzk, = 80 ?.

8.

temperatura mxima de la unin = 150 c.

9.

coeficiente de temperatura tc = 0.075 %/c.

Ntese que el apartado 1, 2, y 4, que un diodo zener de 18 v puede tener una tensin nominal comprendida
entre los 17.1 a 18.9 v debido a la tolerancia de 5%. La corriente de prueba indica la regin de trabajo nominal.

El aparatado 3, disipacin mxima, de la potencia admisible que el diodo puede disipar en temperatura
ambiente. La impedancia dinmica, apartado 5, es la pendiente de la caracterstica del diodo polarizado en
sentido inverso medida para la corriente de prueba i zt. La temperatura mxima de la unin y de la disipacin
mxima est relacionada por la curva de degradacin o reduccin de la potencia vista de la figura 2.

Es la

resistencia trmica (es aproximadamente 2.4 c/w para este diodo) y generalmente viene dada por el
fabricante. La temperatura tco es la temperatura mxima de la cpsula para la cual puede disipar la plena
potencia nominal.
El coeficiente de temperatura correspondiente al apartado 9 est definido en las figuras anteriores.

figura 1. caracterstica inversa para diodo zener 1n2816

Figura 2. curva de degradacin para el diodo zener 1n2816.

Figura 3. caracterstica de diodo zener ilustrado el coeficiente de temperatura.

CIRCUITO EQUIVALENTE
El circuito equivalente completo del diodo zener en la regin zener incluye una pequea resistencia dinmica
y una batera de cd igual al potencial zener.
cuya representacin es como tener una fuente de corriente directa con su resistencia interna como lo muestra
la siguiente figura:

APLICACIONES DEL DIODO ZENER

La aplicacin ms comn del diodo zener es el de establecer un voltaje de referencia fijo con propsitos de
comparacin y dolarizacin, para diferentes valores tanto de vi como de rl .
Son dos las situaciones que tenemos, una en la que el voltaje de entrada es fijo y r l cambiara y la otra en la
que rl es fija y vi variara.

El circuito anterior esta diseado para mantener un voltaje (vz) fijo, para variaciones de vi desde luego que el
voltaje zener debe ser menor que el voltaje de entrada para asegurar el voltaje zener.
La resistencia rs es necesaria para mantener limitada la corriente del zener. La corriente de la fuente se divide
entre el zener y la resistencia de carga.

Caso 1: vi fijo y rl variable

Hay un intervalo especifico de valores del resistor que aseguran que el zener este en estado de conduccin.
Ya que una resistencia de carga demasiado pequea originara un voltaje en el resistor menor que el voltaje
del zener y por tanto el dispositivo se encontrara en estado de corte.
Para determinar la resistencia de carga mnima basta con eliminar el diodo zener como se muestra a
continuacion.

ahora se puede calcular el valor de rl:

apartir del divisor de voltaje se tiene que:

Cualquier valor de resistencia de carga obtenido de la ec. asegura que el zener estar en estado de
conduccin y el diodo puede sustituirse por su fuente equivalente:

Para encontrar el valor mximo de il:

Una vez que el diodo esta en esta do de conduccin, el voltaje a travs de rs permanece fijo en:

e ir permanece fijo en:

La corriente del zener:
es mnimo.

provoca un iz minimizo cuando il ens mximo y un iz mximo cuando il

Y la resistencia de carga mxima es:

Ejemplo

(a) para la red de la figura siguiente determine el rango de r l e il que dar como resultado a vrl mantenido
a 10 v.
(b)

determine es wattaje nominal mximo del diodo como regulador

por lo tanto rlmin=250 ohms

El voltaje del resistor rs:

Ahora bien la magnitud de irs:

El nivel mnimo de il:

Determinando el valor de rlma:

Para el potencial mximo:

Caso 2: rl fijo y vi variable

El voltaje vi debe ser tan grande como para que el diodo zener conduzca (para valores fijos de r l)

el valor mximo de vi esta limitado por la corriente zener mxima izm

El vi mximo se define como:

Ejemplo:

determine el intervalo de valores de vi que mantendr en el estado de conduccin al diodo zener:

TRANSISTORES BIPOLARES
INTRODUCCIN.
Durante el perodo 1904-1947, el tubo de vaco fue sin duda el dispositivo electrnico de inters y desarrollo. En
1904, el diodo de tubo de vaco fue introducido por J. A. Fleming. Poco despus, en 1906, Lee De Forest agreg
un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de vaco, lo que origin el primer amplificador: el triodo.

En los aos siguientes, la radio y la televisin brindaron un gran impulso de la industria de tubos electrnicos. La
produccin aument cerca de 1 milln de tubos en 1922 hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A
principios de la dcada de los treinta el tetrodo de cuatro elementos y el pentodo de cinco elementos se
distinguieron en la industria de tubos electrnicos.
Durante los aos subsecuentes, la industria se convirti de primera importancia y se lograron avances rpidos
en el diseo, las tcnicas de manufactura, las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturizacin.
Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947 la industria electrnica atestigu advenimiento de una direccin de
inters y desarrollo completamente nueva. Fue en el transcurso de la tarde de ese da que Walter H. Brattain y
John Bardeen demostraron el efecto amplificador del primer transistor en los Bell Telephone Laboratories.
De inmediato las ventajas de este dispositivo de estado slido de tres terminales sobre el tubo electrnico fueron
evidentes: era ms pequeo y ligero; no tena requerimientos de filamentos o prdidas trmicas; ofreca una
construccin de mayor resistencia y resultaba ms eficiente porque el propsito del dispositivo absorba manos
potencia ; instantneamente estaba listo para utilizarse, sin requerir un perodo de calentamiento; adems, eran
posibles voltajes de operacin ms bajos.

CONSTRUCCIN DE TRANSISTORES.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material semiconductor
tipo n y una capa de tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se le llama transistor
npn, en tanto que al segundo transistor pnp. Ambos se muestran en la figura 1(a) con la polarizacin de dc
adecuada. La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la base ligeramente dopada y el colector slo
muy poco dopado. El dopado de la capa central es tambin mucho menor que el dopado de las capas exteriores
(casi siempre 10:1 o menos). Este nivel bajo de dopado disminuye la conductividad (aumenta la resistencia) de
este material al limitar el nmero de portadores libres.

OPERACIN DEL TRANSISTOR.

Se describir la operacin bsica del transistor pnp. La operacin del transistor npn es exactamente la misma que
si se intercambiaran las funciones que cumplen el electrn y el hueco. En la figura 2 se dibuj el transistor pnp
sin la polarizacin base-colector. Donde se encuentra una similitud entre esta polarizacin y la de un diodo con
polarizacin directa.
El espesor de la regin de agotamiento se redujo debido a la polarizacin aplicada, lo que da por resultado un
flujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.

Ahora se eliminar la polarizacin base-colector del transistor pnp. Segn se muestra la figura 3, es pertinente
considerar las similitudes entre esta situacin y la del diodo con polarizacin inversa.
El flujo de portadores mayoritarios es cero, y da por resultado slo un flujo de portadores minoritarios, como
indica la figura 3. Por consiguiente, en resumen :

Una unin p-n de un transistor tiene polarizacin inversa, mientras que la otra tiene polarizacin directa.
En la figura 4 ambos potenciales de polarizacin se aplicaron a un transistor pnp, con el flujo resultante indicado
de portadores mayoritarios y minoritarios. Obsrvese, en la figura 4, los espesores de las regiones de
agotamiento, que indican con claridad cul unin tiene polarizacin directa y cul tiene polarizacin inversa.
Como se indica en la figura 4, habr una gran difusin de portadores mayoritarios a travs de la unin p-n con
polarizacin directa hacia el material tipo n. As, la pregunta sera si acaso estos portadores contribuirn de
forma directa a la corriente de base IB o si pasarn directamente al material tipo p. Debido a que el material tipo
n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores tomar
esta trayectoria de alta resistencias hacia la terminal de la base. La magnitud de la corriente de base casi siempre
se encuentra en el orden de los microamperes, comparado con miliamperes para las corrientes del emisor y del
colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin con polarizacin
inversa, hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector, segn se muestra en la figura 4.
La razn de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unin con
polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores minoritarios en el
material tipo n. En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de la regin de
la base tipo n. A la combinacin de esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios en la regin de
agotamiento atravesarn la unin con polarizacin inversa de un diodo puede atribursele el flujo que se indica
en la figura 4.

Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al transistor de la figura 4, como si fuera un solo nodo, se obtiene:

IE = IC + IB
Y se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base. Sin embargo, la
corriente del colector est formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y minoritarios, segn se
muestra la figura 4. Al componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga y se le asigna el
smbolo ICO (corriente IC con la terminal del emisor abierta). Por lo tanto, la corriente total del colector se determina
mediante la siguiente ecuacin:
IC = IC + ICO
Para los transistores de propsito general, IC se mide en miliamperes, mientras que ICO se mide en microamperes
o nanoamperes, ICO, al igual que IS para un diodo con polarizacin inversa, es sensible a la temperatura y debe
analizarse con cuidado cuando se consideren rangos amplios de temperatura. Si lo anterior no se considera de
manera adecuada, es susceptible de afectar de manera severa la estabilidad de un sistema a una temperatura
alta. Las mejoras en tcnicas de construccin han generado niveles significativamente ms bajos de I CO, a tal
grado que casi es posible omitir sus efectos.

CONFIGURACIN DE BASE COMN.

La figura 5 presenta la configuracin de el transistor en base comn. La terminologa de la base comn se deriva
del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo regular
la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra.
La flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del
dispositivo.
En cada caso IE = IC + IB. Obsrvese tambin que las polaridades aplicadas (fuentes de alimentacin) son tales
que permiten establecer una corriente en la direccin que se indica en cada rama. Es decir, se compara la
direccin de I e con la polaridad de VEE para cada configuracin y la direccin de IC con la polaridad de Vcc.

El conjunto de entrada para el amplificador de base comn relacionar la corriente de entrada (I E) con un voltaje
de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).
El conjunto de salida relacionara la corriente de salida (I C) con voltaje de salida (VCB) para varios niveles de
corriente de entrada (IE), segn se muestra la figura 6. El conjunto de caractersticas de la salida o colector tiene
tres regiones bsicas de inters, como se indica en la figura 6: las regiones activa, de corte y de saturacin. La
regin activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsin). En particular :
En la regin activa la unin base-colector se polariza inversamente, mientras que la unin emisor-base se polariza
directamente.

La regin activa se define mediante los arreglos de polarizacin de la figura 5. en el extremo ms bajo de la regin
activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de
saturacin inversa ICO, como lo seala la figura 6.
La corriente ICO real es tan pequea en magnitud si se compara con la escala vertical de I C que aparece virtualmete
sobre la misma lnea horizontal en donde IC = 0. Las condiciones de circuito que existen cuando I E = 0 para la
configuracin de base comn se muestra en la figura 7.
Ntese asimismo el efecto casi nulo de VCB sobre la corriente del colector para la regin activa. Las curvas indican
con claridad que una primera aproximacin a la relacin entre IE e IC en la regin activa est especificada por :
IC IE

En la regin de corte, tanto la unin base-colector como la unin emisor-base de un transistor tienen polarizacin
inversa.

La regin de saturacin se define como la regin a la izquierda de las caractersticas de VCB = 0V. La escala
horizontal en esta regin se expandi para mostrar con claridad en el cambio radical que sufren las caractersticas
en esta regin. Obsrvese el incremento exponencial en la corriente del colector cuando el voltaje V CB se
incrementa hacia los 0V.
En la regin de saturacin, tanto la unin base-colector como la emisor-base estn en polarizacin directa.
Los niveles crecientes de VCB tienen un efecto tan bajo sobre las caractersticas que, como una primera
aproximacin, se pueden ignorar los cambios ocasionados por VCB.

Polarizacin.
La polarizacin correcta de la configuracin de base comn en la regin activa se puede determinar con rapidez,
si se utiliza la aproximacin IC IE , y suponiendo, por el momento, que IB 0A.
El resultado es la configuracin de la figura 8 para el transistor pnp. La flecha del smbolo define la direccin del
flujo convencional para IE IC. Luego se insertan las fuentes dc con una polaridad tal, que soportan la direccin
de la corriente resultante. Para el transistor npn se invertirn las polaridades.

CONFIGURACIN DE EMISOR COMN.

La configuracin de transistor que se encuentra ms a menudo aparece en la figura 9 para transistores pnp y
npn. Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o hace referencia a las
terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es comn tanto a la terminal de base como a la de
colector). Se necesita dos conjuntos de caractersticas para describir por completo el comportamiento de la
configuracin de emisor comn : uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o
colector-emisor.

Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su direccin convencional para la corriente. Si bien
cambi la configuracin del transistor, an se puede aplicar las relaciones de corriente que se desarrollaron antes
para la configuracin de base comn. Es decir, IE = IC + IB e IC = IE.
Para la configuracin de emisor comn, las caractersticas de salida son una grfica de la corriente de salida (I C)
en funcin de voltaje de salida (VCE) para un rango de valores de corriente de entrada (IB). Las caractersticas de
entrada son una grfica de la corriente de entrada (I B) en funcin del voltaje de entrada (VBE) para un rango de
valores de voltaje de salida (VCE).
Obsrvese que en las caractersticas de la figura 10 la magnitud de I B se indica en microamperes, comparado
con los miliamperes de IC. Considere tambin que las curvas de IB no son tan horizontales como las que se
obtuvieron para IE en la configuracin de base comn, lo cual indica que el voltaje de colector al emisor tendr
influencia sobre la magnitud de la corriente del colector.

La regin activa para configuracin del emisor comn es la parte del cuadrante superior derecho que tiene mayor
linealidad, es decir, la regin en la que las curvas para I B son casi rectas e igualmente espaciadas. En la figura
10 esta regin existe a la derecha de la lnea punteada en V CE y por arriba de la curva para IB igual a cedro. La
regin a la izquierda de VCE se denomina regin de saturacin.
Es la regin activa de un amplificador de base comn la unin de colector-base se encuentra polarizada
directamente.
La regin de corte para la configuracin de emisor comn no est tan bien definida como para la configuracin
de base comn. Obsrvese en las caractersticas del colector de la figura 10 que I C no es igual a cero cuando IB
es cero. Para la configuracin de base comn, cuando la corriente de entrada I E fue igual a cero, la corriente de
colector fue igual slo a la corriente de saturacin inversa I CO, de tal forma que en la curva IE = 0 y el eje de los
voltajes fue uno para todos los propsitos prcticos.
La razn de esta diferencia en las caractersticas del colector puede obtenerse a travs del manejo adecuado de
las ecuaciones siguientes:
IC = IE + ICBO
IC = (IC + IB) + ICBO

Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin), el corte para configuracin de emisor comn se
definir mediante IC = ICEO.
En otras palabras, la regin por debajo de IB = 0A debe evitarse si se requiere una seal de salida sin distorsin.
Cuando se utiliza como interruptor en el circuito lgico de una computadora, un transistor tendr dos puntos de
operacin interesantes: uno en la regin de corte y otro en la regin de saturacin.

La condicin ideal de corte

debe ser IC = 0mA para e4l voltaje elegido VCE. Debido a que ICEO suele ser bajo en magnitud para los materiales

de silicio, el corte existir para fines de conmutacin cuando IB = 0A o IC = ICEO. Dicha condicin se puede obtener
por lo general para diodos de germanio mediante la polarizacin inversa de la unin base-emisor, con unas
cuantas dcimas de volt.

Polarizacin.
La polarizacin adecuada de un amplificador de emisor comn puede determinarse de una manera similar a la
presentada ara la configuracin de base comn. Para aplicar la polaridad correcta para colocar al dispositivo en
la regin activa primero se indica la direccin de IE segn lo establece la flecha en el smbolo del transistor como
se muestra en la figura 11. Despus se presentan las otras corrientes, tomando en cuenta las relaciones de la ley
de corrientes de Kirchhoff : IC + IB = IE.
Por ltimo; se introducen las fuentes con las polaridades que soportarn las direcciones resultantes de I B e IC.

CONFIGURACIN DE COLECTOR COMN.

La configuracin de colector comn ,que se ilustra en la figura 12 con las direcciones adecuadas de corriente y
notacin de voltaje. La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de
impedancias, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente
a las configuraciones de base comn y de emisor comn.

En la figura 13 se muestra una configuracin de circuito de colector con la resistencia de carga conectada del
emisor a la tierra. Obsrvese que el colector se encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est
conectado de manera similar a la configuracin del emisor comn. Desde el punto de vista de diseo, no se
requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los parmetros del circuito. Puede
disearse utilizando las caractersticas de emisor comn. Para todos los propsitos prcticos, las caractersticas
de salida para la configuracin de colector comn son las mismas que para la configuracin de emisor comn.
Para la configuracin de colector comn, las caractersticas de salida son una grfica de IE en funcin de VEC para
un rango de valores de IB.
Por tanto, la corriente de entrada es la misma tanto para las caractersticas del emisor comn como para las de
colector comn. El eje horizontal de voltaje para la configuracin de colector comn se obtiene con slo cambiar
el signo del voltaje del colector al emisor de las caractersticas de emisor comn. Por ltimo, existe un cambio
casi imperceptible en la escala vertical de I C de las caractersticas de emisor comn, si IC se reemplaza por IE
para las caractersticas de colector comn (debido a que 1). Para el circuito de entrada de la configuracin
de colector comn las caractersticas bsicas de emisor comn son suficientes para obtener la informacin que
se requiere.

ALFA ().
En el modo de dc los niveles de Ic e IE debidos a los portadores mayoritarios se encuentran relacionados por una
cantidad llamada alfa y definida por la siguiente ecuacin:

donde Ic e IE son los niveles de corriente en el punto de operacin. Si bien las caractersticas de la figura 6 podran
sugerir que = 1 para los dispositivos prcticos, el nivel alfa suele extenderse de 0.90 a 0.998, donde la mayora
se aproxima al extremo alto del rango. Debido a que alfa slo puede definirse para los portadores mayoritarios,
la ecuacin anterior se convierte en:
IC = IE + ICBO.

Para las caractersticas de la figura 6 cuando IE = 0mA, IC es por consiguiente igual a ICBO; no obstante, como se
mencion antes, el nivel de ICBO es con frecuencia tan pequeo que prcticamente no es posible detectarlo en la
grfica de la figura 6. En otras palabras, cuando IE = 0mA, en la figura 6, IC tambin parece ser de 0mA para el
rango de valores de VCB.
Para las situaciones de ac donde el punto de operacin se desplaza sobre la curva caracterstica, un alfa en ac
se define mediante :
ac = IC /IE
En trminos formales, alfa de ac se denomina como de base comn, corto circuito o factor de amplificacin por
razones que resultarn ms obvias cuando se analicen los circuitos equivalentes para transistores.

Beta ( ).
En el modo de dc, los niveles de IC e IB ser relacionan mediante una cantidad a la que llamaremos beta y se
definen mediante la ecuacin siguiente:
dc = IC/ IB
donde IC e IB son determinadas en un punto de operacin en particular de las caractersticas.
Para los dispositivos prcticos, el nivel de suele tener un rango entre cerca de 50 y ms de 400, con la mayora
dentro del rango madio. Como para , revela ciertamente la magnitud relativa de una corriente respecto a la
otra. Para un dispositivo con una de 200, la corriente del colector equivale a 200 veces la magnitud de la
corriente de base.
En las hojas de especificaciones, dc se incluye, por lo regular, como hFE , donde la h se obtiene de un circuito
equivalente hbrido. Los subndices FE se derivan de una amplificacin de corriente directa (por las siglas en
ingls de forward) y la configuracin de emisor comn, respectivamente.
Para las situaciones de ac, una beta ac, se define en los trminos siguientes:
ac = IC/ IB
El nombre formal para ac es factor de amplificacin de corriente directa de emisor comn.
Debido a que, por lo general, la corriente de colector es la corriente de salida para una configuracin de emisor
comn, y la corriente de base es la corriente de entrada, el trmino amplificacin se incluye en la nomenclatura
anterior.

La ltima ecuacin es similar en cuanto a formato a la ecuacin para ac. .

El procedimiento para obtener ac a partir de las curvas caractersticas no se explico debido a la dificultad para
medir realmente los cambios de IC e IE sobre las caractersticas. Sin embargo, la ecuacin anterior puede
describirse con cierta claridad, y de hecho el resultado se puede utilizar para encontrar ac empleando una
ecuacin que se obtendr mas adelante.
Por lo regular, en las hojas de especificaciones ac se indica como hfe.. Observndose que la nica diferencia
entre las notacin que se utiliza para la beta dc, especficamente dc = hFE, h continua haciendo referencia al
circuito equivalente hbrido y la fe a la ganancia de corriente directa (por las siglas en ingls de forward) en la
configuracin de emisor comn.

APLICACIONES DEL CMOS EN LAS COMPUTADORAS.

IBM desarroll la idea de reemplazar los conmutadores DIP por RAM que pudiera conservar la configuracin
apropiada. La compaa seleccion un tipo de RAM esttica llamada CMOS. CMOS significa Complimentary
Metal Oxide Semiconductor; Semiconductor complementario de xido metlico), que es el tipo de material usado
en la construccin del chip.
Gracias al bajo consumo de corriente de la RAM CMOS, la RAM puede funcionar con una batera de larga
duracin incorporada, por lo que la RAM conserva su memoria incluso con el equipo apagado. (La misma batera
ejecuta el reloj en tiempo real incorporado cuando el equipo est apagado; habitualmente este reloj est
incrustado en el chip del CMOS.)
El CMOS da al equipo el mismo tipo de informacin que los conmutadores DIP daban al XT, informacin que
aparece en forma de unos y ceros en cada bit del CMOS. La principal diferencia es la cantidad de informacin
que se almacena en el CMOS.
La informacin del CMOS existente en las mquinas de hoy en da puede dividirse en cinco categoras principales:

Informacin bsica de configuracin, que generalmente incluye una utilidad de configuracin automtica
que detecta los parmetros correctos de la unidad de disco duro.

Configuracin para ajustar el rendimiento del sistema.

Seleccin de caractersticas de ahorro de energa.

Configuracin de la contrasea para el hardware.

Configuracin de los perifricos integrados.

Al iniciar el equipo, el BIOS (sistema bsico de entrada y salida) del sistema lee la informacin
almacenada en el CMOS de manera que el BIOS pueda usar esos valores al configurar el equipo.

Definir la configuracin estndar del CMOS.

La configuracin estndar es probablemente la pgina ms fcil de configurar, ya que consiste simplemente en

decir al equipo la fecha y la hora, as como el tipo y el nmero de unidades presentes. Las entradas para la unidad
o unidades de disco duro pueden obtenerse automticamente con la utilidad de deteccin automtica de disco
duro IDE, que se encuentra en otra seleccin de men. Si est trabajando con una mquina ya configurada,
asegrese de registrar los parmetros actuales del disco duro. Podran no coincidir con los parmetros propuestos
por la utilidad de deteccin automtica. En tal caso, slo funcionarn los valores que utiliz al formatear la unidad.
Tambin se muestra la cantidad de memoria RAM instalada. Sin embargo, en la mayora de los equipos modernos
es el BIOS el que se encarga de esta entrada automticamente.
La Tecnologa de CMOS bsica En CMOS (el Metal Complementario - el Semiconductor del xido) la tecnologa,
ambos N - el tipo y P - se usan los transistores del tipo para comprender las funciones de la lgica. Hoy, la
tecnologa de CMOS es la tecnologa del semiconductor dominante para los microprocesadores, recuerdos y
aplicacin los circuitos integrados especficos (ASICs). La ventaja principal de CMOS encima de NMOS y la
tecnologa bipolar es la dispersin de poder muy ms pequea. NMOS diferentes o los circuitos bipolares, un
circuito de CMOS no tiene la dispersin de poder esttica. Power slo es disipado en caso de que el circuito
realmente los interruptores.
Esto permite integrar muchos ms verjas de CMOS en un IC que en NMOS o la tecnologa bipolar, produciendo
mucho mejor actuacin. Los applets siguientes demuestran el N - el tipo y P - los transistores del tipo usaron en
la tecnologa de CMOS, el inverter de CMOS bsico, NAND y NI verjas, y un AOI32 la verja compleja. Finalmente,
demuestra la transmisin de CMOS - la verja y un transmisson - la verja D - el pestillo. El primer applet ilustra la
funcin de ambos N - el tipo y P - el tipo los transistores de MOS. Pulse el botn en la fuente y la verja avisa de
los transistores a la barra traviesa el voltaje correspondiente nivela y mira el valor del rendimiento resultante en
los contactos del desage.
El applet usa los colores para desplegar los voltajes diferentes. Un lgico ' 1 ' correspondiendo a VCC nivelado
elctrico (los valores tpicos para el technolgies actual son +5V o +3.3V) se muestra en rojo, un lgico ' 0 '
(correspondiendo a 0V o GND) en el azul. Un alambre flotante (no conect a VCC o GND) se muestra en la
naranja. La nota que el N - el transistor del tipo est dirigiendo cuando su entrada es ' 1 ', mientras el P - el
transistor del tipo est dirigiendo cuando su entrada es ' 0 '. El applet despliega el cauce de un transistor dirigiendo
como un rectngulo llenado del color de su voltaje de la fuente. El cauce de un transistor del nonconducting se
muestra como el contorno del rectngulo en el negro.
El CMOS Inverter La verja de CMOS ms importante es el inverter de CMOS. Consiste en slo dos transistores,
un par de un N - el tipo y un P - el transistor del tipo. El applet demuestra cmo los trabajos del inverter. Se
muestran los niveles de voltaje anteriormente en los colores como: un lgico ' 1 ' correspondiendo a VCC nivelado
elctrico se muestra en rojo, un lgico ' 0 ' (correspondiendo a 0V o GND) en el azul.