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Respuesta en Frecuencia de
Amplificadores con Transistores
Componentes y Circuitos Electrnicos
Pablo Acedo
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Respuesta en Frecuencia de
Amplificadores con Transistores
CONTENIDOS
UC3M 2009
CCE - Sesin 19
Fundamentos
Circuito RC Paso Bajo
20log|Vo(j)/Vg(j) | (dB)
0dB
-20dB
V
1
T (s) = o =
Vg 1 + ( s / 0 )
T ( j ) =
1
1 + ( / 0 )2
1
( ) = tan ( / 0 )
UC3M 2009
()
0
o/10
10o
o/10
10o
=2f
=2f
-45
-90
CCE - Sesin 19
Fundamentos
Circuito RC Paso Alto
20log|Vo(j)/Vg(j) | (dB)
0dB
-20dB
Vo
s
T ( s) =
=
Vg s + 0
o/10
90
1 + (0 / ) 2
45
( ) = tan 1 (0 / )
UC3M 2009
10o
o/10 o
10o
=2f
()
T ( j ) =
CCE - Sesin 19
=2f
4
Fundamentos
Diagrama de Bode (Amplitud y Fase)
20log|Vo(j)/Vg(j) | (dB)
20log(Ao) dB
20dB
1/10
90
45
0
-45
-90
UC3M 2009
()
1 101
2/10 2 102
10s
T ( s) =
1 + s / 102 * 1 + s / 105
)(
=2f
2/10 2 102
1/10 1 101
CCE - Sesin 19
=2f
20log|Av (j)|
(dB)
Frecuencias medias
Baja
frecuencia
Ci, Co, Ce
20log(Ao) dB
fci
UC3M 2009
Alta
frecuencia
C, C
Ancho de banda
CCE - Sesin 19
fcs
f (Hz)
6
Frecuencia de
Transicin
UC3M 2009
gm
fT =
2 (C + C )
CCE - Sesin 19
Frecuencia de
Transicin
UC3M 2009
gm
fT =
2 (C gs + C gd )
CCE - Sesin 19
UC3M 2009
CCE - Sesin 19
1
f cs (3dB) =
2
1
0
Ri Ci
i
Donde:
UC3M 2009
CCE - Sesin 19
10
UC3M 2009
CCE - Sesin 19
11
R0 = RB // r // Rg
1
1
fcs =
2 C (r // RB // Rg ) + C (RB // r // Rg (1+ gmRC // RL ) + (RC // RL ))
UC3M 2009
CCE - Sesin 19
12
Cmu (1-K)
K = gm RC // RL
UC3M 2009
CCE - Sesin 19
13
1
1
fcs =
2 C (r // RB // Rg ) + C (RB // r // Rg (1+ gmRC // RL ) + RC // RL )
UC3M 2009
CCE - Sesin 19
14
UC3M 2009
CCE - Sesin 19
15
1
f ci (3dB) =
2
1
R C
i
i
i
Donde:
Ci son cada uno de los condensadores DE ACOPLO
presentes en el circuito.
Ri es la impedancia que ve cada uno de los
condensadores con el resto EN CORTOCIRCUITO
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CCE - Sesin 19
16
UC3M 2009
CCE - Sesin 19
17
RCi
UC3M 2009
= Rg + RB // r
CCE - Sesin 19
18
RE
UC3M 2009
= RE //
r + ( Rg // RB )
1 + 0
CCE - Sesin 19
19
Co
R = RC + RL
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CCE - Sesin 19
20
1
1
1
1
fci =
+
+
r + (Rg // RB ) Co (RC + RL )
2 Ci (Rg + RB // r )
CE RE //
1+ 0
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Ejercicio Propuesto
+Vdd = 15 V
RS = 560
RG = 1 M
Rg = 50
RD = 5,6 K
RL=10 K
Ci = 10 F
C0=10 F
Transistor:
IDSS= 10 mA
VP = -2 V
Cgd=0.36 pF
Cgs=1 pF
ID = IDSS (1-VGS/VP)2
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