Modelo de bandas de energa en un semiconductor

Resumen Un semiconductor es un material que tiene una

brecha de energa de aproximadamente 1 eV y una banda de
valencia que est llena en T = 0 K. Debido a la brecha de
energa pequea, un nmero significativo de electrones puede
excitarse trmicamente a causa de la banda de valencia
dentro de la banda de conduccin. El estudio de las
estructuras de banda de energa nos permite clasificar e
identificar los diversos materiales semiconductores siendo
una herramienta esencial en el anlisis de las propiedades de
estos es as que gracias a este anlisis la estructura de bandas
y las propiedades elctricas de un semiconductor intrnseco se
pueden modificar mediante la adicin de tomos donadores o
con tomos aceptores. Un semiconductor con impurezas con
tomos donadores de impureza se llama semiconductor tipo n,
y uno dopado con tomos aceptores de impureza se llama
semiconductor de tipo p.
ndice de TrminosSemiconductor, banda de energa,
banda de valencia, banda de conduccin.
I.

INTRODUCCIN

El modelo de bandas de energa de un cristal es muy til

para determinar las propiedades elctricas de un slido
cualquiera, ya que muestra cmo pueden moverse los
electrones de un cristal. Las diferencias entre metales,
semiconductores y aisladores quedan reflejadas en sus
modelos de bandas de energa.
El modelo de banda de energa de un semiconductor es
anlogo al de un aislado con la diferencia que la zona
energtica prohibida es relativamente estrecha.
Los semiconductores ocupan un lugar prominente en el
conjunto de los materiales. Esto debido bsicamente al alto
grado de desarrollo que se ha alcanzado en el conocimiento de
sus propiedades elementales, as como tambin en el de sus
principales aplicaciones. Es posible afirmar que en la
actualidad los materiales semiconductores son piezas
esenciales y bsicas en toda la tecnologa que abarca el amplio
campo de la electrnica, que en las ltimas dcadas ha
mostrado un desarrollo espectacular, abarcando las reas de
los procesadores, las comunicaciones, la robtica, etc. En el
presente informe se pretende dar una descripcin general del
comportamiento de los materiales semiconductores, y ms en
particular de su estructura de bandas de energa, puesto que en
esencia todas las propiedades que presentan los
semiconductores, ya sean electrnicas, como por ejemplo la de
conduccin, y las propiedades pticas son dependientes de la
estructura que presentan las bandas de energa. Estas
estructuras de bandas de los semiconductores pueden ser
modificadas, y en las ltimas dcadas esto ha sido una de las
fuerzas directrices en la fsica de semiconductores.
II. DESARROLLO y RESULTADOS

A. Marco terico.
Cuando una gran cantidad de tomos se unen, como en las
estructuras slidas, el nmero de orbitales de valencia (los
niveles de energa ms altos) es tan grande y la diferencia
de energa entre cada uno de ellos tan pequea que se puede
considerar como si los niveles de energa conjunta formaran
bandas continuas ms que niveles de energa como ocurre en
los tomos aislados. Sin embargo, debido a que algunos
intervalos de energa no contienen orbitales, independiente del
nmero de tomos agregados, se crean ciertas brechas
energticas entre las diferentes bandas.
La teora de bandas es un tipo de teora de orbitales
moleculares empleadas para explicar el enlace metlico. La
teora de bandas da explicacin a la conductividad elctrica y
trmica, la facilidad de deformacin y el lustre de los metales.
La idea central de esta teora es la de que los electrones de
valencia de cada tomo se distribuyen a travs de toda la
estructura.
Una de las propiedades ms interesantes de los slidos es la
enorme diferencia que hay de resistividad elctrica y de
conductividad elctrica entre los conductores y los aisladores.
La resistencia de un conductor, como el cobre, es del orden de
108 ohm. Esta diferencia se explica en palabras sencillas
debida a que en un conductor hay electrones que pueden
deambular libremente por todo el slido, mientras que en un
aislador todos los electrones estn ligados a sus tomos
individuales.
El metal consta de un gas de electrones libres. Debido a que
los buenos aislantes poseen resistividad enorme en
comparacin con los metales, sus configuraciones electrnicas
deben ser bastante distintas. De hecho, la mayor parte de los
electrones de la capa externa no son libres, sino que estn
implicados en enlaces inicos o covalentes. Adems, para
comprender mejor an las propiedades electrnicas de los
slidos, es necesario considerar el efecto de los iones de la red.
En el caso general, existen dos mtodos para la determinacin
de las energas electrnicas en un slido. Uno consiste en
seguir el comportamiento de los niveles energticos de tomos
aislados a medida que estos se aproximan cada vez ms para
formar un slido, y el otro consiste en demostrar que cuando
la ecuacin de Schrdinger se resuelve para electrones sujetos
a un potencial peridico que representa a los iones de la red
surgen bandas de energa.
1) Modelo general de bandas
Si el slido contiene N tomos, cada banda de energa tiene N
niveles energticos. Tomando como ejemplo el sodio en el
cual las bandas 1s, 2s, 2p estn llenas, todas, de electrones,
como indican las reas sombreadas de azul en la figura 1 un
nivel cuyo momento angular orbital es l puede contener
2(2 l+1) electrones. El factor de 2 se debe a las dos
orientaciones posibles del espn del electrn, mientras el factor
2l +1 corresponde al nmero de orientaciones posibles
del momento angular orbital. La capacidad de cada banda para
un sistema de N tomos es 2(2 l+1) N electrones. Por

tanto, las bandas 1s y 2s contienen, cada una, 2N electrones

( l=0 ), mientras que la banda 2p contiene 6N
electrones ( l=1 ). Debido a que el sodio solo tiene un
electrn 3s y en el slido hay un total de N tomos, la banda
3s solo contiene N electrones y esta semillena. La banda 3p,
que est por arriba de la banda 3s, est completamente
vaca.

2
la anchura de la banda resultante (o separacin entre el
orbital molecular ms enlazante y el ms antienlazante).
La anchura de una banda es, por lo general, una medida
del grado de localizacin del enlace. Una banda estrecha
representa un alto grado de localizacin de un enlace y a
medida que se va haciendo ms ancha los enlaces se hacen
ms deslocalizados.
La banda ocupada por los orbitales moleculares con los
electrones de valencia, es decir, aquellos electrones que se
encuentran en la ltima capa o nivel energtico de los
tomos se llama banda de valencia
Mientras que la banda formada por los orbitales
moleculares vacos (ocupada por los electrones libres), es
decir, aquellos que se han desligado de sus tomos y pueden
moverse fcilmente se llaman banda de conduccin. Estos
electrones son los responsables de conducir la corriente y
generalmente esta banda se solapa.
Este modelo explica bastante bien el comportamiento
elctrico no solo de las sustancias conductoras sino tambin
de las semiconductoras y las aislantes.

Figura 1: Bandas de energa de un cristal de sodio. Las brechas

En los metales, sustancias conductoras, la banda de
de energas (regiones blancas) entre las bandas permitidas; los
valencia
se solapa
energticamente
electrones no pueden ocupar
estados que
se encuentren encon
estasla banda de
conduccin
vaca, ocupadas
como por
se mencion
brechas. El azul
representa que
bandasest
de energas
de orbitales
moleculares vacos
electrones deanteriormente;
sodio cuandodisponiendo
el tomo est
en su estado
pueden
ocupar con
undemnimo
aporte de energa, es
fundamental. que
El color
oro representa
banda
energa vacas.

Ms detalladamente, la teora de bandas est basada en la

mecnica cuntica y procede de la teora de los orbitales
moleculares (TOM). En esta teora, se considera el enlace
metlico como un caso extremo del enlace covalente, en el
que los electrones de valencia son compartidos de forma
conjunta y simultnea por todos los cationes. Desaparecen
los orbitales atmicos y se forman orbitales moleculares con
energas muy parecidas, tan prximas entre ellas que todos
en conjunto ocupan franjas que se denomina banda de
energa.

decir, que los electrones estn casi libres pudiendo conducir

la corriente elctrica.
En los semiconductores y en los aislantes, la banda de
valencia no se solapa con la de conduccin. Hay una zona
intermedia llamada banda prohibida.
En los semiconductores, como el Silicio o el Germanio,
la anchura de la banda prohibida no es muy grande y los
electrones con suficiente energa cintica pueden pasar a la
banda de conduccin, por esa razn, los semiconductores
conducen la electricidad mejor en caliente. Sin embargo, en
los aislantes, la banda prohibida es tan ancha que ningn
electrn puede saltarla. La banda de conduccin est
siempre vaca.
En los aislantes, por su parte, las dos bandas estn tan
alejadas que la banda de conduccin es inaccesible, motivo
por el cual son incapaces de conducir la corriente,
semejante analogas se pueden observar en la figura
siguiente;

Figura 2: orbitales moleculares que dan lugar a una banda

La anchura total de la banda depende de la fuerza de la

interaccin entre los orbitales atmicos de los tomos
vecinos, de forma que, cuanto mayor sea la interaccin,
mayor ser el solapamiento entre los orbitales y mayor ser

Figura 3: caractersticas de algunos tipos de materiales

2) Bandas de energa en semiconductores

Un semiconductor posee una resistividad elctrica
intermedia entre los buenos conductores y las de los buenos
aislantes. La enorme importancia de los semiconductores en
la electrnica actual se debe, en parte, al hecho de que sus
propiedades elctricas son muy sensibles a concentraciones
muy pequeas de impurezas.
El silicio y el germanio tienen cuatro electrones en sus
subcapas atmicas externas y ambos cristalizan en la
estructura del diamante, con enlaces covalentes. Como los
cuatro electrones externos intervienen en los enlaces, en el
cero absoluto la estructura de bandas tiene una banda de
conduccin totalmente vaca. A temperaturas muy bajas los
electrones no pueden saltar desde la banda de valencia llena
hasta la banda de conduccin, por lo que el silicio y el
germanio son aislantes a dichas temperaturas. Tal
distribucin hace que estos materiales sean aislantes a
temperaturas muy bajas; sus electrones no tienen estados
cercanos disponibles a los que puedan pasar como respuesta
a un campo elctrico aplicado.
Sin embargo, el intervalo vaco de energa E g entre
las bandas de valencia y de conduccin es pequea, en
comparacin con el intervalo vaco de 5 [eV] o ms, para
muchos aislantes; los valores a temperatura ambiente son
1,12 [eV] para el silicio y slo 0.67 [eV] para el germanio.
As, aun a temperatura ambiente una cantidad apreciable de
electrones puede ganar la energa suficiente como para
saltar el intervalo y llegar a la banda de conduccin, en
donde se disocian de los tomos a os que pertenecan y
quedan en libertad de movimiento por todo el cristal. La
cantidad de esos electrones aumenta con rapidez al
incrementarse la temperatura.
Cuando un electrn sale de un enlace covalente, deja tras
s una vacante. Un electrn de un tomo vecino puede para
a esa vacante y el tomo se queda con la vacante. De esta
forma, la vacante, llamada hueco, puede viajar por el
material y servir como un portador adicional de corriente.
Es como describir el movimiento de una burbuja en un
lquido. En un semiconductor puro, o intrnseco, los huecos
en banda de valencia, y los electrones en banda de
conduccin, siempre existen en cantidades iguales. Cuando

3
se aplica un campo elctrico, se mueven en direcciones
contrarias (figura 4). As, un hueco en la banda de valencia
se comporta como una partcula con carga positiva, aun
cuando las cargas en movimiento en esa banda sean
electrones. La conductividad que se acaba de describir, en
un semiconductor puro, se llama conductividad intrnseca.
Otra clase de conductividad se debe a las impurezas.
Mediante la siguiente analoga es posible representar la
conduccin en un semiconductor intrnseco. La banda de
valencia en el cero absoluto es como un piso de un
estacionamiento, lleno de vehculos con sus parachoques
uno tras otro (representan a los electrones). No se pueden
mover, porque no hay espacio donde puedan ir. Pero si uno
se mueve al piso vaco de arriba, puede moverse con liberta,
al igual que los electrones pueden pasar libremente a la
banda de conduccin. Tambin, el espacio vaco que deja
permite que los dems automviles se muevan en el piso
casi lleno, y de ese modo el espacio vaco se mueve, del
mismo modo que los huecos se mueven en la banda de
valencia normalmente llena.

Figura 4: Movimiento de los electrones en la banda de

conduccin, y de huecos en la banda de valencia de un
semiconductor, bajo la accin de un campo elctrico aplicado.

Cuando se agregan impurezas a un semiconductor, la

estructura de banda del semiconductor y su resistividad se
modifican. El proceso de agregar impurezas, llamado
adicin de impurezas, es importante para controlar la
conductividad de los semiconductores, por ejemplo, cuando
un tomo que contiene cinco electrones en la capa exterior,
como el arsnico, se agrega a un semiconductor del grupo
IV, cuatro de los electrones forman enlaces covalentes con
los tomos del semiconductor y uno queda sobrante figura
5.

Figura 6: a) representacin en dos dimensiones de un semiconductor

formado por tomos del grupo IV (gris) y un tomo de impureza
Figura
5: a)cinco
representacin
en capa
dos exterior.
dimensiones
de un
(amarillo)
que tiene
electrones en su
Cada lnea
semiconductor
poruntomos
del grupoenIVel(gris)
y un
doble entre
los tomosformado
representa
enlace covalente
que dos
tomo
de compartidos
impureza (amarillo)
que detiene
tresdeelectrones
en su
electrones
estn
b) diagrama
banda
energa para
capa exterior.
el tomo
impureza
y el tomo
un semiconductor
enLa
el line
que entre
el electrn
casidelibre
del tomo
de
semiconductor
bajo ella
el hecho
que hay
impureza
se encuentraque
en est
la brecha
de representa
energa, apenas
pordedebajo
solo deunlaelectrn
compartido
en este
diagrama
del fondo
banda de
conduccin.
Una enlace.
pequeab)cantidad
de de
de excitar
energa para
un semiconductor
el nivel
energabanda
puede
el electrn
a entrar en
en ellaque
banda
de de
energa asociado con el tomo trivalente de impureza se
conduccin.
encuentra en la brecha de energa, apenas por encima de la parte
superior de lavanda de valencia. Este diagrama muestra un
electrn excitado entrando en el nivel de energa del tomo
que dejalaunbanda
hueco en
banda detiene
valencia.
Un aceptador,
electrn desde
de lavalencia
suficiente

Este electrn est casi libre de su tomo padre y puede

modelarse con un nivel de energa que se encuentre en la
brecha de energa, apenas por debajo de la banda de
conduccin. Este tomo pentavalente dona, en efecto, un
electrn a la estructura y, por esto, se conoce como tomo
donador. Porque la separacin entre el nivel de energa del
electrn del tomo donador y el fondo de la banda de
conduccin es muy pequea por lo general de unos 0.05
[eV], es necesaria slo una pequea cantidad de excitacin
trmica para hacer que este electrn se mueva y entre la
banda de conduccin.
Los semiconductores a los cuales se le agregan impurezas
con tomos donadores se llaman semiconductores tipo n,
porque la mayora de los portadores de carga son electrones
que tiene carga negativa.
Si un semiconductor del grupo IV se hace impuro por
tomos que contengan tres electrones en su capa externa,
por ejemplo, el indio o el aluminio, los tres electrones
forman enlaces covalentes con tomos semiconductores
vecinos, lo que deja una deficiencia de electrn -un huecodonde estara el cuarto enlace si hubiera un electrn
disponible de un tomo de impureza para formarlo.

energa a temperatura ambiente para llenar este nivel de

impureza, dejando tras de s un hueco en la banda de
valencia. Este hueco puede llevar corriente en presencia de
un campo elctrico. Porque un tomo trivalente acepta un
electrn de la banda de valencia, tales impurezas trivalentes
(aceptadores) se conoce como semiconductor de tipo p
porque la mayora de los portadores de carga son huecos
cargados positivamente.
Cuando la conduccin en un semiconductor es resultado de
impurezas aceptadoras o donadores, el material se llama
semiconductor extrnseco. El intervalo representativo tpico
de densidades impuras para semiconductores extrnsecos es
de 10^13 10^19 [cm^-3], mientras que la densidad de
electrones en un semiconductor es aproximadamente de
10^21[cm^-3].
Cuando discutimos las propiedades de la banda de
conduccin de los semiconductores hablamos acerca de los
electrones, pero cuando discutimos las propiedades de la
banda de valencia, hablamos acerca de los huecos. Esto es
porque en la banda de valencia solo los electrones perdidos
o huecos conducen para el transporte de carga y el flujo de
corriente.
En los semiconductores, son de particular inters las
propiedades del borde de la banda puesto que ellas dominan
el transporte y las propiedades pticas.
Algunos de los semiconductores ms importantes
SILICIO

El silicio es el material de eleccin por excelencia para los

productos electrnicos. Mientras las propiedades de

estructura de bandas intrnsecas del Si no son

extraordinarias. Es relativamente fcil de fabricar en forma
pura, tiene excelentes propiedades de procesamiento, y
posee un oxido nativo de alta calidad que puede unirse a l.
La estructura de bandas del silicio se ilustra en la figura
7. La banda de separacin es de 1.1 eV con la parte baja de

2
la banda de conduccin en k = 0.85
a

, donde a es

la constante de la red. La estructura de bandas cerca de la

banda de conduccin mnima es:
2 2

E ( k )=
Donde

h kl h kt
+
2 ml 2 mt

(1)

ml=0.98 m0 y mt=0.19 m0 .

Al ser un material indirecto, el Si tiene propiedades pticas

muy pobres y no puede ser usado para fabricar lseres. La
razn para ello es la necesidad de transiciones de k
vertical en procesos pticos debido a conservaciones del
momento. Las propiedades de los huecos del Si tambin son
bastante pobres, puesto que las masas de los huecos son
bastante pobres.

punto :k =(0,0,0)

punto X :k =

5
campos elctricos muy altos ( E 20 kV /cm ). A tales
campos de alta magnitud, la respuesta de los electrones a los
campos en casi todos los semiconductores es
aproximadamente la misma.
ARSENIURO DE GALIO

Despus del Si, el GaAs ha llegado a ser uno de los ms

importantes semiconductores. A diferencia del silicio, este
semiconductor ha tenido xito con base en su estructura
superior de bandas electrnicas. Sin embargo, tiene diversas
desventajas relacionadas con sus propiedades de material.
El GaAs no tiene un oxido que podra formar una interfaz
aislante - semiconductor de alta calidad. Es mucho ms
difcil de procesar, lo cual es un problema inherente de los
semiconductores compuestos. La base consiste en dos
tomos que hacen ms fcil introducir defectos (un tomo
de Ga en una subred de As, defecto conocido como de
antisitio). A pesar de estas desventajas, el GaAs
constantemente se hace presente en la tecnologa.
La estructura de bandas del GaAs se ilustra en la figura
siguiente. La banda de separacin es directa, lo cual es la
principal atraccin del GaAs. La banda de separacin
directa asegura excelentes propiedades pticas del GaAs,
as como un transporte electrnico superior en la banda de
conduccin. La estructura de bandas puede representarse
mediante la relacin:

E=
Con

m=0.067 m0

h2 k 2
2m

(2)

2
(1,0,0)
a

punto L: k= (1,1,1)
a

Banda de
conduccin

Valle inferior : valle

Valle superior :valle L

Figura 7: estructura de bandas del silicio

Aunque la estructura de bandas del Si est lejos de ser la

ideal, con una banda de separacin indirecta, masas altas de
huecos y pequea separacin de orbita de spin, las ventajas
relacionadas con el procesamiento hacen del Si el principal
semiconductor para la electrnica de consumo.
Como se puede ver en este anlisis, las propiedades
electrnicas del Si estn lejos de ser ideales. Varias
consideraciones importantes salvan la situacin para el Si.
Las principales son las propiedades del material, es decir, la
facilidad de procesamiento, as como tambin, que la
mayora de los dispositivos electrnicos funcionan a

Figura 8: estructura de bandas del GaAs

A campos elctricos altos, los electrones pueblan tanto

los valles L y X adems del valle , haciendo muy
importantes estas regiones de estructura de bandas. Suele
notarse que hay algunas incertidumbres en las masas de los

huecos en la mayora de los materiales puesto que es muy

difcil la medicin en forma precisa de las masas de los
huecos.
El GaAs tiene excelentes propiedades electrnicas. Sus
propiedades son muy superiores cuando se compara con el
Si, y de hecho an ms importante es la banda de
separacin directa que permite construir lseres de estado
slido a partir de l. Su banda de separacin ms grande
tambin asegura un mejor desempeo a temperaturas altas y
mejor dureza de radiacin. Las razones de por qu un
semiconductor de banda de separacin grande tiene mejor
comportamiento a altas temperaturas se aclaran y toman
gran importancia cuando se analizan los portadores
intrnsecos.
La banda de separacin del GaAs, por ejemplo, es de 1.51
eV a 0K y 1.43 eV a temperatura ambiente. Estos cambios
tienen consecuencias muy importantes tanto para
dispositivos electrnicos como optoelectrnicas. La
variacin de temperatura altera la frecuencia del lser en los
lseres de estado slido, y altera la respuesta de
moduladores y detectores.
II. CONCLUSIONES
La formacin de bandas energticas en un slido est
determinada segn el nmero de tomos que componen un
slido, para estos, la cantidad de tomos es de gran nmero
los cuales estn muy cerca unos de otros. Cuando estos
tomos se aproximan an ms, los niveles de energa de
cada uno se ven influenciados por los otros tomos que lo
rodean, de manera que el nivel de energa de uno particular
se dividir en varios niveles que finalmente hacen posible la
formacin de una banda energtica.
La estructura de bandas de un semiconductor no dice que
a bajas temperaturas la banda superior de las pobladas, es
decir, la banda de valencia, est repleta, en tanto que la
banda que le sigue, la banda de conduccin, no tiene
electrones. Entre estas bandas se encuentra la banda
prohibida, cuya achura suele llamarse vano energtico, a
diferencia de los materiales aisladores la anchura de la
banda prohibida es pequea, como se mencion a
temperaturas ambiente, el germanio posee un vano
energtico de 0.67 [eV], y el silicio, de 1.12 [eV]. Por esta
concluyente razn a temperaturas normales el movimiento
trmico lanza parte de los electrones de la banda de valencia
a la banda de conduccin y en ambas aparece la
electroconductividad.

6
Adems del germanio, silicio y algunos otros elementos
mencionados, como semiconductores figura una gran
cantidad de compuestos qumicos, entre los cuales juegan
un papel importante los compuestos binarios, es decir,
formado por tomos de solo dos elementos, que pertenecen
a diferentes grupos del sistema peridico GaAs, AlSb, InSb
y muchos otros.
El limite existente para considerar un material como
semiconductor o aislante no est bien definido, sin embargo,
se consideran como semiconductores sustancias cuya
anchura de la banda prohibida (vano energtico) es menor
de 3 [eV].
El semiconductor Si es por excelencia el material ms
utilizado por la electrnica esto debido principalmente por
su facilidad de obtencin y posterior procesamiento sin
embargo presenta muchas desventajas en comparacin a
otros semiconductores como por ejemplo el germanio, el
cual inicialmente fue el semiconductor de preferencia.
Como se expuso el GaAs posee excelentes propiedades
electrnicas, estas propiedades son increblemente
superiores a las que posee el Si puro, debido esencialmente
a que el GaAs posee una banda de separacin, es decir, una
banda prohibida ms grande, la cual asegura un mejor
desempeo a temperaturas altas.
Una aseveracin importante que es posible extraer del
estudio de las estructuras de bandas de energa en
semiconductores es que en general la banda de separacin
(banda prohibida) de los semiconductores decrece a medida
que la temperatura adquiere valores ms significativos, es
decir, a medida que la temperatura se eleva. En general
entonces, la banda de separacin de los semiconductores
decrece a medida que la temperatura se incrementa,
existiendo una dependencia de la temperatura de la banda
de separacin segn sea el semiconductor.

III. REFERENCIAS
1.
2.
3.
4.
5.

Raymond A. Serway y John W. Jewett, Jr., Fsica para

ciencias e ingeniera con fsica moderna.
https://es.scribd.com/doc/160020269/Fisica-De-LosSemiconductores-Shalimova.
http://www.ediuns.uns.edu.ar/files/disp_semi_pedro_jul
ian.pdf.
L.L. Goldin, G.I. Nvikova., Introduccin a la fsica
cuntica.
Jasprit Singh., dispositivos semiconductores.