You are on page 1of 6

1

Diseo y modelamiento de un sistema


de puesta a tierra
Gonzalo Gallardo R., UTFSM, 16 de Enero de 2016

ResumenSe procede a modelar un sistema de puesta a


tierra analizando un modelo de elementos finitos. Se contrasta
el resultado de las simulacines con valores de resistencia de
puesta a tierra conocidos, dada las formas de dos electrodos
simples (barra y cilindro). Se procede a estimar condicin de
error aceptable en la simulacin mediante disminucin del paso.
Se realiza ajuste a la norma en base al parmetro profundidad
de enterramiento de una barra de puesta a tierra. Se contrastan
resultados obtenidos por factores de norma en el caso de disposicin de configuracin de n-barras, para posteriormente proponer
un ajuste al valor por norma de dos barras enterradas segn
parmetro de enterramiento de las mismas. Finalmente se disea
una malla de puesta a tierra segn la norma, para posteriormente
comprobar mediante simulacin que las restriccines dadas por
la misma han sido cumplidas.

I. I NTRODUCTION
Con el fin de proteger los equipos pero por sobre todo a los
operarios es que las superficies de contacto con energa potencial elctrica acumulada deben estar correctamente aislados. Es
por ello que equipos como los transformadores deben tener una
zona de material aislante entre el devanado (a potencial distinto
al de tierra) y la carcasa, superficie de contacto que puede ser
manipulada por operarios. No obstante, frente a solicitacines
o perturbacines propias de la maniuplacin de equipos, del
clima (como solicitacines impulso tipo rayo) o una falla
indeseable en la aislacin es que eventualmente las superficies
de contacto pueden lograr transitoriamente una diferencia de
potencial con respecto a tierra de niveles peligrosos. Para evitar
esto, adicionalmente se debe aterrizar todas las superficies de
contacto nombradas, con el fin que en estado estacionario la
carcasa del equipo este al mismo potencial que las personas
cercanas a estos equipos, evitandose corrientes de niveles de
riesgo para la persona en caso que esta toque el equipo o
se produzca arco por ruptura del aire (sin contacto directo).
Frente a estas y otras consideracines, se recurre a las normas
IEEE Std 80-2000 "IEEE guide for safety in AC substation
grounding IEEE Std 142-1991 "IEEE recomended Practice
for Grounding of industrial and commercial power system".
En una aproximacin cualitativa, se le exige a la malla
de puesta a tierra que tenga una baja resistividad, con el fin
que una eventual solicitacin de tensin en la carcasa de un
equipo aterrizado que es tocado por un operario, genere una
corriente que prefiera fluir por tierra a traves de la malla de
puesta a tierra, que a travs del operario a tierra. Por otra
parte, la inductancia equivalente de la malla de puesta a tierra
debe ser la minima posible, con el fin que el transitorio de la
corriente sea de corto tiempo i.e., la corriente llegue a estado
estacionario en el menor tiempo posible. Respecto del efecto
capacitivo se asume despreciable, debido una gran distancia
entre electrodo de tierra ficticio y electrodo en vivo.

Z
Y
X

Figura 1. Enmallado, configuracin de 4 barras, se opera en 1/4 de semiesfera


por simetra.

u
-5.66

-5.03

-4.4

-3.77

-3.14

-2.52

-1.89

-1.26

-0.629

ZY
X

Figura 2. Potencial, configuracin de 4 barras, se opera en 1/4 de semiesfera


por simetra.

I-A.

Proceso de simulacin

El proceso de simulacin se ejecuta con los programas


gmsh y getdp. El primero de ellos se encarga de procesar
graficamente los datos, adems de enmallar la configuracin,
mientras el segundo realiza los clculos sujetos a las leyes fijas
que rigen la configuracin. Un enmallado ejemplo es como se
muestra en la siguiente figura, para la configuracin de cuatro
barras enterradas bajo tierra a una profundidad s.
Evaluando graficamente el postproceso entregado por getdp,
se visualiza la solucin en gmesh. En este caso, se muestra la
solucin del potencial dela configuracin anterior.
El cdigo gmesh (archivo.geo) que genera la configuracin
anterior se muestra en el apndice-A. Esta configuracin se
usar para obtener resultados en la seccin II-B.

h
5,0
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,8
1,6
1,4
1,2
1,2
1,1
1,1
1,0

Error en calculo de Resfera v/s h


3

Regresion polinmica grado 2


Medicines

2.5

Error[%]

1.5

0.5
Error=-0.0735*(h) 2 +0.9389*(h)

VALORES CALCULADOS EN SIMULACIN DE LA CONFIGURACIN DEL


ELECTRODO ESFRICO .

0
0

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

R []
Error[ %]
24,2631
2,9476
24,2867
2,8533
24,4146
2,3418
24,4190
2,3240
24,4746
2,1017
24,5303
1,8787
24,5976
1,6095
24,6379
1,4484
24,6667
1,3331
24,6922
1,2312
24,7328
1,0688
24,7476
1,0098
24,7613
0,9548
24,7599
0,9603
24,7687
0,9252
Cuadro I

5.5

h
Error en calculo de Resfera v/s h

Figura 3. Funcin con menor error de correlacin R2 para la relacin v/s


h. Electrodo semiesfrico.

Regresion polinmica grado 2


Medicines

2.5

Error[%]

II. A JUSTE DEL MODELO DE ELEMENTOS FINITOS


Se considerar en principio un terreno de resistividad uniforme e igual a 0 = 100[m]. El electrodo de puesta a tierra a
estudiar es del tipo semiesferra. Para la contrastacin con datos
tericos se usan las siguientes ecuacines para el clculo de la
resistencia equivalente de puesta a tierra de la configuracin
electrodo-tierra:

1.5

0.5
Error=-0.0735*(h) 2 +0.9389*(h)

Res f era

Rbarra

0
2a   

0
8L
ln
1
2L
d

(1)

0
0

0.5

1.5

(2)

Para Res f era , a corresponde al radio de la esfera. Para Rbarra


se asume barra cilindrica de dimetro d y largo L. Para el caso
del electrodo semiesfrico se considera que la superficie plana
esta en el plano horizontal de la tierra en la capa superior
y que no esta completamente enterrada, vale decir, el borde
superior de dicho electrodo no esta enterrado. Similar al caso
de la barra, esta no est completamente enterrada y esta en
disposicin vertical respecto al plano horizontal de la tierra. L
corresponde al largo sumergido en la tierra.
II-A. Comportamiento del error en funcin del parmetro
tamao de la malla h
Se procede a graficar el valor de la resistencia calculada
respecto de la variacin del ancho de la malla h. Para ello se
pondera el largo caracerstico de los puntos con que se dibuja
la configuracin por h y dada las dimensines del electrodo,
Rterico = 25[]. Los resultados son los siguientes:
Del grfico de la figura 4 se desprende que un criterio
para obtener un error menor al 1[ %] en el clculo de la
resistencia de de puesta a tierra de esta configuracin es que
se cumpla la condicin que h 1,17. Este criterio vara segn
la configuracin y se debe repetir para cada caso. En particular
para el electrodo barra se procede de forma similar, obteniendo
un error mnimo de aproximadamente 1,62[ %] para h = 0,8,
para h menor a este valor, el tiempo de simulacin es excesivo.

2.5

3.5

4.5

5.5

Figura 4. Funcin con menor error de correlacin R2 para la relacin v/s


h. Electrodo semiesfrico.

II-B. Mejora propuesta para la formula de Rbarra usando


como parmetro adicional la profundidad s
Se asume que la resistencia de puesta a tierra es proporcional a 0 , por tanto se propone el siguiente ajuste para calcular
una funcin adicional que debe ser incluida en la ecuacin (2),
donde el valor de tal resistencia para s = 0 es denotada por
R0 y corresponde al valor simulado con h = 0,7 (tamao de
la malla), con el fin que el error en el desplazamiento de la
curva sea el mnimo. El valor obtendio es R0 = 31,8903[].
R

0 (c + b(s))

(3)

0 c + 0 b(s)

(4)

R0 + 0 b(s)
R R0
b(s) =
0

(5)

(6)

Luego se propone la siguiente mejora para la ecuacin (2):



Rbarra = 0

  


1
8L
ln
1 0,0349 ln(s) 0,1078
2L
d
(7)

S
0,1
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,4
1,8
2,2

N barras
2
3
4
8
12
16
20
24

(R R0 )/0
-0,03032
-0,04938
-0,07366
-0,08919
-0,10030
-0,10879
-0,12076
-0,12894
-0,13495
Cuadro II

DATOS CALCULADOS PARA AJUSTE DE MEJORA DE LA FRMULA DE


Rb arra SEGN PROFUNDIDAD DE BARRA ENTERRADA s.

Rsimulado
22,3623
16,9237
13,8376
8,3300
6,1292
4,8725
4,0256
3,4580
Cuadro III

Rnorma
22,5468
16,7158
13,2171
8,1635
5,8311
4,6649
3,8874
3,4986

DATOS SIMULADOS Y CALCULADOS PARA CONSTRASTACIN CON


NORMA .

Resistencia de puesta a tierra v/s nmero de barras.

25

|R0-R|/Rho| v/s profundidad s de enterramiento de una barra.


0.14

Calculado segn norma


Simulado

Regresin logartmica
Medicines

20

Rtierra[Ohm]

|R0-R|/Rho|[m -1]

0.12

0.1

0.08

0.06

15

10

|R0-R|/Rho=0.0349*log(s)+0.1078
5

0.04

0.02
0
0

0
0

0.5

1.5

2.5

10

15

20

25

Nmero de barras

s[m]

Figura 5. Funcin |R R 0|/0 v/s profundidad de enterramiento s.

El efecto de una capa de resistividad 1 en la capa superior


de a tierra producir un aumento de la resistencia equivalente
de la puesta a tierra, mientras mayor sea el ancho de esta capa,
mayor ser el aumento de la resistencia. Si la barra comienza
a enterrarse, dada una altura de primera capa de tierra con
resistividad 1 y la tierra bajo esta capa con resistividad 0
cumplindose 0 < 1 , el efecto ser una disminucin gradual
de la resistencia, debido a un mayor contacto del electrodo con
la tierra de menor resistividad. De lo anterior se desprende
que el resultado de la resistencia ser dependiente de la
cantidad de barras de puesta a tierra utilizadas (disminuyendo
la resistencia al aumentar el rea de contacto con la tierra),
la resistividad de las capas de la tierra y adicionalmente, el
parmetro s de profundidad de enterramiento de las barras.
Como generalmente se cumple 1 < 0 , entonces la resistencia
de puesta a tierra tender a disminuir a medida que las barras
se entierren.
III.

C ONTRASTACIN CON LAS FRMULAS


ESTABLECIDAS POR LA NORMA

Se procede a contrastar los factores entregados por la


norma para el caso de n-barras. La configuracin simulada
consiste en una disposicin circular de barras no enterradas,
con distancia entre barras constante e igual a aproximadamente
2[m] (considerando el radio de las barras despreciable), cada
una de ellas de dametro d = 0, 0175[m] y de largo l = 2, 44[m].

Figura 6. Grfico de resistencias calculadas y simuladas para constrastacin


con norma.

La resistividad del suelo se considera homognea e igual a


0 = 100[m]
Como se observa en el grfico de la figura 6 es claro que
los datos son casi coincidentes, lo cual se espera al obedecer
lo estipulado en la norma IEEE Std 142-1991, indicando que
para que se cumpla lo anterior e independiente si se trata de
una disposicin en lnea recta o circular, la distancia entre las
barras consecutivas debe ser constante.
III-A. Mejora a la frmula de dos barras considerando
que estn enterradas mediante el parmetro s, distancia de
profundidad
Se propone hacer algo similar al caso de una barra simple
enterrada a una profundidad s presentada en la seccin II-B.
Sin embargo la funcin de resistencia de puesta a tierra de una
configuracin de dos barras separadas una distancia d tiene
dos expresines, una para s L y otra para s > L. La mejora
propuesta considera dos item:
1. Caso s L:
Para la simulacin se propone una distancia de separacin
entre barras en un punto intermedio, vale decir, las barras
estn separadas una distancia de L/2 de donde el calculo
de la resistencia de puesta a tierra por frmula de la
norma es R0 = 23, 9089[]. Los resultados obtenidos
son los siguientes, donde R es la resistencia de puesta
a tierra calculada por la simulacin en funcin de s y
0 = 100[m]:

|R0-R|/Rho| v/s profundidad s de enterramiento.

|R0-R|/Rho| v/s profundidad s de enterramiento.


0.11

0.11

Regresin polinomica orden 2


Simulacin

Regresion polinomica orden 2


Simulacin

0.1

0.1
0.09
0.09

|R0-R|/Rho|[m -1]

|R0-R|/Rho|[m -1]

0.08
0.08
0.07
0.06
0.05

|R0-R|/Rho=-0,0137s2 +0,0733*s+0,0131

0.04

0.07
0.06
0.05
|R0-R|/Rho=-0.0102*s2 +0.0598*s+0.0176
0.04

0.03

0.03

0.02
0.02
0.01
0.01
0

0.5

1.5

2.5

s[m]

Figura 7. Grfico de datos de resistencia de puesta a tierra simulada v/s s[m],


caso de dos barras separadas una distancia d = L/2[m] .

s[m]
0,1
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,4
1,8
2,2

(R R0 )/0
-0,0183
-0,0276
-0,0414
-0,0534
-0,0638
-0,0726
-0,0876
-0,0994
-0,1095
Cuadro IV

DATOS SIMULADOS , CASO DE DOS BARRAS SEPARADAS UNA DISTANCIA


d = L/2 Y ENTERRADAS UNA DISTANCIA s.

Por tanto, usando la misma terminologa que en la ecuacin (6) y asumiendo que el error de desplazamiento de
la curva obtenida por regresin en el grfico de la figura 7
(interseccin con la ordenada) se debe principalmente a
la suposicin hecha, se propone una funcin de ajuste
b(s) = 0,0137s2 0,0733s.
2. Caso s > L:
Para la simulacin se propone una distancia de separacin
entre barras suficientemente alejado. En este caso particular se usar una distancia de L + Rtierra,cercana donde
Rtierra,cercana es el radio de la zona semiesfrica de la
simulacin que modela la tierra medida desde el punto
de interseccin entre el plano de la tierra superficial y
el eje de simetra entre la las dos barras (Rtierra,cercana =
9). La resistencia de puesta a tierra para estos valores
calculada segn la norma es de R0 = 20, 3093[]. Los
resultados obtenidos son los siguientes, donde R es la
resistencia de puesta a tierra calculada por la simulacin
y 0 = 100[m]:

0.5

1.5

2.5

s[m]

Figura 8. Grfico de datos de resistencia de puesta a tierra simulada v/s s[m],


caso de dos barras separadas una distancia d = (9 + L)[m] .
s[m]
(R R0 )/0
s R-R0/Rho 0,1
-0,0216
0,2
-0,0295
0,4
-0,0408
0,6
-0,0510
0,8
-0,0597
1,0
-0,0671
1,4
-0,0801
1,8
-0,0906
2,2
-0,1010
Cuadro V
DATOS SIMULADOS , CASO DE DOS BARRAS SEPARADAS UNA DISTANCIA
d = (L + 9)/2[m] Y ENTERRADAS UNA DISTANCIA s[m].

Por tanto, usando la misma terminologa que en la ecuacin (6) y asumiendo que el error de desplazamiento de
la curva obtenida por regresin en el grfico de la figura 8
(interseccin con la ordenada) se debe principalmente a
la suposicin hecha, se propone una funcin de ajuste
b(s) = 0,0102s2 0,0598s.
Para mejorar el desempeo de una puesta a tierra de nbarras y como corolario de los resultados anteriores, se deben
alejar lo mayor posible unas de otras las barras a enterrar,
mejorando an ms el resultado si las mismas son enterradas
una profundidad s, disminuyendo la resistencia de puesta a
tierra proporcionalmente a la distancia de profundidad a la
que son enterradas, medida desde la superficie superior. La
restriccin general a la aplicacin de las mejoras anteriores
se basan en la disponibilidad de terreno para separar adecuadamente las barras. Por otro lado, el enterrar las barras
complica su recambio en caso de deterioro si las mismas han
sido enterradas a gran profundidad s, al igual que en una
inversin adicional en la remocin de tierra para poder efectuar
la instalacin en algunos casos.
IV.

D ISEO DE UNA MALLA DE PUESTA A TIERRA SEGN


NORMA

Los datos a usar para el diseo de la malla de puesta a tierra


son.

1. 3I0 =20[kA] . Esto pues durante falla monofsica, I0 =


I1 = I2 = 1/3I f alla 3I0 = I f alla (condicines de prefalla
despreciables). Falla desconectada en tmax = tc = 0,5[s].
2. rea de instalacin cuadrada de 120[m]x120[m].
3. = 25[m] resistividad de tierra bajo primera superficie.
s = 2500[m] resistividad de capa en la superficie de
ancho hs = 0,1[m].
4. peso de individuo de 70[kg].
Con estos datos, se procede a calcular los parmetros
caractersticos:
Estep,70 : Ttensin de paso para peso de individio de
70[kg].
Etouch : Tensin de contacto crtica, malla sin barras
enterradas.
Emesh : Tensin de la malla de puesta a tierra con barras
enterradas (similar interpretacin a Etouch,70 .
Es : Tensin de paso corregida para caso con barras
enterradas.
El procedimiento para obtener estos factores se ilustran en
Apndice B de la IEEE Std 80-2000, donde se describen tanto
el significado como el clculo de los coeficientes mostrados a
continuacin:
0,157
(8)
= (1000 + 6Cs s )
ts
0,157
Etouch,70 = (1000 + 1,5Cs s )
(9)
ts
Km Ki IG
(10)
Emesh =
Lm
Ks Ki IG
Es =
(11)
0,75LC + 0,85LR
En el diseo se considera como material a usar Copper commercial hard drawn con temperatura de fusin de 1084[C].
Estep,70

IV-A. Primer diseo: malla de puesta a tierra sin barras


enterradas
Con los datos de 3I0 y el de tiempo de duracin mxima
de la falla tc se obtiene D f = 1,101 para el peor caso, vale
decir, cuando la impedancia de falla en el punto de la malla de
puesta a tierra es de razn X/R = 40 (proporcional a constante
de tiempo de decaimiento durante el transitorio). Con el dato
del material a usar se obtiene K f = 7,06, para posteriormente
calcular el dimetro mnimo d de los conductores a usar:
Kcmil

3I0 K f tc

(12)

98,84[Kcmil ]

(13)

d = 8[mm]

(14)

Como d < 10,5[mm] se seleccina el diametro de los conductores igual a 10,5[mm] para compensar efectos de esfuerzos
mecnicos durante fenminos dinmicos. Con los datos de ,
s y hs se calcula Cs = 0,693. Reemplazando Cs y s en las
ecuacines (8) Y (9) resulta:
Estep,70

= 2530,50[V ]

(15)

Etouch,70

= 799,04[V ]

(16)

Ahora se procede a modelar la malla. Se propone una


configuracin matricial horizontal de 10x10 barras, similar al
primero modelo del apndice, en el rea de A = 120[m2 ]. EL
largo total de la configuracin es LT = 2 11 120 = 2640[m].
Con los datos de LT , y A se calcula la resistencia d epuesta
a tierra RG = 0,10175[]. La corriente mxima por la malla IG
se calcula con los datos de D f = 1 y S f = 0,6, obtenindose
IG = 12000[A], luego el GPR (Ground potential rise) calculado
es de GPR = Rg IG = 1221[V ]. Como GPR > Etouch,70 se debe
redisear la malla.
Se observa que para lograr un GPR menor a Etouch,70 manteniendo LT constante (largo total de la malla), la profundidad
h a la que debe estar enterrada la malla es imposible de lograr
en la prctica, debiendo estar a muy baja profundidad. Por
tanto, se propone el modelo de la seccin siguiente.
IV-B. Segundo diseo: malla de puesta a tierra con barras
enterradas
Se propone enterrar barras de 5[m] de largo, del mismo
dimetro d que las barras de la malla horizontal. Las barras
se dispondrn en la periferia del rectngulo externo del rea
de la malla, intercaladas entre barras horizontales, vale decir
una cantidad de nB = 4 4 + 4 = 20 barras a enterrar. La malla
horizontal se mantiene a una profundidad de h = 0,5[m].
Con el dato de la distancia de separacin entre barras de
la periferia D = 12 2[m], Kii = 1 por estar las barras en la
periferia y adicionalmente con los datos del dimetro de las
barras d y la profundidad de la malla h se calcula Km = 1,1384.
Luego, usando el dato de la profundidad h se calcula Kh =
1,2247. El nmero efectivo de las barras enterradas, por estar
en una disposicin cuadrada y en la periferia es igual a n =
11, dato que se usa para el clculo del factor Ki = 0,718.
Lo que sigue es calcular el largo efectivo total de la malla
completa Lm con los datos de LC = 2640[m] (largo total de
la malla horizontal) y LR = 20 5[m] (largo total de las barras
enterradas), obtenindose Lm = 2740[m].
Con los datos calculados de Km , Ki , IG (no cambia con
respecto a primr diseo), Lm y la resistividad de tierra bajo
primera capa se obtiene reemplazando en la ecuacin (10):
Emesh = 283,194[V ]

(17)

Con los datos de D, h y n se calcula el factor de ajuste


Ks = ,3445. Con este ltimo dato y los calculados prrafos
anteriores se reemplazan en la ecuacin (11):
Es = 113,723[V ]

(18)

Como Emesh < Etouch,70 se acepta el diseo. Adicionalmente


se hace notar que Es  Estep,70 , es decir se logra reducir bastante Estep,70 sin recurrir a enterrar la malla simple horizontal
una profundidad h infactible.
IV-C.

Observacines cualitativas

Suponiendo un caso especial en que a partir de los 2,5[m]


de profundidad el suelo se deteriora, llegando a medirse una
resistividad de 5[m], sera equivalente a que se logre mayor
conductividad de la tierra en esa zona. Debido a que se

escogieron baras enterradas de largo L = 5[m] y h se ha fijado


a h = 0,5[m], ms de la mitad de la barra enterrada estara
en contacto con la tierra deteriorada. Esto indicara como
corolario de los resultados anteriores, una disminucin de la
resistencia de puesta a tierra.
Suponiendo que la carcasa de un equipo de la subestacin es impactada por una solicitacin de tensin tipo rayo,
durante al menos los primeros microsegundos se obtendr
un espectro de alta frecuencia en la tensin medida. En
tal caso, el efecto capacitivo e inductivo comienzan a ser
notorios. Por la disposicin de la malla se tendr una matriz
de capacidades entre barras, al igual que inductancias serie,
la frecuencia de resonancia del conjunto es inversamente
proporcional al producto de la inductancia L y la capacidad C
de la configuracin. El valor de estos parmetros concentrados
se modela desde la carcasa del equipo hasta la tierra ficticia
en infinito. la respuesta en frecuencia de este circuito RLC es
del tipo pasa banda, por tanto para evitar una alta corriente
daina, debera reducirse la frecuencia natural, con el fin que
las altas armnicas provenientes de la tensin sean filtradas.
Existen dos opcines, aumentar la inductancia o aumentar la
capacidad. para aumentar la inductancia se puede aumentar
el dimetro de los conductores y/o acercando las barras para
aumentar la inductancia mutua. la capacidad se aumenta de la
misma forma, al aumentar el dimetro de las barras se tendr
un electrodo de rea equivalente mas grande, teniendo poco
efecto la separacin de las barras. Sin embargo, esto reduciria
la resistencia de puesta a tierra como se mostro en el estudio de
dos barras. Una opcin compensatoria sera enterraran mas la
malla, sin embargo se demostr que para lograr una pequea
disminucin de la resistencia, la malla debe instalarse a gran
profundidad, por tanto se puede estudiar un equilibrio entre
estas consideracines en una simulacin particular.
A PNDICE
A. Codigo Ejemplo usado en gmesh para modelar 4 barras
enterradas una profundidad s, sin requisito de equidistancia
contgua.
r = 0.05;
l = 2;
Ri = 9;
Ro = 12;
Rho = 100;
Io = 1;
Kgeo =4;
s = 0.5;
lcbus = l/10;
lcend = 5*r;
lcinf = l/10;
Point(1)
Point(2)
Point(3)
Point(4)
Point(5)
Point(6)

=
=
=
=
=
=

{0, 0, 0, lcinf};
{0, 0, -Ri, lcinf};
{0, 0, -Ro, lcinf};
{Ri, 0, 0, lcinf};
{Ro, 0, 0, lcinf};
{d*Cos(Pi/Kgeo)-r,

d*Sin(Pi/Kgeo), -s, lcend};


Point(7) = {d*Cos(Pi/Kgeo),
d*Sin(Pi/Kgeo)-r, -s, lcend};
Point(8) = {d*Cos(Pi/Kgeo)+r,
d*Sin(Pi/Kgeo), -s, lcend};
Point(9) = {d*Cos(Pi/Kgeo),
d*Sin(Pi/Kgeo)+r, -s, lcend};
Point(10) = {d*Cos(Pi/Kgeo),
d*Sin(Pi/Kgeo), -s, lcend};
Line(1)
Line(2)
Circle(3)
Circle(4)
Line(5)
Line(6)
Circle(7)
Circle(8)
Circle(9)
Circle(10)

=
=
=
=
=
=
=
=
=
=

{1,2};
{2,3};
{2,1,4};
{3,1,5};
{1,4};
{4,5};
{6,10,7};
{7,10,8};
{8,10,9};
{9,10,6};

Line Loop(1)
= {1,3,-5};
Plane Surface(1) = {1};
Line Loop(2)
= {2,4,-6,-3};
Plane Surface(2) = {2};
volSoil[] = Extrude { {0,0,1}, {0, 0, 0},
2*Pi/Kgeo} {Surface{1,2};};
Line Loop(3)
= {7,8,9,10};
Plane Surface(3) = {3};
volSoil[] = Extrude {0,0,-l-s}
{Surface{3};};
Delete {
Volume{1};
}
Surface Loop(62) = {3, 48, 60, 52, 56,
61, 22, 21, 1, 18};
Volume(80) ={62};
Physical Surface(30) = {48, 60, 52, 56,
3, 61};
Physical Surface(31) = {31};
Physical Volume(40) = {80};
Physical Volume(41) = {2};
Delete {
Volume{3};
}

You might also like