Electrnica de potencia

En sntesis, la electrnica de potencia es la forma de explicar ms clara mente el

funcionamiento y el movimiento de los motores de traccin y de todos y aquellos
elementos de movimiento por parte de controladores industriales es un tema que
me intereso atreves que una vez ledo el artculo est relacionado a lo que
estamos investigando segn la historia la electrnica de potencia tiene sus inicios
en los aos de 1900 con la introduccin del rectificador de arco de mercurio hacia
los aos de 1906 se genera en invento del trodo y este consiste en un diodo de
vaco que se encuentra entre el ctodo y la placa hacia los aos de 1933 se
inventan los rectificadores de selenio entre los aos de 1947 aparece el transistor
de contacto el cual fue generado por los seores Walter H brattain y jhon bardeen
En el ao de 1948 tenemos el invento del transistor de unin bipolar el cual mejora
las cualidades y condiciones delos transistores que se conocen hasta el momento
y en el ao de 1949 nace el transistor que an se utiliza en los dispositivos
electrnicos del momento en 1956 aparece el rectificador controlado de silicio la
invencin del transistor de disparo de unin PNP el cual fue lanzado en su inicio
por la general electricen el ao de 1958 se lanza el primer compilador de
transistores conocido hasta el momento el cual integraba seis transistores en tan
solo un chip eso era un adelanto para este momento para los aos de 1970 ya se
hacen un ms asequibles los dispositivos semiconductores de potencia
convirtindose de manera comercial tiles en el mercado de la electrnica En el
ao de 1976 registramos la llegada del MOSFET de manera comercial
En 1982 celebramos la llegado del transistor de bipolar de puerta aislada el cual
es un dispositivo bipolar el cual entre sus otras funciones es utilizado en su
momento como un interruptor

Usos de la electrnica de potencia est conformada por la unin de varias

caractersticas entre ellas la de la energa potencia y el control esto permite que
esta sea completa de cada una de sus tareas sus principales funciones de La
electrnica de potencia se basan, en primer trmino, en la conmutacin de
dispositivos semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnologa de
los semiconductores de potencia, las capacidades del manejo de la energa y la
velocidad de conmutacin de los dispositivos de potencia se han elevado
La forma de medir las capacidades de los dispositivos de electrnica de potencia
puede ser muy dispendioso sin embargo los podemos acoger en un par de grupos
dependiendo una serie de caractersticas generales pero la ms importante y la
cual los hace particulares es la controlabilidad entre estos se definen
Los dispositivos no controlados en este grupo tenemos a los diodos los
estados de condicin o cierre los de bloqueo y apertura y esto a raz que no
poseen una terminal de control externo
Los dispositivos semi controlados en este grupo hace parte los tiristores
tambin los SCR y adicional a esto los TRIAC y la puesta contraria de
estado de off a on
Los dispositivos total mente controlados en los cuales hacen parte los
transistores bipolares BJT tambin encontramos los transistores de efecto
de campo o MOSFET los transistores de puerta aislada IGBT y los
transistores GTO entre otros cuantos
Los transistores
en electrnica de potencia general mente son utilizados como los
interruptores de circuitos entre otras caractersticas este efecto se produce
por la excitacin de disparo que se encuentra dentro del circuito estos
dispositivos son creados para que trabajen dentro de una zona de
saturacin o en su defecto en la zona de corte
Transistor bipolar de potencia
Estos dispositivos son ms conocidos en el medio como los BJT son de
igual manera utilizados como interruptores del circuito y son apropiados por
que hacen parte de los dispositivos controlados para esta en este
dispositivos tenemos internamente dos enlaces los de unin npn y la unin
npn como ya lo sabemos para el uso de la electrnica de potencia