Apuntes EAB Final

APUNTES DE ELECTRONICA ANALGICA BSICA
Carrera: INFORMTICA Y COMPUTACIN

Materia: ELECTRNICA ANALGICA BSICA
Clave: 212C00
Acadmica: ELECTRNICA ANALGICA
Elaborados por: ING. CRISTINA GUADALUPE VELZQUEZ ARREOLA
ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

NDICE
1. Dispositivos Semiconductores
1.1Materiales elctricos.. 4
1.1.1 Definicin y caractersticas del aislante. 4
1.1.2 Definicin y caractersticas del conductor........... 4
1.1.3 Definicin y caractersticas del semiconductor 5
1.2 El diodo...7
1.2.1 Clasificacin 7
1.2.2 Construccin y smbolos . 9
1.2.3 Polarizacin directa e inversa............ 9
1.2.4 Curva caracterstica.. 9
1.2.5 Prueba de diodos e identificacin de terminales 10
1.2.6 Hoja de especificaciones del diodo... 11
1.2.7 Configuracin de diodos en serie y paralelo 12
1.3 Diodo rectificador. 14
1.3.1 Smbolo, caractersticas y Principios de funcionamiento. 14
1.3.2 Rectificador de media onda . 16
1.3.3 Rectificador de onda completa tipo puente 17
1.3.4 Rectificador de onda completa con derivacin central.. 20
1.4 Diodo zener. 22
1.4.1 Smbolo, caractersticas y principios de funcionamiento. 22
1.4.2 Regulador de voltaje con carga variable. 25
1.4.3 Regulador de voltaje con fuente variable. 26
1.5 Diodos emisores y receptores de luz 27
1.5.1 Diodo emisor de luz(LED).. 27
1.5.2 Arreglos de LEDS (display).. 31
1.5.3 Diodo emisor de infrarrojos (IRED).. 34
1.5.4 Diodo LASER.............. 35
1.5.5 Fotodiodo.. 38
1.5.6 Optoacopladores. 39
1.6 Otros diodos 40
1.6.1 Diodo tnel. 40
1.6.2 Diodo varactor.. 40
1.6.3 Diodo Schottky.. 42
2. El transistor
2.1 Clasificacin de
transistores 43
2.1.1 Transistor de unin bipolar (BJT).. 43
2.1.2 Transistor de efecto de campo (FET) 43
2.2 Transistores NPN y PNP 44
2.2.1 Construccin y smbolos 44
2.2.2 Polarizacin 45
2.2.3 Principios de funcionamiento. 46
2.2.4 Prueba de transistores e identificacin de terminales 49
2.2.5 Hoja de especificaciones del transistor. 49
2.3 Configuraciones bsicas del BJT2 49
2.3.1 Diagramas.. 50
2.3.2 Caractersticas y principios de funcionamiento.. 50
2.3.3 Curvas caractersticas. 51
2.4 Zonas de trabajo del BJT... 55
2.4.1 Regin activa. 55
2.4.2 Regin de corte. 56
2.4.3 Regin de saturacin.................. 56
2.4.4 Funcionamiento del transistor como switch. 57

3. Polarizacin del transistor de unin bipolar
3.1 Polarizacin fija con dos fuentes en EC. 58
3.1.1 Circuitos equivalentes y desarrollo de formulas de entrada y salida............... 58
3.1.2 Recta de carga y variacin del punto Q.. 59
3.2 Polarizacin estabilizada con una fuente en EC... 59
3.2.1 Circuitos equivalentes y desarrollo de formulas de entra y salida. 60
3.3 Polarizacin por divisor de Voltaje.. 63
3.3.1 Circuitos equivalentes y desarrollo de formulas de entrada y salida............... 63
4. Amplificadores de pequea seal con BJT en emisor comn
4.1 Introduccin65
4.1.1 Conceptos bsicos 65
4.1.2 Teorema de superposicin.. 67
4.2 Anlisis de CD.. 68
4.2.1 Polarizacin y recta .. 68
4.2.2 circuito equivalente en CD................. 69
4.3 Anlisis en CA... 71
4.3.1 capacitores de paso y acoplamiento.. 71
4.3.2 Modelo re 71
4.3.3 Parmetros de amplificadores en C.A 72

1. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
1.1 Materiales Elctricos
1.1.1Definicin y Caractersticas de Aislante
Aislantes
A una temperatura absoluta de cero, los slidos resultan ya sea aislante o conductores. La
caracterstica del material aislante es que todos sus electrones estn involucrados en el enlace
atmico. Cuando este material se sita en un circuito elctrico, no fluir corriente debido a que
no hay electrones que estn libres para moverse.
Semiconductor como Aislante
Aislantes: el carbn en un diamante de orden cristalino, muchos plsticos y cermicas, vidrio,

madera, etc. Cuenta con 8 electrones en su capa de valencia.
1.1.2 Definicin y Caractersticas de Conductor
En un Conductor, cada uno de los tomos tiene por lo menos un un electrn de ms que no
est involucrado en el enlace. Tales electrones de ms se conocen como electrones de
conduccin y se mueven libremente en respuesta a las fuerzas elctricas. (Fuente externa).
Ejemplo: oro, cobre, plata.
1.1.3 Definicin y Caractersticas de Semiconductor

Semiconductores. La energa trmica tiene un gran efecto sobre las propiedades de
conduccin de los slidos. Esta energa se distribuye por todos los electrones y los ncleos y se
almacena, entre otras formas,en el movimiento fsico o (vibracin) de los electrones y ncleos.
Con dos electrones fuera de sus posiciones de enlace, al material se le conoce como
semiconductor debido a que se convierte en conductor a temperaturas normales a causa de los
electrones que se han convertido a su vez en electrones de conduccin.
Huecos y movimientos de huecos.

Cuando un electrn abandona su posicin de enlace, deja una posicin vacante, la cual se
conoce como hueco (carga positiva). Los huecos tambin se mueven mediante la influencia de
fuerza elctrica debido a que otros electrones de enlace se pueden mover hacia la localidad
vacante.
5

Si un semiconductor se sita en un circuito donde el voltaje ha creado una corriente, la corriente
deber ser llevada por los electrones y los huecos, de los cuales se dice que son portadores.
Corrientes de Deriva.
Se forma una corriente a causa del movimiento tanto de huecos como de electrones.
Semiconductor Tipo-P: la mayor parte de la corriente es portada por los huecos.
Semiconductor Tipo-N: la mayor parte de la corriente es portada por los electrones.
Se les conoce como Derivas porque los portadores derivan en ciertas direcciones, influenciada
por un voltaje externo aplicado.
Una unin pn se forma en la frontera existente entre regiones de semiconductores tipo-p y los
tipo-n. Cuando tal unin se forma, se presenta:
Corrientes de difusin: los electrones en el tipo-n se desplazan hacia el material tipo-p,

y los huecos en ste se desplazan hacia el material tipo-n.
Recomendacin: A medida que los electrones se van desplazando en el material tipo-p

al encontrar huecos y los huecos que se han diseminado en el material tipo-n se rellenan
con electrones de conduccin.
*Regin de empobrecimiento: en ambos lados de la unin pn, sufre una deficiencia

de portadores debido a la recombinacin.
*Cargas descubiertas: En la regin de empobrecimento del lado del tipo-p, los tomos
receptores de enlace estn descubiertos, debido a que los electrones del lado n se
recombinaron con los huecos. La deficiencia de cargas en los tomos receptores acta
como un excedente de cargas negativas fijas en esta regin. De igual manera, el
excedente de cargas positivas en el ncleo de los donadores, acta como carga positiva.
De esta manera se obtiene cargas descubiertas de enlace en la regin de empobrecimiento.
Debido a las cargas descubiertas, el diodo de unin PN tiene un voltaje interno

de aprox. 0.7v (silicio), a travs de su unin, pero no se produce voltaje
externo. No fluir corriente a menos que el equilibrio se distribuya mediante
un voltaje externo
1.2 El Diodo
1.2.1 Clasificacin
Dopado Tipo-n.
Para incrementar la concentracin de portadores, se contamina el semiconductor puro
(intrnseco). Ejemplo: silicio intrnseco (4 electrones de enlace por tomo), se le agrega una
pequea cantidad de fsforo (5 electrones en su estructura valente), quedar un electrn
sobrante (electrn de conduccin).
Al adicionar una impureza se le conoce como dopado, y el dopado tipo-n es debido a que el
nmero de electrones es mayor. La impureza se llamar tomo donador, por que cede un
electrn de conduccin.
Una unin pn se forma en la frontera existente entre regiones de semiconductores tipo-p y los
tipo-n. Cuando tal unin se forma, se presenta:
Corrientes de difusin: los electrones en el tipo-n se desplazan hacia el material tipo-p, y

los huecos en ste se desplazan hacia el material tipo-n.
Recomendacin: A medida que los electrones se van desplazando en el material tipo-p al
encontrar huecos y los huecos que se han diseminado en el material tipo-n se rellenan
con electrones de conduccin.
Dopado Tipo-p.
De manera similar al agregar una impureza con 3 electrones en se estructura valente, se crea un
hueco para cada tomo de impureza. Tal impureza se denomina tomo receptor porque recibe
un electrn de conduccin y se crea un hueco extra. Cuando se realiza este tipo de dopado se le
llama Tipo-p, debido a que tiene exceso de huecos, los cuales actan como cargas positivas
mviles.
Mediante el dopado del semiconductor se tiene la capacidad de incrementar la concentracin de
los portadores y de controlar qu tipo de portadores dominar el proceso de conduccin en los
semiconductores.
Est formado por 2 pedazos de material semiconductor (tipo-p y tipo-n) unidos por una de sus
caras.
DOPADO TIPO N
DOPADO TIPO P
Mayor informacin.
Fundamentos de Electrnica
Autor J.R. Cogdell
Editorial Prentice Hall
http://www.scielo.br/scielo.php?pid=S1806-11172006000400013&script=sci_arttext

1.2.2 Construccin y smbolos
Est formado por 2 pedazos de material semiconductor (tipo-p y tipo-n) unidos por una de sus
caras.
Smbolo:
Esquemtico:
Forma Fsica
1.2.3 Polarizacin Directa e Inversa

POLARIZACION DIRECTA
Si se adiciona una batera externa y si la polarizacin es tal que se opone al efecto interno
batera-capacitor, el equilibrio ser distribuido y fluir corriente por el diodo. La corriente se
incrementa si el voltaje externo se incrementa, si el voltaje aplicado excede el voltaje de umbral
(0.7v) para el diodo de silicio, se incrementar rpidamente su corriente, una vez que su
corriente aumente el voltaje permanecer constante: el diodo estar ENCENDIO.
Nota: Un diodo de germanio requiere alrededor de 0.3v para propiciar la conduccin.

POLARIZACION INVERSA
Si la polarizacin del voltaje externo refuerza el efecto batera-capacitor, los huecos en el
semiconductor tipo-p y los electrones en el tipo-n tendern a moverse alejndose de la unin.
El voltaje externo ensancha la regin de empobrecimiento. El diodo estar APAGADO. En
esta polarizacin fluye una corriente cero (NO CONDUCE)
En esta polarizacin se ensancha la regin de empobrecimiento o deflexin y no conduce.

Se comporta como circuito Abierto
1.2.4 Curva Caracterstica y hoja de especificacin del Diodo
10
Rompimiento: Es cuando el diodo llega a su mxima conductividad hasta llegar a su ruptura.

Corriente de Fuga: Se debe a las imperfecciones que tenga el material. Pequea corriente antes
de llegar a su voltaje de ruptura.
Codo: Cuando el diodo excede Germanio .3v y Silicio 0.7v y aumenta rpidamente.
Capa de empobrecimiento o Barrera de potencial: Una vez agotadas las recombinaciones posibles
en el rea de unin, ya no existir carga, debido a que los tomos de las impurezas trivalentes y
pentavalentes, son atrados en el centro de la unin, este reacomodo de tomos es el que forma
la zona de empobrecimiento o Zona vaca en el diodo
HOJA DE DATOS
1.2.5 Prueba de Diodos e identificacin de Terminales.
Para la identificacin de terminales, podemos hacerlo con:
Multimetro, colocando en este en la opcin de Continuidad (donde aparece el smbolo del
diodo) y tenemos la lectura siguiente:
Polarizacin Directa:
Resistencia Alta Diodo Abierto
Resistencia Baja Diodo Bueno
Polarizacin Inversa:
Resistencia Alta: Diodo Bueno
Resistencia Baja: Diodo en Corto
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Los diodos se identifican mediante una referencia. En el sistema Americano, se utiliza el prefijo
1N y un nmero, por ejemplo: 4001.
Significado: 1N4001
El 1 significa que es una unin pn, la N es de semiconductor y el 4001 son las
caractersticas particulares.
En el sistema Europeo se utiliza un prefijo de 2 letras, Ejemplo: BY254, donde B significa el
material (silicio) y la Y el tipo de diodo (Rectificador).
1.2.6 Configuracin de diodos en Serie y Paralelo
En base al comportamiento del Diodo que se ha estudiado se realiza el anlisis del
comportamiento en un diodo en Serie y Paralelo.
SERIE
Para resolver los circuitos serie de Diodos analizamos el tipo de diodos que tenemos en el
circuito por ejemplo: Recordemos que el Diodo de Germanio tiene un valor de polarizacin de
.3v y el de Silicio de .7v, caracterstica que interviene en el anlisis tanto del circuito serie
como en el paralelo.
Ejemplos:
VD=VF= .7v voltaje del diodo en
Polarizacin directa.
VR se obtendr mediante Ley de
Voltajes de Kirchoff
VR= VENT vF Esto es:
VR = 5v-.7v=4.3v
IF= VT =4.3v=4.3mA
RT 1k
RT=R1 + R2= 500 + 1.5K
RT= 2K
L.V.K.
VENT=VDSi + vDGe + VRT
10v = .7V+.3V + VRT
VRT=9V
IRT=VRT/RT ; IRT=9V/2k=4.5mA
IRT=IR1=IR2
VR1= IR1R1=4.5mA(500)=2.25v
VR2= IR2R2=4.5mA(1.5k )=6.75v
12

PARALELO
Para este caso, se deduce que la corriente
del circuito circular principalmente por el
diodo de Ge, debido al nivel de voltaje de
ruptura del mismo.
Debido a esto tenemos.
VDSi= 0v
VDGe=.3v
Por L.V.K.
VENT=VDSi + vDGe + VRT
10v=0v + .3v + VRT
VRT=VR1 =9.7v
IRT=VRT/RT
IRT=9.7V/1K=9.7mA
Para este circuito deseamos saber el voltaje

en el punto VA y VB. Obsrvese Para los
diodos de Si se definen como:
VD1Si= 0v
VDGe=.3v
VD2Si= 0v
RT=R1+R2+ R3+R4+ R5
RT=330+470+1K+1.2K+1.5K
RT=4.5K
L.V.K.
VENT= VR1 + VR2 +vDGe + VR3+ VR4+ VR5
VRT=VENT - vDGe ; VRT=12v - .3v=11.9v
IRT=VRT/RT ; IRT=11.9v/4.5K=2.15mA
Calculamos el Voltaje en cada Resistencia
para encontrar los voltajes de VA y VB,
mediante la Ley de Ohm.
VR1=ITR1=2.15mA(330)=709.5mv
VR2=ITR2=2.15mA(470)=1.01v
VR3=ITR3=2.15mA(1K )=2.15v
VR4=ITR4=2.15mA(1.2K )=2.58v
VR5=ITR5=2.15mA(1.5K )=3.22v
Para encontrar el valor de VA, ser:
VA=10v-709.5v=9.29v
Para encontrar el valor de VB, ser:
VB=10v-709.5mv-1.01v-.3v-2.15v=5.83v
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1.3 Diodo Rectificador
Mientras la corriente es positiva en direccin de la flecha del smbolo del Diodo, actuar
como un cortocircuito y funcionara como encendido; si el voltaje esta en sentido contrario al
del smbolo del Diodo funcionara como circuito abierto, por lo tanto est Apagado. La
corriente no podr fluir en sentido contrario al smbolo.
Esto causa un comportamiento de un interruptor.
1.3.1 Smbolo, Caractersticas y Principio de Funcionamiento.

Su construccin est basada en la unin PN siendo su principal aplicacin como rectificadores.
Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas temperaturas (hasta 200C en la
unin), siendo su resistencia muy baja y la corriente en tensin inversa muy pequea. Gracias a
esto se pueden construir diodos de pequeas dimensiones para potencias relativamente grandes,
desbancando as a los diodos termoinicos desde hace tiempo.
Diodos Rectificadores:
Estos nos sirven para convertir corrientes AC o bidireccionales en corrientes CD o
unidireccionales. A este proceso se denomina rectificacin y es un paso esencial en el diseo de
fuentes de alimentacin AC-CD.
*El subndice F (forward) representa las condiciones en polarizacin directa.
*El subndice R (reverse) las condiciones en polarizacin inversa.
Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de alimentacin como en
televisin, aparatos de rayos X y microscopios electrnicos, donde deben rectificar tensiones
altsimas.
14

En fuentes de alimentacin se utilizan los diodos formando configuracin en puente (con cuatro
diodos en sistemas monofsicos), o utilizando los puentes integrados que a tal efecto se fabrican
y que simplifican en gran medida el proceso de diseo de una placa de circuito impreso.
SENTIDO DE LA CORRIENTE
Sentido Real: Los electrones saldrn de la terminal negativa de la fuente y atravesaran el
semiconductor para llegar a la terminal positiva de la fuente.
Sentido Convencional: Los huecos son los que salen de la terminal positiva de la fuente y
atraviesa el semiconductor y llegan a la terminal negativa de la fuente.
Nota: La corriente de los huecos es en sentido opuesto a la corriente de los electrones.

SIMBOLOS DE DIFERENTES TIPOS DE DIODOS
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1.3.2 RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Se llama as porque solo utiliza el semiciclo positivo. La fuente de AC, es normalmente el
devanado secundario de un transformador conectado a la red pblica de AC o un Generador
de Funciones.
Va= Vin
Vb= Vout
Va= Entrada de voltaje

Vb= Voltaje de salida
RL= Resistencia de carga, en la cual observaremos la
salida.
Vin= Voltaje de entrata proporcionado por el transformador
Vout= Voltaje de salida, solo el semiciclo positivo.
SEMICICLO POSITIVO
El voltaje de entrada alterno para el semiciclo positivo, polariza directamente el diodo de tal
forma que podremos observar a la salida el semiciclo positivo, a diferencia que con el
semiciclo negativo que:
SEMICICLO NEGATIVO
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Debido a que el diodo se encuentra polarizado inversamente por el semiciclo negativo, en la
seal de salida observaremos una lnea o cero volts durante el tiempo que tarda el semiciclo
negativo. Debido a esto, la forma de onda para el ciclo completo quedara de la siguiente
forma.
FORMA DE ONDA DURANTE EL CICLO COMPLETO
Este rectificador slo acopla la mitad positiva del voltaje de la carga. El voltaje de CA se
representa mediante una funcin seno, el rectificador es un diodo ideal, y la carga se representa
por un resistor, aunque en la prctica, la carga seran los circuitos electrnicos que requieren
potencia de CD.
Cuando el Vi es positivo, el diodo enciende y la I fluye, pero cuando el Vi es negativo, el diodo
se apaga y no fluye corriente
1.3.3 Rectificador de Onda Completa tipo Puente
El circuito rectificador de onda completa tipo puente de la siguiente figura, es el que se
utiliza si lo que se desea es utilizar todo el voltaje del secundario del transformador (en el caso
de un transformador con derivacin central).
Cuando se utiliza la derivacin puesta a tierra, en el circuito con transformador de derivacin
central, la tensin de salida depende de la mitad de la tensin del secundario
17
La ventaja de no usar dicha conexin es que la tensin en la carga rectificada es el doble que la
que se obtendra con el rectificador de onda completa con 2 diodos.
Durante el semiciclo positivo de la tensin de la red, los diodos D1 y D3 conducen, esto da

lugar a un semiciclo positivo en la resistencia de carga. Los diodos D2 y D4 conducen durante
el semiciclo negativo, lo que produce otro semiciclo positivo en la resistencia de carga.
El resultado es una seal de onda completa en la resistencia de carga y en ambos tipos de
rectificadores de onda completa, la forma de onda de la corriente rectificada de salida, ser la
de una corriente continua pulsatoria, pero con una frecuencia de pulso doble de la corriente
alterna de alimentacin.
Ejemplo de funcionamiento y conexin.
18
19

Las graficas del funcionamiento tienen esta forma:
1.3.4 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON DERIVACION CENTRAL

En el circuito de la figura, ambos diodos no pueden encontrarse simultneamente en directa o en
inversa, ya que las diferencias de potencial a las que estn sometidos son de signo contrario; por
tanto uno se encontrar polarizado inversamente y el otro directamente. La tensin de entrada
(Vi) es, en este caso, la mitad de la tensin del secundario del transformador.
TENSION DE ENTRADA POSITIVA

El diodo 1 se encuentra en polarizado directamente (conduce), mientras que el 2 se encuentra en
inversa (no conduce). La tensin de salida es igual a la de entrada. El diodo 2 ha de soportar en
inversa la tensin mxima del secundario.
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TENSION DE ENTRADA NEGATIVA

El diodo 2 se encuentra en directa (conduce), mientras que el diodo 1 se encuentra en
inversa (no conduce). La tensin de salida es igual a la de entrada pero de signo contrario. El
diodo 1 ha de soportar en inversa la tensin mxima del secundario
1.4 DIODO ZENER

Se emplean para producir entre sus extremos una tensin constante e independiente de la
corriente que las atraviesa segn sus especificaciones. Para conseguir esto se aprovecha la
propiedad que tiene la unin PN cuando se polariza inversamente al llegar a la tensin de
ruptura (tensin de zener), pues, la intensidad inversa del diodo sufre un aumento brusco.
Para evitar la destruccin del diodo por la avalancha producida por el aumento de la
intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha corriente. Se producen desde
3,3v
y
con
una
potencia
mnima
de
250mW.
Los encapsulados pueden ser de plstico o metlico segn la potencia que tenga que disipar.
21

1.4.1 Smbolo, Caractersticas y Principio de Funcionamiento
El Diodo Zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente, en
este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo.
Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador

comn.
Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales
un voltaje constante.
Se analizar el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un elemento real y se debe
tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula
en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.
En el grfico se ve el smbolo de diodo zener (A - nodo, K - ctodo) y el sentido de la corriente
para que funcione en la zona operativa
DIFERENTES SIMBOLOS
PARA UN DIODO ZENER
Los diodos zener se identifican por una referencia, por ejemplo 1N3828 o BZX85 y se especifican
principalmente por su voltaje zener (Vz) y la potencia mxima que pueden absorber en forma
segura sin destruirse (Pz). Actualmente se consiguen diodos zener con valores estndar de Vz
desde 2V hasta 200V y valores mximos de Pz de 250mW, 1/2W, 1W, etc.
Para mayor informacin, consulta el siguiente link:

http://www.vishay.com/diodes/zener-stabilizers/
22

Ejemplos de matrculas:
1/2W: ZMM2V4, ZMM2V7, ZMM3V0, ZMM3V3, ZMM3V6, ZMM3V9, ZMM4V3, ZMM4V7, ZMM5V1,
ZMM5V6, ZMM6V2, ZMM6V8, ZMM7V5, ZMM8V2, ZMM9V1, ZMM10, ZMM11, ZMM12, ZMM13,
ZMM15, ZMM16, ZMM18, ZMM20, ZMM22, ZMM24, ZMM27, ZMM30, ZMM33, ZMM36, ZMM39,
ZMM43, ZMM47, ZMM51, ZMM56, ZMM62, ZMM68, ZMM75.
1W: ZM4728, ZM4729, ZM4730, ZM4731, ZM4732, ZM4733, ZM4734, ZM4735, ZM4736, ZM4738,
ZM4739, ZM4740, ZM4741, ZM4742, ZM4743, ZM4744, ZM4745, ZM4746, ZM4747, ZM4748, ZM4749,
ZM4750, ZM4751, ZM4752, ZM4753, ZM4754, ZM4755, ZM4756, ZM4757, ZM4758, ZM4759, ZM4760,
ZM4761, ZM4762, ZM4763, ZM4764, 1N4728, 1N4729, 1N4730, 1N4731, 1N4732, 1N4733, 1N4734,
1N4735, 1N4736, 1N4738, 1N4739, 1N4740, 1N4741, 1N4742, 1N4743, 1N4744, 1N4745, 1N4746,
1N4747, 1N4748, 1N4749, 1N4750, 1N4751, 1N4752, 1N4753, 1N4754, 1N4755, 1N4756, 1N4757,
1N4758, 1N4759, 1N4760, V4761, 1N4762, 1N4763, 1N4764.
CURVA CARACTERISTICA
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Donde:
VZmin= Voltaje Zener Mnimo
VZmax=Voltaje Zener Mximo
VZnom=Voltaje Zener Nominal
VR=Voltaje Reverse por sus siglas en Ingles o Voltaje en polarizacin Inversa
VF=Voltaje Forward por sus siglas en Ingles o Voltaje en polarizacin directa
IR=Corriente Reverse por sus siglas en Ingles o Corriente en polarizacin Inversa
IF= Corriente Reverse por sus siglas en Ingles o Corriente en polarizacin directa
1.4.2 REGULADOR DE VOLTAJE CON CARGA VARIABLE
Para este regulador probamos diferentes valores de Resistencia con el fin de observar si el
Diodo Zener conducir y funciona como regulador.
Con el fin de encontrar los valores de RL mnima y la corriente de carga mxima que tendr el
diodo Zener y se realizara como sigue para el siguiente circuito:
VL=Vz=RLVi
RL+R
Y despejando para RLmax nos queda: RLmax= RVZ

Vi VZ
Cualquier valor de resistencia mayor que RL obtenido a partir de la ecuacin anterior

aseguraremos que el Zener permanezca encendido y el diodo puede sustituirse por su fuente
equivalente VZ.
Para el clculo de ILmax=VL = VZ
RL
RLmax
24

La frmula para calcular el voltaje VR ser: VR=Vi - VZ
La corriente del Zener ser: IZ=IR-IL
Cundo la Iz es mnimo la IL es mxima y viceversa, mediante la hoja de datos que nos da la IZmax
al sustituirla IZmax por IZ establecemos la IL como:
Para calcular la Imax=IR - IZmax y para la resistencia de carga mxima como RLmax=VZ
ILmax
1.4.3 REGULADOR DE VOLTAJE CON FUENTE VARIABLE
Vent = Voltaje de la fuente (Variable).

Vsal = Voltaje en las terminales del zener.
VR = Voltaje en la resistencia
Vent
Vsal
VR
Iz
1V
1V
0V
=0A
3V
3V
0V
=0A
5V
5V
0V
=0A
6.2V
6.2V
0V
0A
7V
6.2V
0.8V
0A
9V
6.2V
2.8V
0A
11V
6.2V
4.8V
0A
25

En el circuito anterior se asume Vz=6.2V. Para valores de Vent menores de 6.2V el diodo no
conduce, comportndose como circuito abierto, por lo tanto la corriente es cero y el Vsal = Vent.
Para valores de Vent mayores de 6.2V, el diodo si conduce, comportndose como una fuente de
voltaje de 6.2V. Por lo tanto la corriente es diferente de cero y el Vsal=6.2V. El voltaje excedente
se encuentra en la resistencia, denominada resistencia de drenaje, la cual limita la corriente a
travs del zener a un valor seguro.
1.5
Diodos emisores y receptores de Luz

1.5.1 Diodo Emisor de Luz (LED)
El LED o Light Emitting Diode en ingles es un tipo especial de diodo, que trabaja como un
diodo comn, pero que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz.
Smbolo del LED:

Existen diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual fueron
construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo, entre otros, elctricamente
el diodo LED se comporta igual que un diodo de silicio o germanio.
Si se pasa una corriente a travs del LED, se inyectan electrones y huecos en las regiones P y
N, respectivamente, dependiendo de la magnitud de la corriente, hay recombinacin de los
portadores de carga (electrones y huecos).
Hay un tipo de recombinaciones que se llaman recombinaciones radiantes). La relacin entre

las recombinaciones radiantes y el total de recombinaciones depende del material
semiconductor utilizado (GaAs, GaAsP,y GaP)
Dependiendo del material con el que se fabrica el LED, ser la emisin de la longitud de onda
y por ende el color.
26
Debe de escogerse bien la corriente que circula por el LED, para obtener una buena
intensidad luminosa y evitar que este se pueda daar.
El LED tiene un voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la
gama de corrientes que debe circular por l est entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los
diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LEDs.
Los diodos LED tienen enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como su
bajo consumo de energa, su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000
horas.
El diodo LED debe ser protegido. Una pequea cantidad de corriente en sentido
inverso no lo daar, pero si hay picos inesperados puede daarse.
Una forma de protegerlo es colocar en paralelo con el diodo LED pero apuntando en sentido
opuesto un diodo de silicio comn protegerla por una resistencia limitadora.
El LED se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta situacin

especfica de funcionamiento.
27

Tambin Existen:
LEDs infrarrojos (IREDs) que emiten una luz invisible para el ojo humano.
LEDs lser, que emiten una luz altamente concentrada y coherente.
LED bicolor, Estn formados por dos diodos conectados en paralelo e inverso. Se suele
utilizar en la deteccin de polaridad.
LED tricolor, Formado por dos diodos LED (verde y rojo) montado con el ctodo comn.
El terminal ms corto es el nodo rojo, el del centro, es el ctodo comn y el tercero es el
nodo verde.
Tpicamente VF es del orden de 1.2V a 4V y VR del orden de 4V a 6V. Se consiguen LEDs con
valores de IF desde menos de 20mA hasta ms de 100mA e intensidades desde menos de 0.5
mcd (milicandelas) hasta ms de 4000 mcd. Entre mayor sea la corriente aplicada, mayor es el
brillo y viceversa. El valor de VF depende del color, siendo mnimo para LEDs rojos y mximo
para LEDs azules.
Para identificar los terminales del diodo LED observaremos como el ctodo ser el terminal ms
corto, siendo el ms largo el nodo. Adems en el encapsulado, normalmente de plstico, se
observa un chafln en el lado en el que se encuentra el ctodo
28
LED: ( Light Emitting Diode).-Es un diodo que presenta un comportamiento parecido al de un

diodo rectificador sin embargo, su tensin de umbral, se encuentra entre 1,3 y 4v dependiendo
del color del diodo.
Color
Tensin en directo
Material de construccin
Infrarrojo
1,3v
GaAs Zn
Rojo
1,7v
GaP + ZnO
Naranja
2,0v
GaAsP + fosforo
Amarillo
2,5v
GaAsP + fosforo
Verde
2,5v
GaAsP + Nitrogeno
Azul
4,0v
29

1.5.2 Arreglos de LEDs (Display)
El display de 7 segmentos es un dispositivo usado para presentar informacin de forma
visual. Esta informacin es especficamente un dgito decimal del 0 (cero) al 9 (nueve), por lo
que se intuye que el cdigo BCD est involucrado. El Display consta de 7 LED's (Light Emisor
Diode), uno por cada segmento, que se encendern o apagarn dependiendo de la informacin
que se les enve (pero tambin existen display 7 segmentos de cristal lquido, incandescentes,
etc.).
El display 7 segmentos tiene una estructura similar a:
Los 7 led's vienen indicados por las letras a, b, c, d, e, f y g. Con stos pueden formarse todos
los dgitos decimales. Por ejemplo, para formar el nmero tres deben activarse los led's a, b, c, d
y g y desactivar los e y f. Para el uno se usan los led's b y c (ojo, esta es la combinacin correcta
no e y f). De forma anloga se procede para el resto de los casos. Veamos cmo queda:
30

Estos dispositivos pueden ser de tipo nodo Comn
En este caso para activar cualquier elemento hay
que poner el ctodo del elemento a tierra a travs
de una resistencia para limitar la corriente que
pasa por el elemento
CODIGO BCD (BINARIO CODIFICADO EN DECIMAL): Que se puede representar en el Display
nodo Comn o Ctodo comn y sus caractersticas, pero no solo este cdigo puede
representarse en los Displays, el cdigo Hexadecimal, donde en este podemos representar la
letra B y D con letras minsculas.
a
31

Para activar un segmento de estos hay que poner el
nodo del segmento a encender a Vcc (tensin de la
fuente) a travs de una resistencia para limitar el paso
de la corriente
Ctodo Comn
TABLA DE VERDAD CTODO COMN

a
Mayor informacin para configuraciones:

http://www.vishay.com/docs/85604/bzx55.pdf
32

1.5.3 Diodo emisor de infrarrojos (IRED)
El sensor es un dispositivo electrnico/mecnico/qumico que mapea un atributo ambiental
resultando una medida cuantizada, normalmente un nivel de tensin elctrica.
Particularmente, el sensor infrarrojo es un dispositivo electrnico capaz de medir la radiacin
electromagntica infrarroja de los cuerpos en su campo de visin. Todos los cuerpos reflejan una
cierta cantidad de radiacin, esta resulta invisible para nuestros ojos pero no para estos aparatos
electrnicos; ya que se encuentran en el rango del espectro justo por debajo de la luz visible.
Se basan en la combinacin de un emisor y un receptor prximos entre ellos, normalmente
forman parte de un mismo circuito integrado. El emisor es un diodo LED infrarrojo (IRED) y el
componente receptor el fototransistor.
Los rayos infrarrojos se caracterizan por ser portadores de calor radiante. Estos rayos son
producidos en mayor o menor intensidad por cualquier objeto a temperatura superior al cero
absoluto.
Estn diseados especialmente para la deteccin, clasificacin y posicionado de objetos; la
deteccin de formas, colores y diferencias de superficie, incluso bajo condiciones ambientales
extremas.
Este componente puede tener la apariencia de un LED normal, la diferencia radica en que la luz
emitida por el no es visible para el ojo humano, nicamente puede ser percibida por otros
dispositivos electrnicos.
33
1.5.4 Diodo Laser

La construccin de un Diodo Lser
Se ensea la estructura bsica en capas de un lser de diodo simple en la figura.
Estructura de un Diodo Laser
Las capas de los materiales semiconductores estn dispuestas de modo que se crea una regin
activa en la unin p-n , y en la que aparecen fotones como consecuencia del proceso de
recombinacin . Una capa metlica superpuesta a las caras superior e inferior permite aplicar un
voltaje externo al lser . Las caras del semiconductor cristalino estn cortadas de forma que se
comportan como espejos de la cavidad ptica resonante.
34

La figura describe la forma en que la radiacin lser electromagntica es emitida en forma
rectangular y se difunde a diferentes ngulos en dos direcciones.
Los portadores de carga en un lser de diodo son los electrones libres en la banda de
conduccin, y los agujeros positivos en la banda de valencia.
En la unin p-n , los electrones "caen" en los agujeros , que corresponden a niveles de energa
ms bajos. El flujo de corriente a travs de la unin p-n del lser de diodo ocasiona que ambos
tipos de portadores (agujeros y electrones) se recombinen, siendo liberada energa en forma de
fotones de luz.
La energa de un fotn es aproximadamente igual a la de la brecha de energa.
La brecha de energa viene determinada por los materiales que componen el diodo lser y por su
estructura cristalina.
Es una tira estrecha de la capa activa ( Stripe Geometry - Geometra en tiras ), confinada por
todos los lados ( tanto por los lados como por arriba y abajo ) con otro material . Esta familia de
lseres se denomina Index Guided Lasers - Lseres orientados al ndice.
35
Se requieren monturas especiales para los lseres de diodo , debido a su tamao miniaturizado ,
para poder ser operativos y cmodos.
Existen muchos tipos de monturas, pero quizs el ms estndar es similar a un transistor , e
incluye en la montura las pticas necesarias para colimar el haz.
36
Montura de un lser de diodo comercial

1.5.5 Fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la
luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo
que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz.
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente inversa puede
ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que pasa por la ventana e incide
sobre la unin P-N. A mayor cantidad de luz incidente, mayor es la corriente inversa producida
porque se genera un mayor nmero de portadores minoritarios y viceversa.
Son muy utilizados como sensores de luz en fotografa, sistemas de iluminacin, contadores de
objetos, sistemas de seguridad, receptores de comunicaciones pticas y otras aplicaciones.
37

1.5.6 Optoacopladores
El Optoacoplador es un dispositivo que se compone de un diodo LED y un fototransistor, de
manera de que cuando el diodo LED emite luz, ilumine el fototransistor y conduzca.
Estos dos elementos estn acoplados de la forma ms eficiente posible.
La corriente de salida IC del optocoplador (corriente de colector del fototransistor) es
proporcional a la corriente de entrada IF (corriente en el diodo LED).
La relacin entre estas dos corrientes se llama razn de transferencia de corriente (CTR) y
depende de la temperatura ambiente.
A mayor temperatura ambiente, la corriente de colector en el fototransistor es mayor para la
misma corriente.
La entrada (circuito del diodo) y la salida (circuito del fototransistor) estn 100% aislados y la
impedancia de entrada es muy grande (1013 ohms tpico)
El optoacoplador es un dispositivo sensible a la frecuencia y el CTR disminuye al aumentar
sta.
Este elemento puede sustituir a elementos electromecnicos como rels, conmutadores. De esta
manera se eliminan los golpes, se mejora la velocidad de conmutacin y casi no hay necesidad
de mantenimiento
OTROS TIPOS DE OPTIACOPLADORES
Optoacoplador con Fotodiodo - Optoacoplador con Darlington
38
Optoacoplador con Fototiristor (SCR) - Optoacoplador con Triac
1.6
Otros Diodos
1.6.1 Diodo Tnel
Diodo tnel (Tambin llamado diodo Esaki)

Los diodos tnel, se caracterizan por poseer una zona de agotamiento extremadamente
delgada y tener en su curva V-I una regin de resistencia negativa, donde la corriente
disminuye a medida que aumenta el voltaje. Est ltima propiedad los hace tiles como
detectores, amplificadores, osciladores, multiplicadores, interruptores, etc., en aplicaciones de
alta frecuencia.
1.6.2 Diodo Varactor

Diodo varactor (Tambin llamados diodos de sintona, varicap, epicap)
Todos los diodos cuando estn polarizados en sentido opuesto tienen una capacitancia que
aparece entre sus terminales.
Los diodos varactores o varicap han sido diseados de manera que su funcionamiento sea
similar al de un capacitor y tengan una caracterstica capacitancia-tensin dentro de algunos
lmites.
39

Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de agotamiento se forma en
la juntura.
Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico (aislante), ya que no hay ninguna carga y
flujo de corriente.
Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga, se puede
visualizar sin dificultad la formacin de un capacitor en el diodo (dos materiales
semiconductores deparados por un aislante). La amplitud de la zona de agotamiento se puede
ampliar incrementando la tensin inversa aplicada al diodo con una fuente externa.
Esto causa que se aumente la separacin (aislante) y separa ms las reas semiconductoras.
Este ltimo disminuye la capacitancia.
Entonces la capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo.
- Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye
- Si la tensin disminuye la capacitancia aumenta
Estas caractersticas permiten que estos diodos sea tiles como elementos de sintona
en receptores de radio y televisin. Son tambin muy utilizados en osciladores,
multiplicadores, amplificadores, generadores de F.M. y otros circuitos de alta
frecuencia.
SIMBOLO
40

1.6.3 Diodo schottky
Diodo schottky (Tambin llamados diodos de recuperacin rpida o de portadores
calientes)
El diodo Schottky son un tipo de diodo cuya construccin se basa en la unin metal conductor. La
conexin se establece entre un metal y un material semiconductor con gran concentracin de
impurezas, de forma que solo existir un movimiento de electrones, ya que son los nicos
portadores mayoritarios en ambos materiales.
Al igual que el de germanio, y por la misma razn, cuando la tensin de umbral alcanza la
conduccin es de 0,2 a 0,3v. Igualmente tienen una respuesta notable a altas frecuencias,
encontrando en este campo sus aplicaciones ms frecuentes.
Fue desarrollado por la Hewlett-Packard en USA, a principios de la dcada de los 70.
Un inconveniente de esto tipo de diodos se refiere a la poca intensidad que es capaz de soportar
entre sus extremos
SIMBOLO
Mayor informacin
http://www.yoreparo.com/articulos/electronica/componenteselectronicos-activos-diodos/
http://www.lu1dma.com.ar/grupooeste/eldiodo.htm
41
2. EL TRANSISTOR
El trmino "transistor" es la contraccin en ingls de transfer resistor (resistencia de
transferencia").
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador,
conmutador o rectificador.
Un amplificador es un dispositivo en el que una dbil corriente producida por una fuente provoca
una fuerte corriente en otra fuente.
Una amplificacin es un aumento de magnitud o intensidad de una seal y no, un
aumento de energa; es decir, no es que de un amplificador salga ms de lo que entra
y por lo tanto haya una creacin de algo; lo que ocurre es que sale agrandado, es
decir, amplificado.
2.1 CLASIFICACION DE TRANSISTORES

2.1.1 Transistor de unin bipolar (BJT)
Clasificaremos a continuacin a los transistores segn construccin y forma de funcionamiento:
Transistor de unin bipolar (BJT): Existen dos tipos, PNP y NPN; se utilizan para amplificar
seales analgicas, tratamiento de seales digitales y como conmutador de potencia elctrica, en
circuitos con componentes discretos e integrados.
2.1.2 Transistor de efecto de campo (FET)
Transistor de efecto de campo (FET): Fundamentalmente tenemos dos tipos, los FET de
juntura (JFET) y los FET de metal-oxido-semiconductor (MOS o MOSFET).
*Los transistores JFET pueden ser de canal n o de canal p; estos, se utilizan para
amplificar seales de baja frecuencia y potencia (seales de audiofrecuencias).
* Los MOSFET (Metal-Oxide semiconductor fiel effect transistor) son transistores de
efecto de campo, que existen con un empobrecimiento o deplexin y pueden ser de canal n o
canal p; estos tienen aplicaciones limitadas en amplificadores de radiofrecuencias de alta
frecuencias en etapas de entrada, por su bajo nivel de ruido.
Los MOSFET de enriquecimiento o acumulacin, se utilizan ampliamente en los sistemas digitales
de alta densidad de integracin como las compuertas lgicas, memorias semiconductoras,
microprocesadores, microcontroladores etc. Tambin se disponen de MOSFET de enriquecimiento
como conmutador de alta potencia elctrica (ejemplo el VMOS).
La diferencia bsica entre estos dos transistores es que el BJT es un dispositivo
controlado por corriente y el JFET es controlado por voltaje.
42

2.2 Transistor NPN y PNP
Dependiendo de la aplicacin es el transistor que se utiliza segn sus caractersticas y
propiedades.
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede ser de
germanio o silicio. El trmino Bipolar en el BJT indica que est basado en Huecos y Electrones
para su operacin.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, la flecha que se ve en el grfico indica el tipo
de transistor y la direccin del flujo de la corriente.
La configuracin del NPN es ms utilizada porque la movilidad del electrn es mayor que la
movilidad de huecos en el semiconductor.
2.2.1 Construccin y smbolos
Aunque el transistor es un solo cristal con tres regiones, podra ayudarnos a comprender su
accin si lo consideramos como la unin de dos diodos, unidos por sus respaldos con una regin
en comn la base.
43
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y
emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de
transistor.
2.2.2 POLARIZACION
La polarizacin es aplicar un voltaje de CD que ayuden a establecer un nivel fijo de corriente y
voltaje adecuados para que el transistor funcione correctamente.
PARA LA POLARIZACION DE UN BJT PNP O NPN
44
Figura a
La unin base-emisor se polariza en forma directa. Los valores del voltaje de polarizacin ms
comunes son 0.3 v para el Ge y 0.7 v para el Si.
Lo que se obtiene con esta configuracin es una seccin que proporciona cargas (de huecos o de
electrones) que son captadas por otra seccin a travs de la seccin media. La terminal que
proporciona las cargas es el emisor y el que las recoge es el colector. La base es la parte de
en medio y forma las dos uniones, una con el colector y otra con el emisor. Adems, la base
controla la corriente en el colector. Este tipo de transistores recibe el nombre de transistores de
unin.
2.2.3 PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO

FUNCIONAMIENTO DEL EMISOR
El emisor P del transistor PNP de la figura inyecta huecos a su unin con la base. La direccin de
la corriente de huecos en el emisor est sealada por la flecha que aparece en su smbolo.
Cuando la flecha apunta hacia la base, la unin entre el emisor y ella es del tipo PN y viceversa
para el NPN.
FUNCIONAMIENTO DEL COLECTOR

La funcin del colector es remover las cargas de su unin con la base. En la figura a, el transistor
PNP tiene un transistor P que recibe huecos. En el transistor NPN, el colector N recibe electrones,
como se ve en la figura.
Figura a
45
Figura b
La unin base-colector siempre tiene un voltaje con polarizacin inversa. Los valores ms
frecuentes de este voltaje varan de 4 a 100 v. La polarizacin inversa impide el flujo de
portadores mayoritarios del colector hacia la base. Sin embargo, en la direccin opuesta, de la
base hacia el colector, el voltaje en este ltimo atrae las cargas en la base que proporciona el
emisor.
FUNCIONAMIENTO DE LA BASE
La base separa el colector del emisor. La unin base-emisor tiene polarizacin directa y, por
tanto, la resistencia del circuito del emisor es muy baja. La unin base-colector tiene
Polarizacin inversa y, por consiguiente, la resistencia del circuito del colector es muy grande.
Cuando aplicamos voltajes de CD se definen una serie de tensiones y corrientes en el transistor,
como sigue:
CORRIENTES
Figura 2
Figura 1
IB
VOLTAJES
IC
IC
vBC
vCB
IB
vEC
IE
IE
vEB
vCE
vBE
Se deduce por lo tanto que para ambas configuraciones la,
IE = IC + IB
46

CORRIENTE EN LAS TERMINALES
Para que el transistor funcione es necesario que el circuito base-emisor controle la corriente del
colector. El emisor tiene una contaminacin considerable de impurezas con el fin de proporcionar
portadores mayoritarios. Sin embargo, la base tiene una cantidad pequea de impurezas y es
muy delgada, lo cual permite que las cargas puedan moverse hacia la unin con el colector. El
voltaje en el colector es relativamente grande. Como consecuencia de estos factores,
prcticamente todas las cargas inyectadas a la base por el emisor circulan por el circuito del
colector.
Es comn que entre un 98% y 99% de las cargas inyectadas por el emisor formen la corriente
del colector Ic. El restante 1% y 2% pasa a formar la corriente de base Ib.
El emisor de la figura 2 proporciona una corriente Ie de 10 mA. De sta corriente, se inyectan 9.8
mA en el circuito del colector. Esta corriente es Ic. Solo 0.2 mA, o sea 200 microA, regresan de la
base al emisor, esta corriente es Ib.
As: Ie = Ic + Ib
Ntese que Ie en la figura 2 est marcada como negativa con el nico fin de indicar que su
direccin es opuesta a la de Ic e Ib. Es una prctica general considerar la corriente de huecos
que ingresa en un semiconductor como la direccin positiva de I. Dado que Ie es un flujo de
electrones que ingresa al transistor, la direccin de esta corriente I es negativa.
Algebraicamente, los valores son:
-10 mA + 9.8 mA + 0.2 mA = 0
En trminos prcticos, la frmula establece que la suma de las corrientes de la base y el colector
es igual a la corriente del emisor, la cual se considera como la fuente de corriente.
En transistores de potencia, los valores de Ie e Ic generalmente son del orden de amperes. En
transistores ms pequeos, estas corrientes son del orden de miliamperios, mientras que la de la
base Ib tiene un intervalo de micro amperes. En todos los casos, Ic e Ib regresan al emisor a
travs del circuito externo, que es la fuente de las cargas.
LA CORRIENTE DE BASE CONTROLA LA DE COLECTOR.
Cuando Ib aumenta al incrementarse el voltaje de polarizacin directa, las cargas mayoritarias
que estn en la base se inyectan en el colector. por consiguiente, el aumento de Ib incrementa
Ic.
47
2.2.4 PRUEBA DE TRANSISTORES E IDENTIFICACION DE TERMINALES

IDENTIFICACION ELECTRICA
Se hace mediante el uso del multimetro, colocando la perilla en hfe y poniendo el transistor en
las ranuras marcadas con E, B, C, E; si el transistor se conecta en la posicin correcta aparecer
una lectura que ser la Beta del Transistor, de lo contrario NO tendremos ningn valor y
debemos intentar con otra posicin.
MANUAL DE REEMPLAZO
Se debe buscar la matricula en el manual de semiconductores o ECG, en el cual encontraremos
las caractersticas de funcionamiento, parmetros y diagramas, as como la configuracin de sus
terminales.
IDENTIFICACION MEDIANTE PRUEBA DE DIODOS
Se debe colocar el multimetro en prueba de diodos, partiendo que sabemos si es un transistor
NPN o un PNP, colocamos la terminal del multimetro segn corresponda a la configuracin en la
terminal media del transistor y alternamos la otra terminal del multimetro entre los extremos del
transistor, observando que lectura nos da el multimetro en cada terminal de los extremos. La
terminal del emisor ser la lectura ms baja.
2.2.5 HOJA DE ESPECIFICACIONES DEL TRANSISTOR
Datasheet 2n2222
2.3 CONFIGURACIONES BASICAS DEL BJT
Se puede observar que las fuentes de voltaje que se utilizaran sern las siguientes:
Configuracin
Base Comn
Emisor Comn
Colector Comn
VEE
VBB
X
VCC
48

2.3.1 Diagramas
Para la configuracin BASE COMN:

BASE COMN
BASE COMN
NPN
Emisor-> Entrada
Base -> Tierra
Colector -> Salida
PNP
Emisor-> Entrada
Base -> Tierra
Colector -> Salida
El comportamiento del BJT en configuracin de Base Comn, puede analizarse a travs de sus
curvas caractersticas de forma similar al Diodo.
2.3.2 Caractersticas y principio de funcionamiento
2.3.3 Curvas caractersticas
En esta curva se puede ver el comportamiento del transistor como un diodo, donde alcanzando
.7V comienza a conducir, se puede ver que la variacin del voltaje de salida VCB tiene un efecto
muy bajo en las caractersticas VBE= .7V aunque vari IE.
La curva caracterstica de salida se grafica en funcin de la corriente de Salida IC y la tensin de
salida VCB para varias corrientes de entrada IE.
49
En esta curva podemos ver que IC es aproximadamente igual a IE cuando incrementa la corriente
de Emisor, incrementa la corriente de colector casi Igual a IE. El efecto del incremento de VCB es
casi nulo sobre la corriente de colector en la zona activa.
El transistor tiene un circuito de entrada que interacta con un circuito de salida para
proporcionar una Ganancia.
La Ganancia es el nivel de amplificacin que puede proporcionar el transistor cuando
este funciona como tal. Por ejemplo: si tenemos una ganancia de 20 producir una seal de
salida cuya amplitud ser 20 veces mayor que la seal de entrada.
La Ganancia en un amplificador nos habla de una capacidad que tiene para amplificar corriente,
cuanto mayor es la ganancia de un transistor, ms puede amplificar la corriente.
Para obtener cuanta ser la ganancia de un transistor en configuracin de base comn se
obtiene mediante la relacin de la Isalida entre la IEntrada esto es:
Ganancia de Corriente = Corriente de Salida/Corriente de Entrada
Para Base comn:
hfb = IC/IE
donde: IC es la Corriente de Colector como Corriente de Salida

IE e la Corriente de Emisor como Corriente de Entrada
50

Idealmente = 1, Esto porque la corriente del emisor es un poco mayor a la corriente de
colector debido a que una parte se fuga a la base, pues tiene dos trayectorias IE -> IC e IE ->IB
por lo que recordemos que IE = IC + IB.
Este configuracin Base Comn solo AMPLIFICA VOLTAJE.
Ejercicio:
1. Un circuito de Base comn IE= 6mA y IC=5.83mA, Cul ser la Ganancia de corriente?
Para la configuracin EMISOR COMN:

EMISOR COMN
EMISOR COMN
NPN
Emisor-> Tierra
Base -> Entrada
Colector -> Salida
PNP
Emisor-> Tierra
Base -> Entrada
Colector -> Salida
El Emisor comn tanto de entrada (Emisor - Base) y salida (Colector - Emisor) se encuentra a
tierra, sea comn a la base y al colector.
Recordemos las direcciones de corrientes y los voltajes que se derivan despus de aplicar una
polarizacin.
Ejercicio:
Coloca la direccin de corrientes y los voltajes en la configuracin PNP
CORRIENTES
Figura 2
Figura 1
IB
VOLTAJES
IC
IC
vBC
vCB
IB
vEC
IE
IE
vEB
vCE
vBE
51

Para esta configuracin las caractersticas de entrada se observa la grafica siguiente, donde la
corriente de entrada (IB) y el voltaje de entrada (VBE) para varias tensiones de salida (VCE)
Se observa que es como la grafica de ruptura de un diodo de silicio polarizado directamente.
Alcanzando los .7v comenzara a conducir por lo que se ver que VBE = .7v
En el circuito de salida se observa la grafica siguiente en la cual se era la corriente de salida (IC)
y la variacin del voltaje VCE para varios valores de corriente de entrada (IB), podemos notar la
que las curvas no son horizontales a diferencia de la configuracin de Base Comn, en esta
existe un aumento en la IC y el incremento del voltaje VCE no es nulo, por lo que repercute en el
valor de la corriente de colector. Al incrementarse la corriente de base y el voltaje de VCE,
incrementa la de salida IC.
52
La Ganancia para esta configuracin parte de la relacin de IE = IB + IC la cual NO cambia, por lo

tanto podemos obtenerla mediante la siguiente ecuacin:
Para esta configuracin llamaremos a la ganancia como , y se obtiene tambin del anlisis de la
Corriente de Salida entre la Corriente de Entrada
hfe = IC / IB
La depender de cada transistor, est puede variar de entre 50 y ms de 400.
Esta configuracin amplifica Corriente y Voltaje, como se observa en la grafica anterior.
La relacin entre la ganancia de la Configuracin Base Comn y Emisor Comn se describe en la
siguiente relacin:
= IC / IB ;
= IC/IE
tenemos que: (recordemos que la relacin para ambas
ecuaciones es IC y sustituimos en la ecuacin IE = IC + IB)
= /1
=/+1
53
Para la configuracin COLECTOR COMN:

Esta configuracin no es posible puesto que el transistor est construido para amplificar
corriente o voltaje y su estructura interna de emisor, base y colector est definida para que la
entrada sea el Emisor y como salida el Colector, adems de que la base ser la que regule la
ganancia de salida.
Esta configuracin se emplea principalmente para propsitos de acoplamiento de impedancia ya
que tiene una elevada impedancia de entrada y una baja impedancia de salida.
COLECTOR COMN
COLECTOR COMN
NPN
Emisor-> Entrada
Base -> Salida
Colector -> Tierra
NO ES POSIBLE POR LA
CARACTERISTICAS DE
LOS MATERIALES.
PNP
Emisor-> Entrada
Base -> Salida
Colector -> Tierra
NO ES POSIBLE POR LA
CARACTERISTICAS DE LOS
MATERIALES.
Mayor informacin..
http://es.scribd.com/doc/73229305/Tema-3-Transistores-de-Union-Bipolar-Bjt
2.4 Zonas de trabajo del BJT
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:
2.4.1 ACTIVA DIRECTA
El transistor slo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante
controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).
Este parmetro lo suele proporcionar el fabricante dndonos un mximo y un mnimo para una
corriente de colector dada (Ic); adems de esto, suele presentar una variacin asociada con la
temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor.
Algunos polmetros son capaces de medir este parmetro pero esta medida hay que tomarla
solamente como una indicacin, ya que el polmetro mide este parmetro para un valor de
corriente de colector distinta a la que circular por el BJT una vez en el circuito.
Para que el transistor funcione en esta zona debemos polarizar directamente la unin Emisor
Base e inversamente la unin Base Colector.
Se definen los siguientes parmetros que permiten graficar la operacin de un transistor.
54

Punto de Operacin: tambin llamado punto Q, est determinado por el valor de voltaje de
salida, corriente de salida y en ocasiones por la corriente de entrada. Estos valores se determinan
por el tipo de polarizacin.
Punto de Saturacin: es el punto en el cual la lnea de carga cruza el eje de las y. Es la

mxima corriente del circuito.
Punto de Corte: Es el punto en el cual la recta de carga cruza el eje de las x. Es el mximo
voltaje de salida del circuito.
2.4.2 CORTE
El transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos digitales, etc.), y
podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prcticamente nulas.
Es conocido por ser el voltaje mximo de salida y se ubica en el eje X.
Un transistor esta en corte cuando la unin Emisor Base y el circuito de salida (Base - colector)
estn polarizados inversamente.
2.4.3 SATURACIN
En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutacin (potencia, circuitos
digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.
Se conoce tambin como la mxima I de salida y se grafica en el eje y.
Para que el transistor funcione en saturacin el circuito de entrada y salida deben estar
polarizados directamente.
55
2.4.4 Funcionamiento del transistor como switch

El transistor puede funcionar como switch cuando se vara el punto Q llevndolo a la regin de
corte o saturacin, esto puede ser mediante le clculo de los valores en los elementos que
compone el circuito BJT y tambin utilizando las configuraciones de polarizacin mencionadas
anteriormente.
Tipos de Encapsulados
TO-18
TO-39
TO-92
TO-126
TO-3P
TO-220AB
TO-220AC
TO-247AC
TO-3
56
3. Polarizacin del transistor de unin bipolar

3.1 Polarizacin Fija con dos Fuente en EC
3.1.1 Circuitos equivalentes y desarrollo de formulas de entrada y salida

Analizando el ckto de entrada por Ley de Voltajes
de Kirchoff
VBB=VRB + VBE
VBB=IBRB + VBE
Despejado para IB por ser el valor con mayor
probabilidad de no conocer, puesto que el VBE es
igual a .7v por ser una unin como un Diodo.
IB = VBB VBE
RB
Para encontrar el valor de la RB seria:
RB = VBB VBE
IB
Analizando el ckto de Salida utilizando de nuevo la
Ley de Voltajes de Kirchoff, vemos que:
VCC = VRC + VCE
VCC = IcRC + VCE
Despejando para VCE, nos queda:
VCE = VCC - IcRC
O bien despejado para IC;
IC = VCC - VCE
RC
Y RC = VCC - VCE
IC
57

Para realizar la graficar el comportamiento de este circuito se realiza el clculo de la
Isaturacion y el vcorte, se realiza de la siguiente manera:
ISat = VCC
VCorte = VCC
RC
3.2 Polarizacin estabilizada con una fuente en EC
3.2.1 Circuito equivalente y desarrollo de formulas de entrada y salida

Por Ley de voltajes de Kirchoff, tenemos:
VBB = VRB + VBE + VRE
VBB = VBE +IBRB + IERE
Sustituyendo la equivalencia de IE = (+1)IB
En la ecuacin anterior, nos queda:
VBB=VBE + IBRB + (+1)IBRE
VBB = VBE + IB [RB + (+1)RE]
Despejando para IB, nos queda:
IB = VBB - VBE
RB + (+1)RE
58

VCC = VRC + VCE + VRE
VCC = ICRC + VCE + IERE
Como ICIE
VCC = VCE + ICRC + ICRE
VCC = VCE + IC (RC + RE)
Despejando para VCE:
VCE = VCC - IC (RC + RE)
Clculos para el punto de saturacin:
Clculos para el punto de Corte
La suma de la resistencia de emisor a la polarizacin de CD, proporciona una mejor

estabilidad; esto es, las corrientes y voltajes de polarizacin de CD se mantienen ms
estables pese a que cambien las condiciones externas como el voltaje de
alimentacin, la temperatura e incluso la beta del transistor.
59

Polarizacin fija con Resistencia en emisor y una fuente.
VCC=VRB+VBE+VRE
VCC=IBRB+VBE+IERE
VCC=IBRB+VBE+(IB+IC)RE
VCC=IBRB+VBE+(IB+IB)RE
VCC=IBRB+VBE+IB(1+)RE
VCC=VBE+IB(RB+(1+)RE)
IB=VCC-VBE
RB+(1+)RE
60

VCC=VRC+VRE+VCE
VCC=ICRC+ VCE +IERE
VCC=ICRC+ VCE +ICRE
VCC=VCE +IC (RE +RC)
VCE= VCC - IC (RE +RC)
PUNTO DE SATURACION
IC SAT= VCC
RC+RE
PUNTO DE CORTE
VCORTE=VCC
61

3.3 Polarizacin por divisor de voltaje
3.3.1 Circuitos equivalentes y desarrollo de formulas de entrada y salida

RTH: La fuente de voltaje se reemplaza por
un corto circuito equivalente, como sigue:
RTH = R1//R2
ETH: La fuente de voltaje VCC se reintegra a
la red y el voltaje Thvenin del circuito
abierto. Aplicando la regla de divisor de
voltaje se determina como sigue:
ETH = VR2 = R2VCC
R1 + R2
La red Thvenin anterior, e IBQ se puede
determinar al aplicar la Ley de voltajes de
kirchoff y nos queda como sigue:
ETH = IBRTH + VBE + IERE
Sustituyendo IE = ( + 1)IB
62

IB = ETH - VBE
RTH + (+1)RE
Una vez que se encuentra IB el VCE se

puede obtener del mismo modo que
anteriormente.
VCC = VRC + VCE + VRE
VCC = ICRC + VCE + IERE
Como ICIE
VCC = VCE + ICRC + ICRE
VCC = VCE + IC (RC + RE)
Despejando para VCE:
VCE = VCC - IC (RC + RE)
PUNTO DE SATURACION
Para el Voltaje de Saturacin se utilizan las
mi formula que la del circuito de
polarizacin de emisor
IC SAT= VCC
RC+RE
PUNTO DE CORTE
VCORTE=VCC
63
4. AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL CON BJT EN EMISOR

COMN
4.1 INTRODUCCIN
Comenzaremos con el anlisis de la respuesta del transistor con Corriente Alterna (CA) a
pequea seal del amplificador BJT revisando los dos modelos que se utilizan con mayor
frecuencia, los cuales son: Equivalente hbrido y el re.
Como ya se vio con anterioridad, el transistor funciona como amplificador, esto es que la seal
de salida senoidal es mayor que la seal de entrada o que la potencia CA de salida es mayor que
la potencia de CA de entrada. Es posible realizar esta amplificacin mayor a uno, debido a la
potencia de la fuente de CD que se integra en nuestro anlisis; por lo tanto la eficiencia que
conocamos definida por:
= Po / Pi
Se reemplaza debido al factor de la fuente; en otras palabras existe un intercambio de potencia
de CD al dominio de CA, lo que permite establecer una muy alta potencia de salida de CA, por lo
que la ecuacin de eficiencia anterior se puede volver a reescribir de la siguiente forma:
Donde:
Po(CA) = Potencia de CA de la carga
Pi(CD) = Potencia suministrada por CD
= Po(CA) / Pi(CD)
Cualquier intento de exceder el lmite establecido por el nivel de CD resultar en un RECORTE

aplanado de la regin de pico de la seal de salida. Para un diseo apropiado de amplificador se
requiere que los componentes de CD y de CA sean sensibles a cada uno de los otros
requerimientos y limitaciones, puesto que los amplificadores de pequea seal de transistores
puedan considerarse lineales para la mayora de las aplicaciones, permitiendo el uso del teorema
de superposicin para separar el anlisis de CD del anlisis de CA.
Un modelo es la combinacin de elementos de circuito, seleccionados adecuadamente, que
mejor aproximan el comportamiento real de un dispositivo semiconductor en condiciones
especficas de operacin.
4.1.1 CONCEPTOS BASICOS
En base a la definicin de AMPLIFICACON, que recordemos es hacer ms grande una seal de
entrada, tanto de voltaje como de corriente, debemos tener en cuenta tambin que un
AMPLIFICADOR es el circuito que se implementa para realizar la amplificacin, aunque algunas
veces la seal de salida sale distorsionada, la cual es causada por una amplificacin muy grande.
NOTA: Es importante recordar que la seal de salida NO podr tener niveles de voltajes mayores
al voltaje de entrada.
Existen dos tipos de Amplificadores:
64

Amplificador lineal o de alta fidelidad: este no modifica la seal de entrada, esto es, entrega la
misma forma de onda pero con diferente amplitud.
Amplificador no lineal o de baja fidelidad: a diferencia del anterior, este s modifica la seal de
entrada, debido a que esta es muy grande.
Eficiencia de potencia de un Amplificador, es definida como el cociente entre la seal de salida y
la entrada de potencia pasando de la clase A a la Clase C.
Existen 4 tipos de Amplificadores llamados: Clase A, Clase B, Clase C y Clase AB.
Clase A: La seal de salida vara los 360 completos del ciclo.
Este amplificador utiliza solo un transistor y siempre se encuentra en encendido, obligndolo a
manejar la seal completa, con el fin de manejar una seal lo ms lineal posible. La operacin en
esta clase es insuficiente ya que el transistor est continuamente drenando una corriente
constante, potencia de la fuente de alimentacin, as como generando calor. La eficiencia es del
50%.
Clase B: La seal de salida vara solo 180 del ciclo de la seal de entrada.
En esta clase se utilizan dos transistores y en su salida estn complementados. Un par
complementario consiste en un transistor PNP y otro NPN, en el cual un transistor maneja la
parte positiva y el otro la parte negativa de la seal. En esta clase trabaja un transistor a la vez,
esto hace que el transistor que se encuentra apagado disipa el calor; esta configuracin se
conoce como push- pull (empuja y jala). La eficiencia terica de un amplificador de esta clase es
de 75%, puesto que solo trabaja cada transistor con media onda.
Clase C: La seal de salida vara durante menos de un semiperiodo de la seal de entrada
(menos de 180). La eficiencia de este circuito es mayor del 75%.
Clase AB: La seal de salida vara entre 180 y 360 del ciclo de la seal de entrada. La
eficiencia de este amplificador es de 50 y 75%.
GANANCIA: Es necesario conocer la ganancia, esto es, cuanta amplificacin se tendr. Existe
ganancia de voltaje, corriente y potencia.
-
La ganancia de voltaje AV es el cociente entre e voltaje de salida y el voltaje de entrada.

AV = VSAL / VENT
La ganancia de corriente AI es el cociente entre la corriente de salida y la corriente de
entrada. Ai = iSAL / iENT
La ganancia de potencia AP es el cociente entre la potencia de salida y la potencia de
entrada. AP = PSAL / PENT
Nota: Recordemos que P=IV y para incrementar el nivel de potencia de salida, se
aumenta la cantidad de corriente que este pude suministrar.
65

Ejemplo1: Si un amplificador tiene un voltaje de entrada de .2vPP y un voltaje de salida de
10vPP, la ganancia de voltaje ser:
AV = 10vPP= 50
.2vPP
Ejemplo2: Si se tiene un amplificador con ganancia de corriente igual a 500, se le aplica a una
resistencia de salida de 200 y si la corriente de entrada es de 10A Cul es el voltaje de
salida?
ISAL = AIIENT = 500(10A)= 5mA
VSAL = rSALISAL=200 (5mA)= 1V
Ejemplo3. Del ejemplo anterior y suponiendo que a la entrada del amplificador exista una
Resistencia de 1K , calcular AP.
PENT = (IENT)2(rENT)=.1W
PSAL = (VSAL)(ISAL) = 5mA
Y entonces: AP = PSAL = 5mW = 50,000
PENT 0.1W
4.1.2 TEOREMA DE SUPERPOSICION
En un Amplificador transistorizado, la fuente de CD proporciona corrientes y voltajes fijos. La
fuente de CA produce fluctuaciones en estas corrientes y voltajes. La forma ms simple para
analizar el circuito es la divisin de anlisis en dos partes: un anlisis de CD y un anlisis de CA.
En otras palabras, se puede aplicar el teorema de superposicin para el anlisis de amplificadores
transistorizados como se indica a continuacin con este circuito de ejemplo:
66

4.2 Anlisis en Corriente Directa
4.2.1 Polarizacin y recta
1. Reducir la fuente de corriente alterna a cero y abrir todos los capacitores.
(Al circuito resultante se llama circuito equivalente de CD. Con este circuito se pueden
calcular los voltajes y corrientes en CD que se deseen, adems de poder determinar el
punto Q para su operacin adecuada)
2. Reducir la fuente de CD a cero y poner en corto circuito todos los capacitores.

(Al circuito resultante se le llama Circuito Equivalente de CA. Con este circuito se hacen
los clculos de voltajes y corrientes de CA que desees.)
3. La calcular la corriente total o el voltaje total en cualquier rama del circuito es la suma de
las corrientes y/o lo voltajes de CC y CA que se encuentran presentes en cada rama.
67

4.2.2 Circuito equivalente en CD
La fuente controlada por corriente se encuentra conectada entre las terminales de colector
base, y el diodo entre las terminales de base y de emisor. En esta configuracin la IB es igual a la
Ientrada, mientras que la corriente de salida es IC. Por lo que la corriente que circula por el diodo se
determina de la siguiente forma:
IE=( + 1) IB Recordemos que las ecuaciones bases IE=IC+IB e IC=IB
Y debido a que la Beta en CA en mayor a 1, se hace uso de las siguientes aproximaciones:
IE IB
Para la impedancia de entrada se determina por la siguiente relacin Zi=Vi = VBE
Ii
IB
El VBE se obtiene por medio de la resistencia del diodo. El nivel de re todava se determina por la
corriente de CD IE. Por Ley de Ohm se llega a:
Vi= VBE=IEre IBre
La sustitucin nos lleva a Zi= VBE IBre se optiene Zire

IB
IB
Un elemento resistivo en la terminal de emisor se refleja en el circuito de entrada por un factor
multiplicativo .
Para la configuracin de emisor comn, los valores tpicos de Zi que se definen mediante re,
oscilan desde unos cuantos cientos de ohms hasta el orden de los k, con valores mximos de
entre 6 y 7 k.
68
Para la impedancia de salida Zo, cuando se incrementa la IC menor ser el nivel de impedancia de
salida. Este modelo de re no incluye una impedancia de salida, sin embargo se obtiene a partir de
un anlisis grfico o de hojas de datos, puede incluirse mediante la siguiente representacin:
Para la configuracin de Emisor Comn, los valores tpicos de Zo se encuentran en el intervalo

que va de los 40 a los 50k.
Si se establece a cero la seal aplicada, la IC es de 0A y la impedancia de salida es Zo=ro, como
en este modelo se ignora, la impedancia de salida seria infinita: Zo=.
A partir de estas definiciones el clculo de la ganancia de voltaje y para la direccin definida por
Io y polaridad de Vo, Vo=-IoRL, el signo menos refleja simplemente el hecho de que la direccin de
Io es por la polaridad del Vo con polaridad opuesta, por lo que se deriva lo siguiente
Vo=-IoRL = -ICRL = - IBRL y Vi = IiZi=IBre
Por lo que se obtiene: Av= Vo = - IBRL
reduciendo trminos,
Vi
IBre
Av=- RL
re
El signo representa que los voltajes de entrada y salida se encuentran defasados en 180
Para la configuracin de emisor comn puede considerarse como un moderado nivel de
impedancia de entrada, un voltaje y una ganancia de corriente altos y una impedancia de salida
que puede tener que incluirse en el anlisis.
69
4.3 ANLISIS EN CORRIENTE ALTERNA

4.3.1 CAPACITORES DE PASO Y DE ACOPLAMIENTO.
Los capacitores se aproximan a corto circuito para seales de CA y circuito abierto para seales
de CD. Por lo que los capacitores de paso se utilizan para eliminar (poner en corto) de manera
efectiva a los resistores durante la operacin en CA.
Los capacitores de paso (o derivacin): son similares a un capacitor de acoplamiento, con
excepcin de que se acopla un punto o conectado a tierra con un punto a tierra. Los capacitores
de paso se utilizan para eliminar (poner en corto) el resistor de emisor durante la operacin en
CA, incrementando as la ganancia del amplificador.
Los capacitores de acoplamiento: se utilizan para bloquear la corriente directa y permitir el
paso de a seal de CA.
Todos los capacitores de paso y de acoplamiento se consideran estables, lo cual significa que
actan casi como circuitos abiertos a la corriente directa y como circuitos en corto a la corriente
alterna.
4.3.2 MODELO DE rE (EBERS-MOLL)
Se realiza un circuito equivalente que consta de un diodo emisor en serie con una fuente de
corriente de colector.
En el uso de este mdelo, se suelen hacer las siguientes aproximaciones:
1. Se permite que VBE sea igual a 0.7V para transistores de Si y 0.3V para transistores de
Ge.
2. Se desprecia el voltaje IB(rb) (Esto equivale a tomar en cuenta el producto de IB y rb
como insignificante )
3. Se considera IC igual a IE porque en CC se aproxima a la unidad.
4. Se aproxima IB igual a IE / en CC es casi igual a IE.
70

En el modelo Ebers-Moll para CA, el diodo base a emisor se sustituye por una resistencia de
emisor a la CA.
4.3.3 PARMETROS DE AMPLIFICADORES EN CA.

Impedancia de Entrada (Zi): Se define por la Ley de Ohm como Zi = Vi/Ii
Es muy comn que para frecuencias menores a 100KHz.
1. La impedancia de entrada para un amplificador BJT es puramente resistiva, y
dependiendo de la manera en que se utilice el transistor, puede variar desde unos
cuantos Ohms hasta los Mega Ohms.
2. Adems no se puede emplear un Ohmetro para medir la impedancia de entrada en
pequea seal, eso debido a que ste opera en el modo CD.
Impedancia de Salida (Zo): Esta definida por la Ley de Ohm como: Zo = Vo/Io
1. La impedancia de salida de un amplificador BJT es resistencia por naturaleza, y
dependiendo de la configuracin y colocacin de los elementos resistivos, Zo puede variar
desde unos cuantos Ohms a un valor que puede exceder los 2 Mega Ohms.
2. Adems no se puede usar un Ohmetro para medir la impedancia de entrada en pequea
seal, eso debido a que ste opera en el modo CD.
Ganancia de Voltaje Av esta definida como: Av= Vo / Vi
Para los amplificadores BJT la ganancia de voltaje sin carga es mayor que la ganancia de voltaje
con carga. La Av de los amplificadores generalmente est entre 1 y unos cuantos cientos. Sin
embargo con un amplificador multietapas se puede tener ganancias de varios miles.
Ganancia de Corriente Ai est definida como:
Ai= Io / Ii
La ganancia de corriente Ai de los amplificadores generalmente varia desde un nivel apenas
inferior a 1 hasta un nivel que puede exceder los 100.
Ejemplo:
El transistor puede fallar al ponerse en corto o abierto entre cualquiera de sus conexiones. Es
importante fijar la polarizacin correcta con las resistencias, las seales de entrada y salida de
c.a. deben acoplarse desde el circuito sin perturbar los niveles de c. continua. Para conseguirlo se
emplean los condensadores C1 y C2.Ambos sern electrolticos y de valor alto, por ejemplo de 10
MicroF, para que el circuito pueda amplificar frecuencias bajas.
71
=44.63K
=
Analisis C.A. Sin ro:
72

Ii=Ib=7.56A
Zi=R1R2re
re= Voltaje de entrada para el Bjt

Io=Ic
Ai=
Zo=RL=6K
Ai=180
73
74

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APUNTES DE ELECTRONICA ANALGICA BSICA

Carrera: INFORMTICA Y COMPUTACIN

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

Semiconductor como Aislante

Aislantes: el carbn en un diamante de orden cristalino, muchos plsticos y cermicas, vidrio,

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

1.1.3 Definicin y Caractersticas de Semiconductor

Huecos y movimientos de huecos.

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

Corrientes de difusin: los electrones en el tipo-n se desplazan hacia el material tipo-p,

Recomendacin: A medida que los electrones se van desplazando en el material tipo-p

*Regin de empobrecimiento: en ambos lados de la unin pn, sufre una deficiencia

De esta manera se obtiene cargas descubiertas de enlace en la regin de empobrecimiento.

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

Debido a las cargas descubiertas, el diodo de unin PN tiene un voltaje interno

Corrientes de difusin: los electrones en el tipo-n se desplazan hacia el material tipo-p, y

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

1.2.3 Polarizacin Directa e Inversa

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

En esta polarizacin se ensancha la regin de empobrecimiento o deflexin y no conduce.

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

Rompimiento: Es cuando el diodo llega a su mxima conductividad hasta llegar a su ruptura.

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

Para este circuito deseamos saber el voltaje

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

1.3.1 Smbolo, Caractersticas y Principio de Funcionamiento.

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

Nota: La corriente de los huecos es en sentido opuesto a la corriente de los electrones.

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

Va= Entrada de voltaje

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

Durante el semiciclo positivo de la tensin de la red, los diodos D1 y D3 conducen, esto da

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

1.3.4 RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON DERIVACION CENTRAL

TENSION DE ENTRADA POSITIVA

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

TENSION DE ENTRADA NEGATIVA

1.4 DIODO ZENER

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

Si el diodo zener se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador

Para mayor informacin, consulta el siguiente link:

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

1.4.2 REGULADOR DE VOLTAJE CON CARGA VARIABLE

Y despejando para RLmax nos queda: RLmax= RVZ

Cualquier valor de resistencia mayor que RL obtenido a partir de la ecuacin anterior

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

Vent = Voltaje de la fuente (Variable).

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

Diodos emisores y receptores de Luz

Smbolo del LED:

Hay un tipo de recombinaciones que se llaman recombinaciones radiantes). La relacin entre

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

El LED se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta situacin

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

ING. CRISTINA GPE. VELAZQUEZ ARREOLA

LED: ( Light Emitting Diode).-Es un diodo que presenta un comportamiento parecido al de un