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5) Capacidad elctrica y
Condensadores
81
i)
Q
q
kQ
R
Q
V
82
Q
Q Q
4 0 R
V V k Q
R
C 4 0 R
Como se indico depende del medio y de la geometra. Adems
proporciona informacin importante acerca de la capacidad de un
sistema para almacenar energa por medio de la carga.
ii)
V+
+Q
V-
Q
V
-Q
r
E
+
+
+
+
+
Mg. Percy Vctor Caote Fajardo
83
r
o
E. da
GC
1
r
E. dr
2
C C (E )
Q
1
C
V QV ' V '
cond
1
0
d
V Edr { i}.{dxi}
0
0
0
2
d
Q
A
Q
0
d d Q
d
0
0 A
0 A
d
Q
V
V Q V '
1
r r
V E.dr
C
H
84
Aplicando LG,
h
Q
r r r
H
E.da E {2 r h}
0
SLat
v q ne
E
.
da
SG o
r
Q
E
2 r o H
R1
r r
V E.dr {
1
R2
Q
er }.{drer }
2 r o H
1
Q
dr
Q
R
V
{ }
Ln{ 2 }
2 o H R2 r
2 o H
R1
Q
1
R
V Q{
Ln{ 2 }
2 o H
R1
2 o H
R2
ln{ }
R1
2 o
C
H ln{ R2 }
R1
kkk) Condensador Esfrico
El condensador esfrico est formado por dos casquetes esfricos
conductores concntricos, de espesores despreciables, de radios R1
y R2 (R2>R1). Suponga que la esfera interior se carga a Q+,
mientras que la exterior se carga a Q-. Si en la regin entre esferas
existe vaco como aislante, entonces se calcula el campo elctrico
Mg. Percy Vctor Caote Fajardo
85
r
r
Q
Q
v q ne
2
E
.
da
E
{4
r
}
SG
o
0
4 r 2 0
Con lo cual, la diferencia de potencial queda como:
R1
r r
V E.dr {
1
R2
Q
er }.{drer }
4 r 2 o
1
Q
dr
Q 1 1
V {
} { 2 } V{
}
-
4 o R2 r
4o R1 R2
Q
Q
C
V
Q 1 1
{
}
-
4o R1 R2
jj)
4o R1R2
R 2 R1
: E del condensador
V1 V2
86
1
daV
2
1
1
daV1 daV2 :las superficies son equipotenciales
2
2
1
1
V1 da V2 da
2
2
1
1
V1Q V2Q
2
2
Q Q
Econd
Q Q
1
1
Econd Q V1 V2 QV
2
2
1
Econd QV
2
C=Q/V
De tal forma que si los procesos de carga son a V= cte o Q= cte, se obtendran,
E cond
1
CV 2
2
E cond
1 Q2
2 C
Caractersticas:
j) Conservacin de la q
87
= C1-1 +C2-1+C3-1
Para n Cs
i n
1
C { }
i 1 Ci
1
eq
Caractersticas:
j) Q = cte
q1+ q2+ q3 =q
jj) E=cte
V= V1=V2=V3
Si j), jj) y C=Q/V
Ceq = C1+ C2+ C3
Para n Cs
Ceq Ci
i
88
AISLANTE Polarizacin
E
P
r dpr
P
dV
89
MEDIOS DIELECTRICOS:
p
E
n
=
P
p
P.n
p .P
E DIE E p E p
DIE
q NE q l q p
SG
qN
ql = carga libre
qp = carga de polarizacin
EEE
r r ql q p
r r l p
E
.
da
E
SG
SG .da 0 V
0
1
r r { l p }
E
SG .da 0
{ i p }
r
1
E
.
da
0
V SG
r { p }
r
.E i
0 (.E ) .P l
0
lim
V 0
.( 0 E ) .P L
.{ 0 E P} L
90
r
.D L
r
r
P Z Z E , de tal forma que,
P 0 E
D 0 E 0 E { 0 ( 1)}E
D E
r r ql
E
SG .da , ql qle
OBSERVACIONES:
91
(1 )
0
r r qi
E
.da
+
+ +
- - - +P
+
- -.
+ - - +q
+
+
+
- +
sg
q
q K
K 0
0
E
q /k
K=1
q q/K
C : con dielctrico
CK
CK KC0 K
C0
C0 : sin dielctrico(vacio)
1
1
EK C V 2 KC0 V 2 KE0
2
2
EK KE0
Esto es, siempre que pueda seguirse cargando el condensador la energa
aumentara con dielctrico.
Mg. Percy Vctor Caote Fajardo
92
C:A,d
V
1
CV 2
2
1 A
2
0 Ed
2 d
1
0 ( Ad ) E 2
2
E cond
Econd
1
u u 0E 2
Vcond
2
u : densidad volumetrica
de energa en el condensador
En general, dada una distribucin de cargas que crea un campo elctrico en el
espacio,
93
Eel
1 r r
D.E dV
2 R3
Si asumimos l.i.h. : D= E
Eel
1 2
E dV
2
3
C
sumergida en un
m
r r
r
medio dielctrico de constante . Determine los vectores E , D y P .
SOLUCION:
z A
lih
r
E
er
SG
x
94
y
er
x
r
Aplicando la LG para dielctricos, obtenemos el E ,
r r qLE
E
er
2 r
r
El vector desplazamiento elctrico, D , lo obtenemos recordando que estamos
r
en un medio lih, donde se relaciona con E ,
r
r
D E 0 (1 ) , donde es la susceptibilidad elctrica del medio,
r
D(r )
er
2 r
r
r
Y el vector de polarizacin lo obtenemos de P 0 E
r
( 0 )
P(r ) 0 er
er
2 r
2 r
S3P35) Una varilla cilndrica de longitud L y base B tiene una polarizacin dada
r
C
2
por P a bx i 2 .Determine las densidades de carga.
m
SOLUCION:
95
n1
er
r
P
n1
B
L
r
p P.n
r
p .P
p (a b(0)) a
p (a b( L) ) a bL2
r
P
p .P x 2bx
x
S3P36) Determine la energa electrosttica almacenada por una densidad
volumtrica de carga uniforme, , almacenada en una esfera de radio R.
SOLUCION:
96
W E pe
1
E 2 dv
2 R3
Dentro de la esfera
r r q(r )
E
.ds 0
97
a)
C0 0
,K=5
, V=300
A
d Ck = KCo;
1
0
b) Q = CV = Ck. V QK CK V
1
c) Ek KE0 ; E0 Co V
2
r
r
d) P ? ; P Pi (2 placas paralelas)
P 0 E ; K 1 , E
Q
, K
r
e) D ?
r
r
D E; D D
98
D
z
x
K
a
b
a) E=? ;
- + Qp
q0 - + E
-+
- +
r en R:
r
E E er LG
99
kq0
1
; k
, 0<r<a
2
r
4 0
kq
1
; K 0 , a<r<b
II) E 20 ; k
r
4
I) E
III) E
kq0
r2
; k
1
4 0
, r>b
r
b) p P.n
r
r
P 0 E lih
r
K 1 q0
Q p : p 0 K 1 EII .n 0 K 1 ( EII r b er ).er
4 Kb 2
r
K 1 q0
Q p : p 0 K 1 EII .n 0 K 1 ( EII r a er ).(er )
4 Ka 2
100