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Amplificadores RF.

Mara Fernanda Bentez Len.


Manuel Asdruval Montao Blacio.
Maritza Elizabeth Palacios Morocho.
Carrera en Ingeniera en Electrnica y Telecomunicaciones. Universidad Nacional de Loja.
Loja, Ecuador.
nandita412@hotmail.com
manuel.asdmon@gmail.com
lizzy_6d91@hotmail.com

Abstract_ In this article it aims to present the different


types of RF amplifiers. The amplifiers are very important devices
in electronic devices since they are responsible for amplifying the
signal strength and transmit it to the antenna with maximum
efficiency.

amplificador pero sobre un rango de frecuencia angosta, esta


capacitancia parsita se puede cancelar con una inductancia
paralela resonante. La capacitancia parsita de entrada se puede
botar de la misma manera. Mientras este amplificador de R.F tiene
la misma topologa que un amplificador de audio clase A comn,
el circuito de sintona resonante le permite trabajar como un
amplificador eficiente clase B.

Keys Words_ broadband, employment, GDP.

I.

INTRODUCCIN.

La necesidad de amplificar las seales es casi una necesidad


constante en la mayora de los sistemas electrnicos. Un
amplificador es un dispositivo o circuito diseado para amplificar
una determinada seal de entrada hasta que alcance un nivel de
salida predeterminado. Los componentes activos de los
amplificadores pueden ser vlvulas de vaco, transistores o
circuitos integrados.

II.

AMPLIFICADORES RF.

Una de las funciones ms importantes de los transistores es la


amplificacin, las seales del orden de unos pocos milivoltios
pueden ser amplificadas hasta niveles de decenas o cientos de
voltios representando grandes
ganancias. Se utilizan
amplificadores en los transmisores, receptores y en muchas otras
clases de equipos electrnicos.
No todos los amplificadores son iguales, existen diferencias
entre unos y otros, dependiendo de la magnitud de la seal que
deseamos amplificar, de la aplicacin que se la vaya a dar, etc.
momento de su uso, cada uno sabr decir a su manera qu es lo
que tiene o qu es lo que quiere en relacin a dos caractersticas
principales, si la misma est permanente disponible y si dispone de
una buena velocidad.
Un amplificador de radio frecuencia es un dispositivo o
circuito destinado a amplificar las seales de radiofrecuencia
determinada o dentro de una banda de frecuencias. El receptor de
la estacin de radio puede hacer uso de uno o ms amplificadoras
de radiofrecuencia (RF) al objeto de elevar el nivel de las seales
extremadamente dbiles que se captan con la antena, es decir
aumentan la energa RF desde niveles inferiores a un vatio hasta
obtener cientos o miles de vatios de salida hacia la antena.
Los amplificadores de R.F de pequea seal y los de potencia
parecern ser circuitos de audio clase A con su inductor en el
colector como se muestra en la figura 1. En frecuencias altas la
capacitancia paralela de salida en el transistor ( se muestra en lnea
punteada), puede efectivamente cortocircuitar el lado de salida del

Fig. 1. Amplificador RF.

III.

AMPLIFICADORES DE POTENCIA RF

Los amplificadores de potencia tradicionales emplean


dispositivos activos (BJT o MOSFET) que se comportan como
fuentes de corriente controladas por tensin. Estos se clasifican
atendiendo a la fraccin del periodo de la seal en que los
dispositivos permanecen en conduccin. Si la entrada es una
funcin sinusoidal, su argumento se incrementa 360 a cada
periodo de seal. La fraccin del periodo en que los dispositivos
conducen se mide por el semingulo de conduccin, , que est
comprendido entre 0 y 180.
Se definen tres clases:

Clase A = 180 (conducen siempre)


Clase B = 90 (conducen medio periodo)
Clase C < 90 (conducen menos de medio periodo)

Cuanto menor es mayor es la eficiencia pero menor es la


linealidad. Existe otro tipo de amplificadores de potencia donde
los dispositivos funcionan en conmutacin. Actan como
interruptores que pasan alternativamente de corte a conduccin. La
eficiencia es tericamente del 100% puesto que un interruptor
ideal no consume potencia en ninguno de los dos estados: en corte
i = 0 y en conduccin v = 0. En la prctica la eficiencia se reduce
porque hay prdidas de potencia durante el transitorio de
conmutacin. Por eso se han ideado diferentes esquemas que
minimizan estas prdidas. Estos amplificadores reciben distintos
nombres (clase D, E, F,) a partir del momento en que se les
reconoce su innovacin respecto a los existentes.

A.

Clase A

En este tipo de amplificador el elemento activo est siempre en


zona activa si es un BJT, o en saturacin si se trata de un
MOSFET. De todos es el que produce menos distorsin, pero
tambin el que tiene menor rendimiento. Su esquema es similar al
de un amplificador de pequea seal. De las configuraciones
bsicas se elige la EC (SC si es con MOSFET) porque tiene mayor
ganancia en potencia. El circuito con BJT se muestra en la figura
2. La nica diferencia respecto al EC bsico es que se ha sustituido
la resistencia de colector por una inductancia de gran valor para
mejorar el rendimiento.

no hay seal el rendimiento es nulo y adems toda la potencia


consumida se disipa en el transistor. En la prctica el rendimiento
suele estar alrededor del 15%.

B. Clase B
En el amplificador clase B los elementos activos estn en zona
activa si es un BJT, o en saturacin si se trata de un MOSFET, la
mitad del tiempo en cada ciclo de la seal. Es posible utilizar el
mismo esquema del clase A que se muestra en la figura 4, pero
ahora con VBB 0.7, de forma que el BJT slo conduce cuando vi
> 0. En este caso es imprescindible poner en paralelo con RL un
circuito LC sintonizado que elimina todos los armnicos y deja
pasar a la carga nicamente la componente fundamental. Sin
embargo el amplificador clase B que vamos a analizar es otro, se
trata del que utiliza dos transistores complementarios y que est
representado en la figura 4. En este caso no es necesario poner un
circuito LC sintonizado en paralelo con .

Fig. 2. Amplificadores Clase A


En RF los valores de RL estn normalizados para una aplicacin
determinada, los ms frecuentes son 50, 75 y 300 , aunque en
frecuencias altas se usa generalmente 50 . Cuando se trata de
amplificar seales de RF de banda estrecha se suele poner en
paralelo con RL un circuito LC sintonizado, pero en el clase A no
es imprescindible. En reposo la tensin sobre la inductancia es
nula por lo que VCEQ = VCC. Pero la inductancia mantiene una
corriente constante ICQ, es decir que para c.a. se comporta como
un circuito abierto. La corriente y la tensin en el transistor se
muestran en la figura 3 para una tensin de entrada sinusoidal.

Fig. 4 Amplificadores Clase B


Tambin aqu se elige BB 0.7, para que cuando sea i > 0
conduzca 1 y cuando sea i < 0 conduzca 2 . Admitiendo que
los parmetros del modelo en pequea seal de ambos BJT son
iguales y que tienen el mismo valor desde el momento en que stos
entran en zona activa, sus corrientes de colector en el semiciclo
que conducen son proporcionales a i .

Fig. 3. Tensiones de entrada y salida en el amplificador clase A

La potencia entregada a la carga es


1 2
=
2

(1)

El rendimiento mximo se obtiene cuando = y =


entonces
= 50%
(2)
Si en lugar de la inductancia empleamos una RC para polarizar el
transistor, el rendimiento mximo es slo del 25 %. Notar que el
consumo de potencia es independiente del nivel de seal. Cuando

Fig. 5 Tensiones de entrada y salida en el amplificador clase B


La tensin de salida es

= (1 2 )
(3)
Las corrientes de colector y la tensin de salida se muestran en la
figura 5 para una tensin de entrada sinusoidal. La potencia
entregada a la carga es

1 2
2

(4)

Donde es la amplitud mxima de . El mximo valor de


que se puede lograr es , sat y en ese caso =
Y el consumo de potencia, despreciando la potencia
consumida para polarizar los BJT, es
= (1 + 2 ) = 21

(5)

Siendo 1 el valor medio de la corriente de colector en 1


1 4

1 =
( ) =
(6)
4

El rendimiento mximo se obtiene cuando = e


= entonces
=

= 78%
4

Y puesto que en = 0 tenemos = 0, resulta que =


(0 ). La funcin () es par y por eso puede
descomponerse en serie de Fourier como
(7)

En la clase B si no hay seal no se consume potencia. Pero el


mximo rendimiento slo se consigue cuando = . A cambio
el amplificador no es tan lineal como el de clase A.

Fig. 7. Tensiones de entrada y salida en el amplificador clase C

= 0 + 1 ( )+2 (2 ) +

Donde 0 es su valor medio, 1 la componente fundamental y el


resto, de 2 en adelante, armnicos.

(0 0 0 )

1 =
(20 20 )
2
0 =

Clase C

En esta clase de amplificadores el elemento activo conduce un


tiempo t1 t2 en cada periodo T = 2/o, de forma que el
semingulo de conduccin, definido como 2 = o(t1 t2) sea
inferior a /2. En el clase B = /2, mientras que = en el
clase A. Su esquema es similar al de clase A que se muestra en la
figura 6, pero en este caso es imprescindible poner en paralelo con
RL un circuito LC sintonizado.

(9)

(10)
(11)

Las tensiones CE y 0 tienen una forma sinusoidal porque el filtro


LC cortocircuita todos los armnicos de () y slo deja la
componente fundamental.
1
= 2
2

(12)

El consumo de potencia, despreciando la potencia empleada para


polarizar el BJT, es
=

(13)

El rendimiento mximo se obtiene cuando toma la mxima


amplitud posible, si aproximamos ,sat = 0; y para eso se
requiere que 1 = . En ese caso el rendimiento slo depende
de
=

1
20 sin(20 )
=
4 4 sin(0 ) 0 cos(0 )

(14)

Fig. 6. Amplificadores Clase C


La tensin es ahora negativa, de forma que el BJT slo entra
en zona activa alrededor del mximo de vi, cuando vi + >
0.7V.
Si asumimos que en toda la zona activa la corriente de colector es
proporcional a la tensin de control, para una entrada sinusoidal
toma la forma representada en la figura 7. Esta corriente puede
escribirse como
= ( ) ( )
= 0
(8)

C.

Clase D.

Este es el tipo bsico de amplificador en que los transistores


trabajan en conmutacin, pasan del estado de corte al de
conduccin y viceversa de forma instantnea. Su esquema se
muestra en la figura 8a. La seal de entrada, vin, debe ser cuadrada
y de suficiente amplitud para llevar los transistores
alternativamente de corte a saturacin (de corte a zona lineal si son
MOSFETs). Trabajando en este modo el transistor se puede
asimilar a un interruptor ideal (abierto en corte, cerrado en
saturacin). Al reemplazar los transistores por interruptores resulta
el circuito equivalente que se representa en la figura 8b.

Un amplificador de potencia es aquel que recibiendo una


seal de tensin suficiente le aplica a una elevada
ganancia de corriente, capaz de gobernar cargas de baja
impedancia

Existen diferentes clases de amplificadores, cada una de


estas clases es empleada, de acuerdo a los niveles de
potencia a manejar en cada etapa amplificadora, a la
eficiencia total del transmisor y al ancho de banda
requerido en la transmisin.

Fig. 8. Tensiones de entrada y salida amplificadores Clase D.

En este circuito la seal vx es cuadrada de amplitud VCC. El


circuito LC est sintonizado a la frecuencia fundamental de vin (la
frecuencia de trabajo) y tiene un Q elevado: a RL solo le llega la
componente fundamental de vx

4
( )

(15)

REFERENCIAS.
[1]

[2]

Adems, a esa frecuencia = por lo que

[3]

4
=
=
( )

(16)

[4]
[5]

Fig. 9. Amplificadores Clase D.

La potencia a la carga es

= ( )

Y la potencia total disipada es la misma, porque en todo el circuito


tan slo la carga disipa potencia, as que el rendimiento es =
100%.

IV.

CONCLUSIONES

La importancia de la etapa de amplificacin es crucial


para lograr, un enlace ptimo entre equipos de R.F.

Rodrguez Snchez Blanca. Diseo e implementacin de un


amplificador de potencia para seales de radio frecuencia.
Universidad Autnoma Metropolitana
H.L. Krauss, C.W. Bostian y F.H. Raab, Solid State Radio
Engineering, Wiley, 1980.
G.A. Breed, Classes of Power Amplification, RF Design,
Ago. 1993, pp. 80-81.
J.K. Hardy, High Frequency Design, Reston Publishing
Company, Inc.,1979.
C. Bowick, RF Circuit Design, Newnes, 1982

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