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Eletrnica
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ndice
NDICE.................................................................................................................................................................................... 2
RESISTORES ......................................................................................................................................................................... 5
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................... 5
RESISTNCIAS FIXAS.............................................................................................................................................................. 5
RESISTNCIAS VARIVEIS ...................................................................................................................................................... 7
EXEMPLOS DE VALORES ........................................................................................................................................................ 8
CDIGO DE CORES PARA RESISTORES .................................................................................................................................. 11
RESISTORES ESPECIAIS ................................................................................................................................................. 12
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 12
RESISTORES SENSVEIS TEMPERATURA ............................................................................................................................. 13
RESISTORES SENSVEIS A VARIAES DE TENSO ................................................................................................................ 14
RESISTORES SENSVEIS A VARIAES DO CAMPO MAGNTICO ............................................................................................. 14
RESISTORES SENSVEIS S SOLICITAES MECNICAS ........................................................................................................ 15
RESISTORES SENSVEIS INTENSIDADE LUMINOSA (FOTO-RESISTORES) ............................................................................. 15
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 17
CAPACITORES ................................................................................................................................................................... 18
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 18
CAPACITORES DE PAPEL OU POLISTER ............................................................................................................................... 20
CAPACITORES DE MICA ........................................................................................................................................................ 20
CAPACITORES DE CERMICA ............................................................................................................................................... 21
CAPACITORES ELETROLTICOS DE ALUMNIO ....................................................................................................................... 22
CAPACITORES ELETROLTICOS DE TNTALO ........................................................................................................................ 23
CAPACITORES VARIVEIS ................................................................................................................................................... 24
CAPACITORES OU TRIMMER CAPACITOR........................................................................................................................... 25
CDIGOS DE CORES PARA OS CAPACITORES ......................................................................................................................... 26
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 27
INDUTORES ........................................................................................................................................................................ 28
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 28
INDUTORES A AR.................................................................................................................................................................. 29
INDUTORES COM NCLEO MAGNTICO ................................................................................................................................ 31
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 32
SEMICONDUTORES .......................................................................................................................................................... 34
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 34
JUNES .............................................................................................................................................................................. 34
DIFUSO DAS CARGAS ......................................................................................................................................................... 35
POLARIZAO ..................................................................................................................................................................... 35
EFEITO CAPACITIVO DA JUNO .......................................................................................................................................... 37
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 38
O DIODO SEMICONDUTOR ............................................................................................................................................ 39
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 39
O DIODO .............................................................................................................................................................................. 40
Polarizao do diodo ...................................................................................................................................................... 40
Curvas caractersticas do diodo ..................................................................................................................................... 41
CRITRIOS PARA ESCOLHA DOS DIODOS A SEMI-CONDUTORES ............................................................................................ 43
EXEMPLOS DE APLICAES DOS DIODOS.............................................................................................................................. 45
TIPOS DE INVLUCROS PARA DIODOS A SEMI-CONDUTORES ................................................................................................ 46
TESTE DE EFICINCIA COM HMMETRO .............................................................................................................................. 47
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 48
RETIFICAO DE MEIA ONDA E ONDA COMPLETA............................................................................................. 49
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INTRODUO ....................................................................................................................................................................... 49
RETIFICAO MONOFSICA DE MEIA-ONDA ........................................................................................................................ 50
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 55
RETIFICAO EM PONTE .............................................................................................................................................. 56
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 56
PONTE DE GRAETZ............................................................................................................................................................... 56
RETIFICAO MONOFSICA DE ONDA COMPLETA COM PONTE DE GRAETZ .......................................................................... 57
Consideraes de clculo ............................................................................................................................................... 58
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 59
FILTROS CAPACITIVOS .................................................................................................................................................. 60
INTRODUO ....................................................................................................................................................................... 60
FENMENOS RELATIVOS CARGA DO CAPACITOR ............................................................................................................... 61
FENMENOS RELATIVOS DESCARGA DO CAPACITOR ......................................................................................................... 62
TENSO NA CARGA DO CIRCUITO FILTRADO ........................................................................................................................ 64
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 65
TRABALHO EM GRUPO. ........................................................................................................................................................ 66
FILTROS INDUTIVOS ....................................................................................................................................................... 67
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 67
DIODO DE RECIRCULAO ................................................................................................................................................... 69
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 71
FILTRO LC .......................................................................................................................................................................... 72
FILTRAGEM COM CIRCUITO L-C .......................................................................................................................................... 72
FILTRO EM .................................................................................................................................................................... 73
Exemplos de aplicaes do filtro de ............................................................................................................................ 74
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 76
TRANSISTORES ................................................................................................................................................................. 77
GENERALIDADES ................................................................................................................................................................. 77
INTRODUO AOS TRANSISTORES BIPOLARES (B J T) ....................................................................................................... 78
EFEITO TRANSISTOR ............................................................................................................................................................ 79
POLARIZAO ..................................................................................................................................................................... 80
CORRENTES DE PERDA DO TRANSISTOR ............................................................................................................................... 81
TESTES DE VERIFICAO..................................................................................................................................................... 82
PARMETROS FUNDAMENTAIS DO TRANSISTOR BIPOLAR.............................................................................. 83
PARMETROS FUNDAMENTAIS EM CORRENTE CONTNUA. ................................................................................................... 83
CORRENTES DE PERDA DO TRANSISTOR ............................................................................................................................... 84
EXEMPLO PRTICO .............................................................................................................................................................. 85
CURVAS CARACTERSTICAS DO B.J.T. COM EMISSOR COMUM ............................................................................................. 87
CARACTERSTICA DE COLETOR OU DE SADA ....................................................................................................................... 88
CARACTERSTICA TRANSFERNCIA OU AMPLIFICAO DIRETA DE CORRENTE..................................................................... 89
CARACTERSTICA V I DE ENTRADA ................................................................................................................................. 89
TRANS-CARACTERSTICA OU CARACTERSTICA DE TRANSFERNCIA.................................................................................... 90
RETA DE CARGA ESTTICA E PONTO QUIESCENTE ................................................................................................................ 92
Reta de carga esttica .................................................................................................................................................... 93
Corrente de Curto-circuito ( Ic C ). ......................................................................................................................... 94
Ponto quiescente ou ponto de trabalho .......................................................................................................................... 94
Estabilidade Trnica ....................................................................................................................................................... 95
ESQUEMAS DE POLARIZAO .............................................................................................................................................. 96
EQUAES FUNDAMENTAIS ................................................................................................................................................ 97
CONEXES DARLINGTON .................................................................................................................................................... 99
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET) ....................................................................................................... 101
POLARIZAO DOS FETS ........................................................................................................................................... 105
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Resistores
Generalidades
Observe o seguinte circuito:
O circuito eltrico (U) deve funcionar com uma tenso de 50 V; necessrio ento disparar um
elemento que provoque uma queda de tenso.
fixas
a fio
de massa
a depsito de carbono
ou metlico
Resistncias
variveis
a depsito de carbono
a fio
Resistncias fixas
As resistncias a fio so constitudo por um suporte de cermica sobre o qual enrolado um fio
resistivo.
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L
S
L o comprimento do fio
S a seo do fio
Resistores esmaltados
a fio S.E.C.I.
Dissipao: 100 W
Tolerncia: + 1%
Tenso mxima de
Trabalho: 2000 V
As resistncias de massa so constitudas por uma massa qumica de xidos metlicos, carvo em p
ou grafite misturados com substncias adesivas apropriadas.
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Terminais
So de pouca preciso (tolerncia 10-20%) e so construdas para dissipar uma potncia de at 3W.
As resistncias a depsito de carbono ou metlico so constitudas por um suporte de cermica sobre o
qual se deposita uma pelcula resistiva de carbono ou metlica. Para aumentar a resistncia sobre a
pelcula grava-se uma espiral.
Pode-se construir com grande preciso (tolerncia 1-2%) e com potncia dissipvel at 3W.
Resistncias variveis
So resistores que tm um cursor de acordo com a posio determinam o valor da resistncia inserida.
O deslocamento do cursor pode ser do tipo retilneo ou angular.
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Potencimetros a
curso National
Com tomada 50%
Sem interruptor
Com sinal duplo
Dissipao mxima:
0,25 W
tenso mxima de
trabalho: 150 Vcc.
Variao: linear
Montagem:
Com parafuso
Comprimento percurso:
45mm
Exemplos de valores
20 k + 20 k
50 k + 50 k
100 k + 100 k
500 k + 500 k
1M + 1M
As resistncias variveis a fio so as mais precisas e podem dissipar potncias maiores (exemplo, os
reostatos de partida para os motores).
Exemplos de valores
4,7
47
100
1 k
Reostatos
A fio profissionais
Dissipao nominal: 100W
Tolerncia: 0 + 20%
Tenso limite: 1000V
Coeficiente de temperatura:
De 0, 00008 a 0, 00014
Binrio de rotao
do eixo acionador
0,15 + 0.25 kg / cm
ngulo de rotao: 300
As resistncias a fio podem ser tambm do tipo semi-fixo, quando no lugar do cursor tem-se um anel
fixado com um parafuso.
As resistncias variveis a depsito so constitudas por um suporte isolante (baquelite) sobre o qual
depositada a substncia resistiva. Podem ser rotativas ou retilneas (slides). As potncias dissipadas so
da ordem do watt.
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Uma resistncia varivel dita linear quando, durante todo o percurso, para os deslocamentos iguais
do cursor, tem-se variaes iguais da resistncia. Os potencimetros lineares so marcados com a letra
A, estampada no invlucro.
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POTENCIMETRO LINEAR (1 M A)
Uma resistncia varivel dita logartmica quando o deslocamento do cursor faz variar o valor da
resistncia segundo uma escala logartmica. Tais potencimetros so marcados com a letra B impressa
ou estampada no invlucro.
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I ANEL
1 algarismo
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-
II ANEL
2 algarismo
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-
III ANEL
Multiplicador
1
10
100
1.000
10.000
100.000
1.000.000
: 10
: 100
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IV ANEL
Tolerncia
+ 1%
+ 2%
+ 5%
10%
Resistores Especiais
Generalidades
Em alguns aparelhos automticos, so necessrios componentes especiais sensveis s variaes das
principais grandezas fixas, como luz, temperatura, fora, ddp, magnetismo, etc.
Para estes controles pode-se usar resistncias especiais em que o valor se modifica em funo da
variao da grandeza examinada.
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Termitores PTC
com coeficiente positivo para
medida e regulagem
Resist. a 180C: 100
Constante de dissipao:
4 mW/C
Temperatura final:
200C [Tf]
Resistncia final a Tf:
5 k
tenso mxima a 25C:
30V
tolerncia: + 5%
Dimenso: 4
Os termistores so usados no campo industrial em circuitos de medida e controle da temperatura.
Coeficiente de temperatura:
0 Kgauss=
18 . 10-3 / C
+ 3 Kgauss =
27.10-3 / C
+ 10 Kgauss=
29.10-3 / C
Dimenso: 4x1.5x0.55
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1- fio condutor
2- suporte de papel
3- conexes
4- pontos de solda
Caracterstica
resistncia
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foto-
Os tipos mais comuns so os de forma cilndrica e podem ser a iluminao frontal ou a iluminao
lateral. O envoltrio pode ser metlico, estanque, plstico, de resina, de vidro, etc.
FOTO-RESISTORES
De sulfuro mais seleniete de
cdmio. Iluminao: frontal
Dissipao: 0.15 W a 25C
Tenso mxima de trabalho: 200
Vc.c
Invlucro: resina acrlica
Resistncia :
No escuro 0 lux : 5 M
Com iluminao 100 lux: 9 k +
50%
Dimenses: 12x4
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Testes de Verificao
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Capacitores
Generalidades
Observem os seguintes circuitos:
1) O CAPACITOR SE CARREGA
3) O CAPACITOR SE DESCARREGA
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CAPACITORES
CAPACITOR FIXO
CAPACITOR VARIVEL
CAPACITOR ELETROLTICO
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CAPACITOR DE POLISTER
CAPACITOR DE PAPEL
CARACTERSTICAS
ELTRICAS
PRINCIPAIS
Capacitncia
Nominal
___
de l nF a
dezenas de F
Tenso nominal
de trabalho
___
at 1500 V
Tolerncias sobre
os valores mx
___
+- 20%
Temperatura mx
de trabalho
___
~150C
Capacitores de mica
Os capacitores de mica so constitudos por camadas superpostas de mica e lminas de alumnio muito
finas, ou ento de folhas de mica prateadas.
So particularmente usados nos circuitos a alta freqncia.
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CARACTERSTICAS
ELTRICAS
PRINCIPAIS
Capacitncia
Nominal
____
de 5 pF
a 10 nF
Tenso nominal
de trabalho
____
at 500 V
Tolerncia sobre
os valores mx
____
de +- 2%
a +- 5%
Temperatura mx
de trabalho
____
~ 60
Capacitores de cermica
Para altssimas freqncias de trabalho (HF, VHF) usa-se capacitores de cermica devido menor
perda de energia em relao aos outros tipos como os de papel, de polister, etc.
Estes so constitudos por um suporte de cermica (dieltricos) sobre o qual se deposita a fogo uma
camada de prata.
Os capacitores de cermica encontram-se no comrcio essencialmente nas trs seguintes formas:
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De at a 1,01,2 KV
tenso nominal
de trabalho
CARACTERSTICAS
ELTRICAS
PRINCIPAIS
Resistncia de isolamento
entre as armaes
Temperatura mxima
de trabalho
~ 104105 M
55C
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Invlucro de
alumnio
A maior qualidade deste tipo de capacitor consiste no fato de acumular em pequeno volume uma
elevada capacitncia. A uma mesma capacitncia, ter dimenses maiores aquele que tiver a tenso de
trabalho mais elevada.
CARACTERSTICAS
ELTRICAS
PRINCIPAIS
Valores de
capacitncia
~ 1 F at 20000 F
Tenso de
trabalho
6 V 500 V
Tolerncia
muito varivel,
Dependendo do tipo
Temperatura
de uso
-10 ~ + 65C
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ATENO S POLARIDADES!!!
E TENSO DE TRABALHO
Capacitores variveis
Observem as seguintes figuras:
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CAPACITOR VARIVEL
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II
III
IV
Coef. De
temperat.
1 n. C em
pF
2 n. C em
pF
Multip. De
C
Preto
NPO
Marron
N/30
Vermelho
N/80
Laranja
N/150
Amarelo
N/220
Verde
N/330
Azul
N/470
- 5%
- -
Violeta
N/750
Cinza
0,01
Branco
P/100.
0,1
Cor
V
Tolerncia
C > 10 pF
C 10pF
1 20%
10 1%
100 2%
1000 20%
10000 -
Quando no corpo do capacitor existem somente quatro faixas de cores, a leitura a seguinte:
I - valor da capacitncia: 1 nmero
II - valor da capacitncia: 2 nmero
III multiplicador
IV tolerncia
Neste caso no indicado o coeficiente de temperatura do capacitor. No caso em que se tem somente
trs faixas de cores a leitura a seguinte:
I - valor da capacitncia: 1 nmero
II - valor da capacitncia: 2 nmero
III multiplicador
EXEMPLO:
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Testes de Verificao
1) Para a escolha de um capacitor, os parmetros fundamentais so:
__dimenses e tolerncia
__tipo e coeficiente de temperatura
__capacitncia e tenso de trabalho
__dimenses e capacidade
2) A mxima tenso de trabalho dos capacitores de papel da ordem de:
__alguns volts
__dezenas de volts
__centenas de volts
__milhares de volts
3) Os capacitores cermicos e de mica so adequados para circuitos:
__a alta intensidade de corrente
__a alta freqncia
__a baixa tenso
__a alta potncia
4) Os capacitores eletrolticos podem funcionar:
__S com corrente alternada
__S com corrente contnua
__Com corrente contnua e com corrente alternada
__ Em alta freqncia
5) Os capacitores variveis podem ser:
__cermicos ou plsticos
__eletrolticos de tntalo
__de ar e cermicos
__de ar e de mica
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Indutores
Generalidades
Os indutores so componentes que tm a finalidade de introduzir um centro de indutncia em circuito
eltrico.
Existem
INDUTORES
A AR
INDUTORES
COM NCLEO MAGNTICO
Indutores a ar
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Indutores a ar
Em prtica, so realizados mediante bobinas com determinados tipos de enrolamento:
Bobinas
Enrolamento em
espiral plana
Enrolamento
solenoidal
Enrolamento
em colmia
Enrolamento
toroidal
As bobinas com enrolamento do tipo espiral ou retangular plano so usadas nos casos em que se requer
preciso e rigidez mecnica. Todavia, este sistema no permite a realizao de bobinas com indutncia
elevada.
As bobinas com enrolamento solenoidal com uma ou mais camadas de pequenas dimenses so
utilizadas em circuitos oscilatrios e transmissores de baixa potncia.
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Para grandes potncias, tais bobinas so feitas do mesmo modo e podem ser resfriadas mediante
circulao de gua destilada no interior do tubo de cobre que forma o solenide.
As bobinas com enrolamento em colmeia so mais usadas pois permitem obter indutncia de boa
qualidade e pequenas dimenses
So formadas por um fio unipolar esmaltado ou recoberto por uma camada de algodo ou seda. O
enrolamento, dado o especial processo de fabricao, apresenta uma estrutura hexagonal da qual deriva
o termo colmeia.
As bobinas com enrolamento toroidal so empregadas quando se requer que o campo magntico
gerado por estas no altere o funcionamento de outras indutncias ou quando se deseja uma proteo
das mesmas contra campos parasitas externos.
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Os indutores com ncleo magntico fixo so empregados com circuitos de nivelamento, como
impedncias de modulao, etc.
Diferentemente das bobinas a ar, as bobinas com ncleo magntico de mesma indutncia assumem
dimenses inferiores. So enroladas em ncleos ferromagnticos laminados ( baixa freqncias ) ou
sobre ncleos de ferrita ( altas freqncias )
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Ncleo ferromagntico
Testes de Verificao
1) O smbolo grfico de indutncia com ncleo magntico :
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Semicondutores
Generalidades
As substncia presentes na natureza podem-se classificar, do ponto de vista eltrico, essencialmente
em dois grupos :
Barra de um semi-condutor do
tipo N
Junes
Na tecnologia eletrnica, encontra-se vrias aplicaes aos acoplamentos com materiais semicondutores de diversas caractersticas (dopagem do tipo pou do tipo n). Tal operao de difuso
com dopagens diferentes sobre uma nica barra de semi-condutor define-se genericamente:
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JUNO P-N
ZONA DE ESVAZIAMENTO
OU
ZONA DE JUNO
Polarizao
POLARIZAR SIGNIFICA ALIMENTAR UM COMPONENTE QUE
REQUER DETERMINADA POLARIDADE DE ALIMENTAO
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O
componente
corretamente
com
a
requerida.
alimentado
polaridade
POLARIZAO INVERSA
Na figura evidenciado o fluxo dos
portadores minoritrios.
Com poucos volts as cargas de maioria param, visto que o campo eltrico inverso impede o
atravessamento da juno.
Os portadores minoritrios, ao contrrio, permanecem acelerados pelas polaridades da alimentao, e
ento, no entanto, no circuito passar uma corrente fraca inversa devida exatamente ao fluxo dos
portadores minoritrios. A barreira de potencial AUMENTA e SE ALARGA
Se uma juno P-N polarizada diretamente:
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A tenso reduz a barreira de potencial, fornecendo aos portadores majoritrios a energia necessria
para superar a zona de esvaziamento; ento, no interior da barra e no circuito externo, tem-se um fluxo
de corrente mesmo para tenses bem baixas.
Se a tenso se eleva alm de um certo limite ( = 1v~ ) a barreira se anula provocando uma livre
circulao de corrente na barra, isto pode tambm revelar-se perigoso para a juno.
Do que foi dito acima, deduz-se a propriedade fundamental da juno P-N, isto :
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Testes de Verificao
1)
Uma juno :
__a unio de uma barra de um semicondutor do tipo P com um semicondutor do tipo N.
__a difuso de cargas positivas sobre um semicondutor de germnio.
__uma barra de um semicondutor dopada diferentemente em dois pontos.
__NDA.
2)
3)
Polarizar significa:
__alimentar de modo correto um componente respeitando a polaridade
__alimentar de modo inverso um componente respeitando a polaridade
__alimentar um componente polarizado
__NDA
4)
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O Diodo Semicondutor
Generalidades
Observe o funcionamento do seguinte dispositivo:
Dependendo do lado em que foi feita a conexo de entrada para alimentao se obtm ou no a
passagem do fluido, ento a vlvula determina o sentido da circulao do fluido.
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O diodo
A = anodo = zona P
K = catodo = zona N
O diodo essencialmente uma juno P-N cuja zona dopada P constitui o anodo, enquanto a zona
dopada N constitui o catodo.
Polarizao do diodo
O diodo conserva todas as propriedades originais da juno da qual constitudo, por isso:
A
BARREIRA
POTENCIAL DIMINUI...
DE
POLARIZAO DIRETA
E O DIODO CONDUZ,
PERMITINDO CIRCULAR A
CORRENTE
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A
BARREIRA
DE
POTENCIAL AUMENTA...
POLARIZAO INVERSA
E BLOQUEIA A PASSAGEM
DE CORRENTE
CARACTERSTICA DIRETA
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VR
VR
VR
VR
VR
IF
IO
15
60
120
180
350
250 1)
200 1)
Ptot
Tj
TS
400 1)
mW Potncia dissipada
150
C
- 55...+150 C
VF
0.8 (< 1)
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
IR
10 (<100)
< 15
10 (<100)
< 15
20 (<100)
< 15
30 (<100)
< 25
30 (<100)
< 25
nA
A
nA
A
nA
A
nA
A
nA
A
Caracteristics @ Tj = 25
Forward voltage @ I F = 100 mA
Leakege current
BAY 17 @ VR =12V
@ VR =12 V1 tj = 100C
BAY 18 @ VR =50V,
@ VR =50 V, tj = 100C
BAY 19 @ VR =100V
@ VR =100 V, tj = 100C
BAY 20 @ VR =150V
@ VR =150 V, tj = 100C
BAY 21 @ VR =300V
@ VR =300 V, tj = 100C
Valores mximos
Tenso inversa
V
V
V
V
V
mA Corrente contnua direta
mA
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Em todo o caso, para o uso de um diodo, os dados principais a serem considerados so:
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Polarizao direta:
O diodo polarizado diretamente conduz
apresentando uma baixa resistncia
(R = 300). Para este teste no aconselhvel
usar uma escala de pequena potncia.
Polarizao inversa:
O diodo polarizado inversamente no
conduz, a resistncia medida com o
hmmetro muito alta, 200 k para os
diodos de germnio, e 1M para os diodos
de silcio.
N.B.: Caso uma das medidas efetuadas no corresponda aos testes anteriores, o diodo ineficaz.
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Testes de Verificao
1) O smbolo do diodo :
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No passado, para obter a corrente contnua, eram utilizados sistemas muito caros e de grandes
dimenses (vlvulas termo-inicas, grupos conversores, etc.).
Hoje em dia pode-se dispor de sistemas economicamente e praticamente mais vantajosos, tais como:
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No caso de ser submetido a uma tenso alternada como que se comporta o diodo?
A corrente que atravessa o diodo tem sempre o mesmo sentido e a conduo realiza-se apenas e
exclusivamente quando o anodo assume potenciais positivos relativamente ao catodo.
Retificao monofsica de meia-onda
O diodo permite a alimentao de um circuito em c.c. dispondo apenas de c.a.
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N.B.: Chama-se a ateno para o fato de que embora polarizado diretamente, o diodo introduz uma
determinada queda, sobre Vi, a qual nos exemplos a Si equivalente a ~ 0.6V.
Dado que a conduo do diodo realiza-se com meio-ciclos alternados, (para 50Hz T = 20 m.seg) o
valor significativo da tenso carga (Vu) ser representado pelo valor mdio (Vmc), pelo que:
Vu = 0.45 Vi (RMS)
Notar que a corrente mdia (Im) no diodo igual quela que passa na carga (Imc).
Imc = Vmc = Imd
Rc
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Alm disso, a mxima tenso inversa qual submetido o diodo coincide com o valor de pico do
meio-ciclo negativo em Vi.
A fim de obter uma forma de onda mais semelhantes c.c. e um valor mdio mais elevado, utilizam-se
circuitos de retificao denominados de ONDA COMPLETA. Caracterstica fundamental destes
circuitos aquela de utilizarem ambos as meia-ondas da Vi, transferindo-lhe a tenso carga.
O circuito comporta-se como o conjunto de dois retificadores monofsicos, cada um dos quais tendo as
caractersticas retro examinadas.
AS TENSES Vi1 e Vi2 SO DESFASADAS ENTRE SI DE 180
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O diodo D1 polarizado diretamente pelo ciclo positivo de Vi1. Esta parte do circuito comporta-se
como uma retificao de meia-onda. D1 transfere portanto carga uma tenso equivalente a:
Vmc = 0.45 Vi1
D2 polarizado inversamente pela Vi2 e no conduz.
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Tambm neste caso tem significado o VALOR MDIO da tenso carga (Vu = Vmc), portanto:
Vu = 0.9 Vi1
(Vi1 = Vi2)
ou
ou
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Testes de Verificao
1) Retificar significa:
__ converter corrente pulsante em senoidal
__ converter corrente alternada em contnua
__ converter corrente alternada em unidirecional
__ converter corrente contnua em alternada
4) O circuito indicado:
__ retifica a meia-onda
__ no retifica a tenso
__ retifica a onda toda
__ faz curto-circuito
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Retificao em ponte
Generalidades
Um dos circuitos de retificao industrialmente mais usados aquele denominado retificao
monofsica de onda completa ou com
Ponte de Graetz
Representaes grficas caractersticas da ponte de Graetz so as seguintes:
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Consideraes de clculo
Dado que a conduo de cada diodo se verifica a semi-ciclos alternados (para 60Hz - T = 16,67 ms),
o valor significativo da corrente nos diodos (Imd) :
Imd = Imc
2
(eff.)
Quando os diodos no conduzem devem suportar a tenso de pico entrada (Vip). A tenso inversa
max (VRM) de cada um dos diodos vale:
N.B.: Lembre-se que durante o funcionamento os diodos provocam uma queda de tenso que, para este
particular tipo de circuito vale cerca de 1,4 volts.
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Testes de Verificao
Trabalho de grupo:
Clculo de um alimentador CA/CC com retificaco de onda completa em ponte:
Dados: Vmc = 20 volts
Rc = 50
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Filtros Capacitivos
Introduo
As formas de converso C.A.-C.C., obtidas com a exclusiva utilizao de semi-condutores
identificam-se pela retificao de semi-onda e na retificao da onda inteira. Todavia, no apropriada
a classificao de contnua, a corrente fornecida sada de tais circuitos.
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Com o capacitor inserido, a forma da onda nas extremidades da carga modifica-se e resulta mais
semelhante corrente contnua. Pode-se ento afirmar que:
Nos circuitos de retificao, o capacitor carrega-se praticamente logo, dado que a resistncia direta do
diodo em conduo desprezvel.
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A capacidade do capacitor e a resistncia notada nas suas extremidades influem sobre o tempo de
descarga.
A descarga do capacitor um fenmeno exponencial, isto , a tenso das armaduras no decresce
constantemente no tempo.
Para obter um bom nivelamento, necessrio que o capacitor se descarregue pouco durante o intervalo
de tempo compreendido entre as duas semi-sinusides. A sua constante de tempo deve ser muito longa
alm do tempo em que se deve realizar a descarga.
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A tenso carga formada por um valor fixo de c.c e por uma certa flutuao por volta daquele
valor (zumbido ou Ripple). Considerando o nivelamento ideal, a tenso carga, vale:
VMC = 1.41 Vi
Dado que em geral necessrio utilizar capacidade de valor elevado (50 2000 MF) so utilizados
capacitores eletrolticos. Tais capacitores devem ser escolhido com uma VI superior ao valor de pico
da tenso alternada de alimentao.
Observa-se que o tempo de conduo dos diodos de retificao tento mais breve quanto melhor o
nivelamento, ou seja, quanto maior o capacitor de filtragem. Sendo a corrente mdia na carga a
mesma corrente mdia total dos diodos, claro que a corrente de pico nos diodos ; muito elevada, at
dez vezes a corrente mdia na carga.
Testes de Verificao
1) O nivelamento serve para:
Obter tenso contnua da tenso alternada.
Obter tenso alternada da tenso contnua.
Obter tenso quase contnua de uma retificao
2) A tenso fornecida em sada por um nivelamento :
perfeitamente contnua.
formada por uma ondulao por volta de um valor fixo.
completamente alternada.
com onda inteira.
3) Quanto vale a descarga da um capacitor aps constante de tempo, relativamente sua carga inicial?
mais de 90 %
menos de 10%
cerca de 60 %
100%
4) Como se comporta o seguinte circuito
no nivela de modo nenhum.
nivela mas perigpso para o diodo
no nivela porque o capacitor em srie.
nivela mas perigoso para o capacitor.
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Trabalho em grupo.
Calcular o circuito da figura para obter uma tenso nas extremidades da carga de 14 V.
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Filtros Indutivos
Generalidades
Em muitos casos, as cargas alimentadas pelos estabilizadores (por exemplo: motores, bobines, etc.)
no so puramente hmicas mas apresentam uma certa indutncia. Tal fato comporta a adoo de
ulteriores expediente a fim de proteger e melhorar o circuito.
A indutncia uma componente que se ope s variaes da corrente que atravessa. Num indutivo, a
corrente absorvida desfasada em atraso relativamente tenso de alimentao.
A causa destes fenmenos devida :
AUTO- INDUO
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Quando a tenso de alimentao desce ao valor mnimo (devido Lei de Lenz ), a bobina cria uma
tenso que tende a circulao da corrente no mesmo sentido.
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Tambm quando a tenso de rede zero gerada pela indutncia tende a fazer circular ainda corrente.
Durante este ciclo a indutncia comporta-se como um
GERADOR
A primeira parte (YI) representa a forma de onda da tenso, a Segunda (Y2) representa a forma de
onda da corrente.
A tenso nas extremidades da carga, no obstante a estabilizao, tem um andamento quase senoidal
com valor mdio muito baixo.
Diodo de recirculao
Como se viu nos exemplos precedentes a indutncia acumula energia durante a fase de aumento da
corrente. Quando a corrente descresse, a bobina, gerando a tenso induzida, restitui ao circuito a
energia acumulada.
Esta energia no toda dispersa na carga dado que o circuito se fecha sobre o gerador
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Para utilizar melhor a energia da bobina r obter um notvel aumento do valor da corrente, emprega-se
o:
Durante a conduo normal TI encontra-se fechado (conduz), T2 est aberto (no conduz ).
No mesmo da abertura de TI, gera-se uma tenso com polaridades opostas s precedentes, a qual
polariza diretamente T2 que entra em conduo limitando a amplitude.
A corrente I circula at o completo esgotamento da energia acumulada pela indutncia, a qual toda
dissipada sobre si mesma.
O diodo de recirculao consente a eliminao do arco eltrico sobre eventuais contatos situados em
srie no circuito.
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Testes de Verificao
1) Sobres a bobina, a tenso induzida gera-se:
__quando a corrente zero.
__quando a tenso zero .
__em modo contnuo.
__quando a tenso desce para zero.
2) Alinhamento uma carga indutiva a corrente:
__sobe instantaneamente
__sobe com atraso
__fica em zero
__segue o andamento da tenso
3) O diodo de recirculao serve para:
__proteger o diodo.
__proteger a carga.
__limitar a tenso induzida.
4) Num circuito indutor a corrente:
__tende a auto nivelar-se.
__permanece pulsante.
__ perfeitamente contnua.
__torna-se onda quadrada.
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Filtro LC
Filtragem com circuito L-C
Existem dois circuitos nos quais as propriedades de nivelamento da indutncia e do capacitor so
aproveitadas a fim de obter filtros para os alimentadores
O FILTRO L-C
Exemplo de circuito de
nivelamento L-C, aplicado a um
estabilizador com semi-onda
Como se sabe, a indutncia apresenta uma elevada reatncia corrente varivel proveniente do diodo o
zumbido carga, enquanto que o capacitor providencia um ulterior nivelamento da tenso de sada.
As indutncias adequadas para este fim tm um valor de alguns Henry e encontram-se envolvidas
sobre ncleos limitados.
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Com somente o capacitor so necessrias capacidade de valor elevado para obter uma forma de onda
bem nivelada; alm disso, o valor mdio de Vu baixo.
Tambm com exclusivo emprego da indutncia, a forma de onda nas extremidades da carga pouco
nivelada. O valor mdio baixo, dado que a forma de onda medida sobre a carga passa a zero.
Combinando os dois elementos (L e C), a forma da onda medida nas extremidades de carga resulta
bem nivelada. O valor mdio eleva-se. A Vu no passa mais pelo zero.
O CIRCUITO L-C COMPORTA-SE COMO FILTRO QUE APRESENTA UMA ELEVADA
IMPEDNCIA FREQUNCIA DO ZUMBIDO (60 OU 120Hz)
Filtro em
Em alguns casos o rendimento fornecido por um circuito L-C no suficiente. Para melhor-lo
recorre-se ao uso de um segundo capacitor ligado antes da indutncia, formado deste modo um
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FILTRO EM
Filtro em aplicado a uma retificao monofsica com onda completa com transformador de tomada
central.
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Para ambos os casos vlida a seguinte frmula caso a resistncia hmica da indutncia seja muito
pequena:
VU = Vi . 1,41
Em alguns casos pode-se encontrar o filtro de composto por dois capacitores e uma resistncia.
Em circuito utilizado quando se deseja obter um bom nivelamento com o ,mnimo volume.
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Testes de Verificao
1) A forma de onda na sada de uma retificao melhor usando um
__nivelamento capacitor
__nivelamento com filtro L-C
__retificao com onda inteira
__retificao com filtro
2) Passando de vazio a plena carga num circuito com nivelamento, a tenso mdia carga
__aumenta
__permanece constante
__diminui
__retorna alternada
3) Indicar quais so os requisitos necessrios para uma indutncia de filtro
__elevada resistncia baixa indutncia
__baixa resistncia elevada indutncia
__baixo custo volume elevado
__baixa resistncia baixa indutncia
4) Num circuito com filtro somente indutivo, a forma de onda nas extremidades da carga
__no nivelada
__ pouco nivelada
__ muito nivelada
__ perfeitamente contnua
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Transistores
Generalidades
Desde os mais simples eletrodomsticos s mais complexas aparelhagens industriais, os fracos sinais,
gerados ou recebidos, para poderem ser utilizados, devem ser amplificados e sofrer oportunas
elaboraes. O dispositivo a semicondutor capaz de efetuar esta operao
O TRANSISTOR
A funo principal do transistor amplificar, isto , fornecer aos terminais de sada um sinal com a
mesma forma daquele aplicado aos terminais de entrada, mas fortemente amplificado, em corrente, em
tenso e, portanto, em potncia.
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NP
PNP
NP
PN
NPN
(Emitter)
COLETOR
(Collector)
BASE
(Base ou Gate)
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ento Ic = 0
Ib
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O efeito transistor , portanto, o fenmeno pelo qual, mediante polarizaes apropriadas, junes
oportunamente dopadas, comprimento das vrias zonas particularmente calculados, possvel
mediante o efeito de uma pequena corrente (Ib), controlar uma corrente (Ic) muito maior.
A polarizao direta do diodo base-emissor, d origem ao movimento das cargas mveis que, pelo
emissor (muito dopado) so atiradas na zona da base, de tal maneira exguo, e a dopagem de tal
maneira baixa, que a maior parte destas cargas pelo potencial base-coletor, e acaba na camada do
coletor, determinando assim a corrente Ic. Poucas cargas se recombinam base, dando origem
pequena corrente da base.
Regulando a polarizao B-E, e portanto a corrente Ib, determina-se a emissodas cargas do emissor
e, portanto, regula-se a corrente do coletor.
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Do ponto de vista das tenses, considere-se que para obter a Ib, a E l deve, necessariamente ser
pequena (tenso de polarizao direta do diodo E-B) enquanto que no circuito do coletor, a E 2 pode
ser tambm suficientemente grande dado que a juno polarizada no sentido inverso (naturalmente
sem ultrapassar a tenso de Zener da juno).
No conjunto, o transistor BIPOLAR tambm um amplificador de tenso que apresenta portanto um
valor de ganho de potncia muito elevado.
Correntes de perda do transistor
Na anlise realizada at agora, consideramos o dispositivo como se fosse ideal.
Na realidade, se observamos a polarizao base-coletor, que deve ser inversa, necessrio considerar
que nesta juno passa uma corrente inversa.
Esta corrente inversa, como em todas as junes P-N, depende do tipo de material semi-condutor (Ge,
Si, etc.), e da temperatura da juno.
identificada com o smbolo Icbo
A circulao das correntes no transistor torna-se, portanto:
Ie = corrente no emissor
Ieb = parte pequena da corrente de emissor, que se recombina na base; em prtica, a corrente de
comando;
Iec = parte grande da corrente de emissor, que influi no coletor; em prtica, a corrente amplificada;
Icbo = a corrente inversa de saturao da juno;
Ib = Ieb - Icbo = a corrente de base total;
Ic = Iec + Icbo = a corrente de coletor total.
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Testes de Verificao
1) A estrutura do transistor :
8) A Icbo depende:
__da temperatura e do tipo de material que constitui o transistor
__da corrente de coletor e da temperatura
__da tenso de alimentao Base-Coletor
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Se por exemplo: = 0,95, significa que 95% da Ie torna-se Iec e, portanto, Ic; alm disso (100 95)
= 5% correspondente Ieb.
Se observamos o esquema precedente, podem-se escrever, aplicando os princpios de Kirkoff, as
expresses fundamentais, que representam um sistema de equaes com vrias incgnitas:
1) Ie = Ic + Ib
2) Iec = Ie
3) Ieb = Ie - Iec = Ie - Ie = (l - ) Ie
4) Ic = Iec + Icbo = Ie + Icbo
5) Ib = Ieb - Icbo = (l - ) Ie - Icbo
Se resolvemos este sistema, podemos chegar s seguintes concluses:
Ic =
. Ib + ( + 1)
1-
1 -
Icbo
.
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1-
definindo:
obtm
6)
Ic =
; pelo que se
Ib + ( + 1) Icbo
Dado que < 1, o nmero tanto maior, quanto mais se aproxima da unidade.
Para valores de de 0,95 a 0,995, varia de 20 a cerca 200.
O coeficiente representa a amplificao ou ganho de corrente entre a base e o coletor.
CONSIDEREMOS A EXPRESSO N. 6: esta fundamental para definir o
funcionamento do transistor, dado que representa a influncia que tm a Ib e a Icbo na
corrente do coletor.
Observe-se que praticamente:
a) A Ib que a corrente de comando, resulta amplificada vezes;
b) A Icbo, que no possvel controlar, (e que sensvel s variaes de temperatura), resulta
amplificada de ( + l) vezes.
RESUMINDO: comandando o transistor da base, o mesmo sensvel
corrente de base (Ib) e temperatura da juno (Icbo T).
Correntes de perda do transistor
Analisemos as frmulas 1 e 6:
1) Ie = Ic + Ib
6) Ic = Ib + ( + 1) Icbo
Se por qualquer motivo a Ib se torna igual a 0, podemos concluir que:
1 a) Ie = Ic + 0 = Ic
6 a) Ic = . 0 + ( + 1) Icbo = ( + 1) Icbo.
Observa-se que a diferena das consideraes realizadas no incio do estudo do transistor, se a corrente
de base se anula, no se anula perfeitamente a Ic, mas corre ainda uma pequena corrente devida
influncia da Icbo, tal como indicado na seguinte figura:
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Tal como j foi visto precedentemente, nos transistores modernos, a Icbo muito pequena e, portanto,
tambm esta corrente de perda entre EMISSOR E COLETOR COM BASE ABERTA, muito baixa e
normalmente desprezvel.
Nestas condies considera-se o transistor praticamente INTERDITO OU ABERTO, ou seja,
apresenta entre coletor e emissor uma elevada resistncia.
Esta corrente de perda chamada:
6 a) Ic = ( + 1) Icbo = Iceo
Exemplo prtico
Transistor de silcio NPM tipo 2N1613:
Vcb = 60 V
Vcb = 60 V
Dado que o seu coeficiente varia de cerca 35 a cerca 80, a sua Iceo nas piores condies torna-se
cerca:
Iceo (150C) = (80 + l) 0,4 . 10-6 = 32 A
Iceo (25C) = (80 + l) 0,3 . 10-9 = 25 A
Concluses gerais
Se examinamos ainda a expresso n. 6:
6) Ic = Ib + ( + 1) Icbo
Podemos tambm escrev-la:
7) Ic = Ib + Iceo
da qual possvel calcular o coeficiente :
8) = Ic Iceo
Ib
Dado que, como se notou, nos modernos transistores a silcio, o valor Iceo, no campo das temperaturas
de uso, normalmente desprezvel, os construtores fornecem geralmente um parmetro simplificado,
desprezando a corrente de perda, o qual chamado hFE; este parmetro tambm usado para
indicar o ganho em sinal alternado, que diferente de beta, que o ganho em corrente contnua ou no
ponto quiescente.
9) hFE = Ic .
Ib
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10) Ic = hFE . Ib
11) Ib = Ic / hFE
O funcionamento de qualquer dispositivo, eltrico ou mecnico, pode ser eficazmente representado,
utilizando os diagramas Cartesianos.
No caso do transistor, os grficos relacionam entre si, as grandezas de coletor, de base, de emissor,
para estabelecer o respectivo andamento recproco.
Inserindo o transistor em um circuito amplificador, necessrio que um dos seus eletrodos seja em
comum entre a entrada e a sada:
Podem-se por isso obter trs esquemas de insero e, portanto, trs tipos fundamentais de curvas.
1) Nos esquemas at agora considerados, de modo ainda elementar, o eletrodo em comum foi
normalmente a BASE:
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A conexo mais utilizada no campo industrial aquela com EMISSOR COMUM. Por este motivo os
construtores fornecem as caractersticas dos transistores, normalmente nesta configurao.
possvel convert-las nas outras configuraes.
Curvas caractersticas do B.J.T. com emissor comum
Para obter em modo experimental as curvas caractersticas realiza-se o seguinte circuito:
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Esta caracterstica, como todas as seguintes, em prtica, representada por uma famlia de curvas,
cada uma diferente ao variar de Ib; a curva fundamental do transistor.
Considere-se:
a) O clculo do hFE do transistor no ponto P
hFE = Ic
Ib
lido no eixo Y
lido na curva interessada
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Caracterstica V I de entrada
Ib = f (Vbe) com Vce constante
Em prtica, a curva do diodo base-emissor, polarizado diretamente. Observa-se que no entanto a Vce
influencia a Ib, embora muito ligeiramente.
1) Caracterstica de reao ou de amplificao inversa
Vbe = f (Vce) com Ib constante
A curva, juntamente quela precedente, nos faz notar um comportamento particular de TR, que at
agora no tnhamos considerado, isto , que a variao da Vce, faz variar no sentido inverso a corrente
de base. Para manter Ib constante, necessrio aumentar a Vbe, se aumenta a Vce. Isto significa que o
transistor amplifica, embora pouqussimo, no sentido inverso, ou seja, da sada para a entrada.
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Esta curva representa o comportamento do TR. no caso seja comandado atravs da Vbe.
Conclui-se portanto que existe pouca proporcionalidade entre a Vbe e a Ic controlada e que, portanto, o
TR. Funciona melhor se considerarmos a corrente (Ib).
Consideramos a ligao fundamental do transistor BJT:
O uso de dois geradores desaconselhvel por motivos de custo e de volume; procuremos portanto
polarizar devidamente o transistor, utilizando apenas um.
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Se o transistor considerado um PNP, lembramos que valem todas as consideraes feitas para o tipo
NPN, mas que:
AS POLARIDADES DA ALIMENTAO DEVEM SER INVERTIDAS
Naturalmente, para utilizar o sinal de sada, necessrio disparar a carga ou o utilizador (resistncia de
carga Rc).
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Corrente de Curto-circuito ( Ic
C ).
A reta de carga interseca as caractersticas de coletor para cada valor de Ib, pode-se determinar o ponto
de funcionamento do transistor dito:
Ponto quiescente ou ponto de trabalho
A projeo do ponto quiescente (Po) sobre os eixos, permite identificar o valor da Vce (Vceo) e da Ic
(Ico) ao qual o transistor vai funcionar.
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Se modificamos o valor da Ib (ex. de Ibo para Ibo ) desloca-se o ponto quiescente determinado: Po,
Vceo, Ico
A escolha do ponto quiescente depende do tipo de curto-circuito em que se deseja fazer funcionar o
transistor, (como se vera mais adiante).
Estabilidade Trnica
A variao da temperatura das junes de um transistor determina uma correspondente variao da Ic (
Ic) e portanto um deslocamento do ponto quiescente.
A Ic POR CAUSA TRMICA DEVIDA A TRES FATORES:
1) AUMENTO DE Icbo
um efeito desprezvel nos modernos transistores de SILCIO porque nos mesmos a Icbo parte de
valores muito baixos; a Icbo dobre o seu valor para cada T de 9 a 11 C.
2) DIMINUIO DA Vbe
A variao de Vbe quase linear e vale cerca 2,4 V por grau centgrado.
A variao da Vbe interessa quer os transistores a GERAMNIO, quer aqueles a SILCIO.
3) VARIAO DO ()
O do transistor no tem uma precisa lei de variao, em geral o se aumentam a temperatura ou a
Ic.
Em geral pode-se considerar os TRANSISTORES SILCIO TERMICAMENTE BASTANTE
ESTVEIS, isso no obstante para precauo contra a interveno dos termos mais perigosos
( - Vbe) estudam-se particularmente esquemas de polarizao que intervm automaticamente
para compensar as eventuais variaes do ponto quiescente.
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Esquemas de Polarizao
1)
Equaes fundamentais
E = Rb . Ib + Vbeo ;
Rb =
E =
E - Vbeo
Ib
Rc Ic + Vceo
Rc = E - Vceo
Ic
Ib =
pelo que
pelo que
Ic
HFF
Este circuito termicamente pouco estvel, porque nada se ope s variaes de Icbo, Vbe, , e
portanto de Ic.
2)
o esquema mais usado, porque compensado contra a variao de Icbo, Vbeo e sobretudo de .
Para que isto se verifique necessrio calcular Ip de modo que a Ib seja desprezvel a seu respeito:
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Ip
10
Ib
1
5
1
10
Vceo
Equaes Fundamentais
E = Rc Ic + Vceo + Re Ic
(desprezando Ib)
Vb
(desprezando Ib)
Pelo que:
Rb
Ip
Vb....
Ic
hFE
Rb2 =
Vb
Ip
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Definem-se conexes Darlington dois transistores bipolares quando a corrente de emissor do primeiro
tambm a corrente de base do segundo.
Normalmente este tipo de conexo efetuado com transistores da mesma espcie; porm possvel
executar tal ligao com transistores complementares.
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=
=
=
PORTA
DRENO
FONTE
porta
- (nodo)
- (catodo)
Como se pode observar na figura, o FET (com canal N) constitudo por uma zona com semicondutor
dopado N, com duas ligaes s extremidades e por uma parte dopada P que envolve o percurso do
canal N.
Pode-se tambm construir o transistor completamente com canal P, invertindo as dopagens das duas
zonas entre si.
Os eletrodos ligados s extremidades do canal so o SURCE e o DRAIN; o GATE est ligado
camada lateral.
Entre o source e o drain existe condutibilidade hmica, cujo valor em funo da dopagem e das
sees do canal, enquanto que i gate e o canal formam uma juno P-N.
A corrente de sada do dispositivo, feita passar entre S e D, enquanto que para comandar esta
corrente se polariza inversamente o diodo G-S.
Lembrando como se comporta a zona de juno de um diodo polarizado inversamente, se
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Pode-se dizer que ao variar da tenso inversa de gate, se apertamais ou menos o canal de conduo
entre source e drain, (pense-se por analogia a um tubo de plstico no qual se pode regular a passagem
de um lquido, apertando mais ou menos o prprio tubo, variando portanto a seo til passagem do
fluxo).
importante observar que neste dispositivo, o controle realiza-se atravs de uma tenso inversa,
sobre um circuito de entrada com grande resistncia e, portanto, com corrente de entrada desprezvel.
Na ausncia de polarizao inversa no gate, o FET conduz a max corrente de drain. O mesmo
funciona, sob o ponto de vista da polarizao , como os tubos de vcuo (trodo e pntodo a vcuo).
Os smbolos grficos so os seguintes:
FET a canal N
FET a canal P
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Para ter um elevado controle por parte da tenso de gate, sobre a corrente de drain-source, preciso
que para pequenas variaes de tenso, varie muito o aperto do canal; para obter este resultado a
dopagem do canal efetuada com concentrao muito menor que na zona de gate, neste modo o diodo
que resulta ser constitudo por uma juno assimtrica.
Dados fundamentais e caractersticas do FET
A mais importante caracterstica do FET aquela equivalente caracterstica andica dos tubos ou
caracterstica de coletor dos transistores BJT, que chamada caracterstica de drain.
g max
A transcondutncia se exprime em
Ids
Vgs
mA
V
Ou mili-Siemens (mS)
FET a canal N
FET a canal P
FET a canal N
FET a canal P
Se se desejar usar apenas uma tenso de alimentao, deve-se utilizar um artifcio eltrico visvel na
figura:
O artifcio, semelhante quele utilizado para a polarizao automtica dos tubos a vcuo, consiste em
dispor uma resistncia em srie no source, que com a sua cdt, leva o source a um potencial mais
positivo da massa; ligando deste modo o gate referncia, resulta mais negativo do que o source,
exatamente como solicitado pelo transistor FET.
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Os transistores FET so aplicados em todos os circuitos nos quais til explorar a elevada resistncia
de entrada entre gate e source.
Os FET so usados, por exemplo, nos temporizadores, onde possvel obter tempos longos sem
utilizar capacitores grandes demais, nos amplificadores para instrumentos de medida, (nos modernos
osciloscpios a fase de entrada dos amplificadores Y em feral com freqncia nos quais a elevada
impedncia de entrada no FET permite no carregar os circuitos oscilantes L-C, obtendo resultados de
sensibilidade, amplificao e rumor muito melhores que com os transistores BJT.
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Observe-se por exemplo, o seguinte timer com FET com final BJT:
Circuito temporizador FET
Uma oportuna configurao de transistores FET permite obter dispositivos chamados FETRON,
equivalentes s caractersticas de alguns tubos a vcuo, (trodos ou pntodos), com possibilidade de
perfeita intermutao e, naturalmente, funcionamento sem filamento.
Transistores MOSFETs
Do ponto de vista equivalente simplificado, o trasistore MOS-FET representado pela seguinte figura:
O MOS-FET equivalente a um FET com o circuito de gate constitudo por um capacitor com baixa
capacidade em srie na juno gate spource.
O smbolo MOS significa metal oxide semicondutor; de fato , o circuito de gate construdo
isolando o prprio gate, pelo canal atravs de uma camada de silcio, que se comporta como perfeito
dieltrico.
O efeito de campo manifesta-se ainda por induo eletrosttica atrdsavs da capacidade quea se forma
entre gate-xido-canal.
A ligao de gate constituda po uma metalizao sobre o xido de silcio que a separa do canal. O
transitor MOS FET, apresenta em rela o ao FET, um ulterior aumento de resistncia de entrada,
deviso ao isolamento do circuito de entrada sobre o gate; a mesma pode atingir valores de at 1015
hm.
No caso do canal N como indicado na figura, efutua-se a dopagem N que constitui o canal, sobre uma
camada de silcio com dopagem P; duas metalizaes nos bordos do canal, constituem os eletrodos
source e drain; uma camada de bixido de silcio separa o canal da metalizao de gate.
Aplicando potencial negativo a G em relao a S, a capacidade G canal atrai por induo cargas
positivas na zona de canal e se repete o funcionamento do FET, isto , se aperta o canal devido ao
esvaziamento.
No caso de MOSFET DEPLETION com canal P, o funcionamento idntico, com polaridades
invertidas.
Smbolo dos MOSFET DEPLETION:
Polarizao automtica
No caso indicado na figura, com CANAL N, observe-se que o drain e o source so duas camadas N
sobre o substrato P, completamente isolados entre si, aplicando tenso D-S (positiva sobre o drain),
no passa corrente at quando no se aplica um potencial positivo ao gate, e, superado um valor
LIMITE, inicia a conduo entre S e D, porque o potencial de gate chama por induo das cargas
negativas na zona P que separa D e S, constituindo assim um canal N artificial.
Disto deriva o nome enhancement.
No caso de canal P as polaridades e as camadas sero, obviamente, complementares.
CANAL N
CANAL P
Como se nota, o dual gate mosfet, constitudo por dois canais em srie, m e cada um dos canais tem o
seu gate independente.
Em prtica, a corrente principal depende da combinao dos dois sinais de gate.
utilizado principalmente nos misturadores de frequncia para sintonizadores rdio-tv, nos
demoduladores para tv a cores, raramente para aplicaes de oficina.
O seu smbolo o seguinte:
Desejando alimentar e interromper uma carga em contnua, por exemplo uma embreagem, um freio,
etc., a soluo tradicional aquela de introduzir um diodo e um contato.
Nestas condies, portanto, o gate positivo relativamente ao catodo, circula uma corrente IG, o diodo
controlado entra em funo e conduz entre o nodo e o catodo.
Aps a entrada em funo o gate no controla mais o SCR. O desacionamento pode-se realizar apenas
quando se interrompe do exterior a corrente andica Ia.
Aplicando tenso inversa no diodo controlado, isto , negativo o nodo e positivo o catodo, o SCR no
conduz.
Princpio de funcionamento em corrente alternada
Se o gate no est polarizado o SCR no entra em funo.
Com gate positivo, o SCR entra em funo apenas durante o semi-ciclo positivo. No final do semiciclo positivo, o diodo controlado obrigado a entrar em corte, dado que a corrente passa para zero.
O SCR dispara.
Testes de verificao
1) A representao exata
Variando o ponto de incio conduo (ngulo ), de 0 a 180 graus possvel variar o valor mdio
respectivamente do mximo at o zero.
O controle de controle do gatilho determina uma potncia perdida no SCR muito baixa:
1) com SCR cortado a corrente no circula e no existe potncia perdida.
2) com SCR disparado a q.d.t. nas suas extremidades de cerca 1 V.
Circuito de disparo
Testes de verificao
1) A controle do gatilho :
( ) o disparo parcial devido ao acionamento do boto
( ) a conduo parcial no semi-ciclo devida ao disparo atrasado
( ) a regulao parcial do banho de cromagem
2) O valor mdio de uma tenso senoidal relativamente a uma tenso de controle do gatilho :
( ) maior
( ) menor
( ) igual
5) Para variar a potncia dissipada por uma carga em c.a. controlada por um SCR, se age:
( ) sobre o momento de disparo do SCR
( ) sobre a tenso de alimentao
( ) sobre o ponto de desdisparo do SCR
O circuito de disparo deve fornecer ao gate uma tenso positiva quando o nodo positivo.
O ponto de disparo depende dos valores de IG e VG conforme uma curva caracterstica dada pelo
construtor.
Dado que para cada valor de tenso andica existe um diverso valor de IG de disparo, agindo sobre o
potencimetro possvel regular o momento de disparo do SCR.
Com potencimetro a 0, VG = 0
IG = 0, o SCR no se insere.
Variando o valor de IG possvel regular o momento de disparo do SCR, desde a metade do semiperodo (90 graus) ao incio (0 grau).
No possvel disparar o SCR para ngulos superiores a 90 porque a tenso senoidal repete os
valores instantneos precedentes.
Examinemos agora o circuito de atraso, que constitudo pela RV, c, d2, referindo-nos ao grfico.
No espao de 180 a 270 D2 polarizado
diretamente (VC = Va ).
De 270 ao ponto x, D2 no conduz, pelo que o
capacitor descarrega-se e carrega-se atravs de
RV.
De x a 270 o diodo torna a conduzir, porque a
tenso do capacitor se torna maior do que a Va.
O circuito no se desfasa quando RV
completamente excludo, (Va = Vc); aumentado
o valor da resistncia, aumenta o tempo de carga
do capacitor e, portanto, o tempo empregado
pela Vc para atingir para atingir o nvel positivo
necessrio para disparar o SCR.
Quando o diodo controlado conduz, a tenso nas suas extremidades de cerca um volt.
O circuito de disparo, que absorve atravs da
carga uma corrrente desprezvel, resulta,
portanto, alimentado apenas quando o SCR
cortado.
O gerador por impulsos um circuito capaz de fornecer a corrente de gate para um momento
(impulso), de valor suficiente para disparar o SCR.
Atrasando o impulso em relao ao inicio do
semi-perodo possvel disparar o SCR em todos
os pontos da semi-onda positiva.
( regulvel de 0 a 180)
Para que o ngulo de atraso seja constante e preciso necessrio que o circuito gerador de impulsos
inicie o ciclo cada vez que inicia um novo semi-ciclo positivo.
O gerador de impulsos deve ser sincronizado com a tenso de alimentao.
O impulso fornecido pelo gerador deve ter uma durao mnima superior ao tempo de turn on do
SCR; caso contrrio, o disparo no acontece.
No caso do SCR BTY 87 o turn on de 2,5 s.
A fim de obter um disparo seguro do SCR, usa-se um impulso de amplitude suficiente para dispar-lo
com baixos valores de Va.
O impulso no deve Ter, porm, uma durao excessiva, de outro modo, a potncia mdia
dissipada sobre o gate tomaria valores perigosos para a juno.
Em alguns caso, de modo particular com cargas muito indutivas, para garantir um disparo seguro do
diodo controlado, envia-se sobre o gate uma sucesso de impulsos iguais entre si, o chamado trem de
pulsos
Testes de Verificao
1) Os construtores de SCR fornecem as duas curvas limite VG = (f) IG porque:
( )
( )
( )
( )
( )
de 0 a 90
( )
de 90 a 180
( )
de 0 a 180
um circuito R-C
( )
( )
( )
( )
EXERCCIO
Em uma sala cinematogrfica, se deve instalar um sistema de regulao de intensidade luminosa para
20 lmpadas que absorvem 0,6 A cada uma ; examinando-se duas solues de igual custo.
1) Introduo de um reostato de 20.
Circuito de
disparo
Dada porm, a particular configurao do circuito, so necessrias duas fontes de impulsos desfasados
entre si de 180.
Para isso, as causas construtoras tentaram simplificar tal circuito realizando um componente de
pequenas dimenses com uma nica entrada de comando mediante impulsos, boas prestaes e baixo
custo.
Este componente se chama TRIAC.
TRIAC
O TRIAC um componente tipo semicondutor (silcio) dotado de trs eletrodos denominados:
ANODO 1, ANODO 2 e GATE.
Pertence famlia dos THYRYSTOR.
Caracterstica andica:
Analisando a caracterstica, nota-se que o triac um dispositivo bidirecional capaz de controlar toda a
sinuside. O sinal de disparo (G-A1) deve ser enviado a cada semi-perodo pois o cmponente se
desinsere espontaneamente quando a Ia passa pelo zero.
O sinal de disparo deve sert sincronizado com a tenso de alimentao; com o anodo 2 positivo em
relao ao anodo 1, a tenso G-A1 deve ser positiva; com o anodo 2 negativo em relao ao anodo 1, a
tenso G-A1 deve ser negativa. Nos triac mais modernos o sinal de disparo tambm pode estar em
oposio tenso do anodo 2, mesmo se neste caso, geralmente deve ser de intensidade maior que no
precedente.
DIAC
O DIAC, o interruptor bi-direcional de silcio, um dispositivo com quatro camadas que possuem a
peculiaridade de funcionar em corrente alternada e de possuir um limite bi-direcional.
A caracterstica do diac simtrica e tem dois valores tpicos de tenso de bloqueio (VBR).
Se aplicarmos uma tenso crescente no trecho da OV at VBR, a corrente quase nula; quando a
tenso supera o valor VBR a corrente aumenta bruscamente e a tenso nas extremidades diminui
(resistncia diferencial negativa).
Circuito de aplicao
Funcionamento:
O circuito R1 P C constitui a rede defasadora pela regulao do ngulo de disparo.
Quando a tenso de carga de C supera o valor da tenso de bloqueio do diac (VBR), o
capacitor se descarrega parcialmente atravs do diac no gate do triac, disparando-o.
Para obter o corte necessrio que a corrente andica desa abaixo do valor de sustentao (Ih).
O circuito R3-C1 constitui a rede de proteo do triac.
Analisemos as formas de onda do circuito em questo:
So constitudas por pequenas potncias (alguns watt). Tm a vantagem de suportar um alto v/t
em relao aos S.C.S., ligando o GA tenso positiva atravs de uma apropriada resistncia (de fato,
polarizada em sentido inverso a base do transistor P-N-P).
So tipicamente empregados em aparelhagem de Contagem digital.
L.A.S.C.R. (light activated silicon controlled rectifer).
Na verdade, estes componentes so S.C.R. controlados pela luz onde em lugar do eletrodo
de gate para o disparo eletrnico possui uma lente focalizadora da radiao luminosa.
smbolo G.T.O.
circuito equivalente
Este dispositivo estruturalmente semelhante a um tiristor normal visto que pode ser levado em
conduo por um impulso positivo aplicado ao gate, mas tambm semelhante ao transitor j que pode
ser levado interdio por um impulso negativo aplicado ao mesmo gate.
As vantagens do G.T.O. so:
-
O dispositivo G.T.O. moderno disponvel nas verses: 1000 V, 1300 V; 1500 V e correntes de 5A.
O seu cdigo comercial BTW58 (PHILIPS).
Funcionamento
O G.T.O. formado por dois transitores complementares interconexos entre si e , portanto, o seu
funcionamento quase idntico ao S.C.R.
Aplicando base do transistor NPN um sinal positivo, este instaura um fenomeno regenerativo
tendente a levar edm breve tempo, ambos os transitores ao mximo da conduo.
Se a corrente de saturao ser suficientemente intensa, o dispositvo poder manter-se
permanentemente no seu estado de conduo.
A diferena do S.C.R, e o G.T.O. estruturado em modo tal que, querendo interdir o seu
funcionamento, basta aplicar uma tenso negativa ao gate.
Quanto controle deste dispositivo, podemos afirmar que com uma corrente de cerca 100 mA, que
pode ser anulada logo que o G.T.O.alcana a corrente de manuteno, este pode comutar correntes de
5
Graas sua paricular estrutura interna e ao processo de dopagem ouro, tem um baixo tempo de
imagazinamento.
O seu turn-off inferior ao micro segundo, de fato, aplicando uma tenso negativa de 5V ao gate, o
G.T.O. passa zona de no conduo em menos de 0,5 micro segundos.
Circuito de controle
Para obter a caracterstica de nterruptor eletrnico perfeito, como de fato o G.T.O. dado que pode
passar do estado de conduo aquele de interdio em um tempo inferior a 0,5 micro segundo,
necessrio mun-lo de um correto circuito de controle.
Exemplo de circuito de controle e relativa potncia:
Aplicaes
Como j visto precedentemente, o G.T.O.sendo quase idntico a um perfeito interruptor, capaz de
comutar rapidamente com tenso de at 1500 Volts e corrente de 5A, pode ser empregado em um
grande nmero de aplicaes, tais como:
Campo industrial
alimedntadores;
acenso eletrnica para vedculos;
inversores para controle de motores c.a.
Eletromsticos
Campo rdio/TV
alimentadores
fases finais de faixa
max 120C
jmb 1,5C
Desenho extrado de SEMICONDUTORES part.2 September 1982 PHILIPS por gentil concesso.
SCRs
TRIACs
SRIE TIC
5 A CC
30 V a 400 V
Corrente de pico de 30 A
IGT mximo de 200 A
100
TIC 106
B
200
TIC 106
C
300
TIC 106
D
400
100
200
300
400
TIC 106 A
tenso de pico repetitiva, c/ SCR
desativado VDRM (nota 1)
Tenso reversa de pico, repetitiva
VRRM
corrente contnua, c/ SCR operado, a
80C (ou abaixo) no encapsulamento
(nota 2)
corrente mdia, c/ SCR operado,
(ngulo de conduo 180) a 80C
UNIDADE
V
V
3,2
30
0,2
1,3
0,3
faixa
de
temperatura
de
-40 a 110
C
encapsulamento, c/ SCR operado
faixa
de
temperatura
de
-40 a 125
C
armazenagem
temperatura dos terminais, a 1,5 mm
230
C
do encapsulamento, por 10 s
NOTAS:
1. Esses valores so vlidos quando a resistncia catodo-gate for RGK = 1k
2. Esses valores so vlidos para operao contnua em CC,C / carga resistiva
3. Este valor pode ser aplicado continuamente sob uma meia onda de 60 Hz, c/ carga resistiva
4. Este valor vlido para uma meia onda senoidal de 60 Hz, quando o dispositvo estiver
operando c/ os valores (ou abaixo deles) dados de tenso reversa de pico e corrente de operao
5. Este valor vlido para um tempo mximo de 16,6 ms.
Caractersticas eltricas a 25C (temperatura do encapsulamento)
MIN
TPICO
MAX
400
1
UNID
A
mA
60
200
1,2
mA
1,7
10
V/s
MX.
3,5
6,25
UNIDADE
C/W
C/W
8 A 12 A CC
50 V A 600 V
Corrente de pico de 80 A e 100 A
IGT mximo de 20 mA
-
TIC 126
UNID
50
100
200
300
400
500
600
50
100
200
300
400
500
600
50
100
200
300
400
500
600
50
100
200
300
400
500
600
12
8 A RMS
200 V A 400 V
aplicaes em alta temperatura, alta corrente e alta
tenso
- dv/dt tpico de 500 V/s a 25C
- Valores mximos absolutos, ao longo da faixa de temperatura de encapsulamento
UNIDADE
TIC 226B
200
tenso de pico repetitiva, com o TRIAC desativado (nota 1)
V
TIC 226D
400
corrente RMS de onda completa, em operao a (ou abaixo
8
A
de) 85C no encapsulamento (nota 2) IT (RMS)
corrente de pico, senide onda completa ITSM (nota 3)
70
80
4)
corrente de pico de gate - IGM
1
A
pico de dissipao em potncia de gate PGM, a (ou abaixo de)
2,2
W
85C no encapsulamento (larg. de pulso 200s)
dissipao em potncia, mdia , de gate, PG (av), a (ou abaixo
0,9
W
de) C no encapsulamento (nota 5)
faixa de temperatura do encapsulamento, em operao
-40 a 110
C
faixa de temperatura de armazenagem
-40 a 125
C
Temperatura dos terminais a 1,5 mm do encapsulamento, por 10 s
230
C
NOTAS:
1. Esses valores so vlidos bidirecionalmente para todo valor de resistncia entre o gate e o
terminal principal 1.
2. Este valor vlido para senide onda completa, 50 a 60 Hz, com carga resistiva.
3. Este valor vlido para uma senide de 60 Hz, onda completa, quando dispositivo estiver
operando no (ou abaixo do) valor dado de corrente em operao.
4. O mesmo que a nota 3, porm com senide meia onda.
5. Este valor vlido para um tempo mximo de 16,6 ms.
Caractersticas eltricas a 25C de temperatura do encapsulamento
MIN.
TPICO
IDRM corrente de pico repetitiva, com o TRIAC
desativado
15
-25
0,9
-1,2
20
-30
30
-40
IH corrente de reteno
IL corrente de Iatching
dv/dt taxa crtica de subida da tenso, com
TRIAC desativado
dv/dt taxa crtica de subida da tenso de
comutao
500
MAX.
UNID.
mA
50
-50
2,5
-2,5
2,1
60
-60
70
-70
mA
V
V
mA
mA
V/ s
V/ s
Caractersticas trmicas
RQJC resistncia trmica juno-encapsulamento
RQJA resistncia trmica juno-ambiente
SRIE
TIC
TRIACS
-
236
12 A e 16 A
200 V e 400 V
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MAX.
1,8
62,5
UNID.
C/W
C/W
B
D
200
400
12
100
-40 a 110
-40 a 125
230
NOTAS:
1. Esses valores so vlidos bidirecionalmente para todo valor de resistncia entre o gate e o
terminal principal 1.
2. Este valor vlido para senide onda completa, 50 a 60 Hz, com carga resistiva.
3. Este valor vlido para uma senide de 60 Hz, onda completa, quando o dispositivo estiver
operando no (ou abaixo do) valor dado de corrente em operao.
Caractersticas eltricas a 25 C de temperatura do encapsulamento
MIN.
IIDRM corrente de pico repetiva, com o TRIAC
desativado
IGTM corrente de pico de gatilhamento de gate
15
-25
1,2
-1,2
TPICO
MAX.
UNID.
mA
50
-50
2,5
-2,5
2,1
V
V
IH - corrente de reteno
50
-50
IL corrente de Iatching
mA
20
-20
mA
mA
Caractersticas trmicas
RQJC
resistncia
trmica
junoencapsulamento
RQJA resistncia trmica juno-ambiente
MX.
UNID.
C/W
62,5
C/W
COMPONENTES DE POTNCIA
requer tenso negativa. Suas aplicaes incluem inversor de alta frequncia, tosador, circuito
controlador de potncia.
RCT: TIRISTOR DE CONDUO REVERSA, 03 terminais, multicamadas, tiristor de conduo
reversa com tenso positiva do gate e larga conduo de corrente com sentido reverso. Seus
usos incluem aplicaes em comando eletroluminescente e circuitos de comutao
bidirecional A.C.
SCR: RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO, 03 terminais, 04 camadas, tiristor de
bloqueio reverso, tenso positiva no gate. Seus usos incluem aplicaes em controle de fase,
inversor, tosador, modulador de pulso e circuito de comutao esttica.
SCA: UNIDADE CONTROLADA DE SILCIO, Multiterminais, classificador de unidades que
incluem um condicionamento completo (ligao, refrigerao) para sistemas que requerem
controle de alta potncia.
SCB: PONTE CONTROLADA DE SILCIO, Multiterminais, classificados como mecanismo de
ponte que incluem os SCR que so as unidades controladoras mais importantes. A ponte
bsica inclui arranjos simples e componentes trifsicos com diferentes controles de arranjos.
Seus usos incluem simples retificao e multifases e controlador de motores, carregadores de
bateria e inversores de potncia.
As caractersticas e classificaes mostram estas no geral para os casos de piores condies. Esta
abordagem permite ao leitor comparar e selecionar os componentes cujas caractersticas so expostas
seguir para uma mxima condio de operao. A nica exceo VDRM (mxima tenso repetitiva
em off-state) que dado sobre uma faixa de operao de temperatura.
di/dt (classificao): Crtica taxa de conduo de corrente em on-state (AMP/SEC). Mximo aumento
da taxa de corrente que o tiristor pode resistir sem ser danificado.
dv/dt (comutao): Taxa crtica de comutao de tenso. A menor taxa do aumento da tenso
principal do tiristor que garante que o tiristor ir desligar quando a tenso
IR: CORRENTE REVERSA (AMP Tref Vrrm): A principal corrente conduzida atravs do tiristor de
bloqueio reverso at uma especfica temperatura requerida, geralmente medida a 25C.
Is @ Vs: CORRENTE DE COMUTAO (AMP): A corrente principal conduzida atravs do
gatilho do tiristor, medida na tenso de comutao, medida a 25C.
IT @ Tref: CORRENTE ESTTICA EM ON-STATE: A mxima corrente contnua em ONSTATE que o tiristor poder operar, especificada a uma temperatura especfica
referida.
It (AV) @ Tref: CORRENTE MDIA DE MEIA ONDA EM ON-STATE (AMP): A mxima
corrente mdia em ON-STATE a que o tiristor poder operar a uma temperatura
referente especificada. Para bloqueio reverso e na conduo dos tiristores estes
valores so especificados para um ngulo de conduo de 180C; para tiristores
bidirecionais a corrente mdia raramente especificada.
ITRM:
IT (RMS) @ Tref: CORRENTE RMS ON-STATE: A mxima corrente RMS (ON-STATE) que o
tiristor ir operar especificadamente a uma temperatura especfica referente.
Para bloqueio reverso ou conduo dos tiristores estes valores so
especificados para conduo de um ngulo de 180C. Para tiristores
bidirecionais, estes valores so especificados para 360C.
ISTM: SOBRE CORRENTE (AMP): Uma corrente caracterstica no repetitiva do tiristor
geralmente medida a 25C. Para bloqueio reverso e tiristor em conduo estes valores so
geralmente medidos em meio ciclo aplicando uma tenso de meia onda atravs dos terminais
principais do componente.
Para tiristores de potncia bidirecional estes valores so geralmente medidos em onda
completa aplicando tenso de meia onda atravs do componente.
Para o gatilho dos tiristores estes valores so medidos em um pulso retangular veloz
especificado.
IV: CORRENTE NO PONTO DE VALE (AMP): A corrente andica (no Put) no ponto de vale
onde dvak/dt = O
tgt: TEMPO DE LIGAO DO GATILHO CONTROLADOR Tempo requerido para ligao do
tiristor de potncia, medida a uma corrente especificada do ponto de pulso frontal no gate, para
apontar a corrente principal ou pulso de frente da tenso, durante o intervalo que o tiristor est
ligado, geralmente medido a 25, porque os testes necessitariam de condies extensidade
durante a medio, os valores tpicos so geralmente especificados.
TON: TEMPO DE CHAVEAMENTO P/ ON (SEC). O tempo requerido para ligao do gatilho do
tiristor medido a um ponto de inicializao principal do pulso de tenso frontal a um ponto de
pulso de corrente frontal de sada, normalmente medida a 25C. Porque os testes necessitaram
de condies extensivas durante a medio, os valores tpicos so geralmente especificados.
tq: TEMPO PARA O CIRCUITO CHAVEAR PARA OFF. Tempo requerido para desligamento
do tiristor medido uma corrente especificada, de um tempo de reduo da tenso a zero para o
tempo em que o tiristor capaz de suportar a tenso principal sem disparar-se, geralmente medida
a 25C. porque os testes necessitam de condies extensivas durante a medio, os valores tpicos
so geralmente especificados.
VcT: TENSO DE GATILHO N-GATE. a tenso negativa que o comutador de silcio controlado
(SCS) necessita para o disparo do tiristor, geralmente medida a 25C esta tenso referenciada
no anodo.
VD: TENSO CONTNUA DE BLOQUEIO. a mxima tenso contnua que o tiristor ir operar.
VDRM: TENSO DE PICO REPETITIVA EM OFF-STATE (Volt): Determina acima da faixa de
temperatura. A mxima tenso instatnea repetitiva que o tiristor ir operar por quadrante
de comutao. Especificado para equipamentos com disparo-gate. A menos que notado
pelo smbolo, o valor especificado cm o gate aberto.
VGQ: TENSO DE GATE PARA TURN-OFF: A tenso negativa do gate, referenciada no catodo
requerida de Turn-off do gate para Turn-off comutao, medida especificada por uma
corrente principal; geralmente a 25C.
VGT: TENSO DE ENGATILHAMENTO DO GATE A tenso requerida para comutar o tiristor
em ON-STATE. Geralmente medida a 25C. Estes valores so positivos (referenciados no
catodo) para tiristores com P-GATE, e negativos (referenciados no catodo) para tiristores NGATE. Para tiristores triodos bidirecionais estes valores podem ser ambos positivos ou
negativos.
VP-VR: TENSO DE OFFSET: A diferena da mnima tenso (no P.U.T.) entre o ponto de pico da
tenso de comutao e a tenso de referncia entre gate-catodo.
VRRM: MXIMA TENSO REVERSA REPETITIVA: A mxima tenso repetitiva que o tiristor
de bloqueio reverso poder operar em sentido reverso.
VS: TENSO DE COMUTAO: a tenso atravs do gatilho tiristor no ponto em que a
resistncia diferencial zero. Geralmente medida a 25C. tambm chamada VBO.
VT @ IT: TENSO DE ON-STATE: o princpio de tenso atravs do tiristor medida a corrente
especfica, normalmente a 25C, a menos que messa em outra temperatura. Para
equipamentos de potncia estas medies so geralmente determinadas com corrente de
meia-onda, e com valores de picos indicados.
Para equipamentos trigger de disparo estas medies so especificadas com tenso
pulsativa a menos que se faa de outra maneira.
Circuitos Integrados
Notas tecnolgicas
Um circuito integrado constitudo por uma chapa, chamada chip, de cristal de silcio, com cerca
1mm2 de seo, que comtm elementos ativos e passivos e respectivas ligaes.
Estes circuitos so realizados mediante os mesmos processos utilizados para produzir dodos e
transistores.
Isso permite uma excelente repetio e se adapta produo de um grande nmero de peas a baixo
custo. As principais vantagens que derivam desta tecnologia so o enorme grau de confiabilidade, a
reduo das dimenses e o baixo custo, comparvel ao preo que custaria o circuito se tivesse sido
realizado mediante elementos discretos interligados segundo as tcnicas tradicionais.
Observa-se na figura que a pequena chapa de silcio do suporte contm diversas zonas dopadas N eP,
portanto, muitas junes NP. Utilizando as junes se obtm diodos, transistores e capacitores de
pequena capacidade, utilizando a capacidade apresentada pela juno quando polarizada
inversamente.
Para as resistncias utiliza-se a condutabilidade extrnseca do semi-condutor (que varia com a
dopagem), como ilustrado na figura.
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Resistor Monoltico
O isolamento entre os vrios componentes se obtm polarizando inversamente a juno constituda
pelo suporte (P) e pelo material (N) do componente.
A tcnica dos circuitos integrados permite realizar mais convenientemente os transistores do que as
resistncias ou capacitores, e por este motivo que os circuitos eletrnicos integrados so projetados
com critrios diferentes daqueles adotados para os componentes discretos.
Tipos e famlias
No comrcio existe uma grande variedade de circuitos integrados; na tabela seguinte indicada a
subdiviso dos componentes mais frequentemente empregados:
O estudo deste circuito relativamente simples (SSI), resulta j em dificuldade, pois mais evidente a
interpretao do esquema lgico; o mesmo esquema simplificado pelo smbolo do J-K flip-flop.
Normalmente, para interpretar esquemas realizados com os circuitos; o mesmo vem a ser assim
considerado como um MDULO (caixa fechada com funo definida) e importante reconhecer os
terminais e as respectivas funes.
Invlucros
Para os circuitos integrados usam-se invlucros em resina, de cermica ou metlicos, geralmente com
muitos contatos.
Invlucro tipo DUAL IN-LINE PACKAGE
(DIP). Existem muitas verses com diverso
nmero de ligaes. Exemplo: 6 8-4-16-24-2840. Com mens de 14 ligaes cahamado mini
DIP. O DIP atualmente o mais usado.
Testes de verificao
)
)
)
)
2) com a tecnologia utilizada para realizar os circuitos integrados mais fcil obter:
(
(
(
(
)
)
)
)
Transistores
Resistncias
Capacitores
Bobinas
)
)
)
)
TTL
SSI
MSI
LSI
)
)
)
)
Da famlia TTL
Da famlia MOS
Digitais
Lineares
)
)
)
)
Amplificadores de potncia
Amplificadores operacionais
Mdulos para TV
Circuitos lgicos