DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

CARRERA DE ING. EN ELECTRNICA E INSTRUMENTACIN

ASIGNATURA:
ELECTRONICA DE POTENCIA

NOMBRE:

ROMO JUAN

DOCENTE: ING. MARCELO SILVA

CONSULTA

PERIODO MARZO 2016 - AGOSTO 2016

UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS-ESPEL

DEPARTAMENTO DE EECTRICA Y ELECTRONICA
ELECTRONICA DE POTENCIA
NOMBRE: Juan Esteban Romo
CARRERA: Electrnica
TEMA:
Estructura y principios de operacin funcionamiento de un IGBT
El transistor IGBT, de las siglas en ingls Isolated Gate Bipolar Transistor, es un
dispositivo hbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los
apartados anteriores, o sea, el IGBT rene la facilidad de disparo de los MOSFET con
las pequeas prdidas en conduccin de los BJT de potencia. La puerta est aislada del
dispositivo, con lo que se tiene un control por tensin relativamente sencillo. Entre el
colector y el emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es
muy cercano a lo ideal.
La figura 1 muestra la simbologa para este tipo de transistores.

Figura 1. Smbolo
Su velocidad de conmutacin, en principio, similar a la de los transistores bipolares, ha
crecido en los ltimos aos, permitiendo que funcione a centenas de kHz, en
componentes para corrientes del orden de algunas decenas de Amperios.
Principio de funcionamiento y estructura
La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusin de una capa
P+ que forma el colector del IGBT, como se puede ver en la figura 2.
Gracias a la estructura interna puede soportar tensiones elevadas, tpicamente 1200V y
hasta 2000V (algo impensable en los MOSFETs), con un control sencillo de tensin de
puerta. La velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada como la de los
MOSFETs, pero permite trabajar en rangos de frecuencias medias, controlando
potencias bastante elevadas.
En trminos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual la
regin N- tiene su conductividad modulada por la inyeccin de portadores minoritarios
(agujeros), a partir de la regin P+, una vez que J1 est directamente polarizada. Esta

mayor conductividad produce una menor cada de tensin en comparacin a un

MOSFET similar.

Figura 2. Estructura del IGBT

El control del componente es anlogo al del MOSFET, o sea, por la aplicacin de una
polarizacin entre puerta y emisor. Tambin para el IGBT el accionamiento o disparo se
hace por tensin. La mxima tensin que puede soportar se determina por la unin J2
(polarizacin directa) y por J1 (polarizacin inversa). Como J1 divide 2 regiones muy
dopadas, se puede concluir que un IGBT no soporta tensiones elevadas cuando es
polarizado inversamente.
Los IGBT presentan un tiristor parsito. La construccin del dispositivo debe ser tal que
evite el disparo de este tiristor, especialmente debido a las capacidades asociadas a la
regin P. Los componentes modernos no presentan problemas relativos a este elemento
indeseado.
En la figura 3 se muestra la caracterstica I-V del funcionamiento de un IGBT. El IGBT
tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas prdidas de conduccin
en estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningn problema de ruptura
secundaria como los BJT.

Figura 3. Caracterstica I-V del funcionamiento de un IGBT

El IGBT es inherentemente ms rpido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de

conmutacin del IGBT es inferior a la de los MOSFETs.
Bibliografa:

http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.2.
Transistor_potencia.pdf

http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/transistoresIGBT.html

http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_campo.htm