Amplificadores de Radiofrecuencia (RF)

Mara Camila Arrobo Fernndez

Evelyn del Roco Carrin Aguilar
Ethetson Damin Pineda Morocho
Universidad Nacional de Loja
Loja, Ecuador
mcarrobof@unl.edu.ec
ercarriona@unl.edu.ec
edpinedam@unl.edu.ec

ResumenEn el presente artculo se aborda el tema

de los amplificadores de radiofrecuencia o amplificadores
RF, los cuales son una etapa importante en los sistemas de
comunicaciones inalmbricas.
Abstract This article addresses the issue of
radio frequency amplifiers or amplifiers RF, which are an
important stage in wireless communications systems.
Palabras
claves

Amplificadores,
Radiofrecuencia, RF, Amplificadores RF.
I.

INTRODUCCIN
Los amplificadores de Radiofrecuencia o tambin
conocidos amplificadores RF son parte de un
subconjunto de amplificadores de corriente alterna.
Radiofrecuencia hace alusin a las frecuencias del
espectro electromagntico que son utilizadas en las
radiocomunicaciones.
Los amplificadores de RF tienen como objetivo la de
amplificar las seales de alta frecuencia que se utilizan en
las comunicaciones de radio. Al momento de disear este
tipo de amplificador se tiene presente parmetros como
ganancia, potencia, ancho de banda entre otros.
La importancia de estos amplificadores de
radiofrecuencia se basa en que es necesario amplificar la
potencia para poder radiar la seal RF al espacio y esta
pueda ser receptada de la manera ms ptima en el
receptor.

II.

MARCO TERICO

A.

Radiofrecuencia (RF)

La abreviacin RF es el trmino que se refiere a la

radiofrecuencia, esta es usada en las telecomunicaciones
dentro de la emisin electromagntica generada por un

circuito oscilador, las oscilaciones que produce este

circuito se amplifican elctricamente y se envan a una
antena que ser la encargada de radiarla.
Los circuitos electrnicos van a modular la
radiofrecuencia (RF) de manera que esta ser til para
enviar la informacin que necesitemos, estos pueden ser
datos digitales como analgicos. Adems ser necesario
un equipo receptor, conformado por una antena, circuito
demodulador para poder reconstruir la informacin de la
seal que fue transmitida.
La potencia en el transmisor de RF tiene que ser la
suficientemente alta para que pueda ser captada por el
receptor.

B.

Amplificadores

Los amplificadores son dispositivos capaces de

aumentar la amplitud de una seal, estos dispositivos
pueden presentar capacitancias parasitas a altas
frecuencias y fenmenos que hacen que el amplificador
no sea estable, por lo tanto la amplitud no ser la
adecuada.
C.

Amplificadores RF

Los amplificadores RF tienen como funcin el elevar

la potencia de la seal generada de una etapa anterior
hasta obtener un nivel requerido en el diseo para
aplicarlo en la antena. En la etapa de amplificacin se
aplica la seal moduladora que se obtuvo del
amplificador modulador la cual va a ser la seal de
antena.
Esta etapa puede causar distorsiones en la seal de
salida del amplificador, provocada por amplificaciones
muy elevadas o efectos producidos por el amplificador.

Adems el amplificador de radiofrecuencia establece

la sensibilidad en el receptor lo cual nos dice cul ser el
umbral de la seal.

3. Partes de un amplificador RF

Puerto de entrada y salida: Estos son la

impedancia de entrada y la impedancia de salida, la
primera es la del generador con un valor = 50
y la de salida con un valor = 50 .

Redes de adaptacin: Encargada de adaptar las

impedancias, no tiene elementos disipativos, es decir
sin perdidas.

Red de polarizacin: Esta puede ser activa o pasiva

y su funcin es mantener fijo el punto de operacin
en DC.

Transistor: En bajas frecuencias se utiliza el modelo

de baja seal, sin embarga en radiofrecuencia
aparecen elementos parsitos que hace necesario el
uso de los parmetros S del transistor logrando un
anlisis ms fcil y preciso. Los parmetros S son
vlidos nicamente para las condiciones de
polarizacin de los cuales fueron medidos.

1. Funciones de los amplificadores RF

Los amplificadores RF tienen dos funciones
importantes:

Aumentar el nivel de la portadora que es

generada por el oscilador.

Se lo puede utilizar como amplificador

separador para que el oscilador no se vea
afectado por fluctuaciones de tensin o
impedancia.

2. Caractersticas de un amplificador RF
Los amplificadores de radiofrecuencia ideales
presentan las siguientes caractersticas:

Baja figura de ruido: El factor de ruido (F) es

la relacin que hay entre la seal/ruido de
entrada con la seal/ruido de salida.
(/)
=
(/)

(1)

Ganancia de moderada a alta: Es la relacin

entre la amplitud de la seal de salida en
comparacin a la amplitud de la seal de
entrada. La ganancia se mide en decibelios (dB).

Selectividad moderada: Expresa la cantidad

para admitir una banda de frecuencia
seleccionada y rechazar a las dems.

Bajo ruido trmico: Es un ruido interno

causado por la energa interna de los elementos.

Amplificacin: La amplificacin se da debido a

que las seales que llegan a la antena suelen ser
muy bajas, sin embargo los amplificadores
deben contar con caractersticas de ruido muy
bajas y el mismo se debe encontrar sintonizado
de manera que solo acepte las frecuencias de la
portadora y las bandas laterales.

Sensibilidad: Nivel mnimo de la seal de

radiofrecuencia que se puede detectar a la
entrada del receptor para poder producir una
seal de informacin til.

4. Tipos de amplificadores RF
Amplificadores de alta frecuencia.- Los
amplificadores que tienden a trabajar con altas
frecuencias son las siguientes:

Modelo del BJT en alta frecuencia:

El modelo ms conocido es el hibrido, su principal

caracterstica es el elemento activo, en otras palabras el
transistor configurado en emisor comn.

Fig.1: Transistor NPN de emisor comn.

Su modelo al ser analizado en bajas frecuencias se

representa como se muestra en la figura 2.

Con los parmetros h se puede conocer su

comportamiento de fcil manera los cuales vienen
especificados en las hojas de datos de los transistores.

frecuencia de corte inferior (l), la regin de alta

frecuencia se describe a travs de corte superior
(h).
Una regin independiente de la frecuencia.
La regin de alta frecuencia, descrita por la respuesta
de un filtro pasa bajos.

Fig.2: Transistor NPN de emisor comn para bajas frecuencias.

El modelo hibrido para frecuencias altas se muestra

en la siguiente grfica:

Fig. 4: Respuesta en frecuencia de un amplificador.

Fig.3: Transistor NPN de emisor comn para altas frecuencias.

Los efectos producidos por los condensadores de

acoplo, como los efectos capacitivos del dispositivo
activo son necesarios para determinar la respuesta en
frecuencia de un amplificador
En el BJT se debe usar un modelo que describa los
efectos de alta frecuencia, el conocido modelo hbrido.

Se tiene que:
Cbe = Capacidad de la unin base-emisor.
Cbc = Capacidad de la unin colector-base.

B = Base interna del transistor (no accesible).

rbb = Resistencia hmica desde B al contacto
externo B
rbe = Resistencia de la unin base-emisor,
representa la corriente de recombinacin en la base
ante el exceso de minoritarios inyectados.
1/hoe = Resistencia de salida debida al aumento de
IC con VCE (modulacin de la anchura de la base).
Al analizar el circuito rbb es muy pequeo con
respecto a rbe, por lo tanto
= +

(2)

Fig. 5: Circuito amplificador en emisor comn.

Mientras el amplificado en modelo hbrido queda

de la siguiente manera como se muestra en la figura 6.

Se tiene una frecuencia de corte, cuando la ganancia

cae en 3db como se muestra en la siguiente ecuacin:
=

1
2 ( + )

(3)

La respuesta en frecuencia de este amplificador tiene

tres reas que se mencionaran a continuacin:

La regin de baja frecuencia, descrita por la

respuesta de un filtro pasa alto, caracterizada por una

Fig. 6: Modelo hbrido.

Los condensadores de acoplamiento, C1 y C2, y de

desacoplo CE en cortocircuito.
Clculo de la resistencia que ve
Cortocircuitamos la fuente

Se deja en abierto
Sustituimos por una fuente

frecuencia, la fuente de corriente controlada por tensin,

tres capacidades.

Quedando,
=

(4)

Fig. 8: Transistor FET

En el clculo de gm (transconductancia intrnseca) se

usa la expresin aproximada de gran seal:

= (1
Fig. 7: Circuito equivalente de resistencia.

= = ( + )

2
)

(9)

Donde
(5)
Vp es la tensin de estrangulamiento.
Idss es la corriente de drenaje para Vgs=0.

Clculo de la resistencia para

Se procedemos de la misma forma para .
= + ( + )( )

= = + [1 + ( )

La constante de tiempo para circuitos RC es igual a

=

(6)

Por lo tanto la constante de tiempo para los

capacitores es:
= = ( + )
= = ( + [1

(7)

Fig. 9: Modelo de transistor FET para altas frecuencias.

Se debe enfatizar que esta expresin es vlida para la

zona de saturacin de Id (Zona de corriente
aproximadamente constante).
Para la obtencin de gm derivamos con respecto a
Vgs:

+ ( )]
Siendo la frecuencia de corte la que se muestra en la
ecuacin 8.
=

1
+

(8)

El transistor de efecto de campo (FET) en

alta frecuencia

En el modelo del FET en alta frecuencia a pequea

seal, se puede apreciar a parte de los elementos de baja

= 2

(1 )

(10)

= 2

La transconductancia aumenta con la raz cuadrada

de la corriente.
Para el clculo del parmetro ro se toma en cuenta
que la corriente en cortocircuito dada por la ecuacin 9,
la cual es vlida para valores pequeos de Vds.

Al aumentar Vds,

Id tambin lo har con

pendiente . Si se prolonga la recta de carga hasta el eje

de Vds, se tiene un punto comn a todas las corrientes

(VA). Este valor suele ser 100V.
=

El objetivo de este circuito es de obtener una onda

senoidal a la salida. Tiene un ngulo de conduccin desde
los 120 hasta los 150.

(11)

Para obtener las capacidades se hace mediante las

siguientes expresiones:

1 +

(12)
Fig. 11: Modelo amplificadores tipo C.

1 +

(12)

La capacidad es independiente de la
polarizacin, es una capacidad entre electrodos y es el
potencial que se genera en la juntura y es del orden de los
60mV. Aqu vemos una raz cubica debido a que la
juntura es de tipo gradual.
5. AMPLIFICADORES DE POTENCIA DE RF
Los amplificadores de potencia tienen el fin de
verificar para una porcin de la seal de entrada cuanta
potencia se tiene a la salida.

Con el empleando de algunos mtodos se puede

reducir el ngulo de conduccin, a continuacin se
mencionaran:

Polarizacin de la seal (capacitor en serie con la

base).
Polarizacin externa (bobina de choque en
derivacin con la base).
Autopolarizacin (igual que el anterior ms un
circuito R-C en paralelo en el emisor).

Este tipo de amplificador tiene un rendimiento

aproximado entre el 90% y 100%, y en los casos ideales
tiene rendimiento de 100% cuando tiene un ngulo de
conduccin de 0. Es decir, el rendimiento de los
amplificadores de potencia RF depende del ngulo de
conduccin.
Los amplificadores clase C cuentan con poca
ganancia y pequeo ancho de banda.

Fig. 10: Modelo amplificadores de potencia RF.

En los amplificadores de potencia de radiofrecuencia

se tiene los siguientes:

Amplificador clase C

Es un amplificador no lineal, el cual est conformado

por un circuito resonante de elementos L y C como se
muestra en el esquema.

Amplificador clase E

Estos amplificadores poseen una resistencia de

choque RFC de alta reactancia con lo que se puede
conseguir una corriente estable.
Cuenta con un circuito resonante para lo que permite
tener el voltaje y corriente sinusoidal a la salida. Adems
de un capacitor en derivacin C2 que se carga y descarga
mediante el circuito L-C. Esta descarga se debe hacer en
el tiempo ms rpido posible, para lograr el mejor
rendimiento.

Fig.14: Red de dos puertos con impedancia de carga y de

fuente arbitrarias.

Fig. 12: Modelo amplificadores tipo E.

El transistor funciona como un interruptor, en el

momento que est abierto no hay tensin; pero si una
circulacin de corriente. La tensin mxima va a estar
dada por: Vmx=3.56Vcc, y la corriente mxima por:
Imx=2.862Idc.

potencia disipada en la carga ZL a la potencia

suministrada a la entrada de la red de dos puertos.
Esta ganancia es independiente de ZS, aunque las
caractersticas de algunos dispositivos activos
pueden ser dependientes de ZS.

Ganancia de potencia disponible: =

relacin de la potencia disponible de la red de dos

puertos a la potencia disponible desde la fuente. Esto
supone conjugado correspondencia de la fuente y la
carga, y depende de ZS, pero no ZL.
Ganancia de potencia del transductor: =

Amplificador clase F

Este tipo de amplificador tambin cuenta con una

bobina de choque y tiene una alta eficiencia.

Ganancia de potencia: = es la relacin de

es la

es la relacin de la potencia entregada de la carga

de la potencia disponible de la fuente. Esto depende

de ZS y ZL.
Estas definiciones difieren principalmente en la
forma en que la fuente y la carga se adaptan al dispositivo
de dos puertos; si la entrada y la salida estn conjugadas
con el dispositivo de dos puertos, entonces la ganancia se
maximiza y = = .
Con referencia a la figura 1, el coeficiente de
reflexin visto hacia la carga es

Fig. 13: Modelo amplificadores de clase F

Tiene un circuito tanque conformado por L3 y C3

para proporcionar una tercera armnica centrada en la
frecuencia fundamental, lo que nos permitir reducir el
solapamiento de las ondas de voltaje y corriente,
ayudando a evitar las prdidas de energa.

(13)

Mientras que el coeficiente de reflexin visto hacia

la carga es

D. Parmetros para el diseo

1. DEFINICIN DE LAS GANANCIAS
POTENCIA DE DOS PUERTOS

DE

Consideremos una red arbitraria de dos puertos,

caracterizada por su matriz de dispersin [S], conectada
a la fuente y a las impedancias de carga ZS y ZL,
respectivamente, como se muestra en la Figura. Vamos a
derivar expresiones para tres tipos de ganancia de
potencia en trminos de los parmetros de dispersin de
la red de dos puertos y los coeficientes de reflexin, y
, de la fuente y carga.

(14)

Donde es la referencia de impedancia

caracterstica para los parmetros de dispersin de la red
de dos puertos.
En general, la impedancia de entrada de la red de dos
puertos terminada no coincidir con un coeficiente de
reflexin dado por , que se puede determinar usando
una seal o mediante el siguiente anlisis. De la
definicin de los parmetros de dispersin y el hecho de
que 2+ = 2 , tenemos

1+

S11 1+

S12 2+
= S11 1+
+ S12 2

2+ = S21 1+ + S22 2+
= S21 1+
+ S22 2

15(a)

Resolviendo para 2 de la ecuacin 3(b),

sustituyendo en la ecuacin 10 y usando en la ecuacin 8
se tiene
|1 |2 |S21 |2 |1 | 2
20 |1 S22 |2
| |2 |S21 |2 (|1 | 2 )|1 |2
=
80 |1 S22 |2 |1 |2
=

15(b)

23

La ganancia de potencia puede entonces expresarse como

Eliminando 2 de la ecuacin 3(a) y resolviendo
1 /1+ obteniendo
1

S12 S21

= + = S11 + 1 S
1

22

|S21 |2 (1 | |) 2

(1 | |2 )|1 S22 |2

16

+ Z

Donde Zin es la impedancia vista mirando al puerto

1 de la red terminada. Similar, el coeficiente de reflexin
visto mirando en el puerto 2 de la red cuando el puerto 1
se termina por ZS es

La potencia disponible de la fuente, Pavs, es la

potencia mxima que se puede entregar a la red. Esto
ocurre cuando la impedancia de entrada de la red
terminada es conjugada emparejando a la impedancia de
la fuente. As, a partir de la ecuacin 9.
= |

2
2+

= S22 +

S12 S21
1 S11

= 1+ + 1 = 1+ (1 + )

18

=
=

17

Por la divisin de voltaje,

1 =

24

| |2 |1 | 2
80 (1 | |2 )

25

Del mismo modo, la potencia disponible de la red,

Pavn, es la potencia mxima que puede ser entregado a la
carga. As, a partir de la ecuacin 11,

= |
Usando
=
=

(1 )
2 (1 )

26

19

De la ecuacin 4 y resolviendo para 1+ en trminos

de obtenemos
(1 )
1+ =
20
2 (1 )
Si se asumen valores mximos para todas las
tensiones, la potencia media entregada a la red es
1
| + |2 (1 | |2 )
=
20 1
| |2 |1 | 2
(1 | |2 )
=
80 |1 |2

=
| |S21 |2 (|1 | 2 )|1 |2
|
80 |1 S22 |2 |1 |2 =

|2

En la ecuacin 14, debera ser evaluado en =

Desde la ecuacin 4, esto se puede mostrar que

|1 |2 |

=
=

|1 S11 |2 (1 | | 2 )2
|2
|1 S22

Se reduce la ecuacin 14 a
=

| |2
|S21 |2 |1 | 2
80 |1 S11 |2 (1 | | 2 )

27

21

Donde la ecuacin 8 fue usada. La potencia

entregada a la carga es
|2 |2
(1 | |2 )
22
=
20

Observe que Pavs y Pavn se han expresado en

trminos de la tensin de fuente, VS, que es
independientemente de las impedancias de entrada o de
carga. Habra confusin si estas cantidades fueran
expresadas en trminos de 1+ puesto que 1+ es diferente
para cada uno de los clculos de PL, Pavs y Pavn.

Usando la ecuacin 15 y 13, se obtiene la ganancia

de potencia disponible
=

|S21 |2 (1 | |) 2

=
|1 S11 |2 (1 | | 2 )

rango de impedancias de carga y carga pasivas, este caso

es tambin potencialmente inestable
Obsrvese que la condicin de estabilidad de un
circuito amplificador suele depender de la frecuencia, ya
que las redes de emparejamiento de entrada y salida
dependen generalmente de la frecuencia. Por lo tanto, es
posible que un amplificador sea estable en su frecuencia
de diseo pero inestable en otras frecuencias. El diseo
cuidadoso del amplificador debe considerar esta
posibilidad.

28

Desde la ecuacin 11 y 13, la ganancia de potencia

del transductor es
=

|S21 |2 (1 | |) 2 (1 | |) 2

=
|1 |2 |1 S22 | 2

29

Tambin debemos sealar que la siguiente discusin

de estabilidad se limita a circuitos amplificadores de dos
puertos del tipo mostrado en la figura 14, y donde los
parmetros de dispersin del dispositivo activo pueden
medirse sin oscilaciones sobre la banda de frecuencia de
inters. El riguroso tratamiento general de la estabilidad
requiere que los parmetros de dispersin de la red u otros
parmetros de la red no tengan polos en el plano de
frecuencia complejo de la mitad derecha, adems de las
condiciones | | < 1 y | | < 1.

El caso especial de la ganancia de potencia del

transductor se produce cuando tanto la entrada como la
salida son conjugadas con la reflexin cero (en contraste
con la conjugacin conjugada). Entonces = = 0, y la
ecuacin 17 se reduce a
= |S21 |2

30

Otro caso especial es la ganancia unilateral de

potencia del transductor, GTU, donde S12 = 0 (o es
insignificantemente pequeo). Esta caracterstica no
recproca es aproximadamente verdadera para muchos
transistores. De la ecuacin 4, = S11 cuando S12 = 0,
entonces la ecuacin 17 da la ganancia de potencia del
transductor unilateral como
=

|S21 |2 (1 | |) 2 (1 | |) 2
|1 S11 |2 |1 S22 | 2

Esto puede ser una evaluacin difcil en la prctica,

pero para el caso especial considerando aqu, donde se
sabe que los parmetros de dispersin estn libres de
polo, las siguientes condiciones de estabilidad son
adecuadas.

31
III.

Los amplificadores RF trabajan a altas frecuencias y

usualmente pueden estar sintonizados, debido a lo que
trabaja en un rango especifico de frecuencias.

2. ESTABILIDAD

Ahora discutiremos las condiciones necesarias para

que un amplificador de transistor sea estable. En el
circuito de la figura 14.
La oscilacin es posible si la impedancia de entrada
o salida tiene una parte real negativa, esto implicara que
| | > 1 o | | > 1 , porque y depende de la
fuente y de las redes de emparejamiento de carga, la
estabilidad del amplificador depende de y como lo
presentan en las redes de coincidencia. Entonces
definimos dos tipos de estabilidad
Estabilidad
incondicional.
La
red es
|
|
|
incondicionalmente estable si > 1 y | < 1
para todas las impedancias pasivas de la fuente y de la
carga es decir | | < 1 y | | < 1
Estabilidad condicional. La red es condicionalmente
estable si | | < 1 y | | < 1 solo para un cierto

CONCLUSIONES

Para el acoplamiento entre amplificadores de RF se

aprovecha las caractersticas de los circuitos resonantes
paralelos que sirve para adaptar las impedancias.
En los amplificadores se tiene etapas, una de ellas es
cuando el transistor amplifica la seal de RF a un nivel
suficientemente elevado para operar la antena.
IV.

REFERENCIAS

[1] AMPLIFICADORES SINTONIZADOS, [En lnea].

Available:
http://www1.frm.utn.edu.ar/aplicada3/apuntes/unidad4
.pdf.
[2] M. K. Kazimierczuk, RF Power Amplifiers, Ohio:
Wiley, 2015.
[3] W. D. Davis y K. Agarwal, Radio Frecuency Circuits
Design, New York: Wilwy, 2001.

[4] D. M. Pozar, Microwave Engineering, Wiley, 2012.

[5] http://telecom.fi-b.unam.mx/>>Amplificadores de
potencia de RF clase F<<, [En lnea]. Available:
http://telecom.fib.unam.mx/juventino/juventel/ClaseF.pdf. [ltimo
acceso: 20 Noviembre 2016].