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COMUNICAO
POR FIBRA PTICA
SISTEMAS DE
COMUNICAO
POR FIBRA PTICA
GOVIND P. AGRAWAL
Traduo da 4 edio
TRADUO
JOS RODOLFO SOUZA
memria dos meus pais
A Anne, Sipra, Caroline e Claire
PREFCIO
viii
Prefcio
Prefcio
ix
CAPTULO 1
Introduo
Um sistema de comunicao transmite informao de um lugar a outro, estejam
eles separados por alguns poucos kilometros* ou por distncias transocenicas.
Informao , muitas vezes, transportada por uma onda portadora eletromagntica,
cuja frequncia pode variar de poucos megahertz a vrias centenas de terahertz.
Sistemas de comunicao ptica usam portadoras de alta frequncia (100 THz)
na regio visvel ou prxima do infravermelho do espectro eletromagntico.Tais
sistemas so, s vezes, denominados sistemas de ondas luminosas, a fim de distingui-los de sistemas de micro-ondas, cuja frequncia portadora tipicamente
cinco ordens de magnitude menor (1GHz). Sistemas de comunicao por fibra
ptica so sistemas de ondas luminosas que empregam fibras pticas para a transmisso de informao. Eles so desenvolvidos ao redor do mundo desde 1980, e
revolucionaram o campo das telecomunicaes. De fato, a tecnologia de ondas
luminosas, aliada microeletrnica, levou ao advento da era da informao na
dcada de 1990. Este livro descreve sistemas de comunicao por fibra ptica de
modo abrangente, enfatizando aspectos fundamentais, mas questes relevantes de
engenharia tambm so discutidas. Neste captulo introdutrio, no apenas apresentamos conceitos bsicos, como tambm fornecemos material suplementar. A
Seo1.1 apresenta uma perspectiva histrica do desenvolvimento de sistemas de
comunicaes pticas.A Seo1.2 cobre conceitos bsicos, como sinais analgicos
e digitais, multiplexao de canais e formatos de modulao. Fatores relativos de
qualidade de vrios sistemas de ondas luminosas so discutidos na Seo 1.3. A
ltima seo foca os blocos bsicos de um sistema de comunicao por fibra ptica.
Figura 1.1 Ilustrao esquemtica do telgrafo ptico e seu inventor, Claude Chappe.
(Aps a Ref. [2]; 1944 American Association for the Advancement of Science; reimpresso
com permisso.)
Introduo
Introduo
A primeira gerao de sistemas de ondas luminosas operava nas proximidades de 0,8mm e usava lasers de semicondutor de GaAs. Aps vrios
ensaios de campo no perodo de 19771979, tais sistemas se tornaram
Introduo
Figura 1.5 Rede submarina internacional de sistemas de comunicao por fibra ptica
por volta de 2005. (Aps a Ref. [23], 2005 IEEE; reimpresso com permisso.)
Introduo
10
Introduo
transmitidos por bytes de 8 bits. Um sinal analgico ou digital caracterizado por sua largura de banda, uma medida do contedo espectral do
sinal. A largura de banda do sinal representa a faixa de frequncias contidas
no sinal e determinada matematicamente pela transformada de Fourier
do sinal.
Um sinal analgico pode ser convertido forma digital por meio de
amostragens em intervalos peridicos de tempo [48]. A Figura1.7 mostra, esquematicamente, o mtodo de converso. A taxa de amostragem
determinada pela largura de banda f do sinal analgico. Segundo o
teorema da amostragem [49], um sinal limitado em largura de banda pode
ser completamente representado por amostras discretas, sem qualquer perda
de informao, desde que a frequncia de amostragem fs satisfaa o critrio
de Nyquist [50]: fs2f. O primeiro passo consiste em amostrar o sinal
analgico frequncia correta. As amostras podem assumir qualquer valor
no intervalo 0<A<Amax, em que Amax a mxima amplitude do sinal
analgico em considerao. Assumamos que Amax seja dividido em M intervalos discretos (no necessariamente espaados com igualdade). Cada valor
amostrado quantizado para corresponder a um desses valores discretos.
Figura 1.7 Trs passos necessrios converso de um sinal analgico em um sinal digital
binrio: (a) amostragem, (b) quantizao e (c) codificao.
11
12
Fica claro que esse procedimento leva a rudo adicional, conhecido como
rudo de quantizao, que adicionado ao rudo j presente no sinal analgico.
O efeito do rudo de quantizao pode ser minimizado com a escolha
do nmero de nveis discretos, de modo que M>Amax/AN, sendo AN a raiz
do valor mdio quadrtico da amplitude de rudo do sinal analgico. A razo
Amax/AN denominada faixa dinmica e est associada relao sinal-rudo
(SNR Signal-to-Noise Ratio) por
(1.2.1)
M = 2m
ou m = log 2 M .
(1.2.2)
B = mf s (2f ) log 2 M ,
(1.2.3)
B > ( f /3)SNR ,
(1.2.4)
Introduo
13
14
Figura 1.8 (a) Multiplexao por diviso no tempo de cinco canais de voz digitais
que operam em 64kb/s; (b) Multiplexao por diviso em frequncia de trs sinais
analgicos.
15
Introduo
B (Mb/s)
Canais
OC-1
OC-3
OC-12
OC-48
OC-192
OC-768
51,84
155,52
622,08
2.488,32
9.953,28
39.813,12
672
2.016
8.064
32.256
129.024
516.096
STM-1
STM-4
STM-16
STM-64
STM-256
16
Figura 1.9 Sequncia de bits digitais 010110 ... codificada nos formatos (a) com retorno
a zero (RZ) e (b) sem retorno a zero (NRZ).
retorna a zero antes que acabe a durao do bit. No formato NRZ, o pulso
ptico permanece ligado em toda a durao do bit slot, e sua amplitude no
cai a zero entre dois ou mais bits 1 sucessivos. Em consequncia, a largura
do pulso varia segundo a sequncia de bits; no formato RZ, a largura dos
pulsos constante. Uma vantagem do formato NRZ que a largura de
banda associada sequncia de bits quase um fator de 2 menor do que no
formato RZ, simplesmente porque as transies ligado-desligado ocorrem
um menor nmero de vezes. Contudo, o uso desse formato requer rgido
controle da largura dos pulsos e, caso os pulos pticos se espalhem durante a
transmisso, pode levar a efeitos que dependem do padro de bits. O formato
NRZ usado com frequncia na prtica, devido menor largura de banda.
O uso do formato RZ no domnio ptico comeou a atrair a ateno
por volta de 1999, aps a constatao de que poderia auxiliar o projeto
de sistemas de ondas luminosas de alta capacidade [54]-[56]. Atualmente,
tal formato usado quase exclusivamente para canais WDM projetados
para operao a 40Gb/s ou mais. Um exemplo da utilidade do formato
RZ so os sistemas conhecidos como pseudolineares [57], que empregam
pulsos pticos relativamente curtos que, medida que se propagam pelo
enlace de fibra ptica, se espalham por mltiplos bit slots com rapidez. Tal
espalhamento reduz a potncia de pico e diminui o impacto de diversos
efeitos no lineares que, caso contrrio, poderiam ser deletrios. Os pulsos
so, por fim, comprimidos largura original com a utilizao de tcnicas de
gerenciamento de disperso.Tais sistemas empregam, em geral, uma interes-
17
Introduo
(1.2.5)
Figura 1.10 (a) Sequncia de bits eltricos e os resultantes padres de campo eltrico aps
converso para o domnio ptico usando os formatos de modulao (b) ASK, (c) FSK e (d) PSK.
*NOTA DO TRADUTOR: A palavra inglesa chirp significa gorjeio, chilro; no contexto de
telecomunicaes, descreve um sinal cuja frequncia varia no tempo.
18
Figura 1.11 Diagramas de constelao para os formatos (a) ASK, (b) PSK, (c) QPSK e (d)
QPSK de mltiplos nveis.
Introduo
19
20
Introduo
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22
pote ncia
pote ncia (dBm) = 10 log 10
.
1 mW
(1.4.1)
Introduo
23
24
Exerccios
1.1 Calcule a frequncia portadora de sistemas de comunicao ptica
que operam em 0,88, 1,3 e 1,55mm. Qual a energia do fton (em
eV) em cada caso?
1.2 Calcule a distncia de transmisso em que a potncia ptica ser
atenuada por um fator de 10, considerando trs fibras pticas com
perdas de 0,2, 20 e 2.000dB/km. Assumindo que a potncia ptica
decaia com exp(aL), calcule a (em cm1) para as trs fibras.
Introduo
REFERNCIAS
[1] HOLZMANN, G. J.; PEHRSON, B. The Early History of Data Networks.
Hoboken, NJ: Wiley, 2003.
[2] KOENIG, D. Telegraphs and Telegrams in Revolutionary France. Scientific Monthly.
v. 431, 1944. Veja, tambm, o Captulo 2da Ref. [1].
[3] JONES, A. Historical Sketch of the Electrical Telegraph. New York: Putnam, 1852.
25
26
Introduo
[43] BINH, L. N. Digital Optical Communications. Boca Raton: CRC Press, 2008.
[44] DECUSATIS, C. Handbook of Fiber Optic Data Communication. 3. ed. Boston:
Academic Press, 2008.
[45] SENIOR, J. Optical Fiber Communications: Principies and Practice. 3. ed.
Upper Saddle River: Prentice Hall, 2009.
[46] RAMASWAMI, R.; SIVARAJAN, K.; SASAKI, G. Optical Networks: A Practical
Perspective. 3. ed. San Francisco: Morgan Kaufmann, 2009.
[47] KEISER, G. E. Optical Fiber Communications. 4. ed. New York: McGraw-Hill,
2010.
[48] SCHWARTZ, M. Information Transmission, Modulation, and Noise. 4. ed. New
York: McGraw-Hill, 1990.
[49] SHANNON, C. E. Proc. IRE., v. 37, p. 10, 1949.
[50] NYQUIST, H. Trans. AIEE., v. 47, p. 617, 1928.
[51] BALLART, R.; CHING,Y. -C. IEEE Commun. Mag., v. 27, n. 3, p. 8, 1989.
[52] MIKI, T. Jr., SILLER, C. A., (Ed.). IEEE Commun. Mag., v. 28, n. 8, p. 1, 1990.
[53] KARTALOPOULOS, S. V. Understanding SONET/SDH and ATM. Piscataway:
IEEE Press, 1999.
[54] HAYEE, M. I.; WILLNER, A. E. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 11, p. 991, 1999.
[55] LUDWIG, R. etal. Electron. Lett., v. 35, p. 2216, 1999.
[56] NAKAZAWA, M. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6, p. 363, 2000.
[57] ESSIAMBRE, R.-J.; RAYBON, G.; MIKKELSEN, B. In: Kaminow, I. P., LI, T.,
(Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 4B. Boston: Academic Press, 2002.
Captulo 6.
[58] LAMBERT, S. G.; CASEY,W. L. Laser Communications in Space. Norwood: Artec
House, 1995.
27
CAPTULO 2
Fibras pticas
O fenmeno de reflexo interna total, responsvel pelo guiamento da luz em
fibras pticas, conhecido desde 1854 [1]. Embora fibras de vidro j fossem
produzidas na dcada de 1920 [2][4], seu uso se tornou prtico somente na
dcada de 1950, quando a adoo de uma camada de casca permitiu considervel melhora nas caractersticas de guiamento [5][7]. Antes de 1970, fibras
pticas eram utilizadas principalmente na obteno de imagens mdicas em
curtas distncias [8]. O uso dessas fibras para comunicao era considerado
impraticvel, devido s altas perdas (1.000dB/km). Entretanto, a situao
sofreu mudana drstica em 1970, quando, segundo uma sugesto anterior [9],
a perda de fibras pticas foi reduzida para valores abaixo de 20dB/km [10].
O progresso adicional resultou, em 1979, em perda de apenas 0,2dB/km na
regio espectral nas proximidades de 1,55mm [11].A disponibilidade de fibras
de baixas perdas no apenas levou a uma revoluo na tecnologia de ondas
luminosas, mas tambm iniciou a era da comunicao por fibra ptica.Vrios
livros dedicados inteiramente a fibras pticas cobrem os numerosos avanos
no projeto e no entendimento das propriedades delas [12][19]. Este captulo
tem por foco o papel de fibras pticas como canal de comunicao em sistemas
de ondas luminosas. Na Seo2.1, usamos a descrio de ptica geomtrica
para explicar o mecanismo de guiamento e introduzir conceitos bsicos. As
equaes de Maxwell so usadas na Seo2.2 para descrever a propagao em
fibras pticas.A origem da disperso em fibras pticas discutida na Seo2.3,
e a Seo2.4 considera as limitaes impostas pela disperso de fibras taxa
de bits e distncia de transmisso. A Seo2.5 foca os mecanismos de perda
em fibras pticas, enquanto a 2.6 dedicada a efeitos no lineares. A Seo2.7
cobre detalhes de fabricao e inclui uma discusso de cabos de fibras pticas.
30
Figura 2.1 Seo reta e perfil de ndice de refrao para fibras de ndice em degrau e
ndice gradual.
Figura 2.2 Confinamento da luz por reflexo interna total em fibras de ndice em degrau.
Raios com <c so refratados para fora do ncleo.
31
Fibras pticas
n0 sin i = n1 sin r ,
(2.1.1)
em que n1 e n0 so os ndices de refrao do ncleo da fibra e do ar, respectivamente. O raio refratado atinge a interface ncleo-ar e refratado
novamente. Contudo, nessa interface, a refrao possvel somente para
ngulos de incidncia tais que sin <n2/n1. Para ngulos maiores do que
um ngulo crtico c, definido por [20].
(2.1.2)
sinc = n2 /n1,
em que n2 o ndice de refrao da casca, o raio sofre reflexo interna total
na interface ncleo-casca. Como tais reflexes ocorrem ao longo de todo o
comprimento da fibra, todos os raios com >c permanecem confinados
no ncleo da fibra. Esse o mecanismo bsico de confinamento da luz em
fibras pticas.
Podemos usar as Eq. (2.1.1) e (2.1.2) para determinar o mximo ngulo
que o raio incidente deve fazer com o eixo da fibra de modo a permanecer confinado no interior do ncleo. Notando que, para um desses raios,
ur=/2c, e, substituindo esse resultado da Eq. (2.1.1), obtemos
(2.1.3)
NA = n1(2 )1/2 ,
= (n1 n2 )/n1,
(2.1.4)
32
T =
L n12
n1 L
L =
.
c sin c
c n2
(2.1.5)
O atraso temporal entre os raios que seguem pelos percursos mais curto e
mais longo uma medida do alargamento que sofre um pulso lanado na
entrada da fibra.
Podemos relacionar T capacidade de transporte de informao da
fibra, medida pela taxa de bis B. Embora uma relao precisa entre B e T
dependa de muitos detalhes, como a forma do pulso, fica claro, intuitivamente, que T deve ser menor do que o bit slot alocado (TB=1/B). Assim,
uma estimativa de uma ordem de grandeza obtida da condio BT<1.
Usando a Eq. (2.1.5), obtemos
BL <
n2 c
.
n12
(2.1.6)
Essa condio fornece uma estimativa grosseira de uma fundamental limitao de fibras de ndice em degrau. Como ilustrao, consideremos uma fibra
de vidro sem casca, com n1=1,5 e n2=1. O produto taxa de bits-distncia
dessa fibra limitado a valores bem pequenos, pois BL<0,4(Mb/s)-km.
Melhora considervel ocorre para fibras envolvidas por cascas com pequeno
ndice de refrao. A maioria das fibras para aplicaes de comunicao
projetada com <0,01. Como exemplo, BL<100(Mb/s)-km para
=2103.Tais fibras so capazes de transportar dados a uma taxa de bits
de 10Mb/s ao longo de at 10km, e podem ser adequadas para algumas
redes de rea local.
Duas observaes so pertinentes quanto validade da Eq. (2.1.6).
Primeira, a equao foi obtida considerando somente raios que passam pelo
eixo da fibra aps cada reflexo interna total, os quais so chamados de raios
meridionais. Em geral, a fibra tambm suporta raios oblquos ou sagitais (skew
rays), que viajam em ngulos oblquos em relao ao eixo da fibra. Raios
oblquos se espalham para fora do ncleo em curvas e irregularidades, de
modo que no contribuem de modo significativo para a Eq. (2.1.6). Segunda,
devido ao espalhamento, at os raios meridionais oblquos sofrem maiores
perdas do que raios meridionais paraxiais. A Eq. (2.1.6) fornece uma estimativa conservadora, pois todos os raios so tratados da mesma forma. O
efeito da disperso intermodal pode ser consideravelmente reduzido com o
uso de fibras de ndice gradual, discutidas na prxima subseo, e totalmente
eliminado com o emprego de fibras monomodo, discutidas na Seo2.2.
33
Fibras pticas
n [1 ( /a ) ];
n( ) = n1(1 ) = n ;
1
2
< a,
a,
(2.1.7)
em que a o raio do ncleo. O parmetro a determina o perfil de variao do ndice de refrao. Um perfil de ndice em degrau alcanado
no limite de grande valor de a. Uma fibra de perfil parablico corresponde a a=2.
34
d 2 1 dn
=
,
dz 2 n d
(2.1.8)
= 0 cos( pz ) + ( p0 /p )sin( pz ),
(2.1.9)
35
Fibras pticas
T /L = n1 2 /8c .
(2.1.10)
BL < 8c /n1 2 .
(2.1.11)
36
E = B/t,
(2.2.1)
H = D/t,
(2.2.2)
D = 0,
(2.2.3)
B=0,
(2.2.4)
D = 0 E+P,
B=0 H + M,
(2.2.5)
P( r, t ) = 0
(2.2.6)
A suscetibilidade linear , em geral, um tensor de segunda ordem; contudo, em meios isotrpicos, como o vidro de slica, reduz-se a um escalar.
Fibras pticas se tornam ligeiramente birrefringentes devido a variaes
no intencionais na forma do ncleo ou na deformao local. Efeitos de
birrefringncia so considerados na Seo2.2.3. A Eq. (2.2.6) assume uma
resposta espacialmente local, mas inclui a natureza atrasada da resposta
temporal, responsvel pela disperso cromtica.
As Eq. (2.2.1) a (2.2.6) fornecem um formalismo geral para a anlise da
propagao de ondas em fibras pticas. Na prtica, conveniente usar apenas
37
Fibras pticas
1 2 E
2 P
,
0
c 2 t 2
t 2
(2.2.7)
E( r, ) =
E( r, t )exp(it ) dt,
(2.2.8)
e uma relao similar para P(r, t), e usando a Eq. (2.2.6), podemos escrever
a Eq. (2.2.7) no domnio da frequncia como:
E = (r , )( 2 / c 2 ) E,
(2.2.9)
( r, ) = 1 + ( r, ),
(2.2.10)
e (r, w) a transformada de Fourier de (r, t). Em geral, (r, w) complexa; suas partes real e imaginria esto relacionadas ao ndice de refrao n
e ao coeficiente de absoro a pela definio:
= (n + i c /2 )2 .
(2.2.11)
E ( E ) 2 E = 2 E,
(2.2.13)
38
2 E+ n 2 ( )k02 E = 0,
(2.2.14)
(2.2.15)
2 E z 1 E z 1 2 E z 2 E z
+
+
+
+ n 2k02 E z = 0,
2 2 2
z 2
(2.2.16)
em que, para uma fibra de ndice em degrau e ncleo com raio a, o ndice
de refrao n tem a forma
n ; a,
n= 1
n2 ; > a.
(2.2.17)
39
Fibras pticas
(2.2.18)
(2.2.20)
d F 1 dF 2 2
m
+
+ n k0 2 2 F = 0.
2
d
d
(2.2.21)
A Eq. (2.2.19) tem uma soluo na forma Z=exp(ibz), em que b possui o significado fsico de constante de propagao. De modo similar, a
Eq. (2.2.20) apresenta uma soluo =exp(im), sendo a constante m
restrita a valores inteiros, pois o campo deve ser peridico em , com
perodo 2.
A Eq. (2.2.21) a bem-conhecida equao satisfeita pelas funes de
Bessel [24]. Sua soluo geral nas regies do ncleo e da casca pode ser
escrita como:
AJ ( p ) + A'Y ( p ) a,
m
m
F() =
CK m (q ) + C'I m (q ) > a,
(2.2.22)
q 2 = 2 n22k02 .
(2.2.24)
40
AJ ( p )exp(im )exp(i z ); a,
m
Ez =
CK m (q )exp(im )exp(i z ); > a.
(2.2.25)
O mesmo mtodo pode ser usado para obter Hz, que tambm satisfaz a
Eq. (2.2.16). De fato, a soluo a mesma, com diferentes constantes B e
D, ou seja:
BJ ( p )exp(im )exp(i z ); a,
m
(2.2.26)
Hz =
DK
(
q
)exp(
im
)exp(
i
z
);
>
a
.
m
Usando as equaes de Maxwell, as quatro outras componentes E, E, H e
H podem ser expressas em termos de Ez e Hz. Na regio do ncleo, obtemos:
E =
i E z
H z
+ 0
,
2
p
(2.2.27)
E =
H z
i E z
,
0
p 2
(2.2.28)
i H z
E z
0n 2
,
2
p
(2.2.29)
i H z
E
+ 0 n 2 z .
2
p
(2.2.30)
H =
H =
Substituindo p2 por q2, essas equaes podem ser usadas na regio da casca.
As Eq. (2.2.25) a (2.2.30) expressam o campo eletromagntico nas
regies do ncleo e da casca de uma fibra ptica em termos de quatro constantes A, B, C e D as quais so determinadas com a aplicao da condio de
contorno que requer a continuidade das componentes de E e H tangenciais
interface ncleo-casca. Forando a continuidade de Ez, Hz, E e H em
=a, obtemos um conjunto de equaes homogneas satisfeitas por A, B, C
e D [17]. Essas equaes tm soluo no trivial somente se o determinante
da matriz dos coeficientes for zero. Depois de muitos detalhes algbricos,
essa condio resulta na seguinte equao de autovalor [17][19]:
J m' ( pa ) K m' (qa ) J m' ( pa ) n22 K m' (qa )
+
+ 2
pJ m ( pa ) qK m (qa ) pJ m ( pa ) n1 qK m (qa )
m 2 1 1 1 n22 1
+ +
,
a 2 p 2 q 2 p 2 n12 q 2
(2.2.31)
41
Fibras pticas
Para um dado conjunto de parmetros k0, a, n1 e n2, a equao de autovalor (2.2.31) pode ser resolvida numericamente para a determinao da
constante de propagao b. Em geral, talvez haja mltiplas solues para cada
valor inteiro de m. costume numerar essas solues em ordem decrescente
e denot-las por bmn, para um dado m (n=1, 2, ...). Cada valor bmn corresponde a um possvel modo de propagao do campo ptico, cuja distribuio
espacial obtida das Eq. (2.2.25)(2.2.30). Por no mudar com a propagao,
exceto por um fator de fase, e satisfazer todas as condies de contorno,
a distribuio de campo um modo ptico da fibra. Em geral, tanto Ez
como Hz so no zero (exceto para m=0), em contraste com guias de onda
planares, para os quais uma das componentes de campo pode ser tomada
como zero. Em funo disso, modos de fibra ptica so referidos como
modos hbridos e denotados por HEmn ou EHmn, dependendo se Hz ou Ez a
componente dominante. No caso especial m=0, os modos HE0n e EH0n so,
tambm, denotados por TE0n e TM0n, respectivamente, pois correspondem
a modos transverso eltrico (Ez=0) e transverso magntico (Hz=0) de
propagao. Um notao diferente, LPmn, comumente utilizada para fibras
de guiamento fraco [25], para as quais Ez e Hz so aproximadamente nulas
(LP significa modos linearmente polarizados).
Um modo determinado de forma nica por sua constante de propagao b. conveniente a introduo de uma grandeza n =b/k0, denominada
ndice modal ou ndice efetivo, que possui o significado fsico de que cada modo
de fibra se propaga com um ndice de refrao efetivo n cujo valor est
no intervalo n1> n >n2. Um modo deixa de ser guiado quando n n2.
Isso pode ser entendido observando que o campo ptico de modos guiados
decai no interior da casca, pois [24]:
for
q 1.
(2.2.32)
Quando n n2, a Eq. (2.2.24) indica que q20, de modo que no ocorre
decaimento exponencial. Dizemos que o modo atingiu o corte quando q se
2
2
torna zero ou quando n =n2. Da Eq. (2.2.23), quando q=0, p=k0( n1 n2 )1/2.
Um parmetro com importante papel na determinao da condio de corte
de um modo definido como:
(2.2.33)
Esse parmetro conhecido como frequncia normalizada (V w) ou, simplesmente, parmetro V. interessante introduzir a constante de propagao
normalizada b, definida por:
b=
/k0 n2 n n2
=
.
n1 n2
n1 n2
(2.2.34)
42
Figura 2.5 Constante de propagao normalizada b em funo da frequncia normalizada V, para alguns modos de fibra de baixa ordem. O eixo direito mostra o ndice modal
n . (Aps a Ref. [26] 1981 Academic Press; reimpresso com permisso.)
nmero de modos para uma fibra multimodo fornecida por V 2/2 [21]. Por
exemplo, uma tpica fibra multimodo com a=25mm e =510-3 tem
V 18, em =1,3mm, e deve suportar cerca de 162 modos. Contudo,
o nmero de modos decresce rapidamente medida que o valor de V
reduzido. Como visto na Figura2.5, uma fibra com V=5 suporta sete
modos. Abaixo de certo valor de V, todos os modos, exceto o HE11, esto
cortados. Tais fibras suportam um nico modo, sendo chamadas de fibras
monomodo. As propriedades de fibras monomodo so descritas a seguir.
43
Fibras pticas
CONDIO MONOMODO
A condio monomo do determinada pelo valor de V em que os
modos TE01 e TM01 atingem o corte (Figura2.5). As equaes de autovalor
para esses dois modos podem ser obtidas fazendo m=0 em (2.2.31), sendo
dadas por:
(2.2.35)
(2.2.36)
n = n2 + b(n1 n2 ) n2 (1 + b )
(2.2.37)
(2.2.38)
44
[ J ( p )/J ( pa )]exp(i z ); a,
0
0
E x = E0
[ K 0 (q )/K 0 (qa )]exp(i z ); > a,
(2.2.39)
Bm =| nx ny |,
(2.2.40)
45
Fibras pticas
Figura 2.6 Estado de polarizao em uma fibra birrefringente ao longo de um comprimento de batimento. O feixe de entrada linearmente polarizado a 45em relao
aos eixos lento e rpido.
Em uma fibra monomodo convencional, a birrefringncia no constante ao longo do comprimento da fibra, sendo alterada de modo aleatrio,
tanto em magnitude como em direo, devido a variaes na forma do
ncleo (a qual elptica, em vez de circular) e a esforos anisotrpicos
que agem sobre o ncleo. Em consequncia, a luz lanada na fibra com
polarizao linear alcana, com rapidez, um estado de polarizao arbitrrio.
Alm disso, diversos componentes de frequncia de um pulso adquirem
diferentes estados de polarizao, resultando em alargamento temporal do
pulso. Esse fenmeno recebe o nome de disperso do modo de polarizao
(PMDPolarization-Mode Dispersion) e se torna um fator limitante para
sistemas de comunicao ptica que operam em altas taxas de bits. possvel fazer fibras para as quais as flutuaes aleatrias na forma e no tamanho
do ncleo no sejam os fatores dominantes na determinao do estado de
polarizao. Tais fibras so denominadas fibras mantenedoras de polarizao.
Um grande grau de birrefringncia introduzido intencionalmente nessas
fibras por meio de modificaes na configurao, de modo que as pequenas
flutuaes aleatrias de birrefringncia no afetem a polarizao de luz de
forma significativa. Tipicamente, nessas fibras, Bm 104.
Raio de Feixe
Como, na prtica, a distribuio de campo dada pela Eq. (2.2.39) de uso
um tanto quanto complicado, comum aproxim-la por uma distribuio
gaussiana na forma
E x = A exp( 2 /w 2 )exp(i z ),
(2.2.42)
sendo w o raio de campo, tambm referido como raio de feixe (spot size). Esse
parmetro determinado ajustando a exata distribuio funo gaussiana
ou por um procedimento variacional [27]. A Figura2.7 mostra a variao de
46
Figura 2.7 (A) Raio de feixe normalizado w/a em funo do parmetro V obtido por
ajuste do modo fundamental da fibra a uma distribuio gaussiana; (b) qualidade do
ajuste para V=2,4. (Aps a Ref. [27]; 1978 OSA; reimpresso com permisso.)
(2.2.43)
P
= core =
Ptotal
| E x |2 d
2a 2
= 1 exp 2 .
w
| E x |2 d
(2.2.44)
47
Fibras pticas
(2.3.1)
(2.3.2)
d 2
dT
d L
=
= L 2 = L 2 ,
d
d v g
d
(2.3.3)
48
Em alguns sistemas de comunicao ptica, o espalhamento de frequncia w determinado pela faixa de comprimentos de onda emitidos
pela fonte ptica. comum utilizar no lugar de w. Usando w=2c/
e w=(2c/2), a Eq. (2.3.3) pode ser escrita como
T =
d L
= DL ,
d v g
(2.3.4)
d 1
2 c
= 2 2 .
d vg
(2.3.5)
em que
D=
(2.3.6)
2 c d 1
2 dn
d 2n
2
+
,
2 d v g
2 d
d 2
(2.3.7)
49
Fibras pticas
D = DM + DW ,
(2.3.8)
2 dn2 g 1 dn2 g
=
,
2 d
c d
(2.3.9)
.
2 n2 dV 2
d dV
(2.3.10)
DM =
DW =
n 2 ( ) = 1 +
(2.3.11)
50
DM 122(1 ZD / ).
(2.3.12)
Devemos observar que ZD=1,276mm somente para slica pura. Para fibras
pticas cujos ncleo e casca sejam dopados para alterar o ndice de refrao,
esse valor pode variar no intervalo de 1,281,31 mm, pois ZD tambm
depende do raio do ncleo a e do degrau de ndice , devido contribuio
da disperso de guia de onda disperso total.
Fibras pticas
51
52
Figura 2.10 Tpica dependncia do parmetro de disperso D em relao ao comprimento de onda, para fibras padro, de disperso deslocada e de disperso plana.
Corning SMF-28
OFS AllWave
Draka ColorLock
Corning Vascade
OFS True Wave-RS
CorningLEAF
Draka TeraLight
80
80
80
100
50
7
65
1.302-1.322
1.300-1.322
1.300-1.320
1.300-1.310
1.470-1.490
1.490-1.500
1.430-1.440
16 a 19
17 a 20
16 a 19
18 a 20
2,6 a 6
2,0 a 6
5,5 a 10
0,090
0,088
0,090
0,060
0,050
0,060
0,052
53
Fibras pticas
S = (2 c / 2 )2 3 + (4 c / 3 ) 2 ,
(2.3.12)
BL |S |( )2 < 1.
(2.3.14)
54
L
L
= L | 1x 1y |= L ( 1 ),
v gx v gy
(2.3.15)
55
Fibras pticas
(2.3.16)
T ( 1 ) 2lc L D p L ,
(2.3.17)
56
(2.4.1)
) a amplitude inicial e b, a
sendo x o vetor unitrio da polarizao, B(0,
constante de propagao. A distribuio de campo F (x, y) do modo fundamental da fibra pode ser aproximada pela distribuio gaussiana fornecida na
Eq. (2.2.42). Em geral, F (x, y) tambm depende de w, mas tal dependncia
pode ser ignorada para pulsos cuja largura espectral w seja muito menor do
que w0, uma condio satisfeita por pulsos utilizados em sistemas de ondas
luminosas. Aqui, w0 a frequncia central do espectro do pulso, referida
como frequncia portadora.
Diferentes componentes espectrais de um pulso ptico se propagam no
interior da fibra segundo a simples relao:
(2.4.2)
B( z , t ) =
1
2
(2.4.3)
57
Fibras pticas
~
( ) = n ( )
0 + 1( ) + 2 ( )2 + 3 ( )3 ,
c
2
6
(2.4.4)
(2.4.5)
1
2
(0, )
d( ) A
i
exp i 1z + 2 z( )2 + 3 z( )3 i( )t ,
(2.4.6)
6
2
A
A i 2 2 A 3 3 A
+ 1
+
= 0.
z
t
2 t 2
6 t 3
(2.4.7)
t ' = t 1 z
z' = z ,
(2.4.8)
Com isso, o termo que envolve b1 pode ser eliminado da Eq. (2.4.7), resultando em:
58
A i 2 2 A 3 3 A
+
= 0.
z
2 t 2
6 t 3
(2.4.9)
(2.4.10)
em que A0 a amplitude de pico. O parmetro T0 representa a meia largura
entre pontos de intensidade 1/e, e est relacionado largura completa meia
altura (FWHMFull-Width at Half-Maximum) do pulso por:
(2.4.11)
(t ) = t =
C
t,
T02
(2.4.12)
(0, ) = A0 2T0
A
1 + iC
2T02
exp
.
2(1 + iC )
(2.4.13)
0 = (1 + C 2 )1/2T01.
(2.4.14)
59
Fibras pticas
(0, )exp i 2 z 2 + i 3 z 3 it d ,
A
2
(2.4.15)
(1 + iC )t 2
A0
exp 2
,
Q( z )
2T0 Q( z )
(2.4.16)
2
em que Q (z)=1+(Ci) b2z/ T0 . Essa equao mostra que o pulso
gaussiano permanece gaussiano na propagao, mas suas largura, chirp e
amplitude so alteradas, como ditado pelo fator Q (z). A largura muda
com z na forma T1(z)=|Q (z)|T0; o chirp passa do valor inicial C para
2
C1(z)=C+(1+C2) b2z/ T0 .
Variaes na largura do pulso so quantificadas pelo fator de alargamento:
1/2
2
2
T1 C 2 z 2 z
+
= 1 +
.
T0
T02 T02
(2.4.17)
Figura 2.11 Fator de alargamento (a) e parmetro de chirp (b) em funo da distncia,
para pulso gaussiano que se propaga na regio de disperso anmala de uma fibra. As
curvas tracejadas correspondem ao caso de um pulso gaussiano sem chirp. As mesmas
curvas so obtidas no regime de disperso normal b2>0) se o sinal de C for invertido.
60
2
Aqui, LD= T0 /|b2| o chamado comprimento de disperso. Um pulso sem
chirp (C= 0) se alarga monotonamente por um fator (1+2)1/2 e desenvolve
um chirp negativo C1= (curvas tracejadas). Um pulso com chirp, por sua
vez, pode sofrer alargamento ou compresso, dependendo se b2 e C tm o
mesmo sinal ou sinais opostos. Quando b2C>0, um pulso gaussiano com
chirp se alarga monotonamente a uma taxa maior do que o pulso sem chirp
(curvas tracejadas). A razo para isso se relaciona ao fato de, para b2C<0,
a largura do pulso inicialmente diminuir e se tornar mnima distncia
z min = |C |/(1 + C 2 ) L D .
(2.4.18)
T1min = T0 / (1 + C 2 )1/2 .
(2.4.19)
= t 2 t 2 ,
(2.4.20)
t | A( z, t )| dt .
| A( z, t )| dt
m
(2.4.21)
3L
2 C 2L 2L
2 2
=
1
+
+
+
(1
+
C
)
,
02
2 02 2 02
4 2 03
(2.4.22)
61
Fibras pticas
L
L
2 C 2L
= 1 +
+ (1 +V2 ) 2 2 + (1 + C 2 +V2 )2 3 3 ,
2
2
2 0
2 0
4 2 0 (2.4.23)
0
sendo Vw=2w0 um parmetro adimensional. A Eq. (2.4.23) fornece
uma expresso para o alargamento que a disperso induz em pulsos de
entrada gaussianos, em condies bastante genricas. Na prxima seo,
usaremos essa expresso para obter o limite de taxa de bits de sistemas de
comunicao ptica.
2 = 02 + ( 2 L )2 02 + ( DL )2 ,
(2.4.24)
= ( 02 + D2 )1/2 ,
(2.4.25)
62
1
BL | D | .
4
(2.4.26)
Essa condio deve ser comparada com a Eq. (2.3.6), obtida heuristicamente;
essas duas expresses ficam idnticas se, na Eq. (2.3.6), interpretarmos
como 4.
Para um sistema de onda luminosa que opere exatamente no comprimento de onda de disperso zero, b2=0 na Eq. (2.4.23). Fazendo,
mais uma vez, C=0 e assumindo que Vw 1, a Eq. (2.4.23) pode ser
aproximada por
2 = 02 + ( 3L 2 )2 02 + (SL 2 )2 ,
(2.4.27)
BL |S | 2 1/ 8.
(2.4.28)
Essa condio deve ser comparada com a Eq. (2.3.14), obtida heuristicamente com o emprego de uma simples argumentao fsica.
Como exemplo, consideremos o caso de um diodo emissor de luz
com 15nm. Usando D=17ps/(kn-nm) em 1,55mm, a Eq. (2.4.26)
fornece BL<1(Gb/s)-km. Contudo, se o sistema for projetado para operar
no comprimento de onda de disperso zero, BL pode ser aumentado para
20(Gb/s)-km, para um valor tpico S=0,08ps/(km-nm2).
Fontes pticas com Pequena Largura Espectral
Este caso corresponde a Vw 1 na Eq. (2.4.23). Como antes, se desprezarmos o termo em b3 e fizermos C=0, a Eq. (2.4.23) pode ser
aproximada por
2 = 02 + ( 2 L / 2 0 )2 02 + D2 .
(2.4.29)
Uma comparao com a Eq. (2.4.25) revela grande diferena entre esses dois
casos. No caso de uma fonte de pequena largura espectral, o alargamento
induzido por disperso depende da largura inicial 0; quando a largura
63
Fibras pticas
1
B | 2 |L .
4
(2.4.30)
2 = 02 + ( 3L / 4 02 )2 / 2 02 + D2 .
(2.4.31)
64
(2.4.33)
1 + iC t 2m
A(0,T ) = A0 exp
,
2 T0
(2.4.34)
65
Fibras pticas
supergaussianos, pois tais pulsos se alargam com mais rapidez do que pulsos
gaussianos. O produto BL dramaticamente reduzido para valores negativos
do parmetro de chirp C. Isso ocorre devido ao maior alargamento quando
b2C positivo (Fig.2.11). Lamentavelmente, C , em geral, negativo para
lasers de semicondutor modulados diretamente, com valor tpico de 6 em
1,55 mm. Como, nessas condies, BL<100(Gb/s)-km, a disperso da
fibra limita a taxa de bits a cerca de 2Gb/s, para L=50km. Esse problema
pode ser superado com o emprego de tcnicas de gerenciamento de disperso (Cap.8).
Pout (t ) =
(2.4.35)
66
H( f ) =
(2.4.36)
(2.4.37)
Notemos que f3dB a largura de banda ptica da fibra, pois a potncia ptica
cai 3dB nessa frequncia, em comparao com a resposta na frequncia zero.
No campo de comunicaes eltricas, a largura de banda de um sistema
linear definida como a frequncia em que a potncia eltrica cai 3dB.
Fibras pticas no podem, em geral, ser tratadas como lineares em
relao potncia, e a Eq. (2.4.35) no vale para elas [52]. Contudo, essa
equao aproximadamente vlida quando a largura espectral da fonte
muito maior do que a do sinal (Vw 1). Nesse caso, podemos considerar
a propagao de diferentes componentes espectrais separadamente e, para
obter a potncia de sada, podemos somar as potncias por elas transportadas
de modo linear. Para um espectro gaussiano, a funo de transferncia H(f)
calculada como [53]:
1/2
if
H ( f ) = 1 +
f2
( f / f 1 )2
exp
,
2(1 + i f / f 2 )
(2.4.38)
f 1 = (2 2 L )1 = (2 | D | L )1 ,
(2.4.39)
f 2 = (2 3L 2 )1 = [2 (S + 2| D |/ )L 2 ]1 ,
(2.4.40)
(2.4.41)
67
Fibras pticas
(2.4.42)
Usando a Eq. (2.4.28), obtm-se uma relao entre o limite de taxa de bits e
f3dB como B0,574f3dB. Novamente, a largura de banda da fibra fornece uma
medida da taxa de bits limitada por disperso. Como estimativa numrica,
consideremos um sistema de onda luminosa em 1,55mm que emprega
fibra de disperso deslocada e laser de semicondutor multimodo. Usando
S=0,05ps/(km-nm2) e =1nm como valores tpicos, f3dBL 32 THz-km.
Em contraste, com fibras padro, com D=18ps/(km-nm), o produto largura
de banda-distncia reduzido para 0,1 THz-km.
68
dP /dz = P ,
(2.5.1)
(2.5.2)
(dB /km ) =
P
10
log 10 out 4.343 ,
L
Pin
(2.5.3)
Figura 2.14 Espectro de perda de uma fibra monomodo produzida em 1979. A dependncia de vrios mecanismos fundamentais de perdas tambm mostrada. (Aps a Ref.
[11]; 1979 IEE; reimpresso com permisso.)
Fibras pticas
69
70
Figura 2.15 Perda e disperso de uma fibra seca. (A perda de uma fibra convencional
mostrada pela linha cinza para comparao.)
R = C / 4 ,
(2.5.4)
Fibras pticas
71
72
73
Fibras pticas
(2.6.1)
74
B = B / 2 = 2nv A / p ,
(2.6.2)
adI pdz = g B I p I s p I p .
(2.6.3)
dI sdz = + g B I p I s s I s
(2.6.4)
Sendo Ip e Is as intensidades dos campos de bombeio e de Stokes, respectivamente; gB o ganho Brillouin; ap e as levam em conta as perdas na
fibra nas frequncias de bombeio e de Stokes, respectivamente.
O ganho de SBS gB depende da frequncia devido a um tempo de
amortecimento finito TB das ondas acsticas (tempo de vida de fnons acsticos). Se as ondas acsticas decarem com exp(t/TB), o ganho Brillouin
ter um perfil espectral lorentziano dado por [69]:
g B () =
g B ( B )
.
1 + ( B )2TB2
(2.6.5)
75
Fibras pticas
Figura 2.16 Espectro de ganho Brillouin medido com bomba em 1,525mm, para trs
tipos de fibra com diferentes dopagens com germnio: (a) fibra com ncleo de slica; (b)
fibra com casca rebaixada; (c) fibra de disperso deslocada. A escala vertical arbitrria.
(Aps a Ref. [70]; 1986 IEE; reimpresso com permisso.)
(2.6.6)
L eff = [1 exp( L )] / ,
(2.6.7)
76
por SBS. Fica evidente que SBS limita a potncia lanada a alguns miliwatts,
devido ao baixo nvel de limiar.
Essa estimativa de Pth se aplica a feixes de onda contnua (CW) de
banda estreita, pois despreza as caractersticas temporais e espectrais da luz
incidente. Em um sistema de onda luminosa, o sinal tem a forma de uma
sequncia de bits. Para um nico pulso curto de largura muito menor do
que o tempo de vida de um fnon, SBS no deve ocorrer. Contudo, em
uma sequncia de bits de alta velocidade, pulsos chegam a uma taxa to
rpida que pulsos sucessivos originam a onda acstica, como no caso de
um feixe CW, embora o nvel de limiar de SBS seja aumentado. O valor
exato da potncia de limiar mdia depende do formato de modulao (RZ
ou NRZ), tendo valor tpico de 5 mW. Esse valor pode ser elevado para
10 mW ou mais com o aumento da largura de banda da portadora ptica
para>200MHz, por meio de modulao de fase. Em sistemas WDM,
SBS no produz interferncia (crosstalk) entre canais, pois o deslocamento
de frequncia de 10GHz muito menor do que tpicos espaamentos
entre canais.
Espalhamento Estimulado Raman
Espalhamento estimulado Raman ocorre em fibras pticas quando uma
onde de bombeio espalhada pelas molculas de slica. Esse fenmeno
pode ser entendido usando o diagrama de nveis de energia ilustrado na
Figura2.17(b). Alguns ftons da bomba cedem sua energia para criar outros ftons de energia reduzida, em uma frequncia mais baixa; a energia
restante absorvida pelas molculas de slica, que terminam em um estado
vibracional excitado. Uma importante diferena em relao ao espalhamento
Brillouin que os nveis de energia vibracional da slica determinam o valor
Figura 2.17 (a) Espectro de ganho Raman de slica fundida em p=1mm e (b) nveis
de energia que participam no processo SRS. (Aps a Ref. [67]; 1972 AIP; reimpresso com
permisso.)
77
Fibras pticas
dI p
= g R I pI s pI p ,
dz
(2.6.8)
dI s
= g R I pI s sI s ,
dz
(2.6.9)
78
para o campo de Stokes na sada da fibra de comprimento L. Esse valor estimado de [66]:
(2.6.10)
sendo gR o valor de pico do ganho Raman. Como antes, Leff pode ser
aproximado por 1/a. Se substituirmos Aeff por w2, em que w o raio de
feixe (spot size), a potncia de limiar Pth para SRS fica dada por:
Pth 16 ( w 2 )/g R .
(2.6.11)
n'j = n j + n2 (P / Aeff ),
j = 1, 2,
(2.6.12)
79
Fibras pticas
' = + k0 n2 P /Aeff + P ,
(2.6.13)
NL =
L
0
( ' )dz =
L
0
(2.6.14)
80
Figura 2.18 Variao temporal do (a) deslocamento de fase no linear NL e (b) chirp
de frequncia induzidos por SPM para pulsos gaussiano (linha tracejada) e supergaussiano (linha cheia).
(2.6.15)
81
Fibras pticas
depende no apenas da potncia do prprio canal, mas tambm da potncia nos outros canais [72]. O deslocamento de fase para o j-simo canal
fornecido por:
Nj L = L eff Pj + 2Pm ,
m j
(2.6.16)
Nj L = ( / )(2M 1)Pj .
(2.6.17)
A i 2 2 2 A
+
= A + i | A |2 A,
2
z
2
2 t
(2.6.18)
82
Como o parmetro no linear g depende inversamente da rea modal efetiva, o impacto das no linearidades de fibras pode ser reduzido consideravelmente com o aumento de Aeff. Como visto na Tabela2.1, Aeff da ordem de
80mm2 para fibras convencionais, sendo reduzida para 50mm2 para fibras
de disperso deslocada. Um novo tipo de fibra, conhecido como fibra de
grande rea efetiva (LEAFLarge Effective-Area Fiber) foi desenvolvido para
reduzir o impacto das no linearidades de fibras. Os efeitos no lineares nem
sempre so deletrios a sistemas de ondas luminosas. Soluo numrica da Eq.
(2.6.18) mostra que o alargamento temporal de pulsos pticos induzido por
disperso consideravelmente reduzido no caso de disperso anmala [73].
Na verdade, um pulso ptico pode se propagar sem distoro se sua potncia
de pico for escolhida para corresponder de um sliton fundamental. Tcnicas usadas no controle de efeitos no lineares so discutidas no Captulo9.
= ( 3 ) + (4 ) (1 ) ( 2 ),
(2.6.19)
sendo b(w) a constante de propagao para um campo ptico com frequncia w. No caso degenerado, w2=w1, w3=w1+, w4=w1, em que
Fibras pticas
83
84
Figura 2.19 Vrios perfis de ndice de refrao usados no projeto de fibras monomodo.
As linhas superior e inferior correspondem a fibras padro e com disperso deslocada,
respectivamente.
mais simples [Fig.2.19 (a)] consiste em uma casca de slica pura e ncleo
dopado com GeO2 para obter 3103. Uma variao de uso comum
[Fig.2.19(b)] reduz o ndice da casca em uma regio adjacente ao ncleo
por meio de dopagem com flor. A configurao mostrada na Figura2.20(c)
permite o uso de ncleo no dopado. Fibras desse tipo so conhecidas como
fibras de dupla casca ou de casca rebaixada (depressed-cladding fibers) [77]. Elas
tambm so denominadas fibras W, refletindo a forma do perfil de ndice. A
linha inferior na Figura2.19 mostra trs perfis de ndice usados para fibras
de disperso deslocada, para as quais o comprimento de onda de disperso
85
Fibras pticas
86
Fibras pticas
no dimetro altera o padro de difrao, que, por sua vez, altera a corrente no
fotodiodo, a qual atua como sinal para um mecanismo de servocontrole responsvel por ajustar a taxa de enrolamento da fibra. Por meio dessa tcnica,
possvel manter o dimetro da fibra constante a 0,1%.Aplica-se um revestimento
de polmero fibra durante a etapa de puxamento, o qual possui dois propsitos:
prover proteo mecnica e preservar as propriedades de transmisso da fibra.
O dimetro da fibra revestida , tipicamente, de 250mm, embora chegue a
900mm com o uso de mltiplos revestimentos. A resistncia trao da fibra
monitorada durante o enrolamento dela no tambor.A taxa de enrolamento da
ordem de 0,20,5m/s.Vrias horas so necessrias pra converter uma pr-forma
em cerca de 5km de fibra. Essa breve discusso objetiva fornecer uma ideia
bsica. A fabricao de fibras requer, em geral, cuidadosa considerao de um
grande nmero de detalhes de engenharia, discutidos em vrios textos [74][75].
87
88
Figura 2.22 Espectro de perda de vrias fibras pticas plsticas. A curva tracejada mostra
o limite terico. (Aps a Ref. [94]; 2006 IEEE.)
Fibras pticas
89
90
Fibras pticas
2.2 Use a equao de raio na aproximao paraxial [Eq. (2.1.8)] para provar
que a disperso intermodal zero para uma fibra de ndice gradual
com perfil de ndice quadrtico.
2.3 Use as equaes de Maxwell para expressar as componentes de campo
E, E, H e H em termos de Ez e Hz e obter as Eq. (2.2.27)(2.2.30).
2.4 Deduza a equao de autovalor (2.2.31) por aplicao das condies
de contorno na interface ncleo-casca de uma fibra de ndice em
degrau.
2.5 Uma fibra monomodo possui degrau de ndice n1n2=0,005. Calcule
o raio do ncleo, se a fibra tiver comprimento de onda de corte de
1mm. Estime o raio de feixe (spot size) (FWHM) do modo da fibra
e a frao da potncia modal no interior do ncleo quando essa fibra
usada em 1,3mm. Use n1=1,45.
2.6 Um pulso gaussiano sem chirp em 1,55mm, com 100 ps de largura
(FWHM), lanado em uma fibra monomodo. Calcule a largura
FWHM do pulso aps 50km, admitindo que a fibra tenha disperso
de 16ps/(km-nm). Despreze a largura espectral da fonte.
2.7 Deduza uma expresso para o fator de confinamento de fibras
monomodo, definido como a frao da potncia modal total contida
no ncleo. Use a aproximao gaussiana para o modo fundamental
da fibra. Estime para V=2.
2.8 Uma fibra monomodo foi medida como tendo 2(d2n/d2)=0,02
em 0,8mm. Calcule os parmetros de disperso b2 e D.
2.9 Mostre que, quando b2C<0, um pulso gaussiano com chirp inicialmente comprimido no interior de uma fibra monomodo. Deduza
expresses para a mnima largura e o comprimento de fibra em que
esse mnimo ocorre.
2.10 Nos comprimentos de onda de 1,3 e 1,55mm, estime a mxima taxa
de bits para um enlace de 60km de fibra monomodo, assumindo
pulsos de entrada de 50 ps (FWHM) limitados por transformada. Assuma b2=0 e 20ps2/km, e b3=0,1ps3/km e 0, em 1,3 e 1,55mm,
respectivamente. Assuma, ainda,Vw 1.
2.11 Um sistema de comunicao operando em 0,88mm transmite dados
ao longo de 10km de fibra monomodo, usando pulsos de 10 ps
(FWHM). Determine a mxima taxa de bits se o LED tiver FWHM
espectral de 30nm. Use D=80ps/(km-nm).
2.12 Use a Eq. (2.4.23) para provar que a taxa de bits de um sistema de
comunicao ptica que opera no comprimento de onda de disperso
2
zero limitada por BL|S| <1/ 8 , em que S=dD/d e
a largura espectral RMS do espectro da fonte gaussiana. Na expresso
geral da largura do pulso de sada, assuma C=0 e Vw 1.
2.13 Refaa o Exerccio 2.12 para o caso de um laser de semicondutor
monomodo, para o qual Vw 1, e mostre que a taxa de bits
limitada por B|b3|L)1/3<0,324. Qual a mxima taxa de bits para
L=100km, se b3=0,1ps3/km?
2.14 Um sistema de comunicao ptica opera com pulsos de entrada
gaussianos com chirp. Na Eq. (2.4.23), assuma b3=0 e Vw 1, e
91
92
REFERNCIAS
[1] TYNDALL, J. Proc. Roy. Inst. v. 1, p. 446, 1854.
[2] BAIRD, J. L. British Patent., v. 285, p. 738, 1927.
[3] HANSELL, C. W. U.S Patent., v. 1, n. 751, p. 584, 1930.
[4] LAMM, H. Z. Instrumentenk., 50, p. 579, 1930.
[5] Van HEEL, A. C. S. Nature. 173, p. 39, 1954.
[6] HIRSCHOWITZ, B. I. etal. Gastro-enterology, 35, p. 50, 1958.
[7] KAPANY, N. S. J. Opt. Soc. Am., v. 49, p. 779, 1959.
[8] KAPANY, N. S. Fiber Optics: Principles and Applications. San Diego: Academic
Press, 1967.
[9] Kao, K. C.; Hockham, G. A. Proc. IEE, 113, p. 1151, 1966; WERTS, A. Onde Electr., v.
45, p. 967, 1966.
[10] KAPRON, F. P.; KECK, D. B.; MAURER, R. D. Appl. Phys. Lett., v. 17, p. 423, 1970.
[11] MIYA, T. etal. Electron. Lett., . 15, p. 106, 1979.
[12] ADAMS, M. J. An Introduction to Optical Waveguides New York: Wiley, 1981.
[13] OKOSHI, T. Optical Fibers San Diego: Academic Press, 1982.
Fibras pticas
[14] SNYDER, A.W.; LOVE, J. D. Optical Waveguide Theory, London: Chapman & Hall,
1983.
[15] JEUNHOMME, L. B. Single-Mode Fiber Optics New York: Marcel Dekker, 1990.
[16] NEUMANN, E. G. Single-Mode Fibers. New York: Springer, 1988.
[17] MARCUSE, D. Theory of Dielectric Optical Waveguides 2. ed. San Diego:
Academic Press, 1991.
[18] CANCELLIERI, G. Single-Mode Optical Fibers. Elmsford: Pergamon Press, 1991.
[19] BUCK, J. A. Fundamentals of Optical Fibers. 2. ed. Hoboken: Wiley, 2004.
[20] BOM, M.; WOLF, E. Principles of Optics. 7. ed. New York: Cambridge University
Press, 1999.
[21] GOWER, J. Optical Communication Systems 2. ed. London: Prentice Hall, 1993.
[22] DIAMENT, P. Wave Transmission and Fiber Optics. New York: Macmillan, 1990.
Captulo 3.
[23] AGRAWAL, G. P. Nonlinear Fiber Optics. 4. ed. San Diego: Academic Press, 2001.
[24] ABRAMOWITZ, M.; STEGUN, I. A. (Eds.). Handbook of Mathematical Functions. New York: Dover, 1970. Captulo 9.
[25] GLOGE, D. Appl. Opt., v. 10, p. 2252, 1971. v. 10, p. 2442, 1971.
[26] KECK, D. B. In BAMOSKI, M. K., (Ed.). Fundamentals of Optical Fiber Communications. San Diego: Academic Press, 1981.
[27] MARCUSE, D. J. Opt. Soc. Am., v. 68, p. 103, 1978.
[28] MALITSON, I. H. J. Opt. Soc. Am., v. 55, p. 1205, 1965.
[29] COHEN, L. G.; LIN, C.; FRENCH, W. G. Electron. Lett., v. 15, p. 334, 1979.
[30] CHANG, C. T. Electron. Lett., Appl. Opt., v. 18, p. 2516, 1979. v. 15, p. 765, 1979;.
[31] COHEN, L. G.; MAMMEL, W. L.; LUMISH, S. Opt. Lett., v. 7, p. 183, 1982.
[32] JANG, S. J. etal. Bell Syst. Tech. J., v. 61, p. 385, 1982.
[33] BHAGAVATULA,V. A. etal. Electron. Lett., v. 19, p. 317, 1983.
[34] BACHAMANN, P. etal. J. Lightwave Technol., v. 4, p. 858, 1986.
[35] AINSLIE, B. J.; DAY, C. R. J. Lightwave Technol., v. 4, p. 967, 1986.
[36] POOLE, C. D.; NAGEL, J. In: KAMINOW, A. I. P., KOCH,T. L., (Eds.). Optical Fiber
Telecommunications, v. III. San Diego: Academic Press, 1997. Captulo 6.
[37] BRUYERE, F. Opt. Fiber Technol., v. 2, p. 269, 1996.
[38] WAI, P. K. A.; MENYUK, C. R.; J. Lightwave Technol., v. 14, p. 148, 1996.
[39] KARLSSON, M. Opt. Lett., v. 23, p. 688, 1998.
[40] FOSCHINI, G. J. etal. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 1560, 1999.
[41] MIDRIO, M. J. Opt. Soc. Am. B., v. 17, p. 169, 2000.
[42] HUTTNER, B.; GEISER, C.; GISIN, N. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron.,
v. 6, p. 317, 2000.
[43] SHTAIF, M.; MECOZZI, A. Opt. Lett., 25, p. 707, 2000.
[44] KARLSSON, M.; BRENTE1, J.; ANDREKSON, P. A. J. Lightwave Technol., v. 18,
p. 941, 2000.
[45] LI,Y.;YARIV, A. J. Opt. Soc. Am. B., v. 17, p. 1821, 2000.
[46] FINI, J. M.; HAUS, H. A. IEEE Photon Technol. Lett., v. 13, p. 124, 2001.
[47] KHOSRAVANI, R.;WILLNER, A. E. IEEE Photon. Technol. Lett.,13, p. 296, 2001.
[48] MARCUSE, D. Appl. Opt., v. 20, p. 3573, 1981. v. 19, p. 1653, 1980.
[49] MIYAGI, M.; NISHIDA, S. Appl. Opt., v. 18, p. 2237, 1979. v. 18, p. 678, 1979.
[50] AGRAWAL, G. P.; POTASEK, M. J. Opt. Lett., v. 11, p. 318, 1986.
[51] SCHWARTZ, M. Information, Transmission, Modulation and Noise. 4. ed. New
York: McGraw-Hill, 1990. Captulo 2.
[52] BENNETT, M. J. IEE Proc., v. 130, p. 309, 1983. Pt. H.
[53] GLOGE, D.; OGAWA, K.; COHEN, L. G. Electron. Lett., v. 16, p. 366, 1980.
[54] THOMAS, G. A. etal. Nature., v. 404, p. 262, 2000.
[55] KLOCEK, P.; SIGEL, Jr., G. H.Infrared Fiber Optics, vol. TT2. Bellingham: SPIE, 1989.
[56] KATSUYAMA, T.; MATSUMURA, H. Infrared Optical Fibers. Phi1ade1phia:
Bristo1, 1989.
[57] HARRINGTON, J. A. (Ed.). Infrared Fiber Optics. Bellingham: SPIE, 1990.
[58] CHURBANOV, M. F. J. Non-Cryst Solids., v. 184, p. 25, 1995.
93
94
[59]
[60]
[61]
[62]
[63]
[64]
Fibras pticas
[96] MURATA, H. Handbook of Optical Fibers and Cables. New York: Marcel Dekker,
1996.
[97] METTLER, S. C.; MILLER, C. M. In MILLER, S. E.; KAMINOW, I. P., (Eds.). Optical
Fiber Telecommunications II. San Diego: Academic Press, 1988. Captulo 6.
[98] YOUNG, W. C.; FREY, D. R. In MILLER, S. E.; KAMINOW, I. P., (Eds.). Optical
Fiber Telecommunications II. San Diego: Academic Press, 1988.
[99] MILLER, C. M.; METTLER, S. C.; WHITE, I. A. Optical Fiber Splices and Connectors. New York: Marcel Dekker, 1986.
95
CAPTULO 3
Transmissores pticos
O papel do transmissor ptico converter um sinal eltrico de entrada no correspondente sinal ptico e lan-lo na fibra ptica que
serve como canal de comunicao. O principal componente de transmissores pticos uma fonte ptica. Sistemas de comunicao ptica
empregam fontes pticas de semicondutor, como diodos emissores de
luz (LEDLight-Emitting Diode) e lasers de semicondutor, devido s
vantagens oferecidas por esses dispositivos, as quais incluem tamanho
compacto, alta eficincia, boa confiabilidade, apropriada faixa de comprimentos de onda, pequena rea de emisso e possibilidade demodulao direta em frequncias relativamente altas. O uso de lasers de
semicondutor se tornou prtico aps 1970, quando a operao contnua
deles passou a ser possvel [1]. Desde ento, lasers de semicondutor passaram por grande desenvolvimento. Hoje, tambm so conhecidos como
diodos lasers ou lasers de injeo, e suas propriedades so discutidas em
vrios livros recentes [2][12]. Este captulo dedicado a LEDs e lasers
de semicondutor, com nfase nas aplicaes destes em sistemas de ondas
luminosas. Depois de apresentarmos os conceitos bsicos na Seo3.1,
descreveremos, na Seo3.2, as tcnicas utilizadas para forar um laser de
semicondutor a operar em um nico modo. As caractersticas de estado
estacionrio, modulao e rudo de lasers so discutidas na Seo3.3.
A codificao de dados por modulao direo ou externa o foco da
Seo3.4. Na Seo3.5, discute-se o uso de LEDs como fonte ptica.
Aspectos de projeto relacionados a transmissores pticos so cobertos
na Seo3.6.
98
Figura 3.1 Trs processos fundamentais que ocorrem entre dois estados de energia de
um tomo: (a) absoro, (b) emisso espontnea e (c) emisso estimulada.
99
Transmissores pticos
(3.1.1)
em que 0y1. A menor banda proibida ocorre para y=1. O correspondente composto ternrio In0,55Ga0,45As emite luz nas proximidades
de 1,65mm (Eg=0,75eV). Com adequada escolha das fraes de mistura x e y, lasers de In1xGaxAsyP1y podem ser projetados para operao
na larga faixa de comprimentos de onda de 1,01,65mm, a qual inclui
a regio de 1,31,6mm, importante para sistemas de comunicao
ptica.
100
int =
nr
.
rr + nr
(3.1.2)
sendo rr e nr os tempos de recombinaes radiativa e no radiativa, respectivamente, associados aos portadores. Esses dois tempos de recombinao
variam de semicondutor para semicondutor. Em geral, para semicondutores
de banda proibida direta, rr e nr so comparveis; para semicondutores
de banda proibida indireta, nr uma pequena frao (105) de rr. Um
semicondutor de banda proibida direta quando o mnimo da banda de
conduo e o mximo da banda de valncia ocorrem para o mesmo valor
do vetor de onda (Fig.3.2). A probabilidade de recombinao radiativa
maior nesse tipo de semicondutor, pois fcil conservar energia e momento
durante a recombinao eltron-lacuna. Em contraste, semicondutores de
banda proibida indireta requerem a assistncia de um fnon para a conservao de momento durante a recombinao eltron-lacuna. Em semicondutores desse tipo, tal caracterstica reduz a probabilidade de recombinao
radiativa e aumenta rr consideravelmente, em comparao com nr.Torna-se
evidente pela Eq. (3.1.2) que, nessas condies, int 1. Tipicamente,
int 105 para Si e Ge, os dois semicondutores mais comumente utilizados
para dispositivos eletrnicos. Ambos no so adequados para fontes pticas,
em funo de terem bandas proibidas indiretas. Para semicondutores de
banda proibida direta, como GaAs e InP, int 0,5 e tende a 1 quando
emisso estimulada domina.
til definirmos uma grandeza conhecida como tempo de vida de portador
c para representar o tempo de recombinao total de portadores carregados,
na ausncia de recombinao estimulada. Essa grandeza definida pela
relao:
101
Transmissores pticos
1 / c = 1 / rr + 1 / nr .
(3.1.3)
102
Figura 3.4 (a) Espectro de ganho em vrias densidades de portadores, para um laser
que opera em 1,3mm. (b) Variao do ganho mximo gp com N. A linha tracejada mostra
o ajuste linear na regio de alto ganho.
103
Transmissores pticos
g p ( N ) = g ( N N T ),
(3.1.4)
n 1
Rm =
,
n + 1
(3.1.5)
104
(3.1.6)
1 1
ln
= int + mir = cav ,
2L R1R 2
2 L = 2m
ou
= m = mc /2nL ,
(3.1.7)
(3.1.8)
sendo m um inteiro. A Eq. (3.1.7) mostra que o ganho g iguala a perda total
na cavidade acav no limiar e alm. importante notar que g no o mesmo
que o ganho material gm mostrado na Figura3.4. O modo ptico se estende
alm da camada ativa, enquanto o ganho existe somente no interior dela.
Em consequncia, g=gm, em que o fator de confinamento da regio
ativa, com valores tpicos<0,4.
Transmissores pticos
Figura 3.5 (a) Representao esquemtica dos perfis de ganho e de perda em lasers
de semicondutor. As barras verticais mostram as localizaes dos modos longitudinais.
Um laser de semicondutor, em geral, emite luz em vrios modos longitudinais. Como visto na Figura3.5, o espectro de ganho g(w) de lasers
de semicondutor suficientemente largo (largura de banda 10 THz)
para que muitos modos longitudinais da cavidade FP experimentem ganho simultaneamente. O modo mais prximo do ganho de pico se torna
o modo dominante. Em condies ideais, os outros modos no devem
alcanar o limiar, pois seus ganhos permanecem abaixo do ganho do modo
principal. Na prtica, a diferena extremamente pequena (0,1cm1), e
um ou dois modos vizinhos de cada lado do modo principal transportam
uma significativa parcela da potncia do laser, juntamente com o modo
principal. Como, devido disperso de velocidade de grupo, os modos se
propagam no interior da fibra em velocidades ligeiramente diferentes, a
natureza multimodo de um laser de semicondutor, em geral, limita a taxa
de bits de sistemas de ondas luminosas que operam prximos de 1,55mm.
O desempenho pode ser melhorado projetando os lasers para que oscilem
em um nico modo longitudinal. Discute-se esse tipo de laser na Seo3.2.
105
106
Figura 3.6 Representao esquemtica da seo reta de (a) laser de guia de onda ridge
e (b) laser de heteroestrutura enterrada.
camada de casca superior [2]. Deposita-se, ento uma camada de slica para
bloquear o fluxo de corrente, de modo que a corrente passe somente atravs
da crista. Como o material da casca usado para a crista possui ndice de refrao
muito maior do que a slica, o ndice modal tambm mais alto sob a crista,
resultando em um degrau de ndice nL 0,01. Essa diferena de ndice guia
o modo ptico na direo lateral.A magnitude do degrau de ndice sensvel a
muitos detalhes de fabricao, como a largura da crista (ridge) e a proximidade da
camada de slica em relao camada ativa. Embora esse esquema oferea apenas
fraco confinamento lateral, a relativa simplicidade da configurao em guia de
onda ridge e o resultante baixo custo o tornam atraente para algumas aplicaes.
Em lasers de semicondutor com forte guiamento por ndice, a regio ativa
enterrada em todos os lados por vrias camadas com ndice de refrao mais
baixo (dimenses tpicas 0,11mm2). Lasers desse tipo so conhecidos
como lasers de heteroestrutura enterrada (BHBuried Heterostructure) (Fig.3.6 b).
Diferentes tipos de lasers BH foram desenvolvidos, sendo conhecidos por
Transmissores pticos
Figura 3.7 Perfis de ganho e de perda em lasers de semicondutor que oscilam predominantemente em um nico modo longitudinal.
107
108
= m( B /2n ),
(3.2.1)
Transmissores pticos
Figura 3.8 Estruturas de lasers DFB e DBR. As reas hachuradas mostram a regio ativa,
e a linha ondulada indica a presena de uma grade de difrao de Bragg.
109
110
Transmissores pticos
Figura 3.9 Estruturas de lasers de cavidades acopladas: (a) laser de cavidade externa;
(b) laser de cavidades clivadas acopladas; (c) laser DFB de mltiplas sees.
111
112
Transmissores pticos
Figura 3.10 Representao esquemtica de laser de guias gmeos, no qual uma camada
de sintonia integrada verticalmente com duas grades de difrao amostradas usada
para sintonia. (Aps a Ref. [31]; 2007 IEEE.)
113
114
alto), que produz um guia de onda ptico, de forma que o modo ptico possua
pico de intensidade nessa camada central. Como uma boa parcela do modo
ptico reside nas camadas ativa e de sintonia, os dois diodos eletricamente
isolados so acoplados de modo ptico na direo vertical, permitindo, assim,
uma grande faixa de sintonia do comprimento de onda modal por meio do
efeito Vernier implementado com as duas grades de difrao amostradas.
Transmissores pticos
115
116
3.3.1 Caractersticas de CW
Uma deduo rigorosa das equaes de taxa se inicia, em geral, com as
equaes de Maxwell. As equaes de taxa tambm podem ser escritas
heuristicamente, considerando os diversos fenmenos fsicos que regulam a
variao temporal do numero de ftons, P, e de eltrons, N, no interior da
regio ativa. Para um laser monomodo, essas equaes assumem a forma [2]:
(3.3.1)
dP
P
= GP + R sp ,
dt
p
dN I N
= GP,
dt
q c
(3.3.2)
G = v g g m = GN ( N N 0 ),
(3.3.3)
117
Transmissores pticos
(3.3.4)
I th (T ) = I 0 exp(T /T0 ),
(3.3.5)
118
qN th
q
=
c
c
1
N 0 + G .
N p
(3.3.6)
(3.3.7)
1
Pe = (v g mir ) P .
2
(3.3.8)
Pe =
int mir
(I I th ),
2q mir + int
(3.3.9)
em que a eficincia quntica interna int introduzida de modo fenomenolgico para indicar a frao de eltrons injetados convertida em ftons
por emisso estimulada. No regime acima do limiar, int de quase 100%,
para a maioria dos lasers de semicondutor.
Uma grandeza de interesse prtico a inclinao da curva P-I, para I >
Ith, chamada de eficincia diferencial (slope efficiency) e definida como
dPe
=
d
dI
2q
com
d =
int mir
.
mir + int
(3.3.10)
119
Transmissores pticos
ext =
ext = d (1 I th / I ).
(3.3.12)
tot =
Eg
ext
ext ,
qV0
qV0
(3.3.13)
120
I (t ) = Ib + I m f p(t ),
(3.3.14)
G = GN ( N N 0 )(1 NL P ),
(3.3.15)
1
d 1
= c GN ( N N 0 )
dt 2
p
(3.3.16)
sendo bc o parmetro de acoplamento amplitude-fase, comumente denominado fator de melhora de largura de linha, pois leva melhoria da largura espectral associada a um nico modo longitudinal.Valores tpicos de bc para lasers
de InGaAsP esto no intervalo de 48, dependendo do comprimento de
onda de operao [50].Valores mais baixos de bc ocorrem em lasers MQW,
especialmente para poos qunticos tensionados [3].
Em geral, a natureza no linear das equaes de taxa requer que sejam
resolvidas numericamente. Uma soluo analtica til pode ser obtida para
121
Transmissores pticos
(3.3.17)
(3.3.18)
N (t ) = N b + |nm|sin( mt + m ),
sendo Pb e Nb valores de estado estacionrio, corrente de polarizao Ib;
|pm| e |nm| so pequenas variaes que ocorrem por causa de modulao da
corrente; m e m governam o atraso de fase associado modulao de pequeno
sinal. Em particular, pm |pm|exp(im) fornecido por [2]:
pm ( m ) =
PbGN I m /q
,
(R + m i R )(R m + i R )
(3.3.19)
em que
(3.3.21)
P = R sp /Pb + NLGPb , N = c1 + GN Pb .
R e R so a frequncia e a taxa de amortecimento das oscilaes de
relaxao, respectivamente. Esses dois parmetros desempenham um importante papel na regulao da resposta dinmica de lasers de semicondutor.
Em particular, a eficincia reduzida quando a frequncia de modulao
muito maior do que R.
comum introduzir uma funo de transferncia de potncia como
H ( m ) =
pm ( m )
2R + 2R
. (3.3.22)
=
pm (0) (R + m i R )(R m + i R )
122
Figura 3.13 Respostas de modulao medida (linhas cheias) e ajustada (linhas tracejadas) de um laser DFB de 1,55mm em funo da frequncia de modulao, para vrios
nveis de polarizao. (Aps a Ref. [54]; 1997 IEEE.)
f 3 dB =
1/2
1
2R 2R + 2(4R + 2R 2R + 4R )1/2 .
2
(3.3.23)
3R 3GN Pb
2
2
4 p
1/2
1/2
3G
= 2N (I b I th ) ,
4 q
(3.3.24)
em que, na Eq. (3.3.21), R foi aproximada por (GGNPb)1/2, e G foi substitudo por 1/p, pois o ganho iguala a perda no regime acima do limiar. A
ltima expresso foi obtida usando a Eq. (3.3.7) no nvel de polarizao.
A Eq. (3.3.24) fornece uma expresso extremamente simples para a
largura de banda de modulao, e mostra que f3dB se eleva com o aumento
do nvel de polarizao na forma Pb ou (IbIth)1/2.Tal dependncia com
a raiz quadrada foi verificada em muitos lasers DFB que exibiam largura
de banda de modulao de at 30GHz [51][54]. A Figura3.13 mostra,
para um laser DFB, que f3dB pode ser aumentada para 24GHz, polarizando
o laser em 80mA [54]. Uma largura de banda de modulao de 25GHz
foi realizada em 1994 para um laser de InGaAsP encapsulado de 1,55mm,
especialmente projetado para resposta de alta velocidade [52]. A tcnica de
travamento por injeo (injection-locking) , s vezes, usada para melhorar a
resposta de modulao de lasers DFB [56].
123
Transmissores pticos
dP
1
= G P + R sp + FP (t ),
dt
p
(3.3.25)
dN I N
= GP + FN (t ),
q c
dt
(3.3.26)
d 1
= c
dt 2
1
GN ( N N 0 ) + F (t ),
p
(3.3.27)
(3.3.28)
C pp ( ) = P (t ) P (t + ) / P 2 ,
(3.3.29)
124
RIN( ) =
C pp ( )exp( i t ) dt.
(3.3.30)
O rudo RIN pode ser calculado a partir da linearizao das Eq. (3.3.25)
e (3.3.26) em dP e dN, soluo das equaes linearizadas no domnio da
frequncia e clculo da mdia com a ajuda da Eq. (4.4.28), sendo fornecido
aproximadamente por [2]:
RIN( ) =
2R sp {( N2 + 2 ) + GN P [GN P (1 + N / c R spP ) 2 N ]}
,
(3.3.31)
P [(R )2 + 2R ][(R + )2 + 2R ]
Figura 3.14 Espectro de RIN em vrios nveis de potncia, para um tpico laser de
semicondutor para 1,55mm.
125
Transmissores pticos
SNR = NL
R sp p
1/2
P.
(3.3.32)
126
EE (t )exp[ i( 0 ) ]d ,
(3.3.33)
(3.3.34)
sendo a flutuao de fase ()= (t+) - (t) tomada como um processo aleatrio gaussiano. Pode-se calcular a varincia da fase 2 ( ) por
meio da linearizao das Eq. (3.3.25) a (3.3.27), e da soluo do resultante
conjunto de equaes. O resultado [59]:
2 ( ) =
em que
R sp
c2b
(1 + c2b ) +
[cos(3 ) e R cos(R 3 )] ,
2P
2 R cos
(3.3.35)
b = R /( 2R + R2 )1/2
= tan 1( R / R ).
(3.3.36)
= R sp (1 + c2 )/(4 P ),
(3.3.37)
127
Transmissores pticos
1
A Eq. (3.3.37) mostra que deve decair com P , medida que aumenta a potncia do laser. Essa dependncia inversa observada experimentalmente em baixos nveis de potncia (< 10 mW) na maioria dos
lasers de semicondutor. Contudo, em nveis de potncia acima de 10 mW,
observa-se, com frequncia, que a largura de linha satura em um valor na
faixa de 110MHz. A Figura3.15 mostra tal comportamento de saturao
da largura de linha para vrios lasers DFB para 1,55mm [63]. A figura
tambm mostra que a largura de linha pode ser consideravelmente reduzida
com o emprego de uma configurao de MQW para o laser DFB. A reduo
devido ao menor valor do parmetro bc realizado com essa configurao.
Figura 3.15 Largura de linha medida em funo da potncia emitida, para vrios lasers
DFB para 1,55mm. A camada ativa possui espessura de 100nm no laser macio e de
10nm nos lasers de MQW. (Aps a Ref. [63]; 1991 IEEE.)
A largura de linha tambm pode ser reduzida com o aumento do comprimento da cavidade L, pois, a uma dada potncia de sada, Rsp diminui
e P aumenta com a elevao de L. Embora no fique evidente na Eq. (3.3.37),
pode ser mostrado que varia com L2, quando a dependncia de Rsp e
P em relao ao comprimento incorporada. Como visto na Figura3.15,
reduzido por um fator de 4 quando o comprimento da cavidade
dobrado. O laser DFB de MQW com 800mm de comprimento exibe
uma largura de linha de apenas 270 kHZ, a uma potncia de sada de
13,5 mW [63]. A largura de linha ainda mais reduzida em lasers de MQW
tensionado, em funo dos relativamente pequenos valores de bc; larguras
de linhas da ordem de 100kHz foram medidas em lasers com bc 1 [70].
128
129
Transmissores pticos
de fase podem ser estudadas com a soluo da Eq. (3.3.16). Uma fase variante
no tempo equivale a mudanas transientes na frequncia modal, em relao
ao valor de estado estacionrio 0. Um pulso desse tipo denominado pulso
com chirp. O chirp de frequncia d(t) obtido da Eq. (3.3.16) como:
(t ) =
1 d c
1
=
GN ( N N 0 ) .
2 dt 4
p
(3.4.1)
130
Figura 3.17 Dois tipos de moduladores externos: (a) modulador de LiNbO3 em configurao de Mach-Zender; (b) modulador de semicondutor baseado em eletroabsoro.
Transmissores pticos
131
132
faceta esquerda tenha alta refletividade (> 90%), e a faceta direita, a menor
refletividade possvel (< 1%).
A fabricao de lasers integrados com moduladores requer ateno a
muitos detalhes. Em geral, as camadas ativas do laser e as sees do modulador devem ser feitas usando diferentes compostos, com diferentes bandas
proibidas, de forma que sejam otimizados para cada dispositivo de modo
separado. Duas abordagens distintas so adotadas para esse propsito. Em
um esquema, os guias de onda para o laser e modulador so unidos pelas
extremidades por meio de etapas de crescimento epitaxial separadas para
cada um. Primeiro, as camadas so crescidas para um dispositivo, digamos, o
laser. A seguir, uma mscara usada para remover as camadas epitaxiais da
regio do modulador, e novas camadas so crescidas. Embora essa abordagem
oferea mxima flexibilidade para otimizao separada de cada dispositivo,
o alinhamento vertical das camadas nas duas sees relativamente difcil
e afeta o resultado. Na tcnica de crescimento com seleo de rea, muito
mais simples, os dois dispositivos (laser e modulador) so formados em um
nico crescimento epitaxial, mas as placas de xido posicionadas na pastilha antes do crescimento permitem que o comprimento de onda do laser
seja deslocado em direo ao lado vermelho por mais de 100nm. O deslocamento de comprimento de onda resulta de uma modificao do comprimento de onda de Bragg da grade de difrao do laser, em decorrncia
de mudanas no ndice modal efetivo induzidas pelas placas de xido. Essa
tcnica comumente usada na prtica para fabricao de lasers integrados
com moduladores.
O desempenho de lasers DFB integrados com moduladores limitado
por interferncias ptica e eltrica entre as sees do laser e do modulador.
Tipicamente, a separao entre os contatos eltricos usados para os dois
dispositivos menor do que 0,2mm. Qualquer fuga do contato do modulador para o contato do laser pode modificar a polarizao CC do laser de
forma peridica. Tais indesejadas variaes de corrente do laser deslocam
o comprimento de onda do laser e produzem chirp de frequncia, pois a
frequncia do laser varia com o tempo. Como esta pode se deslocar por
mais de 200MHz/mA, a seo intermediria deve prover isolao de impedncia de 800 ou mais [9]. Embora valores dessa ordem sejam realizados
com facilidade, difcil alcanar esse nvel de isolao em frequncias de
micro-ondas prximas de 40GHz. Em uma abordagem, a eficincia de FM
do laser controlada com a reduo do parmetro de chirp bc para o laser.
A interferncia ptica entre o laser e o modulador advm da refletividade
residual da faceta de sada (Fig.3.18), a qual vista pelo laser somente
quando o modulador est ligado, pois, no estado desligado, a luz do laser
totalmente absorvida pelo modulador antes de alcanar a faceta de sada.
Em consequncia, o ganho do laser e, portanto, o comprimento de onda
Transmissores pticos
Figura 3.18 Ilustrao esquemtica de um laser DFB integrado com modulador. O laser
DFB esquerda fornece uma luz CW que modulada pelo MEA direita. A seo intermediria projetada de modo a isolar os dois dispositivos eletricamente com perdas mnimas.
133
134
135
Transmissores pticos
3.5.1 Caractersticas de CW
fcil estimar a potncia interna gerada por emisso espontnea. A uma dada
corrente I, a taxa de injeo de portadores I/q. No estado estacionrio, a
taxa de recombinao de pares eltrons-lacunas por processos radiativos e
no radiativos igual taxa de injeo de portadores I/q. Como a eficincia
quntica interna int determina a frao de pares eltrons-lacunas que se
recombinam por emisso espontnea, a taxa de gerao de ftons simplesmente intI/q. A potncia ptica interna , portanto, dada por
Pint = int ( /q )I ,
(3.5.1)
(3.5.2)
Figura 3.20 Reflexo interna total na faceta de sada de um LED. Somente luz emitida em um
cone de ngulo uc transmitida, sendo uc o ngulo crtico para a interface semicondutor-ar.
136
ext =
1
4
T f ( )(2 sin ) d ,
(3.5.3)
(3.5.4)
Usando a Eq. (3.5.4) na Eq. (3.5.2), obtemos a potncia emitida por uma
faceta. Se usarmos n=3 como valor tpico, ext=1,4%, indicando que
apenas uma pequena frao da potncia interna se torna potncia de sada
til. Perda adicional de potncia til ocorre quando a luz emitida acoplada
a uma fibra ptica. Devido natureza incoerente da luz emitida, um LED
atua como uma fonte lambertiana com distribuio angular Su =S0cosu, em
que S0 a intensidade na direo u=0. A eficincia de acoplamento para
esse tipo de fonte depende da abertura numrica (NA), na forma (NA) 2.
Como NA para fibras pticas possui valor tpico na faixa 0,10,3, apenas
uma pequena porcentagem da potncia emitida acoplada fibra (100mW
ou menos), embora a potncia interna possa, com facilidade, exceder 10 mW.
Uma medida do desempenho de LEDs a eficincia quntica total tot,
definida como a razo entre a potncia ptica emitida, Pe, e a potncia eltrica aplicada, Pelec=V0I, sendo V0 a queda de tenso no dispositivo. Usando
a Eq. (3.5.2), tot fornecida por:
(3.5.5)
R LED = extint ( / q ).
(3.5.6)
137
Transmissores pticos
Figura 3.21 (a) Curvas de potncia-corrente em vrias temperaturas; (b) espectro da luz
emitida por um tpico LED em 1,3mm. A curva tracejada mostra o espectro calculado
pela teoria. (Aps a Ref. [94]; 1981 American Institute of Physics.)
(3.5.7)
138
(3.5.8)
(3.5.9)
(3.5.10)
sendo Nb=cIb/q e Nm
N m ( m ) =
cIm / q
.
1 + i m c
(3.5.11)
H ( m ) =
N m ( m )
1
=
.
1 + i m c
N m (0)
(3.5.12)
(3.5.13)
Tipicamente, c est na faixa de 25ns para LEDs de InGaAsP. A correspondente largura de banda de modulao de LEDs est na faixa de 50
140MHz. Notemos que a Eq. (3.5.13) fornece a largura de banda ptica,
pois f3dB definida como a frequncia em que a potncia ptica reduzida
Transmissores pticos
de3dB. A correspondente largura de banda eltrica definida pela frequncia em que |H(wm)|2 reduzido de 3dB, sendo fornecida por (2c)1.
Figura 3.22 Representao esquemtica de um LED com emisso pela superfcie, com
geometria de dupla heteroestrutura.
139
140
141
Transmissores pticos
nc = (1 R f )(NA)2 ,
(3.6.1)
142
Figura 3.23 Transmissor empregando (a) acoplamento pela extremidade e (b) configuraes de acoplamento por lente. (Aps a Ref. [104]; 1989 AT&T, reimpresso com permisso.)
Transmissores pticos
143
144
Transmissores pticos
Figura 3.24 Circuito de alimentao para um transmissor a laser com controle por
realimentao para manter a potncia ptica mdia constante. Um fotodiodo monitora
a potncia de sada e prov o sinal de controle. (Aps a Ref. [102]; 1988 Academic Press;
reimpresso com permisso.)
145
146
Pode-se compreender o conceito de integrao monoltica para a construo de transmissores de chip nico com a adio de toda a funcionalidade
ao mesmo chip. Considervel esforo tem sido dedicado ao desenvolvimento
desse tipo de OEIC, tambm conhecido como circuito integrado fotnico, que
integra mltiplos componentes pticoscomo lasers, detectores, moduladores, amplificadores, filtros e guias de ondaem um mesmo chip [128]-[131].
Circuitos integrados desse tipo atingiram o estgio comercial em 2008.
Transmissores pticos
147
148
Exerccios
3.1 Determine a composio do composto quaternrio InGaAsP para a
fabricao de lasers que operem nos comprimentos de onda de 1,3
e 1,55mm.
3.2 A regio ativa de um laser de InGaAsP para 1,3mm tem 250mm de
comprimento. Determine o necessrio ganho da regio ativa para que
o laser atinja o limiar. Assuma que a perda interna seja de 30cm1, o
ndice modal, de 3,3 e o fator de confinamento, de 0,4.
3.3 Deduza a equao de autovalor para os modos transversos eltricos
(TE) de um guia de onda planar de espessura d e ndice de refrao n1
envolto por duas camadas de casca de ndice de refrao n2. (Sugesto:
Siga o mtodo da Seo 2.2.2, usando coordenadas cartesianas.)
3.4 Utilize o resultado do Exerccio 3.3 e obtenha a condio monomodo.
Use-a para determinar a mxima espessura permitida para a camada
ativa de um laser de semicondutor para 1,3mm. Como esse valor
modificado se o laser operar em 1,55mm? Assuma n1=3,5 e n2=3,2.
3.5 Resolva as equaes de taxa no estado estacionrio e obtenha a expresso analtica para P e N em funo da corrente de injeo I. Para
simplificar, despreze emisso espontnea.
3.6 Um laser de semicondutor operado continuamente a uma dada
corrente. Sua potncia de sada muda com rapidez, devido a uma flutuao transiente de corrente. Mostre que a potncia do laser alcanar
o valor original por meio de uma abordagem oscilatria. Obtenha a
frequncia e o tempo de amortecimento dessas oscilaes de relaxao.
3.7 Um laser de InGaAsP de 250mm de comprimento apresenta perda interna de 40cm1. O laser opera em 1,55mm, com uma fibra
monomodo cujo ndice modal 3,3 e o ndice de grupo, 3,4. Calcule
Transmissores pticos
149
150
REFERNCIAS
[1]
ALFEROV, Z. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6, p. 832, 2000.
[2]
AGRAWAL, G. P.; DUTTA, N. K. Semiconductor Lasers. 2. ed. New York: Van
Nostrand Reinho1d, 1993.
[3]
CHUANG, S. L. Physics of Optoelectronic Devices. 2. ed. Hoboken:Wiley, 2008.
[4]
COLDREN, L. A.; CORZINE, S. W. Diode Lasers and Photonic Integrated
Circuits. New York: Wiley, 1995.
[5]
AGRAWAL, G. P. (Ed.). Semiconductor Lasers: Past, Present, and Future {. I}{/I}
Woodbury: AIP Press, 1995.
[6]
KAPON, E. (Ed.). Semiconductor Lasers. Parte I e 11. San Diego: Academic Press,
1999.
[7]
CHOW, W. W.; KOCH, S. W. Semiconductor-Laser Fundamentals. New York:
Springer, 1999.
[8]
DUTTA, M.; STROSCIO, M. A. (Eds.). Advances in Semiconductor Lasers and
Application to Optoelectronics. Singapore: World Scientific, 2000.
[9]
ACKERMAN, D. A. etal. Optical Fiber Telecommunications, v. 4A. KAMINOW,
I. P.; LI, T. (Eds.). Boston: Academic Press, 2002. Captulo 12.
[10] SUHARA, T. Semiconductor Laser Fundamentals. CRC Press, 2004.
[11] YE, C. Tunable Semiconductor Diode Lasers. Singapore: World Scientific, 2007.
[12] CHUANG, S. L.; LIU, G.; KONDRATKO, T. K. In KAMINOW, L. P.; LI, T.; WILLNER, A. E. (Eds.). Optical Fiber Telecommunications. v. 5A. Boston: Academic
Press, 2008. Captulo 12.
[13] WYATT, R.; DEVLIN, W. J. Electron. Lett., v. 19, p. 110, 1983.
[14] TSANG, W. T. (Ed.). Semiconductors and Semimetals v. 22B. Boston: Academic
Press, 1985. Captulo 4.
[15] AKIBA, S.; USAMI, M.; UTAKA, K. J. Lightwave Technol., v. 5, p. 1564, 1987.
[16] AGRAWAL, G. P. In WOLF, E., (Ed.). Progress in Optics. v. 26. Amsterdam:
North-Holland, 1988. Captulo 3.
[17] BUUS, J. Single Frequency Semiconductor Lasers. Bellingham: SPIE Press, 1991.
[18] CHINONE, N.; OKAI, M. In: AGRAWAL, G. P., (Ed.). Semiconductor Lasers:
Past, Present, and Future. Woodbury: AIP Press, 1995. Captulo 2.
[19] MORTHIER, G.; VANKWIKE1BERGE, P. Handbook of Distributed Feedback
Laser Diodes. Norwood: Artech House, 1995.
[20] CARROLL, J. E.; Whiteaway, J. E.; P1UMB, R. G. Distributed Feedback Semiconductor Lasers. London: INSPEC, 1998.
[21] HONG, J. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 5, p. 442, 1999.
[22] HILLMER, H. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 1, p. 356, 1995.
[23] SHII, H. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 1, p. 401, 1995.
[24] RIGO1E, P.-J. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 7, 697, 1995; v. 7, p. 1249, 1995.
[25] ALBERT, G. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 3, p. 598, 1997.
[26] DE1ORME, F. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 3, p. 607, 1997.
[27] CO1DREN, L. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6, p. 988, 2000.
[28] CO1DREN, L. A. etal. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 193, 2004.
[29] BUUS, J.; AMANN, M.-C.; B1UMENTHAL, D. J. Tunable Laser Diodes and
Related Optical Sources. 2. ed. Piscataway: IEEE Press, 2005.
[30] KLAMKIN, J. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 11, p. 931, 2005.
[31] TODT, R. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 13, p. 1095, 2007.
[32] CHANG-HASNAIN, C. J. In: AGRAWAL, G. P., (Ed.). Semiconductor Lasers:
Past, Present, and Future. Woodbury: AIP Press, 1995. Captulo 5.
[33] BOND, A. E.; DAPKUS, P. D.; OBRIEN, J. D. IEEE J. Sel. Topics Quantum
Electron., v. 5, p. 574, 1999.
[34] WILMSEN, C.; TEMKIN, H.; COLDREN, L. A. (Eds.). Vertical-Cavity Surface-
Emitting Lasers. New York: Cambridge University Press, 1999.
[35] CHANG-HASNAIN, C. J. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6, p. 978,
2000.
[36] IGA, K. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6, p. 1201, 2000.
Transmissores pticos
[37] KARIM, A. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6, p. 1244, 2000.
[38] LI, H.; IGA, K. Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Devices. New York:
Springer, 2001.
[39] MATSUI,Y. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 39, p. 1037, 2003.
[40] LIN, C. -K. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 9, p. 1415, 2003.
[41] KOYAMA, F. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 4502, 2006.
[42] SDERBERG, E. etal. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 2791, 2007.
[43] DEBEMARDI, P. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 44, p. 391, 2008.
[44] CHEN, T. R. etal. Electron. Lett., v. 32, p. 898, 1996.
[45] FUNABASHI, M. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 10, p. 312, 2004.
[46] AGRAWAL, G. P. IEEE J. Quantum Electron., v. 23, p. 860, 1987.
[47] AGRAWAL, G. P. IEEE J. Quantum Electron., v. 26, p. 1901, 1990.
[48] AGRAWAL, G. P.; GRAY, G. R. Proc. SPIE., v. 1497, p. 444, 1991.
[49] NING, C. Z.; MOLONEY, J.V. Appl. Phys. Lett., v. 66, p. 559, 1995.
[50] OSINSKI, M.; BUUS, J. IEEE J. Quantum Electron., v. 23, p. 9, 1987.
[51] ISHIKAWA, H. etal. J. Lightwave Technol., v. 5, p. 848, 1987.
[52] MORTON, P. A. etal. Electron. Lett., v. 30, p. 2044, 1994.
[53] GOUTAIN, E. etal. Electron. Lett., v. 32, p. 896, 1996.
[54] LINDGREN, S. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 9, p. 306, 1997.
[55] HU, C. -W. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 2906, 2006.
[56] SUNG, H. -K.; LAU, E. K.; WU, M. C. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron.,
v. 13, p. 1215, 2007.
[57] AGRAWAL, G. P. Proc. SPIE., v. 1376, p. 224, 1991.
[58] LAX, M. Rev. Mod. Phys., v. 38, 541, 1966; IEEE J. Quantum Electron., v. 3, p. 37, 1967.
[59] HENRY, C. H. IEEE J. Quantum Electron., v. 18, 259, 1982; v. 19, 1391, 1983; J.
Lightwave Technol., v. 4, p. 298, 1986.
[60] AGRAWAL, G. P. Electron. Lett., v. 21, p. 232, 1991.
[61] AGRAWAL, G. P. Phys. Rev. A., v. 37, p. 2488, 1988.
[62] LAW, J.Y.; AGRAWAL, G. P. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 9, p. 437, 1997.
[63] AOKI, M. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 21, p. 1782, 1991.
[64] LINKE, R. A. Electron. Lett., v. 20, p. 472, 1984; IEEE J. Quantum Electron., v. 21,
p. 593, 1985.
[65] AGRAWAL, G. P.; POTASEK, M. J. Opt. Lett., v. 11, p. 318, 1986.
[66] 0LSHANSKY, R.; FYE, D. Electron. Lett., v. 20, p. 928, 1984.
[67] AGRAWAL, G. P. Opt. Lett., v. 10, p. 10, 1985.
[68] OLSSON, N. A. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 24, p. 143, 1988.
[69] SUMMERS, H. D.; WHITE, I. H. Electron. Lett., v. 30, p. 1140, 1994.
[70] KANO, F. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 30, p. 533, 1994.
[71] AGRAWAL, G. P. Applications of Nonlinear Fiber Optics. 2. ed. San Diego:
Academic Press, 2008.
[72] WOOTEN, E. L. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6, p. 69, 2000.
[73] COURJAL, N. etal. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 1338, 2004.
[74] OIKAWA, S. etal. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 2756, 2005.
[75] LUCCHI, F. etal. Opt. Express., v. 15, p. 10739, 2007.
[76] MAHAPATRA, A.; MURPHY, E. J. In KAMINOW, I. P.; LI, T.; WILLNER, A. E.,
(Eds.). Optical Fiber Telecommunications. v. 4A. San Diego: Academic Press, 2008.
Captulo 6.
[77] AOKI, M. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 29, p. 2088, 1993.
[78] RAYBON, G. etal. Electron. Lett., v. 30, p. 1330, 1994.
[79] TAKEUCHI, H. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 3, p. 336, 1997.
[80] ELLIS, A. D. etal. Electron. Lett., v. 35, p. 645, 1999.
[81] KIM,Y. etal. Opt. Fiber Technol., v. 7, p. 84, 2001.
[82] AKAGE,Y. etal. Electron. Lett., v. 37, p. 299, 2001.
[83] KAWANISHI, H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 964, 2001.
[84] MIYAZAKI,Y. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 38, p. 1075, 2002.
[85] AKULOVA,Y. A. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 8, p. 1349, 2002.
151
152
[86] SARAVANAN, B. K. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 862, 2006.
[87] RARING, J.W.; CO1DREN, L. A. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 13,
p. 3, 2007.
[88] KAISER, R.; HTTL, B. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 13, p. 125,
2007.
[89] FUKANO, H. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 13, p. 1129, 2007.
[90] YUN, H. G. etal. IEEE Trans. Adv. Packag., v. 31, p. 351, 2008.
[91] WANG, W. etal. Appl. Phys. Lett., v. 61, p. 1806, 1995.
[92] ZHANG, H. etal. Appl. Phys. Lett., v. 78, p. 3136, 2001.
[93] GOWER, J. Optical Communication Systems. 2. ed. Upper Saddle River: Prentice-
Hall, 1993.
[94] TEMKIN, H. etal. J. Appl. Phys., v. 52, p. 1574, 1981.
[95] BURROS, C. A.; DAWSON, R. W. Appl. Phys. Lett., v. 17, p. 97, 1970.
[96] WILKINSON, S. T.; JOKERST, N. M.; LEAVITT, R. P. Appl. Opt., v. 34, p. 8298,
1995.
[97] LARSON, M. C.; HARRIS, Jr., J. S. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 1, p. 1267,
1995.
[98] FRITZ, I. J. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 1, p. 1270, 1995.
[99] WHITAKER, T. Compound Semicond., v. 5, p. 32, 1999.
[100] BIENSTMAN, P.; BAETS, R. IEEE J. Quantum Electron., v. 36, p. 669, 2000.
[101] SIPILA, P. etal. Semicond. Sel. Technol., v. 15, p. 418, 2000.
[102] SHUMATE, P. W. In MILLER, S. E.; KAMINOW, I. P. (Eds.). Optical Fiber Telecommunications li. Boston: Academic Press, 1988. Captulo 19.
[103] LEE,T. P.; BURROS, C. A.; SAU1, R. H. In; Miller, S. E.; Kaminow, I. P. (Eds.). Optical
Fiber Telecommunications. v. 2. Boston: Academic Press, 1988. Captulo 12.
[104] ALIES, D. S.; BRADY, K. J. AT&T Tech. J., v. 68, p. 183, 1989.
[105] PRESBY, H. M.; EDWARDS, C. A. Electron. Lett., v. 28, p. 582, 1992.
[106] MODAVIS, R. A.; WEBB, T. W. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 1, p. 798, 1995.
[107] SHIRAISHI, K. etal. J. Lightwave Technol., v. 13, p. 1736, 1995.
[108] CHEN, P. C.; MILSTER, T. D. Laser Diode Chip and Packaging Technology.v.
2610. Bellingham: SPIE Press, 1996.
[109] DANEMAN, M. J. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 8, p. 396, 1996.
[110] HUBNER, B. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 3, p. 1372, 1997.
[111] SHIRAISHI, K. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 1104, 2004.
[112] JING, Z. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 20, p. 1375, 2008.
[113] AGRAWA1, G. P. IEEE J. Quantum Electron., v. 20, p. 468, 1984.
[114] AGRAWAL, G. P.; Shen, T. M. J. Lightwave Technol., v. 4, p. 58, 1986.
[115] RYAN, A. T. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 30, p. 668, 1994.
[116] VAN TARTWIJK, G. H. M.; LENSTRA, D. Quantum Semiclass. Opt., v. 7, p. 87,
1995.
[117] PETERMANN, K. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 1, p. 480, 1995.
[118] SUGIE, T.; SARUWATARI, M. Electron. Lett., v. 18, p. 1026, 1982.
[119] CHEN, F. S. Electron. Lett., v. 16, p. 7, 1980.
[120] WADA, O.; SAKURAI, T.; NAKAGAMI, T. IEEE J. Quantum Electron., v. 22, p.
805, 1986.
[121] HORIMATSU, T.; SASAKI, M. J. Lightwave Technol., v. 1, p. 1613, 1989.
[122] DAGENAIS, M. etal. J. Lightwave Technol., v. 8, p. 846, 1990.
[123] SUZUKI, N. etal. Electron. Lett., v. 24, p. 467, 1988.
[124] PEDROTTI, K. Proc. SPIE., v. 2149, p. 178, 1994.
[125] CALLIGER, O. etal. IEE Proc., v. 142. Pt. J, p. 13, 1995.
[126] PU, R.; DUAN, C.; WILMSEN, C. W. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron.,
v. 5, p. 201, 1999.
[127] SHUKE, K. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 5, p. 146, 1999.
[128] KOCH, T. L.; KOREN, U. IEEE J. Quantum Electron., v. 27, p. 641, 1991.
[129] ARMENISE, M. N.; WONG, K. -K. (Eds.). Functional Photonic Integrated
Circuits SPIE Proc. Series. v. 2401. Bellingham: SPIE Press, 1995.
Transmissores pticos
153
CAPTULO 4
Receptores pticos
O papel de um receptor ptico converter o sinal ptico de volta forma
eltrica e recuperar os dados transmitidos pelo sistema de onda luminosa.
O seu principal componente um fotodetector, que converte luz em
eletricidade por meio do efeito fotoeltrico. Os requisitos para um fotodetector so similares queles para uma fonte ptica. O receptor deve ter alta
sensibilidade, resposta rpida, baixo rudo, baixo custo e alta confiabilidade.
Alm disso, suas dimenses devem ser compatveis com as do ncleo da fibra.
Tais requisitos so mais bem atendidos por fotodetectores feitos de materiais
semicondutores. Este captulo trata de fotodetectores e receptores pticos
[1]-[9]. Na Seo4.1, apresentamos os conceitos bsicos relativos ao processo
de fotodeteco. Na Seo4.2, discutimos vrios tipos de fotodetectores comumente utilizados em receptores pticos. Os componentes de um receptor
ptico so descritos na Seo4.3, com nfase no papel desempenhado por
cada componente. Na Seo4.4, tratamos das diversas fontes de rudo que
limitam a relao sinal-rudo em receptores pticos. As Sees4.5 e4.6 so
dedicadas sensibilidade do receptor e sua deteriorao em condies
no ideais. O desempenho de receptores pticos em experimentos reais de
transmisso discutido na Seo4.7.
Ip = Rd Pin .
(4.1.1)
155
156
I p /q
taxa de gerao de eltrons
h
=
=
Rd ,
taxa de incidncia de ftons Pin /h
q
(4.1.2)
Rd =
,
h 1,24
(4.1.3)
sendo l c/ expresso em micrometro. A responsividade de um fotodetector aumenta com o comprimento de onda l apenas porque, para a
mesma potncia ptica, mais ftons esto presentes. Tal dependncia linear
em relao a l no deve continuar eternamente, pois a energia dos ftons
acaba sendo muito pequena para gerar eltrons. Em semicondutores, isso
ocorre para h<Eg, em que Eg a banda proibida. A eficincia quntica
, ento, cai a zero.
A dependncia de em relao a l aparece por meio do coeficiente
de absoro a. Se assumirmos que as facetas do bloco de semicondutor na
Figura4.1 tm revestimento antirreflexo, a potncia transmitida atravs do
bloco de largura W Ptr=exp(aW)Pin. A potncia absorvida pode ser
escrita como:
(4.1.4)
157
Receptores pticos
(4.1.5)
158
(4.1.6)
Tr = (ln9)RC 2,2 RC ,
(4.1.7)
Tr = (ln9)( tr + RC ),
(4.1.8)
f = [2 ( tr + RC )]1.
(4.1.9)
Como exemplo, quando tr=RC=100 ps, a largura de banda do fotodetector inferior a 1GHz. Fica claro que tr e RC devem ser reduzidos abaixo
Receptores pticos
4.2.1Fotodiodos p-n
Uma juno p-n polarizada reversamente consiste em uma regio, conhecida como regio de depleo, basicamente desprovida de portadores de
cargas livres, na qual um forte campo eltrico interno se ope ao fluxo deeltrons do lado n para o lado p (e de lacunas de p para n). Quando uma juno
p-n desse tipo iluminada com luz em um dos lados, digamos o lado p,
(Fig.4.3), criam-se pares eltrons-lacunas por absoro. Devido ao forte
campo eltrico interno, eltrons e lacunas gerados no interior da regio
de depleo so acelerados em sentidos opostos e derivam aos lados n e p,
respectivamente. O resultante fluxo de corrente proporcional potncia
Figura 4.3 (a) Fotodiodo p-n em polarizao reversa; (b) variao da potncia ptica
no interior do fotodiodo; (c) diagrama de bandas de energia mostrando o movimento
de portadores por deriva e difuso.
159
160
tr = W /vd .
(4.2.1)
RC = ( R L + R s )C p ,
(4.2.2)
Receptores pticos
Figura 4.4 Resposta de um fotodiodo p-n a um pulso ptico retangular quando deriva
e difuso contribuem para a corrente do detector.
4.2.2Fotodiodos p-i-n
Uma forma simples de aumentar a largura da regio de depleo consiste
em inserir uma camada de material semicondutor no dopado (ou levemente dopado) entre a juno p-n. Como a camada intermediria consiste
em material quase intrnseco, essa estrutura referida como fotodiodo
p-i-n. A Figura4.5 (a) mostra a estrutura do dispositivo juntamente com a
Figura 4.5 (a) Fotodiodo p-i-n juntamente com a distribuio de campo eltrico sob
polarizao reversa; (b) configurao de fotodiodo p-i-n de InGaAsP.
161
162
distribuio do campo eltrico interno, para operao com polarizao reversa. Devido sua natureza intrnseca, a camada intermediria oferece uma
alta resistncia, e a maior parte da queda de tenso ocorre nessa camada. Em
consequncia, um forte campo eltrico existe na camada i. Essencialmente, a
regio de depleo estendida por toda a regio i, e sua largura W pode ser
controlada por alterao da espessura da camada intermediria. A principal
diferena em relao ao fotodiodo p-n que a componente de deriva da
fotocorrente maior do que a componente de difuso, apenas porque a
maior parte da potncia incidente absorvida no interior da regio i de
um fotodiodo p-i-n.
Como, em um fotodiodo p-i-n, a largura W da regio de depleo pode
ser controlada, uma pergunta natural quo larga deve ser W. Como discutido na Seo4.1, o valor timo de W depende de um equilbrio entre
velocidade e sensibilidade. A responsividade pode ser elevada com o aumento
de W, de forma que a eficincia quntica tenda a 100% [veja a Eq. (4.1.5)].
Contudo, o tempo de resposta tambm aumenta, pois os portadores gastam
mais tempo na deriva pela regio de depleo. Para semicondutores de banda
proibida indireta, como Si e Ge, W deve estar, tipicamente, no intervalo de
20-50mm, de modo a assegurar uma razovel eficincia quntica. A largura
de banda desses fotodiodos , ento, limitada por um tempo de trnsito
relativamente grande (tr>200 ps). Em contraste, em fotodiodos que usam
semicondutores de banda proibida direta, como InGaAs, W pode ser bem
menor, da ordem de 35mm. O tempo de trnsito para tais fotodiodos
tr 10 ps.Valores de tr dessa ordem correspondem a uma largura de banda
do detector f 10GHz, se usarmos a Eq. (4.1.9) com tr RC.
O desempenho de fotodiodos p-i-n pode ser otimizado consideravelmente pelo uso de uma configurao de dupla heteroestrutura. Como no
caso de lasers de semicondutor, a camada intermediria de tipo i pode ser
envolvida por camadas de tipos p e n de um semicondutor diferente, cuja
banda proibida escolhida para que se absorva a luz somente na camada
i intermediria. Um fotodiodo p-i-n comumente usado para aplicaes de
ondas luminosas utiliza InGaAsP para a camada intermediria e InP para
as camadas vizinhas dos tipos p e n [10]. A Figura4.5(b) mostra um desses
fotodiodos p-i-n de InGaAsP. Como a banda proibida de InP de 1,35eV,
InP transparente luz de comprimento de onda maior do que 0,92mm.
Em contraste, a banda proibida de material com rede casada In1-xGaxAs, com
x=0,47, da ordem de 0,75eV (veja a Seo3.1.1), um valor que corresponde ao comprimento de onda de corte de 1,65mm. A camada intermediria de InGaAs, portanto, absorve fortemente na regio de comprimentos
de onda de 1,31,6mm. A componente de difuso da corrente do detector
completamente eliminada em um fotodiodo de heteroestrutura desse
tipo, simplesmente porque ftons so absorvidos somente no interior da
163
Receptores pticos
Comprimento de onda
Responsividade
Eficincia quntica
Corrente no escuro
Tempo de subida
Largura de banda
Tenso de polarizao
l
Rd
Id
Tr
f
Vb
mm
A/W
%
nA
ns
GHz
V
0,4-1,1
0,4-0,6
75-90
1-10
0,5-1
0,3-0,6
50-100
Ge
InGaAs
0,8-1,8
0,5-0,7
50-55
50-500
0,1-0,5
0,5-3
6-10
1,0-1,7
0,6-0,9
60-70
1-20
0,02-0,5
1-10
5-6
Durante a dcada de 1990, considervel esforo foi dedicado ao desenvolvimento de fotodiodos p-i-n de alta velocidade capazes de operar a taxas de
bits superiores a 10Gb/s [10]-[21]. Larguras de banda de at 70GHz foram
realizadas j em 1986 com utilizao de uma delgada camada de absoro
(< 1mm) e reduo da capacitncia parasita Cp pelo pequeno tamanho,
custa de menores eficincia quntica e responsividade [10]. Em 1995,
fotodiodos p-i-n exibiam larguras de banda de 110GHz, para dispositivos
projetados reduo de RC a valores prximos de 1 ps [15].
Vrias tcnicas foram desenvolvidas para melhorar a eficincia de fotodiodos de alta velocidade. Em uma abordagem, uma cavidade de Fabry-Perot
(FP) formada em torno da estrutura p-i-n para aumentar a eficincia
quntica [11]-[14], resultando em uma estrutura parecida com a de um
laser. Como discutido na Seo3.1.5, uma cavidade FP possui um conjunto
de modos longitudinais, nos quais o campo ptico interno aumentado
por ressonncia, por meio de interferncias construtivas. Em consequncia,
quando o comprimento de onda incidente prximo do comprimento
de onda de um modo longitudinal, o fotodiodo exibe alta sensibilidade. A
seletividade de comprimento de onda pode at ser usada com proveito em
aplicaes de multiplexao por diviso em comprimento de onda (WDM).
Obteve-se uma eficincia quntica de quase 100% em um fotodiodo com
um espelho da cavidade FP formado com uso da refletividade de Bragg
de uma pilha de camadas AIGaAs/AlAs [12]. Tal abordagem foi estendida
a fotodiodos de InGaAs com a insero de uma camada absorvedora de
InGaAs, com espessura de 90nm, em uma microcavidade composta de um
espelho de Bragg de GaAs/AlAs e um espelho dieltrico. O dispositivo
exibiu eficincia quntica de 94%, em uma ressonncia da cavidade com
164
Figura 4.6 (a) Representao esquemtica da seo reta de um fotodiodo com guia
de onda de mesa em cogumelo e (b) resposta de frequncia do fotodiodo. (Aps a Ref.
[17]; 1994 IEEE; reimpresso com permisso.)
Receptores pticos
165
166
Figura 4.8 (a) APD e distribuio de campo eltrico no interior de vrias camadas, com
polarizao reversa; (b) estrutura de APD de silcio do tipo reach-through.
167
Receptores pticos
(4.2.5)
(4.2.6)
M=
1 kA
,
exp[ (1 k A ) ed ] k A
(4.2.7)
168
(4.2.8)
M ( ) = M 0 [1 + ( e M 0 )2 ]1/2 ,
(4.2.9)
Comprimento de onda
Responsividade
Ganho de APD
Fator k
Corrente no escuro
Tempo de subida
Largura de banda
Tenso de polarizao
l
RAPD
M
kA
Id
Tr
f
Vb
mm
A/W
nA
ns
GHz
V
0,4-1,1
80-130
100-500
0,02-0,05
0,1-1
0,1-2
0,2-1
200-250
Ge
InGaAs
0,8-1,8
3-30
50-200
0,7-1,0
50-500
0,5-0,8
0,4-0,7
20-40
1,0-1,7
5-20
10-40
0,5-0,7
1-5
0,1-0,5
1-10
20-30
Receptores pticos
para oferecer alto desempenho, alm de serem teis para sistemas de ondas luminosas que operam nas proximidades de 0,8mm, a taxas de bits
de 100Mb/s. Uma configurao particularmente til, mostrada na
Figura4.8(b), conhecida como APD reach-through, porque a camada de
depleo chega (reach) camada de contato por meio (through) das regies
de absoro e de multiplicao. Esse tipo de APD pode prover alto ganho
(M 100) com baixo rudo e largura de banda relativamente grande. Para
sistemas de ondas luminosas que operam na faixa de comprimentos de onda
de 1,31,6mm, APDs de Ge ou InGasAs devem ser utilizados. A melhora
na sensibilidade para esses APDs limitada a um fator abaixo de 10, devido
ao relativamente pequeno ganho de APD (M 10) que deve ser utilizado
para reduzir o rudo (veja a Seo4.4.3).
Pode-se melhorar o desempenho de APDs de InGAAs por meio de modificaes adequadas na estrutura bsica mostrada na Figura4.8. A principal
razo para o desempenho relativamente pobre de APDs de InGAAs est
relacionada aos comparveis valores numricos dos coeficientes deionizao por impacto ae e ah (Fig.4.7). Em consequncia, a largura de banda
reduzida de modo considervel, e o rudo tambm relativamente alto
(veja a Seo4.4). Ademais, devido relativamente estreita banda proibida,
InGaAs sofre ruptura por tunelamento para campos eltricos da ordem de
1105V/cm, um valor abaixo do limiar para multiplicao por avalanche.
possvel solucionar esse problema em APDs de heteroestrutura com a
utilizao de uma camada de InP para a regio de ganho, pois intensos
campos eltricos (> 5105V/cm) podem existir em InP sem ruptura por
tunelamento. Como a regio de absoro (camada de InGaAs do tipo i) e
a regio de multiplicao (camada de InP do tipo n) so separadas nesses
dispositivos, a estrutura conhecida como SAM, cujo significado regies
separadas de absoro e multiplicao (Separate Absorption and Multiplication).
Como, para InP, ah>ae (Fig.4.7), o APD projetado de modo que as
lacunas iniciem o processo de avalanche em uma camada de InP do tipo n,
e kA definido como kA=ae/ah. A Figura4.9 mostra uma estrutura de
APD SAM do tipo mesa.
Um problema de APD SAM est relacionado grande diferena de banda proibida entre InP (Eg=1,35eV) e InGaAs (Eg=0,75eV). Devido a um
degrau de banda de valncia da ordem de 0,4eV, lacunas geradas na camada
de InGaAs ficam presas na interface da heteroestrutura e so consideravelmente desaceleradas antes de alcanarem a regio de multiplicao (camada
de InP). Esse tipo de APD possui uma resposta extremamente lenta e largura de
banda relativamente pequena. possvel resolver esse problema com o
emprego de outra camada entre as regies de absoro e de multiplicao
cuja banda proibida esteja entre as das camadas InP e InGaAs. O material
quaternrio InGaAsP, o mesmo usado para lasers de semicondutor, pode ser
169
170
Figura 4.9 Estruturas de APDs (a) SAM e (b) SAGM, contendo regies separadas de
absoro, multiplicao e gradao.
ajustado para ter banda proibida com qualquer valor entre 0,751,35eV,
sendo ideal para esse propsito. at possvel graduar a composio de
InGaAsP em uma regio com espessura de 1-100nm. APDs desse tipo so
denominados APDs SAGM, com SAGM indicando regies separadas de
absoro, gradao e multiplicao (SAGMSeparate Absorption, Grading, and
Multiplication) [26]. A Figura4.9 (b) mostra um APD de InGaAs com a estrutura SAGM. O uso de uma camada de gradao de InGaAsP melhora
a largura de banda consideravelmente. J em 1987, um APD SAGM exibia
produto ganho-banda passante Mf=70GHz, para M>12 [27]. Em
1991, esse valor foi aumentado para 100GHz com o uso de uma regio
de carga entre as regies de gradao e de multiplicao [28]. Nesses APDs
SAGM, a camada de multiplicao de InP no dopada, enquanto a camada
de carga de InP altamente dopada do tipo n. Lacunas so aceleradas na
camada de carga, devido ao forte campo eltrico, mas a gerao de pares
eltrons-lacunas secundrios ocorre na camada no dopada de InP. APDs
SAGM melhoraram consideravelmente durante a dcada de 1990 [29][33].
Um produto ganho-banda passante de 140GHz foi realizado em 2000,
com uma camada de multiplicao com espessura de 0,1mm que exigia
diferena de potencial< 20 V [33]. APDs desse tipo so muito adequados
fabricao de receptores compactos de 10Gb/s.
Uma abordagem distinta ao projeto de APDs de alto desempenho utiliza
uma estrutura de super-rede [34]-[39]. A principal limitao de APDs
deInGaAs resulta dos valores comparveis de ae e ah. Uma configuraode
super-rede oferece a possibilidade de reduzir a razo kA=ah/ae de seu
valor-padro quase igual unidade. Em uma abordagem, as regies de
absoro e de multiplicao alternam e consistem em delgadas camadas
( 10nm) de materiais semicondutores com diferentes bandas proibidas.
Essa abordagem foi demonstrada pela primeira vez para APDs de mltiplos poos qunticos (MQW MultiQuantum-Well) de GAAs/AlGaAs, e
resultou em considervel aumento do coeficiente de ionizao por impacto
Receptores pticos
para eltrons [34]. Seu uso menos bem-sucedido para o sistema material
de InGaAs/InP. No obstante, alcanou-se considervel progresso com os
chamados APDs em escada, em que a camada de InGaAsp possui composio
graduada para formar uma estrutura do tipo dente de serra no diagrama de
bandas deenergia, que parece uma escada, em polarizao reversa. Outro
esquemade fabricao de APDs de alta velocidade usa camadas alternadas de
InP e InGaAs para a regio de gradao [34]. Contudo, a razo entre as larguras das camadas de InP e InGaAs varia de zero, nas proximidades da regio
de absoro, a quase infinito nas proximidades da regio de multiplicao.
Como a banda proibida efetiva de um poo quntico depende da largura
deste (espessura da camada de InGaAs), um composto pseudoquartenrio
com gradao formado em consequncia da variao na espessura da
camada.
A mais bem-sucedida configurao para APDs de InGaAs usa uma estrutura de super-rede para a regio de multiplicao de um APD SAM.
Uma super-rede consiste em uma estrutura peridica em que cada perodo
composto de duas camadas ultradelgadas (10nm) com diferentes bandas
proibidas. No caso de APDs para 1,55mm, utilizam-se camadas alternadas
de InAlGaAs e InAlAs, sendo que a ltima age como uma camada de
barreira. frequente o uso de uma camada de buffer de campo para separar
a regio de absoro de InGaAs da regio de multiplicao de super-rede.
A espessura dessa camada de buffer muito crtica para o desempenho do
APD. Para uma camada de buffer de campo com 52nm de espessura, o
produto ganho-largura de banda ficou limitado a Mf=120GHz [35], e
aumentou para 150GHz quando a espessura foi reduzida para 33,4nm [38].
Esses primeiros dispositivos utilizavam uma estrutura de mesa. No final da
dcada de 1990, uma estrutura planar foi desenvolvida visando aumentar a
confiabilidade do dispositivo [39]. A Figura4.10 mostra uma representao
esquemtica desse dispositivo, assim como sua largura de banda de 3dB
medida em funo do ganho de APD. O produto ganho-largura de banda
Figura 4.10 APD de super-rede: (a) estrutura do dispositivo e (b) largura de banda de
3dB medida em funo de M. (Aps a Ref. [39]; 2000 IEEE; reimpresso com permisso.)
171
172
Receptores pticos
Figura 4.11 Estruturas de eletrodos (a) interdigitais e (b) anelados usadas para fotodetectores MSM. (Aps a Ref. [53]; 1999 IEEE.)
173
174
Receptores pticos
175
176
Figura 4.13 Circuito equivalente de front ends de (a) alta impedncia e (b) transimpedncia em receptores pticos. Nos dois casos, o fotodiodo modelado como uma
fonte de corrente.
Vout (t ) =
(4.3.1)
177
Receptores pticos
Vout ( ) = ZT ( )Ip ( ),
(4.3.2)
ZT ( ) = G p ( )G A ( )H F ( )/Yin ( ),
(4.3.3)
H out ( ) = H T ( )H p ( ),
(4.3.4)
em que HT(w) a funo de transferncia total do canal linear e est relacionada impedncia total por HT(w)=ZT(w)/ZT(0). Se os amplificadores
tiverem larguras de banda muito maiores do que a do filtro passa-baixas,
HT(w) pode ser aproximada por HF(w).
A ISI minimizada quando Hout(w) corresponde funo de transferncia de um filtro cosseno levantado e fornecida por [3]:
1 [1 + cos( f /B )],
2
H out ( f ) =
0,
f < B,
f B,
(4.3.5)
sendo f=w/2 e B a taxa de bits. A resposta ao impulso, obtida da transformada de Fourier de Hout(f), dada por:
hout (t ) =
Sin(2 Bt )
1
.
2 Bt 1 (2Bt )2
(4.3.6)
H T ( f ) = H out ( H p /( f ).
(4.3.7)
178
Para uma sequncia de bits ideal no formato sem retorno ao zero (NRZ)
(pulsos de entrada retangulares, de durao TB=1/B, Hp( f )=B sin(f/B)/f,
e HT(f) se torna:
H T ( f ) = ( f / 2B )cot( f / 2B ).
(4.3.8)
A Eq. (4.3.8) determina a resposta de frequncia do canal linear que produziria a forma de pulso de sada fornecida pela Eq. (4.3.6) em condies
ideais. Na prtica, a forma do pulso de entrada longe de ser retangular.
A forma do pulso de sada tambm se desvia da Eq. (4.3.6), e alguma ISI,
inevitavelmente, ocorre.
Receptores pticos
179
180
Figura 4.15 Tecnologia OEIC de chip invertido para receptores integrados. O fotodiodo
de InGaAs fabricado em um substrato de InP e, ento, ligado ao chip de GaAs por
contatos eltricos comuns. (Aps a Ref. [59]; 1988 IEE; reimpresso com permisso.)
otimizados de forma independente, mantendo os parasitas (p. ex., capacitncia de entrada efetiva) em um mnimo.
A tecnologia de CI baseada em InP avanou consideravelmente na
dcada de 1990, possibilitando o desenvolvimento de receptores OEICs
de InGaAs [60]-[78]. Vrios tipos de transistores foram utilizados para esse propsito. Em uma abordagem, um fotodiodo p-i-n integrado com
FETs ou transistores de alta mobilidade eletrnica (HEMTHigh-Electron-Mobility Transistor) lado a lado em um substrato de InP [61]-[65]. Em
1993, receptores baseados em HEMTs eram capazes de operar a 10Gb/s
com alta sensibilidade [64]. A largura de banda desses receptores aumentou
para>40GHz, possibilitando seu uso a taxas de bits acima de 40Gb/s [65].
Um fotodiodo p-i-n de guia de onda tambm foi integrado com HEMTs
a fim de desenvolver um receptor OEIC de dois canais.
Em outra abordagem [66]-[71], a tecnologia de transistores bipolares de
heterojuno (HBTHeterojunction-Bipolar Transistor) usada na fabricao
do fotodiodo p-i-n na prpria estrutura do HBT, em uma configurao de
coletor comum. Esses transistores so, s vezes, chamados de fototransistores
de heterojuno. Receptores OEICs operando a 5Gb/z (largura de banda
f=3GHz) foram fabricados em 1993 [66]. Em 1995, receptores OEICs
baseados na tecnologia de HBT exibiam largura de banda de at 16GHz,
aliada a alto ganho [68]. Tais receptores podem ser empregados a taxas de
bits acima de 20Gb/s. De fato, em 1995, um mdulo receptor OEIC de alta
sensibilidade a uma taxa de bits de 20Gb/s foi utilizado em um sistema de
onda luminosa em 1,55mm [69]. At mesmo um circuito de deciso capaz
de, com a tecnologia de HBT, ser integrado em um receptor OEIC [70].
Uma terceira abordagem a receptores OEICs baseados em InP integra
um fotodetector MSM ou de guia de onda com um amplificador HEMT
[72]-[75]. Em 1995, uma largura de banda de 5GHz foi realizada com um
OEIC desse tipo, usando FETs com dopagem modulada [73]. Em 2000,
Receptores pticos
181
182
receptor para operao a taxas de bits de 10Gb/s [81]. Em 2000, receptores de 40Gb/s completamente encapsulados encontravam-se disponveis
comercialmente [83]. Para aplicaes em malha local, faz-se necessrio
um encapsulamento de baixo custo. Tais receptores operam a taxas de bits
menores, mas devem apresentar bom desempenho em uma grande faixa de
temperaturas, que se estende de 40 a 85C.
I (t ) = I p + i s (t ),
(4.4.1)
183
Receptores pticos
S s ( f )exp(2 if ) df ,
(4.4.2)
s2 = i s2 (t ) =
S s ( f ) df = 2qI p f ,
(4.4.3)
s2 = 2qI p
|H T ( f )|2 df = 2qI p f ,
(4.4.4)
s2 = 2q(I p + I d )f .
(4.4.5)
184
I (t ) = I p + i s (t ) + iT (t ),
(4.4.6)
sendo iT(t) uma flutuao de corrente induzida pelo rudo trmico. Matematicamente, iT(t) modelada como um processo aleatrio gaussiano estacionrio, com uma densidade espectral que independe da frequncia at
f 1 THz (quase rudo branco) e dada por
ST ( f ) = 2kBT /R L ,
(4.4.7)
T2 = iT2 (t ) =
ST ( f ) df = (4kBT /R L )f ,
(4.4.8)
T2 = (4kBT /R L )Fn f .
(4.4.9)
185
Receptores pticos
processos aleatrios independentes com estatsticas aproximadamente gaussianas, a varincia total das flutuaes de corrente I = I Ip=is+iT pode
ser obtida apenas pela soma das varincias individuais. O resultado
2 = ( I )2 = s2 + T2 = 2q(I p + I d )f + (4kBT /R L )Fn f .
(4.4.10)
Pode-se utilizar a Eq. (4.4.10) a fim de calcular a SNR da fotocorrente.
4.4.2Receptores p-i-n
O desempenho de um receptor ptico depende da SNR.Aqui, considerada a
SNR para um receptor com fotodiodo p-i-n; receptores com APD so discutidos na prxima subseo. A SNR de qualquer sinal eltrico definida como
SNR =
(4.4.11)
SNR =
Rd2 Pin2
,
2q( Rd Pin + I d )f + 4(kBT /R L )Fn f
(4.4.12)
R L Rd2Pin2
.
4kBTFn f
(4.4.13)
Assim, no limite de rudo trmico, a SNR varia com Pin2 . Ela pode ser otimizada com o aumento do resistor de carga. Como discutido na Seo4.3.1,
essa a razo pela qual a maioria dos receptores usa um front end de alta
impedncia ou de transimpedncia. O efeito de rudo trmico , em geral,
quantificado por uma grandeza denominada potncia equivalente de rudo
(NEPNoise-Equivalent Power). A NEP definida como a mnima potncia
ptica por unidade de largura de banda necessria para produzir SNR=1,
e dada por:
NEP =
Pin
4kBTFn
=
f R L Rd2
1/2
h 4kBTFn
q R L
1/2
(4.4.14)
186
SNR =
Pin
Rd Pin
=
.
2qf
2hf
(4.4.15)
No limite de rudo de disparo, a SNR aumenta linearmente com Pin e depende somente da eficincia quntica , da largura da banda f e da energia
do fton hv. A SNR pode ser escrita em termos
do nmero de ftons Np
(4.4.16)
187
Receptores pticos
(4.4.17)
(4.4.18)
SNR =
I p2
( MRd Pin )2
=
, (4.4.19)
s2 + T2 2qM 2 FA ( Rd Pin + I d )f + 4(kBT /R L )Fn f
188
Figura 4.17 Aumento na SNR com a potncia recebida Pin, para trs valores do ganho M
de APD, para um receptor com 30GHz de largura de banda. O caso M=1 corresponde
a um fotodiodo p-i-n.
(4.4.20)
SNR =
Pin
Rd Pin
=
2qFA f 2h FA f
(4.4.21)
189
Receptores pticos
3
k A M opt
+ (1 k A )M opt =
4kBTFn
.
qR L ( Rd Pin + I d )
(4.4.22)
Figura 4.18 Ganho de APD timo Mopt em funo da potncia ptica incidente Pin, para
diversos valores de kA. Foram utilizados valores de parmetros correspondentes a um
tpico receptor baseado em APD de InGaAs para 1,55mm.
M opt
4kBTFn
k AqR L ( Rd Pin + I d )
(4.4.23)
190
191
Receptores pticos
um acoplador a fibra. Para ver como tal mixagem pode melhorar o desempenho do receptor, escrevamos o sinal ptico na notao complexa, como:
E s = As exp[ i( 0t + s )],
(4.5.1)
(4.5.2)
(4.5.3)
2
Ps = As2 , PLO = ALO
, IF = 0 LO .
(4.5.4)
em que
(4.5.5)
I p (t ) = 2Rd Ps (t )PLO .
(4.5.6)
192
(4.5.7)
(4.5.8)
193
Receptores pticos
2 = s2 + T2 ,
(4.5.9)
(4.5.10)
em que
SNR =
I ac2
2Rd2Ps PLO
.
2q( Rd PLO + I d )f + T2
(4.5.11)
194
PLO T2 /(2qRd f ).
(4.5.12)
SNR
Ps
Rd Ps
=
,
hf
qf
(4.5.13)
(4.5.14)
195
Receptores pticos
Figura 4.20 (a) Sinal de flutuao gerado no receptor; (b) densidades de probabilidade
gaussiana de bits 1 e 0. A regio hachurada mostra a probabilidade de identificao
incorreta.
(4.6.1)
(4.6.2)
196
para receptores p-i-n, embora isso no seja vlido para APDs [90][92]. Uma
aproximao comum trata is como varivel aleatria gaussiana para receptores p-i-n e APDs, mas com varincias diferentes, dadas pelas Eq. (4.4.5) e
(4.4.17), respectivamente. Como a soma de duas variveis aleatrias gaussianas tambm uma varivel aleatria gaussiana, o valor amostrado I tem
2
2
funo densidade de probabilidade gaussiana com varincia 2= s + T .
Contudo, a mdia e a varincia so diferentes para bits 1 e 0, pois Ip na Eq.
2
2
(4.4.6) igual a I1 ou I0, dependendo do bit recebido. Sejam 1 e 0 as
correspondentes varincias, as probabilidades condicionais so dadas por
P (0|1) =
P (1|0) =
1
1 2
1
1
(I I 1 )2
I1 I D
exp
2 12 dI = 2 erfc 1 2 , (4.6.3)
ID
1
(I I 0 )2
I I0
, (4.6.4)
exp
dI = erfc D
2
0 2
2 0
2
2 I D
exp( y 2 ) dy.
(4.6.5)
Substituindo as Eq. (4.6.3) e (4.6.4) na Eq. (4.6.2), a BER fica definida por:
BER =
1
I I0
I I
erfc 1 D + erfc D
.
1 2
0 2
4
(4.6.6)
(I D I 0 )2 (I 1 I D )2
=
+ ln 1 .
2
2
0
2 0
2 1
(4.6.7)
O ltimo termo nessa equao desprezvel na maioria dos casos de interesse prtico, sendo ID obtida, aproximadamente, de
(I D I 0 )/ 0 = (I 1 I D )/ 1 Q.
(4.6.8)
ID =
0I 1 + 1I 0
.
0 + 1
(4.6.9)
197
Receptores pticos
BER =
Q exp(Q 2 /2)
1
erfc
,
2
2
Q 2
(4.6.10)
Q=
I1 I 0
.
1 + 0
(4.6.11)
198
(4.6.12)
1 = ( s2 + T2 )1/2
e 0 = T ,
(4.6.13)
2
2
sendo s e T dadas pelas Eq. (4.4.17) e (4.4.9), respectivamente. Desprezando a contribuio da corrente no escuro, as varincias de rudo ficam
escritas como:
s2 = 2qM 2 FA Rd (2Prec )f ,
(4.6.14)
T2 = (4kBT /R L )Fn f .
(4.6.15)
Q=
I1
2MRd Prec
.
=
1 + 0 ( s2 + T2 )1/2 + T
(4.6.16)
Prec =
Q
qFAQ f + T .
Rd
M
(4.6.17)
A Eq. (4.6.17) mostra a dependncia de P rec em relao a vrios parmetros do receptor e como P rec pode ser otimizada. Consideremos, primeiro,
o caso de um receptor p-i-n, fazendo M=1. Como o rudo trmico, em
geral, dominante nesse tipo de receptor, tem-se P rec pela simples expresso:
(4.6.18)
2
Da Eq. (4.6.15), T depende no apenas de parmetros do receptor,
como RL e Fn, mas tambm da taxa de bits, por meio da largura de banda
199
Receptores pticos
M opt = k
1/2
A
Qqf + k A 1
1/2
k AQqf
1/2
(4.6.19)
(4.6.20)
(4.6.21)
200
BER =
1
erfc ( N p /2 ) .
2
(4.6.22)
Pm = exp(N p )N mp /m !.
(4.6.23)
201
Receptores pticos
(4.6.24)
Prec = N p h B/2 = N p h B.
(4.6.25)
202
rex = P0 /P1.
(4.7.1)
1 + rex 1 + 0
(4.7.2)
1 + rex T Q
Prec (rex ) =
.
1 rex Rd
(4.7.3)
P (r )
1 + rex
ex = 10 log 10 rec ex = 10 log 10
.
1 rex
Prec (0)
(4.7.4)
203
Receptores pticos
limiar. Uma expresso para P rec(rex) pode ser obtida [3] para receptores baseados
em APDs incluindo o ganho de APD e a contribuio do rudo de disparo a
0 e 1 na Eq. (4.7.2). Quando rex 0, o ganho de APD timo menor do
que o dado na Eq. (4.6.19). A sensibilidade tambm reduzida, devido ao
menor ganho timo. Normalmente, para um mesmo valor de rex, a penalidade
de potncia para um receptor baseado em APD um fator de 2 maior.
2 = s2 + T2 + I2 ,
(4.7.5)
(4.7.6)
em que
204
rI2 =
1
2
RIN( ) d ,
(4.7.7)
Q=
2Rd Prec
,
( + s2 + I2 )1/2 + T
(4.7.8)
2
T
em que
I = 2rI RPrec ,
(4.7.9)
e T dado pela Eq. (4.4.9). A Eq. (4.7.8) resolvida com facilidade, permitindo obter a seguinte expresso para a sensibilidade do receptor:
Prec(rI ) =
Q T + Q 2qf
.
Rd (1 rI2Q 2 )
(4.7.10)
(4.7.11)
Receptores pticos
205
206
Q=
I 1 i j
,
( T2 + 2j )1/ 2 + T
(4.7.12)
(4.7.13)
i j = (2 2 /3 4)(B t )2 I 1
(4.7.14)
t 2
1
exp 2 ,
j 2
2 j
(4.7.15)
207
Receptores pticos
p( i j ) =
1
i j
,
exp
bI 1
b i j I 1
em que
b = (4 2 /3 8)(B j )2 .
(4.7.16)
(4.7.17)
(4.7.19)
A penalidade de potncia, definida como o aumento em Prec , fornecida por:
P (b )
1 b/2
j = 10log 10 rec = 10 log 10
.
2
2 2
Prec (0)
(1 b/2) b Q /2
(4.7.20)
208
se torna infinita alm de Bj=0,2. O exato valor de Bj para o qual a penalidade de potncia se torna infinita depende do modelo usado para calcular
a penalidade de potncia induzida pela incerteza temporal. Obtm-se a Eq.
(4.7.20) usando uma especfica forma de pulso e uma especfica distribuio
de incerteza. A penalidade de potncia tambm baseada nas Eq. (4.6.10)
e (4.7.12), que assumem estatstica gaussiana para a corrente do receptor.
Como fica evidente da Eq. (4.7.16), flutuaes de corrente induzidas por
incerteza no so de natureza gaussiana. Um clculo mais preciso mostra
que a Eq. (4.7.20) subestima a penalidade de potncia [98]. Contudo, o
comportamento qualitativo permanece o mesmo. Em geral, o valor RMS
da incerteza temporal deve ficar abaixo de 10% do perodo de bit, para uma
penalidade de potncia desprezvel. Uma concluso similar vale para receptores baseados em APDs, para os quais, em geral, a penalidade maior [99].
Receptores pticos
209
210
Figura 4.26 Curvas de BER medidas para trs comprimentos de enlaces de fibra em um
experimento de transmisso em 1,55mm a 10Gb/s. Um exemplo de diagrama de olho no
receptor tambm exibido. (Aps a Ref. [114]; 2000 IEEE; reimpresso com permisso.)
211
Receptores pticos
hout (t ) =
sin( Bt ) cos( Bt )
,
Bt 1 (2 Bt )2
212
Receptores pticos
REFERNCIAS
[1]
PERSONICK, S. D. BELL Syst. Tech. J., v. 52, p. 843, 1973. v. 52, p. 875, 1973.
[2]
LEE, T. P.; LI, T. In MILLER, S. E.; CHYNOWETH, A. G. (Eds.). Optical Fiber
Telecommunications I. San Diego: Academic Press, 1979. Captulo 18.
[3]
SMITH, R. G.; PERSONICK, S. D. In: KRESSEL, H. (Ed.). Semiconductor
Devices for Optical Communications. New York: Springer, 1980.
[4]
KASPER, B. L. In MILLER, S. E.; KAMINOW, I. P. (Eds.). Optical Fiber Telecommunications II. San Diego: Academic Press, 1988. Captulo 18.
[5]
ALEXANDER, S. B. Optical Communication Receiver Design.v. TT22. Bellingham: SPIE Press, 1997.
[6]
KEYES, R. J. Optical and Infrared Detectors. New York: Springer, 1997.
[7]
DONATI, S. Photodetectors: Devices, Circuits and Applications. Upper Saddle
River: Prentice Hall, 1999.
[8]
NALWA, H. S. (Ed.). Photodetectors and Fiber Optics. San Diego: Academic Press,
2001.
[9]
CAMPBELL, J. C. In KAMINOW, I. P.; LI,T.;WILLNER, A. E. (Eds.). Optical Fiber
Telecommunications. v. 5A. San Diego: Academic Press, 2008. Captulo 8.
[10] TUCKER, R. S. etal. Electron. Lett., v. 22, p. 917, 1986.
[11] KISHINO, K. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 27, p. 2025, 1991.
[12] BARRON, C. C. etal. Electron. Lett., v. 30, p. 1796, 1994.
[13] TAN, I. -H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 6, p. 811, 1994.
[14] TAN, I. -H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 7, p. 1477, 1995.
[15] WEY,Y. -G. etal. J. Lightwave Technol., v. 13, p. 1490, 1995.
[16] KATO, K. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 28, p. 2728, 1992.
[17] KATO, K. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 6, p. 719, 1994.
[18] KATO, K. IEEE Trans. Microwave Theory Tech., v. 47, p. 1265, 1999.
[19] TAKEUCHI, T. etal. Electron. Lett., v. 36, p. 972, 2000.
[20] ACHOUCHE, M. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 556, 2006.
[21] BELING, A. etal. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 16, 2008.
[22] GIBONEY, K. S. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 7, p. 412, 1995.
[23] ITO, H. etal. Electron. Lett., v. 36, p. 1809, 2000.
[24] STILLMAN, G. E.; WOLFE, C. M. In WILLARDSON, R. K.; BEER, A. C. (Eds.).
Semiconductors and Semimetals. v. 12. San Diego:Academic Press, 1977, p. 291-393.
213
214
Receptores pticos
[74] MEKONNEN, G. G. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 11, p. 257, 1999.
[75] TAKAHATA, K. etal. IEEE J. Sel.Topics Quantum Electron., v. 6{, I}{/I p. 31, 2000.
[76] SHIMIZU, N. etal. Electron. Lett., v. 36, p. 1220, 2000.
[77] DIIMLER, U. etal. Electron. Lett., v. 42, p. 21, 2006.
[78] MOMTAZ, A. etal. IEEE J. Solid-State Circuits., v. 42, p. 872, 2007.
[79] OIKAWA,Y. etal. J. Lightwave Technol., v. 12, p. 343, 1994.
[80] OHYAMA, T. etal. Electron. Lett., v. 32, p. 845, 1996.
[81] KOBAYASHI,Y. etal. IEEE Trans. Microwave Theory Tech., v. 43, p. 1916, 1995.
[83] BITTER, M. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 74, 2000.
[84] BENNETT, W. R. Electrical Noise. New York: McGraw-Hill, 1960.
[85] MACDONALD, D. K. C. Noise and Fluctuations: An Introduction. New York:
Wiley, 1962.
[86] ROBINSON, F. N. H. Noise and Fluctuations in Electronic Devices and
Circuits. Oxford: Oxford University Press, 1974.
[87] SCHOTTKY, W. Ann. Phys., v. 57, p. 541, 1918.
[88] JOHNSON, J. B. Phys. Rev., v. 32, p. 97, 1928.
[89] NYQUIST, H. Phys. Rev., v. 32, p. 110, 1928.
[90] MCINTYRE, R.J. IEEE Trans. Electron. Dev., v. 13, 164, 1966; v. 19, 703, 1972.
[91] WEBB, P. P.; MCINTYRE, R. J.; CONRADI, J. RCA Rev., v. 35, p. 235, 1974.
[92] BALABAN, P. Bell Syst. Tech. J., v. 55, p. 745, 1976.
[93] ABRAMOWITZ, M.; STEGUN, I. A. (Eds.). Handbook of Mathematical Functions. New York: Dover, 1970.
[94] SALEH, B. E. A.;TEICH, M. Fundamentals of Photonics. New York: Wiley, 1991.
[95] MANDEL, L.; WOLF, E. Optical Coherence and Quantum Optics. New York:
Cambride University Press, 1995.
[96] AGRAWAL, G. P.; SHEN, T. M. Electron. Lett., v. 22, p. 450, 1986.
[97] OREILLY, J. J.; DAROCHA, J. R. F.; SCHUMACHER, K. IEE Proc., v. 132, Pt. J.
p. 309, 1985.
[98] SCHUMACHER, K.; OREILLY, J. J. Electron. Lett., v. 23, p. 718, 1987.
[99] SHEN, T. M. Electron. Lett., v. 22, p. 1043, 1986.
[100] LEE, T. P. etal. Electron. Lett., v. 16, p. 155, 1980.
[101] SMITH, D. R. etal. Electron. Lett., v. 18, p. 453, 1982.
[102] YAMADA, J. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 18, p. 1537, 1982.
[103] BRAIN, M. C. Electron. Lett., v. 20, p. 894, 1984.
[104] SNODGRASS, M. L.; KLINMAN, R. J. Lightwave Technol., v. 2, p. 968, 1984.
[105] WALKER, S. D.; BLANK, L. C. Electron. Lett., v. 20, p. 808, 1984.
[106] CHEN, C.Y. etal. Appl. Phys. Lett., v. 46, p. 379, 1985.
[107] KASPER, B. L. etal. Electron. Lett., v. 21, p. 982, 1985.
[108] KASPER, B. L. etal. J. Lightwave Technol., v. 5, p. 344, 1987.
[109] HEIDEMANN, R.; SCHOLZ, U.; WEDDING, B. Electron. Lett., v. 23, p. 1030,
1987.
[110] SHIKADA, M. etal. J. Lightwave Technol., v. 5, p. 1488, 1987.
[111] FUJITA, S. etal. Electron. Lett., v. 25, p. 702, 1989.
[112] RUNGE, P. K. IEEE Trans. Commun., v. 24, p. 413, 1976.
[113] POPHILLAT, L.; LEVASSEUR, A. Electron. Lett., v. 27, p. 535, 1991.
[114] NAKAZAWA, M. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6{, I}{/I}
p.363, 2000.
215
CAPTULO 5
218
Figura 5.1 Enlaces de fibra ponto a ponto com compensao peridica de perda por (a)
regeneradores e (b) amplificadores pticos. Um regenerador consiste em um receptor
seguido de um transmissor.
Embora resolvam o problema das perdas, amplificadores pticos adicionam rudo (Cap.7) e pioram o impacto da disperso e no linearidade da
fibra, pois a degradao do sinal se acumula ao longo de mltiplos estgios
amplificadores. De fato, sistemas de ondas luminosas amplificados periodicamente so, com frequncia, limitados pela disperso da fibra, a menos
que se empreguem tcnicas de compensao de disperso (Cap.8). Repetidores optoeletrnicos no esto sujeitos a esse problema, pois regeneram
a sequncia de bits original e, assim, automaticamente compensam todas as
fontes de degradao de sinal. Contudo, o uso peridico desses dispositivos
em sistemas WDM (a cada 80km, mais ou menos) no rentvel. Embora
se tenha dedicado considervel esforo de pesquisa ao desenvolvimento de
regeneradores totalmente pticos (Cap.11), a maioria dos sistemas terrestres emprega uma combinao das duas tcnicas ilustradas na Figura5.1,
posicionando um regenerador optoeletrnico aps certo nmero de amplificadores pticos. Sistemas submarinos so, em geral, projetados para
operar em distncias de mais de 5.000km usando somente amplificadores
pticos em cadeia.
O espaamento L entre regeneradores ou amplificadores pticos
(Fig.5.1) , muitas vezes, denominado de espaamento entre repetidores,
sendo um importante parmetro de projeto, apenas pelo custo do sistema
diminuir com o aumento de L. Contudo, como discutido na Seo2.4,
a distncia L depende da taxa de bits B, devido disperso da fibra. O
produto taxa de bits-distncia, BL, usado, geralmente, como uma medida
do desempenho do sistema para enlaces ponto a ponto. O produto BL
depende do comprimento de onda de operao, pois tanto as perdas como
a disperso dafibra dependem do comprimento de onda. As trs primeiras
geraes de sistemas de ondas luminosas correspondem aos trsdiferentes
comprimentos de onda nas proximidades de 0,85, 1,3 e 1,55mm. O produto
BL dos sistemas de primeira geraoque operavam nas proximidades de
0,85mmera 1(Gb/s)-km, passou para 1 (Tb/s)-km nos sistemas
de terceira geraoque operam nas proximidades de 1,55mme pode
ultrapassar 1.000(Tb/s)-km nos sistemas de quarta gerao.
219
220
Figura 5.2 (a) Topologia em hub e (b) topologia em barramento para redes de distribuio.
221
(5.1.1)
222
Figura 5.3 (a) Topologia em anel e (b) topologia em estrela para redes de rea local.
223
PN = (PT /N )(1 )
log 2N
(5.1.2)
224
P
10
log 10 tr ,
f
P rec
(5.2.1)
Figura 5.4 Limites de perda (linhas cheias) e de disperso (linhas tracejadas) sobre a distncia de transmisso L em funo da taxa de bits B, para as trs janelas de comprimentos
de onda. A linha pontilhada corresponde a cabos coaxiais. Crculos denotam sistemasde
ondas luminosas comerciais; tringulos mostram experimentos de laboratrio. (Aps a
Ref. [1]; 1988 Academic Press; reimpresso com permisso.)
devido s relativamente altas perdas da fibra nas proximidades desse comprimento de onda. Para tais sistemas, o espaamento entre repetidores fica
limitado a 1025km, dependendo da taxa de bits e do exato valor do
parmetro de perda. Em contraste, um espaamento entre repetidores de
mais de 100km possvel para sistemas de ondas luminosas que operem
nas proximidades de 1,55mm.
interessante comparar o limite de perdas de sistemas de ondas luminosas em 0,85mm com o de sistemas de comunicao eltricos baseados
em cabos coaxiais. A linha pontilhada na Figura5.4 mostra a dependncia
da taxa de bits em relao a L para cabos coaxiais, assumindo que a perda
aumenta com B . A distncia de transmisso maior para cabos coaxiais
a baixas taxas de bit (B<5Mb/s), mas sistemas baseados em fibra ptica
se tornam mais vantajosos a taxas de bits acima de 5Mb/s. Como uma
maior distncia de transmisso se traduz em menor nmero de repetidores
em enlaces ponto a ponto de longas distncias, sistemas de comunicao
por fibra ptica oferecem uma vantagem econmica a taxas de bits acima
de 10Mb/s.
Os requisitos de sistema que, em geral, se especificam antecipadamente
so a taxa de bits B e a distncia de transmisso L. O critrio de desempenho
especificado por meio da BER; uma especificao tpica BER<109.
A primeira deciso do projetista de sistema diz respeito escolha do comprimento de onda de operao. Como um aspecto prtico, o custo de
componentes menor nas proximidades de 0,85mm e cresce medida
que o comprimento de onda elevado para 1,3 e 1,55mm. A Figura5.4
pode ser muito til na determinao do apropriado comprimento de onda
de operao. De modo geral, um enlace de fibra ptica pode operar nas
proximidades de 0,85mm se B<200Mb/s e L<20km. Esse o caso
de muitas aplicaes de LAN. Por outro lado, o comprimento de onda de
operao deve, necessariamente, estar na regio de 1,55mm no caso de sistemas de ondas luminosas de longas distncias que operem a taxas de bits
acima de 2Gb/s. As curvas mostradas na Figura5.4 proveem apenas uma
orientao ao projeto de sistemas.Vrias outras questes devem ser tratadas
no projeto de um real sistema de comunicao por fibra ptica. Entre elas
esto a escolha do comprimento de onda de operao, a seleo de apropriados transmissores, receptores e fibras, e aspectos de custos, desempenho
e confiabilidade do sistema.
225
226
227
Ptr = Prec + C L + M s ,
(5.2.2)
228
C L = f L + con + splice ,
(5.2.3)
Potncia transmitida
Sensibilidade do receptor
Margem de sistema
Perda de canal disponvel
Perda em conectores
Perda do cabo de fibra
Mximo comprimento de fibra
P tr
P rec
Ms
CL
acon
af
L
0 dBm
-42 dBm
6 dB
36 dB
2 dB
3,5 dB/km
9,7 km
-13 dBm
-42 dBm
6 dB
23 dB
2 dB
3,5 dB/km
6 km
229
(5.2.4)
(5.2.5)
230
A funo de transferncia H(f) do circuito RC obtida tomando a transformada de Fourier da Eq. (5.2.4) e apresenta a forma:
H ( f ) = (1 + i 2 fRC )1.
(5.2.6)
Tr =
2,2
0,35
=
.
f
2f
(5.2.7)
A relao inversa entre o tempo de subida e a largura de banda deve valer para
qualquer sistema linear. Contudo, o produto Trf, em geral, ser diferente de
3,5. Podemos usar Trf =0,35 no projeto de sistemas de comunicao ptica
como uma orientao conservadora. A relao entre a largura de banda f e a
taxa de bits B depende do formato digital. No caso do formato com retorno ao
zero (RZ) (veja a Seo1.2), f=B, de modo que BTr=0,35. Em contraste,
f B/2 para o formato sem retorno ao zero (NRZ), levando a BTr=0,7.
Nos dois casos, a especificada taxa de bits impe um limite superior mxima
taxa de bits que pode ser tolerada. Deve-se projetar o sistema de comunicao
visando assegurar que Tr esteja abaixo desse valor mximo, ou seja,
0,35 B
Tr
0,70 B
para o formato RZ ,
para o formato NRZ .
(5.2.8)
2
2
Tr 2 = Ttr2 + Tfiber
+ Trec
,
(5.2.9)
231
2
2
2
Tfiber
= Tmodal
+ TGVD
.
(5.2.10)
Tmodal (n1 / c )L ,
(5.2.11)
em que foi usado n1 n2. Para fibras de ndice gradual, utiliza-se a Eq.
(2.1.10) no lugar da Eq. (2.1.5), resultando em Tmodal (n12/8c)L. Nos
dois casos, o efeito da mistura de modos includo com a alterao da
dependncia linear em L por uma dependncia sublinear Lq, em que q
possui um valor na faixa de 0,51, dependendo da extenso da mistura de
modos. Uma estimativa razovel, baseada em dados experimentais, q=0,7.
A contribuio TGVD tambm pode ser aproximada por T fornecido pela
Eq. (2.3.4), de forma que
TGVD | D | L ,
(5.2.12)
sendo l a largura espectral da fonte ptica (tomada como a largura completa a meia altura). O parmetro de disperso D pode mudar ao longo
do enlace de fibra, se diferentes sees tiverem diferentes caractersticas de
disperso; nesse caso, deve-se empregar um valor mdio na Eq. (5.2.12).
Como ilustrao do balano de tempo de subida, consideremos um sistema de onda luminosa em 1,3mm projetado para operar a 1Gb/s com
fibra monomodo e 50km de espaamento entre repetidores. Os tempos de
subida para o transmissor e receptor foram especificados como Ttr=0,25ns e
Trec=0,35ns.A largura espectral da fonte determinada como l=3nm, e o
valor mdio de D 2ps/(km-nm) no comprimento de onda de operao. Da
232
233
A i 2 2 A
= A + i | A |2 A,
+
2
z
2 t
2
(5.3.1)
234
235
L (km)
Canais de Voz
FT-3
FT-3C
FT-3X
FT-G
FT-G-1,7
STM-16
STM-64
STM-256
< 10
< 15
< 25
< 40
< 46
< 85
< 90
< 90
672
1.344
2.688
6.048
24.192
32.256
129.024
516.096
1980
1983
1984
1985
1987
1991
1996
2002
0,85
0,85
1,30
1,30
1,30
1,55
1,55
1,55
45
90
180
417
1.668
2.488
9.953
39.813
236
237
238
TAT-14
SEA-ME-WE 3
AC-2
VSNL Transatlantic
FLAG
Apollo
SEA-ME-WE 4
Asia-America
Gateway
India-ME-WE
2001
2001
2001
2001
2001
2003
2005
2008
640
960
1.280
2.560
4.800
3.200
1.280
1.929
15.428
39.000
6.400
13.000
28.000
13.000
18.800
20.000
16
48
32
64
60
80
64
96
4
2
4
4
8
4
2
2
2009
3.840
13.000
96
239
240
Figura 5.6 Penalidade de potncia por rudo modal em funo da perda dependente de
modo. O parmetro M definido como o nmero total de modos longitudinais cuja potncia excede 10% da potncia de pico. (Aps a Ref. [71]; 1986 IEEE; reimpresso com permisso.)
241
242
243
2
mpn = 5 log 10(1 Q 2rmpn
),
(5.4.1)
cc =
PP
i j
Pi Pj
(5.4.2)
(5.4.3)
244
Figura 5.7 Penalidade de potncia induzida por MPN em funo de BLDl, para um laser
de semicondutor multimodo com largura espectral RMS l. Cada curva corresponde a
um distinto valor do coeficiente de partio modal k.
245
246
Figura 5.8 Medida experimental de BER a 500Mb/s para um VCSEL, com realimentao
ptica. A BER medida a vrios nveis de realimentao. (Aps a Ref. [107]; 1993 IEEE;
reimpresso com permisso.)
247
ao ultracurto comprimento da cavidade ( 1mm) e, na ausncia de realimentao por reflexo, exibe RIN prximo de 130dB/Hz. Contudo, o
RIN aumenta de 20dB quando a realimentao excede o nvel de 30dB.
As medidas de BER taxa de 500Mb/s mostram uma penalidade de potncia
de 0,8dB, a uma BER de 109 e realimentao de 30dB; a penalidade de
potncia aumenta rapidamente em nveis mais elevados de realimentao [107].
A penalidade de potncia pode ser calculada seguindo a anlise da Seo4.6.2, sendo dada por:
(5.4.4)
reff2 =
1
2
RIN( )d = 2(RIN )f .
(5.4.5)
(5.4.6)
em que rI o nvel de rudo relativo na ausncia de realimentao por reflexo, N o nmero de modos de cavidade externa, e MSR o fator pelo
qual os modos de cavidade externa permanecem suprimidos. A Figura5.9
mostra a penalidade de potncia devido ao rudo de reflexo em funo de
Figura 5.9 Penalidade de potncia induzida por realimentao em funo de MSR, para
diversos valores de N e rI=0,01. assumido que reflexes realimentadas ao laser geram
N modos laterais de mesma amplitude.
248
249
d = 10 log 10b f ,
(5.4.7)
sendo bf o fator de alargamento do pulso. Como na Seo3.3.4, consideremos separadamente os casos de fontes pticas de banda larga e de banda
estreita.
Primeiro, consideremos um sistema de onda luminosa projetado com
uma fonte ptica de banda relativamente larga. Nesse caso, o fator de alargamento bf obtido da Eq. (2.4.24) e tem a forma
b f = / 0 = [1 + ( DL / 0 )2 ]1/2 ,
(5.4.8)
(5.4.9)
250
(5.4.10)
251
(5.4.11)
Figura 5.11 Penalidade de potncia induzida por chirp em funo de |b2|B2L, para
diversos valores do parmetro de chirp C. assumido que os pulsos gaussianos possuem chirp linear.
252
Figura 5.12 Diagramas de olho medidos a 40Gb/s com receptor conectado diretamente
ao transmissor (linha superior) e aps 263km de fibra (linha inferior). Nas duas linhas,
sucessivos diagramas correspondem aos formatos NRZ, RZ, NRZ-DPSK e RZ-DPSK, respectivamente. (Aps a Ref. [122]; 2004 IEEE.)
Para que a Eq. (5.4.12) seja usada, precisamos esclarecer o que queremos
dizer com abertura do olho. Idealmente, a amplitude do olho mxima
no centro do bit slot e prov uma apropriada medida da abertura do olho.
Contudo, na prtica, incerteza temporal dificulta a amostragem de cada
pulso exatamente no instante em que a amplitude do pulso mxima. Se
aceitarmos uma incerteza de at 10% em cada lado do limiar de deciso,
podemos considerar um retngulo da maior rea com uma base de 0,2Tb,
sendo Tb a durao de cada smbolo, que cabe no interior da poro aberta
do olho. A altura desse retngulo , portanto, uma medida da abertura do
olho. Tal abordagem comumente adotada em simulaes numricas.
253
254
255
Gc = 20 log 10(Qc / Q ),
(5.5.1)
BER =erfc (Q / 2 ).
(5.5.2)
O fator 20 aparece na Eq. (5.5.1) no lugar de 10 porque Q2 tradicionalmente usado para expressar Q em decibis. Como exemplo, se o
decodificador FEC melhorar a BER de seu valor original de 10 3 para
109, o valor de Q aumenta de cerca de 3 para 6, resultando em um ganho
de codificao de 6dB. O ganho de codificao , s vezes, definido em
termos da SNR [131]. As duas definies diferem por um pequeno valor
10log10(Be/B).
Como esperaramos, a magnitude do ganho de codificao aumenta
com o overhead de FEC (ou redundncia). A linha tracejada na Figura5.13
mostra esse comportamento. O ganho de codificao de cerca de 5,5dB
para overhead de 10% e aumenta sublinearmente, alcanando apenas 8dB,
mesmo para overhead de 50%. O ganho de codificao pode ser otimizado
com a concatenao de dois ou mais cdigos RS; entretanto, em todos os
casos, o ganho de codificao comea a saturar quando o overhead aumenta.
No caso de um cdigo-produto RS, mais de 6dB de ganho de codificao
*
256
257
258
259
260
REFERNCIAS
[1].
HENRY, P. S.; LINKE, R. A.; GNAUCK, A. H. In: MILLER, S. E.; KAMINOW, I.
P. (Eds.). Optical Fiber Telecommunications II. Boston: Academic Press, 1988.
Captulo 21.
[2].
GREEN, Jr., P. E. Fiber-Optic Networks. Upper Saddle River: Prentice Hall, 1993.
[3].
KAMINOW, I. P.; KOCH,T. L. (Eds.). Optical Fiber Telecommunications III. San
Diego: Academic Press, 1997.
[4].
KAMINOW, I. P., LI,T., (Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 4B. Boston:
Academic Press, 2002.
[5].
MUKHERJEE, B. Optical WDM Networks. New York: Springer, 2006.
[6].
LAM, C. F. (Ed.). Passive Optical Networks: Principles and Practice. San Diego:
Academic Press, 2007.
[7].
KAMINOW, I. P., LI, T.; WILLNER, A. E., (Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 5B. Boston: Academic Press, 2008.
[8].
RAMASWAMI, R.; SIVARAJAN, K.; SASAKI, G. Optical Networks: A Practical
Perspective. 3. ed. San Francisco: Morgan Kaufmann, 2009.
[9].
KEISER, G. E. Optical Fiber Communications. 4. ed. New York: McGraw-Hill,
2010.
[10]. PARASCHIS, L.; GERSTEL, O.; FRANKEL, M.Y. In: Kaminow, I. P., LI,T.; Willner,
A. E. (Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 5B. Boston: Academic Press,
2008. Captulo 12.
[11]. HARSTEAD, E.;VAN HEYNINGEN, P. H.KAMINOW, I. P., LI,T., (Eds.). Optical
Fiber Telecommunications, v. 4B. Boston: Academic Press, 2002.
[12]. WAGNER, R. E.In: KAMINOW, I. P., LI,T.,WILLNER, A. E., (Eds.). Optical Fiber
Telecommunications, v. 5B. Boston: Academic Press, 2008. Captulo 10.
[13]. Bergman, K. In: KAMINOW, I. P.; LI, T.; WILLNER, A. E. (Eds.). Optical Fiber
Telecommunications, v. 5B. Boston: Academic Press, 2008. Captulo 19.
[14]. ROSS, F. E. IEEE, J. Sel Areas Commun., v. 7, p. 1043, 1989.
[15]. GIMLETT, J. L. etal. Electron. Lett., v. 25, p. 596, 1989.
[16]. FUJITA, S. etal. Electron. Lett., v. 25, p. 702, 1989.
[17]. KLEEKAMP, C.; METCALF, B. Designer's Guide to Fiber Optics. Boston:
Cahners, 1978.
[18]. EVE, M. Opt. Quantum Electron., v. 10, p. 45, 1978.
261
262
[67] PILIPETSKII, A. N. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 12, p. 484, 2006.
[68] GAUTHERON, O. C. R. Physique., v. 9, 2008.
[69] COUCH, P. E.; EPWORTH, R. E. J. Lightwave Technol., v. 1, p. 591, 1983.
[70] KANADA, T. J. Lightwave Technol., v. 2, p. 11, 1984.
[71] KOONEN, A. M. J. IEEE J. Sel. Areas Commun., v. 4, p. 1515, 1986.
[72] CHAN, P.; TJHUNG, T. T. J. Lightwave Technol., v. 7, p. 1285, 1989.
[73] SHANKAR, P. M. J. Opt. Commun., v. 10, p. 19, 1989.
[74] OLSON, G. A.; FORTENBERRY, R. M. Fiber Integ. Opt., v. 9, p. 237, 1990.
[75] GOODWIN, J. C.;VELIA, P. J. J. Lightwave Technol., v. 9, p. 954, 1991.
[76] OLSEN, C. M. J. Lightwave Technol., v. 9, p. 1742, 1991.
[77] ABE, K. etal. J. Lightwave Technol., v. 10, p. 401, 1992.
[78] KUCHTA, D. M.; MAHON, C. J. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 6, p. 288, 1994.
[79] OLSEN, C. M.; KUCHTA, D. M. Fiber Integ. Opt., v. 14, p. 121, 1995.
[80] BATES, R. J. S.; KUCHTA, D. M.; JACKSON, K. P. Opt. Quantum Electron.,
v. 27, p. 203, 1995.
[81] HO, C. -L. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 1820, 1999.
[82] PAPEN, G. C.; MURPHY, G. M. J. Lightwave Technol., v. 13, p. 817, 1995.
[83] KOSAKA, H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 7, p. 926, 1995.
[84] OGAWA, K. IEEE J. Quantum Electron., v. 18, p. 849, 1982.
[85] THROSSELL, W. R. J. Lightwave Technol., v. 4, p. 948, 1986.
[86] CAMPBELL, J. C. J. Lightwave Technol., v. 6, p. 564, 1988.
[87] AGRAWAL, G. P.; Anthony, P. J.; Shen,T. M. J. Lightwave Technol., v. 6, p. 620, 1988.
[88] OLSEN, C. M.; STUBKJAER, K. E.; OLESEN, H. J. Lightwave Technol., v. 7,
p. 657, 1989.
[89] MORI, M.; OHKUMA,Y.;YAMAGUCHI, N. J. Lightwave Technol., v. 7, p. 1125,
1989.
[90] JIANG, W.; FENG, R.;YE, P. Opt. Quantum Electron., v. 22, p. 23, 1990.
[91] FYATH, R. S.; OREILLY, J. J. IEE Proc., v. 137, Pt. J, p. 230, 1990.
[92] CHENG, W. -H.; CHU, A. -K. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 8, p. 611, 1996.
[93] AGRAWAL, G. P. IEEE J. Quantum Electron., v. 20, p. 468, 1984.
[94] AGRAWAL, G. P.; OLSSON, N. A.; DUTTA, N. K. Appl. Phys. Lett., v. 45, p. 597,
1984.
[95] FUJITA, T. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 20, p. 492, 1984.
[96] OLSSON, N. A. etal. J. Lightwave Technol., v. 3, p. 215, 1985.
[97] TKACH, R. W.; CHRAPLYVY, A. R. J. Lightwave Technol., v. 4, p. 1655, 1986.
[98] AGRAWAL, G. P.; SHEN, T. M. J. Lightwave Technol., v. 4, p. 58, 1986.
[99] GIMLETT, J. L.; CHEUNG, N. K. J. Lightwave Technol., v. 7, p. 888, 1989.
[100] YAMAMOTO, S. etal. J. Lightwave Technol., v. 8, p. 1716, 1990.
[101] AGRAWAL, G. P.; DUTTA, N. K. Semiconductor Lasers. 2. ed. New York: Van
Nostrand Reinhold, 1993.
[102] RYAN, A. T. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 30, p. 668, 1994.
[103] PETERMANN, K. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 1, p. 480, 1995.
[104] FYATH, R. S.; WAILY, R. S. A. Int. J. Opt., v. 10, p. 195, 1995.
[105] SHIKADA, M. etal. J. Lightwave Technol., v. 6, p. 655, 1988.
[106] HEIDEMANN, R. J. Lightwave Technol., v. 6, p. 1693, 1988.
[107] HO, K. -P.;WALKER, J. D.; KAHN, J. M. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 5, p. 892,
1993.
[108] FRISCH, D. A.; HENNING, I. D. Electron. Lett., v. 20, p. 631, 1984.
[109] LINKE, R. A. Electron. Lett., v. 20, p. 472, 1984; IEEE J. Quantum Electron.,
v. 21, p. 593, 1985.
[110] KOCH, T. L.; BOWERS, J. E. Electron. Lett., v. 20, p. 1038, 1984.
[111] KOYAMA, F.; SUEMATSU,Y. IEEE J. Quantum Electron., v. 21, p. 292, 1985.
[112] GNAUCK, A. H. etal. J. Lightwave Technol., v. 3, p. 1032, 1985.
[113] AGRAWAL, G. P.; POTASEK, M. J. Opt. Lett., v. 11, p. 318, 1986.
[114] CORVINI, P. J.; KOCH, T. L. J. Lightwave Technol., v. 5, p. 1591, 1987.
[115] OREILLY, J. J.; da SILVA, H. J. A. Electron. Lett., v. 23, p. 992, 1987.
263
264
CAPTULO 6
Sistemas Multicanal
Em princpio, a capacidade de um sistema de comunicao ptica pode
ultrapassar 10Tb/s, devido alta frequncia associada portadora ptica.
Na prtica, at 1990, a taxa de bits ficou limitada a 10Gb/s ou menos,
em funo das limitaes impostas por efeitos dispersivos e no lineares, e
pela velocidade de componentes eletrnicos. Desde ento, a transmisso de
mltiplos canais em uma mesma fibra forneceu uma forma simples de estender a capacidade de sistemas alm de 1Tb/s. A multiplexao de canais
pode ser realizada no domnio do tempo ou da frequncia, por meio de
multiplexao por diviso no tempo (TDMTime-Division Multiplexing)
ou multiplexao por diviso em frequncia (FDMFrequency-Division
Multiplexing), respectivamente. possvel, tambm, utilizar as tcnicas TDM
e FDM no domnio eltrico (veja a Seo1.2.2). Para uma distino explcita, comum fazer referncia s duas tcnicas no domnio ptico como
TDM ptica (OTDM Optical TDM) e multiplexao por diviso em comprimento de onda (WDMWavelength-Division Multiplexing), respectivamente.
O desenvolvimento de sistemas multicanal atraiu considervel ateno
no incio da dcada de 1990, e sistemas WDM se tornaram disponveis
comercialmente em 1996.
Este captulo organizado da seguinte maneira: as Sees 6.1 a 6.3
so dedicadas a sistemas de ondas luminosas WDM, considerando, em
diferentes sees, os aspectos de arquitetura deles, os componentes pticos
necessrios implementao dos sistemas e questes de desempenho, como
interferncia entre canais. A Seo6.4 foca componentes bsicos de sistemas
OTDM e questes relacionadas implementao prtica destes. Multiplexao em subportadora, esquema que implementa FDM no domnio de
micro-ondas, discutida na Seo 6.5. A tcnica de multiplexao por
diviso em cdigo o tema da Seo 6.6.
266
Figura 6.1 Janelas de transmisso de baixa perda de fibras de slica nas regies de
comprimentos de onda prximas de 1,3 e 1,55mm. O detalhe mostra a tcnica WDM
esquematicamente.
267
Sistemas Multicanal
densos (dense WDM). Diversos experimentos em laboratrio demonstraram, em 2001, capacidades de mais de 10Tb/s, embora as distncias de
transmisso fossem limitadas a menos de 200km. Em 2008, a capacidade
de sistemas WDM chegou a 30Tb/s [12]. Obviamente, o advento da
tcnica WDM levou a uma virtual revoluo no desenvolvimento de sistemas de ondas luminosas. Esta seo foca sistemas WDM, classificando-os
nas trs categorias introduzidas na Seo5.1.
Figura 6.2 Enlace de fibra multicanal ponto a ponto. Pares separados de transmissores e
receptores so usados para enviar e receber sinais em diferentes comprimentos de onda.
BL = (B1 + B2 + + BN ) L.
(6.1.1)
268
s = B /v ch ,
(6.1.2)
269
Sistemas Multicanal
Produto NBL
[(Pb/s)-km]
2001
2001
2006
2007
2007
2009
2010
1,02
1,28
22,96
6,14
4,90
18,56
16,59
256
273
154
320
204
320
432
40
40
80
80
100
100
160
10,24
10,92
12,32
25,0
20,40
32,00
69,12
100
117
240
240
240
580
240
270
Produto NBL
[(Pb/s)-km]
2001
2002
2003
2004
2008
2009
14,88
28,16
41,03
36,72
41,82
50,69
120
256
373
150
164
72
20
10
10
40
100
100
2,40
2,56
3,73
6,00
16,4
7,20
6.200
11.000
11.000
6.120
2.550
7.040
Sistemas Multicanal
Figura 6.3 Exemplo de rede de grande rea na forma de vrios anis SONET interconectados. (Aps a Ref. [24]; 2000 IEEE; reproduzido com permisso.)
271
272
Essas redes so, muitas vezes, chamadas de redes em malha [24]. Hubs ou
ns localizados em grandes reas metropolitanas contm comutadores eletrnicos, que conectam quaisquer dois ns com a criao de um circuito
virtual entre eles ou usando comutao de pacotes por meio de protocolos
como TCP/IP (Transmission Control Protocol/Internet Protocol ou protocolo
de controle de transmisso/protocolo de Internet) ou modo de transferncia
assncrono (ATM Asynchronous Transfer Mode). Com o advento de WDM
durante a dcada de 1990, os ns foram conectados por enlaces WDM ponto
a ponto, mas se realizava a comutao de modo eletrnico, mesmo em 2001.
Tais redes de transporte eram denominadas redes opacas, pois requeriam
converso ptica-eletrnica. Em consequncia, nem a taxa de bits nem o
formato de modulao podiam ser alterados sem alterar o equipamento de
comutao.
Uma rede totalmente ptica, em que um sinal WDM pode passar por mltiplos ns (e, talvez, ser modificado com a adio ou a extrao de certos canais),
chamada de opticamente transparente. Redes WDM transparentes so desejveis, pois no requerem demultiplexao e converso ptica-eletrnica de
todos os canais WDM. Em consequncia, no so limitadas pelo gargalo
de velocidade de circuitos eletrnicos e podem ajudar a reduzir os custos de
instalao e manuteno de redes. Em uma rede WDM transparente
(Fig.6.3), os ns comutam canais usando comutadores de cruzamento
(cross-connects). Em 2001, esses dispositivos ainda estavam em sua infncia.
Uma topologia alternativa implementa uma rede WDM regional na
forma de vrios anis interconectados. A Figura6.4 ilustra esse esquema [25].
Figura 6.4 Uma rede WDM com um anel alimentador conectado a vrias redes de distribuio local. (Aps a Ref. [25]; 1999 IEEE; reproduzido com permisso.)
Sistemas Multicanal
273
274
Sistemas Multicanal
caracterstica da Lambdanet cada n ser equipado com um transmissor, que emite em um comprimento de onda individual, e N receptores,
que operam em N comprimentos de onda, sendo N o nmero de ns.
As sadas de todos os transmissores so combinadas em uma estrela passiva e distribudas igualmente a todos os receptores. Cada n recebe todo
o trfego que flui na rede. possvel utilizar um filtro ptico sintonizvel
para selecionar o canal desejado. No caso da Lambdanet, cada n usa um
banco de receptores no lugar de um filtro sintonizvel, caracterstica que
cria uma rede no bloquevel cujas capacidade e conectividade podem ser
reconfiguradas eletronicamente, dependendo da aplicao. A rede tambm
transparente taxa de bits e ao formato de modulao. Diferentes usurios
podem transmitir dados a diferentes taxas de bits com diferentes formatos
de modulao. A flexibilidade da Lambdanet a torna adequada para muitas
aplicaes. A principal desvantagem dela o nmero de usurios ser limitado
pelo nmero de comprimentos de onda disponveis. Alm disso, cada n
requer muitos receptores (em nmero igual ao de usurios), resultando em
considervel investimento em hardware.
Um receptor sintonizvel pode reduzir o custo e a complexidade da
Lambdanet, abordagem adotada na rede Rainbow [34]. Essa rede pode suportar at 32 ns, e cada um capaz de transmitir sinais de 1Gb/s por
10-20km. A rede utiliza uma estrela passiva (Fig.6.5) juntamente com a
interface paralela de alto desempenho para a conexo de mltiplos computadores. Um filtro ptico sintonizvel empregado para selecionar o
comprimento individual associado a cada n. A principal deficincia da rede
Rainbow o fato de a sintonia de receptores ser um processo relativamente
lento, dificultando o uso de comutao de pacotes. Um exemplo de rede
275
276
Figura 6.6 Lao fotnico passivo para aplicaes de lao local. (Aps a Ref. [36]; 1988
IEE; reimpresso com permisso.)
Sistemas Multicanal
Todos os filtros pticos requerem um mecanismo de seleo de comprimento de onda e podem ser classificados em duas grandes categorias,
dependendo se interferncia ou difrao ptica o mecanismos fsico
277
278
em que so baseados. possvel subdividir cada categoria segundo o esquema adotado. Nesta seo, consideraremos quatro tipos de filtros pticos;
a Figura6.8 mostra um exemplo de cada tipo. As desejadas propriedades
de um filtro ptico sintonizvel incluem: (1) grande faixa de sintonia, para
maximizar o nmero de canais capazes de serem selecionados; (2) interferncia (crosstalk) desprezvel, para evitar interferncia por canais adjacentes; (3)
alta velocidade de sintonia, para minimizar o tempo de acesso; (4) pequena
perda de insero; (5) insensibilidade polarizao; (6) estabilidade contra
mudanas ambientais (umidade, temperatura, vibraes etc.) e (7) por ltimo,
mas no menos importante, baixo custo.
279
Sistemas Multicanal
Filtros de Fabry-Perot
Um interfermetro de Fabry-Perot (FP) uma cavidade formada por dois
espelhos age como um filtro ptico sintonizvel caso seu comprimento
seja controlado eletronicamente, por meio de um transdutor piezoeltrico
[Fig.6.8(a)]. A transmitncia de um filtro FP mxima em comprimentos
de onda que correspondam s frequncias de modos longitudinais dadas
na Eq. (3.3.5). Portanto, o espaamento de frequncia entre dois mximos
de transmisso adjacentes, conhecido como intervalo ou faixa espectral livre
(FSRFree Spectral Range), fornecido por:
v L = c / ( 2n g L ) ,
(6.2.1)
N < s ( v L /v FP ) = s F ,
(6.2.2)
280
281
Sistemas Multicanal
T (v ) = cos 2 ( v m ) ,
(6.2.3)
m =1
282
Sistemas Multicanal
283
284
Sistemas Multicanal
Figura 6.9 Demultiplexador baseado em grade de difrao, com uso de uma (a) lente
convencional e (b) lente de ndice gradual.
285
286
em fibras separadas. O uso de uma lente de ndice gradual simplifica o alinhamento e prov um dispositivo relativamente compacto. Pode-se eliminar
a lente de focagem com o uso de uma grade de difrao cncava. Para uma
configurao compacta, a grade de difrao cncava pode ser integrada em
um guia de onda slab de silcio [1]. Em uma abordagem distinta, mltiplas
grades de difrao de Bragg elpticas so formadas usando a tecnologia de
silcio [79]. A ideia dessa abordagem simples; se as fibras de entrada e
de sada forem posicionadas nos dois focos da grade de difrao elptica, e se
o perodo da rede for ajustado a um comprimento de onda especfico l0
usando a condio de Bragg 2neff=l0, sendo neff o ndice efetivo do modo
do guia de onda, a grade de difrao deve refletir seletivamente esse comprimento de onda e foc-lo na fibra de sada. Mltiplas grades de difrao
devem ser formadas, pois cada uma reflete somente um comprimento de
onda. Dada a complexidade desse dispositivo, uma nica grade de difrao
cncava formada diretamente em um guia de onda de slica mais prtica.
Tal grade pode ser projetada para demultiplexar at 120 canais espaados
por 0,3nm [81].
Um problema com demultiplexadores baseados em grades de difrao
que suas caractersticas de banda passante dependem das dimenses das
fibras de entrada e de sada. Em particular, o tamanho do ncleo das fibras de
sada deve ser grande para assegurar banda passante plana e baixa perda
de insero. Por essa razo, a maioria das configuraes iniciais de multiplexadores usava fibras multimodo. Uma configurao de 1991 utilizou um
arranjo de microlentes para resolver esse problema e demonstrar um multiplexador de 32 canais para aplicaes de fibra monomodo [83]. O arranjo
de fibras foi produzido fixando fibras monomodo em ranhuras no formato
de V corrodas em uma pastilha de silcio. A microlente transforma o relativamente pequeno dimetro modal das fibras (10mm) em um dimetro
muito maior (da ordem de 80mm) logo aps a lente. Esse esquema prov
um multiplexador capaz de trabalhar com canais espaados por apenas 1nm,
na regio de comprimentos de onda prxima a 1,55mm, com largura de
banda de canal de 0,7nm.
Demultiplexadores baseados em filtros fazem uso do fenmeno de
interferncia ptica para seleo de comprimento de onda [1]. Demultiplexadores baseados em filtros MZ so os que despertaram maior interesse.
Como no caso de filtros pticos sintonizveis, vrios interfermetros MZ so
combinados para formar um demultiplexador WDM [84]-[86]. Em 1989,
foi criado um multiplexador de 128 canais fabricado com a tecnologia de
guia de onda de slica [85]. A Figura6.10 ilustra o conceito bsico, e mostra
a configurao de um multiplexador de quatro canais, que consiste em trs
interfermetros MZ. Um brao de cada interfermetro MZ maior do que
o outro, a fim de prover uma defasagem dependente de comprimento de
Sistemas Multicanal
287
288
Figura 6.11 Ilustrao esquemtica de um demultiplexador baseado em grades dedifrao de guia de onda, consistindo em um arranjo de guias de onda entre duas regies
de propagao livre (FPR). (Aps a Ref. [89]; 1996 IEEE; reimpresso com permisso.)
Sistemas Multicanal
289
290
Sistemas Multicanal
291
292
O sinal WDM que entra pela porta 1 sai pela porta 2 e passa pela grade de
difrao de Bragg. O canal extrado aparece na porta 3, enquanto os canais
restantes entram novamente no circulador pela porta 5 e saem do dispositivo
pela porta 6. O canal a ser adicionado deve entrar pela porta 4. O esquema
(b) funciona de modo similar, mas usa duas grades de difrao idnticas para
reduzir o nvel de interferncia. Diversas variaes so possveis.
6.2.4Acopladores-Estrela
O papel de um acoplador-estrela, como visto na Figura6.5, combinar
sinais pticos que entrem em suas mltiplas portas de entrada e dividi-los
igualmente entre suas portas de sada. Diferentemente de demultiplexadores,
acopladores-estrela no contm elementos seletivos de comprimento de onda,
pois no tentam separar canais individuais. No necessrio que o nmero
de portas de entrada seja igual ao de portas de sada. Por exemplo, no caso de
distribuio de vdeo, um relativamente pequeno nmero de canais de vdeo
(digamos, 100) pode ser enviado a milhares de assinantes. Em geral, o nmero
de portas de entrada igual ao de portas de sada no caso de LANs de difuso
e seleo, nas quais cada usurio deseja receber todos os canais (Fig.6.5). Um
acoplador-estrela passivo desse tipo referido como estrela de difuso NN,
sendo N o nmero de portas de entrada (e de sada). Uma estrela refletiva, em
que o sinal combinado refletido de volta s portas de entrada, , s vezes,
usada em aplicaes de LAN. Tal geometria permite considervel economia
de fibra, quando os usurios esto distribudos em uma grande rea geogrfica.
Vrios tipos de acopladores-estrela foram desenvolvidos para aplicaes
de LAN [111]-[117]. Uma das primeiras abordagens utilizou acopladores de
3dB em fibra [112]. Um acoplador de 3dB em fibra divide dois sinais
de entrada entre duas portas de sada, a mesma funcionalidade requerida de
um acoplador-estrela 22. Estrelas de ordem superior NN podem
ser formadas por combinao de vrios acopladores 22, desde que
N seja um mltiplo de 2. A Figura6.14 mostra uma estrela 88 formada
Sistemas Multicanal
293
294
295
Sistemas Multicanal
(6.2.4)
n1 ( p + q ) + n2 L = Q
(6.2.5)
296
c
.
n1 ( p + q ) + n2 L
(6.2.6)
Sistemas Multicanal
Figura 6.17 Ilustrao esquemtica de um laser para WDM feito com a integrao
de um AWG no interior da cavidade do laser. (Aps a Ref. [123]; 1996 IEEE; reimpresso
com permisso.)
297
298
Figura 6.18 Ilustrao esquemtica de um transmissor de 10 canais para WDM feito coma
tecnologia CIF de larga escala. (Aps a Ref. [128]; 2005 IEEE; reimpresso com permisso.)
Sistemas Multicanal
299
300
A largura espectral desses pulsos muito larga e pode ser alargada a 50nm
ou mais por introduo de chirp por meio de 10-15km de fibra padro de
telecomunicaes. Fatiamento espectral da sada por um demultiplexador
capaz de, novamente, prover muitos canais, e cada um pode ser modulado de
modo independente. Essa tcnica tambm permite modulao simultnea
de todos os canais em um nico modulador antes da demultiplexao, se
o modulador for excitado por uma adequada sequncia de bits eltricos
composta por TDM. Uma fonte WDM de 32 canais foi demonstrada em
1996 com o uso desse mtodo [138]. Desde ento, essa tcnica usada para
prover fontes com mais de 1.000 canais.
Quanto a receptores, receptores de mltiplos canais para WDM foram
desenvolvidos apenas por seu uso poder simplificar o projeto de sistemas e reduzir o custo total [141]-[145]. Receptores monolticos integram um arranjo
de fotodiodos com um demultiplexador em um mesmo chip. Tipicamente,
um demultiplexador baseado em grade de difrao cncava ou WGR integrado com o arranjo de fotodiodos. At amplificadores eletrnicos podem ser
integrados no mesmo chip. A configurao desse receptor integrado similar
do transmissor ilustrado na Figura6.17, exceto pelo fato de no ser formada
uma cavidade e o arranjo de amplificadores ser substitudo por um arranjo de
fotodiodos. Um receptor WDM desse tipo foi fabricado pela primeira vez em
1995 com a integrao de um WGR de oito canais (espaados de 0,8nm),
oito fotodiodos p-i-n e oito pr-amplificadores por meio da tecnologia de
transistores bipolares de heterojuno [141]. Em 2007, receptores CIF com
grande nmero de fotodiodos se tornaram disponveis [130].
301
Sistemas Multicanal
I = Rm Pm + R nTmn Pn I ch + I X ,
n m
(6.3.1)
302
1
2
(X I ch + I X ) I X (X I ch + I X ) = I ch ,
(6.3.2)
R nTmn Pn
n m
,
X = 10 log 10 1 +
Rm Pm
(6.3.3)
X 10 log 10 (1 + X ) ,
(6.3.4)
Sistemas Multicanal
Figura 6.19 Penalidade de potncia induzida por interferncia, para trs diferentes
valores da BER, para um filtro FP de finesse F=100. (Aps a Ref. [147]; 1990 IEEE; reimpresso com permisso.)
ser mantida abaixo de 0,2dB, para garantir uma BER=109, para valores
de N/F de at 0,33. Da Eq. (6.2.2), para esses filtros FP, o espaamento entre
canais pode ser de at trs vezes a taxa de bits.
303
304
Em (t ) = Em = En exp (imt ) ,
n m
(6.3.5)
sendo Em o desejado sinal em wm=2c/lm. A natureza coerente da interferncias na banda fica evidente da Eq. (6.3.5).
Para avaliar como a interferncia na banda afeta o desempenho do
sistema, consideremos, novamente, a penalidade de potncia. Nesse caso,
a corrente do receptor I=R|Em(t)|2 contm interferncia ou termos
de batimento similares aos do caso de amplificadores pticos (veja a Seo7.5). Podemos identificar dois tipos de termos de batimento: termos
de batimento sinal-interferncia, como E mE n, e termos de batimento
interferncias-interferncia EkEn, com k m e n m. Na prtica, os ltimos
termos so desprezveis e podem ser ignorados. A corrente do receptor ,
ento, aproximada como:
N
I (t ) RPm (t ) + 2R Pm (t ) Pn (t ) cos [m (t ) n (t )] ,
(6.3.6)
n m
X = 10 log 10 (1 rX2Q 2 ) ,
(6.3.7)
rX2 = ( P ) / Pm2 = X ( N 1) ,
(6.3.8)
em que
2
Sistemas Multicanal
305
306
(6.3.9)
m =2
M
dPn
+ Pn = C R Pn (n m ) Pm ,
dz
m =1
(6.3.11)
307
Sistemas Multicanal
Pn (L ) = Pn (0) e L
(6.3.12)
(6.3.13)
Figura 6.20 Penalidade de potncia induzida por ganho Raman em funo do nmero
de canais, para diversos valores de Pch. Os canais so espaados por 100GHz e apresentam a mesma potncia inicial.
308
Sistemas Multicanal
Figura 6.21 Potncia de sada (crculos cheios) e potncia SBS refletida (crculos vazios)
em funo da potncia lanada na fibra. (Aps a Ref. [174]; 1992 IEEE; reimpresso com
permisso.)
309
310
311
Sistemas Multicanal
NL
=
j
Pj + 2 Pm ,
m j
(6.3.14)
em que o primeiro termo devido a SPM e Leff foi substitudo por 1/a,
assumindo aL1. O parmetro g fica na faixa de 1 10 W1km1,
dependendo do tipo de fibra usado; os maiores valores ocorrem para fibras
compensadoras de disperso. O deslocamento de fase no linear depende
do padro de bits nos vrios canais e pode variar de zero ao valor mximo
para canais max=g/a)(2N 1)Pj, se assumirmos mesma potncia em todos
os canais.
A rigor, o deslocamento de fase induzido por XPM no deveria afetar o
desempenho do sistema se os efeitos de GVD forem desprezveis. Contudo,
qualquer disperso na fibra converte deslocamentos dependentes do padro
de bits em flutuaes de potncias, reduzindo a SNR no receptor. Essa
converso pode ser entendida observando que os deslocamentos de fase dependentes do tempo levam a chirp de frequncia, o que afeta o alargamento
de sinal induzido por disperso. A Figura6.22 mostra flutuaes induzidas
por XPM, para um canal-sonda CW lanado juntamente com um canal
de bombeamento modulado a 10Gb/s no formato NRZ. A potncia do
312
(6.3.15)
Para valores tpicos de a e g, Pch deve ficar abaixo de 10 mW, mesmo para
cinco canais, e abaixo de 1 mW, para mais de 50 canais.
A anlise anterior permite apenas uma estimativa grosseira, pois ignora
o fato de os pulsos pertencentes a diferentes canais, viajarem a diferentes
velocidades e ultrapassarem uns aos outros a uma taxa que depende das respectivas diferenas de comprimentos de onda. Dado que XPM pode ocorrer
somente quando pulsos se sobrepem no domnio do tempo, seu impacto
consideravelmente reduzido pelos efeitos de ultrapassagens. Quando um
pulso rpido, pertencente a um dado canal, colide com um pulso especfico
de outro canal e o ultrapassa, o chirp induzido por XPM desloca, primeiro,
o espectro em direo ao vermelho e, depois, em direo ao azul. Em
uma fibra sem perda, colises de dois pulsos so perfeitamente simtricas,
no resultando em qualquer deslocamento espectral lquido no final da
coliso. Em um sistema com gerenciamento de perdas, com amplificadores
pticos posicionados ao longo do enlace, variaes de potncia tornam assimtricas as colises entre pulsos de diferentes canais, resultando em um
deslocamento lquido de frequncia que depende do espaamento entre
canais.Tais deslocamentos de frequncia levam a uma incerteza temporal (a
velocidade de um canal depende da frequncia deste, devido GVD), pois
suas magnitudes dependem do padro de bits e dos comprimentos de onda
dos canais. A combinao de incertezas de amplitude e temporal induzidas
por XPM degrada a SNR no receptor, especialmente no caso de pequeno
espaamento entre canais, levando a uma penalidade de potncia induzida
por XPM que depende do espaamento entre canais e dos tipos de fibras
usadas no enlace WDM. A penalidade de potncia aumenta em fibras com
grande GVD e em sistemas WDM projetados com pequeno espaamento
entre canais, podendo exceder 5dB, com espaamento de 100GHz.
Como controlar a interferncia induzida por XPM em sistemas WDM?
Obviamente, o uso de fibras com baixa GVD reduz um pouco o problema,
mas no prtico, em funo do surgimento de FWM (veja a prxima
subseo). Na prtica, gerenciamento de disperso virtualmente empregado
em todos os sistemas WDM, de modo que a disperso local seja relativamente grande. Seleo criteriosa dos parmetros do mapa de disperso pode
ajudar, do ponto de vista de XPM, mas talvez no seja timo do ponto de
vista de SPM [186]. Uma abordagem simples supresso de XPM consiste
313
Sistemas Multicanal
dAF
= AF + dF Ai A j Ak* exp (i kz ) ,
dz
2
(6.3.16)
314
PF = AF (L ) = F (dF L ) Pi Pj Pk e L ,
2
(6.3.17)
F =
1 exp [ ( + i k ) L ]
( + i k ) L
(6.3.18)
k = F + k i j 2 (i k ) ( j k ) ,
(6.3.19)
Sistemas Multicanal
315
316
Sistemas Multicanal
317
318
Sistemas Multicanal
319
320
Figura 6.25 Esquemas de demultiplexao para sinais OTDM baseados em (a) moduladores de LiNbO3 em cascata, (b) XPM em um anel ptico refletivo no linear e (c) FWM
em um meio no linear.
Sistemas Multicanal
321
322
Sistemas Multicanal
323
324
Figura 6.26 Diagrama em blocos da multiplexao por subportadora. Mltiplas subportadoras de micro-ondas (SC) so moduladas, e o sinal eltrico composto usado
para modular uma portadora ptica no transmissor (Tx).
325
Sistemas Multicanal
P (t ) = Pb 1 + m j a j cos ( 2 f j t + j ) ,
j =1
(6.5.1)
sendo Pb a potncia de sada no nvel de polarizao; mj, aj, fj e j so, respectivamente, o ndice de modulao, a amplitude, a frequncia e a fase
associadas j-sima subportadora de micro-onda; aj, fj ou j modulada
para impor o sinal, dependendo se utilizada modulao AM, FM ou em
fase (PM).
A potncia no receptor tambm seria da forma da Eq. (6.5.1) se o canal
de comunicao fosse perfeitamente linear. Na prtica, o sinal analgico
distorcido durante a transmisso pelo enlace de fibra. A distoro referida
como distoro de intermodulao (IMD InterModulation Distortion), e tem
natureza similar distoro de FWM discutida na Seo 6.3. Qualquer
326
327
Sistemas Multicanal
CNR =
(mRP )
/2
2
+ + + IMD
2
s
2
T
2
I
(6.5.2)
I2 = ( RIN ) ( RP ) ( 2f ) .
2
(6.5.3)
O valor RMS de IMD depende dos valores das distores CSO e CTB.
Os requisitos de CNR de sistemas SCM dependem do formato de
modulao. No caso do formato AM-VSB, a CNR deve, tipicamente,
exceder 50dB, para desempenho satisfatrio. Valores to altos podem ser
realizados somente com o aumento da potncia ptica recebida P a um
valor relativamente alto (> 0,1 mW). Essta exigncia apresenta dois efeitos.
Primeiro, o balano de potncia de sistemas SCM AM analgicos extremamente limitado, a menos que a potncia do transmissor seja aumentada
acima de 10 mW. Segundo, a contribuio do rudo de intensidade ao rudo
2
do receptor domina o desempenho do sistema, pois I aumenta com o
quadrado de P . Na verdade, a CNR se torna independente da potncia
ptica recebida quando I domina. Das Eq. (6.5.2) e (6.5.3), o valor limitado
da CNR fornecido por:
CNR
m2
.
4 ( RIN ) f
(6.5.4)
328
Sistemas Multicanal
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330
Sistemas Multicanal
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332
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Sistemas Multicanal
s (t ) = c km sk (t mTs ) ,
m = k =1
sk (t ) = h (t ) exp [2 i ( f LO + f k ) t ] , (6.5.5)
sk (t ) sl* (t ) =
1
Ts
Ts
0
sk (t ) sl* (t ) dt = kl ,
(6.5.6)
em que os colchetes angulares denotam mdia em toda a durao do smbolo de OFDM. importante ressaltar que TS=NTb, sendo Tb o bit slot, pois
a sequncia de bits de entrada dividida em N sequncias paralelas. Como
N, em geral, maior do que 100 e pode ser prximo de 1.000, TS muito
maior do que Tb. Em outras palavras, a taxa de smbolos de cada subportadora
B/N. A tcnica de OFDM permite o envio de uma sequncia de bits de
entrada na forma de N sequncias de smbolos, cada uma em sua prpria
subportadora. Os espectros de duas sequncias de smbolos adjacentes se
sobrepem de forma considervel. Contudo, ainda podem ser demoduladas
no receptor, devido ortogonalidade dessas subportadoras.
Uma importante vantagem da tcnica de OFDM que distores lineares
do sinal transmitido, incluindo as induzidas pela disperso da fibra, so dramaticamente reduzidas, pois muitas sequncias de smbolos de baixa velocidade so
transmitidas em paralelo, em vez de uma sequncia de bits de alta velocidade.
Isso se torna evidente ao observarmos que, como a durao de um smbolo
de cada subportadora muito maior do que a durao de um bit, efeitos dispersivos so um problema menor e podem ser removidos com facilidade no
lado do receptor se um prefixo cclico for adicionado a cada smbolo. Nessa
334
Sistemas Multicanal
Figura 6.30 Codificao de dados binrios em sistemas CDM usando uma sequncia
de assinatura na forma de um cdigo de 7 chips.
335
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Sistemas Multicanal
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Sistemas Multicanal
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Sistemas Multicanal
Figura 6.34 Receptor para um sistema hbrido WDM-CDMA que compartilha a mesma largura de banda espectral. Um filtro rejeita faixa de banda estreita usado no
decodificador para remover o sinal WDM. (Aps a Ref. [273]; 2001 IEEE; reimpresso
com permisso.)
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Sistemas Multicanal
T=
1 f
i f
1 f
i f
r g ( ) =
i sin ( qL )
q cos ( qL ) i sin ( qL )
em que q2=d2k2, d=(w - wB)()/c a dissintonia da frequncia
de Bragg wB, e k o coeficiente de acoplamento. Faa um grfico do
espectro da refletncia, usando k=8cm1, = 1,45 e um comprimento
de onda de Bragg de 1,55mm, para L=3, 5 e 8mm. Nos trs casos,
estime a largura de banda da grade de difrao em GHz.
6.10 Voc recebeu dez acopladores de fibra de 3dB. Projete um demultiplexador 44 com o menor nmero possvel de acopladores.
6.11 Explique como um arranjo de guias de onda planares pode ser usado
para demultiplexar canais WDM. Use os diagramas que achar necessrio.
6.12 Use um acoplador de fibra monomodo e duas grades de difrao
de fibra para projetar um filtro de adio e extrao. Explique o
funcionamento desse dispositivo.
6.13 Use um roteador baseado em grade de difrao de guia de onda para
projetar um transmissor integrado WDM. Como o projeto deve ser
alterado para um receptor WDM?
6.14 O que significa interferncia linear na banda? Deduza uma expresso
para a penalidade de potncia induzida por tal interferncia no caso
de um roteador baseado em grade de difrao de guia de onda.
6.15 Explique como espalhamento estimulado Raman pode causar
interferncia em sistemas de ondas luminosas multicanal. Deduza a
344
REFERNCIAS
[1]
LSHIO, H.; MINOWA, J.; NOSU, K. J. Lightwave Technol., v. 2, p. 448, 1984.
[2]
WINZER, G. J. Lightwave Technol., v. 2, p. 369, 1984.
[3]
OLSSON, N. A. etal. Electron. Lett., v. 21, p. 105, 1985.
[4]
BRACKETT, C. A. IEEE J. Sel. Areas Commun., v. 8, p. 948, 1990.
[5]
GREEN, JR., P. E. Fiber-Optic Networks. Upper Saddle River: Prentice-Ha11,
1993.
[6]
LAUDE, J. -P. DWDM Fundamentais, Components, and Applications. Norwood:
Artech House, 2002.
[7]
MUKHERJEE, B. Optical WDM Networks. New York: Springer, 2006.
[8]
STEM, T. E.; ELLINAS, G.; BALA, K. Multiwavelength Optical Networks:
Architectures, Design, and Control. New York: Cambridge University Press, 2009.
[9]
RAMASWARNI, R.; SIVARAJAN, K.; SASAKI, G. Optical Networks: A Practical
Perspective. 3. ed. San Francisco: Morgan Kaufmann, 2009.
[10] STAVDAS, A. (Ed.). Core and Metro Networks. Hoboken: Wiley, 2000.
[11] KEISER, G. E. Optical Fiber Communications. 4. ed. New York: McGraw-Hill,
2010.
[12] GNAUCK, A. H. etal. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 1032, 2008.
[13] ZYSKIND, J. etal. KARNINOW, I. P., LI,T., (Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 4B. Boston: Academic Press, 2002. Captulo 5.
[14] ZHOU, X. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDPB9, 2010.
[15] SANO, A. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDPB7, 2010.
[16] CHRAPLYVY, A. R. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 7, p. 98, 1995.
[17] FUKUCHI, K. etal. Proc. Optical Fiber Commun. Conf., Paper PDP24, 2001.
[18] BERGANO, N. S.; DAVIDSON, C. R. J. Lightwave Technol., v. 14, p. 1287, 1996.
[19] BERGANO, N. S. In: KAMINOW, I. P., LI, T., (Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 4B. Boston: Academic Press, 2002.
[20] BERGANO, N. S. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 5125, 2005.
Sistemas Multicanal
345
346
[63] PARK, K. N. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 10, p. 555, 1998.
[64] IOCCO, A. etal. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 1217, 1999.
[65] ORTEGA, B.; CAPMANY, J.; CRUZ, J. L. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 1241,
1999.
[66] GOH, C. S.; SET, S.Y.; KIKUCHI, K. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 14, p. 1306,
2002.
[67] LEE, H.; AGRAWAL, G. Opt. Express, v. 12, p. 5595, 2004.
[68] LI, H. etal. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 2739, 2007.
[69] SMITH, D. A. etal. J. Lightwave Technol., v. 14, p. 1005, 1996.
[70] JACKEL, J. L. etal. J. Lightwave Technol., v. 14, p. 1056, 1996.
[71] HERRMANN, H.; SCHAFER, K.; SCHMIDT, C. IEEE Photon. Technol. Lett.,
v. 10, p. 120, 1998.
[72] DIMMICK, T. E. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 1210, 2000.
[73] SAPRIEL, J. etal. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 892, 2002.
[74] AGRAWAL, G. P. Nonlinear Fiber Optics. 4. ed. Boston: Academic Press, 2007.
[75] TKACH, R.W.; CHRAPLYVY, A. R.; DEROSIER, R. M. IEEE Photon. Technol.
Lett., v. 1, p. 111, 1989.
[76] MARGARI, K. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 24, p. 2178, 1988.
[77] NUMAI, T.; MURATA, S.; MITO, I. Appl. Phys. Lett., v. 53, p. 1168, 1988.
[78] DUBOVITSKY, S.; STEIER, W. H. J. Lightwave Technol., v. 14, p. 1020, 1996.
[79] HENRY, C. H. etal. J. Lightwave Technol., v. 8, p. 748, 1990.
[80] MCGREER, K. A. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 8, p. 553, 1996.
[81] SUN, S. J.; MCGREER, K. A.; BROUGHTON, J. N. IEEE Photon. Technol. Lett.,
v. 10, p. 90, 1998.
[82] TIMOFEEV, F. N. etal. Opt. Quantum Electron., v. 31, p. 227, 1999.
[83] WISELY, D. R. Electron. Lett., v. 27, p. 520, 1991.
[84] VERBEEK, B. H. etal. J. Lightwave Technol., v. 6, p. 1011, 1988.
[85] ODA, K. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 1, p. 137, 1989.
[86] TAKATO, N. etal. IEEE J. Sel. Areas Commun., v. 8, p. 1120, 1990.
[87] HIBINO,Y. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 8, p. 84, 1996.
[88] KAWASAKI, B. S.; HILL, K. O.; GAUMONT, R. G. Opt. Lett., v. 6, p. 327, 1981.
[89] SMIT, M. K.;VAN DAM, C. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 2, p. 236,
1996.
[90] MESTRIC, R. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 2, p. 251, 1996.
[91] OKAYAMA, H.; KAWAHARA, M.; KAMIJOH, T. J. Lightwave Technol., v. 14, p.
985, 1996.
[92] DRAGONE, C. J. Lightwave Technol., v. 16, p. 1895, 1998.
[93] KANEKO, A. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 5, p. 1227, 1999.
[94] KATO, K.;TOHMORI,Y. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6, p. 4, 2000.
[95] DOERR, C. R.; OKAMOTO, K. In: KAMINOW, I. P., LI,T.,WILLNER, A. E., (Eds.).
Optical Fiber Telecommunications, v. 5A. Boston: Academic Press, 2008. Captulo
9.
[96] TAKADA, K. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 577, 2001.
[97] FEUER, M. D.; KIPLER, D. C.;WOODWARD, S. L.KAMINOW, I. P., LI,T.,WILLNER, A. E., (Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 5B. Boston: Academic
Press, 2008. Captulo 8.
[98] SHEHADEH, F. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 7, p. 1075, 1995.
[99] HAUS, H. A.; LAI,Y. J. Lightwave Technol., v. 10, p. 57, 1992.
[100] ZIMGIB1, M.; JOYNER, C. H.; GLANCE, B. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 6,
p. 513, 1994.
[101] KUZNETSOV, M. J. Lightwave Technol., v. 12, p. 226, 1994.
[102] YAFFE, H. H. etal. J. Lightwave Technol., v. 12, p. 1010, 1994.
[103] BILODEAU, F. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 7, p. 388, 1995.
[104] MIZUOCHI, T. etal. J. Lightwave Technol., v. 16, p. 265, 1998.
[105] AUGUSTSSON, T. J. Lightwave Technol., v. 16, p. 1517, 1998.
[106] ROTOLO, S. etal. J. Lightwave Technol., v. 18, p. 569, 2000.
Sistemas Multicanal
347
348
[155] BAEKELANDT, B. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 20, p. 587, 2008.
[156] MINARDI, M. J.; INGRAM, M. A. Electron. Lett., v. 28, p. 1621, 1992.
[157] HO, K. -P.; KHAN, J. M. J. Lightwave Technol., v. 14, p. 1127, 1996.
[158] LI, Z.; LI, G. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 811, 2006.
[159] CHRAPLYVY, A. R. J. Lightwave Technol., v. 8, p. 1548, 1990.
[160] SHIBATA, N. etal. IEEE J. Sel. Areas Commun., v. 8, p. 1068, 1990.
[161] FORGHIERI, F.; TKACH, R. W.; CHRAPLYVY, A. R. In: KARNINOW, I. P.,
KOCH,T. L., (Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 3A. Boston: Academic
Press, 1997. Captulo 8.
[162] KANI, J. etal. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 2249, 1999.
[163] BAYVEL, P.; KILLEY, R. I. In: KAMINOW, I. P., LI, T., (Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 4B. Boston: Academic Press, 2002. Captulo 13.
[164] WU, M.; WAY, W. I. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 1483, 2004.
[165] TOULOUSE, J. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 3625, 2005.
[166] CHRISTODOULIDES, D. N.; JANDER, R. B. IEEE Photon. Technol. Lett., v.
8, p. 1722, 1996.
[167] WANG, J.; SUN, X.; ZHANG, M. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 10, p. 540, 1998.
[168] MARHIC, M. E.;YANG, F. S.; KAZOVSKY, L. G. J. Opt. Soe. Am. B., v. 15, p. 957,
1998.
[169] GRANDPIERRE, A. G.; CHRISTODOULIDES, D. N.; TOULOUSE, J. IEEE
Photon. Technol. Lett., v. 11, p. 1271, 1999.
[170] HO, K. -P. J. Lightwave Technol., v. 19, p. 159, 2000.
[171] MCLNTOSH, C. M. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 302, 2001.
[172] JIANG, Z.; FAN, C. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 953, 2003.
[173] YAMAMOTO, T.; NORIMATSU, S. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 2229, 2003.
[174] MAO, X. P. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 4, p. 66, 1992.
[175] FISHMAN, D. A.; NAGEL, J. A. J. Lightwave Technol., v. 11, p. 1721, 1993.
[176] YOSHIZAWA, N.; IMAI, T. J. Lightwave Technol., v. 11, p. 1518, 1993.
[177] SHIRAKI, K.; OHASHI, M.; TATEDA, M. J. Lightwave Technol., v. 14,
p. 50, 1996.
[178] HORIUCHI,Y.;YAMAMOTO, S.; AKIBA, S. Electron. Lett., v. 34, p. 390, 1998.
[179] TSUJIKAWA, K. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 10, p. 1139, 1998.
[180] ADAMS, L. E. etal. Fiber Integ. Opt., v. 17, p. 311, 1998.
[181] LEE, S.S. etal. pt l13, p. 741, 2001.
[182] LI, M. etal. Opt. Express, v. 15, p. 8290, 2007.
[183] SAKAMOTO, T. etal. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 4401, 2009.
[184] CHIANG, T. etal. J. Lightwave Technol., v. 14, p. 249, 1996.
[185] BELLOTTI, G. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 10, p. 1745, 1998.
[186] CARTAXO, A.V. T. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 178, 1999.
[187] HUI, R. E.; DEMAREST, K. R.; ALLEN, C.T. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 1018,
1999.
[188] NELSON, L. E. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 11, p. 907, 1999.
[189] SHTAIF, M.; EISELT, M.; GARETTT, L. D. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13,
p. 88, 2000.
[190] YU, J. J.; JEPPESEN, P. Opt. Commun., v. 184, p. 367, 2000.
[191] BELLOTTI, G.; BIGO, S. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 726, 2000.
[192] KILLEY, R. I. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 804, 2000.
[193] BELLOTTI, G. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 1403, 2000.
[194] BETTI, S.; GIACONI, M. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 43, 2001. v. 13,
p. 305, 2001.
[195] LIN, Q.; AGRAWAL, G. P. IEEE J. Quantum Electron., v. 40, p. 958, 2004.
[196] HO, K. -P.; WANG, H. C. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 396, 2006.
[197] SINKIN, O.V.; GRIGORYAN,V. S.; MENYUK, C. R. J. Lightwave Technol., v. 25,
p. 2959, 2007.
[198] SHIBATA, N.; BRAUN, R. P.;WAARTS, R. G. IEEE J. Quantum Electron., v. 23,
p. 1205, 1987.
Sistemas Multicanal
[199] SUZUKI, H.; OHTERU, S.; TAKACHIO, N. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 11,
p. 1677, 1999.
[200] LEE, J. S.; LEE, D. H.; PARK, C. S. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 10, p. 825, 1998.
[201] MAWATARI, H. etal. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 918, 1999.
[202] IKEGAMI, T.; SUDO, S.; SAKAI,Y. Frequency Stabilization of Semiconductor
Laser Diodes. Boston: Artec House, 1995.
[203] GUY, M. etal. J. Lightwave Technol., v. 14, p. 1136, 1996.
[204] LEE, H. J. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 10, p. 276, 1998.
[205] PARK,Y.; LEE, S.T.; CHAE, C. J. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 10, p. 1446, 1998.
[206] ONO, T.;YANO,Y. IEEE J. Quantum Electron., v. 34, p. 2080, 1998.
[207] NASU, H. etal. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 1344, 2004.
[208] NASU, H. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 11, p. 157, 2005.
[209] TISSOT,Y.; LIMBERGER, H. G.; SALATHE, R. -P. IEEE Photon. Technol. Lett.,
v. 19, p. 1702, 2007.
[210] ZHOU, J.; OMAHONY, M. J. IEE Proc., v. 143, p. 178, 1996.
[211] FEI,Y. S. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 11, p. 1189, 1999.
[212] ZHANG, K. J. etal. Opt. Express, v. 40, p. 1199, 2001.
[213] ELLIS, A. D. etal. J. Lightwave Technol., v. 13, p. 761, 1995.
[214] BDTKER, E.; BOWERS, J. E. J. Lightwave Technol., v. 13, p. 1809, 1995.
[215] CHAN,V. W. S. etal. J. Lightwave Technol., v. 16, p. 2146, 1998.
[216] KAWANISHI, S. IEEE J. Quantum Eiectron., v. 34, p. 2064, 1998.
[217] NAKAZAWA, M. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6, p. 363, 2000.
[218] ULMER, T. G. etal. J. Lightwave Technol., v. 18, p. 1964, 2000.
[219] SARUWATARI, M. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6, p. 1363, 2000.
[220] TURKIEWICZ, J. P. etal. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 225, 2005.
[221] WEBER, H. -G. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 4616, 2006.
[222] OHARA, T. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Eiectron., v. 13, p. 40, 2007.
[223] MURAI, H. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 13, p. 70, 2007.
[224] IGARASHI, K.; KIKUCHI, K. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 14,
p. 551, 2008.
[225] YAMAMOTO, T.;YOSHIDA, E.; NAKAZAWA, M. Electron. Lett., v. 34, p. 1013,
1998.
[226] MORIOKA, T. etal. Electron. Lett., v. 32, p. 833, 1996.
[227] HANSRYD, J.; ANDREKSON, P. A. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 732,
2001.
[228] KAWANISHI, S. etal. Electron. Lett., v. 32, p. 916, 1996.
[229] NAKAZAWA, M.;YAMAMOTO,T.;TAMURA, K. R. Electron. Lett., v. 36, p. 2027,
2000.
[230] FEISTE, U. etal. Electron. Lett., v. 37, p. 443, 2001.
[231] SUZUKI, A. etal. Proc. Eur. Conf. Opticai Commun. Paper Th4.1.7, 2004.
[232] GUAN, P. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 21, p. 1579, 2009.
[233] DENG, K. L. etal. J. Lightwave Technol., v. 18, p. 1892, 2000.
[234] HAMILTON, S. A. etal. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 2086, 2002.
[235] VLACHOS, K. etal. J. Lightwave Technol., v. 21, p. 1857, 2003.
[236] GROSS, R.; OLSHANSKY, R. J. Lightwave Technol., v. 8, p. 406, 1990.
[237] PHILLIPS, M. R.; DARCIE,T. E. In: KAMINOW, I. P., KOCH,T. L., (Eds.). Optical
Fiber Telecommunications, v. 3A. Boston: Academic Press, 1997. Captulo 14.
[238] OVADIA, S.; DAI, H.; LIN, C. J. Lightwave Technol., v. 16, p. 2135, 1998.
[239] WU, M. C. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 1255, 2000.
[240] RAINAI, A. J. J. Lightwave Technol., v. 14, p. 474, 1996.
[241] WAY, W. I. Broadband Hybrid Fiber Coax Acess System Tecnologies. Boston:
Academic Press, 1998.
[242] WAY, W. I. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 2, p. 665, 1990.
[243] OGAWARA, M. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 350, 2000.
[244] HUI, R. etal. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 417, 2002.
[245] WILSON, G. C. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 14, p. 1184, 2002.
349
350
[246] LIN, W. -P.; KAO, M. -S.; CHI, S. J. Lightwave Technol., v. 21, p. 319, 2003.
[247] KURI, T.; KITAYAMA, K. J. Lightwave Technol., v. 21, p. 3167, 2003.
[248] WOODWARD, S. L. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 8, p. 694, 1996.
[249] PHILLIPS, M. R.; OTT, D. M. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 1782, 1999.
[250] YANG, F. S.; MARHIC, M. E.; KAZOVSKY, L. G. J. Lightwave Technol., v. 18,
p. 512, 2000.
[251] ROSSI, G.; DIMMICK, T. E.; BLUMENTHA1, D. J. J. Lightwave Technol., v. 18,
p. 1639, 2000.
[252] CHEN, W. H.; WAY, W. I. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 1679, 2004.
[253] HA, J.Y. etal. Electron. Lett., v. 44, p. 2467, 2008.
[254] BABAI, A. R. S.; SALTZBERG, B. R.; ERGEN, M. Multi-carrier Digital Communications: Theory And Applications Of OFDM. 2. ed. New York: Springer, 2004.
[255] SCHULZE, H.; LUEDERS, C. Theory and Applications of OFDM and CDMA:
Wideband Wireless Communications. Hoboken: Wiley, 2005.
[256] LI,Y.; STUBER, G. L. Orthogonal Frequency Division Multiplexing for Wireless
Communications. New York: Springer, 2006.
[257] SHIEH, W.;YI, X.; TANG,Y. Electron. Lett., v. 43, p. 183, 2007.
[258] LOWERY, A. J. Opt. Express, v. 15, p. 12965, 2007.
[259] JANSEN, S. L. etal. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 6, 2008.
[260] SHIEH, W.; BAO, H.; TANG,Y. Opt. Express, v. 16, p. 841, 2008.
[261] ARMSTRONG, J. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 189, 2009.
[262] VITERBI, A. J. CDMA: Principies of Spread Spectrum Communication. Reading:
Addison-Wesley, 1995.
[263] ABU-RGHEFF, M. A. Introduction to CDMA Wireless Communications.
Boston: Academic Press, 2007.
[264] PRUCNAL, P. R.; SANTORO, M.;TAN, F. J. Lightwave Technol., v. 4, p. 307, 1986.
[265] FOSCHINNI, G. J.;VANNUCCI, G. J. Lightwave Technol., v. 6, p. 370, 1988.
[266] SALEHI, J. A.; WEINER, A. M.; HERITAGE, J. P. J. Lightwave Technol., v. 8,
p. 478, 1990.
[267] KAVEHRAD, M.; ZACCARINA, D. J. Lightwave Technol., v. 13, p. 534, 1995.
[268] SAMPSON, D. D.; PENDOCK, G. J.; GRIFFIN, R. A. Fiber Integ. Opt., v. 16,
p. 129, 1997.
[269] SARDESAI, H. P.; DESAI, C. C.; WEINER, A. M. J. Lightwave Technol., v. 16,
p. 1953, 1998.
[270] TOWN, G. E.; CHAN, K.; YOFFE, G. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron.,
v. 5, p. 1325, 1999.
[271] KIM, S.;YU, K.; PARK, N. J. Lightwave Technol., v. 18, p. 502, 2000.
[272] CHEN, L. R.; SMITH, P. W. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 1281, 2000.
[273] SHEN, S.; WEINER, A. M. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 82, 2001.
[274] TEH, P. C. etal. J. Lightwave Technol., v. 19, p. 1352, 2001.
[275] TEH, P. C. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 14, p. 227, 2002.
[276] SOTOBAYASHI, H.; CHUJO, W.; KITAYAMA, K. I. J. Lightwave Technol., v. 22,
p. 250, 2004.
[277] TAKIGUCHI, K.; LTOH, M. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 11,
p. 300, 2005.
[278] JIANG, Z. etal. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 1979, 2005.
[279] SCOTT, R. P. etal. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 3232, 2005.
[280] CONG, W. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 1567, 2006.
[281] AGARWAL, A. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 1952, 2006.
[282] HERITAGE, J. P.;WEINER, A. M. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 13,
p. 1351, 2007.
[283] SCOTT, R. P. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 13, p. 1455, 2007.
[284] WANG, X. etal. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 207, 2007. IEEE J. Sel. Topics
Quantum Electron., v. 13, p. 1463, 2007.
[285] BRES, C. -S.; PRUCNAL, P. R. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 2911, 2007.
[286] KATAOKA, N. etal. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 299, 2009.
CAPTULO 7
Gerenciamento de Perdas
Como visto nos Captulos5 e6, a distncia de transmisso de qualquer
sistema de comunicao por fibra ptica acaba sendo limitada pelas perdas
da fibra. At 1995, essa limitao por perda era superada, principalmente,
pelo emprego de repetidores optoeletrnicos, dispositivos em que o sinal
ptico era, primeiro, convertido na forma eltrica por meio de um receptor
e, em seguida, regenerado usando um transmissor. Tais regeneradores se
tornaram muito complexos e caros para sistemas WDM, pois requeriam a
demultiplexao dos individuais canais WDM. Uma abordagem alternativa
ao gerenciamento de perdas utiliza amplificadores pticos, que aumentam
diretamente o sinal WDM completo, sem a necessidade de converter cada
canal ao domnio eltrico. Diversos tipos de amplificadores pticos foram
desenvolvidos durante dcada de 1980, e o uso de amplificadores pticos para sistemas de ondas luminosas se tornou comum durante a dcada
de 1990. Em 1996, amplificadores pticos passaram a ser parte dos cabosde
fibra ptica lanados nos oceanos Atlntico e Pacfico. Este captulo dedicado ao gerenciamento de perdas da fibra em sistemas de longas distncias.
A Seo7.1 discute a tcnica comum que emprega amplificadores pticos
periodicamente ao longo de um enlace de fibra, e identificamos dois esquemas conhecidos como amplificao concentrada e amplificao distribuda. A Seo7.2 dedicada a amplificadores a fibra dopada com rbio,
utilizados rotineiramente como amplificadores concentrados. A Seo7.3
foca amplificadores Raman, desenvolvidos para amplificao distribuda de
sinais de ondas luminosas. A relao sinal-rudo de sistemas de ondas luminosas amplificados considerada nas Sees7.4 e7.5, enquanto a Seo7.6
trata da sensibilidade de receptores. O impacto do rudo de amplificadores
no sinal transmitido estudado na Seo7.7. A ltima seo foca questes
relevantes para sistemas de ondas luminosas com amplificao peridica.
352
353
Gerenciamento de Perdas
A( z, t ) = B( z, t )exp( z /2)
(7.1.1)
B i 2 2 B
+
= i e z | B |2 B.
z
2 t 2
(7.1.2)
A interpretao fsica dessas duas equaes clara. A Eq. (7.1.1) mostra que,
distncia z, a potncia ptica |A(z, t)|2 cai exponencialmente com eaz,
devido s perdas. Como visto na Eq. (7/1/2), essa diminuio na potncia do
sinal tambm enfraquece efeitos no lineares, como esperado intuitivamente.
A perda na potncia de sinal quantificada em termos da potncia
mdia, definida como:
1
T T
Pav ( z ) = lim
T /2
T /2
(7.1.3)
354
A i 2 2 A
1
+
= i | A |2 A + [ g 0 ( z ) ]A + f n ( z, t ),
2
z
2 t
2
(7.1.4)
sendo g0(z) o coeficiente de ganho cuja forma funcional depende do esquema de amplificao empregado. O ltimo termo na Eq. (7.1.4), fn(z, t),
leva em considerao as flutuaes induzidas por emisso espontnea. O
valor mdio desse termo nulo, ou seja, fn(z, t)=0, em que os colchetes
angulares denotam mdia de ensemble no processo aleatrio. Se assumirmos
que esse processo marcoviano com estatstica gaussiana, suas propriedades
estatsticas so completamente descritas pela funo de autocorrelao [5]:
f n* ( z, t ) f n ( z , t ) = nsp h 0 g 0( z z )(t t ),
(7.1.5)
355
Gerenciamento de Perdas
A( z, t ) = p( z ) B( z, t ),
(7.1.6)
dp
= [ g 0 ( z ) ] p,
dz
(7.1.7)
enquanto B(z, t) satisfaz a Eq. (7.1.2) com p(z) no lugar do fator eaz.
Se g0(z) fosse constante e igual a a para todo z, a potncia mdia do sinal
permaneceria constante ao longo do enlace de fibra. Essa a situao ideal
em que a fibra, efetivamente, no apresenta perdas. Na prtica, obteve-se o
ganho distribudo por injeo peridica de potncia de bombeio no enlace
de fibra (Fig.7.1). Como a potncia da bomba no permanece constante,
em funo das considerveis perdas da fibra no comprimento de onda de
bombeamento, no possvel manter g(z) constante ao longo da fibra.
Contudo, embora no sejam localmente compensadas em todos os pontos,
as perdas da fibra podem ser completamente compensadas ao longo de uma
distncia LA, desde que a seguinte condio seja satisfeita:
LA
0
g 0 ( z )dz = L A .
(7.1.8)
356
(7.1.9)
2 sinh( p L A /2)
(7.1.10)
exp( p z ) 1
p( z ) = exp L A
z,
exp( p L A ) 1
(7.1.11)
Gerenciamento de Perdas
Figura 7.2 Variaes na potncia mdia de sinal entre duas estaes de bombeio sucessivas, com esquemas de bombeamento contrapropagante (linha cheia) e bidirecional
(linha tracejada), com LA=50km. O caso de amplificao concentrada mostrado pela
linha pontilhada.
Entre os amplificadores pticos desenvolvidos at agora, esto amplificadores pticos de semicondutor, amplificadores a fibras dopadas, amplificadores Raman e amplificadores paramtricos. Desses, amplificadores
pticos de semicondutor raramente so utilizados como amplificadoresem
linha, devido a questes relacionadas a perda de insero, sensibilidade de
polarizao e efeitos no lineares, como saturao de ganho cruzado e
interferncia entre canais. Embora, em anos recentes, tenham despertado
renovado interesse para aplicaes em sistemas de WDM esparso, amplificadores pticos de semicondutor no sero mais discutidos neste captulo.
Amplificadores paramtricosbaseados na mistura de quatro ondas em
fibras pticasdespertaram bastante interesse em anos recentes [6][9].Tais
amplificadores tambm no so discutidos aqui, pois ainda esto longe de
serem empregados em sistemas de ondas luminosas prticos. Em contraste,
empregam-se amplificadores a fibras dopadas rotineiramente, e amplificadores Raman tambm tm sido utilizados em alguns sistemas WDM. Esses dois
tipos de amplificadores so discutidos em detalhes nas duas sees a seguir.
357
358
Figura 7.3 (a) Diagrama de nveis de energia de ons de rbio em fibras de slica; (b)
espectro de absoro ou ganho de um EDFA cujo ncleo foi dopado com germnia.
(Aps a Ref. [16]; 1991 IEEE.)
359
Gerenciamento de Perdas
g 0 ( z, ) = g( z, , 0 ) f ( 0 )d 0 ,
(7.2.1)
sendo f(w0) a funo de distribuio, cuja forma tambm depende da presena de outros dopantes no ncleo da fibra.
O fator pelo qual um fraco sinal de entrada amplificado obtido
integrando a Eq. (7.2.1) no comprimento L do amplificador. Se desprezarmos as perdas da fibra, devido ao pequeno comprimento de fibra (10 m)
empregado na fabricao de um EDFA, o fator de amplificao fornecido
L
por G( ) = exp 0 g 0 ( z, )dz . Embora G(w) tambm seja referido como
360
N 2
N
= ( pa N 1 pe N 2 ) p + ( sa N 1 se N 2 ) s 2 ,
t
T1
(7.2.2)
(7.2.3)
N 1
N
= ( pe N 2 pa N 1 ) p + ( se N 2 sa N 1 ) s + 2 ,
T1
t
Ps
= s ( se N 2 sa N 1 )Ps Ps ,
z
(7.2.4)
361
Gerenciamento de Perdas
Pp
= p ( ep N 2 ap N 1 )Pp Pp ,
z
(7.2.5)
T1 Ps
sT1 Pp
,
ad h s z ad h p z
(7.2.6)
G = exp s
L
0
[ g( z ) ]dz .
(7.2.7)
362
Figura 7.4 Ganho de pequeno sinal em funo de (a) potncia de bombeamento e (b)
comprimento do amplificador, para uma EDFA bombeado em 1,48mm. (Aps a Ref.
[16]; 1991 IEEE.)
363
Gerenciamento de Perdas
(SNR)in
,
(SNR)out
(7.2.8)
(SNR)in =
( Rd Pin )2
I 2
Pin
=
=
,
2
2q( Rd Pin )f
2hf
s
(7.2.9)
364
s2 = 2q( Rd Pin )f
(7.2.10)
(7.2.11)
em que I0 a frequncia portadora do sinal sendo amplificado. O parmetro nsp denominado fator de emisso espontnea (ou fator de inverso de
populao), fornecido por:
(7.2.12)
nsp = e N 2 / ( e N 2 a N 1 ).
em que N1 e N2 so as populaes atmicas para os estados bsico e excitado,
respectivamente. O efeito da emisso espontnea adicionar flutuaes ao
sinal amplificado, as quais, durante o processo de fotodeteco, so convertidas em flutuaes de corrente.
A contribuio dominante ao rudo do receptor vem do batimento da emisso espontnea com o sinal [26]. A radiao emitida espontaneamente misturada com o sinal amplificado, produzindo a corrente
2
I = Rd GE in + E sp no fotodetector de responsividade R. Notando que Ein
e Esp oscilam em frequncias distintas e guardam uma defasagem aleatria,
fcil ver que o batimento da emisso espontnea com o sinal produz uma
corrente de rudo I=2Rd(GPin)1/2|Esp|cosu, sendo u uma fase aleatria
de variao rpida. Tomando a mdia na fase, a varincia da fotocorrente
pode ser escrita como:
(7.2.13)
em que cos2u foi substitudo por seu valor mdio 1/2. A SNR do sinal
amplificado , portanto, dada por:
(SNR )out =
( RdGPin )2
GPin
.
2
(4SSAE + 2h )f
(7.2.14)
1 1
Fn = 2nsp 1 + 2nsp ,
G G
(7.2.15)
Gerenciamento de Perdas
Figura 7.5 (a) Figura de rudo e (b) ganho do amplificador em funo do comprimento,
para diversos nveis de bombeamento. (Aps a Ref. [25]; 1990 IEE.)
365
366
Gerenciamento de Perdas
EDFA seja relativamente largo, como visto na Figura7.3, o ganho est longe
de ser uniforme (ou plano) em uma larga faixa de comprimentos de onda.
Em consequncia, diferentes canais de um sinal WDM so amplificados
por diferentes fatores, problema que se torna bastante severo em sistemas
de longas distncias que empregam uma cadeia de EDFAs. Isso ocorre,
pois pequenas variaes no ganho do amplificador para canais individuais
crescem exponencialmente ao longo de uma cadeia de amplificadores em
linha. At mesmo uma diferena de ganho de 0,2dB cresce a 20dB ao
longo de uma cadeia de 100 amplificadores em linha, fazendo com que as
potncias dos canais variem por um fator de at 100, uma faixa de variao
inaceitvel na prtica. Para amplificar todos os canais com praticamente o
mesmo ganho, a natureza de duplo pico do espectro de ganho do EDFA
obriga o empacotamento de todos os canais nas proximidades de um dos
picos de ganho, reduzindo consideravelmente a largura de ganho til.
Toda a largura de banda de aproximadamente 40nm pode ser usada se
o espectro de ganho for aplainado com a introduo de perdas dependentes
do comprimento de onda. A ideia bsica do aplainamento de ganho muito
simples. Se um filtro ptico cujas perdas de transmisso reproduzem o perfil
de ganho (alta na regio de alto ganho e baixa na regio de baixo ganho) for
inserido aps a fibra dopada, a potncia de sada ser praticamente constante
para todos os canais. Embora a fabricao de um filtro desse tipo no seja
simples, diversas tcnicas de aplainamento de ganho foram desenvolvidas [2].
Entre outras, filtros de interferncia de filmes finos, filtros de Mach-Zehnder,
filtros acusto-pticos e grades de difrao de longo perodo em fibra tm sido
usados para aplainar o perfil de ganho e equalizar os ganhos de canais [34][36].
As tcnicas de aplainamento de ganho podem ser dividas nas categorias
ativa e passiva. Os mtodos baseados em filtros so passivos, no sentido de que
no se podem ajustar ganhos de canais de modo dinmico. A localizao do
prprio filtro ptico requer algum cuidado, devido s altas perdas associadas
a ele. O posicionamento do filtro antes do amplificador aumenta o rudo,
enquanto seu posicionamento aps o amplificador reduz a potncia de sada.
comum o emprego de uma configurao de dois estgios, como a ilustrada
na Figura7.6. O segundo estgio atua como um amplificador de potncia,
mas a figura de rudo determinada em especial pelo primeiro estgio,
cujo rudo relativamente baixo, devido ao baixo ganho. Uma combinao
de diversas grades de difrao de longo perodo em fibra atuando como
filtro ptico no meio dos dois estgios resultou, em 1997, em um EDFA
cujo ganho era plano, com tolerncia de 1dB, em uma largura de banda
de 40nm, na regio de comprimentos de onda de 15301570nm [37].
Idealmente, um amplificador ptico deve prover o mesmo ganho para
todos os canais, em todas as possveis condies de operao. Em geral, esse
no o caso. Por exemplo, se o nmero de canais transmitidos for alterado,
367
368
Figura 7.6 Diagrama em blocos de um EDFA projetado para prover ganho uniforme
na largura de banda de 15301570nm, usando um filtro ptico que contm vrias
grades de difrao de longo perodo em fibra. A configurao em dois estgios ajuda a
reduzir o nvel de rudo. (Aps a Ref. [37]; 1997 IEEE.)
Gerenciamento de Perdas
369
370
g( , z ) = g R ( )[ Pp ( z )/a p ],
(7.3.1)
Gerenciamento de Perdas
Figura 7.9 Espectro de ganho Raman (razo gR/ap) para fibras padro (SMF), de disperso
deslocada (DSF) e compensadora de disperso (DCF). Perfis de ganho normalizado
tambm so mostrados. (Aps a Ref. [54]; 2001 IEEE.)
371
372
(7.3.3)
Ps (L ) = Ps (0)exp( g R P0 L eff /a p s L ),
(7.3.4)
GA =
Ps (L )
= exp( g 0 L ),
Ps (0)exp( s L )
(7.3.5)
P L g P
g 0 = g R 0 eff R 0 .
a p L a p p L
(7.3.6)
373
Gerenciamento de Perdas
Gs =
(1 + r0 )e s L
,
r0 + G A(1+ r0 )
r0 =
p Ps (0)
.
s Pp (0)
(7.3.7)
374
Gerenciamento de Perdas
Figura 7.12 Ganho Raman composto (b) para um amplificador Raman bombeado por
cinco lasers com diferentes comprimentos de onda e potncias relativas (a) escolhidas
para provimento de ganho quase uniforme em uma largura de banda de 80nm. (Aps
a Ref. [54]; 2001 IEEE.)
375
376
de ganho mostrados na parte (b), de modo que o ganho Raman total seja
quase uniforme em uma largura de banda de 80nm (curva superior).
Espectros de ganho Raman com largura de banda maior do que 100nm
foram realizados com o emprego de mltiplos lasers de bombeio [61][65].
Em uma demonstrao dessa tcnica em 2000, 100 canais WDM espaados
por 25GHz, cada um operando a uma taxa de bits de 10Gb/s, foram
transmitidos por 320km [63]. Todos os canais foram amplificados simultaneamente por meio de bombeamento contrapropagante de cada segmento
de fibra de 80km com quatro lasers de semicondutor. Esse amplificador
Raman distribudo forneceu 15dB de ganho, com 450 mW de potncia
de bombeamento. Uma indesejvel caracterstica de SRS o ganho Raman
ser sensvel polarizao. Em geral, o ganho mximo quando o sinal e
a bomba so polarizados na mesma direo, e quase zero quando sinal
e bomba so polarizados em direes ortogonais. O problema da polarizao
pode ser resolvido bombeando o amplificador Raman de modo que sejam
utilizados dois lasers com polarizaes ortogonais em cada comprimento
de onda, ou despolarizando a sada de cada laser de bombeio.
O projeto de amplificadores Raman de banda larga adequados a aplicaes de WDM requer a considerao de vrios fatores. O mais importante
a incluso de interaes bomba-bomba. Em geral, mltiplos feixes de bombeio tambm so afetados pelo ganho Raman, e alguma potncia de cada
bomba de comprimento de onda curto invariavelmente transferida para
cada bomba de comprimento de onda longo. Um modelo apropriadoque
inclui interaes entre bombas, retroespalhamento Rayleigh e espalhamento
Raman espontneoconsidera cada componente de frequncia separadamente e requer a soluo do seguinte conjunto de equaes acopladas [62]:
dP f ( )
=
dz
>
<
( )P f ( ) + rs Pb ( ),
(7.3.8)
em que g9=gR/Aeff; m e denotam frequncias pticas, enquanto os subscritos f e b denotam ondas copropagantes e contrapropagantes, respectivamente.
Uma equao similar vlida para ondas contrapropagantes. O parmetro
nsp leva em conta o espalhamento Raman espontneo que atua como rudo
para o sinal amplificado. Esse parmetro definido como
(7.3.9)
n () = [1 exp(/k T )]1 ,
sp
377
Gerenciamento de Perdas
dA 1
= g 0 ( z )A s A + f n ( z, t ),
dz 2
2
(7.3.10)
378
f n ( z, t )
dz,
G( z )
G( z ) = exp
an (t )an (t ) = G(L ) dz dz
L
f n ( z, t ) f n ( z , t )
= S ASE(t t ),
G( z )G( z )
(7.3.12)
g0 (z)
dz.
G( z )
(7.3.13)
G( L )
ap
L
0
Pp ( z )
dz,
G( z )
(7.3.14)
Fn =
PASE
g
= nsp R o
Gh 0 f
a p f
L
0
Pp ( z )
dz.
G( z )
(7.3.15)
Gerenciamento de Perdas
379
380
(7.4.1)
SNR o =
Pin
Pin ln G
,
=
tot
PASE 2nsph 0 o LT (G 1)
(7.4.2)
em que Pin a potncia mdia de entrada. A Figura7.13 mostra o comprimento total do enlace LT em funo de LA, para diversos valores da potncia
de entrada, usando a= 0,2dB/km, nsp=1,6, v0=100GHz e assumindo
que uma SNR ptica de 20dB seja necessria para o sistema operar de
modo confivel. Para uma dada potncia de entrada, o espaamento LA entre
amplificadores diminui medida que o comprimento do enlace aumenta.
Embora seja possvel melhorar o espaamento entre amplificadores pelo
aumento da potncia de entrada Pin, na prtica, a mxima potncia que
pode ser lanada limitada pelo surgimento de vrios efeitos no lineares,
381
Gerenciamento de Perdas
Figura 7.13 Mximo comprimento de enlace de sistemas limitados por ASE em funo
do espaamento LA entre amplificadores, para diversos valores da potncia mdia de
sinal lanada em um enlace de fibra com amplificao peridica.
SNR o=
Ps (LT )
Pin
=
,
N A PASE 2N AS ASE o
(7.4.3)
382
Figura 7.14 (a) Densidade espectral da ASE e (b) SNR ptica (OSNR) em funo do ganho
lquido, para um amplificador Raman distribudo, com 100km de comprimento, bombeamento bidirecional, e Pin=1 mW. A frao da potncia de bombeio copropagante
varia de 0 a 100%. (Aps a Ref. [55]; 2003 Springer.)
383
Gerenciamento de Perdas
Figura 7.15 Diagrama em blocos do esquema de pr-amplificao ptica. Um amplificador posicionado imediatamente antes do detector para melhorar sua sensibilidade.
O amplificador adiciona ASE ao sinal e gera rudo adicional na corrente do receptor.
I = Rd (| GE s + Ecp |2 + | Eop |2 ) + i s + iT ,
(7.5.1)
(7.5.2)
384
(7.5.3)
em que isig-sp e isp-sp representam flutuaes de corrente resultantes dos batimentos sinal-ASE e ASE-ASE, respectivamente, dadas por:
M
(7.5.4)
m =1
M M
(7.5.5)
m =1 n =1
(7.5.6)
2
2
sig
sp = 4 R d GPs S ASE f ,
(7.5.7)
(7.5.8)
2 = s2ig sp + s2p sp + s2 + T2 ,
(7.5.9)
2
em que T devido ao rudo trmico, e a varincia de rudo de disparo
tem uma contribuio adicional resultante da mdia na Eq. (7.5.6), ou seja:
(7.5.10)
385
Gerenciamento de Perdas
SNR e =
I 2
Rd2 (GPs + PASE )2
.
=
2
2
2
2
2 sig
sp + sp sp + s + T
(7.5.11)
A importante questo se a SNRe melhorada ou degradada pela amplificao do sinal antes da deteco dele. Para responder a essa questo,
comparemos a Eq. (7.5.11) com a SNR realizada na ausncia do amplificador ptico. Usando G=1 e PASE=0, essa SNR fornecida por:
R 2P 2
SNR e = 2 d s 2 .
s +T
(7.5.12)
SNR e =
GPs
.
(4S ASE + 2h 0 )f
(7.5.13)
SNR e
G T2
=
.
SNR e 4 Rd2 PsS ASE f
(7.5.14)
Como essa razo pode ser feita muito grande com a reduo de Ps e o
aumento do ganho G do amplificador, possvel melhorar a SNR eltrica
por 20dB ou mais, em comparao com o valor obtido sem amplificao.
Essa aparente contradio pode ser entendida observando que o rudo do
2
receptordominado por sig-sp to alto em magnitude que podemos
desprezar o rudo trmico. Em outras palavras, a pr-amplificao ptica
do sinal ajuda a mascarar o rudo trmico, resultando em uma melhora na
SNR. Na verdade, se retermos somente o termo de rudo dominante, a
SNR eltrica do sinal amplificado escrita como:
386
SNR e =
GPs
GPs o
=
.
4S ASE f
2PASE f
(7.5.15)
Esse resultado deve ser comparado com a SNR ptica GPs/PASE. Como visto
na Eq. (7.5.15), em condies idnticas, a SNR eltrica maior por um
fator 0/(2f), pois o rudo de ASE contribui apenas na largura de banda
do receptor f, que muito menor do que a largura de banda do filtro 0.
Figura 7.16 Variao da potncia de sinal Ps e da potncia de ASE PASE ao longo de uma
cadeia de amplificadores pticos em cascata. A potncia total PTOT se torna quase constante aps alguns poucos amplificadores. (Aps a Ref. [78]; 1991 IEEE.)
387
Gerenciamento de Perdas
SNR e =
Rd2 Pin2
Pin
=
,
2
N A sig-sp 4 N AS ASE f
(7.5.16)
em que usamos a Eq. (7.5.7), a qual mostra que a SNR eltrica reduzida
por um fator NA simplesmente porque o rudo de ASE aumenta por esse fator. Contudo, no devemos concluir dessa equao que seja possvel
melhorar o desempenho do sistema posicionando um menor nmero de
amplificadores ao longo do enlace. Como discutido na Seo 7.4.1, se
reduzirmos o nmero de amplificadores, cada um adicionaria mais rudo,
pois teria de operar com maior ganho. O resultado mostrado na Figura7.13
tambm se aplica aqui, pois as SNR ptica e eltrica esto relacionadas por
SNRe/SNRo=0/(2f).
388
gaussiana quando amplificadores pticos so usados, e devemos empregar uma forma mais complicada da PDF para calcular a BER [81][83].
Entretanto, os resultados so muito mais simples se a real PDF for aproximada
por uma gaussiana. Nesta seo, assumiremos que esse o caso.
Com a aproximao gaussiana para o rudo do receptor, podemos usar a
anlise da Seo4.6.1 e concluir que a BER fornecida pela Eq. (4.6.10),
com o fator Q ainda definido como:
Q=
I1 I 0
.
1 + 0
(7.6.1)
2
2
12 = sig-sp
+ sp-sp
+ s2 + T2 ,
2
02 = sp-sp
+ T2 .
(7.6.2)
2
2
No caso de bits 0, s e sig-sp podem ser desprezadas, pois essas duas contribuies de rudo dependem do sinal e, se assumirmos uma alta razo de
extino para a sequncia de bits, so quase nulas para os bits 0. Como o fator
Q especifica a BER completamente, podemos realizar uma BER abaixo de
109 assegurando que Q seja maior do que 6. O valor de Q deve ser maior
do que 7 se for necessria uma BER menor do que 1012.
Outras aproximaes podem ser feitas para o clculo do fator Q. Uma
comparao das Eq. (7.5.7) e (7.5.10) mostra que, na maioria dos casos
2
prticos, s2 pode ser desprezada diante de sig-sp
. O rudo trmico T2
tambm pode ser desprezado diante do termo de batimento dominante,
sempre que a potncia ptica mdia no receptor for relativamente alta (>
0,1 mW). As correntes de rudo 1 e 0 so, ento, bem aproximadas por
2
2
1 = ( sig-sp
+ sp-sp
)1/2 ,
0 = sp-sp .
(7.6.3)
389
Gerenciamento de Perdas
Prec = h 0 Fo f [Q 2 + Q( o / f 21 )1/2 ].
(7.6.4)
N p = 21 Fo [Q 2 + Q(r f 21 )1/2 ],
(7.6.5)
sendo rf=0/f o fator pelo qual a largura de banda do filtro ptico excede
a largura de banda do receptor.
A Eq. (7.6.5) uma expresso notavelmente simples para a sensibilidade
do receptor, e mostra com clareza por que amplificadores com pequena figura de rudo devem ser empregados. Essa equao tambm evidencia como
filtros pticos de banda estreita so capazes de melhorar a sensibilidade do
receptor reduzindo rf. A Figura7.17 mostra N p em funo de rf, para diversos valores da figura de rudo F0, usando Q=6, valor necessrio paramanter
uma BER de 109. O mnimo valor de F0 2, para um amplificador ideal.
390
2
sig-sp
= 4 Rd2 P1PASE / M ,
2
2
sp-sp
= Rd2 PASE
/M ,
(7.6.6)
em que assumimos M = 0 / f 1.
Usando as duas varincias da Eq. (7.6.6) na Eq. (7.6.3), podemos obter
1 e 0. Se calculssemos Q com a ajuda da Eq. (7.6.1), o resultado seria:
Q=
SNRo M
,
2SNRo + 1 + 1
(7.6.7)
sendo SNRo P1/PASE a SNR ptica. Essa relao pode ser facilmente
invertida para fornecer
SNR o =
2Q 2 2Q
+
.
M
M
(7.6.8)
Essas equaes mostram que Q=6 pode ser realizado para valores
relativamente baixos da SNR ptica. Por exemplo, quando M=6, precisamos apenas de SNRO=7,5 para manter Q=6. A Figura7.18 mostra
a variao da SNR ptica com M, para valores de Q na faixa de 4 a 8.
Como visto na figura, a SNR ptica necessria aumenta rapidamente para
M abaixo de 10.
Gerenciamento de Perdas
Figura 7.18 SNR ptica necessria em funo de M, para diversos valores do fator Q.
391
392
Para estudar como o rudo de ASE afetado por instabilidade de modulao, resolvamos a Eq. (7.1.2), assumindo que um sinal CW, com potncia
P0, entra na fibra juntamente com rudo. Escrevendo a soluo na forma
(7.7.1)
B( z, t ) = [ P0 + a( z, t )]exp(i NL ),
em que NL = P0 0 e z dz a defasagem no linear induzida por SPM,
e assumindo que o rudo muito mais fraco do que o sinal (| a |2 P0 ),
obtemos
z
a i 2 2 a
+
= i P0 e z (a + a * ).
2
z 2 t
(7.7.2)
db1 i
= 2 2b1 + i P0 e z (b1 + b2* ),
dz 2
(7.7.3)
db2 i
= 2 2b2 + i P0 e z (b2 + b1* ),
dz 2
(7.7.4)
Gerenciamento de Perdas
393
394
q( z ) =
1
E
i
2E
( z ) =
t | B( z, t )|2 dt,
(7.7.5)
* B
B *
B
dt,
t
t
(7.7.6)
dE
= 0,
dz
dq
= 2 ,
dz
d
= 0.
dz
(7.7.7)
395
Gerenciamento de Perdas
dE
= Ek( z zk ),
dz
k
dq
= 2 + qk( z zk ),
dz
k
(7.7.9)
d
= k( z zk ),
dz
k
(7.7.10)
(7.7.11)
qk =
1
Ek
k =
i
Ek
(7.7.12)
(7.7.13)
b + ik B dt +c .c .
t
(7.7.14)
*
k
396
( qk )2 =
2S ASE
Ek2
(k )2 =
qk k =
iS ASE
2Ek2
(t qk )2 |V ( zk , t )|2 dt,
2S ASE
Ek2
Vt dt,
(t qk )V
(7.7.15)
V *
dt + c .c .,
t
(7.7.16)
(7.7.17)
2
Ek2 = 2S ASE Ek + S ASE
.
(7.7.18)
E2 = Ek2 Ek2 ,
(7.7.19)
397
Gerenciamento de Perdas
caso o termo de perda tenha sido removido da Eq. (7.1.2). Isso leva a uma
relao de recorrncia, Ek=Ek1+dEk, que podemos utilizar para obter a
energia final na sada do ltimo amplificador:
NA
E f = E0 + Ek ,
(7.7.20)
k =1
em que E0 a energia de entrada do pulso e NA o nmero de amplificadores ao longo do enlace de fibra, que tomamos como igualmente espaados.
O valor mdio obtido da Eq. (7.7.20) como:
NA
E f = E0 + Ek = E0 + N AS ASE .
(7.7.21)
k =1
NA
NA NA
k =1
k =1 j =1
E 2f = E02 + 2E0 Ek + E j Ek .
(7.7.22)
(7.7.23)
E = 2N AS ASE E0 .
(7.7.24)
Como esperado, com base na fsica, E varia com o nmero de amplificadores na forma N A ou com o comprimento do enlace na forma LT ,
pois LT=NALA, para espaamento LA entre amplificadores. Mesmo para
um relativamente longo enlace de fibra com 100 amplificadores em cascata,
o nvel das flutuaes de energia permanece abaixo de 10%, considerando
valores tpicos de parmetros.
NA
N A n 1
n =1
n =1 k =1
q f = qn + da k ,
(7.7.25)
398
t2 = q 2f q f
(7.7.26)
(7.7.27)
Figura 7.20 Incerteza temporal induzida pela ASE em funo do comprimento do sistema, para diversos valores da disperso media b2.
Gerenciamento de Perdas
399
400
401
Gerenciamento de Perdas
A out ( ) = G A in ( ) + an ( ),
(7.8.1)
402
Gerenciamento de Perdas
403
404
Gerenciamento de Perdas
de Q necessrio no receptor cai para prximo de 3 (em vez de 7, como assumido na Figura7.23). De fato, em 2004, um sistema WDM de 128 canais,
cada um operando em 10Gb/s, foi capaz de transmitir informao por mais
de 4.000km quando projetado para compensar perdas por amplificao
Raman com bombeamento copropagante a cada segmento de 100km
de fibra de disperso deslocada [130]. Mesmo com o uso de fibras do tipo
padro, o sistema pde ser operado por 3.200km, com espaamento de
80km entre as estaes de bombeio. Nos dois casos, foi necessrio empregar
correo de erro frente, com overhead de 7%. A potncia mdia lanada no
enlacede fibra foi de apenas 5 dBm, e esse valor to baixo foi suficiente
para manter uma SNR ptica de mais de 15dB para todos os canais, devido
ao baixo nvel de rudo associado amplificao distribuda Raman com
bombeamento copropagante. Em geral, o desempenho de sistemas pode
melhorar com gerenciamento de disperso. Retornaremos a essa questo
no Captulo8.
Exerccios
7.1 O perfil lorentziano do coeficiente de ganho g(v) tem 1 THz de largura
de banda de 3dB. Calcule a largura de banda de 3dB quando um
amplificador ptico desse tipo operado para prover ganhos de sinal
de 20 e 30dB. Despreze saturao de ganho.
7.2 Um amplificador ptico capaz de amplificar um sinal de 1mW ao
nvel de 1 mW. Qual a potncia de sada quando um sinal de 1 mW
incide no mesmo amplificador? Assuma que o coeficiente de ganho
sature como g=g0(1+P/Ps)1 e que a potncia de saturao seja de
10 mW.
7.3 Explique o mecanismo de ganho em EDFAs. Use as Eq. (7.2.2)
e (7.2.3) para deduzir uma expresso para o ganho de pequeno sinal
em estado estacionrio.
7.4 Discuta a origem da saturao de ganho em amplificadores Raman
a fibra. Resolva as Eq. (7.3.2) e (7.3.3) com as=ap e deduza a Eq.
(7.3.7) para o ganho saturado.
7.5 Um amplificador Raman bombeado no sentido contrapropagante
usando 1W de potncia. Determine a potncia de sada quando um
sinal de 1mW injetado no amplificador de 5km. Assuma perdas de
0,2 e 0,25dB/km nos comprimentos de onda do sinal e da bomba,
respectivamente, Aeff=50mm2 e gR=61014m/W. Despreze
saturao de ganho.
7.6 Comeando com a equao diferencial A/z=g0A/2+fn(z, t)
e a Eq. (7.1.5), prove que a densidade espectral do rudo de ASE
adicionado por um amplificador concentrado de comprimento la
dada por SASE=nsphv0[exp(g0la)1].
7.7 Refaa o exerccio anterior para um amplificador distribudo para o
qual g0 uma funo de z, e prove que a densidade espectral de rudo
dada pela Eq. (7.3.13).
405
406
REFERNCIAS
[1]
DESUVIRE, E. Erbium-Doped Fiber Amplifiers:Principles and Applications.
Hoboken: Wiley, 1994.
[2]
BECKER, P. C.; OLSSON, N. A.; SIMPSON, J. R. Erbium-Doped Fiber Amplifiers: Fundamentals and Technology. Boston: Academic Press, 1999.
[3]
DESUVIRE, E. etal. Erbium-Doped Fiber Amplifiers: Device and System
Developments. Hoboken: Wiley, 2002.
[4]
AGRAWAL, G. P. Applications of Nonlinear Fiber Optics. 2. ed. Boston: Academic
Press, 2008. Captulo 4.
Gerenciamento de Perdas
[5]
HAUS, H. A. Electromagnetic Noise and Quantum Optical Measurements.
New York: Springer, 2000. Captulo 6.
[6]
AGRAWAL, G. P. Lightwave Technology: Components and Devices. Hoboken:
Wiley, 2004. Captulo 3.
[7]
YAMAN, F. etal. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 3088, 2006.
[8]
KYLEMARK, P. etal. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 870, 2007.
[9]
MARHIC, M. E. Fiber Optical Parametric Amplifiers, Oscillators and Related
Devices. New York: Cambridge University Press, 2007.
[10] KOESTER, C. J.; SNITZER, E. Appl. Opt., v. 3, p. 1182, 1964.
[11] POOLE, S. B. etal. J. Lightwave Technol., v. 4, p. 870, 1986.
[12] SHIMIZU, M. etal. Electron. Lett., v. 26, p. 1641, 1990.
[13] LAMING, R. I. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 3, p. 253, 1991.
[14] MINISCALCO, W. J. J. Lightwave Technol., v. 9, p. 234, 1991.
[15] ZYSKIND, J. L. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 2, p. 869, 1990.
[16] GILES, C. R.; DESURVIRE, E. J. Lightwave Technol., v. 9, p. 271, 1991.
[17] SALEH, A. A. M. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 2, p. 714, 1990.
[18] PEDERSEN, B. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 3, p. 548, 1991.
[19] NAKAGAWA, K. etal. J. Lightwave Technol., v. 9, p. 198, 1991.
[20] JOPSON, R. M.; SALEH, A. A. M. Proc. SPIE., v. 1581, p. 114, 1992.
[21] DELEVAQUE, E. etal. Electron. Lett., v. 29, p. 1112, 1993.
[22] OLSHANSKY, R. Electron. Lett., v. 24, p. 1363, 1988.
[23] YAMADA, M. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 2, p. 205, 1990.
[24] LAMING, R. I.; PAYNE, D. N. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 2, p. 418, 1990.
[25] KIKUCHI, K. Electron. Lett., v. 26, p. 1851, 1990.
[26] YARIV, A. Opt. Lett., v. 15, p. 1064, 1990. KOGELNIK, H.;YARIV, A. Proc. IEEE,
v. 52, p. 165, 1964.
[27] LAMING, R. I.; ZERVAS, M. N.; PAYNE, D. N. IEEE Photon. Technol. Lett.,
v. 4, p. 1345, 1992.
[28] AGRAWAL, G. P. Nonlinear Fiber Optics. 4. ed. Boston: Academic Press, 2007.
[29] KIKUCHI, K. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 5, p. 221, 1993.
[30] MURAKAMI, M.; SAITO, S. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 4, p. 1269, 1992.
[31] DESURVIRE, E.; GILES, C. R.; SIMPSON, J. R. J. Lightwave Technol., v. 7,
p. 2095, 1989.
[32] INOUE, K. etal. Electron. Lett., v. 25, p. 594, 1989.
[33] GILES, C. R.; DESURVIRE, E.; SIMPSON, J. R. Opt. Lett., v. 14, p. 880, 1990.
[34] INOUE, K.; KORNINARO, T.; TOBA, H. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 3,
p. 718, 1991.
[35] YUN, S. H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 11, p. 1229, 1999.
[36] KASHYAP, R. Fiber Bragg Gratings. Boston: Academic Press, 1999.
[37] WYSOCKI, P. F. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 9, p. 1343, 1997.
[38] ZHAO, X.Y.; BRYCE, J.; MINASIAN, R. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron,
v. 3, p. 1008, 1997.
[39] RICHARDS, R. H.; JACKEL, J. L.; ALI, M. A. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron, v. 3, p. 1027, 1997.
[40] LUO, G. etal. J. Lightwave Technol., v. 16, p. 527, 1998.
[41] KARASEK, M.;VALLES, J. A. J. Lightwave Technol., v. 16, p. 1795, 1998.
[42] BONONI, A.; BARBIERI, L. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 1229, 1999.
[43] KARASEK, M.; MENIF, M.; RUSCH, R. A. J. Lightwave Technol., v. 19, p. 933,
2001.
[44] ONO, H. etal. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 490, 1999.
[45] WYSOCKI, P. F.; PARK, N.; DIGIOVANNI, D. Opt. Lett., v. 21, p. 1744, 1996.
[46] MASUDA, M.; KAWAI, S. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 11, p. 647, 1999.
[47] YAMADA, M. etal. Electron. Lett., v. 33, p. 710, 1997.
[48] YAMADA, M. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 10, p. 1244, 1998.
[49] KASAMATSU, T.;YANO,Y.; ONO, T. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 1826, 2002.
[50] ONO, H.;YAMADA, M.; SHIMIZU, M. J. Lightwave Technol., v. 21, p. 2240, 2003.
407
408
Gerenciamento de Perdas
409
CAPTULO 8
Gerenciamento de Disperso
Os amplificadores pticos discutidos no Captulo7 resolvem o problema das
perdas, mas, ao mesmo tempo, pioram o problema da disperso, pois efeitos
dispersivos se acumulam ao longo de toda a cadeia de amplificadores. De
fato, sistemas WDM de longas distncias que fazem uso de amplificadores
so, muitas vezes, limitados por efeitos dispersivos e no lineares, mais do
que pelas perdas da fibra. Entretanto, na prtica, possvel gerenciar o problema da disperso por meio de um apropriado esquema de compensao
de disperso. Este captulo foca vrias dessas tcnicas. A Seo8.1 explica a
ideia bsica do gerenciamento de disperso. A Seo8.2 dedicada a tipos
especiais de fibra desenvolvidos para a compensao de disperso em enlaces
de longas distncias. Diversos tipos de filtros equalizadores de disperso so
discutidos na Seo8.3. Na Seo8.4, considerado o uso de grades de
difrao em fibra para o gerenciamento de disperso. A tcnica de conjugao de fase ptica, tambm conhecida como inverso espectral no meio
do enlace (midspan spectral inversion), discutida na Seo8.5. A Seo8.6
foca vrias tcnicas empregadas nos lados do transmissor e do receptor para
o gerenciamento da disperso em enlaces de mdias distncias. A Seo8.7
trata do gerenciamento de disperso em sistemas de altas velocidades em
que cada canal opera a 40Gb/s ou mais e da compensao da disperso do
modo de polarizao (PMD).
412
c
1
= 2
,
2
16 2 B
8 D B 2
(8.1.1)
Em que b2 est relacionado ao comumente utilizado parmetro de dispersoD pela Eq. (2.3.5). Para fibras de telecomunicaes do tipo padro,
D da ordem de 16ps/(km-nm) nas proximidades de = 1,5mm. A Eq.
(8.1.1) prev que, a uma taxa de bits de 10Gb/s, L no pode exceder 30km
quando esse tipo de fibra usado no projeto de sistemas de ondas luminosas.
A existente rede mundial de cabos de fibra, instalados durante a dcada
de 1980, consiste em mais de 50 milhes de kilometros de fibra padro.
Esse tipo de fibra era adequado aos sistemas de ondas luminosas de segunda e terceira geraes, projetados para operao a taxas de bits de at
2,5Gb/s com menos de 80km de espaamento entre repetidores (sem
amplificadores pticos), no podendo, contudo, ser usado para aumentar
a capacidade dos existentes enlaces de transmisso para sistemas da quarta
gerao (para operao em 10Gb/s, com uso de amplificadores pticos
para compensao de perdas), devido ao limite de 30km imposto pela
disperso, segundo a Eq. (8.1.1). Embora seja possvel fabricar fibras de disperso deslocada, a instalao de novas fibras uma custosa soluo para o
problema de disperso, no sendo uma alternativa vivel na prtica. Por essa
razo, vrios esquemas de gerenciamento de disperso foram desenvolvidos
durante a dcada de 1990 visando tratar do problema de aumento de
capacidade [1][3].
Podemos pensar que possvel resolver o problema de disperso para
novos enlaces de fibra com o emprego de fibras de disperso deslocada e
operao do enlace nas proximidades do comprimento de onda de disperso
zero dessa fibra, de modo que |D| 0. Nessas condies, o desempenho do
sistema fica limitado pela disperso de terceira ordem (TOD Third-Order
Dispersion). A linha tracejada na Figura2.13 mostra a mxima distncia de
transmisso possvel a uma dada taxa de bits B quando D = 0. De fato, tal
sistema capaz de operar por mais de 1.000km, mesmo a uma taxa de bits
de 40Gb/s. Contudo, essa soluo no prtica para sistemas WDM em
funo da mistura de quatro ondas (FWM). Como discutido na Seo2.6.3,
o fenmeno no linear de FWM se torna muito eficiente para baixos valores
do parmetro de disperso D, limitando o desempenho de qualquer sistema
que opere nas proximidades do comprimento de onda de disperso zero
da fibra. Por esse motivo, emprega-se alguma forma de gerenciamento de
disperso em todos os sistemas de longas distncias [2][4].
A ideia bsica de qualquer esquema de gerenciamento de disperso
muito simples e pode ser entendida da equao de propagao de pulsos
413
Gerenciamento de Disperso
= 0,
z
2 t 2
6 t 3
(8.1.2)
A( z, t ) =
1
2
i
i
2
6
H f ( z, ) = exp(i 2 2 z /2 + i 3 3 z /6).
(8.1.4)
Todos os esquemas de gerenciamento de disperso no domnio ptico implementam um filtro ptico cuja funo de transferncia H(w) escolhida
de modo a cancelar o fator de fase associado fibra. Como visto da Eq.
(8.1.3), se H ( ) = H *f (L , ), possvel restaurar o sinal de sada no final
de um enlace de fibra de comprimento L sua forma de entrada. Ademais,
se efeitos no lineares forem desprezveis, tal filtro pode ser posicionado no
lado do transmissor ou do receptor ou em qualquer posio ao longo do
enlace de fibra.
Consideremos a situao mais simples ilustrada esquematicamente na
Figura8.1, na qual se posiciona um filtro de compensao de disperso
imediatamente antes do receptor. Da Eq. (8.1.3), o campo ptico aps o
filtro fornecido por:
414
1
A(L , t ) =
2
i
(0, )H ( )exp 2 2 L + 3 3L it d.
2
(8.1.5)
1
1
2
6
(8.1.6)
sendo m = dm/dwm (m = 0, 1, ...) calculada na frequncia portadora w0.
A fase constante 0 e o retardo temporal 1 no afetam a forma do pulso,
podendo ser ignorados. possvel compensar a fase espectral introduzida
pela fibra por meio da escolha de um filtro ptico tal que 2 = b2L e 3
= b3L. O sinal ser restaurado perfeitamente somente se |H(w)| = 1
e outros termos de ordens superiores na Eq. (8.1.6) forem desprezveis. O
mesmo filtro ptico tambm capaz de reduzir o rudo do amplificador,
caso sua largura de banda seja escolhida apropriadamente.
(8.2.1)
415
Gerenciamento de Disperso
21L1 + 22 L 2 = 0,
31L1 + 32 L 2 = 0.
(8.2.2)
D1L1 + D2 L 2 = 0,
S1L1 + S2 L 2 = 0.
(8.2.3)
(8.2.4)
(8.2.5)
416
A( z, t ) =
1
2
A (0, )exp da ( z ) 2 it d ,
2
(8.2.6)
Gerenciamento de Disperso
DCF de comprimento apropriado no lado do receptor. Na terceira configurao, conhecida como compensao peridica, a disperso compensada
de forma peridica ao longo do enlace. Cada uma dessas configuraes
referida como mapa de disperso, pois fornece um mapa visual da variao
da disperso ao longo do comprimento do enlace. Podemos construir uma
variedade de mapas de disperso combinando diferentes fibras.
Uma questo pertinente : que mapa de disperso o melhor, do ponto
de vista sistmico? No caso de um sistema totalmente linear (nenhum
efeito no linear), os trs esquemas ilustrados na Figura8.2 so idnticos.
Na verdade, qualquer mapa de disperso para o qual da(L) = 0 no fim do
enlace de fibra de comprimento L recuperaria a original sequncia de bits,
independentemente de quanto tenha sida distorcida ao longo do percurso.
Contudo, efeitos no lineares sempre esto presentes, embora o impacto
destes dependa da potncia lanada no enlace de fibra. Quando efeitos no
lineares so includos, as trs configuraes mostradas na Figura8.2 possuem
417
418
Gerenciamento de Disperso
um mdulo de DCF pode exceder 5dB. Tal perda pode ser compensada
aumentando o ganho do amplificador, mas somente custa do aumento da
emisso espontnea amplificada (ASE). Como necessrio manter a potncia
de entrada relativamente baixa para evitar efeitos no lineares, a distncia de
transmisso limitada pelo rudo de ASE.
Novas abordagens foram propostas para resolver o problema associado
DCF padro. Em uma delas, ilustrada esquematicamente na Figura8.3(a),
a DCF foi projetada com dois ncleos concntricos, separados por uma
regio de casca na forma de anel [7]. A diferena relativa de ndice de refrao entre ncleo e casca maior para o ncleo interno (i 2%) do que
para o externo (0 0,3%), e os dimetros dos ncleos so escolhidos de
modo que cada um suporte um nico modo. Os trs parmetros dimensionais a, b e c e os trs ndices de refrao n1, n2 e n3 podem ser otimizados
para projetar DCFs com as desejadas caractersticas de disperso. A curva
cheia na Figura8.3(b) mostra, na regio de 1,55mm, os valores calculados
de D para uma configurao especfica, com a = 1mm, b = 15,2mm,
c = 22mm, i 2% e 0 0,3%. A curva tracejada corresponde a um perfil
de ndice parablico para o ncleo interno. Nos dois casos, o dimetro modal
da ordem de 9mm, valor prximo ao de fibras do tipo padro. Contudo,
como mostrado na Figura8.3(b), o parmetro de disperso de tais DCFs
pode ser muito grande, por exemplo, 5.000ps/(km-nm). A realizao
experimentalde valores to altos de D se revelou difcil. No obstante,
uma DCF com D de 1.800ps/(kn-nm) foi fabricada em 2000 [10]. Para
esse valor de D, um comprimento<1km suficiente para compensar a
disperso acumulada em 100km de fibra padro. A perda de insero
desprezvel para comprimentos to pequenos.
Figura 8.3 (a) Perfis de ndices de refrao de duas DCFs projetadas com ncleos
concntricos, (b) parmetro de disperso em funo do comprimento de onda, para as
mesmas duas configuraes de DCFs. (Aps a Ref. [7]; 1996 IEEE.)
419
420
Figura 8.4 (a) Ilustrao esquemtica de uma DCF feita com fibra de modo de ordem
superior (HOM Higher-Order Mode) e duas grades de difrao de perodo longo (LPGs
LongPeriod Gratings). (b) Variao do parmetro de disperso dessa DCF com o comprimento de onda. (Aps a REf. [19]; 2001 IEEE.)
Gerenciamento de Disperso
uma DCF desse tipo emendada entre duas grades de difrao de perodo
longo em fibra que convertem o modo LP01 no modo LP02 no lado de entrada e, depois, de volta ao modo LP01 no lado de sada [19]. Os conversores
de modos so projetados para terem eficincia de >99% em toda a bandaC.
As caractersticas de disperso medidas em 2km dessa fibra DCF so mostradas na Figura8.4(b). O parmetro D possui um valor de 420ps/(km
-nm) nas proximidades de 1.550nm, valor que varia consideravelmente com
o comprimento de onda, devido grande inclinao da disperso associada
a essa fibra. Tal caracterstica permite compensao de disperso em banda
larga, assegurando que a razo S/D da DCF seja prxima da fibra usada
para a transmisso de dados. Outras caractersticas teis dessa DCF so: insensibilidade polarizao, perda de insero relativamente baixa (< 3,7dB)
e compensao de disperso em toda a banda C. Em 2004, dispositivos
baseados nessa fibra estavam prximos de atingirem o estgio comercial.
Outra abordagem ao projeto de DCFs utiliza fibras de cristal fotnico
[25][31]. Esse tipo de fibra contm, em torno de um ncleo central, um
arranjo bidimensional de capilares com ar que modifica consideravelmente
as caractersticas de disperso da fibra, dependendo dos dimetros dos capilares e do espaamento entre eles [25]. Fibras de cristal de fotnico de dois
ncleos podem prover grandes valores negativos de D, com inclinaes de
disperso que as tornam bastante adequadas compensao de disperso
em banda larga em sistemas WDM [27][30]. A Figura8.5(a) mostra a
seo reta de uma configurao desse tipo de fibra [29], que contm um
anel internode capilares com ar de pequeno dimetro d1envolto por
mltiplos anis de capilares com ar de dimetro d2, maior do que d1.Valores
calculados para o parmetro de disperso D so exibidos na Figura8.5(b) em
funo do comprimento de onda, para trs valores de d2, com d1 = 1,68mm.
possvel realizar a compensao de disperso em uma maior largura de
banda com modificaes na configurao dessas fibras [31].
Figura 8.5 (a) Seo reta de uma fibra de cristal fotnico de dois ncleos e (b) variao
de seu parmetro de disperso com o comprimento de onda, para trs valores de d2,
com d1 = 1,68mm. (Aps a Ref. [29]; 2006 OSA.)
421
422
n( z ) = n + n g cos(2 z / ),
(8.3.1)
dA f /dz = i A f + i Ab ,
(8.3.2)
dAb /dz = i Ab i A f ,
(8.3.3)
423
Gerenciamento de Disperso
2 n 2
,
n g
.
B
(8.3.4)
Fisicamente, d representa a dissintonia do comprimento de onda de Bragg,
k o coeficiente de acoplamento e , o fator de confinamento.
As equaes de modos acoplados podem ser resolvidas analiticamente,
devido natureza linear delas. A maior parte da luz incidente refletida
quando a frequncia ptica apresenta comprimento de onda prximo ao
comprimento de onda de Bragg. A funo de transferncia da grade de
difrao, que atua como filtro refletivo, dada por [33]:
H ( ) =
i sen(qL g )
Ab (0)
,
=
A f (0) q cos(qL g ) i sen(qL g )
(8.3.5)
2g =
sgn( ) 2/v 2g
,
( 2 2 )3/2
3g =
3 2/v 3g
,
( 2 2 )5/2
(8.3.6)
424
Utiliza-se uma tcnica de apodizao, na prtica, a fim de melhorar a resposta de grades de difrao [24]. Em uma grade de difrao apodizada, a
variao ng do ndice de refrao no uniforme ao longo da grade de
difrao, resultando em k dependente de z.Tipicamente, como ilustrado na
Figura8.6.(a), k uniforme na regio central, de comprimento L0, e varia
gradualmente a zero nos dois lados, ao longo de um comprimento Lt, para
uma grade de difrao de comprimento L L0+2Lt. A Figura8.6(b) mostra o espectro de refletividade medido para uma grade de difrao apodizada,
com 7,5cm de comprimento [34]. A refletividade maior do que 90% na
banda de rejeio, projetada para uma largura de 0,17nm. A abrupta queda
na refletividade nas duas bordas da banda de rejeio ocorre em funo da
apodizao. Em outra abordagem, a grade de difrao fabricada de modo
que k varie linearmente ao longo de seu comprimento. Em um experimento
de 1996, uma grade de difrao desse tipo, com 11cm de comprimento,
foi usada para compensar a GVD adquirida por um sinal de 10Gb/s em
100km de fibra padro [35]. O coeficiente de acoplamento k(z) variava
suavementede 0 a 6cm1 ao longo do comprimento da grade de difrao.
Essa grade de difrao compensou a GVD de 106km para um sinal de
10Gb/s com apenas 2dB de penalidade de potncia, para uma taxa de erro
de bit (BER) de 109. Na ausncia da grade de difrao, a penalidade era
infinitamente grande, devido existncia de um piso de BER.
A variao gradual do coeficiente de acoplamento ao longo do comprimento da grade de difrao tambm pode ser utilizada para a compensao
de disperso quando o comprimento de onda do sinal cai na banda de
Gerenciamento de Disperso
425
426
Figura 8.7 Compensao de disperso por uma grade de difrao em fibra com chirp
linear: (a) perfil de ndice n(z) ao longo do comprimento da grade de difrao; (b) reflexo
de frequncias baixa e alta em diferentes posies na grade de difrao, em funo das
variaes no comprimento de onda de Bragg.
D g = 2n /(c ).
(8.3.7)
427
Gerenciamento de Disperso
(8.3.8)
Figura 8.8 (a) Refletividade e (b) retardo de grupo em funo do comprimento de onda,
para grades de difrao com chirp linear, com refletividades de 50% (linhas cheias) e 95%
(linhas tracejadas) e diferentes valores da frao de apodizao F. A curva mais interna
mostra, para comparao, o espectro de um pulso de 100 ps. (Aps a Ref. [45]; 1996 IEEE.)
428
Figura 8.9 Refletividade e retardo de grupo medidos para uma grade de difrao em
fibra com chirp linear e largura de banda de 0,12nm. (Aps a Ref. [44]; 1996 IEEE.)
Gerenciamento de Disperso
429
430
Figura 8.11 Ilustrao esquemtica de uma grade de difrao amostrada. As reas escurecidas indicam regies de ndice de refrao mais elevado.
431
Gerenciamento de Disperso
n( z ) = n + n g Re Fm exp[2i( 0 + m s )z ] ,
m
(8.3.9)
432
Figura 8.12 Caractersticas de (a) refletividade e (b) disperso de uma grade de difrao
amostrada projetada para 8 canais espaados por 100GHz. (Aps a Ref. [60]; 1999 IEEE.)
n( z ) = n + n g Re{exp[2i ( z / 0 ) + i s ( z )]},
(8.3.10)
Gerenciamento de Disperso
Figura 8.13 (a) Espectro de refletividade de uma grade de difrao com amostragem
de fase fabricada para compensar a disperso de 45 canais na banda C espaados de
100GHz, (b) refletividade e retardo de grupo medidos em funo do comprimento de
onda para o canal central. (Aps a Ref. [65]; 2007 IEEE.)
433
434
(8.4.1)
em que a constante H0 leva as perdas em considerao, |r|2 a refletividade
do espelho frontal e Tr a durao do percurso de ida e volta no interior
da cavidade do filtro. Se as perdas forem constantes em toda a largura de
banda do sinal, |HGT(w)| independer da frequncia, e apenas a fase ser
modificada pelo filtro.
Contudo, a fase (w) de HGT(w) longe do ideal: uma funo peridica
com picos em frequncias que correspondem aos modos longitudinais da cavidade. Nas vizinhanas de cada pico, existe uma regio espectral onde variaes de fase so quase quadrticas em w. O retardo de grupo, g = d(w)/dw,
tambm uma funo peridica. A grandeza 2 dg/dw, relacionada
inclinao do retardo de grupo, representa a disperso total do filtro GT. Nas
frequncias correspondentes aos modos longitudinais, 2 fornecida por:
2 = 2Tr2 r (1 r )/(1 + r )3 .
(8.4.2)
Gerenciamento de Disperso
Figura 8.14 (a) Ilustrao esquemtica de um filtro GT feito com superposio de duas
grades de difrao, (b) refletividade, retardo de grupo e disperso medidos em funo
do comprimento de onda para um dispositivo de 1 cm de comprimento. (Aps a Ref.
[71]; 2003 OSA.)
435
436
Figura 8.15 (a) Dois filtros GT conectados em cascata usando um circulador, (b) retardo
de grupo em funo do comprimento de onda para cada filtro GT e retardo de grupo
total (curva inferior). As linhas escuras mostram a inclinao do retardo de grupo. (Aps
a Ref. [74]; 2004 IEEE.)
437
Gerenciamento de Disperso
H MZ ( ) =
1
[1 + exp(i )] ,
2
(8.4.3)
Figura 8.16 (a) Circuito planar de onda luminosa feito de uma cascata de interfermetros de Mach-Zehnder; (b) vista esticada do dispositivo. (Aps a Ref. [76]; 1994 IEEE.)
438
Figura 8.17 Circuito planar de onda luminosa capaz de compensar disperso e inclinao da disperso. Uma cadeia MZ separada empregada para cada canal WDM.
(Aps a Ref. [80]; 2003 IEEE.)
Gerenciamento de Disperso
Figura 8.18 Trs configuraes de filtros passa tudo baseadas em ressoadores em anel:
(a) simples anel ressonante com defasador embutido; (b) configurao MZ assimtrica;
(c) configurao MZ simtrica. (Aps a Ref. [87]; 1999 IEEE.)
439
440
Figura 8.19 Trs arquiteturas de filtros passa tudo; as caixas marcadas com D e T designam um elemento dispersivo e uma linha de retardo, respectivamente. (Aps a Ref.
[85]; 2003 IEEE.)
A * i 2 2A * 3 3A *
= 0.
z
2 t 2
6 t 3
(8.5.1)
Uma comparao das Eq. (8.1.2) e (8.5.1) mostra que o campo de fase
conjugada A* se propaga com o sinal oposto do parmetro de GVD b2. Essa
observao sugere imediatamente que, se o campo ptico for conjugado
em fase no meio do enlace de fibra, como mostrado na Figura8.20(a), a
441
Gerenciamento de Disperso
A * (L , t ) =
1
2
L
* , exp 2 L 2 it d ,
2
4
(8.5.2)
(8.5.3)
442
A i 2 2A
2
= i A A A,
+
2
z
2 t
2
(8.5.4)
B i 2 2 B
2
+
= i p( z ) B B,
z 2 t 2
(8.5.5)
Gerenciamento de Disperso
Podemos pensar que possvel resolver o problema por meio de amplificao do sinal aps a OPC, de modo que, antes de ser lanada na segunda
metade do enlace de fibra, a potncia de sinal seja igual potncia de entrada. Embora reduza o impacto de SPM, tal abordagem no leva a uma
perfeita compensao dos efeitos dela. A razo para isso pode ser entendida
observando que a propagao do sinal de fase conjugada equivalente
propagao de um sinal temporalmente invertido [109]. Assim, capaz de ocorrer perfeita compensao de SPM apenas se as variaes de potncia forem
simtricas em relao ao ponto mdio do enlace onde OPC efetuada, de
modo que, na Eq. (8.5.5), p(z) = p(L z). Amplificao ptica no satisfaz
essa condio. A Figura8.20(b) mostra as formas real e necessria de p(z).
Podemos chegar perto da compensao de SPM se o sinal for amplificado
com frequncia suficiente para que a potncia no varie muito em cada estgio de amplificao. Essa abordagem, no entanto, no prtica, pois requer
amplificadores espaados por pequenas distncias. O uso de amplificao
Raman distribuda com bombeamento bidirecional tambm pode ajudar,
pois capaz de prover p(z) prximo a 1 ao longo de todo o enlace.
A perfeita compensao dos efeitos de GVD e de SPM por ser realizada
com o emprego de fibras de disperso decrescente, nas quais |b2| cai ao longo
do comprimento da fibra. Para ver como possvel implementar esse esquema,
assumamos que, na Eq. (8.5.5), b2 seja uma funo de z. Aplicando a transformao =
B i
2B
+ b( ) 2 = i B 2 B,
2
t
(8.5.6)
em que b(z) = b2(z)/p(z). Os efeitos de GVD e de SPM so compensados
se b() = b(L), sendo L o valor de em z = L. Essa condio satisfeita
de modo automtico quando b2(z) decresce exatamente da mesma forma
que p(z), de modo que a razo entre essas grandezas permanea constante.
Como p(z) decresce exponencialmente, os efeitos de GVD e de SPM
podem ser compensados em uma fibra de disperso decrescente cuja GVD
diminui na forma eaz. Essa abordagem geral e aplicvel mesmo quando
amplificadores em linha so usados.
443
444
445
Gerenciamento de Disperso
tem valor diferente na segunda metade do enlace. Em consequncia, compensao perfeita ocorre somente se o conjugador de fase for ligeiramente
deslocado do ponto mdio do enlace de fibra. possvel determinar a
posio exata Lp usando a condio b2(ws)Lp = b2(wc)(L Lp), em que L
o comprimento total do enlace. Expandindo b2(wc) em uma srie de Taylor
em torno da frequncia de sinal ws, Lp obtido como:
Lp
+
= 2 c 3 ,
L
2 2 + c 3
(8.5.7)
446
Gerenciamento de Disperso
kilometros. Essa questo foi estudada exaustivamente por meio de simulaes numricas. Em um conjunto de simulaes, um sinal de 10Gb/s
pde ser transmitido por 6.000km quando a potncia mdia lanada foi
mantida abaixo de 3 mW a fim de reduzir os efeitos da no linearidade da
fibra [99]. Em outro estudo, foi observado que o espaamento entre amplificadores desempenhava papel importante; uma transmisso por 9.000km
foi possvel, com amplificadores espaados por 40km [102]. A escolha do
comprimento de onda de operao em relao ao comprimento de onda
de disperso zero da fibra tambm foi crtica. No caso de disperso anmala
(b2<0), possvel que variaes peridicas da potncia de sinal ao longo
do enlace de fibra levem gerao de bandas laterais adicionais por meio
de uma instabilidade conhecida como instabilidade de banda lateral [115],
a qual pode ser evitada caso o parmetro de disperso seja relativamente
grande (D>10ps/(km-nm). Esse o caso de fibras do tipo padro nas
proximidades de 1,55mm.
Em geral, a mxima distncia de transmisso para a tcnica de OPC
depende de muitos fatores, como eficincia de FWM, potncia de entrada
e espaamento entre amplificadores [100]. Caso um mapa de disperso
adequadamente projetado seja usado em combinao com OPC, possvel
suprimir a instabilidade de banda lateral e aumentar a distncia de transmisso alm de 10.000km [104]. Em um experimento de 2005, um conjugador
de fase baseado em PPLN permitiu a compensao da disperso adquirida
ao longo de 10.200km por 22 canais, operando em 20Gb/s e espaados
447
448
449
Gerenciamento de Disperso
D g ( ) =
d g 2 d
=
d c d
Lg
0
n ( z ) dz ,
(8.6.1)
Figura 8.23 Retardo de grupo em funo do comprimento de onda para uma grade de
difrao com chirp no linear, para vrias tenses aplicadas. (Aps a Ref. [116]; 1999 IEEE.)
450
Figura 8.24 (a) Espectro de reflexo e (b) GVD total em funo da tenso para uma grade
de difrao em fibra com gradiente de temperatura. (Aps a Ref. [118]; 2000 IEEE.)
Gerenciamento de Disperso
Como visto na Seo8.4.2, circuitos planares de ondas luminosas, fabricados com a tecnologia de slica sobre silcio, podem ser usados como
compensadores sintonizveis de disperso [79][81]. O emprego de uma
grade de difrao em arranjo de guia de onda (AWG) baseado nessa tecnologia representa outra abordagem para a realizao de disperso sintonizvel.
A Figura8.26 mostra, esquematicamente, um dispositivo desse tipo [131],
que consiste em um AWG anexado a um circuito planar de onda luminosa
(PLC Planar Lightwave Circuit) baseado em polmero, contendo uma lente
451
452
453
Gerenciamento de Disperso
L 0,034( 3 B 3 )1.
(8.6.2)
454
Figura 8.29 (a) Compensao de disperso de terceira ordem por conexo em cascata
de duas idnticas grades de difrao em fibra (FG Fiber Grating). (b) Resultante retardo
de grupo (linha cheia) com parbola (linha pontilhada) superposta. (Aps a Ref. [140];
2000 IEEE.)
Gerenciamento de Disperso
455
456
Gerenciamento de Disperso
457
458
B 2 L < (10D p )2 .
(8.6.3)
Podemos usar essa condio para estimar a mxima distncia limitada por
PMD em que o sistema capaz de operar a uma dada taxa de bis B. No
caso dos velhos enlaces de fibra padro instalados, a condio (8.6.3)
se torna B2L<104(Gb/s)2/km, se usarmos D p = 1ps/ km como valor
representativo. Para B = 10Gb/s, tais fibras requerem compensao de
PMD quando o comprimento do enlace ultrapassa 100km. Em contraste,
fibras modernas tm, tipicamente, Dp abaixo de 0,1ps/ km. Para sistemas
projetados com essas fibras, B2L pode exceder 106(Gb/s)2-km. Em consequncia, a compensao de PMD no necessria em 10Gb/s, mas pode
ser em 40Gb/s, se o comprimento do enlace ultrapassar 600km. Devemos
ressaltar que a Eq. (8.6.3) fornece apenas uma estimativa de uma ordem de
grandeza. Alm disso, possvel relaxar tal condio quando se emprega a
tcnica de correo de erro frente (FEC) no receptor [165].
A discusso anterior mostra que PMD pode limitar o desempenho de
sistemas de longas distncias quando a taxa de bits por canal maior do que
10Gb/s. Por essa razo, tcnicas para a compensao de PMD despertaram
interesse j em 1994 e, desde ento, continuaram a evoluir [173][188].
Aqui, focaremos tcnicas pticas; tcnicas eltricas sero focadas na prxima
seo. A Figura8.32 mostra a ideia bsica da compensao de PMD [180],
que consiste em um controlador de polarizao seguido por um elemento
birrefringente, como uma fibra mantenedora de polarizao. Uma malha
de realimentao que mede o grau de polarizao usa essa informao para
ajustar o controlador de polarizao.
Figura 8.32 Diagramas em blocos de dois compensadores de PMD. PC, PMF, DOP e
PSP significam, respectivamente, controlador de polarizao (Polarization Controller),
fibra mantenedora de polarizao (Polarization-Maintaining Fiber), grau de polarizao
(Degree of polarization) e estado principal de polarizao (Principal State of Polarization).
(Aps a Ref. [180]; 2004 IEEE.)
Gerenciamento de Disperso
459
460
461
Gerenciamento de Disperso
da =
L
0
2 ( z )dz,
(8.7.1)
H ( ) = exp[ i( IF )2 da /2],
(8.7.2)
restaura o sinal sua forma original [192]. Em 1992, uma linha de microfita,
com 31,5cm de comprimento, foi usada para equalizao de disperso [193],
possibilitando a transmisso de um sinal de 8Gb/s por 188km de fibra
padro. Em um experimento de 1993, a tcnica foi estendida deteco
homdina [194], e um sinal de 6Gb/s pde ser recuperado no receptor
aps propagao por 270km de fibra padro. Linhas de microfita podem ser
projetadas para compensar a GVD adquirida em comprimentos defibra de
at 4.900km, para um sistema de onda luminosa operando a uma taxade
bits de 2,5Gb/s [195].
No caso de receptores com deteco direta, nenhuma tcnica de equalizao linear baseada em filtros pticos capaz de recuperar um sinal
que tenha se espalhado para fora do bit slot alocado. Diversas tcnicas de
equalizao no lineares foram desenvolvidas, permitindo a recuperao do
sinal degradado [191]. Em um mtodo, o limiar de deciso, normalmente
mantido fixo no centro do diagrama de olho, variado de bit para bit,
462
(8.7.3)
L=
C + 1 + 2C 2
LD ,
1+ C 2
(8.7.4)
Gerenciamento de Disperso
463
464
(8.7.5)
1 + iC t 2
E(0, t ) A0 exp
exp(i0t ),
2 T0
(8.7.6)
C = 2m0T02 .
(8.7.7)
(8.7.8)
465
Gerenciamento de Disperso
(8.7.9)
1 + iC t 2
A(0, t ) P0 exp
exp(i L m P0 ),
2 T0
(8.7.10)
466
Gerenciamento de Disperso
467
468
Em uma diferente abordagem a esse problema, a GVD foi pr-compensada usando apenas modulao em intensidade do sinal ptico [226].
primeira vista, tal abordagem devia falhar, pois a transformada fornecida
na Eq. (8.7.3) no pode ser realizada por meio de pura modulao em
Gerenciamento de Disperso
469
470
Figura 8.37 Equalizador eletrnico de disperso combinando equalizadores de alimentao antecipada e de realimentao de deciso em srie. (Aps a REf. [229]; 2004 IEEE.)
N 1
(8.7.11)
m =0
Gerenciamento de Disperso
471
472
Figura 8.39 Diagrama em blocos de um receptor coerente que recupera as partes real
e imaginria das componentes de polarizao Ex e Ey do sinal ptico com o uso de um
oscilador local. (Aps a Ref. [239]; 2008 OSA.)
it 2
2
exp
.
ida
2da
(8.7.12)
Gerenciamento de Disperso
473
474
Retropropagao Digital
O conhecimento do campo ptico total no receptor permite outra abordagem capaz de compensar no apenas efeitos dispersivos, mas tambm todo
tipo de efeito no linear que degrada o sinal durante a transmisso pelo
enlace de fibra. Essa abordagem conhecida como retropropagao digital,
sendo baseada em uma ideia simples: a retropropagao numrica do sinal
recebido, implementada com processamento de sinal digital, deve recuperar
completamente o campo ptico original registrado no lado do transmissor,
se todos os parmetros do enlace de fibra forem conhecidos. Essa ideia despertou interesse em anos recentes, devido ao potencial para compensao
simultnea de todas as degradaes [242][245].
A implementao digital em tempo real da retropropagao do sinal
recebido no fcil, devido limitao de velocidade dos circuitos eletrnicos atuais [242]. Na prtica, cada canal WDM transladado banda
bsica (sem a portadora ptica) usando deteco coerente, resultando em
um sinal complexo Ek = Akexp(ik) para o k-simo canal. O conversor analgico-digital deve amostrar esse campo com suficiente resoluo temporal.
Com processamento de sinal digital do estado da arte, o nmero de pontos
amostrais por smbolo relativamente pequeno (2 ou 4), e devemos adotar
superamostragem a fim de assegurar suficiente resoluo temporal. Contudo,
no possvel processar simultaneamente todo o sinal temporal. Em geral,
empregado um esquema paralelo que usa um filtro de resposta impulsional
finita, em vez da convencional tcnica da transformada de Fourier. Essa
tcnica foi empregada em um experimento de 2008, no qual trs canais
WDM de 6 Gbaud foram transmitidos por 760km usando o formato PSK
binrio, resultando em melhor desempenho do que outras duas tcnicas de
compensao de disperso [244].
A compensao de canais WDM multiplexados em polarizao mais
complicada, pois requer, para cada canal, a recuperao das duas componentes de polarizao do sinal ptico e sua retropropagao digital por meio
da soluo de duas equaes NLS acopladas. Em um experimento de 2009
[245], um esquema de deteco similar ao da Figura8.39 foi empregado para
recuperar as amplitudes e fases das duas componentes de polarizao depois
que trs canais WDM de 6 Gbaud foram transmitidos por 1440km em um
anel de fibra recirculante de 80km. As amplitudes complexas digitizadas
foram retropropagadas com o mtodo de passo alternado de Fourier [110].
O fator Q do canal central aps retropropagao dependia do tamanho do
passo, e aumentou de um valor baixo de 4,5dB para prximo de 14dB
com um passo relativamente grande de 20km. Esses resultados mostram
ser provvel que, com os contnuos avanos da eletrnica, retropropagao
se torne uma tcnica prtica.
Gerenciamento de Disperso
Exerccios
8.1 Qual a distncia de transmisso limitada por disperso para um sistema
de onda luminosa de 1,55mm que utiliza modulao direta a 10Gb/s?
Assuma que chirp de frequncia alarga o espectro do pulso gaussiano
por um fator de 6, em relao largura limitada por transformada. Use
D = 17ps/(km-nm) para a disperso da fibra.
8.2 Que melhora esperada na distncia de transmisso limitada por disperso se um modulador externo for utilizado no lugar de modulao
direta para o sistema de onda luminosa do Exerccio 7.1?
8.3 Resolva a Eq. (8.1.2) com o mtodo da transformada de Fourier. Use
a soluo para obter uma expresso analtica para a forma do pulso
depois de o pulso gaussiano de entrada ter se propagado at z = L em
uma fibra com b2 = 0.
8.4 Use o resultado do exerccio anterior e faa um grfico da forma do
pulso depois de um pulso gaussiano com largura completa a meia altura
(FWHM) de 1 ps ser transmitido por 20km de fibra de disperso deslocada com b2 = 0 e b3 = 0,08ps3/km. Como a forma do pulso se
altera se o sinal de b3 for invertido?
8.5 Use a Eq. (8.1.3) e faa um grfico das formas de pulso para C = 1,
0 e 1, quando pulsos gaussianos com chirp e 50 ps de largura (FWHM)
so transmitidos por 100km de fibra padro com D = 16ps/(km-nm).
Despreze a disperso de terceira ordem.
8.6 A funo de transferncia de um filtro ptico dada por
H ( ) = exp[ (1 + ib ) 2 / 2f ]
Qual a resposta impulsional desse filtro? Use a Eq. (8.1.5) para
determinar a forma do pulso na entrada de uma fibra de comprimento
L. Como voc otimizaria o filtro para minimizar o efeito da disperso
da fibra?
8.7 Use o resultado do exerccio anterior e compare as formas de pulso
antes e depois do filtro, quando pulsos gaussianos de 30 ps (FWHM)
so propagados por 100km de fibra com b2 = 20ps2/km. Assuma
que a largura de banda do filtro seja igual largura espectral do pulso e
que o parmetro b do filtro seja otimizado. Qual o valor timo de b?
8.8 Usando a Eq. (8.1.5), prove que uma DCF capaz de prover compensao de disperso em toda a banda C quando a razo S/D da DCF
casada da fibra usada para construir o enlace de transmisso.
8.9 Resolva as Eq. (8.3.2) e (8.3.3) e mostre que a funo de transferncia
de uma grade de difrao de Bragg , de fato, dada pela Eq. (8.3.5).
8.10 Escreva um programa de computador para resolver as Eq. (8.3.2) e (8.3.3)
para grades de difrao em fibra com chirp para as quais d e k variam
com z. Use-o para fazer grficos da amplitude e fase da refletividade de
uma grade de difrao em que o perodo varia linearmente de 0,01% ao
longo do comprimento de 10cm.Assuma kL = 4 e que o comprimento
de onda de Bragg seja 1,55mm na entrada da grade de difrao.
475
476
REFERNCIAS
[1]
GNAUCK, A.; JOPSON, R.In: KAMINOW, I. P., KOCH,T. L. (Eds.). Optical Fiber
Telecommunications, v. 3A. Boston: Academic Press, 1997. Captulo 7.
[2]
ZYSKIND, J. etal. In: KAMINOW, I. P.; LI, T. (Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 4B. Boston: Academic Press, 2002. Captulo 7.
Gerenciamento de Disperso
[3]
WILLNER, A. E.; HOANCA, B.In: KAMINOW, I. P., LI, T., (Eds.). Optical Fiber
Telecommunications IV, v. 4B. Boston: Academic Press, 2002. Captulo 14.
[4]
SUZUKI, M.; EDAGAWA, N. J. Lightwave Technol., v. 21, p. 916, 2003.
[5]
LIN, C.; KOGELNIK, H.; COHEN, L. G. Opt. Lett., v. 5, p. 476, 1980.
[6]
ANTOS, A. J.; SMITH, D. K. J. Lightwave Technol., v. 12, p. 1739, 1994.
[7]
THYAGARAJAN, K. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 8, p. 1510, 1996.
[8]
ONISHI, M. etal. Fiber Integ. Opt., v. 16, p. 277, 1997.
[9]
LIU, J. etal. Fiber Integ. Opt., v. 18, p. 63, 1999.
[10] AUGUSTE, J. -L. etal. Electron. Lett., v. 36, p. 1689, 2000.
[11] GRNER-NIELSEN, L. etal. Opt. Fiber Technol., v. 6, p. 164, 2000.
[12] GRNER-NIELSEN, L. etal. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 3566, 2005.
[13] TKACH, R. W. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 7, p. 1369, 1995.
[14] TAGA, H. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 34, p. 2055, 1998.
[15] CHEN, C. D. etal. Electron. Lett., v. 35, p. 648, 1999.
[16] BAKHSHI, B. etal. Proc. Optical Fiber Commun. Conf., Paper PD2, 2001.
[17] POOLE, C. D. etal. J. Lightwave Technol., v. 12, p. 1746, 1994.
[18] EGUCHI, M.; KOSHIBA, M.;TSUJI,Y. J. Lightwave Technol., v. 14, p. 2387, 1996.
[19] RAMACHANDRAN, S. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 632, 2001.
[20] EGUCHI, M. J. Opt. Soc. Am. B., v. 18, p. 737, 2001.
[21] RAMACHANDRAN, S. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 3426, 2005.
[22] YOUNGQUIST, R. C.; BROOKS, J. L.; SHAW, H. J. Opt. Lett., v. 9, p. 177, 1984.
[23] POOLE, C. D.; TOWNSEND, C. D.; NELSON, K. T. J. Lightwave Technol., v. 9,
p. 598, 1991.
[24] KASHYAP, R. Fiber Bragg Gratings. 2. ed. Boston: Academic Press, 2009.
[25] BIRKS, T. A. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 11, p. 674, 1999.
[26] SHEN, L. P. etal. Technol. Lett., v. 15, p. 540, 2003.
[27] NI,Y. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 1516, 2004.
[28] FUJISAWA, T. etal. Opt. Express, v. 14, p. 893, 2006.
[29] YANG, S. etal. Opt. Lett., v. 31, p. 2830, 2006.
[30] MATSUI, T.; NAKAJIMA, K.; SANKAWA, I. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 757,
2007.
[31] KIM, S.; KEE, C. -S. Opt. Express, v. 17, p. 15885, 2009.
[32] LAM, D. K. W.; GARSIDE, B. K.; HILL, K. O. Opt. Lett., v. 7, p. 291, 1982.
[33] AGRAWAL, G. P. Lightwave Technology: Components and Devices. Hoboken:
Wiley, 2004.
[34] EGGLETON, B. J.; DE STERKE, C. M.; SLUSHER, R. E. J. Opt. Soc. Am. B.,
v. 16, p. 587, 1999.
[35] EGGLETON, B. J. etal. Electron. Lett., v. 32, p. 1610, 1996.
[36] STEPHENS, T. etal. Electron. Lett., v. 32, p. 1599, 1996.
[37] LITCHINISTER, N. M.; EGGLETON, B. J.; PEARSON, D. B.{BJ}{/B}. Lightwave
Technol., v. 15, p. 1303, 1997.
[38] HINTON, K. J. Lightwave Technol., v. 15, p. 1411, 1997.
[39] OUELLETTE, F. Opt. Lett., v. 12, p. 622, 1987.
[40] HILL, K. O. etal. Electron. Lett., v. 30, p. 1755, 1994.
[41] KRUG, P. A. etal. Electron. Lett., v. 31, p. 1091, 1995.
[42] LOH, W. H. etal. Electron. Lett., v. 31, p. 2203, 1995.
[43] LOH, W. H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 8, p. 944, 1996.
[44] LOH, W. H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 8, p. 1258, 1996.
[45] ATKINSON, D. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 8, p. 1085, 1996.
[46] ENNSER, K.; ZERVAS, M. N.; LAMING, R. I. IEEEJ. Quantum Electron., v. 34,
p. 770, 1998.
[47] CHERNIKOV, S.V.; TAYLOR, J. R.; KASHYAP, R. Opt. Lett., v. 20, p. 1586, 1995.
[48] AGRAWAL, G. P.; RADIC, S. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 6, p. 995, 1994.
[49] ZHANG, L. etal. Electron. Lett., v. 31, p. 477, 1995.
[50] GNAUCK, A. H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 11, p. 1503, 1999.
[51] GARRETT, L. D. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 11, p. 484, 1999.
477
478
Gerenciamento de Disperso
479
480
[144] KAEWPLUNG, P.; ANGKAEW, R.; KIKUCHI, K. IEEE Photon. Technol. Lett.,
v. 13, p. 293, 2001.
[145] GOH, C. S.; SET, S. Y.; KIKUCHI, K. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 524,
2004.
[146] MATSUMOTO, S. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 1095, 2004.
[147] LNUI, T. etal. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 2039, 2005.
[148] KWON, J. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 118, 2006.
[149] DABARSYAH, B. etal. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 2711, 2007.
[150] SHU, X. etal. Opt. Express, v. 16, p. 12090, 2008.
[151] KIM, S. etal. Opt. Express, v. 17, p. 4336, 2009.
[152] KAWANISHI, S. etal. Electron. Lett., v. 32, p. 916, 1996.
[153] NAKAZAWA, M. etal. Electron. Lett., v. 34, p. 907, 1998.
[154] YAMAMOTO, T. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 355, 2000.
[155] PELUSI, M. D. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 795, 2000.
[156] NAKAZAWA, M.; YAMAMAOTO, T.; TAMURA, K. R. Electron. Lett., v. 36,
p. 2027, 2000.YAMAMOTO, T.; NAKAZAWA, M. Opt. Lett., v. 26, p. 647, 2001.
[157] WEBER, H. G. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 4616, 2006.
[158] POOLE, C. D.; NAGEL, J. In: KAMINOW, I. P., KOCH, T. L. (Eds.). Optical Fiber
Telecommunications, v. 3A. San Diego: Academic Press, 1997. Captulo 6.
[159] KARLSSON, M.; BRENTE1, J.; ANDREKSON, P. A. J. Lightwave Technol., v. 18,
p. 941, 2000.
[160] KOGELNIK, H.; JOPSON, R. M.; NELSON, L. E.In: KAMINOW, I. P. LI, T., (Eds.).
Optical Fiber Telecommunications, v. 4A. Boston:Academic Press, 2002. Captulo 15.
[161] WILLNER, A. E. etal. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 106, 2004.
[162] BLOW, H. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 10, p. 696, 1998.
[163] KHOSRAVANI, R.; WILLNER, A. E. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 296,
2001.
[164] LU, P.; CHEN, L.; BAO, X. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 1805, 2002.
[165] SUNNERUD, H. etal. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 2204, 2002.
[166] DAMASK, J. N. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 48, 2003.
[167] KISSING, J.; GRAVEMANN, T.; VOGES, E. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15,
p. 611, 2003.
[168] WINZER, P. J.; KOGELNIK, H.; RAMANAN, K. IEEE Photon. Technol. Lett.,
v. 16, p. 449, 2004.
[169] FORESTIERI, E.; PRATI, G. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 988, 2004.
[170] BIONDINI, G.; KATH, W. L.; MENYUK, C. R. J. Lightwave Technol., v. 22,
p. 1201, 2004.
[171] BORODITSKY, M. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 345, 2005.
[172] CVIJETIC, N.; WILSON, S. G.; QIAN, D.Y. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 2118,
2008.
[173] TAKAHASHI, T.; IMAI, T.; AIKI, M. Electron. Lett., v. 30, p. 348, 1994.
[174] FRANCIA, C. etal. Electron. Lett., v. 35, p. 414, 1999.
[175] NO, R. etal. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 1602, 1999.
[176] MERKER,T.; HAHNENKAMP, N.; MEISSNER, P. Opt. Commun., v. 182, p. 135,
2000.
[177] PUA, H.Y. etal. J. Lightwave Technol., v. 18, p. 832, 2000.
[178] SUNNERUD, H. etal. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 368, 2002.
[179] NO, R.; SANDEL, D.; MIRVODA,V. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron.,
v. 10, p. 341, 2004.
[180] LANNE, S.; CORBEL, E. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 1033, 2004.
[181] MADSEN, C. K. etal. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 1041, 2004.
[182] HAUNSTEIN, H. F. etal. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 1169, 2004.
[183] PHUA, P. B.; HAUS, H. A.; LPPEN, E. P. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 1280, 2004.
[184] KIECKBUSCH, S. etal. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 165, 2005.
[185] YAN, L. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 3992, 2006.
[186] MIAO, H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 20, p. 545, 2008.
Gerenciamento de Disperso
481
482
[230] CURRI,V. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 2556, 2004.
[231] AGAZZI, O. E. etal. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 749, 2005.
[232] FOGGI, T. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 3073, 2006.
[233] GENE, J. M. etal. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 1735, 2007.
[234] BLOW, H.; BUCHALI, F.; KLEKAMP, A. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 158,
2008.
[235] POGGIOLINI, P.; BOSCO, G. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 3041, 2008.
[236] SINGER, A. C.; SHANBHAG, N. R.; BAE, H. -M. IEEE Sig. Proc. Mag., v. 25, 6,
p. 110, 2008.
[237] SAVORY, S. J. etal. Opt. Express, v. 15, p. 2120, 2007.
[238] LP, E.; KAHN, J. M. {J.B}{/B} Lightwave Technol., v. 25, p. 2033, 2007.
[239] SAVORY, S. J. Opt. Express, v. 16, p. 804, 2008.
[240] ALFIAD, M. S. etal. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 3590, 2009.
[241] MCCARTHY, M. E. etal. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 5327, 2009.
[242] LI, X. etal. Opt. Express, v. 16, p. 880, 2008.
[243] LP, E.; KAHN, J. M. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 3416, 2008.
[244] GOLDFARB, G.; TAYLOR, E. M. G.; LI, G. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 20,
p. 1887, 2008.
[245] YAMAN; LI, G. IEEE Photon. Journal, v. 1, p. 144, 2009.
CAPTULO 9
484
influenciam um sistema com gerenciamento de disperso, e como seu impacto pode ser minimizado com adequada escolha de parmetros do sistema.
A 2 2 A
i
+ | A |2 A = ( g 0 )A,
2
z 2 t
2
(9.1.1)
485
U 2 2 U
+ P0 p( z )|U |2 U = 0,
z 2 t 2
(9.1.2)
p( z ) = exp
( [ g (z) (z)]dz) .
z
(9.1.3)
486
Figura 9.1 Mxima distncia de transmisso em funo da potncia mdia de entrada para um sistema de 40Gb/s com gerenciamento de disperso, projetado com
os formatos (a) NRZ e (b) RZ. Os smbolos cheios e vazios mostram dados numricos
obtidos com e sem rudo de amplificador, respectivamente. (Aps a Ref. [8]; 1997 IEEE.)
Figura 9.2 Anel recirculante de fibra usado para demonstrar a transmisso de um sinal
de 10Gb/s por 2.040km de fibra padro. Dois comutadores acusto-ptico (AO) controlam a passagem do sinal pelo anel, BERTS significa conjunto de teste da taxa de erro
de bit (Bit-Error-Rate Test Set). (Aps a Ref. [14]; 1999 IEEE.)
487
488
emprega um anel de fibra em que o sinal ptico forado a recircular numerosas vezes para simular sistemas de ondas luminosas de longas distncias.
Dois comutadores pticos determinam a distncia que uma sequncia de bits
pseudoaleatria circula no anel antes de chegar ao receptor. O comprimento
do anel e o nmero de voltas especificam a distncia de transmisso total. O
anel mostrado na Figura9.2 contm segmentos de 102km de fibra padro
e dois segmentos de 20km de DCFs. Um filtro com largura de banda de
1nm reduz o acmulo do rudo de ASE de banda larga. O sinal de 10Gb/s
pde ser transmitido por 2.040km com os formatos RZ e NRZ, quando
a potncia lanada foi adequadamente otimizada. Contudo, no caso NRZ,
foi necessrio adicionar um segmento de 38km de fibra padro na frente do
receptor para que a disperso no fosse totalmente compensada.
A perfeita compensao de GVD em cada perodo do mapa no , em
geral, a melhor soluo na presena de efeitos no lineares. Uma abordagem
numrica comumente empregada para otimizar o projeto de sistemas de
ondas luminosas com gerenciamento de disperso [4]-[13]. A GVD local deve,
geralmente, ser mantida relativamente grande, enquanto necessrio minimizar
a disperso mdia para todos os canais. Em um experimento de 1998, um sinal
de 40Gb/s foi transmitido por 2.000km de fibra padro usando um novo
mapa de disperso [15]. Com o posicionamento de um amplificador ptico
imediatamente aps a DCF no anel recirculante de fibra, foi possvel aumentar
a distncia para 16.500km, a uma taxa de bits menor, de 10Gb/s [16]. Como
efeitos no lineares no eram desprezveis, possvel que propriedades de sliton
tenham apresentado papel importante nesse experimento (veja a Seo9.2).
Um estudo sistemtico baseado na equao NLS (9.1.2) mostra que,
embora seja possvel utilizar o formato NRZ em 10Gb/s, o formato RS
superior na maioria das situaes prticas para sistemas de ondas luminosas
que operem a taxas de bits de 40Gb/s ou mais [8]-[20]. Mesmo a 10Gb/s,
o formato RZ pode ser usado para projetar sistemas capazes de transmitir
dados por distncias de at 10.000km de fibra padro [22].Tal desempenho
no realizvel com o formato NRZ. Por essa razo, o foco deste captulo
so sistemas de alta velocidade com formato RZ.
489
forma, mesmo que suas amplitudes, largura e chirp sejam alterados durante
a propagao. Como visto na Seo2.4, no caso linear (g=0), um pulso
gaussiano com chirp mantm sua forma funcional. Se efeitos no lineares
forem relativamente fracos em cada segmento de fibra, em comparao com
efeitos dispersivos, provvel que o pulso mantenha sua forma gaussiana
aproximadamente, mesmo com a incluso de efeitos no lineares.
A uma distncia z ao longo da fibra, o envelope de um pulso gaussiano
com chirp tem a forma
1
U ( z, t ) = a exp[ (1 + iC )t 2 /T 2 + i ],
2
(9.1.4)
dT 2 ( z )C
=
,
dz
T
(9.1.5)
( z ) ( z ) p( z )E0
dC
= (1 + C 2 ) 2 2 +
.
dz
T
2 T
(9.1.6)
C(z ) = C0 +
1 + C 02
T02
z
0
2 ( z )dz,(9.1.7)
490
T1 = T0 [(1 + C 0d )2 + d 2 ]1/2 ,
C1 = C 0 + (1 + C 02 )d ,
(9.1.8)
d=
1
T02
L map
0
2 ( z )dz =
2 L map
,
T02
(9.1.9)
Figura 9.3 (a) Largura e (b) chirp do pulso aps sucessivos amplificadores, para diversos
valores da potncia mdia de entrada de um sistema de 40Gb/s com o mapa peridico
de disperso usado na Figura9.1.
Figura 9.4 (a) Largura e (b) chirp do pulso aps sucessivos amplificadores, para trs
valores da potncia mdia de entrada de um sistema de 40Gb/s com o mapa peridico
de disperso usado na Figura9.1.
491
492
Mesmo para Pav=5 mW, a largura do pulso se torna maior do que o bit
slot depois de uma distncia da ordem de 1.000km, e a situao piora para
Pav=10 mW. Portanto, o nvel timo de potncia prximo de 1 mW,
caso o objetivo seja a minimizao do impacto de efeitos no lineares.
Essa concluso concorda com os resultados mostrados na Figura9.1,
obtidos por soluo direta da equao NLS, incluindo efeitos do rudo
de amplificadores.
L D = T02 /| 2 |,
L NL = ( P0 )1 ,
(9.1.10)
493
iL D
U s 2 U L D
+
p( z )|U |2 U = 0,
2
z 2
L NL
(9.1.11)
494
495
escolhamos s=1. Faamos, tambm, p(z)=1, condio que requer perfeita amplificao distribuda. Introduzindo uma distncia normalizada na
forma =zLD, a Eq. (9.1.11) assume a forma
i
U 1 2 U
+
+ N 2 |U |2 U = 0,
2
2
(9.2.1)
P T 2
LD
= 0 0 .
| 2 |
L NL
(9.2.2)
u 1 2 u
+ |u |2 u = 0.
+
2 2
(9.2.3)
A equao NLS (9.2.3) pertence a uma classe especial de equaes diferenciais no lineares possveis de serem resolvidas exatamente com uma tcnica
matemtica denominada mtodo do espalhamento inverso [36]-[38]. A equao
NLS foi resolvida pela primeira vez com esse mtodo em 1971 [39]. Os
principais resultados so resumidos a seguir. Quando um pulso de entrada
com amplitude inicial
u(0, ) = N sech( )
(9.2.4)
496
u( , ) = V ( )exp[i ( )]
(9.2.5)
d 2V
= 2V ( K V 2 ).
2
d
(9.2.6)
(dV /d )2 = 2KV 2 V 4 + C ,
(9.2.7)
497
(9.2.8)
Figura 9.6 Evoluo de um pulso gaussiano com N=1 no intervalo =0 a 10. O pulso
evolui para um sliton fundamental, alterando suas forma, largura e potncia de pico.
498
499
f LM =
Ps 1
L A
G ln G
= =
=
.
P0 p 1 exp( L A ) G 1
(9.2.9)
Assim, a evoluo de slitons em fibras com perda e amplificao concentrada peridica idntica evoluo de slitons em fibras sem perda, desde
que (1) os amplificadores sejam espaados de modo que L A L D e (2) a
potncia de pico lanada seja aumentada por um fator fLM. Como exemplo,
quando LA=50km e a= 0,2dB/km, G=10 e fLM 2,56.
No que diz respeito ao projeto de sistemas baseados em slitons, condio L A L D vaga. A questo : quo prximo LA pode ser de LD
sem que o sistema deixe de funcionar? A abordagem semianaltica da
Seo9.1.2 pode ser estendida para estudar como as perdas de fibras afetam
a evoluo de slitons. No entanto, devemos substituir a Eq. (9.1.4) por
(9.2.10)
dT 2C
=
,
dz
T
(9.2.11)
2 p( z )E0
dC 4
,
= 2 + C 2 22 +
2T
dz
T
(9.2.12)
500
501
T0 > | 2 | L A .
(9.2.13)
A largura do pulso T0 deve ser uma pequena frao do bit slot Tb=1/B, para
assegurar que slitons adjacentes fiquem bem separados. Matematicamente,
a soluo de sliton na Eq. (9.2.8) vlida somente quando um nico pulso
se propaga de modo isolado. A soluo aproximadamente vlida para um
trem de pulsos apenas quando os pulsos individuais so muito isolados.
possvel utilizar essa exigncia para relacionar a largura do sliton T0 taxa
de bits B usando Tb=2q0T0, sendo 2q0 uma medida da separao entre dois
502
(9.2.14)
T ( z = L A ) = T0 ,
C(z = L A ) = C0 .
(9.2.15)
C0 =
4 1 ( f LM 1)
.
2 2
ln G
(9.2.16)
Resultados numricos baseados na equao NLS mostram que, com a imposio de adequado pr-chirp aos slitons de entrada, o espaamento entre
amplificadores pode ultrapassar 2LD. Contudo, ondas dispersivas acabam
desestabilizando um sliton ao longo de grandes comprimentos, quando
LA feito muito maior do que o comprimento de disperso.
A condio L A L D tambm pode ser consideravelmente relaxada por
meio do emprego de amplificao distribuda. Como discutido na Seo7.1,
um esquema de amplificao distribuda superior amplificao concentrada, pois prov uma fibra praticamente sem perda, uma vez que as perdas
so localmente compensadas em cada ponto ao longo do enlace de fibra. Em
1988, sliton foram transmitidos por 4.000km de fibra com perda, usando
503
= T02
z
0
2 ( z )dz,
= t /T0 ,
(9.3.1)
504
U 1 2 U
+
+ N 2 ( z )|U |2 U = 0,
2
2
(9.3.2)
em que N 2 (z) = P0T02 p(z )/| 2 (z )|. Se o perfil de GVD for escolhido de
modo que |b2(z)|=|b2(0)|p(z), N se torna uma constante, e a Eq. (9.3.2)
se reduz equao NLS padro com p(z)=1. Em consequncia, as perdas
da fibra no afetam um sliton, apesar de sua energia ser reduzida quando
se utilizam DDFs. Mais precisamente, possvel posicionar amplificadores concentrados a qualquer distncia, no sendo limitados pela condio
L A L D , desde que a GVD diminua exponencialmente no segmento de
fibra entre dois amplificadores na forma:
(9.3.3)
| 2 ( z )|=| 2 (0)|exp( z ).
Esse resultado pode ser entendido de forma qualitativa notando, da Eq.
(9.2.2), que possvel manter a exigncia N=1, apesar da perda de potncia,
se |b2| e g decarem exponencialmente mesma taxa. Nesse caso, o sliton
fundamental mantm suas forma e largura, mesmo em uma fibra com perdas.
Fibras com perfil de GVD quase exponencial foram fabricadas [57].
Uma tcnica prtica para a realizao dessas DDFs consiste na reduo controlada do dimetro do ncleo ao longo do comprimento da fibra durante
o processo de puxamento. Variaes no dimetro da fibra alteram a contribuio de guia de onda a b2 e reduzem sua magnitude. Tipicamente,
vivel variar a GVD por um fator de 10 ao longo de um comprimento de
20 a 40km. A preciso realizada com o emprego dessa tcnica estimada
como melhor do que 0,1ps2/km [58]. A propagao de slitons em DDFs
foi observada em diversos experimentos [58]-[60]. Em uma DDF de 40km,
slitons preservaram largura e forma, apesar da perda de energia de mais de
8dB [59]. Em um anel recirculante feito de DDFs, foi possvel transmitir
um trem de slitons de 6,5 ps a 10Gb/s por 300km [60].
Em uma abordagem alternativa, o perfil exponencial de GVD de uma
DDF aproximado por um perfil escalonado, com a emenda de vrios
segmentos de fibras de disperso constante, com diferentes valores de b2. Essa
abordagem foi explorada durante a dcada de 1990, tendo sido observado
que a maioria dos benefcios de DDFs podia ser realizada com apenas
quatro segmentos de fibra [61]-[65]. Como selecionar o comprimento e a
GVD de cada fibra usada para emular uma DDF? A resposta no bvia, e
vrios mtodos foram propostos. Em um deles, os desvios de potncia so
minimizados em cada segmento [61]. Em outro, fibras com diferentes valores
Dm de GVD e diferentes comprimentos Lmap so escolhidas para minimizar a
emisso de ondas dispersivas [62]. As vantagens oferecidas por DDFs incluem
menor incerteza temporal [1] e reduzido nvel de rudo [66]. Apesar desses
benefcios, raramente se utilizam DDFs na prtica.
505
506
Aqui, focamos as equaes variacionais (9.1.5) e (9.1.6), usadas anteriormente na Seo9.1.2. Como a forma de slitons com DM prxima
daquela de um pulso gaussiano, possvel aplicar as equaes variacionais a
eles. Essas duas equaes devem ser resolvidas com as condies de contorno
peridicas dadas na Eq. (9.2.15), para assegurar que o sliton com DM
recupere seu estado inicial depois de cada amplificador. As condies de
contorno peridicas fixam os valores da largura T0 e do chirp C0 iniciais em
z = 0, para os quais um sliton pode se propagar de forma peridica, para
um dado valor da energia do pulso E0. Uma nova caracterstica de slitons
com DM que a largura do pulso de entrada depende do mapa de disperso,
no podendo ser escolhida arbitrariamente. Na verdade, T0 no pode ficar
abaixo de um valor crtico especificado pelo prprio mapa de disperso.
A Figura9.9 mostra como a largura T0 e o chirp C0 de solues peridicas
permitidas variam com a energia do pulso para um especfico mapa de disperso. A figura tambm mostra o valor mnimo Tm da largura do pulso que
ocorre no meio do segmento de GVD anmala do mapa de disperso. O
mapa de disperso adequado a sistemas de 40Gb/s e consiste em fibras
com GVD alternantes de 4 e 4ps2/km, e comprimentos la ln=5km, de
modo que a GVD mdia de 0,01ps2/km. A linha cheia mostra o caso
de amplificao distribuda ideal, para o qual p(z)=1. O caso de amplificao concentrada mostrado na Figura9.9 pela linha tracejada, assumindo 80km de espaamento entre amplificadores e perdas de 0,25dB/km
em cada segmento de fibra.
Podemos tirar vrias concluses da Figura9.9. Primeiro, T0 e Tm diminuem rapidamente medida que a energia do pulso aumenta. Segundo,
Figura 9.9 (a) Variao de T0 (curva superior) e Tm (curva inferior) em funo da energia
do pulso E0, para a=0 (linhas cheias) e 0,25dB/km (linhas tracejadas). O detalhe mostra
o chirp de entrada nos dois casos. (b) Evoluo do sliton com gerenciamento de disperso em um perodo do mapa de disperso, para E0=0,1 pJ e LA=80km.
T0 atinge seu valor mnimo para uma dada energia do pulso Ec, enquanto
Tm continua a diminuir lentamente. Terceiro, T0 e Tm diferem por um
grande fator se E0 Ec. Esse comportamento indica que a largura do pulso
muda consideravelmente em cada segmento de fibra quando esse regime
alcanado. Um exemplo de respirao de pulso (pulse breathing) exibido
na Figura9.9(b) para E0=0,1 pJ, no caso de amplificao concentrada.
Nesse caso, o chirp de entrada C0 relativamente grande (C0 1,8). A mais
importante caracterstica da Figura9.9 a existncia de um valor mnimo de
T0 para um valor especfico da energia do pulso. Nesse ponto, o chirp
de entrada C0=1. Interessante ressaltar que o valor mnimo de T0 no
depende muito das perdas da fibra, sendo praticamente o mesmo para as
linhas cheia e tracejada, embora o valor de Ec seja muito maior no caso de
amplificao concentrada, devido s perdas da fibra.
A largura e a potncia de pico do sliton com DM na Figura9.9(b)
variam consideravelmente em um perodo de disperso. A largura do pulso
varia por um fator maior do que 2, tornando-se mnima quase no meio de
cada segmento de fibra onde o chirp de frequncia se anula. No caso
de amplificao distribuda ideal, em que as perdas da fibra so completamente compensadas em cada ponto ao longo do enlace, o pulso mais curto
ocorre no meio do segmento com GVD anmala. Para comparao, a
Figura9.10(b) mostra variaes de largura e chirp de um sliton com DM
cuja energia de entrada prxima de Ec, para a qual o pulso de entrada
mais curto. A respirao (breathing) do pulso consideravelmente reduzida,
assim como a faixa de variao do chirp. Nos dois casos, o sliton com DM
bem diferente de um sliton fundamental convencional, pois suas forma,
largura e potncia de pico no so preservadas. No obstante, seus parmetros
507
508
se repetem de um perodo a outro, em qualquer posio no mapa de disperso. Por essa razo, possvel utilizar slitons com DM para comunicaes
pticas, apesar das oscilaes na largura do pulso. Ademais, do ponto de vista
sistmico, esses slitons tm melhor desempenho.
1 + C 02
,
|C 0 |
1/2
| l l |
Tmap = 2 n 2 a n a ,
2 nln 2 ala
(9.3.4)
509
2 =
2 nln + 2 ala
,
ln + la
Smap =
2 nln 2 ala
,
2
TFWHM
(9.3.5)
510
f DM = E0DM /E0av
(9.3.6)
DCFs reduziu a incerteza temporal por um fator maior do que 3. Um experimento de 1997 focou a transmisso de slitons com DM usando mapas de
disperso tais que slitons se propagassem a maior parte do tempo no regime
de GVD normal [95]. Esse experimento de 10Gb/s transmitiu sinais por
28.000km usando um anel recirculante de fibra que consistia em 100km de
fibra com GVD normal e 8km de fibra com GVD anmala, de modo que
a GVD mdia fosse anmala (cerca de 0,1ps2/km).Variaes peridicas
na largura do pulso foram observadas nesse anel de fibra [96]. Em um
experimento posterior, o anel foi modificado de modo que se obtivesse
um valor de GVD mdia zero ou ligeiramente positivo [97]. Transmisso
estvel de slitons de 10Gb/s em 28.000km ainda foi possvel. Em todos
os casos, resultados experimentais demonstraram excelente concordncia
com os de simulaes numricas [98].
Uma importante aplicao de gerenciamento de disperso o aumento
de capacidade de redes terrestres existentes, projetadas com fibras do tipo
padro [99]-[101]. Um experimento de 1997 usou grades de difrao em
fibra para compensao de disperso e realizou transmisso de slitons de
10Gb/s por 1.000km. Maiores distncias de transmisso foram realizadas
com um anel recirculante de fibra [100] que consistia em 102km de fibra
padro com GVD anmala (b2 21ps2/km) e 17,3km de DCF com
GVD normal (b2 160ps2/km). A intensidade S do mapa de disperso
era bem alta nesse experimento, que lanou pulsos de 30 ps (FWHM)
no anel. Em 1999, foi possvel transmitir slitons com DM de 10Gb/s
por 16.000km de fibra padro quando interaes entre slitons foram
minimizadas por meio da escolha adequada do posicionamento de amplificadores [16].
511
512
t2 =
S ASETm2
1
[ N A (1 + C 02 ) + N A ( N A 1)C 0d + N A ( N A 1)(2N A 1)d 2 ],
E0
6
(9.3.7)
t2 S ASE 3 2
S ASEL3T
N
d
=
,
A
Tm2 3E0
3E0 L2D L A
(9.3.8)
Figura 9.12 Incerteza temporal induzida por ASE em funo do comprimento, para
um sistema de 20Gb/s projetado com slitons com DM (linha cheia) e convencionais
(linha tracejada).
513
t2 =
S ASET02
1
[ N A + N A ( N A 1)(2N A 1)d 2 ],
3E s
6
(9.3.9)
LM
514
S L3
t2
= ASE2 T .
2
T0
9E s L D L A
(9.3.11)
9b 2 f L
BLT < j LM A .
S ASE q0 2
(9.3.12)
Para slitons com DM, o fator de aumento de energia fLM substitudo por
fLMfDM/3. O valor tolervel de bj depende da BER aceitvel e de detalhes
da configurao do receptor; tipicamente, bj<0,1. Para ver como rudo
de amplificadores limita a distncia de transmisso total, consideremos um
sistema baseado em slitons convencionais, operando em 10Gb/s, com
os seguintes valores de parmetros: T0=10 ps, q0=5, a=0,2dB/km,
g=2W1/km, 2 =1ps/(km-nm), nsp=1,5, LA=50km e bj=0,08.
Usando G=10dB, obtemos fLM=2,56 e SASE=2,16106 pJ. Com esses
valores, BLT deve ficar abaixo de 70(Tb/s)-km e a distncia de transmisso
se torna limitada a menos de 7.000km, em 10Gb/s. possvel aumentar
esse valor para mais de 10.000km com uso de slitons com DM.
515
U f (z f ,t ) =
1
2
H f ( f )U ( z f , )e it d ,
(9.3.13)
U ( zm , t ) Tm (t tm )U ( zm , t ),
(9.3.14)
516
(9.3.15)
(9.3.16)
517
518
U (0, t ) = U m (0, t tm ),
(9.4.1)
m =1
519
z
2
t
U 2 2 2 U 2
Essas trs equaes acopladas mostram explicitamente a origem de efeitos no lineares intracanal. O primeiro termo no linear corresponde
SPM. Os dois termos seguintes resultam da XPM induzida pelos outros
dois pulsos. Como esses termos representam interaes por XPM entre
pulsos pertencentes a um mesmo canal, o fenmeno conhecido como
XPM intracanal. O ltimo termo do tipo de FWM, sendo responsvel
por FWM intracanal. Embora parea estranho que FWM ocorra entre
pulsos de um mesmo canal, devemos recordar que o espectro de cada pulso
tem bandas laterais de modulao localizadas nos dois lados da frequncia
portadora. Se diferentes bandas laterais de dois ou mais pulsos que se sobreponham estiverem presentes simultaneamente na mesma janela temporal,
podem interagir por FWM e transferir energia entre pulsos. Esse fenmeno
tambm capaz de criar novos pulsos no domnio do tempo. Esses pulsos
so referidos como pulsos-sombra [137] ou pulsos-fantasma [138], e afetam
de modo considervel o desempenho de sistemas, especialmente os pulsos
criados em janelas temporais de bits 0 [146].
O mtodo anterior pode ser estendido ao caso de mais de trs pulsos.
Assumindo que a Eq. (9.4.1) seja usada em qualquer distncia z, a equao
NLS (9.1.2) pode ser escrita como:
M M M
U j 2 2 U j
=
P
p
(
z
)
U jU k*U l .
2
z
2 t
j =1
j =1 k =1 l =1
M
(9.4.5)
520
U n 2 2 U n
+ P0 p( z )(|U n |2 +2|U 3n |2 )U n = 0,
2
z
2 t
(9.4.6)
n ( z, t ) = 2 P0 p( z )z |U 3n ( z, t )|2
(9.4.7)
521
= 2 P0 p( z )z |U 3n ( z, t )|2 .
t
t
(9.4.8)
2
U n ( z, t ) = an exp (1 + iC m )(t tn ) /Tn2 in (t tn ) + in , (9.4.9)
2
t |U n |2 dt, n =
i
2E0
* U n
U n*
t
U
dt, (9.4.10)
n
n
t
t
522
dC n
( z ) ( z ) p( z )E0 2Tn3
2 2 /2
= (1 + C n2 ) 2 2 +
1 3 (1 )e
,
dz
Tn
2 Tn Ta
(9.4.12)
d
8 2 /2
= ( z ) p( z )E0
e
,
Ta2
dz
d t
= 2 ( z ),
dz
(9.4.13)
(9.4.14)
Figura 9.14 (a) Deslocamento de frequncia induzido por XPM aps um perodo do
mapa de disperso e (b) deslocamento temporal no espaamento entre pulsos em
funo da posio de lanamento no regime de GVD anmala da fibra, para dois pulsos
gaussianos de 5 ps separados por 25 ps. As curvas quase coincidem para duas condies
de lanamento. Smbolos mostram resultados numricos obtidos da equao NLS. (Aps
a Ref. [142]; 2001 OSA.)
523
524
525
526
Figura 9.16 Sequncia de bits e diagrama de olho no final de 80km de fibra com
D=17ps/(km-nm). A linha tracejada mostra, para comparao, a sequncia de bits de
entrada. (Aps a Ref. [25]; 2002 Elsevier.)
M M M
j =1
j =1 k =1 l =1
U ( z, t ) = U j ( z, t t j ) + U jkl ( z, t ),
(9.4.15)
527
L
0
ip( z )dz
1 + 2id + 3d 2
(t j tl )2
exp
,
2
2
2
T0 (1 + 3id )
T0 (1 + 2id + 3d )
(9.4.16)
2
o parmetro d(z) definido como d(z)= T0 0 2 (z )dz . Todos os efeitos
no lineares intracanal produzidos por SPM, XPM e FWM esto includos
nessa soluo perturbacional. O nmero de termos que devem ser includos
no triplo somatrio na Eq. (9.4.15) cresce com M3, para uma sequncia
com M bits. A integral na Eq. (9.4.16) pode ser efetuada analiticamente em
alguns casos limites. Por exemplo, se considerarmos uma fibra de disperso
constante, fixamos p(z)=1, assumindo amplificao distribuda ideal, e, se
considerarmos um comprimento de fibra L muito maior do que o com2
primento de disperso LD= T0 /|b2|, obtemos [140]:
z
2
2 i
U jkl (L , t j + tl tk ) = (i P0 L D / 3)exp(t /6T0 )e E1(ir jkl L D /L ), (9.4.17)
2
2iTb2
1
Pg (L ) =| U 121(L ,0)| = ( P0 L D )2 exp(t 2 /3T02 ) E1
, (9.4.18)
3
|
2 |L
2
528
em que, para localizao dos dois pulsos cuja sobreposio gerou o pulso-fantasma
por FWM intracanal, usamos t1=Tb e t2=2Tb. A Figura9.17 mostra (a) o
crescimento da potncia de pico com o comprimento do enlace L, para um
sinal de 40Gb/s (Tb=25 ps) e (b) o decaimento da potncia de pico em
L=20km em funo da durao Tb do bit slot, quando uma sequncia de bits
lanada com 10 mW de potncia mdia em um enlace de fibra padro [140].
A linha pontilhada foi obtida com a substituio de E1(x) pela aproximao
assinttica |E1(x)| ln(|1/x|).Tal crescimento logartmico de Pg em relao a
L vlido somente para enlaces com disperso constante.A potncia transferida
para pulsos-fantasma pode ser reduzida com o aumento de Tb . De fato, a Eq.
4
(9.4.18) prev a variao de Pg em relao a Tb na forma Tb , quando usamos
a aproximao assinttica |E1(x)| 1/x para grandes valores de x. Como
visto na Figura9.17, as previses dessa equao exibem boa concordncia com
resultados de simulaes numricas baseadas na equao NLS.
Os resultados anteriores mudam bastante com o emprego de um mapa
de disperso peridico [142]-[147]. Embora cresa de modo logartmico
durante um perodo do mapa de disperso [142], a potncia de pico ou a
energia de cada pulso-fantasma ainda pode crescer rapidamente ao longo do
enlace em funo da ressonncia associada natureza peridica da perda e da
variao da disperso [145]. Fisicamente, as amplitudes de pulsos-fantasma
gerados em cada perodo do mapa de disperso se somam em fase, devido
a essa ressonncia. Em consequncia, a potncia de pico total no final de
um enlace de comprimento L cresce da seguinte forma:
(9.4.19)
sendo Lmap o perodo do mapa de disperso. Esse crescimento quadrtico da energia de pulsos-fantasma se torna problemtico para sistemas de longas distncias.
529
530
O experimento tambm foi efetuado no regime pseudolinear, pois empregou pulsos de 2,5 ps para gerar a sequncia de bits de 40Gb/s. Em um
experimento posterior, o espaamento entre amplificadores foi aumentado
para 120km [154]. A Figura9.18(a) mostra o fator Q medido aps 3, 4,
531
532
Figura 9.20 (a) Configurao de enlaces de fibra simtrico e assimtrico, com as correspondentes modificaes na disperso acumulada. (b) Incerteza temporal, incerteza
de amplitude e penalidade de abertura do olho (PAO) em 16 perodos (cada um com
80km de comprimento), para enlaces simtricos (linhas cheias) e assimtricos (linhas
tracejadas). Diamantes, crculos e quadrados representam potncias lanadas de 3, 6 e
9 dBm, respectivamente. Diagramas de olho tambm so mostrados para os trs casos.
(Aps a Ref. [161]; 2004 IEEE.)
incertezas de amplitude e temporal aumentam linearmente com o comprimento do enlace e se tornam to grandes que a PAO passa de 4dB aps
700km, com 6 dBm de potncia lanada. Em contraste, quando o mapa
de disperso simtrico, a incerteza acumulada em um perodo , em
grande parte, cancelada no perodo seguinte. Em consequncia, a incerteza
temporal lquida oscila e aumenta muito mais lentamente no caso de mapas
de disperso simtricos. Com uma simples modificao que consiste apenas
em inverter as fibras em perodos alternados, o mesmo sistema capaz de
operar por mais de 1.200km com penalidade desprezvel. Para que ocorra
cancelamento da incerteza, no necessrio que os dois segmentos de fibra
no mapa de disperso possuam o mesmo comprimento. O conceito de simetria de translao em escala pode ser usado com o intuito de mostrar que
possvel reduzir as incertezas de amplitude e temporal com uma variedade
de mapas de disperso [162], mesmo quando variaes na potncia mdia
no so simtricas em relao ao ponto mdio.
O uso de conjugao de fase ptica tambm pode reduzir os efeitos no
lineares intracanal [167]-[169]. Como discutido na Seo8.5, essa tcnica
equivale a inverter o sinal dos parmetros de disperso de todos os segmentos
533
534
de fibra na segunda metade do enlace. Experimentos com sistemas confirmaram que a conjugao de fase capaz de reduzir consideravelmente o
impacto de efeitos no lineares intracanal [168].
40Gb/s, a uma distncia de 1.000km, para dois mapas de disperso com perodo de 100km. O mapa (a) consiste em trs segmentos tais que D=19ps/
(km-nm) no primeiro e no terceiro segmentos (cada um com 30km) e
D=28ps/(km-nm) no segundo segmento, de 40km de comprimento.
O mapa (b) emprega 100km de fibra padro, com D=17ps/(km-nm),
535
536
Figura 9.24 BER medida em funo da potncia lanada, a uma distncia de 2.000km,
para quatro diferentes formatos de modulao. SPol e APol designam padres de
bits com mesma polarizao (Same Polarization) e polarizao alternada (Alternate
Polarization), respectivamente. (Aps a Ref. [181]; 2004 IEEE.)
537
538
REFERNCIAS
[1]
AGRAWAL, G. P. Nonlinear Fiber Optics. 4. ed. Boston: Academic Press, 2007.
[2]
TAGA, H. etal. J. Lightwave Technol., v. 12, p. 1616, 1994.
[3]
SEKINE, S. etal. Electron. Lett., v. 31, p. 1080, 1995.
539
540
[4]
NAKA, A.; SAITO, S. J. Lightwave Technol., v. 13, p. 862, 1995.
[5]
KIKUCHI, N.; SASAKI, S. J. Lightwave Technol., v. 13, p. 868, 1995.
[6]
KIKUCHI, N.; SASAKI, S.; SEKINE, K. Electron. Lett., v. 31, p. 375, 1995.
KIKUCHI, N.; SASAKI, S. Electron. Lett., v. 32, p. 570, 1996.
[7] MATERA, F.; SETTEMBRE, M. Lightwave Technol., v. 14, p. 1, 1996; Opt. Fiber
Technol., v. 4, p. 34, 1998.
[8]
BREUER, D.; PETERMANN, K. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 9, p. 398, 1997.
[9]
FORGHIERI, F. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 9, p. 1035, 1997.
[10] SAHARA, A.; KUBOTA, H.; NAKAZAWA, M. IEEE Photon. Technol. Lett.,
v. 9, p. 1179, 1997.
[11] MATSUDA, T.; NAKA, A.; SAITO, S. J. Lightwave Technol., v. 16, p. 340, 1998.
[12] SANO, A. etal. J. Lightwave Technol., v. 16, p. 977, 1998.
[13] BREUER, D.; OBERMANN, K.; PETERMANN, K. IEEE Photon. Technol.
Lett., v. 10, p. 1793, 1998.
[14] CASPAR, C. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 10, p. 481, 1999.
[15] GOVAN, D. S.; FORYSIAK, W.; DORAN, N. J. Opt. Lett., v. 23, p. 1523, 1998.
[16] PENKETH, I. S. etal. Opt. Lett., v. 24, p. 802, 1999.
[17] TURITSYN, S. K.; SHAPIRO, E. G. Opt. Fiber Technol., v. 4, p. 151, 1998.
[18] MADANI, F. M.; IKUCHI, K. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 1326, 1999.
[19] WEINERT, C. M. etal. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 2276, 1999.
[20] NAKAZAWA, M. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6, p. 363, 2000.
[21] MURAKAMI, M. etal. J. Lightwave Technol., v. 18, p. 1197, 2000.
[22] SAHARA, A. etal. J. Lightwave Technol., v. 18, p. 1364, 2000.
[23] HOSHIDA, T. etal. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 1989, 2002.
[24] KONRAD, B. etal. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 2129, 2002.
[25] ESSIAMBRE, R. -J.; RAYBON, G.; MIKKELSEN, B. In: KAMINOW, I. P., LI, T.,
(Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 4B. Boston: Academic Press, 2002.
Captulo 6.
[26] JIANG, Z.; FAN, C. J. Lightwave Technol., v. 21, p. 953, 2003.
[27] WU, M.; WAY, W. I. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 1483, 2004.
[28] XIAO, X.S. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 2083, 2006; J. Lightwave Technol.,
v. 25, p. 929, 2007.
[29] CHANDRASEKHAR, S.; LIU, X. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 19, p. 1801,
2007.
[30] BONONI, A.; SERENA, P.; ORLANDINI, A. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 3617,
2008.
[31] BONONI, A.; SERENA, P.; BELLOTTI, M. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 3974,
2009.
[32] TAO, Z. etal. Opt. Express, v. 17, p. 13860, 2009.
[33] HASEGAWA, A.; MATSUMOTO, M. Optical Solitons in Fibers. New York:
Springer, 2002.
[34] KIVSHAR, Y. S.; AGRAWAL, G. P. Optical Solitons: From Fibers to Photonie
Crystals. Boston: Academic Press, 2003. Captulo 3.
[35] MOLLENAUER, L. F.; GORDON, J. P. Solitons in Optical Fibers: Fundamentals
and Applications. Boston: Academic Press, 2006.
[36] ABLOWITZ, M. J.; CLARKSON, P. A. Solitons, Nonlinear Evolution Equations,
and Inverse Seattering. New York: Cambridge University Press, 1991.
[37] LAMB, Jr., G. L. Elements of Soliton Theory. New York: Dover, 1994.
[38] MIWA, T. Mathematics of Solitons. New York: Cambridge University Press, 1999.
[39] ZAKHAROV,V. E.; SHABAT, A. B. Sov. Phys. JETP, v. 34, p. 62, 1972.
[40] HASEGAWA, A.; TAPPERT, F. Appl. Phys. Lett., v. 23, p. 142, 1973.
[41] SATSUMA, J.;YAJIMA, N. Prog. Theor. Phys., v. 55, p. 284, 1974.
[42] ZAKHAROV,V. E.; SHABAT, A. B. Sov. Phys. JETP, v. 37, p. 823, 1973.
[43] HASEGAWA, A.; TAPPERT, F. Appl. Phys. Lett., v. 23, p. 171, 1973.
[44] TOMLINSON, W. J. etal. J. Opt. Soc. Am. B., v. 6, p. 329, 1989.
[45] EMPLIT, P.; HAELTERMAN, M.; HAMAIDE, J. P. Opt. Lett., v. 18, p. 1047, 1993.
[46] NAKAZAWA, M.; SUZUKI, K. Electron. Lett., v. 31, p. 1084, 1995; Electron. Lett.,
v. 31, p. 1076, 1995.
[47] LENERS, R. etal. J. Opt. Soc. Am. B., v. 14, p. 2339, 1997.
[48] KIVSHAR,Y. S.; LUTHER-DAVIES, B. Phys. Rep., v. 298, p. 81, 1998.
[49] CHEN,Y.; ATAI, J. IEEE J. Quantum Electron., v. 34, p. 1301, 1998.
[50] STRATMANN, M.; BOHM, M.; MITSCHKE, F. Electron. Lett., v. 37, p. 1182,
2001.
[51] KIVSHAR, Y. S.; AGRAWAL, G. P. (Eds.). Optical Solitons: From Fibers to
Photonic Crystals. Boston: Academic Press, 2003. Captulo 4.
[52] KODAMA,Y.; HASEGAWA, A. Opt. Lett., v. 7, p. 339, 1982; v. 8, p. 342, 1983.
[53] LIAO, Z. M.; MCKINSTRIE, C. J.; AGRAWAL, G. P. J. Opt. Soc. Am. B., v. 17, p.
514, 2000.
[54] MOLLENAUER, L. F.; SMITH, K. Opt. Lett., v. 13, p. 675, 1988.
[55] MOLLENAUER, L. F. etal. Electron. Lett., v. 27, p. 178, 1991.
[56] TAJIMA, K. Opt. Lett., v. 12, p. 54, 1987.
[57] BOGATYRJOV, V. A. etal. Pure Appl. Opt., v. 4, p. 345, 1995.
[58] RICHARDSON, D. J. etal. Electron. Lett., v. 31, p. 1681, 1995.
[59] STENTZ, A. J.; BOYD, R.; EVANS, A. F. Opt. Lett., v. 20, p. 1770, 1995.
[60] RICHARDSON, D. J. etal. Electron. Lett., v. 32, p. 373, 1996.
[61] FORYSIAK, W.; KNOX, F. M.; DORAN, N. J. Opt. Lett., v. 19, p. 174, 1994.
[62] GEORGES,T.; CHARBONNIER, B. Opt. Lett., v. 21, p. 1232, 1996; IEEE Photon.
Technol. Lett., v. 9, p. 127, 1997.
[63] CARDIANAL, S. etal. Electron. Lett., v. 33, p. 77, 1997.
[64] HASEGAWA, A.; KODAMA, Y.; MURATA, A. Opt. Fiber Technol., v. 3, p. 197,
1997.
[65] KUMAR, S.; KODAMA,Y.; HASEGAWA, A. Electron. Lett., v. 33, p. 459, 1997.
[66] KUMAR, S. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 810, 2004.
[67] SMITH, N. J. etal. Electron. Lett., v. 32, p. 54, 1996.
[68] NAKAZAWA, M.; KUBOTA, H.; TAMURA, K. IEEE Photon. Technol. Lett.,
v. 8, p. 452, 1996.
[69] NAKAZAWA, M. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 8, p. 1088, 1996.
[70] GRUDININ, A. B.; GONCHARENKO, I. A. Electron. Lett., v. 32, p. 1602, 1996.
[71] BERNTSON, A. etal. Opt. Lett., v. 23, p. 900, 1998.
[72] KUTZ, J. N. etal. J. Opt. Soc. Am. B., v. 15, p. 87, 1998.
[73] TURITSYN, S. K. etal. Opt. Commun., v. 151, p. 117, 1998.
[74] LAKOBA, T. L.; KAUP, D. J. Phys. Rev. E., v. 58, p. 6728, 1998.
[75] TURITSYN, S. K.; SHAPIRO, E. G. J. Opt. Soc. Am. B., v. 16, p. 1321, 1999.
[76] GABITOV, I. R.; SHAPIRO, E. G.; TURITSYN, S. K. Phys. Rev. E., v. 55, p. 3624,
1997.
[77] ABLOWITZ, M. J.; BIOINDINI, G. Opt. Lett., v. 23, p. 1668, 1998.
[78] PAR, C.; BLANGER, P. A. Opt. Lett., v. 25, p. 881, 2000.
[79] NIJHOF, J. H. B. etal. Electron. Lett., v. 33, p. 1726, 1997.
[80] GRIGORYAN,V. S.; MENYUK, C. R. Opt. Lett., v. 23, p. 609, 1998.
[81] KUTZ, J. N.; EVANGELIDES, S. G. Opt. Lett., v. 23, p. 685, 1998.
[82] CHEN,Y.; HAUS, H. A. Opt. Lett., v. 23, p. 1013, 1998.
[83] NIJHOF, J. H. B.; FORYSIAK, W.; DORAN, N. J. Opt. Lett., v. 23, p. 1674, 1998.
[84] TURITSYN, S. K. etal. Opt. Lett., v. 24, p. 1871, 1999.
[85] TURITSYN, S. K.; FEDORUK, M. P.; GORNAKOVA, A. Opt. Lett., v. 24, p. 969,
1999.
[86] RICHARDSON, L. J.; FORYSIAK, W.; DORAN, N. J. IEEE Photon. Technol.
Lett., v. 13, p. 209, 2001.
[87] POUTRINA, E.; AGRAWAL, G. P. Opt. Commun., v. 206, p. 193, 2002.
[88] WAIYAPOT, S.; TURITSYN, S. K.; MEZENTSEV, V. K. J. Lightwave Technol.,
v. 20, p. 2220, 2002.
[89] XIE, C.; MOLLENAUER, L. F.; MAMYSHEVA, N. J. Lightwave Technol., v. 21,
p. 769, 2003.
541
542
[136] SANTHANAM, J.; AGRAWAL, G. P. J. Opt. Soc. Am. B., v. 20, p. 284, 2003.
[137] ESSIAMBRE, R. -J.; MIKKELSEN, B.; RAYBON, G. Electron. Lett., v. 35, p. 1576,
1999.
[138] MAMYSHEV, P.V.; MAMYSHEVA, N. A. Opt. Lett., v. 24, p. 1454, 1999.
[139] ZITELLI, M.; MATERA, F.; SETTEMBRE, M. J. Lightwave Technol., v. 17,
p. 2498, 1999.
[140] MECOZZI, A.; CLAUSEN, C. B.; SHTAIF, M. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12,
p. 392, 2000.
[141] KILLEY, R. I. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 1624, 2000.
[142] MRTENSSON, J. etal. Opt. Lett., v. 26, p. 55, 2001.
[143] MECOZZI, A.; CLAUSEN, C. B.; SHTAIF, M. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12,
p. 1633, 2000.
[144] KUMAR, S. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 800, 2001; KUMAR, S. etal.
IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 18, p. 626, 2002.
[145] ABLOWITZ, M.J.; HIROOKA, T. Opt. Lett., v. 25, p. 1750, 2000; IEEE J. Sel.
Topics Quantum Electron., v. 18, p. 603, 2002.
[146] JOHANNISSON, P. etal. Opt. Lett., v. 26, p. 1227, 2001.
[147] BAYVEL, P.; KILLEY, R. I.KAMINOW, I. P., LI,T., (Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 4B. Boston: Academic Press, 2002. Captulo 13.
[148] DAIKOKU, M.; OTANI, T.; SUZUKI, M. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15,
p. 1165, 2003.
[149] DUCE, D.; KILLEY, R. I.; BAYVEL, P. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 1263, 2004.
[150] RAYBON, G. etal. Proc. Opt. Fiber Commun., Paper FD-10, 2002.
[151] JACKSON, M. K. etal. Opt. Lett., v. 17, p. 1770, 1992.
[152] BREUER, D. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 10, p. 822, 1998.
[153] GNAUCK, A. H. etal. Electron. Lett., v. 35, p. 2218, 1999.
[154] PARK, S. -G. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 1085, 2000.
[155] RAMACHANDRAN, S. etal. Digest Europ. Conf. Opt. Commun., Amsterdam,
2001, p. 282.
[156] KILLEY, R. I. etal. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 2282, 2002.
[157] TAKUSHIMA,Y. etal. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 360, 2002.
[158] HOLZLOHNER, R. etal. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 1124, 2002.
[159] PIZZINAT, A. etal. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 1673, 2002.
[160] MECOZZI, A. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 445, 2001.
[161] STRIEGLER, A. G.; SCHMAUSS, B. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 1877, 2004.
[162] WEI, H.; PLANT, D.V. Opt. Express, v. 12, p. 4282, 2004.
[163] LENIHAN, A. S. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 1588, 2005.
[164] MINZIONI, P.; SCHIFFINI, A. Opt. Express, v. 13, p. 8460, 2005.
[165] ZHANG, F. etal. Opt. Express, v. 14, p. 6613, 2006.
[166] SHTAIF, M. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 20, p. 620, 2008.
[167] CHOWDHURY, A.; ESSIAMBRE, R. J. Opt. Lett., v. 29, p. 1105, 2004.
[168] CHOWDHURY, A. etal. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 172, 2005.
[169] JANSEN, S. L. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 12, p. 505, 2006.
[170] CHENG, K. S.; CONRADI, J. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 14, p. 98, 2002.
[171] WINZER, P. J. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 766, 2003.
[172] LIU, X. etal. Opt. Lett., v. 13, p. 1177, 2002.
[173] KANAEV, A.V. etal. J. Lightwave Technol., v. 21, p. 1486, 2003.
[174] APPATHURAI, S. etal. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 239, 2004.
[175] EVANGELIDES, S. G. etal. J. Lightwave Technol., v. 10, p. 28, 1992.
[176] AGARWAL, A. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 470, 2003.
[177] MATERA, F. etal. J. Lightwave Technol., v. 17, p. 2225, 1999.
[178] MIKKELSEN, B. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 1400, 2000.
[179] HODZIC, A.; KONRAD, B.; PETERMANN, K. IEEE Photon. Technol. Lett.,
v. 15, p. 153, 2003.
[180] LIU, X.; XU, C.; WEI, X. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 30, 2004.
[181] XIE, C. etal. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 806, 2004.
543
CAPTULO 10
546
547
548
Formatos de modulao muito mais sofisticados podem ser projetados se a amplitude do sinal tambm puder variar de um smbolo para o
seguinte. Um exemplo mostrado na Figura10.1(c), em que 16 smbolos
que residem em uma malha quadrada so empregados para transmitir 4
bits simultaneamente. Esse formato de modulao conhecido como 16QAM, onde QAM significa modulao em amplitude em quadratura (Quadrature
Amplitude Modulation). claro que essa abordagem pode ser estendida para
reduzir a taxa de smbolos empregada. Devemos enfatizar que a alocao de
combinaes de bits aos vrios smbolos na Figura10.1 no arbitrria. Um
esquema de codificao, conhecido como cdigo Gray [2], mapeia diferentes
combinaes de bits a diferentes smbolos de modo que apenas um nico
bit mude entre dois smbolos adjacentes separados pela menor distncia no
diagrama de constelao. Se a codificao Gray no for adotada, possvel
que um nico erro de smbolo produza erros em vrios bits, resultando em
um aumento na BER do sistema.
A eficincia espectral pode ser aumentada por um fator dois com a
explorao do estado de polarizao (SOP) da portadora ptica. No caso
de multiplexao por diviso em polarizao (PDMPolarization-Division
Multiplexing), utiliza-se cada comprimento de onda visando transmitir duas
sequncias de bits ortogonalmente polarizadas metade da taxa de bits
original. Pode parecer surpreendente que tal esquema funcione, pois o SOP
de um canal no permanece fixo ao longo de uma fibra ptica, podendo
variar de modo aleatrio, devido a flutuaes da birrefringncia. Contudo,
fcil ver que PDM pode ser empregada com sucesso, desde que os dois
canais PDM em cada comprimento de onda permaneam quase ortogonalmente polarizados em todo o comprimento do enlace. Isso talvez ocorra
somente se efeitos de PMD e despolarizao no linear permanecerem
relativamente pequenos ao longo de todo o comprimento do enlace. Se
deteco coerente for empregada no receptor, torna-se possvel separar os
dois canais por meio de adequado esquema de diversidade de polarizao.
A combinao de QPSK (ou DQPSK) e PDM reduz a taxa de smbolos a
um quarto da taxa de bits e, assim, aumenta a eficincia espectral por um
fator 4. Tal formato QPSK de dupla polarizao atraente porque possvel transmitir um sinal de 100Gb/s por enlaces de fibra projetados para
transportar sinais de 10Gb/s com espaamento de 50GHz entre canais,
sendo usado em sistemas comerciais em 2010.
Outra questo de projeto deve ser abordada. No caso de um sinal puramente codificado em fase, como o formato QPSK ilustrado na Figura10.1(a),
a amplitude ou potncia da sequncia de dados , inicialmente, constante
com o tempo, quando o formato NRZ empregado, pois cada smbolo
ocupa todo o bit slot a ele alocado. Essa situao apresenta duas implicaes.
Primeiro, a potncia mdia lanada em cada canal consideravelmente
aumentada, caracterstica, em geral, indesejvel. Segundo, durante a transmisso da sequncia de dados pela fibra, vrios efeitos dispersivos e no
lineares induzem variaes de potncia que variam com o tempo, afetando
o desempenho do sistema. Uma alternativa consiste em adotar um formato
de modulao em que todos os slots de smbolo contenham um pulso ptico
cuja fase varie de acordo com o dado transmitido. Essa situao indicada
adicionando o prefixo RZ ao formato de modulao empregado para a
transmisso dos dados (p. ex., RZ-DQPSK).
549
550
1
tm = At /Ai = cos (1 2 ) exp i (1 + 2 ) /2 .
2
(10.1.4)
2
Tm (t ) = tm = cos 2
[2V1(t ) Vb ] .
2V
(10.1.5)
551
552
I f (t ) = I p cos(IF t ),
(10.2.1)
(10.2.3)
em que os colchetes angulares denotam filtragem de baixa frequncia usada
para rejeitar as componentes AC que oscilam em 2wIF. A Eq. (10.2.3) mostra
que apenas a componente de rudo em fase afeta o desempenho de um
receptor heterdino sncrono.
A demodulao sncrona requer recuperao da portadora de micro-
ondas na frequncia intermediria wIF. Vrios esquemas eletrnicos pode
ser empregados para esse propsito, e todos requerem algum tipo de lao
de travamento de fase eltrica [19]. Dois laos comumente empregados
so o lao quadrtico (squaring loop) e o lao de Costas (Costas loop). Um lao
quadrtico usa um dispositivo de lei quadrtica a fim de obter um sinal da
forma cos2(wIFt) que tem uma componente de frequncia em 2wIF. Pode-se
usar essa componente para gerar um sinal de micro-ondas em wIF.
Um receptor de uma porta, como o mostrado na Figura10.4, rejeita
metade da potncia de sinal Ps e metade da potncia do oscilador local
PLO durante o processo de mistura. A perda na potncia de sinal equivale
a uma penalidade de potncia de 3dB. Receptores balanceados fornecem
uma soluo. Como mostra o diagrama em blocos na Figura10.5, um
receptor heterdino balanceado emprega um acoplador de 3dB com dois
fotodetectores nas duas portas de sada [20]-[22]. possvel entender o
funcionamento de um receptor balanceado considerando as fotocorrentes
I+ e I- geradas em cada ramo:
1
(10.2.4)
Rd ( Ps + PLO ) Rd PS PLO cos(IF t + ).
2
A diferena entre as duas correntes I+ e I- prov o sinal heterdino. O termo
DC eliminado completamente durante o processo de subtrao, se os dois
ramos forem balanceados, de modo que recombinem as potncias de sinal
e do oscilador local de forma sncrona. Mais importante, tal receptor balanceado usa toda a potncia de sinal e, assim, evita a penalidade de potncia de
3dB intrnseca a qualquer receptor de uma porta. Ao mesmo tempo, como
discutido mais adiante, na Seo 10.4.1, ajuda a reduzir o impacto do rudo
de intensidade de um oscilador local, facilitando a operao do receptor no
limite de rudo de disparo.
I =
553
554
1
2
A(t ) A(t Ts ) ,
4
(10.2.6)
em que a escolha do sinal depende se a porta do interfermetro MZ usada
para fotodeteco a marcada com o sinal mais ou com o sinal menos. Tal
esquema de demodulao tambm conhecido como autocoerente, pois uma
rplica retardada do prprio sinal ptico usada no lugar do oscilador local
exigido para deteco coerente [16].
Embora seja possvel recuperar informao de fase processando apenas
uma sada do interfermetro MZ com um fotodetector, tal esquema raramente adotado, pois rejeita metade da potncia recebida. Na prtica, o
desempenho do receptor melhora consideravelmente se dois fotodetectores
Figura 10.7 Configuraes de receptores para processamento dos formatos (a) DBPSK
e (b) DQPSK para demodulao por retardo ptico, com deteco balanceada. (Aps a
Ref. [15]; 2008 OSA.)
555
556
forem empregado na deteco de P(t) e as resultantes correntes forem subtradas. Tal esquema de deteco balanceada ilustrado esquematicamente
na Figura10.7(a). Com I=RdP(t), sendo Rd a responsividade do fotodetector, e usando A(t)= P0 exp[(t)] na Eq. (10.2.6), as correntes nos dois
fotodetectores podem ser escritas como:
I (t ) =
1
Rd P0 [1 cos( )],
2
(10.2.7)
(10.2.8)
Figura 10.9 Configurao de um receptor DQPSK projetado com um elemento birrefringente sintonizvel. PC e PBS significam controlador de polarizao (Polarization
Controller) e divisor de feixe por polarizao (Polarization Beam Splitter). (Aps a Ref.
[33]; 2008 IEEE.)
557
558
(10.3.1)
1
erfc(Q / 2 ),
2
onde o fator Q, definido na Eq. (4.5.11), pode ser escrito como
Q=
1
I1 I 0
I
1 = (SNR)1/2 .
1 + 0 2 1 2
(10.3.2)
(10.3.3)
559
1
erfc( N p /4 ).
2
(10.3.4)
Podemos usar o mesmo mtodo para calcular a BER no caso de receptores
homdinos ASK. As Eq. (10.3.2) e (10.3.3) ainda so aplicveis. Contudo,
a SNR melhora em 3dB no caso homdino.
possvel utilizar a Eq. (10.3.4) com o intuito de calcular a sensibilidade
do receptor para uma dada BER. Como no caso de deteco direta discutido
na Seo4.6, definimos a sensibilidade do receptor P rec como a potncia
recebida mdia necessria para realizar uma BER de 109 ou menor. Das
Eq. (10.3.2) e (10.3.3), BER=109 quando Q 6 ou quando SNR=144
(21,6dB). Podemos usar a Eq. (4.5.13) para relacionar a SNR a P rec , notando
que P rec =P s /2 simplesmente porque a potncia de sinal zero durante
os bits 0. O resultado :
(10.3.5)
P rec = 2Q 2 hf / = 72 hf /.
No caso homdino ASK, P rec menor por um fator 2, devido vantagem de
3dB da deteco homdina. Como exemplo, para um receptor heterdino
ASK de 1,55mm com =0,8 e f=1GHz, a sensibilidade do receptor
da ordem de 12 nW e se reduz a 6 nW se for usada deteco homdina.
A sensibilidade do receptor , muitas vezes, dada em termos do nmero
de ftons Np usando a Eq. (10.3.4), pois isso a torna independente da
largura de banda do receptor e do comprimento de onda de operao.
Alm disso, feito igual a 1, para que a sensibilidade corresponda de
um fotodetector ideal. fcil verificar que, para realizar uma BER=10-9
nos casos heterdino e homdino, Np deve ser 72 e 36, respectivamente.
importante lembrar que Np corresponde ao nmero de ftons em um nico
bit 1. O nmero mdio de ftons por bit, N p , reduzido por um fator 2
no caso do formato ASK binrio.
Consideremos, agora, o caso do formato BPSK. O sinal no circuito de
deciso fornecido pela Eq. (10.2.3) ou por:
1
I d = ( I p cos + ic ).
2
(10.3.6)
560
Q=
I1 I 0
2I
1 = (SNR)1/2 ,
1 + 0 2 1
(10.3.7)
em que foi usado I0=I1 e 0=1. Com SNR=2 Np, a BER dada por:
BER =
1
erfc( N p ).
2
(10.3.8)
561
ASK heterdino
ASK homdino
PSK heterdino
PSK homdino
FSK heterdino
Deteco Direta
1
2
1
2
erfc ( N p /4 ) )
erfc ( N p /2 )
1
2
erfc ( N p )
1
2
erfc
1
2
1
2
(
erfc (
2N p
N p /2 )
exp( N p )
Np
Np
72
36
36
18
18
18
36
36
20
10
I = [( I p + ic )2 + is2 ]1/2 .
(10.3.9)
562
p( I , I p ) =
I 2 + I p2 I p I
I
exp
,
I
2 0
2
2
2
(10.3.10)
em que I0(x) representa uma funo de Bessel modificada de primeira espcie, e I varia de 0 a , pois a sada de um detector de envelope pode ter
apenas valores positivos. Essa PDF conhecida como distribuio de Rice [24].
Quando Ip=0, a distribuio de Rice se reduz distribuio de Rayleigh,
bastante conhecida na ptica estatstica [23].
O clculo da BER segue a anlise da Seo4.6.1, com a nica diferena
que a distribuio de Rice deve ser usada no lugar da distribuio gaussiana.
A BER dada pela Eq. (4.6.2) com:
P(0|1) =
ID
0
p( I,I 1 ) dI ,
P(1|0) =
ID
p( I,I 1 ) dI .
(10.3.11)
Q1( a,b ) =
x 2 + a2
xI 0 ( ax )exp dx.
2
(10.3.12)
I I
I I
1
BER = 1 Q1 1 , D + Q1 0 , D .
2
(10.3.13)
BER
1
1
exp( I 12 /8 2 ) = exp(SNR/8).
2
2
(10.3.14)
1
BER= exp( N p /4),
2
(10.3.15)
563
(10.3.16)
(10.3.18)
BER =
1
exp( N p ).
2
(10.3.19)
564
(10.3.20)
1
1
I 0 ( ab )exp[ ( a 2 + b 2 )],
2
2
(10.3.21)
a = [ N p (2 2 )]1/2 , b = [ N p (2 + 2 )]1/2 ,
(10.3.22)
Figura 10.11 BER em funo de Np no limite de rudo de disparo para receptores DBPSK
e DQPSK com demodulao por retardo ptico.
b a
I ( ab )
(a + b) 0
erfc
.
2
8
exp( ab )
(10.3.23)
Essa expresso precisa com tolerncia de 1%, para valores de BER abaixo de 3102. Se, agora, empregarmos as expanses assintticas I0(x)
(2x)1/2 exp(x) e erfc(x) (x)1/2exp(x2), vlidas para grandes valores
de x, e usarmos a e b da Eq. (10.3.22), obtemos [35]:
BER (1 + 2 )(8 2 N p )1/2 exp[ (2 2 ) N p ]. (10.3.24)
Essa expresso precisa com tolerncia de alguns pontos percentuais, para
valores de Np>3.
565
566
lidade do receptor. Nesta seo, consideraremos alguns importantes mecanismos de degradao de sensibilidade e, tambm, discutiremos tcnicas empregadas para melhorar o desempenho com adequado projeto do receptor.
2 = s2 + T2 + I2 ,
(10.4.1)
2 R 2 PS PLO
.
2
2q( RPLO + I d )f + T2 + 2 R 2 PLO
(RIN)f
(10.4.2)
2
A potncia PLO do oscilador local deve ser grande o bastante para T
ser desprezvel na Eq. (10.4.2) e o receptor heterdino operar no limite
de rudo de disparo. Contudo, um aumento em PLO leva a um aumento
quadrtico da contribuio do rudo de intensidade na Eq. (10.4.2).
Caso a contribuio do rudo de intensidade se torne comparvel do
rudo de disparo, a SNR diminuir, a menos que se aumente a potncia
de sinal P s visando compensar o aumento no rudo do receptor. Esse
aumento em P s a penalidade de potncia d I que resulta do rudo
de intensidade do oscilador local. Se, para um receptor projetado para
2
operar no limite de rudo de disparo, desprezarmos I d e T na Eq.
(10.4.2), a penalidade de potncia (em dB) fornecida pela simples
expresso:
(10.4.3)
Figura 10.12 Penalidade de potncia em funo do RIN, para trs valores da potncia
do oscilador local.
567
568
Figura 10.13 Variao do piso de BER em funo de Ts para (a) trs formatos PSK e
(b) o formato DPSK. A aproximao PNEC (linhas cheias) tem boa concordncia com
resultados numricos (smbolos). As linhas tracejadas mostram resultados de uma teoria
linearizada. (Aps a Ref. [50]; 2009 IEEE.)
569
570
uma taxa debits de 40Gb/s, aumenta por um fator 4. Como lasers DFB
com largura de linha de 10MHz ou menos so disponveis comercialmente,
o uso do formato DBPSK bastante prtico a taxas de bits de 10Gb/s ou
mais. Os requisitos so muito mais restritos para o formato DQPSK, para o
qual a taxa de smbolo Bs faz o papel da taxa de bits. Uma expresso analtica
aproximada [49] para a BER prev que, a 10 Gbaud, talvez seja necessrio
o emprego de um laser com largura de linha<3MHz. Obviamente, esse
valor aumenta por um fator 4 se o formato DQPSK for usado a uma taxa
de smbolos de 40 Gbaud.
A estimativa anterior da necessria largura de linha do laser tem por base
a hiptese de que uma BER de 109 ou menos exigida para que o sistema
opere de modo confivel. Os modernos sistemas de ondas luminosas que
empregam correo de erro frente so capazes de operar a uma BER alta,
como 10-3. Nesse caso, o valor limite do parmetro Ts para penalidade
de potncia<1dB pode aumentar por um fator 2 ou mais. Contudo, se a
penalidade de potncia aceitvel for reduzida a um nvel abaixo de 0,2dB,
Ts retorna aos valores limites discutidos anteriormente.
Uma abordagem alternativa resolve o problema de rudo de fase para receptores coerentes com a adoo de um esquema conhecido como
receptores com diversidade de fase [52]-[56]. Esses receptores usam mltiplos
fotodetectores, cujas sadas so combinadas para produzir um sinal que
independa da diferena de fase IF=s LO. A Figura10.14 mostra um
diagrama em blocos de um receptor com diversidade de fase e mltiplas
portas. Um componente ptico conhecido como hbrido ptico combina as
entradas de sinal e de oscilador local e fornece sua sada atravs de vrias
portas, com adequadas defasagens introduzidas em diferentes ramos. As sadas
das vrias portas so processadas eletronicamente e combinadas para fornecer
a corrente que independe de IF. No caso de um receptor homdino de
duas portas, os dois ramos de sada apresentam defasagem relativa de 90, de
modo que suas correntes variam na forma IpcosIF e Ipsen IF. Quando as duas
correntes so elevadas ao quadrado e somadas, o sinal se torna independente
de IF. No caso de um receptor de trs portas, os trs ramos tm defasagens
571
572
polarizao [62]. O sinal de fase conjugada pode ser gerado em uma fibra
de disperso deslocada por meio de mistura de quatro ondas. O laser de
bombeio usado para a mistura de quatro ondas tambm pode fazer o papel
de oscilador local. A resultante fotocorrente tem uma componente em uma
frequncia igual ao dobro da dissintonia entre bomba e sinal, a qual pode
ser usada para recuperar a sequncia de bits.
A abordagem mais comum resolve o problema de polarizao com
o emprego de um receptor de duas portas, similar ao mostrado na Figura10.5, com a diferena de que os dois ramos processam componentes
de polarizaes ortogonais. Tais receptores so denominados receptores com
diversidade de polarizao [63]-[71], pois seu funcionamento independe do
SOP do sinal ptico recebido. A Figura10.15 mostra um diagrama em
blocos de um receptor com diversidade de polarizao. Um divisor de
feixe por polarizao usado para separar as componentes em polarizaes
ortogonais, que so processadas por ramos separados do receptor de duas
portas. Quando as fotocorrentes geradas nos dois ramos so elevadas ao
quadrado e somadas, o sinal eltrico se torna independente da polarizao.
A penalidade de potncia que resulta da adoo dessa abordagem depende
das tcnicas de modulao e demodulao usadas pelo receptor. No caso
de demodulao sncrona, a penalidade de potncia pode ser alta, como
3dB [66]. Contudo, a penalidade de apenas 0,40,6dB para receptores
assncronos otimizados [63].
573
574
BER =
1
exp( N p )(1 + N p /4),
2
(10.4.4)
indicando que a BER aumenta por um fator 1+Np/4. O resultante aumento na necessria SNR no desprezvel, pois se obtm uma BER de
109 com uma SNR Np=22, e no 20. Contudo, esse aumento corresponde a uma penalidade de potncia menor do que 0,5dB. Quando um
sinal DQPSK recebido sem filtragem de polarizao, a BER obtida
como [18]:
1
1
I 0 ( ab )exp[ ( a 2 + b 2 )] +
2
2
1
[(b 2 a 2 )/8ab ]I 1( ab )exp[ ( a 2 + b 2 )],
2
BER = Q1( a, b )
(10.4.5)
575
576
Figura 10.17 Penalidades de potncia induzidas por (a) GVD e (b) PMD, para vrios
formatos de modulao. Aqui, 2-DPSK e 4-DPSK representam os formatos DBPSK e
DQPSK, respectivamente. (Aps a Ref. [82]; 2004 IEEE.)
discutidas no Captulo8. No caso de sistemas de longas distncias, a compensao peridica da disperso da fibra por meio de fibras compensadoras
de disperso rotineiramente empregada. possvel, tambm, compensar
a disperso da fibra por meio de tcnica de equalizao eletrnica implementada no receptor [84]-[87]. Essa abordagem desperta bastante interesse
desde 2005, devido implementao de processamento de sinal digital em
receptores coerentes digitais.
577
578
(10.5.1)
579
Figura 10.18 Ilustrao do aumento de rudo de fase induzido por SPM em uma fibra
ptica de comprimento L. SPM distorce a nuvem de rudo, inicialmente circular, em
uma elipse alongada. Os dois semicrculos tracejados mostram a faixa de flutuaes
de amplitude.
NL
N
k
= Leff A(0, t ) + n j
k =1
j =1
(10.5.3)
sendo nj(t) o rudo adicionado pelo j-simo amplificador. Essa expresso
pode ser utilizada para determinar a funo densidade de probabilidade
(PDF) do rudo de fase no linear, notando que o rudo de ASE adicionado
por um amplificador independe do rudo adicionado por outros amplificadores [18].
Como visto na Eq. (10.5.1), a fase do sinal contm dois termos de rudo
que representam flutuaes de fase linear e no linear. Na prtica, a PDF da
fase total (t) de maior interesse, pois controla a BER de um sistema de
onda luminosa com codificao em fase. Esse caso foi estudado em 1994
por Mecozzi, que obteve uma expresso analtica aproximada para a BER
no caso do formato DPSK [95]. Em 2004, obteve-se uma expresso analtica
para a PDF da fase do sinal, na forma de uma srie infinita contendo funes
hipergeomtricas [103].
580
SASE LT
2
1 + 2( P0 LT ) /3 ,
2 E0
(10.5.4)
onde SASE a densidade espectral do rudo de ASE dada na Eq. (7.2.11);
LT o comprimento total do enlace, E0 a energia do pulso no slot do
smbolo, e P0 a correspondente potncia de pico. O primeiro termoque
representa a contribuio de d na Eq. (10.5.2) cresce linearmente com
LT. O segundo termo com origem no rudo de fase no linear cresce
cubicamente com LT e mostra por que SPM possui papel deletrio em
sistemas de ondas luminosas codificados em fase. A varincia da fase pode
ser minimizada com a otimizao de P0 ou do valor mdio <NL> do deslocamento de fase no linear. fcil mostrarpor diferenciao da Eq.
(10.5.4) que o valor timo de <NL> 3/2.
A Figura10.19 mostra trs exemplos de PDFs da fase, para SBR ptica
do sinal recebido com valores de 10, 15 e 20dB [103]. Em cada caso, a
linha tracejada mostra uma distribuio gaussiana com a mesma varincia.
Embora se aproxime de uma gaussiana para SNR de 20dB ou mais, a PDF
das flutuaes de fase se desvia da distribuio gaussiana para valores mais
baixos da SNR, especialmente nas caudas da PDF, que so importantes para
estimativas da BER. No obstante, a varincia das flutuaes de fase fornece
uma medida grosseira do impacto do rudo de fase no linear sobre o
desempenho de sistemas, sendo comumente utilizada como uma orientao.
Figura 10.19 Funo densidade de probabilidade da fase do sinal para SNR ptica do
sinal recebido com valores de 10, 15 e 20dB, usando <NL>= 3/2. Em cada caso, a
linha tracejada mostra uma distribuio gaussiana com a mesma varincia. (Aps a Ref.
[103]; 2004 OSA.)
581
582
Figura 10.20 BERs preditas em funo da potncia lanada por canal, para um sistema
WDM DBPSK de 49 canais com (a) 95%, (b) 100% e (c) 0% de compensao da disperso
nas posies dos amplificadores, sendo o restante da disperso compensado no lado
do receptor. (Aps a Ref. [111]; 2007 IEEE.)
no receptor. No caso (a), a BER de todos os canais pode ser reduzida quase
ao nvel de 10-9, com a otimizao das potncias dos canais em um valor
prximo a 2 mW. No caso (b), com 100% de compensao da disperso, os
efeitos de XPM intracanal degradam a fase do sinal a ponto de uma BER
no menor do que 105 ser realizada mesmo quando as potncias dos canais
so adequadamente otimizadas para algo prximo a 1 mW. No caso (c), em
que toda a disperso compensada no lado do receptor, a BER melhora
consideravelmente, mas a tima potncia dos canais diminui com o aumento
do nmero de canais. Ademais, a BER muito sensvel a esse valor timo e
cai rapidamente com pequenas mudanas nele. Em todos os casos, a situao
muito pior para o formato DQPSK. Esses resultados indicam que efeitos
de XPM intracanal limitam severamente o desempenho de sistemas WDM
codificados em fase.
583
584
Figura 10.21 Diagramas fasoriais aps 6.000km de transmisso para (a) um canal, (b) 5
canais espaados de 100GHz e (c) 5 canais espaados de 50 GH. A linha inferior mostra
reduo no rudo de fase com ps-compensao de no linearidade. (Aps a Ref. [115];
2002 OSA.)
585
586
Q = 20 log 10 ( 2erfc1(2BER)) .
(10.5.5)
Figura 10.23 (a) Fatores Q, com e sem OPC, em funo da distncia, para um tpico
canal de um sistema WDM de 44 canais no formato DQPSK, (b) fatores Q com OPC a
duas distncias, para todos os canais. O limite de FEC mostrado para comparao.
(Aps a Ref. [121]; 2006 IEEE.)
erro alm de 7800km. Degradao to rpida no ocorre quando se emprega OPC, e o sistema WDM capaz de operar sem erro por 10.200km. A
Figura10.23(b) mostra que, distncia de 10.200km, os fatores Q de todos
os canais permanecem acima do limite de FEC de 9,1dB. Esses resultados
ilustram com clareza o potencial da compensao de rudo de fase no linear
em um sistema WDM real com base em OPC.
Vrias outras tcnicas so capazes de prover compensao parcial de
rudo de fase no linear. possvel utilizar um esquema de compensao
eletrnica no receptor ptico simplesmente subtraindo da fase recebida uma
correo proporcional potncia incidente. Com adequada otimizao, foi
possvel reduzir a varincia de fase por at um fator 4, o que permitiu dobrar
a distncia de transmisso [124]. O rudo de fase no linear em um enlace
de fibra pode ser controlado, at certo ponto, por meio da otimizao do
nmero e do posicionamento de amplificadores em linha [126]. O uso de
filtragem de Wiener tambm foi sugerido para esse propsito [127].
587
588
Figura 10.24 Comparao de fatores Q em funo da (a) SNR ptica e (b) distncia, para
quatro formatos de modulao em um sistema WDM com canais de 10,7Gb/s espaados
por 100GHz. (Aps a Ref. [134]; 2003 IEEE.)
589
590
Figura 10.25 Componentes de um receptor coerente digital. LPF, ADC e DSP designam
filtro passa-baixas (Low-Pass Filter), conversor analgico-digital (Analog-to-Digital Converter) e processamento digital de sinal (Digital Signal Processing), respectivamente.
(Aps a Ref. [158]; 2006 IEEE.)
591
592
canais pde ser reduzido para 16,7GHz, produzindo uma eficincia espectral
de 6,7b/s/Hz [166]. Se for levado em conta o overhead de FEC e for usada
a real taxa de bits de 104GB/s, a eficincia espectral passa a 6,2b/s/Hz,
ainda um valor respeitvel. Um sistema de alta capacidade foi demonstrado
em um experimento de 2008, em que 161 canaiscada um operando
taxa de bits de 114Gb/sforam transmitidos por 662km de fibra [167]. O
experimento combinou o formato 8-PSK e multiplexao em polarizao,
resultando em uma taxa de smbolos de 19 Gbaud. Foi possvel amplificar
todos os 114 canais por um nico EDFA de banda C, devido ao espaamento
de 25GHz adotado entre canais nesse experimento. Uma capacidade de
sistema de 32Tb/s foi realizada em um experimento de 2009, o qual transmitiu 320 canais WDM (cada um a 114Gb/s) por 580km de fibra usando
o formato 8-QAM com PDM [168]. Em 2010, a capacidade de sistema foi
mais do que dobrada, alcanando 69,1Tb/s, com a transmisso de 432 canais
(cada um operando a 171Gb/s) por 240km, com eficincia espectral de
6,4b/s/Hz, usando o formato 16-QAM [169]. Outro experimento de 2010
realizou capacidade de 64Tb/s com a transmisso de 640 canais (cada um
operando a 107Gb/s) por 320km, com eficincia espectral de 8b/s/Hz,
com o formato 32-QAM [170].
593
594
Figura 10.28 BER do canal central aps 1.000km em funo da potncia de entrada por
canal, para trs duraes de smbolos (do mais curto para o mais longo) correspondentes
ao tamanho da FFT de 128, 256 e 1024. (Aps a Ref. [184]; 2009 IEEE.)
fibra padro usando o formato 8-QAM com PDM. Com 128 subportadoras,
a durao dos smbolos era de 14,4ns; com 1024 subportadoras, a durao
dos smbolos aumentou para 104ns. A Figura10.28 mostra a BER observada para o canal central depois de 1.000km de transmisso em funo da
potncia mdia de entrada por canal, para trs duraes de smbolos correspondentes a 128, 256 e 1.024 subportadoras. As distores de fase lineares
foram compensadas em todos os casos por meio da tcnica de piloto de
RF, resultando no mesmo desempenho de sistema para baixas potncias de
entrada. Contudo, medida que a potncia por canal aumentava acima de
0,2 mW, distores de fase no lineares levaram a considervel aumento da
BER, no caso de smbolos com 104ns de durao (1.024 subportadoras).
A BER foi mnima no caso de 128 subportadoras. Uma razo para essa
dependncia em relao durao dos smbolos o fato de o piloto de
RF tambm ser afetado pelos fenmenos de SPM e XPM, medida que
a potncia por canal aumenta. Tais distores no lineares do piloto de RF
podem reduzir a eficcia do esquema de compensao do rudo de fase.
A pesquisa com sistemas de OFDM ptico progride rapidamente em
vrias direes. Em um caso, o objetivo aumentar a eficincia espectral
de sistemas WDM. Em um experimento de 2009, uma eficincia espectral
de 7b/s/Hz foi realizada com a transmisso de 8 canais de 65,1Gb/s por
630km de fibra com o emprego do formato 32-QAM com PDM [185]. O
espaamento entre canais foi de apenas 8 GHz nesse experimento de WDM.
Em outro caso, o objetivo era o aumento da capacidade do sistema. Em um
experimento de 2009, OFDM foi usada para transmitir 135 canais, cada um
operando a 111Gb/s, por 6.248km, resultando em um recorde do produto
capacidade-distncias de 84.300(Tb/s)-km [186]. Esse experimento empregou o formato QPSK e PDM juntamente com amplificao distribuda
Raman para o sinal WDM que se estendia de 1.563 a 1.620nm.
595
596
(10.7.1)
597
598
Figura 10.29 Eficincia espectral em funo da SNR calculada numericamente, incluindoefeitos no lineares, para distncias de transmisso de 500 a 8.000km. (Aps a
Ref. [200]; 2010 IEEE.)
REFERNCIAS
[1]
SCHWARTZ, M. Information Transmission, Modulation, and Noise. 4. ed.
New York: McGraw-Hill, 1990.
[2]
PROAKIS, J. G. Digital Communications. 4. ed. New York: McGraw Hill, 2001.
[3]
COUCH, II, L. W. Digital and Analog Communication Systems. 7. ed. Upper
Saddle River: Prentice Hall, 2006.
[4]
OKOSHI, T.; KIKUCHI, K. Coherent Optical Fiber Communications. Boston:
Kluwer Academic, 1988.
[5]
LINKE, R. A.; GNAUCK, A. H. J. Lightwave Technol., v. 6, p. 1750, 1988.
[6]
BARRY, J. R.; LEE, E. A. Proc. IEEE, v. 78, p. 1369, 1990.
[7]
HENRY, P. S.; PERSOINICK, S. D. (Eds.). Coherent Lightwave Communications.
Piscataway: IEEE Press, 1990.
599
600
[8]
BETTI, S.; DE MARCHIS, G.; LANNONE, E. Coherent Optical Communication
Systems. New York: Wi1ey, 1995.
[9]
RYU, S. Coherent Lightwave Communication Systems. Boston: Artec House,
1995.
[10] SINSKY, J. H. etal. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 180, 2004.
[11] GNAUCK, A. H.; WINZER, P. J. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 115, 2005.
[12] WINZER, P. J.; ESSIAMBRE, R. -J. Proc. IEEE, v. 94, p. 952, 2006. J. Lightwave
Technol., v. 24, p. 4711, 2006.
[13] WINZER, P. J.; ESSIAMBRE, R. -J.In: KAMINOW, I. P., LI,T.,WILLNER,A. E. (Eds.).
Optical Fiber Telecommunications, v. 5B. Boston: Academic Press, 2008. Captulo 2.
[14] KIKUCHI, K.In: KAMINOW, I. P., LI, T., WILLNER, A. E. (Eds.). Optical Fiber
Telecommunications, v. 5B. Boston: Academic Press, 2008. Captulo 3.
[15] IP, E. etal. Opt. Express, v. 16, p. 753, 2008.
[16] LIU, X.; CHANDRASEKHAR, S.; LEVEN, A.In: KAMINOW, I. P., LI,T.,WILLNER,
A. E., (Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 5B. Boston: Academic Press,
2008. Captulo 4.
[17] AGRAWAL, G. P. Lightwave Technology: Components and Devices. Hoboken:
Wiley, 2004.
[18] HO, K. -P. Phase-Modulated Optical Communication Systems. New York:
Springer, 2005.
[19] GARDNBER, F. M. Phaselock Techniques. Hoboken: Wiley, 2005.
[20] ABBAS, G. L.; CHAN,V. W.;YEE, T. K. J. Lightwave Technol., v. 3, p. 1110, 1985.
[21] KASPER, B. L. etal. Electron. Lett., v. 22, p. 413, 1986.
[22] ALEXANDER, S. B. J. Lightwave Technol., v. 5, p. 523, 1987.
[23] GOODMAN, J. W. Statistical Optics. New York: Wiley, 1985.
[24] RICE, S. O. Bell Syst. Tech. J., v. 23, p. 282, 1944. v. 24, p. 96, 1945.
[25] MARCUM, J. I. IRE Trans. Inform. Theory, v. 6, p. 259, 1960.
[26] KAZOVSKY, L. G. etal. Electron. Lett, v. 23, p. 871, 1987.
[27] ELREFAIE, A. F. etal. Electron. Lett., v. 24, p. 158, 1988.
[28] GROSS, R.; MEISSNER, P.; PATZAK, E. J. Lightwave Technol., v. 6, p. 521, 1988.
[29] DE KROM, W. H. C. J. Lightwave Technol., v. 9, p. 641, 1991.
[30] LEE,Y. -H.; KUO, C. -C.; TSAO, H. -W. Microwave Opt. Tech. Lett., v. 5, p. 168,
1992.
[31] CHO, P. S. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 656, 2004.
[32] SEGUIN, F.; GONTHIER, F. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf. Digest, Paper
OFL5, 2005.
[33] CHRISTEN, L. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 20, p. 1166-8, 2008.
[34] CORAZZA, G. E.; FERRARI, G. IEEE Trans. Inf. Theory, v. 48, p. 3003, 2002.
[35] FERRARI, G.; CORAZZA, G. E. Electron. Lett., v. 40, p. 1284, 2004.
[36] KIKUCHI, K. etal. J. Lightwave Technol., v. 2, p. 1024, 1984.
[37] NICHOLSON, G. Electron. Lett., v. 20, p. 1005, 1984.
[38] KAZOVSKY, L. G. J. Lightwave Technol., v. 3, p. 1238, 1985. J. Lightwave Technol.,
v. 4, p. 415, 1986.
[39] GLANCE, B. J. Lightwave Technol., v. 4, p. 228, 1986.
[40] GARRETT, I.; JACOBSEN, G. J. Lightwave Technol., v. 4, p. 323, 1986. v. 5, p. 551,
1987.
[41] HODGKINSON, T. G. J. Lightwave Technol., v. 5, p. 573, 1987.
[42] KAZOVSKY, L. G.; MEISSNER, P.; PATZAK, E. J. Lightwave Technol., v. 5, p. 770,
1987.
[43] FOSCHINI, G. J.; GREENSTEIN, L. J.; VANNUCHI, G. IEEE Trans. Commun.,
v. 36, p. 306, 1988.
[44] GARRETT, I. etal. J. Lightwave Technol., v. 8, p. 329, 1990.
[45] KAZOVSKY, L. G.; TONGUZ, O. K. J. Lightwave Technol., v. 8, p. 338, 1990.
[46] KAISER, C.; SHAFI, M.; SMITH, P. J. Lightwave Technol., v. 11, p. 1820, 1993.
[47] EINARSSON, G.; STRANDBERG, J.; MONROY, I. T. J. Lightwave Technol.,
v. 13, p. 1847, 1995.
[48] CORE, M. T.; TAN, H. H. IEEE Trans. Commun., v. 50, p. 21, 2002.
[49] SAVORY, S.; HADJIFOTIOU, A. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 930, 2004.
[50] ATZMON,Y.; NAZARATHY, M. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 19, 2009.
[51] SERENA, P. etal. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 2404, 2009.
[52] HODGKINSON, T. G.; HARMON, R. A.; SMITH, D. W. Electron. Lett., v. 21,
p. 867, 1985.
[53] DAVIS, A. W.; WRIGHT, S. Electron. Lett., v. 22, p. 9, 1986.
[54] DAVIS, A. W. etal. J. Lightwave Technol., v. 5, p. 561, 1987.
[55] KAZOVSKY, L. G. etal. J. Lightwave Technol., v. 6, p. 1527, 1988.
[56] KAZOVSKY, L. G. J. Lightwave Technol., v. 7, p. 279, 1989.
[57] OKOSHI, T. J. Lightwave Technol., v. 3, p. 1232, 1985.
[58] HODGKINSON, T. G.; HARMON, R. A.; SMITH, D. W. Electron. Lett., v. 23,
p. 513, 1987.
[59] MAEDA, M. W.; SMITH, D. A. Electron. Lett., v. 27, p. 10, 1991.
[60] POGGIOLINI, P.; BENEDETTO, S. IEEE Trans. Commun., v. 42, p. 2105, 1994.
[61] BENEDETTO, S.; POGGIOLINI, P. IEEE Trans. Commun., v. 42, p. 2915, 1994.
[62] AGRAWAL, G. P. Quantum Semiclass. Opt., v. 8, p. 383, 1996.
[63] GLANCE, B. J. Lightwave Technol., v. 5, p. 274, 1987.
[64] OKOSHI, T.; CHENG,Y. C. Electron. Lett., v. 23, p. 377, 1987.
[65] CHENG,Y. H.; OKOSHI, T.; ISHIDA, O. J. Lightwave Technol., v. 7, p. 368, 1989.
[66] ENNING, B. etal. J. Lightwave Technol., v. 7, p. 459, 1989.
[67] LANGENHORST, R. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 3, p. 80, 1991.
[68] IMAI, T. J. Lightwave Technol., v. 9, p. 650, 1991.
[69] RYU, S. etal. J. Lightwave Technol., v. 9, p. 675, 1991.
[70] GHIRARDI, F. etal. J. Lightwave Technol., v. 13, p. 1536, 1995.
[71] ERDOGAN, A. T.; DEMIR, A.; OKTEM, T. M. J. Lightwave Technol., v. 26,
p. 1823, 2008.
[72] PFAU, T. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 19, p. 1988, 2007.
[73] RENAUDIER, J. etal. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 36, 2008.
[74] KIKUCHI, K.; TSUKAMOTO, S. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 1817, 2008.
[75] ZHANG, C. etal. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 224, 2009.
[76] ELREFAIE, A. A. etal. J. Lightwave Technol., v. 6, p. 704, 1988.
[77] IWASHITA, K.; TAKACHIO, N. J. Lightwave Technol., v. 7, p. 1484, 1989.
[78] KAO, M. S.; WU, J. S. J. Lightwave Technol., v. 11, p. 303, 1993.
[79] IANNONE, E. etal. J. Lightwave Technol., v. 11, p. 1478, 1993.
[80] PAI, B.; GANGOPADHYAY, R.; PRATI, G. J. Lightwave Technol., v. 18, p. 530,
2000.
[81] FORESTIERI, E. J. Lightwave Technol., v. 18, p. 1493, 2000.
[82] WANG, J.; KHAN, J. M. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 362, 2004.
[83] HO, K. -P.; WANG, H. -C. IEEE Trans. Commun., v. 56, p. 1422, 2008.
[84] PRIEST, R. G.; GIALLORENZI, T. G. Opt. Lett., v. 12, p. 622, 1987.
[85] WINTERS, J. J. Lightwave Technol., v. 8, p. 1487, 1990.
[86] IP, E.; KHAN, J. M. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 2033, 2007.
[87] BLOW, H.; BUCHALI, F.; KLEKAMP, A. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 158,
2008.
[88] AGRAWAL, G. P. Nonlinear Fiber Optics. 4.ed. San Diego: 2007.
[89] AOKI,Y.; TAJIMA, K.; MITO, I. J. Lightwave Technol., v. 6, p. 710, 1988.
[90] SUGIE, T. J. Lightwave Technol., v. 9, p. 1145, 1991. Opt. Quantum Electron.,
v. 27, p. 643, 1995.
[91] OHKAWA, N.; HAYASHI,Y. J. Lightwave Technol., v. 13, p. 914, 1995.
[92] GORDON, J. P.; MOLLENAUER, L. F. Opt. Lett., v. 15, p. 1351, 1990.
[93] RYU, S. J. Lightwave Technol., v. 10, p. 1450, 1992.
[94] TAKACHIO, N. etal. J. Lightwave Technol., v. 12, p. 247, 1994.
[95] MECOZZI, A. J. Lightwave Technol., v. 12, p. 1993, 1994.
[96] MCKINSTRIE, C. J.; XIE, C. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 8, p. 616,
2002.
601
602
[97] KIM, H.; GNAUCK, A. H. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 320, 2003.
[98] HO, K. -P. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 1213, 2003. J. Opt. Soc. Am. B.,
v. 20, 1875, 2003; IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 1403, 2004.
[99] KIM, H. J. Lightwave Technol., v. 21, p. 1770, 2003.
[100] GREEN, A. G.; MITRA, P. P.; WEGENER, L. G. L. Opt. Lett., v. 28, p. 2455, 2003.
[101] HANNA, M. etal. J. Opt. Soc. Am. B., v. 21, p. 24, 2004.
[102] HO, K. -P. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 10, p. 421, 2004. IEEE
Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 789, 2005.
[103] MECOZZI, A. Opt. Lett., v. 29, p. 673, 2004.
[104] YADIN,Y.; SHTAIF, M.; ORENSTEIN, M. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p.
1307, 2004.
[105] WANG, J.; KAHN, J. M. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 2165, 2004.
[106] KUMAR, S. Opt. Lett., v. 30, p. 3278, 2005.
[107] HO, K. -P.; WANG, H. -C. Opt. Lett., v. 31, p. 2109, 2006.
[108] ZHANG, F.; BUNGE, C. -A.; PETERMANN, K. Opt. Lett., v. 31, p. 1038, 2006.
[109] SERENA, P.; ORLANDINI, A.; BONONI, A. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 2026,
2006.
[110] YADIN, Y.; ORENSTEIN, M.; SHTAIF, M. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 19,
p. 164, 2007.
[111] DEMIR, A. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 2002, 2009.
[112] BERTOLINI, M. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 21, p. 15, 2009.
[113] SECONDINI, M.; FREZZINI, M.; FORESTIERI, E. IEEE Photon. Technol.
Lett., v. 21, p. 908, 2009.
[114] KUMAR, S. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 4722, 2009.
[115] LIU, X. etal. Opt. Lett., v. 27, p. 1616, 2002.
[116] XU, C.; LIU, X. Opt. Lett., v. 27, p. 1619, 2002.
[117] XU, C.; MOLLENAUER, L. F.; LIU, X. Electron. Lett., v. 38, p. 1578, 2002.
[118] HO, K. -P. Opt. Commun., v. 221, p. 419, 2003. Opt. Commun., v. 245, p. 391, 2005.
[119] HANSRYD, J.; van HOWE, J.; XU, C. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 1975,
2004. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 232, 2005.
[120] MCKINSTRIE, C. J.; RADIC, S.; XIE, C. Opt. Lett., v. 28, p. 1519, 2003.
[121] JANSEN, S. L. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 54, 2006.
[122] BOIVIN, D. etal. J. Opt. Soc. Am. B., v. 23, p. 2019, 2006.
[123] KUMAR, S.; LIU, L. Opt. Express, v. 15, p. 2166, 2007.
[124] HO, K. -P.; KAHN, J. M. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 779, 2004.
[125] JANSEN, S. L. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 505, 2006.
[126] LAU, A. P. T.; KAHN, J. M. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 1334, 2006.
[127] QI, X. Q.; ZHANG, X. P.; SHAO, Q. F. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 3210, 2008.
[128] WATANABE, S.; SHIRASAKI, M. J. Lightwave Technol., v. 14, p. 243, 1996.
[129] ESSIAMBRE, R. J.; AGRAWAL, G. P. J. Opt. Soc. Am. B., v. 14, p. 323, 1997.
[130] ROHDE, M. etal. Electron. Lett., v. 36, p. 1483, 2000.
[131] LEIBRICH, J.; WREE, C.; ROSENKRANZ, W. IEEE Photon. Technol. Lett., v.
14, p. 155, 2002.
[132] GNAUCK, A. H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 467, 2003.
[133] XU, C. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 617, 2003.
[134] Mizuochi, T. etal. J. Lightwave Technol., v. 21, p. 1933, 2003.
[135] GNAUCK, A. H. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper FC2, 2002.
[136] ZHU, B. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDP19, 2003.
[137] RASMUSSEN, C. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDP18, 2003.
[138] MARCEROU, J. F. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDP20, 2003.
[139] CAI, J. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDP22, 2003.
[140] TSURITANI, T. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDP23, 2003.
[141] BECOUAM, L. etal. Proc. Eur. Conf. Opt. Commun., Paper PD39, 2003.
[142] TSURITANI, T. etal. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 215, 2004.
[143] SOTOBAYASHI, H.; CHUJO, W.; KITAYAMA, K. IEEE Photon. Technol. Lett.,
v. 14, p. 555, 2002.
[144] GNAUCK, A. H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 467, 2003.
[145] CHO, P. S. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 473, 2003.
[146] WREE, C. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 1303, 2003.
[147] TOKLE, T. etal. Electron. Lett., v. 40, p. 444, 2004.
[148] BHANDARE, S. etal. Electron. Lett., v. 40, p. 821, 2004.
[149] YOSHIKANE, N.; MORITA, I. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 108, 2005.
[150] MILIVOJEVIC, B. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 495, 2005.
[151] JANSEN, S. L. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDP28, 2005.
[152] BHANDARE, S. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 914, 2005.
[153] Van den BORNE, D. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDP34, 2006.
[154] SANO, A. etal. Proc. Eur. Conf. Opt. Commun., Paper Th4.1.1, 2006.
[155] MASUDA, H. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDP20, 2007.
[156] GNAUCK, A. H. etal. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 79, 2008.
[157] IP, E.; KHAN, J. M. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 4110, 2005.
[158] LY-GAGNON, D. S. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 12, 2006.
[159] TSUKAMOTO, S. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDP29, 2005.
[160] Charlet, G. etal. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 153, 2009.
[161] NAKAZAWA, M. etal. Electron. Lett., v. 42, p. 710, 2006.
[162] HONGO, J. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 19, p. 638, 2007.
[163] YOSHIDA, M. etal. Proc. Eur. Conf. Opt. Commun., Paper Mo.4.D.5, 2008.
[164] MORI,Y. etal. Proc. Eur. Conf. Opt. Commun., Paper Tu.l.E.4, 2008.
[165] WINZER, P. J.; GNAUCK, A. H. Proc. Eur. Conf. Opt. Commun., Paper Th.3.E.5,
2008.
[166] GNAUCK, A. H. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDPB8, 2009.
[167] YU, J. etal. Proc. Eur. Conf. Opt. Commun., Paper Th.3.E.2, 2008.
[168] ZHOU, X. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDPB4, 2009.
[169] SANO, A. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDPB7, 2010.
[170] ZHOU, X. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDPB9, 2010.
[171] SHIEH, W.; ATHAUDAGE, C. Electron. Lett., v. 42, p. 587, 2006.
[172] LOWERY, A. J.; ARRNSTRONG, J. Opt. Express, v. 14, p. 2079, 2006.
[173] DJORDJEVIC, I. B.;VASIC, B. Opt. Express, v. 14, p. 3767, 2006.
[174] LOWERY, A. J.;WANG, S.; PREMARATNE, M. Opt. Express, v. 15, p. 13282, 2007.
[175] SHIEH, W.;YI, X.; TANG,Y. Electron. Lett., v. 43, p. 183, 2007.
[176] JANSEN, S. L. etal. J. Lightwave Technol., v. 26, p. 6, 2008.
[177] JANSEN, S. L. etal. J. Opt. Networking, v. 7, p. 173, 2008.
[178] SHIEH, W. etal. J. Opt. Networking, v. 1, p. 234, 2008.
[179] SHIEH, W.; BAO, H.; TANG,Y. Opt. Express, v. 16, p. 841, 2008.
[180] SHIEH, W.;YANG, Q.; MA,Y. Opt. Express, v. 16, p. 6378, 2008.
[181] YANG, Q. etal. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 168, 2009.
[182] JANSEN, S. L. etal. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 177, 2009.
[183] ARMSTRONG, J. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 189, 2009.
[184] JANSEN, S. L. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 21, p. 802, 2009.
[185] TAKAHASHI, H. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDPB7, 2009.
[186] MASUDA, H. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDPB5, 2009.
[187] ZHANG, C. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper OTuG3, 2009.
[188] SCHMIDT-LANGHORST, C. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper
OTuN5, 2009.
[189] MA,Y. etal. Opt. Express, v. 17, p. 9421, 2009.
[190] DISCHLER, R.; BUCHALI, F. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDPC2,
2009.
[191] HILLERKUSS, D. etal. Proc. Opt. Fiber Commun. Conf., Paper PDPC1, 2010.
[192] MITRA, P. P.; STARK, J. B. Nature, v. 411, p. 1027, 2001.
[193] MECOZZI, A.; SHTAIF, M. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 1029, 2001.
[194] TANG, J. J. Lightwave Technol., v. 19, p. 1104, 2001. v. 19, p. 1110, 2001.
[195] NARIMANOV, E. E.; MITRA, P. P. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 530, 2002.
[196] TURITSYN, K. S. etal. Phys. Rev. Lett., v. 91, p. 203901, 2003.
603
604
CAPTULO 11
606
607
ptico incide em uma das portas do acoplador, ele dividido em duas partes
cujas amplitudes e fases relativas dependem da matriz de transferncia do
acoplador, dada por [11]:
Tc =
i 1
i 1
,
(11.1.1)
TS = 1 2 (1 ) {1 + cos [(1 2 ) P0 L ]} ,
(11.1.2)
sendo P0 a potncia de entrada. Para =0,5, Ts igual a zero, e toda a potncia de entrada refletida (da a denominao lao ptico refletivo). Fisicamente,
se a potncia for igualmente dividida entre as ondas contrapropagantes, os
deslocamentos de fase no lineares sero iguais para as duas ondas, resultando
em diferena de fase relativa zero entre as ondas contrapropagantes. Contudo,
se o fator de diviso de potncia for diferente de 0,5, um NOLM exibir
comportamentos distintos em potncias altas e baixas, e poder funcionar
como um comutador ptico.
A Figura11.2 mostra a potncia transmitida em funo de P0, para dois
valores de . Em baixas potncias, pouca luz transmitida se for prximo
de 0,5, pois Ts 1 - 4(1). Em altas potncias, o deslocamento de
Figura 11.2 Potncia transmitida em funo da potncia de entrada, para dois valores
de , mostrando a resposta no linear de um interfermetro de Sagnac totalmente
ptico.
608
TS = 1 2 (1 ) {1 + cos [(1 G ) P0 L ]} .
(11.1.4)
P0 = 2 / [(G 1) L ] .
(11.1.5)
609
XPM = 2 0 Ac (t dw z ) dz,
L
(11.1.6)
dw = v gc1 v gs1 = 2 ( )
(11.1.7)
(11.1.8)
(11.1.9)
610
Figura 11.3 Perfil temporal do deslocamento de fase induzido por XPM (normalizado
em relao a max) em funo de T/T0, para diversos valores de L/LW.
A Figura11.3 mostra o deslocamento de fase induzido por XPM, normalizado ao valor mximo max=2gPcL, em funo de , para diversos
valores de L/LW, no caso de pulsos gaussianos. Para pequenos valores de
L/LW, o perfil de fase temporal imita a forma do pulso. Contudo, medida
que o comprimento da fibra se torna maior do que LW, a forma do perfil
consideravelmente distorcida. Como poderamos esperar, o valor mximo
do deslocamento de fase reduzido por efeitos de ultrapassagem, uma
caracterstica indesejvel que aumenta a necessria potncia de pico. Entretanto, de um ponto de vista prtico, ainda mais prejudicial o alargamento
do perfil de fase, pois leva a uma janela de comutao mais larga do que os
pulsos de controle.
Pode-se resolver o problema de ultrapassagem de pulsos com o uso de
fibra cujo comprimento de onda de disperso zero fique entre os comprimentos de onda de bombeamento e de sinal, de modo que as duas ondas
possuam a mesma velocidade de grupo (dw=0). De fato, um lao de Sagnac
de 200 m foi construdo em 1990 com fibra mantenedora de polarizao
[16], e empregado na comutao de um sinal de 1,54mm com pulsos de
bombeamento de 120 ps e 1,8W de potncia de pico em 1,32mm. Em
um experimento posterior, pulsos de bombeamento de 14 psobtidos de
um laser DFB chaveado em ganho operando em 1,55mm e amplificados
por um amplificador a fibraforam capazes de comutar um sinal CW na
regio de comprimentos de onda nas proximidades de 1,32mm.
possvel evitar a ultrapassagem de pulsos que ocorre devido diferena
de comprimento de onda entre bomba e sinal pode ser evitada com o uso de
uma bomba ortogonalmente polarizada no mesmo comprimento de onda
do sinal [17]. O descasamento de velocidade de grupo ainda persiste, devido
611
612
dAs
= 2i Ap2 exp (i z ) Ai* ,
dz
(11.1.10)
dAi
= 2i Ap2 exp (i z ) As* ,
dz
(11.1.11)
613
= ( s ) + (i ) 2 ( p ) + 2 P0 ,
(11.1.12)
2
Ps (L ) = As (L ) = Ps (0) 1 + (1 + 2 / 4 g 2 ) sinh 2 ( gL ) , (11.1.13)
Pi (L ) = Ai (L ) = Ps (0) (1 + 2 / 4 g 2 ) sinh 2 ( gL ) ,
2
(11.1.14)
(11.1.15)
sinh 2 ( gL )
Ps (L )
= 1+
2 ,
Ps (0)
( gL NL )
(11.1.16)
Gs
1
exp ( 2 P0 L ) .
4
(11.1.17)
Em termos do comprimento no linear, o ganho de um amplificador paramtrico aumenta como exp(2L/LNL), desde que saturao de ganho e
depleo de bomba permaneam desprezveis. Notemos que o comprimento
614
Figura 11.5 Espectro de ganho de um amplificador paramtrico com 0,5km de comprimento, para trs nveis de potncia de bombeio, obtido numericamente usando
b2=0,5ps2/km e g= 10W1/km.
consideravelmente mais larga. essa regio central de ganho plano que faz
dos amplificadores paramtricos dispositivos teis para sistemas de ondas
luminosas.
Amplificadores paramtricos com duplo bombeamento fornecem ganho
uniforme em uma grande largura de banda por meio do equilbrio de trs
processos distintos, capazes de produzir ganho paramtrico em mltiplas
regies espectrais [34]. Consideremos, como ilustrado na Figura11.6, duas
bombas nas frequncias w1 e w2 e um sinal na frequncia w1+. Primeiro,
FWM no degenerado produz uma onda idler em w2 por meio do processo
w1+w2 w1++w2. Segundo, por um processo de FWM degenerado
615
616
w1+w1
1 + 1+ 2 + 2 ,
2 + 1+ 1 + 2+ .
(11.1.18)
617
618
Figura 11.8 Ganho de sinal (linhas tracejadas) e eficincia de converso de idler (linhas
cheias) em funo da intensidade de bombeamento, para diversos valores de tempo
de vida de portadores c. A curva Sem FCA corresponde ao caso c=0. (Aps a Ref.
[40]; 2006 OSA.)
de 100 ps. Tal limitao no existe para pulsos pticos curtos. Por essa
razo, os primeiros experimentos com FWM em guias de onda de silcio
empregaram bombeamento pulsado para obter ganho lquido de sinal [38].
Contudo, bombeamento CW , muitas vezes, desejvel para aplicaes
de processamento de sinal. A limitao imposta pelo tempo de vida de
portadores pode ser superada, at certo ponto, com a implementao de
uma juno p-i-n reversamente polarizada que remova portadores livres da
regio de FWM, acelerando-os em direo aos eletrodos [41]. Um aspecto
positivo que um comprimento relativamente curto de guia de onda de
silcio permite a ocorrncia de FWM em uma larga faixa de comprimentos
de onda, que pode exceder 300nm [40]. Em um experimento de 2010,
uma largura de banda de mais de 800nm foi realizada controlando a disperso do guia de onda atravs das dimenses do dispositivo[44]. Uma
detalhada teoria de FWM mostra que as magnitudes e os sinais das disperses de segunda e de terceira ordens devem ser controlados para estender a largura de banda de ocorrncia de FWM [2]. No experimento
de 2010, a largura e a altura do guia de onda de silcio foram controladas
visando realizar uma diferena de comprimento de onda de 837nm entre
as ondas de sinal e idler. Contudo, o experimento empregou um sinal CW
e uma bomba CW, de modo que a eficincia de converso ficou limitada
a menos de 20dB.
619
620
g ( N ) = g ( N N 0 ) ,
(11.1.19)
dN
I
N (N N 0 )
P,
=
g
m hv
dt
qV c
(11.1.20)
g=
g0
,
1 + P / Ps
(11.1.21)
g 0 = g [I c / (qV ) N 0 ] ,
(11.1.22)
Ps = hv m / ( g c ) .
(11.1.23)
621
A 1 A 1
+
= (1 i c ) gA,
z v g t 2
(11.1.24)
g g0 g g A
=
,
c
t
E sat
(11.1.25)
E sat = hv ( m / g ) = Ps c ,
(11.1.26)
P
= g ( z, ) P ( z, ) ,
z
(11.1.27)
= c g ( z, ) ,
2
z
(11.1.28)
g
= g ( z, ) P ( z, ) / E sat .
(11.1.29)
622
A Eq. (11.1.27) pode ser integrada com facilidade ao longo do comprimento do amplificador L, fornecendo:
Pout ( ) = Pin ( ) exp [h ( )] ,
(11.1.30)
L
0
g ( z, ) dz.
(11.1.31)
(11.1.32)
A Eq. (11.1.32) pode ser facilmente resolvida para fornecer h(). O fator de
amplificao G() est relacionado a h() por G=exp(h), sendo fornecida por
G ( ) =
G0
,
G0 (G0 1) exp [E0 ( ) / E sat ]
(11.1.33)
1
( ) = c
2
L
0
1
1
g ( z, t ) dz = c h ( ) = c ln [G ( )] .
2
2
(11.1.34)
v c =
P ( )
1 d c dh
=
= c in
[G ( ) 1] ,
2 d 4 d
4 E sat
(11.1.35)
Figura 11.9 (a) Forma e (b) espectro da sada de um amplificador ptico de semicondutor com G0=30dB e bc=5, para um pulso de entrada gaussiano de energia
Ein/Esat=0,1. As linhas tracejadas mostram, para comparao, a forma e o espectro do
pulso de entrada.
623
624
TFP (v ) =
Pt
(1 Rm )
,
=
2
Pi (1 Rm ) + 4 Rm sen 2 ( / 2)
2
(11.1.36)
NL = 2 Pav L m ,
(11.1.37)
Pt L m
4 Rm
2
Pt 1 +
= Pi .
2 sen +
2 (1 Rm )
(1 Rm )
(11.1.38)
Mltiplas solues da Eq. (11.1.38) levam biestabilidade ptica dispersiva, fenmeno no linear observado em diferentes meios no lineares
[61]. Tal fenmeno ocorre para deslocamento de fase linear d 0, e pouca
luz transmitida em baixos nveis de potncia. O deslocamento de fase no
linear leva o sinal a uma ressonncia FP, resultando em maior transmisso.
Contudo, a potncia transmitida Pt no aumenta linearmente com Pi, como
se torna evidente da natureza no linear da Eq. (11.1.38). A Figura11.10
mostra o comportamento esperado para trs valores de dissintonia. Em
certa faixa de valores de d, trs solues da Eq. (11.1.38) produzem a bastante conhecida curva na forma de S associada s biestabilidade ptica. O
ramo central, com inclinao negativa, instvel [61]. Em consequncia,
em um valor especfico de Pi, a potncia transmitida salta entre valores alto
e baixo, exibindo histerese. O estado de sada baixa referido como estado
desligado e o de sada alta, como estado ligado.Tal dispositivo pode ser
comutado entre os estados ligado e desligado por alterao da potncia de
entrada, do comprimento de onda de entrada ou de outros controles que
alterem a dissintonia inicial d. De fato, possvel utilizar qualquer mecanismo que altere o ndice de refrao linear do material intracavidade para
controlar esse comutador ptico.
Figura 11.10 Resposta biestvel de um ressoador a fibra com Rm=0,5, para trs valores
de dissintonia d. As potncias foram normalizadas usando Pn=(2gLm)1.
625
626
627
628
Figura 11.12 Ilustrao de um flip-flop totalmente ptico. Pulsos de set e reset ligam e
desligam o flip-flop, respectivamente.
629
630
entre dois modos de um laser de semicondutor. FWM em cristais fotorrefrativos tambm pode ser usado para criar flip-flops quando realimentao
provida pelo posicionamento do cristal em uma cavidade em anel [87].
Contudo, a velocidade desse dispositivo limitada pelo tempo de resposta
do cristal fotorrefrativo. Utilizou-se um laser VCSEL polarizado abaixo do
limiar como amplificador biestvel em 2009, a fim de realizar operao de
flip-flop no modo de reflexo [99].
Em outro esquema, a injeo de luz CW em um laser DFB criou biestabilidade ptica por meio do efeito de depleo espacial de lacunas (spatial
hole burning) [98]. Comutao entre estados de baixa e alta potncias foi
realizada com injeo de pulsos de set e reset de baixa energia (0,2 pJ) no
laser DFB em sentidos opostos. Tal flip-flop foi capaz de comutar em um
intervalo<75 ps, a uma taxa de repetio de at 2GHz.
Guias de onda passivos de semicondutor tambm podem ser usados
para a construo de flip-flops totalmente pticos [89]. Esses dispositivos
no podem empregar saturao de ganho como mecanismo no linear.
comum que operem abaixo da banda proibida do material semicondutor e
empreguem o efeito Kerr ptico visando introduzir mudanas no ndice de
refrao, as quais dependem da intensidade. Uma grade de difrao de Bragg
tambm fabricada ao longo do comprimento do guia de onda para tornar
o dispositivo biestvel. Devido natureza eletrnica da no linearidade de
Kerr, tais flip-flops pticos so capazes de responder em escalas de tempo de
picossegundo ou menores. Essa a principal vantagem de guias de onda
passivos em comparao com SOAs, cujo tempo de resposta limitado pelo
tempo de vida de portadores.
Figura 11.14 Flip-flop ptico baseado em dois lasers de semicondutor, cada um construdo com um SOA e duas grades de difrao em fibra que atuam como espelhos.
Cada laser pode ser ligado e desligado com a injeo de luz em um comprimento de
onda diferente do comprimento de onda do prprio laser. (Aps a Ref. [91]; 2001 IEEE.)
631
632
de set e reset eram injetados no laser em sentidos opostos, este comutava sua
direo de operao. Esse dispositivo exibiu comutao em 60 ps com a
injeo de pulsos com apenas 1,8 fJ de energia.
633
634
fase diferencial capaz de ser utilizado para copiar o padro de bits do canal
de dados no sinal transmitido em l1.
Em um experimento de 1994, o comprimento de onda de um canal de
dados de 10Gb/s foi deslocado por 8nm com o uso de 4,5km de fibra
de disperso deslocada no interior de um NOLM [102]. Em 2000, essa
tcnica produziu conversores de comprimento de onda capazes de operar
a taxas de bits de at 40Gb/s [24]. O NOLM foi feito de 3km de fibra
de disperso deslocada, com disperso zero no comprimento de onda de
1.555nm, sendo usado para deslocar o comprimento de onda de um canal
em 1.547nm por at 20nm. A razo liga-desliga entre os estados de mxima
e mnima transmisso foi medida como 25dB. Os diagramas de olho pticos
dos sinais original e convertido indicam que pulsos individuais quase no
foram afetados durante a converso de comprimento de onda.
Podemos indagar o que limita a extenso de deslocamento de comprimento de onda quando se utiliza um NOLM para converso de comprimento
de onda. A resposta est relacionada s diferentes velocidades de grupo associadas aos dois campos que interagem por XPM. Para estimar o mximo
deslocamento de comprimento de onda, assumamos que L deva ser menor
do que o comprimento de ultrapassagem LW. Notando que, para dois canais
separados em frequncia por d, a relao entre o parmetro de ultrapassagem
dW e a disperso da fibra dw=|b2|(2), e a condio L<LW se reduz a:
v < T0 / ( 2 2 L ) .
(11.3.1)
635
636
Figura 11.19 (a) Espectro ptico medido antes e depois do filtro ptico sintonizvel. (b)
Largura do pulso do canal convertido em funo do comprimento de onda. A largura
dos dados originais marcada como pulso de controle. (Da Ref. [106]; 2001 IEEE.)
637
638
c Pi (L ) / Ps (0) = ( P0 / g ) senh 2 ( gL ) .
2
(11.3.2)
Essa equao mostra que c pode ser maior do que 1 quando a condio
de casamento de fase quase satisfeita. Na verdade, c=senh2gP0L)1
quando k=0 e gP0L > 1. Portanto, conversores de comprimento de onda
baseados em FWM so capazes de amplificar uma sequncia de bits, alterando seu comprimento de onda de ws para wi, caracterstica extremamente til
desses conversores de comprimento de onda. O sinal, sem dvida, tambm
amplificado. Basicamente, passam a existir duas cpias amplificadas da sequncia de bits de entrada, cada uma em um comprimento de onda distinto.
Segue da Eq. (11.3.2) que a eficincia de converso c depende, por meio
do produto kL, do descasamento de fase k e do comprimento de fibra L. O
intervalo de valores da dissintonia d wpws em que kL pode ser feito
pequeno diminui rapidamente para fibras longas. Essa propriedade pode ser
vista mais claramente da relao
= 2 2 + 2 P0 ,
(11.3.3)
d, o descasamento de fase k pode ser anulado escolhendo o comprimento de onda de bombeio no regime de disperso anmala, de modo que
b2=2gP0/d2. Contudo, se o comprimento de onda de sinal se desviar
desse especfico valor de d, c diminui a uma taxa que depende do comprimento de fibra L. Em consequncia, a largura de banda em que possvel
realizar a converso de comprimento de onda relativamente estreita para
fibras longas (< 10nm para L>10km), mas pode ser aumentada alm de
80nm para fibras com menos de 100 m de comprimento [30].
Resultados experimentais de converso de comprimento de onda concordam com esta simples previso da teoria de FWM. No experimento
original de 1992, o uso de 10km de fibra de disperso deslocada restringiu
a faixa de comprimento de onda a cerca de 8nm [114]. Em 1998, o uso
de 720 m de fibra altamente no linear com o valor de g=10W1/km
permitiu converso de comprimento de onda em 40nm, com apenas 600
mW de potncia de bombeio [29]. A eficincia de converso variava com
o comprimento de onda do sinal, mas chegou a 28dB, indicando que o
sinal convertido em comprimento de onda foi amplificado por um fator
de at 630, devido amplificao paramtrica induzida por FWM. Uma
vantagem adicional da grande largura de banda a possibilidade de tal dispositivo ser usado para converter comprimentos de onda de mltiplos canais
simultaneamente. Em um experimento de 2000 [30], realizou-se converso
simultnea de 26 canais em comprimentos de onda entre 1.570 e 1.611nm
com um segmento de 100 m de fibra altamente no linear com g=13,8W
1
/km. A eficincia de converso foi relativamente baixa nesse experimento
(prxima de 19dB), pois a potncia de bombeio lanada era limitada a
200 mW, a fim de evitar a ocorrncia de SBS, que se torna ainda mais sria
para conversores de comprimento de onda que empregam fibras longas e
desejam manter alta eficincia de converso.
O limiar de SBS da ordem de 5 mW para fibras longas (> 10km),
e aumenta para algo prximo de 50 mW para comprimentos de fibra de
cerca de 1km. Como amplificadores paramtricos baseados em fibra ptica
requerem nveis de potncia de bombeio prximos de 1W, h necessidade
de uma tcnica adequada que eleve o limiar de SBS e suprima esse efeito
ao longo do comprimento do amplificador. Uma tcnica comumente usada
na prtica modula a fase da bomba em vrias frequncias fixas e prximas
de 1GHz [33] ou em uma grande faixa de frequncias usando um padro
de bits pseudoaleatrio a uma alta taxa de bits, como 10Gb/s [34]. Essa
tcnica suprime SBS alargando o espectro da bomba, sem afetar muito o
ganho paramtrico. Contudo, as SNR das ondas de sinal e idler so reduzidas
quando efeitos dispersivos ao longo da fibra convertem modulao em fase
em modulao em amplitude da bomba [118]. Modulao em fase da bomba
tambm leva a alargamento do espectro da onda idler, tornando-o duas vezes
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641
642
643
644
Figura 11.22 Converso de comprimento de onda baseada em XPM e usando dois SOAs
nos braos de um interfermetro MZ. (Aps a Ref. [140]; 1997 IEEE.)
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Figura 11.27 (a) Um demultiplexador TOAD com dois SOAs posicionados assimetricamente. Os detalhes mostram a estrutura do dispositivo. (b) Variaes de ganho nos dois
SOAs e a resultante janela de comutao. (Aps a Ref. [175]; 2001 IEEE.)
no SOA 1, satura o ganho dele e abre o comutador MZ por meio de deslocamento de fase induzido por XPM. Alguns picossegundos depois, o SOA
2 saturado pelo sinal de relgio. O resultante deslocamento de fase fecha
o comutador MZ. possvel controlar a durao da janela de comutao
com preciso pelo posicionamento relativo dos dois SOAs, como ilustrado na
Figura11.27(b).Tal dispositivo no limitado pelo tempo de vida dos portadores, sendo capaz de operar a altas taxas de bits se projetado adequadamente.
Vrios outros esquemas baseados em SOAs foram implementados em
anos recentes. Em um experimento de 2006, XPM transiente, discutido
anteriormente no contexto de converso de comprimento de onda, foi usado
para demultiplexar canais de 40Gb/s de uma sequncia de bits OTDM
de 320Gb/s [113]. Esse esquema emprega um filtro ptico deslocado do
comprimento de onda do relgio por um valor apropriado, funcionando de
modo idntico ao de um conversor de comprimento de onda. Em 2007, o
esquema foi estendido para operar com um sinal OTDM de 640Gb/s que
consistia em pulsos pticos com 0,8 ps de largura [177]. Em um experimento
de 2009, uma configurao MZ simtrica, ilustrada na Figura11.28, foi
653
654
Figura 11.29 Converses de (a) NRZ para RZ e (b) RZ para NRZ usando um NOLM; DSF
significa fibra de disperso deslocada. (Da Ref. [179]; 1997 IEEE.)
uma fibra no linear foi utilizado para a converso de RZ para NRZ [180].
O esquema similar ao mostrado na Figura11.18 (no contexto de converso
de comprimento de onda); a nica diferena que o filtro ptico centrado exatamente no comprimento de onda da sonda CW. O sinal RZ atua
como bomba e modula a fase da sonda CW. O resultante chirp desloca o
comprimento de onda dos pulsos que representam bits 1. O filtro bloqueia
esses pulsos, mas deixa passar os bits 0. A sequncia de bits de sada uma
verso NRZ do sinal com polaridade invertida.
possvel adotar um esquema similar para a converso de NRZ para RZ
[181]. Nesse caso, um relgio ptico que atua como bomba lanado na fibra juntamente com o sinal NRZ. A interao entre as duas ondas por XPM
alarga o espectro do sinal. O filtro ptico deslocado do comprimento de
onda do sinal, como no caso de converso de comprimento de onda. A sada
uma verso RZ do sinal no mesmo comprimento de onda. Esse esquema
sensvel polarizao, pois o prprio processo no linear de XPM depende
da polarizao [2]. O esquema pode ser tornado insensvel polarizao
com o emprego de um lao de diversidade de polarizao. A polarizao do
relgio (controle) orientada a 45 em relao aos eixos principais de um
divisor de feixe por polarizao (PBS), de modo que a potncia seja igualmente dividida em duas ondas contrapropagantes. O sinal NRZ com SOP
aleatrio tambm dividido em duas partes em polarizaes ortogonais. O
mesmo PBS combina as duas partes. Um circulador ptico direciona a sada
ao filtro ptico cuja banda passante adequadamente deslocada.
Um esquema de converso de RZ para NRZ utiliza somente o alargamento espectral induzido por SPM em uma fibra ptica com disperso
normal [182]. Aos pulsos RZ imposto chirp por SPM, e eles sofrem considervel alargamento ao longo da fibra. Se o comprimento da fibra for escolhido de modo que o alargamento dos pulsos seja suficientemente grande
para preencher todo o bit slot, a sada ser uma verso NRZ da original
sequncia de bits.
Vrios esquemas utilizam efeitos no lineares em SOAs para converso
de formatos [183]-[192]. Um interfermetro MZ com um SOA em cada
brao foi empregado em um experimento de 2003 [183], cuja ideia bsica
ilustrada na Figura11.30. No caso da converso de NRZ para RZ, o sinal
NRZ de entrada injetado na porta de controle, enquanto um relgio
RZ na mesma taxa de bits alimentado ao interfermetro projetado para
bloquear pulsos na ausncia do sinal de controle. O deslocamento de fase
induzido pelo sinal NRZ converte pulsos do relgio em um sinal RZ. No
caso da converso de RZ para NRZ, um duplicador de pulsos empregado
para produo de mltiplas cpias deslocadas do sinal RZ de entrada (em
um perodo de bit), antes de injet-lo na porta de controle. Mltiplas cpias
mantm o deslocamento de fase induzido por XPM em toda a durao do
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Figura 11.30 Converses de (a) NRZ para RZ e (b) RZ para NRZ usando dois SOAs em
um interfermetro MZ. (Da Ref. [183]; 2003 IEEE.)
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2
U (L , t ) = U (0, t ) exp i P0 L eff U (0, t ) ,
(11.5.1)
em que Leff=(1 eaL)/a o comprimento efetivo para uma fibra de comprimento L e coeficiente de perda a; P0 a potncia de pico dos pulsos e
U(0,t) representa o padro de bits da sequncia de bits de entrada. Como
uma fibra ptica atua como filtro no domnio espectral, o campo ptico
aps a fibra pode ser escrito como:
U f (t ) = F 1 {H f ( f ) F [U (L , t )]} ,
(11.5.2)
sendo F o operador transformada de Fourier e Hf(wwf) a funo de transferncia de um filtro deslocado da frequncia portadora dos pulsos por wf.
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Figura 11.33 Formas de pulsos simuladas numericamente na (a) entrada e (b) na sada
de um regenerador 2R baseado em SPM e projetado com NL=5. O pulso de rudo com
10% de amplitude quase completamente bloqueado pelo regenerador. (Da Ref. [205];
2005 IEEE.)
Figura 11.34 Efeitos da disperso normal (a) no espectro do pulso e (b) na funo de
transferncia de um regenerador 2R baseado em SPM e feito com 2,8 m de fibra de
calcognio. As linhas tracejadas mostram, para comparao, o caso sem disperso.
(Da Ref. [204]; 2005 OSA.)
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por SPM e as resultantes alteraes na funo de transferncia do regenerador, para uma posio fixa do filtro ptico. Melhoras na funo de transferncia advm da reduzida amplitude de oscilaes espectrais, resultando
em um espectro relativamente liso. Mesmo a presena de absoro de dois
ftons em fibras de calcognio, fenmeno normalmente indesejvel, ajuda
a melhorar o desempenho do dispositivo [207].
Em um experimento de 2006, um segmento de 1 m de fibra de xido de bismuto foi empregado em combinao com um filtro passa faixa
sintonizvel de 1nm [208]. O comprimento de onda central do filtro foi
deslocado de 1,7nm em relao ao comprimento de onda da portadora da
sequncia de bits de 10Gb/s de entrada. As perdas eram desprezveis (cerca
de 0,8dB) para segmento de fibra to curto, que tambm exibia disperso
normal de 330ps2/km em 1550nm. O parmetro no linear g para essa
fibra era prximo de 1100W1/km. Devido s altas no linearidade e disperso normal, essa fibra funcionou bem como regenerador 2R quando a
potncia de pico dos pulsos de entrada era suficientemente elevada (cerca
de 8W) para induzir significativo alargamento espectral. A Figura11.35
compara a funo de transferncia de potncia medida com a previso
terica. Uma sada desprezvel em baixos nveis de potncia de entrada e
um pico relativamente largo asseguram que flutuaes de potncia sero
consideravelmente reduzidas para os bits 0 e 1.
O fenmeno no linear de XPM tambm til para regenerao ptica.
Qualquer dispositivo no linear em que uma combinao de efeitos de SPM
e de XPM produza caractersticas no lineares de transferncia de potncia
similares s vistas na Figura11.35 pode ser usado como regenerador 2R. Um
NOLM um desses dispositivos no lineares, e foi usado em 1992 para a
Figura 11.35 Funes de transferncia de potncia medida e terica para um regenerador baseado em SPM e feito de 1 m de fibra de xido de bismuto. (Da Ref. [208];
2006 IEEE.)
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Figura 11.37 (a) Saturao da potncia de sinal de sada em um amplificador paramtrico com 2,5km de comprimento (crculos) e resultante queda na potncia de rudo
(tringulos); (b) flutuaes de potncia na entrada e na sada. (Da Ref. [223]; 2002 IEEE.)
Figura 11.38 Funes de transferncia medidas aps (a) o primeiro e (b) o segundo estgios de um regenerador de dois estgios baseado em FWM. (Da Ref. [226]; 2006 IEEE.)
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sinal de alta potncia no apenas satura o ganho do SOA, mas tambm sai
pela porta direta. Em consequncia, o nvel de rudo reduzido para os bits
0 e 1 quando passam pelo SOA. O segundo esquema na Figura11.39 combina um absorvedor saturvel (depositado em um espelho) com um SOA
por meio de um circulador ptico [230]. Esse dispositivo funciona como
regenerador 2R, pois os bits 0 de baixa potncia so absorvidos, enquanto
os bits 1 de alta potncia so refletidos e amplificados pelo SOA. O rudo de
intensidade dos bits 1 consideravelmente reduzido pelo absorvedor saturvel. O feixe de sustentao na Figura11.39 ajuda a diminuir o tempo de
recuperao de ganho do SOA, de modo que ele seja operado a altas taxas
de bits, de 10Gb/s ou mais. possvel integrar absorvedores saturveis e
SOAs em um mesmo chip, fazendo uso das propriedades de eletroabsoro
de poos qunticos de InGaAsp (o mesmo material usado para fazer SOAs)
em polarizao reversa [229]. Nessa configurao, um absorvedor saturvel
segue o SOA, e esse padro repetido em cascata, caso necessrio. Como
antes, bits 0 so absorvidos, enquanto bits 1 passam pelos absorvedores.
Figura 11.40 Regenerador 2R que usa modulao de ganho cruzado (XGM) no SOA
2; o SOA 1 usado para gerar uma cpia do sinal de entrada com bits invertidos em
um novo comprimento de onda. Os quatro detalhes mostram diagramas de olho em 4
posies. (Da Ref. [231]; 2008 IEEE.)
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Um modulador de eletroabsoro funcionando como absorvedor saturvel tambm elimina a incerteza temporal por meio do processo de
modulao da absoro cruzada [244]-[246]. Nesse esquema, utiliza-se um
regenerador 2R para, primeiro, reduzir o nvel de rudo. Os intensos pulsos
de dados so, ento, passados por um absorvedor saturvel juntamente com
pulsos de relgio de baixa potncia [246]. Os pulsos de relgio so absorvidos quando um 1 lgico aparece na sequncia de dados; caso contrrio, so
transmitidos. A resultante sada uma rplica invertida da original sequncia
de bits com virtualmente nenhuma incerteza temporal.
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Figura 11.43 Duas configuraes para regeneradores 3R baseados em SOAs. Nos dois
casos, o dispositivo funciona como conversor de comprimento de onda, mas um relgio
ptico na taxa de bits do sinal usado no lugar de um feixe CW. (Da Ref. [248]; 2001 IEEE.)
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baixo rudo de amplitude (< 0,5%) e pequena incerteza temporal (< 0,5 ps).
Vrios outros esquemas tm sido usados para a extrao de relgios pticos,
incluindo aqueles baseados em moduladores de eletroabsoro, lasers DFB
ou de pontos qunticos autopulsantes, lasers de semicondutor ou em anel
com travamento de modo e SOAs do tipo FP [251]-[258].
Em alguns casos, o relgio ptico recuperado convertido em um
relgio eltrico usado para ativar um modulador. A Figura11.45 mostra
um exemplo de um regenerador 3R desse tipo [254], que utiliza trs
regeneradores 2R baseados em SOAs em uma configurao MZ com seis
SOAs. Um deles (ramo superior) seguido por um filtro de Fabry-Perot
para a recuperao do relgio ptico, que convertido em relgio eltrico.
Os outros dois regeneradores 2R (ramo inferior) so combinados em srie
para melhorar a SNR ptica e cancelar o deslocamento de comprimento
de onda que ocorre depois do primeiro regenerador. Quatro diagramas de
olho so mostrados na parte de baixo da figura para o sinal de entrada de
10Gb/s antes da recuperao do relgio, o relgio recuperado e o sinal
regenerado. Tal regenerador 3R foi utilizado em um anel recirculante de
fibra para realizar a transmisso de um sinal de 10Gb/s por 125.000km
sem compensao de disperso. Esse experimento mostra claramente o
real potencial de SOAs para o processamento de sinal ptico.
Figura 11.45 (a) Regenerador 3R baseado em SOA e projetado com trs regeneradores
2R baseados em SOAs, cujo ramo superior usado para recuperao de relgio. (b-e)
Diagramas de olho em 4 posies marcadas na parte (a). LD, TDL e FPF representam
diodo laser (Laser Diode), linha de retardo sintonizvel (Tunable Delay Line) e filtro de
Fabry-Perot (Fabry-Perot Filter), respectivamente. (Da Ref. [254]; 2006 IEEE.)
regenerao de sinais codificados em fase, pois opera com base nos diferentes
nveis de potncia associados aos bits 0 e 1. Como vimos no Captulo10,
comum empregar um pulso em cada bit slot cuja fase assume um ou mais
valores, dependendo do formato escolhido. Recentemente, vrias tcnicas
foram desenvolvidas para a regenerao de sinais RZ-DPSK [259]-[270].
Em um estudo de 2005, um NOLM similar ao mostrado na Figura11.36
foi empregado, com uma diferena crucial: um atenuador com diferentes
perdas foi inserido nos sentidos contrapropagantes nas proximidades de uma
das extremidades do lao [260]. Esse dispositivo funciona de modo similar
ao de um isolador ptico e pode ser fabricado usando polarizadores e um
girador de Faraday. Embora potncias de entrada muito mais elevadas sejam
necessrias, a funo de transferncia de potncia exibe uma regio plana
em torno da qual o deslocamento de fase produzido pelo NOLM tambm
constante e relativamente pequeno. Resultados experimentais concordaram
com as previses tericas [264].
Um EDFA bidirecional (no lugar de um atenuador bidirecional) em
uma das extremidades de um NOLM foi utilizado em um experimento de
2007 com o intuito de realizar a regenerao de sinais RZ-DPSK [268].
O sinal de entrada foi dividido assimetricamente no acoplador a fibra, de
forma que cada subpulso mais fraco era, primeiro, amplificado pelo EDFA,
enquanto o subpulso mais intenso passava pelo EDFA depois de percorrer
o lao de Sagnac. Em consequncia, o deslocamento de fase induzido por
SPM era maior para os subpulsos mais fracos. Como a fase do pulso de
sada fixada pelo subpulso mais intenso, o NOLM no distorce a fase dos
pulsos de sada. A Figura11.46 mostra as caractersticas de potncia e de
Figura 11.46 Funes de transferncia medidas de (a) potncia e (b) fase para vrias
razes de diviso, para um NALM usado na regenerao de sinais RZ-DPSK. (Da Ref.
[268]; 2007 IEEE.)
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Figura 11.47 Montagem experimental para a regenerao de sinal RZ-DPSK por amplificao sensvel fase em um lao de Sagnac; BERT, FS-DL, VOA, OC, PD, DI e SC
representam testador de taxa de erro de bit (Bit-Error Rate Tester), linha de retardo com
esticador de fibra (Fiber Stretcher Delay Line), atenuador ptico varivel (Variable Optical
Attenuator), circulador ptico (Optical Circulator), fotodiodo (PhotoDiode), interfermetro
de retardo (Delay Interferometer) e osciloscpio de amostragem (Sampling Oscilloscope).
(Da Ref. [266]; 2006 OSA.)
baixa potncia, como sinal; uma linha de retardo no ramo de bombeio assegura descorrelao entre os dois ramos. Rudos de fase e de amplitude so
adicionados ao sinal antes que o mesmo entre no lao de 6km de comprimento,
em que um processo de FWM degenerado transfere potncia da bomba para
o sinal. A extenso dessa transferncia de potncia depende da defasagem
relativa entre bomba e sinal, caracterstica que reduz o rudode fase na sada
do NOLM. A Figura11.48 mostra, por meio de diagramas de constelao, a
melhora alcanada com esse esquema [266]. Os rudos de fase e de amplitude
so ambos reduzidos de modo significativo aps a amplificao sensvel
fase. possvel, tambm, empregar um amplificador paramtrico de duplo
bombeamento para esse propsito, desde que a frequncia do sinal esteja
exatamente igual ao valor mdio das frequncias das bombas, de modo que
coincida com a frequncia da onda idler [267].
Figura 11.48 Diagramas de constelao de sinais RZ-DPSK (a) antes da adio de rudo,
(b) depois da adio de rudo e (c) depois de amplificao sensvel fase. (Da Ref. [266];
2006 OSA.)
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relgio ptico recuperado do prprio sinal (ou obtido de uma fonte ptica
pulsada). O papel do interfermetro de retardo converter o sinal DPSK
de entrada em um sinal RZ-ASK cujo rudo reduzido pelo regenerador
de amplitude 2R. A sequncia de dados regenerada , por fim, utilizada para
modular a fase dos pulsos de relgio por XPM em uma fibra ptica. Em um
experimento de 2008 [269], um segmento de 2,4km de comprimento de
fibra altamente no linear foi usado como modulador de fase juntamente
com um regenerador 2R baseado em fibra. Esse dispositivo reduziu os
rudos de fase e de amplitude da sequncia de bits DPSK de entrada. Um
experimento de 2009 mostrou que o dispositivo era capaz de reduzir o
impacto do rudo de fase no linear que tanto afeta um sinal DPSK [270].
Regenerao ptica de sinais RZ-DQPSK tambm de considervel
interesse prtico [271]-[273]. Um NOLM de 2km de comprimento foi
usado para esse propsito em um experimento de 2007 com um sinal de
80Gb/s [271]. Simulaes numricas mostraram que tambm possvel
utilizar com sucesso amplificao sensvel fase [272]. At mesmo o esquema ilustrado na Figura11.49 pode ser generalizado para o caso de sinais
DQPSK, mas isso requer dois interfermetros de retardo, dois regeneradores
2R e dois moduladores de fase para acomodar os quatro possveis valores
de fase de um smbolo [273].
Exerccios
11.1 Use a matriz de transferncia dada na Eq. (11.1.1) e prove que a transmitncia de um NOLM , de fato, fornecida pela Eq. (11.1.2).
11.2 Refaa o exerccio anterior para um NOLM em que um amplificador
inserido no lao logo aps o acoplador, e prove que a transmitncia
passa a ser dada pela Eq. (11.1.4).
11.3 Calcule o deslocamento de fase induzido por XPM usando as Eqs.
(11.1.6) quando pulsos de controle tm a forma de slitons, com
Ac(t)=sech(t/T0). Refaa o clculo para pulsos de controle gaussianos.
Nos dois casos, expresse sua resposta em termos do comprimento de
ultrapassagem definido como LW=T0/dW.
11.4 Resolva as Eq. (11.1.10) e (11.1.11) que descrevem o processo de
FWM e prove que o fator de amplificao de um amplificador paramtrico dado pela Eq. (11.1.16).
REFERNCIAS
[1]
HIRANO, M. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 15, p. 103, 2008.
[2]
AGRAWAL, G. P. Nonlinear Fiber Optics. 4. ed. Boston: Academic Press, 2007.
[3]
KIKUCHI, K.; TAIRA, K.; SUGIMOTO, N. Electron. Lett., v. 38, p. 166, 2002.
[4]
FOK, M. P.; SHU, C. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 14, p. 587, 2008.
[5]
PELUSI, M. D. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 14, p. 529, 2008.
[6]
PELUSI, M. D. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 22, p. 3, 2010.
[7]
AGRAWAL, G. P. Applications of Nonlinear Fiber Optics. 2. ed. Boston: Academic
Press, 2008.
[8]
OTSUKA, K. Opt. Lett., v. 8, p. 471, 1983.
[9]
MORTIMORE, D. B. J. Lightwave Technol., v. 6, p. 1217, 1988.
[10] DORAN, N. J.; WOOD, D. Opt. Lett., v. 13, p. 56, 1988.
[11] AGRAWAL, G. P. Lightwave Technnology: Components and DevicesB. New
York: Wiley, 2004.
[12] FERMANN, M. E. etal. Opt. Lett., v. 15, p. 752, 1990.
[13] ONEIL, A. W.; WEBB, R. P. Electron. Lett., v. 26, p. 2008, 1990.
[14] FARRIES, M. C.; PAYNE, D. N. Appl. Phys. Lett., v. 55, p. 25, 1989.
[15] BLOW, K. J. etal. Opt. Lett., v. 15, p. 248, 1990.
[16] JINNO, M.; MATSUMOTO, T. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 2, p. 349, 1990.
Electron. Lett., v. 27, p. 75, 1991.
[17] AVRAMOPOULOS, H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 3, p. 235, 1991.
677
678
[18] MOORES, J. D. etal. Opt. Lett., v. 16, p. 138, 1991. J. Opt. Soc. Am. B., v. 8, p. 594,
1991.
[19] JINNO, M.; MATSUMOTO, T. IEEE J. Quantum Electron., v. 28, p. 875, 1992.
[20] BLOW, H.;VEITH, G. Electron. Lett., v. 29, p. 588, 1993.
[21] SMITH, K.; DORAN, N. J.; WIGLEY, P. G. J. Opt. Lett., v. 15, p. 1294, 1990.
[22] CHERNIKOV, S.V.; TAYLOR, J. R. Electron. Lett., v. 29, p. 658, 1993.
[23] BETTS, R. A. etal. Electron. Lett., v. 28, p. 1035, 1992.
[24] YU, J. etal. J. Lightwave Technol., v. 18, p. 1001, 2000.
[25] JINNO, M.; MATSUMOTO, T. Opt. Lett., v. 16, p. 220, 1991.
[26] JEONG, J. M.; MARHIC, M. E. Opt. Commun., v. 91, p. 115, 1992.
[27] LUCEK, J. K.; SMITH, K. Opt. Lett., v. 15, p. 1226, 1993.
[28] NAYAR, B. K.; FINLAYSON, N.; DORAN, N. J. J. Mod. Opt., v. 40, p. 2327, 1993.
[29] NOWAK, G. A. etal. Opt. Lett., v. 23, p. 936, 1998.
[30] ASO, O. etal. Electron. Lett., v. 36, p. 709, 2000.
[31] HANSRYD, J. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 8, p. 506, 2002.
[32] ISLAM, B. N.; BOYRAZ, . IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 8, p. 527,
2002.
[33] WONG, K. K.Y. etal. Opt. Lett., v. 28, p. 692, 2003.
[34] RADIC, S.; MCKINSTRIE, C. J. Opt. Fiber Technol., v. 9, p. 7, 2003.
[35] RADIC, S. etal. Electron. Lett., v. 39, p. 838, 2003.
[36] TANEMURA,T.; KIKUCHI, K. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 1573, 2003.
[37] ESPINOLA, R. L. etal. Opt. Express, v. 13, p. 4341, 2005.
[38] FOSTER, M. A. etal. Nature, v. 441, p. 960, 2006.
[39] YAMADA, K. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 1046, 2006.
[40] LIN, Q. etal. Opt. Express, v. 14, p. 4786, 2006.
[41] KUO,Y. -H. etal. Opt. Express, v. 14, p. 11721, 2006.
[42] FOSTER, M. A. etal. Opt. Express, v. 15, p. 12949, 2007.
[43] LEE, B. G. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 21, p. 182, 2009.
[44] TURNER, A. C. etal. Opt. Express, v. 18, p. 1904, 2010.
[45] LIN, Q.; PAINTER, O. J.; AGRAWAL, G. P. Opt. Express, v. 15, p. 16604, 2007.
[46] SAITOH, T.; MUKAI, T. IEEE J. Quantum Electron., v. 23, p. 1010, 1987.
[47] OLSSON, N. A. J. Lightwave Technol., v. 1, p. 1071, 1989.
[48] SAITOH,T.; MUKAI,T. In: YAMAMOTO, Y., (Ed.). Coherence, Amplification, and
Quantum Effects in Semiconductor Lasers. New York:Wiley, 1991. Captulo 7.
[49] AGRAWAL, G. P.; DUTTA, N. K. Semiconductor Lasers. 2. ed. New York: Van
Nostrand Reinhold, 1993. Captulo 11.
[50] SPIEKMAN, L. H.In: KARNINOW, I. P.; LI,T., (Eds.). Optical Fiber Telecommunications, v. 4A. Boston: Academic Press, 2002. Captulo 14.
[51] MANNING, R. J. etal. J. Opt. Soc. Am. B., v. 14, p. 3204, 1997.
[52] STUBKJAER, K. E. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6, p. 1428, 2000.
[53] AGRAWAL, G. P.; MAYWAR, D. N.In: SLUSHER, R. E.; EGGLETON, B. H., (Eds.).
Nonlinear Photonic Crystals. Springer Series in Photonics, v. 10. New York:
Springer, 2003. Captulo 13.
[54] AGRAWAL, G. P.; OLSSON, N. A. IEEE J. Quantum Electron., v. 25, p. 2297,
1989.
[55] AGRAWAL, G. P.; OLSSON, N. A. Opt. Lett., v. 14, p. 500, 1989.
[56] OLSSON, N. A.; AGRAWAL, G. P.; WECHT, K. W. Electron. Lett., v. 25, p. 603,
1989.
[57] EISELT, M. Electron. Lett., v. 28, p. 1505, 1992.
[58] SOKOLOFF, J. P. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 5, p. 787, 1993.
[59] EISELT, M.; PIEPER,W.;WEBER, H. G. J. Lightwave Technol., v. 13, p. 2099, 1995.
[60] GLESK, I. etal. In:WOLF, E., (Ed.). Progress in Optics, v. v. 45. Amsterdam: Elsevier,
2003. Captulo 2.
[61] GIBBS, H. M. Optical Bistability: Controlling Light with Light. Boston: Academic Press, 1984.
[62] NAKATSUKA, H. etal. Phys. Rev. Lett., v. 50, p. 109, 1983.
[63] SMITH, P. W. etal. Appl. Phys. Lett., v. 33, p. 24, 1978. App. Phys. Lett., v. 34, p.
62, 1979.
[64] WA, P. L. K. etal. Electron. Lett., v. 21, p. 26, 1985.
[65] SHELBY, R. M.; LEVENSON, M. D.; PERLMUTTER, S. H. J. Opt. Soc. Am. B.,
v. 5, p. 347, 1988.
[66] COEN, S. etal. J. Opt. Soc. Am. B., v. 15, p. 2283, 1998.
[67] KAWAGUCHI, H. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 3, p. 1254, 1997.
[68] HARDER, C.; LAU, K.Y.;YARIV, A. IEEE J. Quantum Electron., v. 18, p. 1351,
1982.
[69] UENO, M.; LANG, R. J. Appl. Phys., v. 58, p. 1689, 1985.
[70] LIU, H. F.; HASHIMOTO, Y.; KAMIYA, T. IEEE J. Quantum Electron., v. 24, p.
43, 1988.
[71] DUAN, G. H.; LANDAIS, P.; JACQUET, J. IEEE J. Quantum Electron., v. 30, p.
2507, 1994.
[72] SHARFIN,W. F.; DAGENAIS, M. Appl. Phys. Lett., v. 48, p. 321, 1986. v. 48, p. 1510,
1986.
[73] ADARNS, M. J.;WESTLAKE, H. J.; OMAHONY, M. J. In: HAUG, H., (Ed.). Optical
Nonlinearities and Instabilities in Semiconductors. Boston: Academic Press,
1988. Captulo 15.
[74] WINFU1, H. G.; MARBURGER, J. H.; GARMIRE, E. Appl. Phys. Lett., v. 35, p.
379, 1979.
[75] ADAMS, M. J.; WYATT, R. Proc. Inst. Elect. Eng., v. 134, p. 35, 1987.
[76] MAYWAR, D. N.; AGRAWAL, G. P. IEEE J. Quantum Electron., v. 33, p. 2029,
1997. IEEE J. Quantum Electron., v. 34, p. 2364, 1998.
[77] MAYWAR, D. N.; AGRAWAL, G. P. Opt. Express, v. 3, p. 440, 1998.
[78] MAYWAR, D. N.; AGRAWAL, G. P.; NAKANO,Y. Opt. Express, v. 6, p. 75, 2000.
[79] OKUMURA, K. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 21, p. 377, 1985.
[80] SUZUKI, S. etal. J. Lightwave Technol., v. 4, p. 894, 1986.
[81] INOUE, K. Opt. Lett., v. 12, p. 918, 1987.
[82] OTSUKA, K. Electron. Lett., v. 24, p. 800, 1988. Opt. Lett., v. 14, p. 72, 1987.
[83] CHEM, L. L.; MCLVER, J. K. Opt. Lett., v. 15, p. 186, 1990.
[84] KAWAGUCHI, H. Electron. Lett., v. 31, p. 1150, 1995.
[85] ZHOU, J. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 1, p. 1125, 1995.
[86] JIAN, B. B. Electron. Lett., v. 32, p. 349, 1996.
[87] PETROVIC, M. S. etal. Opt. Commun., v. 138, p. 349, 1997.
[88] CHATTOPADHYAY, T.; NAKAJIMA, M. Opt. Commun., v. 138, p. 320, 1997.
[89] NAKATSUHARA, K. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 10, p. 78, 1998.
[90] ROBERT, F.; FORTUSINI, D.; TANG, C. L. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12,
p. 465, 2000.
[91] HILL, M. T. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 37, p. 405, 2001.
[92] JEONG, S. -H. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 38, p. 706, 2002.
[93] VAN,V. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 8, p. 705, 2002.
[94] DORREN, H. J. S. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 39, p. 141, 2003.
[95] CLAVERO, R. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 843, 2005.
[96] TAKENAKA, M.; RABUM, M.; NAKANO, Y. IEEE Photon. Technol. Lett., v.
17, p. 968, 2005.
[97] DOOSTERLINCK, W. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 19, p. 489, 2007.
[98] HUYBRECHTS, K.; MORTHIER, G.; BAETS, R. Opt. Express, v. 16, p. 11405,
2008.
[99] KAP1AN, A. M.; AGRAWAL, G. P.; MAYWAR, D. N. Electron. Lett., v. 45, p. 127,
2009.
[100] PLEROS, N. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 21, p. 73, 2009.
[101] LIU, L. etal. Nature Photonics, v. 4, p. 182, 2010.
[102] RAUSCHENBACH, K. A. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 6, p. 1130, 1994.
[103] YU, J. etal. J. Lightwave Technol., v. 18, p. 1007, 2000.
[104] SAKAMOTO, T. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 502, 2001.
679
680
[105] OLSSON, B. E. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 846, 2000.
[106] YU, J.; JEPPESEN, P. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 833, 2001.
[107] LEE, J. H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 437, 2003.
[108] RAU, L. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 2520, 2004.
[109] MAO, W.; ANDREKSON, P. A.; TOULOUSE, J. IEEE Photon. Technol. Lett.,
v. 17, p. 420, 2005.
[110] WANG, W. etal. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 1105, 2005.
[111] LEE, J. H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 298, 2006.
[112] TANEMURA, T. etal. Opt. Express, v. 14, p. 1408, 2006.
[113] TANEMURA, T.; KIKUCHI, K. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 4108, 2006.
[114] INOUE, K.; TABA, H. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 4, p. 69, 1992.
[115] INOUE, K. etal. Electron. Lett., v. 29, p. 1708, 1993.
[116] INOUE, K. J. Lightwave Technol., v. 12, p. 1916, 1994. IEEE Photon. Technol.
Lett., v. 6, p. 1451, 1993.
[117] LEE, J. H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 440, 2003.
[118] YAMAN, F. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 2053, 2005.
[119] WANG,Y. etal. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 3331, 2005.
[120] KALOGERAKIS, G. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 3683, 2006.
[121] CHOW, K. K. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 624, 2005.
[122] ANDERSEN, P. A. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 1908, 2005.
[123] ZHANG, A.; DEMOKAN, M. S. Opt. Lett., v. 30, p. 2375, 2005.
[124] LEE, J. H. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 22, 2006.
[125] FOK, M. P.; SHU, C. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 19, p. 1166, 2007.
[126] CHOW, K. K. etal. Opt. Express, v. 15, p. 15418, 2007.
[127] ASTAR, W. etal. Opt. Express, v. 16, p. 12039, 2008.
[128] XU, C. Q.; OKAYAMA, H.; KAWAHARA, M. Appl. Phys. Lett., v. 63, p. 3559,
1993.
[129] CHOU, M. H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 11, p. 653, 1999.
[130] CRISTIANI, I. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 14, p. 669, 2002.
[131] YU, S.; GU, W. IEEE.J. Quantum Electron., v. 40, p. 1744, 2004.
[132] LEE,Y. L. etal. Opt. Express, v. 13, p. 2988, 2005.
[133] NISHIDA,Y. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 1049, 2005.
[134] LANGROCK, C. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 2579, 2006.
[135] FURUKAWA, H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 19, p. 384, 2007.
[136] ZHANG, J. etal. Opt. Express, v. 16, p. 6957, 2008.
[137] TEHRANCHI, A.; KASHYAP, R. Opt. Express, v. 17, p. 19113, 2009.
[138] DUAN, G. -H. In: AGRAWAL, G. P., (Ed.). Semiconductor Lasers: Past, Present,
and Future. Woodbury: AIP Press, 1995. Captulo 10.
[139] DURHUUS, T. etal. J. Lightwave Technol., v. 14, p. 942, 1996.
[140] JOERGENSEN, C. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 3, p. 1168,
1997.
[141] POLITI, C.; KLONIDIS, D.; OMAHONY, M. J. J. Lightwave Technol., v. 24,
p. 1203, 2006.
[142] LAL,V. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 13, p. 49, 2007.
[143] LEUTHOLD, J. etal. J. Lightwave Technol., v. 22, p. 186, 2004.
[144] LIU,Y. E. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 230, 2006; J. Lightwave Technol., v.
25, p. 103, 2007.
[145] MATSUURA, M.; KISHI, N.; MIKI, T. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 38, 2007.
[146] DONG, J. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 14, p. 770, 2008.
[147] AGRAWAL, G. P. J. Opt. Soc. Am. B., v. 5, p. 147, 1988.
[148] HOJFELDT, S.; BISCHOFF, S.; MORK, J. J. Lightwave Technol., v. 18, p. 1121,
2000.
[149] LECLERC, P.; LAVINGNE, B.; CHIARONI, D.KAMINOW, I. P., LI, T., (Eds.).
Optical Fiber Telecommunications, v. 4A. Boston: Academic Press, 2002.
Captulo 15.
[150] VLACHOS, K. etal. J. Lightwave Technol., v. 21, p. 1857, 2003.
[151] TUCKER, R. S.In: KAMINOW, I. P., LI,T.,WILLNER, A. E., (Eds.). Optical Fiber
Telecommunications, v. v. 5B. Boston: Academic Press, 2008. Captulo 17.
[152] MORIOKA, T. etal. Electron. Lett., v. 32, p. 832, 1996.
[153] HEDEKVIST, P. O.; KARLSSON, M.; ANDREKSON, P. A. J. Lightwave Technol.,
v. 15, p. 2051, 1997.
[154] HASEGAWA, T.; INOUE, K.; ODA, K. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 5, p. 947,
1993.
[155] SAKARNOTO, T. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 563, 2004.
[156] YARNAN, F.; LIN, Q.; AGRAWAL, G. P. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18,
p. 2335, 2006.
[157] UCHIYARNA, K.; MORIOKA, T.; SARUWATARI, M. Electron. Lett., v. 31,
p. 1862, 1995.
[158] OLSSON, B. E.; ANDREKSON, P. A. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 9, p. 764,
1997.
[159] LOU, J. W. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 12, p. 1701, 2000.
[160] SAKARNOTO,T.; LIM, H. C.; KIKUCHI, K. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 14,
p. 1737, 2002.
[161] OLSSON, B. E.; BLUMENTHA1, D. J. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 875,
2001.
[162] RAU, L. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 14, p. 1725, 2002.
[163] LI, J. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 1770, 2003.
[164] LEE, J. H. etal. Opt. Lett., v. 30, p. 1267, 2005.
[165] LENIHAN, A. S. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 1329, 2006.
[166] SALEM, R. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 2254, 2006.
[167] UCHIYARNA, K.; KAWANISHI, S.; SARUWATARI, M. IEEE Photon. Technol.
Lett., v. 10, p. 890, 1998.
[168] HESS, R. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 10, p. 166, 1998.
[169] JANSEN, S. L. etal. Electron. Lett., v. 38, p. 978, 2002.
[170] SCHUBERT, C. etal. Electron. Lett., v. 39, p. 1074, 2003.
[171] PORZI, C. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 633, 2005.
[172] AWAD, E. S.; CHO, P. S.; GOLDHAR, J. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17,
p. 1534, 2005.
[173] GLESK, J.; SOKOLOFF, J. P.; PRUCNAL, P. R. Electron. Lett., v. 30, p. 339, 1994.
[174] NAKAZAWA, M. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 6, p. 363, 2000.
[175] STUDENKOV, P.V. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 600, 2001.
[176] TANGDIONGGA, E. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 908, 2006.
[177] TANGDIONGGA, E. etal. Opt. Lett., v. 32, p. 835, 2007.
[178] HIROOKA, T. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 21, p. 1574, 2009.
[179] BIGO, S.; LECLERC, O.; DESURVIRE, E. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 3, p. 1208, 1997.
[180] LEE, S. H.; CHOW, K.; SHU, C. Opt. Express, v. 13, p. 1710, 2005.
[181] KWOK, C. H.; LIN, C. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 12, p. 451, 2006.
IEEE Photon. Technol. Lett., v. 19, p. 1825, 2007.
[182] LEE, S. H.; CHOW, K.; SHU, C. Opt. Commun., v. 263, p. 152, 2006.
[183] XU, L. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 15, p. 308, 2003.
[184] LI, W. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 203, 2004.
[185] LEE, C. O. etal. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 834, 2005.
[186] YAN, C. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 2368, 2006.
[187] MISHINA, K. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 3751, 2006.
[188] JIANG, H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 19, p. 1985, 2007.
[189] YANG, X. etal. Electron. Lett., v. 43, p. 890, 2007.
[190] DONG, J. etal. Opt. Express, v. 15, p. 2907, 2007.
[191] SILVEIRA, T. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 20, p. 1597, 2008.
[192] BANCHI, L. etal. J. Lightwave Technol., v. 28, p. 32, 2010.
[193] DORREN, H. J. S. etal. J. Lightwave Technol., v. 21, p. 2, 2003.
[194] LIN, Q. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 2376, 2005.
681
682
[241] ROCHETTE, M.; BLOWS, J. L.; EGGLETON, B. J. Opt. Express, v. 14, p. 6414,
2006.
[242] ZHU, Z. etal. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 504, 2007.
[243] ITO, C.; CARTLEDGE, J. C. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 14, p.
616, 2008.
[244] OTANI, T.; MIYAZAKI, T.;YAMAMOTO, S. J. Lightwave Technol., v. 20, p. 195,
2002.
[245] MURAI, H. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 1965, 2005.
[246] DAIKOKU, M. etal. J. Lightwave Technol., v. 24, p. 1142, 2006.
[247] GAVIOLI, G.; BAYVEL, P. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 21, p. 1014, 2009.
[248] LEUTHOLD, J. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p. 860, 2001.
[249] UENO, Y.; NAKAMURA, S.; TAJIMA, K. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 13, p.
469, 2001.
[250] CONTESTABILE, G. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 2523, 2004.
[251] HU, Z. etal. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., v. 11, p. 329, 2005.
[252] ARAHIRA, S.; OGAWA,Y. IEEE J. Quantum Electron., v. 41, p. 937, 2005. v. 43,
p. 1204, 2007.
[253] KIM, I. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 1295, 2005.
[254] ZHU, Z. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 2159, 2006.
[255] LAVIGNE, B. etal. J. Lightwave Technol., v. 25, p. 170, 2007.
[256] WANG, F. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 21, p. 1109, 2009.
[257] ARAHIRA, S. etal. IEEE J. Quantum Electron., v. 45, p. 476, 2009.
[258] PAN, S.;YAO, J. J. Lightwave Technol., v. 27, p. 3531, 2009.
[259] STRIEG1ER, A.; SCHMAUSS, B. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 16, p. 1083,
2004.
[260] STRIEGLER, A. G. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 639, 2005.
[261] MATSUMOTO, M. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 17, p. 1055, 2005. J. Lightwave Technol., v. 23, p. 2696, 2005.
[262] CROUSSORE, K. etal. Opt. Express, v. 13, p. 3945, 2005.
[263] BOSCOLO, S.; BHAMBER, R.; TURITSYN, S. K. IEEE J. Quantum Electron.,
v. 42, p. 619, 2006.
[264] CVECEK, K. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 1801, 2006.
[265] VORREAU, P. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 1970, 2006.
[266] CROUSSORE, K. etal. Opt. Express, v. 14, p. 2085, 2006.
[267] BOGRIS, A.; SYVRIDIS, D. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 18, p. 2144, 2006.
[268] CVECEK, K. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 19, p. 146, 2007.
[269] MATSUMOTO, M.; SAKAGUCHI, H. Opt. Express, v. 16, p. 11169, 2008.
[270] MATSUMOTO, M.; MORIOKA,Y. Opt. Express, v. 17, p. 6913, 2009.
[271] CVECEK, K. etal. IEEE Photon. Technol. Lett., v. 19, p. 1475, 2007.
[272] YAN, J. etal. IET Optoelectron., v. 3, p. 158, 2009.
[273] MATSUMOTO, M. Opt. Express, v. 18, p. 10, 2010.
683
APNDICE A
Sistema de Unidades
Neste livro, usado o sistema internacional de unidades (conhecido como
SI, de Systeme Intemational). As trs unidades fundamentais no SI so metro
(m), segundo (s) e kilograma (kg)*. Um prefixo pode ser adicionado a
cada uma para alterar sua magnitude por mltiplos de 10. Unidades de
massa raramente so necessrias nesta obra. As medidas mais comuns
de distncia so km (103 m) e Mm (106 m). As medidas comuns de tempo
so ns (109s), ps (1012s) e fs (1015s). Outras unidades comuns usadas
no livro so Watt (W), para potncia ptica, e W/m 2, para intensidade
ptica. Essas unidades podem ser relacionadas a unidades fundamentais por
meio da energia, pois potncia ptica representa taxa de fluxo de energia
(1W=1J/s). A energia pode ser expressa em diferentes formas usando
E=h=kBT=mc2, onde h a constante de Planck, kB, a constante de
Boltzmann e c, a velocidade da luz no vcuo. A frequncia expressa
em hertz (1Hz=1 s-1). Obviamente, dadas as altas frequncias associadas
s ondas pticas, a maioria das frequncias expressa aqui como GHz ou
THz.
No projeto de sistemas de comunicaes pticas, a potncia ptica pode
variar por vrias ordens de magnitude, medida que o sinal viaja do transmissor ao receptor. Grandes variaes de potncia so tratadas de forma
mais conveniente em unidades de decibis, abreviadas por dB, e comumente
utilizadas por engenheiros em diferentes campos. Qualquer razo R pode
ser expressa em decibis atravs da definio geral
(A.1)
686
(A.2)
potncia
potncia (em dBm) = 10 log10
,
1 mW
(A.3)
APNDICE B
Acrnimos
Cada campo da cincia possui seu prprio jargo, e o de comunicao ptica
no exceo. Embora tenhamos tentado evitar o extenso uso de acrnimos,
muitos ainda aparecem ao longo do livro. Cada um definido na primeira
vez que aparece em um captulo, de modo que o leitor no precise varrer
todo o texto em busca do significado. Como ajuda adicional, listamos todos
os acrnimos aqui, em ordem alfabtica.*
AM modulao em amplitude (amplitude modulation)
AON rede totalmente ptica (all-optical network)
APD fotodiodo de avalanche (avalanche photodiode)
ASE emisso espontnea amplificada (amplified spontaneous emission)
ASK chaveamento de amplitude (amplitude-shift keying)
ATM modo de transmisso assncrono (asynchronous transfer mode)
AWG grade de difrao em arranjo de guia de onda (arrayed-waveguide grating)
BER taxa de erro de bit (bit-error rate)
BH heteroestrutura enterrada (buried heterostructure)
BPF filtro passa faixa (bandpass filter)
BPSK chaveamento por deslocamento de fase binrio (binary phase-shift keying)
CATV televiso de antena comum (a cabo) (common-antenna (cable)
television)
CDM multiplexao por diviso em cdigo (code-division multiplexing)
CDMA mltiplo acesso por diviso em cdigo (code-division multiple
access)
CNR relao portadora-rudo (carrier-to-noise ratio)
CPFSK chaveamento por deslocamento de frequncia contnuo (continuous-phase frequency-shift keying)
CRZ retorno ao zero com chirp (chirped return-to-zero)
CSMA mltiplo acesso por deteco de portadora (carrier-sense multiple access)
*
688
Acrnimos
689
690
Acrnimos
691
APNDICE C
t =
i
2
t A ( z, t ) dt
t2 =
t 2 A ( z, t ) dt
* ( z, ) A
( z, ) d ,
A
1
2
( z, ) 2 d ,
A
(C.1)
(C.2)
A ( z, t ) dt =
1
2
( z, ) 2 d = 1.
A
(C.3)
( z, ) = A
(0, ) exp (i z ) = S ( ) e i exp (i z ) ,
A
(C.4)
693
694
2 = 02 + 2 2 + 2 [ ] ,
(C.5)
2
Na Eq. (C.5), 0 a raiz do valor mdio quadrtico (RMS) da largura dos
pulsos de entrada, uw=du/dw, e o retardo de grupo definido como:
( ) =
L
0
( z , )
dz
(C.7)
para uma fibra de comprimento L. A Eq. (C.5) pode ser usada para pulsos de
forma, largura e chirp arbitrrios. Essa equao no assume qualquer forma
para b(z,w), podendo ser usada em enlaces de fibra com gerenciamento de
disperso contendo fibras com caractersticas de disperso arbitrrias.
Como uma simples aplicao da Eq. (C.5), podemos us-la para deduzir a
Eq. (2.4.22). Assumindo disperso uniforme e expandindob(z,w) at terceira
ordem em w, o retardo de grupo dado por:
1
( ) = ( 1 + 2 + 3 2 )L .
2
(C.8)
Para um pulso gaussiano com chirp, a Eq. (2.4.13) fornece as seguintes expresses para S e u:
S ( ) =
2T 2
4 T02
C 2T02
0
2 exp
,
=
tan 1 C .
(
)
2
2
1+ C
2 (1 + C )
2 (1 + C )
(C.9)
695
campo de entrada pode ser escrito como A(0,t)=A0(t)f(t), em que f(t) representa a forma do pulso e A0(t), a flutuao devido natureza parcialmente
coerente da fonte. O espectro S(w) se torna a convoluo entre os espectros
do pulso e da fonte:
S ( ) =
1
2
S p ( 1 )F (1 ) d1 ,
(C.10)
(C.11)
2
exp 2 ,
2
2
(C.12)
=L
( ) S ( )
d i S * ( ) S ( ) s d
2
s
(C.13)
1
2
( 1 + 2 + 3 2 ) S p ( 1 ) G (1 ) d1 d
2
= L 1 + 3 2 (1 + C 2 +V2 ) ,
8 0
(C.14)
em que Vw=2w0. Repetindo o mesmo procedimento para t2s, recuperamos a Eq. (2.4.13) para a razo /0.
APNDICE D
Pacote de Software
No site www.elsevier.com.br/siscomfibra est disponvel um pacote de
software para o projeto de sistemas de comunicao por fibra ptica provido
por Optiwave Corporation (Website: www.optiwave.com). No site tambm
h verses em 32 e 64 bits de um programa denominado OptiPerformer
8, baseado no software comercial vendido por Optiwave com o nome de
OptiSystem 8.0. L possvel encontrar um conjunto de problemas para
cada captulo, adequados aos leitores deste livro. Desse modo, o leitor
encorajado a explorar esses exerccios numricos, pois o ajudaro a entender
muitos aspectos importantes associados ao projeto de sistemas realistas de
ondas luminosas.
O material complementar deve funcionar em qualquer PC que rode o
sistema Microsoft Windows (XP, Vista ou Windows 7). O primeiro passo
consiste na instalao de OptiPerformer. O procedimento de instalao
deve ser simples para a maioria dos usurios. Caso o instalador no comece
imediatamente, pode ser necessrio clicar no programa de setup. Feita a
instalao, o usurio apenas clica no cone de OptiPerformer.exe para rodar
o programa.
A filosofia do projeto de sistemas de ondas luminosas assistido por
computador foi discutida na Seo5.6. Como na montagem ilustrada
na Figura5.15, a janela principal do programa usada para configurar o
sistema de onda luminosa usando vrios componentes da biblioteca de
componentes. Uma vez finalizada a configurao, a sequncia de bits pticos
propagada pelo enlace de fibra por meio da soluo da equao no
linear de Schrdinger discutida na Seo5.6. possvel registar caractersticas temporais e espectrais da sequncia de bits em qualquer posio ao
longo do enlace de fibra com a insero de apropriados componentes de
visualizao de dados.
O pacote de software OptiSystem pode ser usado para resolver muitos dos
exerccios propostos no final de cada captulo. Consideremos, por exemplo, o
simples problema da propagao de pulsos pticos em fibras pticas discutido
na Seo2.4. A parte superior da Figura D.1 mostra a configurao para a
soluo desse problema. Para a propagao de um nico pulso, o padro de
bits de entrada deve ter o formato RZ e ser da forma 000010000. A forma
do pulso pode ser especificada diretamente ou calculada usando o mdulo
de modulador de Mach-Zehnder. A sada do modulador conectada fibra
697
698
NDICE REMISSIVO
A
absoro
de dois ftons, 120, 617, 642, 661
de portadores livres, 104
material, 89
acelerado, envelhecimento, 146
acoplador-estrela, 222, 274, 292-293, 324
acoplamento, coeficiente de, 423
acoplamento, eficincia de, 107, 136,
138, 141
acsticas, ondas, 72, 283
alimentao antecipada, equalizador
de, 469
amostragem, perodo de, 431
amostragem, teorema de, 11
amplificao
concentrada, 355, 379, 398,
498-503, 532
distribuda, 352, 355, 371, 381, 484,
503, 523
fator de, 372, 613, 621
paramtrica, 638, 639
peridica, 352
Raman, 404
sensvel fase, 674
amplificada, emisso espontnea, 359,
366, 573
amplificador
a fibra dopada com rbio, Veja EDFA
a fibra dopada com tlio, 370
cadeia de, 379, 385
concentrado, 352, 378, 485
de Fabry-Perot, 627-628
distribudo, 376
em cascata, 352, 379, 386-387
em linha, 232
hbrido, 374
ptico de semicondutor, 445
paramtrico, 444, 611-617, 638, 663
paramtrico baseado em silcio, 617
paramtrico com duplo
bombeamento, 614
paramtrico de bombeamento
simples, 613
Raman, 369-379, 382
amplificadores, espaamento entre, 379,
386-387, 447, 485, 498
B
balanceada, deteco, 566
banda lateral, instabilidade de, 233, 447
banda, largura de
da fibra, 66, 231
de amplificador, 366, 402
de amplificador paramtrico, 614
de amplificador Raman, 37
de APD, 167
de ASE, 383
de circuito RC, 230
de filtro, 176, 277, 284, 402, 414, 434
de fotodetector, 158, 162
de ganho Brillouin, 309
de ganho Raman, 77
de grade de difrao, 422, 426
de laser de semicondutor, 121
de LED, 138, 140
de modulao, 121, 140
699
700
ndice Remissivo
C
cabo, televiso a, 219, 324
carga, resistor de, 175, 183
catastrfica, degradao, 146
cavidade vertical, lasers de, com emisso pela
superfcie, 114, 241, 245, 629, 631
CDMA, sistemas, 334-342
701
ndice Remissivo
D
deciso, circuito de, 177, 195, 249, 252,
467, 554, 559, 563, 571
deciso, equalizador por realimentao de, 470
deciso, limiar de, 195, 196, 253, 302, 462
decodificador, 337
CDMA, 335
de fase espectral, 338
demodulao
assncrona, 554
autocoerente, 555
coerente, 551, 591
DQPSK, 557
esquemas para, 551-557
incoerente, 554
no domnio ptico, 555
por retardo, 555, 564
sncrona, 551
demultiplexador, 284-289
assimtrico ptico em terahertz, 652
baseado em difrao, 284
baseado em filtro, 287
baseado em grade de difrao, 286
baseado em interferncias, 284
eletro-ptico, 319
grade de difrao cncava, 300
grade de difrao em guia de onda, 288
TDM, 319-321
detector, Veja fotodetector
difrao, grade de
amostrada, 113, 283, 337, 430, 454, 668
amostrada em amplitude, 432
amostrada em fase, 432
apodizada, 423, 426
birrefringente, 459
com chirp, 113, 425-434
com chirp no linear, 454
com deslocamento de fase, 287
cncava, 286
de Bragg, 281, 286, 287, 290, 312, 422,
448, 626, 630
de Moir, 341, 429
de perodo longo, 367, 420-421
de superestrutura, 113, 283, 430
difrao, 284, 338
disperso de, 426
elptica, 286
em arranjo de guia de onda, 288, 338,
341, 454
em cascata, 429
em fibra, 281, 287, 312, 337, 340, 362,
422-434, 445, 626, 630, 636, 668
em guia de onda, 294
em laser DFB, 108
embutida, 108, 283, 284, 420-421,
627-628
ndice no linear, 233, 392
induzida acusticamente, 283
sintonizvel, 636
702
ndice Remissivo
sintonizvel, 448-452
disperso, comprimento de, 60, 463, 493,
517, 527
disperso decrescente, fibra com, Veja fibra
disperso deslocada, fibras de, Veja fibras
disperso, fibra compensadora de, Veja fibras
disperso, gerenciamento de, 399, 484,
503-511
conjugao de fase para, 440-448
DCF para, 414-422
de ordem superior, 453-456
em banda larga, 415, 453
em sistemas WDM, 448-460
filtros para, 434-440
formato FSK para, 465
grades de difrao em fibra para,
422-434
necessidade de, 411-414
peridico, 314
tcnica de pr-chirp para, 462-465
tcnica duobinria para, 467
disperso, inclinao de, 52, 62, 322, 416,
455, 640
compensao de, 431, 438, 448-456
negativa, 416, 418
relativa, 416
sintonizvel, 451, 453, 455
disperso, limitaes induzidas por, 61-64,
411-412
disperso, mapa de, 416, 484, 518
assimtrico, 533
de duas sees, 489
intensidade de, 509
otimizao de, 485, 529
peridico, 448, 485, 504-511, 531
disperso, parmetro de, 47, 57, 231, 402,
412, 415, 419, 447, 533
disperso, relao de, 72
dispersivas, ondas, 498, 501, 517
distribuda, amplificao, Veja amplificao
distribuda, realimentao, Veja
realimentao
distribudo, refletor de Bragg, 109
dois ftons, absoro de, Veja absoro
DPSK, formato, 252, 534, 673
ciclo de trabalho, 532, 534, 537
EDFA
amplificao de mltiplos canais
com, 366
bombeamento de, 357
cadeia de, 367
703
ndice Remissivo
F
Fabry-Perot, cavidade de, 103, 163,
172, 316
Fabry-Perot, interfermetro de, Veja
interfermetro
falha, tempo mdio at uma, 146
fantasma, pulso, 519, 527, 528, 534
Faraday, efeito, 143
Faraday, girador de, 673
fase, automodulao de, 78, 80, 232, 329,
391, 400, 442-443, 465, 484,
493-498, 517, 519, 577, 622, 658
fase, chaveamento por deslocamento de,
Veja modulao, formato
fase, condio de casamento de, 82, 283,
444, 614, 638
fase, conjugao de, 82, 440-448, 455, 571
baseada em fibra, 443
baseada em PPLN, 447
insensvel polarizao, 445
no meio do enlace, 440
fase, deslocamento de
induzido por SPM, 391, 442, 608,
624, 673
induzido por tenso, 549
induzido por XPM, 611, 624, 633, 636,
663
no linear, 80, 624, 626, 638
fase, filtragem espacial de, 455
fase, lao de travamento de, 316, 551, 569,
572, 592
fase, quase casamento de, 445, 643
fase, tcnica de alternncia de, 534
feixe eletrnico, litografia de, 110
fibra, acoplador a, 288, 292, 319, 606, 675
fibra, amplificador a, Veja EDFA
fibra, disperso da, Veja disperso
fibra, grade de difrao a, Veja difrao,
grade de
fibra, modos de, 38-47
constante de propagao de, 41
dimetro modal de, 45
distribuio de campo de, 44
equao de autovalor para, 40
hbridos, 41
ndice efetivo de, 41
fibra, no linearidades da, Veja no linear,
efeitos
704
ndice Remissivo
filtro
acusto-ptico, 283, 367
baseado em amplificador, 284
compensador de disperso, 414
cosseno levantado, 177
de adio-extrao, 290
de banda estreita, 389
de Fabry-Perot, 277-280, 302, 434,
671-672
de frequncia deslizante, 513
de Gires-Tournois, 434
de Mach-Zehnder, 280, 287, 290,
367, 437
de micro-ondas, 462
de onda acstica de superfcie, 178
de resposta impulsional finita, 474
eltrico, 252
em cascata, 436
em linha, 513
equalizador, 434-440, 453
grade de difrao, 281
interferncia, 367
interferomtrico, 453
ptico, 434-440, 513, 659, 668, 674
passa altas, 178
passa faixa, 178, 193, 513, 551, 554, 555,
569, 658, 661
passa tudo, 438, 459
passa-baixas, 176, 552
por reflexo, 422, 425
rejeita faixa, 635, 636
sintonizvel ptico, 277-284, 300
transversal, 469
filtro casado, deteco por, 337
finesse, 279
fino, aquecedor de filme, 449, 455
flip-flop, 626
baseado em laser, 627-628
baseado em laser de microdisco, 633
baseado em silcio, 633
baseado em SOA, 627-628
de guia de onda passivo, 630
mecanismo fsico associado a, 629
ptico, 627-633
fonte-fibra, acoplamento, 141
formato, converso de, 653
fotodetector
balanceado, 557
de avalanche, Veja APD
de onda viajante, 164
eficincia quntica de, 156
705
ndice Remissivo
G
ganho
Brillouin, 284
de APD, 167, 188
de pequeno sinal, 372, 620
dependente de polarizao, 56, 235
diferencial, 102
distribudo, 354-355, 378
paramtrico, 613, 614
Raman, 370
saturao de, 620, 627, 629, 663
ganho-largura de banda, produto, 170, 171
ganho, extino de, 630
ganho, saturao de, 366, 372, 619, 652
ganho, tcnica de aplainamento
de, 317, 367
ganho, tempo de recuperao de, 665
gaussiana, distribuio, 45, 562, 580
gaussiana, estatstica, 182, 195, 209, 353
gaussiano, processo aleatrio, 124, 126, 552,
559
gaussiano, pulso, Veja pulso
Gordon-Haus, incerteza de, Veja temporal,
incerteza
granular, padro, 241
Gray, cdigo, 548, 564
grupo, descasamento de velocidade
de, 609, 649
grupo, disperso de velocidade de,
Vejadisperso
grupo, retardo de, 432, 434, 436, 449
diferencial, 457
espectro de, 427
H
Hankel, funo de, 392
harmnico, gerao de segundo, 643
Hermite-Gauss, funo de, 505
heterdina, deteco, 193, 460, 551, 592
heterdino, receptor
assncrono, 554, 560-563
balanceado, 552
degradao de sensibilidade em, 565-576
rudo de fase em, 568-570
rudo de intensidade em, 565-566
sncrono, 551, 558-560
heteroestrutura, configurao de, 102, 138
hidrlise por chama, 85
hipercubo, arquitetura, 273
histerese, 625
hologrfica, tcnica, 110
homdina, deteco, 191, 462, 551, 559
I
idler, onda, 613, 614, 638, 640
impacto, ionizao de, 165, 187
impulso, resposta ao, 66
inclinao, eficincia de, 119, 144
ndice, lquido de casamento de, 142, 245
ndice gradual, fibra de, Veja fibras
indisponibilidade, probabilidade de, 457
injeo, travamento de, 130
integrados, circuitos
fotnicos, 146, 658
optoeletrnicos, 146, 178, 296, 572
interdigital, eletrodo, 172
706
ndice Remissivo
J
Johnson, rudo, 183
juno, aquecimento de, 119
K
Kerr, efeito, 630, 642
Kerr, obturador de, 636, 651, 663
L
lacunas, depleo espacial de, 120, 630
lacunas, depleo espectral de, 120
M
Mach-Zehnder, interfermetro de,
Vejainterfermetro
mapa, intensidade de, 509
mapa, perodo de, 312, 488, 508
Marcum Q, funo, 562, 564
markoviana, aproximao, 124, 353
material, disperso, Veja disperso
Maxwell, equaes de, 35
MEMS, tecnologia, 115, 436
metropolitana, rede de rea, Veja redes
Michelson, interfermetro de, Veja
interfermetro
micro-ondas, comunicao por, 2, 324,
548, 551
micro-ondas, subportadoras de, 325, 331
microanel, ressoador em, 338
707
ndice Remissivo
NRZ-DPSK, 253
OOK, 17
PSK, 17, 546-551
QAM, 329, 591
QPSK, 329, 546, 550, 564
sem retorno a zero, Veja NRZ, formato
modulao, instabilidade de, 233, 391, 636
amplificao de rudo por, 391
largura de banda de ganho de, 392
modulador
de amplitude, 464, 514, 549
de eletroabsoro, 131, 464, 644, 669,
671-672
de fase, 130, 337, 338, 514, 535, 549,
582, 668
de frequncia, 310
de intensidade, 130
em mltiplos poos qunticos, 134
em quadratura, 550
externo, 131, 411, 549
funo de transferncia de, 550
LiNb03, 131, 514, 549
Mach-Zehnder, 319, 464, 468, 549
modulador de fase, 309
push-pull, 550
momentos, mtodo dos, 394, 488, 521
Morse, cdigo, 2
multimodo, acoplador por interferncia de,
631, 665
multiplexao
coerente, 341
em subportadora, 324-331, 593
no domnio eltrico, 13
por diviso em cdigo, 334-342
por diviso em comprimento de onda,
265-300
por diviso em frequncia, 13
por diviso em frequncias ortogonais,
331, 593
por diviso em polarizao, 548, 589,
593
por diviso no tempo, 13, 317-324, 453
multiplexador
de adio-extrao, 289-292
TDM, 317
WDM, Veja demultiplexador
N
no linear, anel ptico refletivo, 321, 517,
606-611, 633, 663
no linear, comprimento, 493, 517, 614, 659
708
ndice Remissivo
O
OFDM, Veja multiplexao
olho, abertura de, 253, 468, 533
olho, diagrama de, 178, 210, 252, 400, 462,
585, 634
olho, fechamento de, 302, 470, 575
ondas luminosas, sistemas de
abordagem numrica para, 400
arquiteturas de, 217
autocoerentes, 545-598
avanados, 545-598
baseados em slitons, 661
coerentes, Veja coerentes, sistemas
com amplificao peridica, 399
com gerenciamento de disperso,
483-494
com gerenciamento de perdas, 354-357
componentes de, 21-24
DBPSK, 587
de alta capacidade, 266
de alta velocidade, 448-460
P
p-n, juno, 101, 159
pacotes, chaveamento de, 271, 273, 324, 657
paramtrico, amplificador, Veja amplificador
709
ndice Remissivo
paraxial, aproximao, 34
passivo, lao fotnico, 275
passo alternado, mtodo de Fourier de,
400, 474
perda
compensao de, 351-357
de canal, 227
de fibra, 67-72, 223, 351, 442, 537
de insero, 220, 296, 429, 434, 445
de microcurvatura, 90
dependente de modo, 241
dependente de polarizao, 56, 235
distribuio de, 223
em cavidade, 104, 116
em conectores, 90, 227
em DCF, 418, 419
em emenda, 90, 227
induzida por filtro, 659
interna, 104, 279
por acoplamento, 288, 465
por curvaturas, 71
perda, gerenciamento de, 484, 498-503
peridica, polarizao, 445, 643
piezoeltrico, transdutor, 448
pigtail, 141
planar, circuito de onda luminosa, 181, 281,
287, 296, 319, 437, 453
plstica, fibra ptica, Veja fibras
PMD, compensador de, 459
PMD, parmetro de, 54, 458
PMD, Veja disperso
alargamento de pulso induzido por, 54
compensao de, 235, 456-460
de primeira ordem, 54, 460
de segunda ordem, 56, 460
Poisson, estatstica de, 182, 200
polarizao, disperso do modo de,
VejaPMD
polarizao, diversidade de, 549, 572
polarizao, embaralhamento de, 270,
571, 652
polarizao, filtragem de, 573
polarizao, intercalao de bits por,
536-538
ponto a ponto, enlaces, 217-219
WDM, 267-270
populao, fator de inverso de, 363
populao, inverso de, 102, 366
portador, tempo de vida de, 100, 116, 119,
619-621, 642
portadora-rudo, relao, 326
Q
Q, fator, 196-209, 241, 255, 387-391, 402,
534, 558
710
ndice Remissivo
R
Raman, amplificao, 305, 356, 372
com mltiplas bombas, 374
de banda larga, 374
distribuda, 378
Raman, amplificador, Veja amplificador
Raman, deslocamento, 76, 377
Raman, espalhamento, 72, 305-308, 577
espontneo, 76, 376, 377
estimulado, 76, 352, 355, 370, 517
Raman, ganho, 77, 305, 370, 404, 636, 674
Raman, interferncia, Veja interferncia
rpido, eixo, 44, 610, 649
Rayleigh, distribuio de, 562
Rayleigh, espalhamento, 71
realimentao
cavidade de, 103
distribuda, 108, 411, 626
eltrica, 316
em lao duplo, 144
negativa, 175
ptica, 110, 143, 181, 244, 626
por reflexo, 244, 328
realimentao distribuda, lasers com, 108
acoplados por ganho, 109, 296
com deslocamento de fase, 109
de mltiplas sees, 112
saturao da largura de linha em, 126
receptor
APD, 186
assncrono, 572
711
ndice Remissivo
regenerador, 352
2R, 658-667
3R, 667-673
baseado em fibra, 658-665
baseado em FWM, 663
baseado em SOA, 665-667
baseado em SPM, 658-662
baseado em XPM, 663
de sinal DPSK, 673
de sliton, 661
optoeletrnico, 218, 232
totalmente ptico, 658-676
rejeio, banda de, 287, 422-425, 429, 449,
627-628, 629
relativa, rudo de intensidade, 124, 392
relaxao, oscilaes de, 121, 124, 126
relgio, circuito de, 552
relgio, recuperao de, 177, 195, 206
repetidores, espaamento entre, 219, 402,
412
responsividade, 556
de APD, 167, 187
de fotodetector, 156
de LED, 136
ressoador
de Fabry-Perot, 104, 624
em anel, 439, 624, 625
retardo, tcnica de, 317
Rice, distribuio de, 562
RIN, 204, 245, 326, 566
induzido por disperso, 328
induzido por realimentao, 245
induzido por reflexo, 328
roteador
em grade de difrao em guia
de onda, 294
esttico, 294
totalmente ptico, 657
WDM, 294
rudo
1/f, 128
amplificao de, 391
branco, 182, 183, 363
de amplificador, 233, 363, 434, 573,
577, 585
de amplificador eltrico, 184
de amplificador Raman, 377
de amplitude, 379-382
de ASE, 386-387, 391, 394, 400, 404,
419
de batimento, 341
S
Sagnac, interfermetro, Veja interfermetro
Sagnac, lao de, 606-611, 624, 674
saturao
de ganho, 614, 619, 622, 630, 631
de absoro cruzada, 644
de ganho cruzado, 644, 647, 656, 667
saturao, energia de, 362, 621
saturao, velocidade de, 159
saturvel, absorvedor, 517, 626, 665,
669, 674
SBS, Veja Brillouin, espalhamento
Schottky, barreira, 172
Sellmeier, equao de, 48
semicondutor, amplificador ptico de, 609
demultiplexao com, 652
efeitos no lineares em, 619-624
filtros baseados em, 284
flip-flop, 627-628
saturao de ganho em, 619
semicondutor, lasers de
acoplados, 630
autopulsantes, 671-672
biestabilidade em, 626
bombeamento de EDFA por, 357
caractersticas de, 116-119
com emisso pela superfcie, 114
712
ndice Remissivo
713
ndice Remissivo
superficial, recombinao, 99
suscetibilidade, 36
de segunda ordem, 642
de terceira ordem, 643
sustentao, feixe de, 626, 629
T
taxa de bits-distncia, produto, 3, 33, 34, 54,
65, 219, 226, 243, 268, 322, 513
taxa, equao de, 116, 123, 360
TCP/IP, protocolo, 324
TDM, sistemas, 317-324
demultiplexador para, 319-321
desempenho de, 322
multiplexador para, 317
telecomunicaes, enlaces de fibra de,
235-240
tempo, multiplexao no domnio do,
648-653
tempo, multiplexao por diviso no, Veja
multiplexao
temporal, incerteza, 311, 511-517, 533, 667
controle de, 513-517
de Gordon-Haus, 394, 511
eltrica, 206-209
induzida por ASE, 394, 398
induzida por XPM, 521, 532
no receptor, 206-209
terceira ordem, disperso, 639, veja disperso
trmico, rudo, Veja rudo
termoeltrico, resfriador, 118, 144, 147
terra rara, elementos, 357
total, reflexo interna, 30, 33, 71, 135
transferncia, funo de
da fibra, 66, 414, 460
de canal linear, 177
de circuito RC, 230
de filtro, 434, 462, 659
de grade de difrao, 423, 431
de laser de semicondutor, 121
de LED, 138
de Mach-Zehnder, 437, 438
de modulador, 550
de potncia, 663, 668, 673
transistor
de alta mobilidade eletrnica, 180
de efeito de campo, 180
de heterojuno bipolar, 180, 300
trnsito, tempo de, 158, 162, 167
transmissor, 141-148
acoplamento fonte-fibra em, 141
U
UIT, grade de comprimentos de onda, 268
ultrapassagem, efeito de, 311, 609, 610,
636, 655
V
V, parmetro, 41, 418, 419
vapor, deposio axial de, 85
variacional, mtodo, 489, 505, 521
vernier, efeito, 113
vestigial, banda lateral, 325
Viterbi, algoritmo de, 470
W
WDM, componentes para, 275-300
WDM, redes
de Banyan, 273
de deBruijn, 273
de difuso, 271-273
de distribuio, 271-273
de embaralhamento, 273
de mltiplo acesso, 273-275
de mltiplos saltos, 273
de transporte, 271
Lambdanet, 274
roteador para, 294
totalmente pticas, 271
WDM, sistemas, 265-275, 314, 352
com gerenciamento de disperso,
448-460
com multiplexao em subportadora, 329
componentes para, 275, 300
DCF para, 416
densos, 356, 377
eficincia espectral de, 268
enlaces ponto a ponto, 266-270
esparsos, 370
interferncia em, 300-317
Wiener-Khinchin, teorema de, 182
714
ndice Remissivo