Universidad Nacional Autnoma de Mxico

Facultad de Ingeniera
Laboratorio de dispositivos de almacenamiento
y entrada/salida
Practica N 4
Memorias de lectura-escritura
semiconductoras
Alumnos:
-Ortiz Carpio Jess Jonathan
-Pacheco Barn Pablo Antonio
Grupo: 4
Fecha de entrega: 17/03/16
Semestre 2016-2
Objetivo:
Comprender la estructura y el funcionamiento interno de las memorias de lectura escritura
semiconductoras.

Implementar una memoria RAM de 2 x 2, utilizando para ello principalmente circuitos de baja y
media escala de integracin.
Emplear las propiedades del buffer tres estados, para entender la configuracin
bidireccional presente en la mayora de los dispositivos de almacenamiento (memorias).

bus

Introduccin:
A las memorias de lectura - escritura semiconductoras se les conoce tambin como memorias RAM
(Random Access Memory) en donde el tiempo de acceso para cualquier localidad es el mismo o
sea es una constante, no importando que localidad se quiera acceder.
Existen dos tipos de memorias de lectura - escritura semiconductoras, las RAM estticas y las
RAM dinmicas, en las primeras el elemento de almacenamiento es el circuito biestable o flip - flop,
el cual mantiene la informacin mientras est conectado a la fuente de alimentacin, mientras que
en las celdas de la memoria RAM dinmicas, el elemento de almacenamiento es la capacitancia
parsita que existe entre el gate y el source de los transistores mosfet, por lo cual la informacin se
mantendr por algunos milisegundos sin degradacin notable, tenindose que efectuar a
continuacin el proceso de refresco, el cual consiste en recargar aquellas capacitancias que
presenten un voltaje alto.
Desarrollo:
i) Armar la memoria RAM esttica con una organizacin de 2 x 2 que se presenta en la figura
1.
-

Identifique con distinto color y explique los principales bloques de la memoria RAM.

Figura 1. SRAM 2 x 2

- Haga varias lecturas y escrituras sobre la memoria, compruebe el buen funcionamiento.

-Llame al instructor para su verificacin.

ii) Mencione los pasos que se deben seguir para una lectura.
Primero se desconectan la entrada de datos, si es que estn conectados y cambiamos el
controlador de lectura-escritura a 0 que indica que vamos a leer y despus podemos seleccionar la
localidad a leer.
iii) Mencione los pasos que se deben seguir para una escritura.
Se elige la localidad a grabar se pasa de modo lectura a escritura ponindolo en 1, se
colocan los datos de entrada y el pulso lo pasamos de estar en uno a cero y lo regresamos a 1.
iv) Cul es la frecuencia mxima de operacin de la memoria?
Es a la frecuencia a la que trabaja los flip-flops y para nuestro caso es de 33 Mhz
v) Cmo se introducira un habilitador general de la memoria, implemente en papel a detalle.

vi) Compruebe que

pertenece al tipo de
no destructiva y de

la SRAM alambrada
memoria de lectura
memoria voltil.

La forma de comprobarla es de manera prctica y es que al hacer las pruebas para ver que
funciona la memoria siempre que le quitbamos la alimentacin y lo volvamos a alimentar la
memoria siempre iniciaba con unos en todas sus celdas y de esta forma comprobamos que es
voltil pues no mantiene la informacin si le quitamos la energa.
En el caso de lectura destructiva podemos verlo al momento de realizar esa operacin en nuestra
memoria, la podemos hacer varias veces y la memoria no va a perder esa informacin despus de
leerla.

Conclusiones:

Las memorias RAM son memorias muy eficientes gracias a su capacidad de acceso aleatorio y a
las operaciones que se pueden hacer en ella (lectura-escritura) siendo estas sus ventajas. Su
mayor desventaja que es voltil.
Dentro de las RAM tambin es importante las caractersticas de los tipos que existen pues
dependiendo de la aplicacin podemos usar un tipo o la otra, o dependiendo de nuestras
necesidades y posibilidades, pues las RAM estticas son ms caras y usan ms energa pero son
ms rpidas que las DRAM que son baratas.