MICROANLISIS DISPERSIVO EN ENERGA EDS

1.- FUNDAMENTOS
Cuando un haz de electrones de alta energa (10 a 50 keV), incide
sobre la superficie de una muestra, da origen a una serie de
seales. Una de ellas es la radiacin X caracterstica, la misma que
nos proporciona informacin sobre la composicin qumica de la
zona donde incide el haz.
RAYOS X

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SEM - EDS

 Son dos los procesos de interaccin entre la muestra y el haz de

electrones que dan origen a la emisin de rayos X.
Uno de ellos se origina en el hecho de que los electrones del haz
son frenados al llegar a la superficie de la muestra.
Parte de la energa que traen los electrones es emitida como
radiacin electromagntica de longitud de onda muy corta (0.1 a
20 ) en el rango correspondiente a la radiacin X.
El espectro total de las energas correspondientes a los rayos X
emitidos de esta manera se denomina espectro continuo o
radiacin blanca.
La cantidad de energa emitida por el frenado de los electrones
del haz incidente no es siempre la misma y su valor mximo
corresponde a la condicin de frenado total, en cuyo caso es
igual a la energa del haz incidente (E0).
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SEM - EDS

 El otro proceso se origina en que la energa de los electrones del

haz incidente puede ser transferida parcialmente a los tomos de
la muestra arrancando electrones de las distintas rbitas.
Las vacancias electrnicas as creadas son inmediatamente
llenadas por algn electrn de las rbitas superiores y la
diferencia de energa es emitida como radiacin X.
La energa de esta radiacin X es igual a la diferencia entre las
energas de los dos niveles involucrados, y por tanto tiene un
valor caracterstico del tomo considerado.

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SEM - EDS

 Mediante el anlisis de la energa de esta radiacin X, llamada

radiacin caracterstica, es posible identificar a los elementos
presentes en la muestra.
Por ejemplo, si un electrn del haz incidente arranca un electrn
de la orbita k, un electrn de la rbita siguiente L puede ocupar su
lugar emitiendo la diferencia de energa entre ambos niveles como
un fotn X denominado K. De la misma manera, aunque con
menor probabilidad, un electrn de la rbita M puede saltar al lugar
vaco de la capa k y dar lugar a un fotn X de mayor energa: K.
Pb M

Fe K , K

Pb L Pb L

Intensidad

Espectro caracterstico de Fe y Pb

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Energa (keV)

SEM - EDS

 El valor de la energa de cada una de estas radiaciones X es

caracterstica de cada elemento de la tabla peridica.

keV
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SEM - EDS

El

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SEM - EDS

13/10/2016

SEM - EDS

13/10/2016

SEM - EDS

13/10/2016

SEM-Introduccin

 La identificacin de los elementos presentes en la muestra se

centra entonces en la determinacin de las energas de los fotones
X caractersticos que son emitidos.
Son dos las tcnicas experimentales que se han desarrollado para
ello:
Wavelenght - Dispersive Spectroscopy (WDS)
Energy - Dispersive Spectroscopy (EDS)
La tcnica WDS determina la longitud de onda () de los fotones X
haciendo incidir la radiacin sobre un cristal de espaciamiento
interplanar conocido ( d ), bajo un cierto ngulo ( ), de tal manera
que si se verifica la ley de Bragg: n = 2 d sen , donde n es un
nmero entero (1,2,3,.) existir un fuerte haz difractado para la
radiacin de longitud de onda , el cual se puede registrar y contar
mediante un detector adecuado.
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Braggs Law as applied to x-ray diffraction

es la longitud de onda de inters

es el espaciamiento interplanar del cristal
es el ngulo de incidencia de los rayos x
es un nmero entero
X-ray 1

X-ray 2

n = 2d sen

AB + BC = 2d sen

AB = BC = d sen

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 La longitud de onda () est relacionada con la energa (E) del

fotn X a travs de la siguiente expresin:
E (keV) = 12.398 / ()

(1.1)

En la tcnica EDS se mide directamente la energa de los rayos X

caractersticos mediante un detector adecuado.
Dado que y E estn relacionadas por la expresin (1.1), la
medicin de cualquiera de ellas caracteriza la radiacin X emitida.
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EDS

WDS

sen
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2.- DETECTOR DE Si ( Li )
En la tcnica EDS los rayos X caractersticos son analizados por
un detector de Si ( Li ).
Este detector consta de una lmina de Si dopado con Li de
manera que en su interior no existan trampas de electrones
(vacancias cargadas elctricamente).
Cada fotn X que incide y penetra en el detector pierde su
energa ( E ) por ionizacin sucesiva de los tomos de Si.

750 V

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+
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 Como cada proceso de ionizacin de 1 tomo de Si necesita 3.8 eV

de energa, el resultado final de la interaccin es un nmero N de
tomos ionizados, y por tanto N electrones libres.

N = E (eV) / 3.8
Por ejemplo, para la radiacin K (E = 8040 eV) emitida por un
tomo de Cu, cada fotn X produce 8040 / 3.8 = 2100 electrones.
La carga elctrica total, inducida por el cristal de Si, es por lo tanto
proporcional a la energa de los rayos X caractersticos de cada
elemento.
Todos los electrones producidos se colectan muy rpidamente por
una tensin aplicada al detector y se integran por medio de un
preamplificador de efecto de campo (FET). La salida dada por este
ltimo es una serie de pulsos, siendo la altura de cada pulso
proporcional a la energa del fotn X incidente.
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 Un analizador mide la magnitud de cada uno de los pulsos que

salen del preamplificador y acumula en un sistema multicanal la
cantidad de pulsos correspondientes a cada energa medida.
El resultado final, para un cierto tiempo, es el espectro de
energas de la radiacin incidente en el detector.
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SEM - EDS

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Muestra de cobre

(radiacin blanca)

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CuK

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El

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Intensidad

Muestra de NiO

Energa (keV)

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3.- RESOLUCIN DEL DETECTOR

La resolucin del detector y del sistema de amplificacin se mide
por el ancho del pico correspondiente a una energa dada.
Se toma generalmente como referencia la lnea K del Manganeso
la cual corresponde a 5894 eV (5.9 keV). El ancho a la mitad de la
altura del pico se toma como resolucin del sistema ( 140 eV).

FWHM

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 Mientras menor sea el valor de FWHM tanto mejor es la resolucin

del sistema, es decir, la capacidad para discriminar fotones X de
energas prximas.
Las dos tcnicas EDS y WDS tienen sus ventajas y limitaciones.
WDS tiene mejor sensibilidad en el rango de las energas bajas y
es por lo tanto ms eficiente para detectar elementos ligeros.
WDS puede detectar elementos en muy bajas concentraciones.
EDS es muy til para un anlisis rpido de carcter cualitativo
debido a que registra simultneamente todos los elementos
presentes en la zona barrida.
EDS no tiene buena sensibilidad como WDS. La deteccin se
torna difcil para elementos presentes en concentraciones
menores a ~ 1%.
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 EDS puede trabajar con un haz del orden de 1 nA de intensidad

en vez de los 20 nA que se requiere para WDS. Esta ventaja
permite analizar muestras susceptibles de ser daadas por la
intensidad del haz de electrones.
EDS tiene menor resolucin que WDS, es decir, tiene menor
capacidad para discriminar fotones X de energas prximas.
WDS

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EDS

SEM - EDS

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SEM - EDS

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4.- IDENTIFICACIN DE ELEMENTOS MEDIANTE EDS

La identificacin de los elementos presentes en una muestra
mediante la interpretacin del espectro es prcticamente
inmediata.
En la tcnica EDS el sistema guarda en su memoria las energas K,
L, M de los elementos comprendidos entre Z = 6 (C) y Z = 92 (U).
El programa identifica inmediatamente en la pantalla los picos
correspondientes a cada elemento. Adems es posible visualizar
los siguientes aspectos:

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La energa en keV (lnea horizontal)

Nmero atmico Z
Smbolo qumico del elemento
Identificacin de las lneas K, L, M
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 En el caso de las capas K y L aparecen las lneas K, K, L, L1,

L2 , L
La lnea vertical est asociada a la intensidad de la respuesta
(nmero de pulsos) y por tanto a la concentracin del elemento
detectado.
Cu K

Muestra de Cobre
Cu L
Transition diagram for copper

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Cu K

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El

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K1

SEM - EDS

K1

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 Normalmente no existe indeterminacin para para la identificacin

del elemento. En el espectro del Cobre se nota claramente que los
centros de los picos coinciden con la posicin de las lneas
correspondientes (keV). La de mayor intensidad es la denominada
K (8.047 keV) y la de menor intensidad es la lnea K (8.903 keV).
Tambin se observa la lnea L (0.930 keV).
Es importante notar que la relacin de intensidades entre la lneas
K y K es aproximadamente 6 a 1.
Alguna indeterminacin puede surgir en caso de superposicin de
energas. Por ejemplo, un pico ubicado en la lnea de 5.400 keV
puede corresponder a la lnea K del Cr (5.411 keV) o a la lnea K
del V (5.426 keV).
Suponiendo que el elemento sea Cr, deber existir tambin un pico
correspondiente a la lnea K (5.946 keV) y de intensidad ~ 6 veces
menor.
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 De la misma manera si el elemento analizado fuera el V, debera

aparecer tambin un pico correspondiente a la lnea K (4.494 keV)
y ms intenso que K.
Las tablas de identificacin de elementos contienen las energas
de todas las lneas K, L, M de los elementos conjuntamente con la
relacin de intensidades entre ellas. Para ciertos elementos es
posible estimar las intensidades relativas de las diferentes lneas
usando la siguiente tabla:

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 Si an subsiste alguna indeterminacin en la identificacin de un

espectro ms complejo, es posible eliminar los picos de mayor
energa disminuyendo la tensin de aceleracin del haz electrnico
(kV).
Normalmente la identificacin de los elementos presentes se
puede realizar sin mayores dificultades, as como tener una idea
de la concentracin de estos elementos por la altura relativa entre
picos.

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SEM - EDS

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 La mayor ventaja de la tcnica EDS consiste en la posibilidad de

obtener, en forma rpida, el anlisis de los elementos presentes en
una zona de la muestra con dimensiones 1 micra, previamente
seleccionada por observacin con electrones retrodifundidos.
BSE

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 Para partculas de dimensiones inferiores a 1 micra, como el haz

de electrones se dispersa en un volumen de 1 micra, en el
espectro puede haber contribucin de elementos presentes en las
zonas adyacentes.
Trayectorias de los
electrones incidentes

Monte Carlo
Projections

Tungsteno

Aluminio

Puntos de emisin
de los rayosX

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Fe2 SiO4

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SEM - EDS

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 Con la informacin que tiene la memoria del analizador del

sistema sobre las lneas K, L y M, no existe normalmente
dificultad para la identificacin de los picos de un espectro.
En el caso de no poder identificar claramente algunos de los picos
hay que considerar entonces las siguientes opciones:
a) Picos de escape: Un fotn X incidente puede excitar uno de los
tomos de Silicio perteneciente al detector, utilizando en este
proceso una energa de 1.740 keV (K) de su energa inicial E0.
Entonces la carga colectada por el detector ser la
correspondiente a la siguiente diferencia:

Ees = E0 1.740 keV

(Ees: Pico de escape)

En el registro del espectro este pico se ubica a 1.740 keV por

debajo del pico correspondiente al fotn X original. Por ejemplo,
para el Fe se tiene que Ees = 6.400 (K) 1.740 = 4.660 keV.
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Intensidad

Fe K
6.40 keV

Mo K
17.48 keV
Ees
4.66 keV

1.74 keV

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Ees
15.74 keV

Energa (keV)

SEM - EDS

1.74 keV

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b) Picos suma: Si dos fotones X correspondientes a un mismo

elemento (igual E0) inciden simultneamente sobre el detector, el
pulso respectivo ser el correspondiente a una energa 2 E0. Esto
implica que en el espectro aparecer un pico adicional ubicado en
la lnea correspondiente a 2 E0.
Los picos suma suelen aparecer para elevadas cantidades de
emisin de radiacin X, situacin que aumenta la posibilidad de la
incidencia de 2 fotones X al mismo tiempo en el detector.
Una forma de verificar que un pico del espectro corresponde a un
pico suma o pico doble es disminuyendo la intensidad del haz de
electrones (disminuyendo la cantidad de respuesta).
Otra forma es disminuyendo la tensin de aceleracin del haz
(KV). Por ejemplo en el caso del Fe K (6.4 keV) el pico doble
aparecer an cuando la tensin sea menor a 12.8 KV.
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c) Lneas L y M menores: El analizador guarda en su memoria la

informacin de las lneas K, L, M de los elementos. De esta manera
es posible identificar las lneas K, K, L y M.
Sin embargo existen otras transiciones de menor probabilidad, que
dan lugar a las lneas L y M de menor intensidad que las lneas
principales. En este caso es necesario consultar tablas de lneas
completas.

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5.- MAPAS DE DISTRIBUCIN DE ELEMENTOS

Conocidos tambin como Mapas de rayos X (X-ray mapping), son
posibles de obtener porque el sistema electrnico de todo
dispositivo de microanlisis, tanto de EDS como de WDS, permite
la obtencin de la distribucin de un elemento dado en toda la
zona observada de la muestra.
Uranio

BSE

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 Mediante el sistema del analizador es posible seleccionar un

conjunto de canales (ventanas) de manera de hacer coincidir el
pico correspondiente a un elemento presente en la muestra con la
ventana seleccionada. Entonces mientras se realiza el barrido de
una zona de la muestra, el sistema electrnico permite modular la
intensidad de la pantalla solo con las seales provenientes de la
ventana seleccionada.
Cada vez que el haz de electrones incide sobre una zona de la
muestra que contiene el elemento seleccionado aparecer en la
pantalla un punto brillante. El resultado final de un barrido
completo ser una distribucin de puntos brillantes en la zonas de
mayor presencia de ese elemento.
Dicho de otra manera, las zonas de mayor densidad de puntos
brillantes corresponden a una mayor concentracin del elemento
seleccionado.
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SEM - EDS

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SEM-Introduccin

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S K

W L

Si K

Al K

Ag L

SE

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SEM - EDS

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BSE

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SEM - EDS

42

BSE

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SEM - EDS

43

BSE

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SEM - EDS

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BSE

Acero (Fe)

Segregacin de Pb en Cu
SE

Si

Al
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SEM - EDS

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BSE

BSE

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SEM - EDS

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13/10/2016

SEM - EDS

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SE

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SEM - EDS

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Backscattered electron image (BSE)

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Cu = blue

SEM - EDS

S= red

C = green

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Fe

Fe

C
Fe

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SEM - EDS

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 Con el uso de patrones adecuados y con programas de

computacin es posible realizar determinaciones cuantitativas de
los elementos presentes. El programa ZAF es muy utilizado para
aleaciones metlicas.

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SEM - EDS

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SEM - EDS

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13/10/2016

SEM - EDS

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Cl

Cr

Ni

O
SEM - EDS

Fe

BSE
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SEM-CAP.1-Descripcin.

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SEM - EDS

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SEM - EDS

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X RAY - MAPS
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SEM - EDS

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SEM - EDS

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