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POLARIZACIN DE LOS TRANSISTORES


JFETS Y MOSFETS
ResumenThe following report contains detail about the

Oscar Dario Gordillo Rojas


ogordillor@est.ups.edu.ec

I B , mientras que en un JFET la


V GS
ser una funcin del voltaje

nivel de la corriente

ID
corriente
aplicando al circuito de la entrada de la Figura (1).

Universidad Politcnica Salesiana - Cuenca


Laboratorio de Analgica II
operation of the FET, JFET and MOSFET, the equations
that are used for such calculations. It also consists of the
causes or problems for which transistors are damaged.
El siguiente informe consta de manera detallada acerca
del funcionamiento de los FET, JFET y MOSFET, las
ecuaciones que se emplean para sus respectivos clculos.
Tambin consta sobre las causas o problemas por las cuales
se daan los transistores.
Index Terms MOSFETS, JFETS, polarizacin, recta de
carga, circuito.

I.
1.

OBJETIVOS

Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de

2.

Polarizacin Gate o Doble Fuente.


Autopolarizacin Resistencia de Source.
Polarizacin Divisor de Tensin.
Polarizacin con doble Fuente o Simtrica.
Disear y Simular el funcionamiento de las
polarizaciones del MOSFET.

Figura 1. Transistores BJT y JFET

La construccin bsica del JFET de canal n como se


muestra en la Figura 2 tiene como principal estructura un
material de tipo n, en el cual forma el canal entre las capas
incrustadas de material p. La parte superior del canal tipo n
est conectada mediante un contacto hmico a un material
conocido como drenaje DRAIN que se representa como
D en tanto que el extremo inferior del mismo material est
conectado un contacto hmico a una terminal conocida
como fuente o SOUERCCE que se representa S.[1]
La estructura interna del transistor JFET es que los dos
materiales tipo p estn conectados entre s y a la vez con la
terminal de la compuerta GATE, la cual se la simboliza
como G, por consiguiente, el drenaje y la fuente estn
conectados a los extremos del canal tipo n.

MOSFET Incremental.
MOSFET Decremental.
II. MARCO TERICO

1. FETS
Los FETS son transistores de efecto de campo (por las
siglas en ingles de Field Effect Transistor), es un dispositivo
de tres terminales y se asemeja mucho a un transistor BJT.
Una de las caractersticas ms importantes del FET es su
alta impedancia de entrada. Existen diferentes dispositivos
de FETS entre los ms comunes estn los JFET y MOSFET.
[1]
A. JFETS
Los transistores JFET son dispositivos controlados por
voltaje, la diferencia bsica con los transistores BJT es que
los BJT son dispositivos controlados por corriente.

En un BJT la corriente

Ic

es una funcin directa del

Figura 2. JFET funcionamiento

Sin potenciales aplicados al transistor, el JFET tiene dos


uniones p-n en condiciones sin polarizacin. El resultado es
una regin de empobrecimiento en cada unin, la cual se
asemeja a la misma regin de un diodo en condiciones sin
polarizacin. [1]
Para el clculo de estos transistores rige la ecuacin de
Shockley 1, que es la que relaciona las caractersticas del
transistor con las caractersticas del circuito.

ID=IDSS 1

VGS
(1)
VP

B. MOSFETS
Existen dos tipos de transistores MOSFET los de
enriquecimiento y los de empobrecimiento.
La construccin bsica del MOSFET de tipo
empobrecimiento de canal n aparece en la Figura (3).
Se forma de una placa de material tipo p a partir de una base
de silicio y se conoce como sustrato y es la base sobre la
cual se construye el dispositivo. En algunos casos, el
sustrato se conecta internamente a la terminal de fuente. La
fuente y el drenaje estn conectados mediante contactos
metlicos a regiones tipo n dopadas vinculadas a un canal n.
[1]
Tambin la compuerta est conectada a una superficie de
contacto metlica aunque esta permanece aislada del canal n
por una capa de bixido de silicio SiO2 muy delgada.
El SiO2 es un tipo de aislante conocido como dielctrico, el
cual establece campos elctricos opuestos. No hay una
conexin elctrica entre la terminal de compuerta y el canal
de un MOSFET. A este tipo de transistor est regido por la
ecuacin de Shockley 1. [2]

Figura 4. MOSFET de enriquecimiento

III. HERRAMIENTAS Y MATERIALES


- Herramientas
1. Proto Board.
2. Multmetro.
3. Corta frio.
4. Software Mulstisim.
5. Cable multipar.
- Materiales
Cuadro I. Descripcin de los materiales

Materiales

Cantidad

Costo por unidad

JFET
2SK30A
Resistencias

0.35$

12

0.05$
2.00$

Total

IV. DESARROLLO DE LA PRCTICA


Figura 3. MOSFET de empobrecimiento

Mientras que para los MOSFET de tipo


enriquecimiento su funcionamiento es muy similar al
MOSFET de empobrecimiento, con la nica diferencia que
este no tiene un canal que los une como se muestra en la
figura 4. Y a este tipo de transistores no se rige por la
ecuacin de Shockley 1
Para el anlisis de este tipo de transistores se rige por las
ecuaciones 2 y 3.

k=

ID encendido
2

(2)

( VGS encendido V th )
ID=k ( VGSV th )2 (3)

TRANSISTORES JFET
A. Polarizacin con fuente al gate.
Para realizar la polarizacin con fuente al gate se us el
JFET 2SK30A, que tiene como datos de medicin
I DSS=3.22 [mA] y un V P =2.114 [v] para
conseguir un

V DS =

V DD
2

y una

I D =2.2[mA ]

3
Comparacin de valores medidos y calculados:

VCC 9V

Cuadro II. Polarizacin con fuente al gate

R1
2.045k
+
-

2.201m

ID
V GS
V DS

Q1
+
-

-0.366m V

Figura 5. Polarizacin fija

VDS siendo la mitad de VDD entonces:

V DS =

V DD
2

V DS =

9V
=4.5[V ]
2

Medido

Simulado

2.2 [mA]

2.27 [mA]

2.2 [mA]

-0.36 [V]

-0.36 [V]

-0.36 [V]

4.5 [V]

4.31 [V]

4.5 [V]

2SK30ATM**
V1
0.366mV

+
-

4.500

Calculo

B. Polarizacin con resistencia al source.


Para realizar la polarizacin con resistencia al source se
us el JFET 2SK30A, que tiene como datos de medicin
I DSS=3.22 [mA] y un V P =2.114 [v] para

V DS =

conseguir un

V DD
2

I D =2.2[mA ]

y una

VCC 9V
R7
1.88k
+

Empleando la ecuacin de Shockley 1.

I D =I DSS

V
1 GS
VP

2.200m

Q5

+
V

-0.329

V GS
2.2 mA=3.22 mA 1
2.114

VGS=0.366[V ]

R8
1M

9=2.2mA RD +4.5 V
RD=2.045[ K]

2SK30ATM***

Figura 7. Polarizacin con resistencia al Source

Calculo de la resistencia en el DRAIN.

V DD =V RD+ V RS

V DS =

V DD
2

V DS =

9V
=4.5[V ]
2

Empleando la ecuacin de Shockley 1.


En la Figura 6 se muestra la recta de carga de la polarizacion
con fuente al gate.

I D =I DSS

V
1 GS
VP

)
(

2.2 mA=3.22 mA 1

V GS
2.114

VGS=0.366[V ]
Encontramos Rs:

V GS=I DRS

0.366V =2.2mA RS
Figura 6 Recta de polarizacin

R6
165.13

4.500

RS=165.13 []

VCC

9V

R5
1.5k

Realizando mallas despejamos la RD.

V DD =VR D +V RS +V DS

R2
1M

9=2.2mA R D +4.5 V +2.2 mA RS

+
-

2.249m

Q2

9=2.2mA R D +4.5 V +2.2 mA 165.13

+
-

4.1367=2.2 mA R D

-0.393

R D=1.880 [K]

2SK30ATM****

4.502

R4
500

R3
88k

En la Figura 8 se muestra la recta de carga de la


polarizacin con resistencia al sourse.
Figura 9. Polarizacin con divisor de tensin

V DS =

V DD
2

V DS =

9V
=4.5[V ]
2

Empleando la ecuacin de Shockley 1.

I D =I DSS
Figura 8. Recta de polarizacin

V
1 GS
VP

V GS
2.2 mA=3.22 mA 1
2.114

Cuadro III. Polarizacin con resistencia al source

ID
V GS
V DS

Calculo

Medido

Simulado

2.2 [mA]

2.29 [mA]

2.2 [mA]

-0.36 [V]

-0.349 [V]

-0.32 [V]

4.5 [V]

4.26 [V]

4.5 [V]

C. Polarizacin con divisor de tensin


Para realizar la polarizacin con divisor de tensin se us
el JFET 2SK30A, que tiene como datos de medicin
I DSS =3.22 [mA] y un V P =2.114 [v] para
conseguir un

V DS =

V DD
2

y una

I D =2.2[mA ]

VGS=0.366[V ]
Para determinar la resistencia en el sorce nos imponemos
que la resistencia tenga una caida de tension de 1.5[V]

V S =I D R S
1.1V =2.2 mA RS
RS =500[]
Procedemos a encontrar VG.

V G=V th =I D R S +V GS
V G=V th =2.2mA 5000.366
V G=V th =0.734[ V ]
Aplicando divisor de tension y nos imponemos una
resistencia de R2= 1 M

VG=

VDD R 2
R 1+ R2

0.734=

9 R2
1 M+ R 2

R 2=88.79[ K]
Realizando mallas despejamos la RD.

V DD =VR D +V RS +V DS
9=2.2mA R D +4.5 V +2.2 mA Rs
92.2mA R D4.5V 2.2 mA 500=0
5.6=2.2mA R D
R D=1.54 [K]
En la figura 10 se muestra la recta de carga de la
polarizacin con divisor de tensin.
Figura 11. Polarizacin con doble fuente

V DS =

V DD
2

V DS =

9V
=4.5[V ]
2

Empleando la ecuacin de Shockley 1.

Figura 10. Recta de polarizacin

I D =I DSS 1

Comparacin de valores calculados y simulados:


Cuadro IV. Polarizacin con divisor de tensin

ID
V GS
V DS

Calculo

Medido

Simulado

2.2 [mA]

2.29 [mA]

2.2 [mA]

-0.36 [V]

-0.349 [V]

-0.32 [V]

4.5 [V]

4.26 [V]

4.6 [V]

D. Polarizacin con doble fuente


Para realizar la polarizacin con doble fuente se us el
JFET 2SK30A, que tiene como datos de medicin
I DSS =3.22 [mA] y un V P =2.114 [v] para
conseguir un

V DS =

V DD
2

y una

I D =2.2[mA ]

V GS
VP

)
(

2.2 mA=3.22 mA 1

V GS
2.114

VGS=0.366[V ]
Encontramos Rs:

V GS=V SSI DRS

0.366V =42.2 mA RS

RS=1.98 [K]
Teniendo todos los parmetros procedemos a calcular RD

V DD =VR D +V RS +V DS4
92.2mA R D2.2 mA 1.98 K6.5+ 4=0
2.2 mA R D 2.2 mA 1.98 K6.5+ 4=0

R D=974.54
En la figura 12 se muestra la recta de carga de la
polarizacin con doble fuente simtrica.

Figura 13. MOSFET de empobrecimiento

Figura 12. Recta de polarizacin

Comparacin de valores calculados y simulados:

V P =2.5

Cuadro V. Polarizacin con doble fuente

ID
V GS
V DS

Datos:

Calculo

Medido

Simulado

I DSS=12[mA ]

2.2 [mA]

2.3 [mA]

2.18 [mA]

-0.36 [V]

-0.33 [V]

-0.372 [V]

I D =6[mA ]

6.5 [V]

4.54[V]

2.18[V]

Calculo del voltaje para que funcione a 6 [mA]


Empleando la ecuacin de Shockley 1.

TRANSISTORES MOSFET

I D =I DSS

A. Transistores de tipo Empobrecimiento


Simulacin del funcionamiento de un MOSFET 5051 en
polarizacin fija o con fuente al gate.
Para realizar el diseo de un circuito con un MOSFET de
empobrecimiento con una corriente de drenaje de 6mA y el
voltaje VDS sea la mitad de la recta de carga, teniendo como
datos
del
producto
el
y
V P=2.5[ V ]

I DSS=12 [mA ]

V
1 GS
VP

6 mA =12mA 1

V GS
2.5

VGS=0.73223[V ]
Para que funcione a la mitad de la recta de carga

V DS =
V DS =

V DD
2

12 V
=6 [V ]
2

Para calcular la resistencia del source me impongo que la


caida de tension en la misma sea de 1.2 [V]

V S =I D R S

1.2V =6 mA R S
RS =200[ ]
Calculo de la resistencia en el DRAIN

V DS =V DDI DR DV RS

V GS -0.73223 [V]
6 [V]
V DS

6=120.006R D1.2
R D=800 []

-0.7322 [V]
8.879[V]

B. Transistores de tipo Enriquecimiento

Utilizando un valor comercial para la resistencia

R D=820 []
En la Figura 14 se muestra la recta de entrada del transistor.

Simulacin del funcionamiento de un MOSFET IRFP540


en polarizacin de retroalimentacin.
Para realizar el diseo de un circuito con un MOSFET de
enriquecimiento con una corriente de drenaje de 6mA y el
voltaje VDS sea la mitad de la recta de carga, teniendo como
datos del producto el V TH =3 [V ] , con un voltaje de
encendido

VGS ENC =6[V ]

I D ENC =5 [mA ]

Figura 14. Recta de entrada del MOSFET

en la Figura 15 se muestra la recta de carga de la


polarizacion del MOSFET con polarizacion fija.

Figura 16. MOSFET de enriquecimiento

Datos:

V TH =3 [V ]
VGS enc =6[V ]
I Denc =5[mA ]

Para encontrar la constante K se emplea la siguiente


ecuacin:

k=

k=

ID enc

( VGS enc V th)


5 mA
( 63 )2

Figura 15. Recta de polarizacin

Comparacin de valores calculados y simulados:


Cuadro VI. MOSFET con polarizacin fija

Calculo

ID

6 [mA]

Simulado
6.001 [mA]

k =0.00055

A
2
V

Calculo de la resistencia RD.

V DD =V RD+ V GS
V GS=V DS

8
Cada transistor tiene datos diferentes de voltaje Vp y
corriente IDSS por lo que primeramente antes de proceder a
calcular se debe medir estos valores.

V GS=6 [V ]
12=5 mA R D + 6

VI. CONCLUSIONES

RD=1.2 k
En la figura 17 se muestra la recta de carga de la
polarizacin del MOSFET incremental con configuracin de
retroalimentacin.

Through the practice conducted in the laboratory, were


able to understand the operation of the JFET and MOSFET
transistors, thus deepen the knowledge gained.
It was verified that the values obtained in practice through
measurements vary with calculations and simulations, this is
because in practice the resistance values that came through
the calculations, the values were not available, commercial
values were used.
Using Shockley facilitated most calculations circuits
polarizations, and by using this equation the values
necessary for the circuit to work resistance was obtained.
In the biasing transistors circuits, its necessary to be
operational half of the load line, and this was due to know
the values of the IDSS current and voltage VGS at which the
transistor operates, for these values was due to perform
multiple measurements vary voltages.

Figura 17Recta de carga MOSFET incremental

Comparacin de valores calculados y simulados:


Cuadro VII. MOSFET incremental con configuracin en
retroalimentacin

Calculo

ID
V GS
V DS

Simulado

5 [mA]

4.98 [mA]

6 [V]

60.21 [V]

6 [V]

60.21 [V]

V. ANLISIS DE RESULTADOS
Mediante los datos obtenidos en la prctica, las
simulaciones y los clculos previos se puede decir que:
Tanto los transistores JFET como los MOSFET tienen una
gran impedancia de entrada por su constitucin interna y por
ende su corriente de compuerta es cero.
Los valores tanto medidos, calculados y simulados no
difieren de ms del 3.1% de error, esto se debe a las
resistencias que no son del valor exacto teniendo un margen
de error de hasta el 5 % y los instrumentos de medicin
tambin no son del todo precisos por lo que lo que difieren
en el resultado.
Un transistor JFET se puede quemar por un exceso de
voltaje VGS o por obtener del transistor un mayor voltaje
VDS, ya que estos parmetros vienen indicados en un
datasheet.

If you reach the choke voltage transistor operates as an


open switch, because the bottleneck occurs not moving
electrons through the channel, and when this voltage is zero
operates as a closed switch.
It was also verified that the enhancement MOSFET type
are different depletion MOSFET, since in the enhancement
MOSFET needs a positive voltage for them to work.
Finally we conclude that for more precise data on
measurements instrumentation should be implemented with
a minimum error.
Mediante la prctica realizada en el laboratorio de
analgica se pudo comprender acerca del funcionamiento de
los transistores JFET y MOSFET visto en clases de
analgica y as profundizar los conocimientos obtenidos.
Se verific que los valores obtenidos en la prctica
mediante las mediciones varan con los clculos y las
simulaciones, esto es debido a que en la prctica no se
usaron los valores de resistencia que salan mediante los
clculos, ya que al no existir tales valores se usaron valores
comerciales.
Con el uso de la ecuacin de Shockley nos facilit la
mayora de los clculos de las polarizaciones de los
circuitos, y mediante el uso de esta ecuacin se obtuvo los
valores de las resistencias necesarias para que el circuito
funcione.
En los circuitos de polarizacin de los transistores se
necesitaba que estn en funcionamiento de la mitad de la
recta de carga, y para eso se deba conocer los valores de la
corriente IDSS y el voltaje VGS al que el funciona el transistor,
para obtener tales valores se deba realizar varias
mediciones varan los voltajes.

9
Si se llega al Voltaje de estrangulamiento el transistor
funciona como un interruptor abierto, pues el
estrangulamiento produce que no circulen los electrones por
el canal, y cuando este voltaje es cero funciona como un
interruptor cerrado.
Se verifico tambin en que los MOSFET tipo
empobrecimientos comportan de forma similar a los
transistores JFET pues la curva caracterstica de la entrada
son iguales, con una nica diferencia, que en JFET tiene
como lmite mximo que la corriere I D no debe superar a al
corriente IDSS, mientras que en el MOSFET de
empobrecimiento se puede superar esa corriente I DSS hasta un
cierto valor que indica en el datasheet.
Tambin se comprob que los MOSFET de tipo
enriquecimiento son diferentes a los MOSFET de

empobrecimiento, ya que en los MOSFET de


enriquecimiento necesita de un voltaje positivo para que
estos funcionen.
Por ultimo concluimos que para obtener datos ms precisos
en las mediciones se deberan implementar con
instrumentacin que tengan un mnimo error.

VII. REFERENCIAS
[1]

Electrnica: Teoria de Circuitos dcima edicin Robert L.


Bpylestand- Louis Nashelsky.

[2]

Electrnica: Dispositivos Electrnicos 1- edicin especial Francisco


Jimnez Molinos.