EL

TRANSISTOR MOSFET

CURVAS CARACTERSTICAS DE UN
MOSFET CANAL N DE ENRIQUECIMIENTO

FORMA DE PRESENTACIN DE LAS ECUACIONES DEL MOSFET DE

ENRIQUECIMIENTO

De la ecuacin que define el umbral VDS = VGS -Vth = VOV

Se define

Para la regin triodo VGS >Vth VDS < VGS -Vth VGD > Vth




Para la regin de saturacin VGS Vth VDS VGS -Vth VGD < Vth

CARACTERSTICA DE TRANSFERENCIA ID VS. VGS DEL

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
De la ecuacin en la zona de saturacin puede realizarse la grfica de la
corriente iD vs. el voltaje vGS en el lmite entre las regiones.





En la regin de
saturacin el MOSFET
se comporta como una
fuente de corriente
cuyo valor est
controlado por vGS.

CARCTERSTICAS COMPLETAS DEL MOSFET TIPO N DE

ENRIQUECIMIENTO

El MOSFET se comporta como una fuente de corriente cuyo valor est
controlado por vGS

REPRESENTACIN CIRCUITAL DE LA OPERACIN DEL MOSFET EN

LA REGIN DE SATURACIN:
CIRCUITO EQUIVALENTE DE GRAN SEAL

RESISTENCIA EN LA REGIN DE SATURACIN

* En la prctica, al aumentar vDS
se ve afectado el punto de pinch-
off. La longitud del canal se
reduce (modulacin de la
longitud del canal).
* La corriente iD es inver-
samente proporcional a la
longitud del canal y aumenta.

es un parmetro que depen-

de de la tecnologa utilizada y
es inversamente proporcional a
la longitud del canal.

CARACTERSTICAS REALES DE SALIDA DE UN MOSFET TIPO

ENRIQUECIMIENTO CONSIDERANDO LA MODULACIN DEL CANAL

EXTRAPOLACIN DE LAS CURVAS CARACTERSTICAS DEL MOSFET

La interseccin de la
extrapolacin de las
curvas ocurre en
VA= 1/.
La resistencia de
salida es

 EL EFECTO SUSTRATO

* Usualmente el Sustrato se conecta al Source, por lo que se usa el
modelo simplificado de tres terminales.
* En circuitos integrados el sustrato es comn a varios dispositivos.
* Para mantener la condicin de corte de la juntura PN el sustrato se
conecta a la fuente ms negativa para NMOS y a la ms positiva para
PMOS. Esto aumenta la regin de vaciamiento y reduce la profundidad
del canal. Para reponer el canal hay que aumenta vGS.
* El efecto se puede representar como un cambio en Vth al variar VSB



Donde: Vtho: Voltaje Vth para VSB = 0
f = Parmetro fsico (2f 0,6V)
= Parmetro del proceso de fabricacin. Parmetro del efecto sustrato
* El terminal B acta como otro G del MOSFET.

SMBOLOS CIRCUITALES

Para el NMOS de enriquecimiento (MOSTET canal N)






Para el PMOS de enriquecimiento (MOSTET canal P)

POLARIZACIN DE MOSFETS

1.-Determine los valores de las resistencias para que el MOSFET opere a
ID = 0,4 mA y VD = 0,5V. Los parmetros son Vth=0,7V, nCox=100A/V2,
L = 1m W = 32m. Considere = 0.
Dado que VD = 0,5V es mayor que VG, (VGD < Vth) el
MOSFET va a estar en la regin de saturacin.



Sustituyendo:
Vov =0,5 V

Vs=-1,2V

2.-Determine el valor de la resistencia R para que el MOSFET opere a

ID=80A y determine el valor de VD. Los parmetros son Vth=0,6V,
nCox=200A/V2, L = 0,8m W = 4m. Considere = 0.

VGD=0. Como VGD < Vth est en la regin de saturacin.

3.-Determine el valor de la resistencia R para que VD=0,1V. Cul es la

resistencia efectiva entre Drain y Source en este punto de operacin?
Los parmetros son Vth=1V, kn'(W/L) = 1mA/V2.

VG=5V y VD=0,1V VGD=4,9 V
VGD>Vth Est en la regin de triodo

Se selecciona 12k

4.-Determine el valor de los voltajes y

corrientes. Los parmetros son Vth=1V,
kn'(W/L) = 1mA/V2.

Voltaje de Thevenin en el Gate:



Se comienza suponiendo saturacin.


Dos valores: 0,89 y 0,5

Con 0,89mA VD= 0,89x6= 5,34 >VG: Estara en corte
Con 0,5mA VD= 0,89x6= 5,34 V VS= 0,5x6= 3V VGS= 5-3=2V
VD = 10 - 6x0,5= 7V VGD = 5 -7 = -2V< Vth=1V Est en saturacin

POLARIZACIN CON FUENTE DE CORRIENTE

EL ESPEJO DE CORRIENTE CON MOSFET

RECTA DE CARGA

CARACTERSTICA DE TRANFERENCIA. GRAN SEAL

EL MOSFET COMO AMPLIFICADOR

En saturacin: Corriente DC (polarizacin)






Al aplicar la fuente AC:

Si vgs se mantiene lo suficientemente pequeo, se pueden tomar en

cuenta solo los dos primeros trminos. En caso contrario: distorsin




Entonces:

Otras expresiones para gm

Sustituyendo en la expresin de gm





Una tercera expresin:

* Ganancia de voltaje

MODELO EQUIVALENTE DE PEQUEA SEAL

AMPLIFICADOR
SOURCE COMN

En DC: Punto de
operacin Q


En AC: Ganancia de
voltaje, ganancia de
corriente, impedancia
de entrada e
impedancia de salida.

* Ejercicio de Amplificador Source Comn

Vth = 1,5V k'(W/L) = 0,25 mA/V2, VA = 50V

Punto de operacin. Suponemos que el MOSFET est en saturacin

Como la corriente de Gate es cero no hay cada de voltaje en RG, por lo
tanto VD = VG. El voltaje de Source es cero. Entonces VGS = VG = VD




Resolviendo

* Clculo de los parmetros

* Resolucin de la ecuacin de segundo grado

Negativo. No vlido




* Circuito de pequea seal

* Clculo de AV

Para RG con valor elevado (en este caso RG = 10M)

Es la solucin del libro


Es aceptable la aproximacin?







Es aceptable

Si RG tiene un valor elevado, puede despreciarse esta resistencia en los
clculos de la ganancia de voltaje.

* Resistencia de entrada Rin = vi/ii

* Resistencia de salida
Ro=Vp/Ip vgs = 0
Ro = RD//ro =
=47//10 = 8,25k

* Ganancia de corriente




Es muy elevada


* Mximo voltaje de entrada para estar en saturacin vDS vGS - Vth
Cuando vGS es mximo y vDS mnimo: vDSmin= vGSmax - Vth
El voltaje vDS es mnimo cuando la excursin baja por debajo del punto
de operacin VDS, de forma que vDSmin= VDS-|AV|vi y vGSmax = vGS+ vi

vgs = 0, 34 << 2(VGS Vth ) = 2x( 4, 4 1,5) = 5,8V (aceptable)

CONCLUSIONES SOBRE EL AMPLIFICADOR SOURCE COMN

* La ganancia del amplificador Source Comn es relativamente elevada,
y la seal de salida presenta un desfasaje de 180 con respecto a la de
entrada, segn indica el signo negativo que se obtiene en la relacin de
AV.

* La impedancia de entrada depende de las resistencias del polarizacin,
por lo que se seleccionan valores elevados, del orden de las unidades o
decenas de M, para obtener la resistencia de entrada mas alta posible.

* La impedancia de salida depende de la resistencia de Drain, lo cual
hace que presente un valor relativamente alto.

EL AMPLIFICADOR SOURCE COMN CON RESISTENCIA DE SOURCE

Para analizar este circuito es conveniente utilizar el modelo T.

EL MODELO T PARA MOSFET

EL MODELO T INCLUYENDO LA RESISTENCIA ro

ANALISIS DE PEQUEA SEAL DEL AMPLIFICADOR SOURCE COMN

CON RESISTENCIA DE SOURCE APLICANDO EL MODELO T

* Resistencia de entrada

* Ganancia de voltaje

AMPLIFICADOR DRAIN COMN

* Circuito equivalente con el modelo T incluyendo ro

* Circuito equivalente con el modelo incluyendo ro

* Ganancia de voltaje Se define Rp = RC//RL//r

Es menor que 1

La salida est en fase con la entrada

Con el modelo T:

Mismo
resultado

* Resistencia de entrada

*Resistencia de salida

Vp = -vgs





Ro = Rs//ro//(1/gm)

* Ganancia de corriente










Depende del valor de las resistencias de polarizacin

* Ejercicio de amplificador Drain Comn

* Los parmetros del MOSFET

En saturacin:

En los manuales aparece GFS "Forward Transconductance":
Relacin entre la variable de salida (ID) y la de entrada VGS para una
corriente ID especfica. Esta definicin es similar al gm para
pequea seal, aplicada a valores DC. Para el MOSFET VN10K:


Para trabajar con las ecuaciones de polarizacin se define:

iD = K (VGS Vth ) 2

1 W
K = k'
2 L

W
k' = 2K
L

Utilizando una de las ecuaciones para gm y aplicndola a GFS

(identificada tambin como Gm):

W 2I D
W
gm = k'
k' = 2K
W
L

L
k'

L


W 2I
2I
I

Gm = k'

W
k'
L

= 2K

2K

= 2K

Con los datos del ejercicio:

mA
100
= 2 K 500mA
V

= 2 KI D

Gm = 2 KI D

K=5

mA
V2

iD = 5 mA (VGS Vth ) 2
V2

* Clculo del punto de operacin suponiendo saturacin

Voltaje VGG:

2M
VGG =
12V = 8V
3M

Vth 2V

* Determinacin de la corriente ID.

En saturacin

* Anlisis de pequea seal. Parmetros

* Modelo de pequea seal

* Modelo de pequea seal arreglado

* Ganancia de voltaje

* Resistencia de entrada

* Resistencia de salida

* Ganancia de corriente

* Parmetros del amplificador

Tiene ganancia de voltaje menor que 1

Resistencia de entrada muy elevada

Resistencia de salida baja

AMPLIFICADOR GATE COMN

La resistencia RG evita la
acumulacin de carga esttica
en Gate, y el condensador CG
asegura que Gate est a tierra
para el anlisis de pequea
seal.
Hay que calcular el punto de
operacin y los parmetros del
modelo de pequea seal.

MODELO DE PEQUEA SEAL

Con modelo
ro no se va a tomar en
cuenta






Con modelo T
ro no est incluida

* Del modelo simplificado:

* Ganancia de voltaje:

* Ganancia de corriente














Es menor que 1

* Resistencia de entrada













Esta configuracin tiene una baja resistencia de entrada.

* Resistencia de salida