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Alumno:
Lpez
20134507G
Zapata,
Erwin
Curso:
SENSORES Y ACONDICIONAMIENTO
DE SEALES MT 247
Profesor:
Dr. Ing. Freedy Sotelo Valer
Seccin:
B
Fecha de entrega:
6 de Mayo del 2016
Daniel
Informe de Laboratorio
SENSORES Y CONDICIONAMIENTO DE SEALES MT
247
Contenido
Pg.
1.
RESUMEN
2.
OBJETIVOS
3.
EQUIPOS Y MATERIALES
4.
FUNDAMENTO TERICO
5.
CLCULOS Y RESULTADOS
6.
OBSERVACIONES......................................................................................... 8
7.
CONCLUSIONES................................................................................................
8.
BIBLIOGRAFA
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1. RESUMEN
El presente trabajo muestra de forma descriptiva el procedimiento que se
realiz en la prctica de laboratorio N 2. Parte con la definicin de objetivos,
para luego mostrar los equipos y materiales empleados en la experimentacin.
En el siguiente epgrafe resume la teora necesaria para la comprensin del
circuito principal, el circuito con sensor de nivel. Esta teora consta en resumen
de la configuracin del OPAM como comparador y la configuracin del
transistor como switch electrnico. Luego se muestra el circuito objetivo, se
describe el procedimiento realizado y los resultados de este. Finalmente
responde a la labor de todo informe, al mostrar las conclusiones respectivas.
2. OBJETIVOS
Comprender el funcionamiento y el ingenio detrs del circuito usado
para sensar el nivel de agua u otra seal de sensor pasivo.
Resaltar los factores clave en el procedimiento de diseo de los
parmetros del circuito objetivo.
Analizar la importancia del funcionamiento del OPAM como comparador
y el transistor como switch electrnico para umbralizar seales
analgicas.
3. EQUIPOS Y MATERIALES
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Resistencias de 330 y 1K
Resistencias usadas para establecer las
corrientes en los diferentes tramos del
circuito. Se usaron de potencia W.
Transistor 2N2222A
Transistor NPN de encapsulado plstico, de
baja potencia. Entre sus caractersticas
tenemos una corriente de saturacin base
emisor y base colector de 10uA y una
corriente mxima de corte 10nA.
Breadboard
Tablero con orificios conectados
internamente que permite una
implementacin ms rpida y provisional de
circuitos electrnicos.
Multmetro
Destinado a medir voltajes y resistencias que
nos permitan calibrar el circuito objetivo.
4. FUNDAMENTO TERICO
Transistor NPN
Es un tipo de transistor BJT, por lo cual est constituido de silicio o germanio,
en el cual la capa tipo P se ha colocado entre 2 capas tipo N. Debido a esta
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configuracin se tienen las igualdades mostradas en la figura 1, donde tambin
podemos observar la representacin electrnica de este elemento.
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Si hablamos respecto a la salida, diremos que al trabajar en saturacin el OPAM
enviar una salida de -Vsat cuando el voltaje a prueba sea menor que el voltaje
de referencia y una salida de Vsat en el caso contrario. En la figura 5 se
muestran las salidas y los valores del voltaje de prueba que generan esas
salidas, siendo la configuracin la mostrada en la figura 4, por lo que V sat
=15V.
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saturacin, por lo que funciona como comparador. Por lo tanto la entrada al
pin2, que viene del divisor de voltaje ajustable mediante un potencimetro,
ser el voltaje de referencia. Por otra parte la entrada al pin 3, que viene del
divisor de voltaje potencimetro-agua, ser el voltaje de prueba. El LED D1 se
prender cuando el comparador mande una seal de saturacin e indicar que
fluye una corriente de base en el transistor Q1. Debido a que la resistencia
permite un paso de corriente de saturacin al transistor, ste funcionar como
un switch electrnico y pasar de corte a saturacin. Esto generar una
excitacin en la bobina del rel y esto accionar el contacto a un Normal Close,
activando el funcionamiento de la carga, en el circuito el LED D2.
Como el lector pudo percatarse, en el circuito existen 2 resistencias variables, a
las cuales an no les hemos establecido el valor. Estas resistencias nos
permiten calibrar y umbralizar nuestro sistema. El potencimetro RV2 nos
permite establecer un valor de voltaje adecuado, que permita una correcta y
certera umbralizacin.
Como notamos en el circuito, si el agua no cerrara contacto, el valor del voltaje
en el pin 3 sera de Vcc=5V. Por lo tanto, si el voltaje al tener la resistencia del
agua cerrando el circuito fuera 4.9V o 4.8V, el voltaje de umbralizacin estara
muy pegado a los voltajes extremos y podran ocurrir irregularidades en el
funcionamiento del sistema. Por ello el voltaje a tanque lleno al que se calibr
el sistema fue de 2.04V.En la figura 7 se puede observar el procedimiento de
calibracin.
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Nivel
N1:
Sin
H2 O
Nref:
hmn
N2: hx
N3: Lleno
LED2
OFF
3
5
ON
NO
ON
6. OBSERVACIONES
El OPAM del CI LM324, al ser usado como comparador, tiene un margen
de error apreciable, es decir si el voltaje de referencia es 4.1V y el
voltaje a comparar 3.9V, entonces el valor de la salida ser incierto.
Un valor incorrecto de la resistencia de base conectada al transistor
puede hacer que la bobina del rel no se excite a pesar de que el LED D1
se encuentra encendido.
Circuito con sensor de nivel
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Al medir el voltaje del pin 2 a diferentes alturas de agua, para realizar el
escalado, se obtienen voltajes intermedios inciertos, pues al parecer no
obedecen a un comportamiento lineal, teniendo incluso voltajes menores
en alturas mayores.
7. CONCLUSIONES
Es necesario e importante que la calibracin de nuestra entrada de
medida no fuerce a una umbralizacin con valor de voltaje de referencia
cercano al de medida. En caso de no poder evitar esto, la
instrumentacin deber variar.
El valor de la resistencia de base conectada al transistor es
determinante para el punto de trabajo, por lo que se requiere calcular a
partir de qu valor se podr obtener un funcionamiento de switch
electrnico (corte-saturacin).
Las muestras de agua siempre sern diferentes e incluso internamente
no necesariamente tienen propiedades homogneas. Por ello es
recomendable realizar la medida a la altura deseada antes que
considerar un comportamiento lineal que solo poseera de ser una
muestra homognea.
8. BIBLIOGRAFA
Robert L. Boylestald y Louis Nashelsky,Electrnica: Teora de circuitos y
dispositivos electrnicos, dcima edicin, Mxico, p.p. 139,714-717 ,
2009
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