TV

TV
AUDIO
AUDIO
VIDEO
VIDEO
MICROPROCESADORES
MICROPROCESADORES

Enciclopedia
V isual
de la
Electrnica
INDICE DEL
CAPITULO 7
EL SURGIMIENTO DE LA RADIO
Los experimentos de Faraday .....................99
Los planteamientos de Maxwell .................99
Las ondas de radio y el espectro
electromagntico.........................................99
La telegrafa sin hilos...................................100
Estructura simplificada de
una vlvula diodo.......................................100
Principio bsico de operacin de
un receptor de radio .................................101
Las primeras transmisiones .........................102
La evolucin de las comunicaciones
por ondas radiales ......................................103
El desarrollo de la radio comercial ..........103
Modulacin en FM y transmisin
en estreo ....................................................103

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Los FETs..........................................................105
El JFET ............................................................105
Efecto de campo .......................................105
El MOSFET de empobrecimiento...............105
MOSFET de enriquecimiento......................106
Proteccin de los FETs.................................107
Funcionamiento del transistor de
efecto de campo .......................................107

INTERCOMUNICADOR POR LA RED ELECTRICA

El circuito transmisor....................................109
El circuito receptor......................................110
Lista de materiales del transmisor .............112
Lista de materiales del receptor ...............112

Captulo 7

Captulo 7

El Surgimiento de la Radio
LOS EXPERIMENTOS DE FARADAY
Aunque se realizaron mltiples
experimentos sobre electricidad y
magnetismo antes de Michael Faraday (figura 1), fue este investigador
ingls quien descubri la estrecha
relacin que existe entre ambos tipos de fenmenos.
Fue precisamente Faraday
quien descubri que cuando en
una bobina circula una corriente
elctrica, se produce un campo
magntico proporcional a la corriente circulando, y a la inversa:
cuando a una bobina se aplica un
campo magn tico externo, en sus
extremos aparece una variaci n de
tensi n (figura 2).
Este descubrimiento, aparentemente tan sencillo, es la base sobre
la cual funcionan prcticamente
todos los aparatos elctricos que
nos rodean en nuestra vida cotidiana, desde el motor de un auto de
juguete hasta los grandes transformadores que sirven para distribuir el
fluido elctrico en las grandes ciudades.

LOS PLANTEAMIENTOS DE MAXWELL

En la dcada de 1860, el fsico
ingls James Clerk Maxwell, con
una gran lucidez que asombra incluso a los cientficos contemporneos, puso al descubierto en forma
terica la estrecha relacin que
existe entre los campos elctricos y
magnticos; postulando que una
carga elctrica en movimiento producira en su alrededor un campo
magntico variable, el cual, a su
vez, inducira un campo elctrico, y
as sucesivamente (figura 3). Esto, a
su vez, se traducira en la generacin de una onda electromagntica que se origina en la carga elctrica variable y viaja en todas direcciones (estos trabajos se publicaron

en conjunto hasta 1873). Sus clcu- Fig. 1

los tericos le permitieron determinar que esta onda electromagntica se propaga a la misma velocidad que la luz, lo que lo llev a la
conclusin de que la energ a luminosa no era sino otra manifestaci n
de este tipo de ondas (un salto imaginativo sorprendente para la poca).

LAS ONDAS DE RADIO Y EL ESPECTRO

ELECTROMAGN TICO
Tan slo faltaba la comprobacin prctica de estas teoras, y sta fue conseguida por los experimentos de un fsico alemn: Heinrich Hertz, quien utilizando una cmara de chispas y un aro metlico
receptor (figura 4) corrobor la existencia de
las ondas electromagnticas. El fundamento
de este experimento
fue el siguiente: si efectivamente en las cargas
elctricas en movimiento representadas por la
chispa elctrica se generaba una serie de ondas electromagnticas,
el aro receptor captara
Fig. 2
parte de esta onda y la
transformara nuevamente en seal elctrica, haciendo saltar una
chispa de menor tamao, pero perfectamente sincronizada con la
chispa principal entre
las puntas del aro receptor.
Debido a lo rudimentario del experimento, Hertz tuvo que
hacer grandes esfuerzos para localizar los
puntos en que la induc-

Fig. 2

99

El Surgimiento de la Radio
Fig. 4

Fig. 5.a

Fig. 5.b

cin electromagntica sobre el aro

metlico estuviera en su punto mximo; sin embargo, una vez obtenida la chispa inducida en el aro metlico, eso bast para demostrar en
la prctica la validez de las
teoras de Maxwell. Precisamente, en honor a Hertz, se
ha denominado con su nombre una de las variables fundamentales en el comportamiento de las ondas electromagnticas (y en general de
todo tipo de oscilaciones): los
ciclos por segundo (figura 5).

das electromagnticas, todos

estos experimentos no pasaban
de ser curiosidades de laboratorio; fue hasta que un investigador italiano, Guglielmo Marconi,
quien al estudiar los descubrimientos realizados por Hertz, lleg a la conclusin de que las
ondas electromagnticas podan utilizarse para la transmisin
instantnea de informacin a
distancia (figura 6).
Para conseguir la transmisin
de datos por medio de ondas
de radio, Marconi utiliz una c mara de chispas, la cual produca en su interior un arco elctrico al aplicarle la seal de un capacitor. Para comprobar si efectivamente se poda aprovechar la onda resultante a distancia, le pidi a
su hermano que llevara la cmara
a un sitio alejado de su casa y detrs de una colina cercana, de modo que no hubiera contacto visual
entre ambos: al momento en que se
aplic a la cmara de chispas una
serie de pulsos de activacin en cdigo Morse, Marconi fue capaz de
recibirlos con gran claridad, quedando demostrada la posibilidad
de la comunicacin a distancia sin
necesidad de hilos telegrficos (figura 7).
Marconi viaj por toda Europa y
Amrica promocionando su descubrimiento, hasta que a finales del siglo pasado y principios del presente
fue reconocido como el primero en
desarrollar un uso prctico para las
ondas electromagnticas; por
ejemplo, en 1899 logr establecer la
comunicacin entre Europa continental e Inglaterra por medio de ondas radiales, e incluso en 1901 con-

Fig. 6

sigui una transmisin transatlntica

entre Europa y Amrica, hecho que
definitivamente lo consagr como
el padre de la radio (de hecho, para 1902 ya se haba establecido un
servicio de radio-cables regular entre Europa y Amrica). Como reconocimiento a estos descubrimientos,
Marconi recibi el Premio Nobel de
fsica en 1909.
A pesar del gran avance que represent para la poca el desarrollo de la telegrafa sin hilos, an quedaban diversos aspectos que resolver para que pudiera desarrollarse
un sistema de radiotransmisin moderno, capaz de transmitir no slo
pulsos en cdigo Morse, sino tambin sonidos, voces, msica, etc. Tuvo que desarrollarse una rama de la
fsica para que la radio comercial
fuera una realidad: la electrnica.

LAS V

LVULAS DE

VACO

El primer antecedente de un dispositivo electrnico lo encontramos

en los laboratorios de Thomas Alva
Edison, cuyos experimentos lo llevaron a desarrollar la lmpara incandescente; descubri que si un alam-

LA TELEGRAFA SIN HILOS

Incluso cuando Hertz descubri la existencia de las on-

100

Fig. 7

Captulo 7
tivo electrnico, fruto de
las investigaciones del
inventor norteamericano Lee DeForest: la vlvula trodo (figura 10),
que aada una tercera
rejilla de control a la vlvula diodo. Con esta
sencilla adicin, el dispositivo funcionaba como amplificador o como oscilador (dependiendo de su conexin
externa).
Fig. 9
La inclusin de la
vlvula trodo en los receptores de radio permiti captar incluso seales muy dbiles, aumentando de forma significativa el alcance de
las emisiones radiales;
adems, su utilizacin
como oscilador permiti
el surgimiento de la heterodinacin, tcnica
fundamental para el desarrollo de
la radio comercial (pues permiti la
divisin y aprovechamiento del espectro electromagntico).
Con todo lo anterior, para la dcada de los 20s ya se contaba en
diversas partes del mundo con una
gran cantidad de estaciones de radio; tanto aument el nmero de
receptores, que pronto la radio se
convirti en uno de los principales
medios de comunicacin a distancia, sitio del que fue desplazada, a
mediados de los 50s, por la televisin.

Fig. 8

bre al que se le haba aplicado un

potencial positivo era colocado
dentro de la ampolla de vidrio al vaco, se estableca un flujo de electrones entre el propio filamento incandescente y el alambre; pero esta corriente slo apareca con dicha polaridad, ya que al invertir la
carga elctrica del alambre no se
produca el flujo (figura 8).
Este fen meno, conocido y patentado como efecto Edison , inspir al ingeniero el ctrico ingl s John
Ambrose Fleming a desarrollar la primera v lvula electr nica del mundo:
el diodo (figura 9). La
funcin principal de
este dispositivo consista en rectificar corrientes alternas, y de inmediato encontr una
aplicacin prctica en
la radio; se le empez
a utilizar como detector, rectificador y limitador de seal, lo que a
su vez permiti construir receptores de radio ms precisos y sensibles.
Sin embargo, la comunicacin radial en
forma no fue posible sino hasta la aparicin
en 1906 de otro disposi-

Fig. 10

PRINCIPIO B SICO DE OPERACI N

RECEPTOR DE RADIO

DE UN

Antes de explicar cmo funciona un receptor de radio, tenemos

que hablar de la primera forma de
modulacin: la modulaci n en amplitud o AM.
Como se mencion anteriormente, el primer transmisor utilizado
por Marconi utilizaba una cmara
de chispas como medio de generacin de ondas electromagnticas.
Pero este procedimiento tena un
gran defecto: supongamos que dos
personas accionan una cmara de
chispas al mismo tiempo en distintas
localidades, y que un receptor remoto trata de recibir las seales generadas por uno de ellas (figura 11).
Debido a que prcticamente se tiene tan slo un impulso de energa
sin ninguna regla ni limitacin, las se-

Fig. 11

101

El Surgimiento de la Radio

Fig. 12

ales de ambas emisoras llegarn al

mismo tiempo hasta el receptor;
mas ste no tiene forma de determinar cules pulsos corresponden a la
estacin que desea escuchar y
cules provienen de la otra.
Obviamente, para la efectiva
utilizacin de la radio, es necesario
asignar canales exclusivos para el
uso de las estaciones emisoras; as el
receptor podra elegir entre ellas,
solamente sintonizando el canal
adecuado.
Este problema fue solucionado
por el ingeniero norteamericano Edwin H. Armstrong, quien desarroll la
modulaci n en amplitud; tambin a
l debemos el descubrimiento de la
modulacin en frecuencia. En trminos generales, la modulacin en

amplitud consiste
en montar sobre
una seal de frecuencia superior la
seal de audio que
se va a transmitir (figura 12); y como es
posible asignar frecuencias de portadora distintas a cada una de las estaciones radiales que
lo soliciten, puede
haber varias de stas en una comunidad sin que se interfieran una con otra.
La seal modulada en amplitud,
se enva al aire a travs de una antena y llega al receptor. Para recibir
nicamente esta seal, se sintoniza
por medio de un oscilador interno,
se le hace pasar por un filtro pasabanda, se rectifica (se elimina la
porcin superior o inferior de la seal) y se pasa por un filtro detector;
ste recupera la seal de audio original, la enva hacia el amplificador
y finalmente hasta el parlante (figura 13).

nes en el mundo fue la KDKA de

Pittsburgh; comenz sus operaciones en 1920, cubriendo en ese ao
la eleccin presidencial de Estados
Unidos.
A partir de ese momento, la radio se extendi rpidamente por toda Amrica y Europa, convirtindose en uno de los entretenimientos
principales de un buen porcentaje
de la poblacin mundial, y en la forma ms rpida y confiable de enterarse de los ltimos acontecimientos. (Una ancdota muy famosa
ocurri con la transmisin de la versin radiofnica de La guerra de
los mundos, de H. G. Wells; fue llevada a cabo en el Teatro Mercurio
del Aire por Orson Wells el 30 de octubre de 1938, provocando escenas
de pnico masivo entre los radioescuchas -que tomaron como verdica la invasin marciana.)
De hecho, incluso en nuestra
poca aparentemente dominada
por la televisin, la radio sigue siendo uno de los espacios de discusin
y anlisis ms empleados en el mundo; y todo esto es el resultado de las
investigaciones realizadas a finales
del siglo pasado y principios del presente, por cientficos de muy diverLAS PRIMERAS TRANSMISIONES
sas nacionalidades que trabajaban
con un fin comn: transmitir informaOficialmente, la primera esta- cin a distancia, utilizando las oncin en forma que inici transmisio- das electromagnticas.

Fig. 13

102

Captulo 7
LA EVOLUCI N

DE LAS

COMUNICACIO-

NES
POR

ONDAS RADIALES

Ya en el nmero anterior hablamos de los pasos que se dieron en la

evolucin de la radio; desde el
planteamiento terico de las ondas
electromagnticas por parte de
Maxwell, su descubrimiento fsico
por parte de Hertz y su aprovechamiento prctico por parte de Marconi, hasta la aparicin de las primeras estaciones de radio comerciales. En esta ocasin veremos muy
brevemente la forma en que ha
avanzado la comunicacin por medio de ondas electromagnticas,
desde principios de siglo hasta nuestros das.

EL DESARROLLO DE LA RADIO COMERCIAL

Como ya mencionamos en el
apartado anterior, la primera estacin de radio comercial que se instaur en el mundo fue la KDKA de
Pittsburgh, en Estados Unidos. Pero
esto no hubiera tenido caso, de no
haberse desarrollado un mtodo
sencillo y econmico para captar
las ondas radiales; a la postre, esto
permitira a la radio ganar un sitio
preponderante en todos los hogares del mundo. Este mtodo fue descubierto por Greenleaf Whittier Pickard, quien en 1912 investig las
propiedades de ciertos cristales para detectar las ondas hertzianas (lo
cual dio origen a las famosas radios
de cristal, tan populares en los aos
20s). Todo ello, aunado a la reciente aparicin de los receptores super-heterodinos y el aprovechamiento de las vlvulas de vaco como rectificadores, detectores, amplificadores y osciladores, permiti
que los aos 20s y 30s se convirtieran en la poca de oro de la radio
en todo el mundo.
Aun as, las primeras estaciones
emisoras enfrentaron un grave problema: prcticamente nadie tena
una idea clara de cmo se poda
explotar de forma eficiente este
nuevo medio de comunicacin; se
dieron casos en que los propietarios
y directores de las recin nacidas
estaciones, salan hasta las puertas

Fig. 14
de stas para invitar al pblico en
general a recitar, cantar, contar
chistes o realizar cualquier otra cosa
que les permitiera llenar los minutos
al aire de que disponan.
A decir verdad, casi todas las estaciones de radio estaban patrocinadas por una sola compaa; en
consecuencia, los comerciales
transmitidos al aire tan slo promocionaban a la empresa duea de la
estacin (compaas como Westinghouse y General Electric pusieron estaciones a todo lo largo y ancho de Estados Unidos, con la idea
de promocionar sus receptores de
radio entre la poblacin). Fue hasta
mediados de la dcada del 20,
cuando el concepto de una programacin radiofnica se extendi
entre los dueos de estaciones
transmisoras; se comenzaron entonces a explotar gneros tan clsicos
como la radionovela, los noticieros,
los programas de opinin, la msica
variada, etc. (gneros que bsicamente permanecen sin cambios
hasta nuestros das).

MODULACI N EN FM Y
TRANSMISI N EN EST REO
Ahora bien, las transmisiones en
amplitud modulada (AM) fueron
durante mucho tiempo el pilar sobre el que descans la radio comercial; y es que tanto los transmisores
como los receptores, eran muy econmicos. Pero la calidad del audio
obtenido a travs de una transmisin AM convencional, generalmente resultaba demasiado pobre y fcilmente era interferida por fenmenos atmosfricos (tales como tormentas elctricas) o por la aparicin de las recin instaladas lneas
de alta tensin que llevaban el su-

ministro elctrico a distintas partes

del pas; esto sin mencionar los motores elctricos y otros dispositivos
generadores de gran cantidad de
ruido electromagntico, que tambin afectaban en forma considerable la recepcin de las ondas de
radio (figura 14).
El problema no poda resolverse
simplemente mejorando la calidad
de los receptores, ya que el concepto mismo de modulacin en AM
resulta excesivamente susceptible a
la interferencia externa. Si recordamos la forma en que es transmitida
una seal en AM, veremos que el
audio que se desea enviar se monta sobre una frecuencia portadora,
de modo que ambas viajen juntas
por el aire hasta ser captadas por el
receptor; pero como la informacin
til est contenida en la amplitud
de la portadora, cualquier fenmeno que afecte a dicha magnitud
tambin afecta a la informacin
transportada. Por ejemplo, si en las
cercanas de un receptor de AM se
pona a funcionar un motor elctrico, las corrientes internas podan
generar suficiente ruido electromagntico, el cual, al mezclarse
con la seal de AM original, dara
por resultado un audio lleno de ruido y en ocasiones completamente
opacado por la interferencia. Como ya se dijo, tal fenmeno no tiene nada que ver con la calidad de
los receptores; incluso en nuestros
das, seguimos escuchando las
transmisiones de AM con constantes
interferencias externas.
Para eliminar en la medida de lo
posible el ruido inducido por fuentes
externas en la recepcin de radio,
se tena que desarrollar un mtodo
alternativo para la transmisin de informacin y que no dependiera
tanto de la amplitud de la portado-

103

El Surgimiento de la Radio
ra (la cual fcilmente se vea afectada por fenmenos que le son ajenos). Este se hizo realidad en 1936,
cuando el investigador norteamericano Edwin H. Armstrong (el mismo
que haba descubierto la modulacin en amplitud) plante todo el
proceso de generacin, transmisin, recepcin y deteccin de ondas sonoras utilizando un nuevo y
revolucionario mtodo: montar la
seal que se deseaba transmitir, no
en la amplitud sino en la frecuencia
de la portadora; esto es, la cantidad de ciclos por segundo de la seal portadora variara de forma proporcional a la amplitud de la seal
que se deseara transmitir (figura 15).
Pronto se descubri que esta forma de transmisin era prcticamente inmune a los fenmenos meteorolgicos y ruido externo -que en
cambio fcilmente afectaban a las
seales de AM; as se consegua
una mayor calidad de audio y una
relacin seal-ruido mucho ms
adecuada que con la modulacin
en amplitud. Hasta nuestros das las
estaciones de FM tienen un sonido
ms agradable que las tpicas seales de AM.
Este fenmeno se acentu con
la aparicin de las transmisiones en
FM estreo, las cuales aprovechan
la alta frecuencia de la banda asignada a FM y el ancho de banda
considerablemente mayor que se le
permite utilizar a una estacin de
FM, comparado con una de AM
(simplemente revise el cuadrante
de la radio, y se percatar que cada pocos kilohertz encontramos
una estacin de AM; en cambio, las
estaciones de FM estn separadas
por 0.8MHz -es decir, una separacin de 800kHz entre seales, lo que
da un amplio margen de maniobra).
El concepto detrs de la transmisin de seales de audio en estreo
a travs de ondas radiales, es sumamente ingenioso. Como sabemos,
cuando se modula una seal montndola sobre una cierta frecuencia
portadora, alrededor de esta ltima
aparecen unos lbulos donde est
contenida precisamente la informacin que se va a transmitir; sin embargo, si se tiene un amplio rango
de maniobra, es posible introducir

104

seales adicionales
al audio principal,
de modo que sirvan
para distintos propsitos. En el caso
concreto de la modulacin FM estreo, los investigadores dividieron la
banda asignada a
los lbulos laterales
de la siguiente manera (figura 16A):

Fig. 15

En primer lugar,
para colocar la seal original que se quiere transmitir,
mezclaron las seales correspondientes a los canales derecho e izquierdo (seal L + R).
Inmediatamente despus, y
slo en caso de que la estacin est transmitiendo en estreo, se enva una seal piloto que sirve para
indicar al receptor que es necesario
procesar la seal para que se puedan recuperar ambos componentes de la seal estereofnica.
A continuacin se enva otra
banda de audio, resultante ahora
de restar las seales de canal derecho e izquierdo (seal L - R). En un
receptor FM monoaural, esta banda no es aprovechada, pero en
uno estereofnico, dicha banda se
combina con la primera para obtener finalmente las seales de canal
L y de canal R; de esta forma se obtiene una seal estreo de una
transmisin radial. Aun cuando este
procedimiento tambin puede realizarse
con la modulacin
en amplitud, la baja
calidad del audio obtenido de la seal AM
ha desalentado cualquier esfuerzo por popularizar la transmisin AM estreo.
Para conseguir
la separacin de canales en el receptor,
las seales L + R y L - R
pasan por un proceso de suma y resta (figura 16B), en donde
de la suma de ambas
se obtiene exclusivamente la seal L, y de

la resta se obtiene la seal R. Cada

una de stas puede entonces canalizarse hacia una bocina independiente, para disfrutar as de una
seal de audio estereofnica prcticamente libre de interferencias.
Sin duda alguna, estas son las
dos bandas de radio ms utilizadas
comercialmente en el mundo; mas
no son las nicas. Existen tambin
bandas de onda corta, de radio-aficionados, de servicios de emergencia, etc.
Es ms, puesto que en la actualidad estamos llegando al lmite de
saturacin del espectro electromagntico, a los investigadores no
les ha quedado otro recurso que
comenzar a explotar frecuencias
muy altas que hace pocos aos se
consideraban inalcanzables. Y todo
esto, gracias al avance de la tecnologa electrnica y de comunica-

Fig. 16

Captulo 7

Transistores de Efecto de Campo

ciones.
LOS FET S
Los transistores de efecto de
campo son dispositivos electrnicos
con tres terminales que controlan,
mediante la aplicacin de tensin
en uno ellos, el paso de la corriente
elctrica que los atraviesa; por eso
se dice que la corriente es controlada por un efecto electrosttico
llamado efecto de campo .
Es comn encontrar a los FETs
como elementos activos en circuitos osciladores, amplificadores y de
control. Debido a que el control de
estos dispositivos se hace con tensiones y no con corrientes elctricas,
el consumo de stas se minimiza. Esta caracterstica es la que los hace
especialmente atractivos para utilizarse como componentes bsicos
de construccin de sistemas cuyos
consumos de energa son crticos;
por ejemplo, en computadoras porttiles, en walkmans o telfonos celulares, por mencionar slo algunos.

EL JFET
Un FET de unin cuenta con una
seccin de semiconductor tipo N,
un extremo inferior denominado
fuente y uno superior llamado
drenaje o drenador; ambos son
anlogos al emisor y colector de un
transistor bipolar.
Para producir un JFET, se difunden dos reas de semiconductor tipo P en el semiconductor tipo N del
FET. Cada una de estas zonas P se
denomina compuerta o puerta y
es equivalente a la base de un transistor bipolar (figura 1).
Cuando se conecta una terminal y as se separa cada puerta, el
transistor se llama JFET de doble
compuerta. Estos dispositivos de
doble puerta se utilizan principal-

Transistor bipolar
Emisor
Base
Colector

Denominacin
E
B
C

mente en mezcladores (tipo

MPF4856), que son circuitos especiales empleados en equipos de
comunicacin.
La mayora de los JFET tienen sus
dos puertas conectadas internamente para formar una sola terminal de conexin externa; puesto
que las dos puertas poseen el mismo potencial, el dispositivo acta
como si tuviera slo una.
Debido a que existe una gran
analoga entre un dispositivo JFET y
un transistor bipolar, muchas frmulas que describen el comportamiento de aqul son adaptaciones de
las denominaciones utilizadas en este ltimo (tabla 1).

Fig. 1

Fig. 2
Efecto de campo
El efecto de campo es un fenmeno que se puede observar cuando a cada zona del semiconductor
tipo P la rodea una capa de deplexin (figura 2); la combinacin entre
los huecos y los electrones crea las
capas de deplexin.
Cuando los electrones fluyen de
la fuente al drenador, deben pasar
por el estrecho canal situado entre
la zona semiconductora; la tensin
de la puerta controla el ancho del
canal y la corriente que fluye de la
fuente al drenador. Cuanto ms negativa sea la tensin, ms estrecho
ser el canal y menor ser la corriente del drenador. Casi todos los
electrones libres que pasan a travs cunta corriente puede circular de
del canal fluyen hacia el drenador; la fuente al drenador; esta es la prinen consecuencia, ID = IS.
cipal diferencia con el transistor biSi se considera que se encuentra polar, el cual controla la magnitud
polarizada en forma inversa la puer- de la corriente de base (IB).
ta de un JFET, ste actuar como un
dispositivo controlado por tensin y
no como un dispositivo controlado
EL MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO
por corriente. En un JFET, la magnitud de entrada que se controla es
El FET de semiconductor xidola tensin puerta-fuente VGS (figura metal o MOSFET, est integrado por
3). Los cambios en VGS determinan una fuente, una puerta y un drenador. La caracterstica principal que
lo distingue de un JFET, es que su
puerta se encuentra aislada elctriDispositivo JFET Denominacin
camente del canal; por esta causa,
Fuente
S
la corriente de puerta es extremaPuerta
G
damente pequea en ambas polaDrenador
D
ridades.

105

El Surgimiento de la Radio
Fig. 3

de un material N con una

zona P a la derecha y una
puerta aislada a la izquierda (figura 4). A travs del
material N, los electrones
libres pueden circular desde la fuente hasta el drenador; es decir, atraviesan
el estrecho canal entra la
puerta y la zona P (esta ltima, denominada sustrato o cuerpo).
Una delgada capa de
dixido de silicio (SiO2) se

especiales (circuitos de carga de

batera o control de encendido de
camas fluorescentes), no tiene un
uso muy extenso; pero s desempea un papel muy importante en la
evolucin hacia el MOSFET de enriquecimiento (tambi n llamado MOSFET de acumulaci n), que es un dispositivo que ha revolucionado la industria de la electrnica digital y de
las comjputadoras. Sin l no existiran computadoras personales, que
en la actualidad tienen un uso muy
amplio.
En el MOSFET de enriquecimiento de canal N, el sustrato o cuerpo
se extiende a lo ancho hasta el dixido de silicio; como puede observar en la figura 6A, ya no existe una
zona N entre la fuente y el drenador.
En la figura 6B se muestra la tensin de polarizacin normal. Cuando la tensin de la puerta es nula, la
alimentacin VDD intenta que los

deposita en el lado izquierdo del canal. El dixido de silicio asla la puerta

del canal, permitiendo as
la circulacin de una corriente de puerta mnima
aun y cuando la tensin
de puerta sea positiva.
Fig. 4
En el MOSFET de empobrecimiento con tensin de puerta negativa, electrones libres fluyan de la fuente
la tensin de alimentacin al drenador; pero el sustrato P slo
VDD obliga a los electro- tiene unos cuantos electrones libres
nes libres a circular de la producidos trmicamente. Aparte
fuente al drenador; fluyen de estos portadores minoritarios y
por el canal estrecho a la de alguna fuga superficial, la coizquierda del sustrato P (fi- rriente entre la fuente y el drenador
gura 5). Como sucede en es nula.
Por tal motivo, el MOSFET de enel JFET, la tensin de puerriquecimiento
est normalmente en
ta controla el ancho del
corte
cuando
la tensin de la puercanal.
ta
es
cero.
Este
dato es completaLa capacidad para
usar una tensin de com- mente diferente en los dispositivos
puerta positiva, es lo que de empobrecimiento, como es el
establece una diferencia caso del JFET y del MOSFET de ementre un MOSFET de em- pobrecimiento.
Cuando la puerta es lo suficienpobrecimiento y un JFET.
Fig. 5
temente
positiva, atrae a la regin P
Al estar la puerta de un
electrones
libres que se recombinan
MOSFET aislada elctricacon
los
huecos
cercanos al dixido
mente del canal, podede
silicio.
Al
ocurrir
esto, todos los
mos aplicarle una tensin
huecos
prximos
al
dixido
de silicio
positiva para incrementar
desaparecen
y
los
electrones
libres
el nmero de electrones liempiezan
a
circular
de
la
fuente
al
bres que viajan por dicho
drenador.
conducto; mientras ms
El efecto es idntico cuando se
positiva sea la puerta, macrea
una capa delgada de mateyor ser la corriente que
rial
tipo
N prxima al dixido de silivaya de la fuente al drecio.
nador.
Esta capa conductora se denomina capa de inversin tipo N.
Cuando el dispositivo se encuentra
MOSFET DE
en estado de corte y de repente
ENRIQUECIMIENTO
entra en conduccin, los electrones
Un MOSFET de empobrecimiento
de canal N, tambin denominado
Aunque el MOSFET de empobre- libres pueden circular fcilmente de
MOSFET de deplexin, se compone cimiento es muy til en situaciones la fuente al drenador.

106

Captulo 7
conectada. Y antes de sujetar
cualquier dispositivo MOSFET, es
necesario conectar nuestro cuerpo al chasis del
equipo con el
que se est trabajando; as podr eliminarse la
carga electrosttica acumulada
en nosotros, a fin
de evitar posibles
daos al dispositi-

Fig. 6

La VGS mnima que crea la ca- aislamiento es tan delgada, fcilpa de inversin tipo N se llama ten- mente se puede destruir con una
si n umbral (VGS-Th ). Cuando tensin compuerta-fuente excesiva;
por ejemplo, un 2N3796 tiene una
VGS es menor que VGS-Th, la coVGS MAX de 30 volts. Si la tensin
rriente del drenador es nula; pero
puerta-fuente es ms positiva de +
cuando VGS es mayor que VGS-Th,
30 volts o ms negativa de -30 volts,
una capa de inversin tipo N co- la delgada capa de aislamiento senecta la fuente al drenador y la co- r destruida.
rriente del drenador es grande. DeOtra manera en que se destruye
pendiendo del dispositivo en parti- la delgada capa de aislamiento, es
cular que se use, VGS-Th puede va- cuando se retira o se inserta un
riar desde menos de 1 hasta ms de MOSFET en un circuito mientras la
alimentacin est conectada; las
5 volt.
Los JFET y los MOSFET de empo- tensiones transitorias causadas por
brecimiento estn clasificados co- efectos inductivos y otras causas,
mo tales porque su conductividad pueden exceder la limitacin de
depende de la accin de las capas VGS MAX. De esta manera se desde deplexin. El MOSFET de enrique- truir el MOSFET incluso al tocarlo
cimiento est clasificado como un con las manos, ya que se puede dedispositivo de enriquecimiento por- positar suficiente carga esttica
que su conductividad depende de que exceda a la V
GS MAX. Esta es
la accin de la capa de inversin
la razn por la que los MOSFET frede tipo N. Los dispositivos de empocuentemente se empaquetan con
brecimiento conducen normalmenun anillo metlico alrededor de los
te cuando la tensin de puerta es
terminales de alimentacin.
cero, mientras que los dispositivos
Muchos MOSFET estn protegide enriquecimiento estn normaldos con diodos zener internos en
mente en corte cuando la tensin
paralelo con la puerta y la fuente.
de la misma es tambin cero.
La tensin zener es menor que la
VGS MAX; en consecuencia, el dioPROTECCI N DE LOS FET S
Como mencionamos anteriormente, los MOSFET contienen una
delgada capa de dixido de silicio
que es un aislante que impide la corriente de puerta para tensiones de
puerta tanto positivas como negativas. Esta capa de aislamiento se debe mantener lo ms delgada posible, para proporcionar a la puerta
mayor control sobre la corriente de
drenador. Debido a que la capa de

do zener entra en la zona de ruptura antes de que se produzca cualquier dao a la capa de aislamiento. La desventaja de los diodos zener internos es que reducen la alta
resistencia de entrada de los MOSFET.
Advertimos que los dispositivos
MOSFET son delicados y se destruyen fcilmente; hay que manejarlos
cuidadosamente. Asimismo, nunca
se les debe conectar o desconectar mientras la alimentacin est

vo.

FUNCIONAMIENTO DEL
TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
Los transistores de efecto de
campo (T.E.C o F.E.T), representan
una importante categora de semiconductores, que combinan las
ventajas de las vlvulas de vaco
(precursoras en el campo de la
electrnica) con el pequeo tamao de los transistores. Poseen una
serie de ventajas con respecto a los
transistores bipolares, las cuales se
pueden resumir de la siguiente manera:
- Rigidez mecnica.
- Bajo consumo.
- Amplificacin con muy bajo nivel de distorsin, aun para seales
de RF.
- Bajo ruido.
- Fcil de fabricar, ocupa menor
espacio en forma integrada.
- Muy alta resistencia de entrada (del orden de los 1012 a 1015 ohm).
En cuanto a las desventajas, los
transistores de efecto de campo
poseen un pequeo producto ganancia-ancho de banda y su costo
comparativo con los bipolares equivalentes es alto. Son muchas las clases de transistores de efecto de
campo existentes y se los puede
clasificar segn su construccin, en
transistores FET de juntura (TEC-J o JFET) y transistores FET de compuerta
aislada (IG-FET). A su vez, los FET de
compuerta aislada pueden ser: a)
de vaciamiento o estrechamiento
de canal (lo que genera un canal

107

El Surgimiento de la Radio
Fig. 7

De esta manera, la corriente

que circular desde la fuente hacia
el drenaje, depender de la polarizacin inversa aplicada entre la
compuerta y la fuente.
Se pueden levantar curvas caractersticas que expresen la corriente circulante en funcin de la
tensin entre drenaje y fuente, para
una determinada tensin de polarizacin inversa entre la compuerta y
la fuente. Para un transistor J-FET de
canal N las caractersticas de transferencia y salida son las que se observan en la figura 9.
Del anlisis de dichas curvas surge que:
IDSS
ID = _________. (VGS - Vp)2
Vp2

Fig. 8

el punto de trabajo esttico del

transistor (punto Q), nos valemos del
circuito graficado en la figura 10.
Para dicho circuito, suponemos
que los diferentes elementos que lo
integran, tienen los siguientes valores:
VDD = 12 V
RD = 1k
VGG = 2V
IDSS = 10mA
Vp = - 4V

Del circuito propuesto, recorriendonde:

do la malla de entrada, se deduce
IDSS = Mxima Corriente Esttica
que:
de Drenaje
permanente) y b) de refuerzo o enVp = Tensin de Bloqueo
VGS + VGG = 0
sanchamiento de canal (lo que proLa expresin dada es vlida paduce un canal inducido).
ra:
luego:
Los smbolos ms utilizados para
representar los transistores recin
VDS Vp - VGS
presentados aparecen en la figura
7.
Condicin conocida como "de Fig. 10
En los transistores de efecto de canal saturado".
campo, el flujo de corriente se controla mediante la variacin de un
campo elctrico que queda estaDETERMINACI N DEL PUNTO
blecido al aplicar una tensin entre
DE TRABAJO EST TICO DEL FET
un electrodo de control llamado
compuerta y otro terminal llamado
Para saber cmo se determina
fuente, tal como se muestra en la figura 8.
Analizando la figura, se deduce
que es un elemento "unipolar", ya
que en l existe un slo tipo de portadores: huecos para canal P y
electrones para canal N, siendo el
canal, la zona comprendida entre
los terminales de compuerta y que
da origen al terminal denominado
"drenaje". La aplicacin de un potencial inverso da origen a un campo elctrico asociado que, a su vez,
determina la conductividad de la
regin y en consecuencia el ancho
efectivo del canal, que ir decreciendo progresivamente a medida
que aumenta dicha polarizacin
aplicada, tal como puede deducirse del diagrama de cargas dibujado en la misma figura 8.
Fig. 9

108

Captulo 7
Fig. 11

VDSQ = VDD - IDQ .

Fig. 12

RD
Reemplazando valores:
VDSQ = 12 V - 2,5 mA . 1k =
VDSQ = 9,5 V

Para saber si el clculo

es correcto, verificamos la
condicin de "canal saturado", es decir, veremos si el
transistor opera dentro de la
VGS = -VGG = -2 V
caracterstica plana de las
Un punto de la curva ser:
curvas de salida. Para ello, debe
En condiciones de reposo, la co- cumplirse que:
VDS = 0 ; ID = VDD/RD
rriente de drenaje se calcula:
Reemplazando valores:
VDS Vp - VGS
IDSS
VDS= 0V ; ID =
IDq = _________ . (VGS - Vp)2
reemplazando valores:
Vp2
VDS=12V/1000 = 12mA
9,5 V 4 V - 2 V
reemplazando valores:
El otro punto de la recta se calpor lo tanto:
10mA
cula:
IDq = _________ . [(-2V) - (-4V)]2
9,5 V 2V
4V2
VDS = VDD ; ID = 0
Lo
cual
es
correcto.
IDq = 2,5mA
Reemplazando valores:
Grficamente,
trazamos
la
recta
Para continuar con el clculo reVDS = 12V ; ID = 0mA
corremos la malla de salida, la cual de carga esttica (R.C.E.) sobre las
caractersticas
de
salida
y
verificapara simplificar se representa en la
Trazada la recta esttica de carmos el punto de reposo Q, lo cual
figura 11. De ella resulta:
ga, se comprueba que al cortar la
se verifica en la figura 12.

Intercomunicador por la Red Elctrica

misma a la curva de salida para
VGS = -2V, se obtiene IDq = 2,5mA y
VDSq = 9,5V.
n principio, podemos decir que este circuito es un
timbre porttil, porque
al ser colocado en una habitacin, puede ser trasladado
a otro mbito segn los requerimientos que se deseen cumplir, sin tener que instalar cables para su conexin. La
ventaja del circuito es que es
pojsible hacer varios receptores que funcionen con un
nico transmisor, o varios
transistores que funcionen con
un nico receptor. Adems, se
pueden construir dos transmisores y dos receptores para
que el sistema funcione como
intercomunicador. El dispositivo bsico entonces, puede

ser considerado como un timbre que no precisa cables para su instalacin y est constituido por un pequeo transmisor y un simple receptor que
funcionan en una frecuencia
de 100kHz.
La seal que genera el
transmisor se conduce hacia
el receptor a travs de los cables de la instalacin elctrica
de su casa y funciona con la
base de la transmisin de seales por medio de una portadora que puede ser recepcionada por diferentes equipos
instalados en varios puntos de
la red. Es por ello, que el circuito tiene sus limitaciones, en especial se debe conectar el sistema de manera tal que las
masas tanto del transmisor como del receptor queden so-

bre un mismo conductor de la

red, de tal manera que conectando la ficha sobre el toma, simple y llanamente no
va a funcionar, por lo cual se
deber invertir la ficha. Dicho
de otra manera: si al enchufar
el aparato nada capta, la solucin es invertirlo.

EL CIRCUITO TRANSMISOR
El sistema est formado por
un transmisor y un receptor.
El esquema elctrico del
transmisor se muestra en la figura 1. Est constituido por
tres transistores y un circuito
de alimentacin, que no precisa transformador reductor.
En serie con la ficha de conexin a la red se conecta el

109

El Surgimiento de la Radio
Fig. 1

pulsador P1, de tal manera

que en el momento de accionarlo, sonar la chicharra del
receptor. El funcionamiento es
sencillo, al accionar este
botn se aplicar la tensin de red al capacitor
C5, cuya carga limita la
tensin que ser aplicada al transmisor. La tensin alterna de alimentacin es rectificada por los
dos diodos DS-3 y DS-4 y
se filtra por el capacitor
C3.
El diodo zner DZ1, en
paralelo con C3, estabiliza la tensin de alimentacin a un valor de 30V. El
transmisor consiste en un
oscilador formado por
Q1 y sus componentes asociados, como la bobina JAF1, una
impedancia de audiofrecuen-

cia de 1mH y dos capacitores la masa del sistema.

de 4,7nF (C1-C2).
La seal de 100kHz generaEste circuito genera una fre- da por Q1, llegar a las bases
cuencia de alrededor de de los transistores Q2 y Q3 que
estn conectados en
push-pull, y que constituyen la etapa amplificaCIRCUITO
dora final de potencia.
ARMADO DEL
Los emisores de Q2 y
TRANSMISOR
Q3 tienen una seal de
100kHz con una amplitud
del orden de los 25V pico
a pico y por medio de la
resistencia R3 y el capacitor C4, se inserta al cable de la red elctrica de
220V, es decir, que cualquier receptor conectado en la misma instalacin la puede captar. El
circuito consume corrien100kHz, segn los valores mos- te slo al pulsar el botn P1 y
trados. R2 cumple la funcin su valor no llega a los 10mA.
de conectar el oscilador con Cabe destacar que, si se desea transmitir una seal de audio, como por ejemplo la voz
Fig. 2
humana, en lugar del oscilador habr que conectar un
pequeo transmisor de AM de
los muchos publicados en Saber Electrnica (Saber N 5, Saber N 28, etc.), esto reduce su
tensin de alimentacin por
medio de un regulador zner y
conectar la salida a las bases
de Q2 y Q3. Si desea utilizar el
aparato slo como timbre sin
cable, puede armar el transmisor de la figura 1 en una placa
de circuito impreso como la
mostrada en la figura 2.

EL CIRCUITO RECEPTOR

110

Captulo 7
Fig. 3

En la figura 3 vemos el esquema elctrico del receptor,

en el mismo se usan dos transistores y un integrado CMOS tipo CD4528.
El circuito se conecta a un
toma cualquiera de la corriente elctrica y posee una etapa de alimentacin formada
por el capacitor C1, la resistencia R2 y los dos diodos rectificadores DS1-DS2. El capacitor electroltico de filtro C3 y el
diodo zner DZ1 estabilizan la
tensin de alimentacin en
15V.
C2 cumple la funcin de
captar la seal de 100kHz
generada por el transmisor y
conducirla hacia la bobina L1.
El arrollamiento de L1 est hecho sobre un ncleo toroidal
comn que tiene un segundo
arrollamiento (L2), de forma tal
que la seal que est en L1
pasar inductivamente a L2. El
arrollamiento secundario har
sintona con la frecuencia de
100kHz por medio del capacitor C5 de 2,2nF.
La funcin de Q1 es la de
amplificar la seal dbil que
est en la bobina L2, para aplicarla a la entrada del circuito
integrado por medio de su pata 10. Este integrado CMOS se
utiliza para dividir por 20 la seal de 100kHz, por lo tanto en
su salida (pata 3), se ver una
frecuencia audible, que se
puede emplear en la chicha-

rra piezoelctrica marcada en

el esquema elctrico como
CP1. El transistor Q2 cumple la
funcin squelch, que quiere
decir, que desecha todas las
interferencias espreas que estn en la lnea de red y bloquea el funcionamiento del integrado divisor que no estn

en la lnea de los
100kHz emitidos
por el transistor.
Si va a utilizar el
sistema como intercomunicador
de voz deber
cambiar este esquema: conectar en paralelo
con C6 un receptor de AM sintonizado a la frecuencia del transmisor.
Para ello, deber
levantar R4 y desechar Q1, IC1,
Q2 y todos sus
componentes asociados.
Si va a utilizar el sistema como timbre sin cables, puede
armar el receptor de la figura
3 en un circuito impreso como
el mostrado en la figura 4.
Al montar el circuito transmisor de la figura 1 debe tomar en cuenta que Q1 y Q2

Fig. 4

111

El Surgimiento de la Radio
son dos NPN clase BC237, y
que Q3 es un tipo BC328.
Con un osciloscopio, se
puede verificar si entre los dos
emisores de Q2 y Q3 y la masa,
est la seal presente de onda
cuadrada de unos 25V pico a
pico, de 100kHz.
ATENCION:
Los componentes
estn conectados a la
tensin de red de 220V
en forma directa, de
modo que no hay que
tocarlos para que no
sufra una fuerte descarga elctrica.
Para armar el receptor, lo primero que
hay que efectuar es el
arrollamiento alrededor del
ncleo toroidal de las bobinas
L1 y L2.
Para efectuar el arrollamiento se usar cable recubierto de plstico, o alambre
esmaltado de 1 mm de dimetro. Para la bobina L1 se
darn 6 vueltas alrededor del
ncleo, para la L2, 16 vueltas
alrededor del ncleo. Se
aconseja montar IC1 en un zcalo.
Para verificar el funcionamiento del timbre, se debe colocar el transmisor en un tomacorriente y el receptor en otro,
dentro de una misma habitacin, luego se aprieta el botn
de llamada, y se verifica la reproduccin en el piezoelctrico del receptor.
Si no se escucha la chicharra, invierta la ficha sobre el toma y vuelva a repetir la experiencia. Si la masa del transmisor y la masa del receptor no
estn en el mismo cable de la
red elctrica, el circuito no

C3 = 100F x 25V cap.electroltico

funcionar, luego si se invierte
C4 = 47nF x 400V capacitor de
la ficha (slo la del receptor)
pero el sistema igualmente no polister
C5=330nF x 400V capacitor de
funciona, quiere decir que hay
polister
algn error.
D1 a D4 = diodo 1N4007 diodos recSi se tiene un Generador de
BF, para verificar el funciona- tificadores
DZ1 = diodo zener de 30V x 1
watt
CIRCUITO
JAF1 = impedancia de 1mH
ARMADO DEL
Q1 =NPN tipo BC237 o BC548
RECEPTOR
Q2 =NPN tipo BC237 o BC548
Q3 =PNP tipo BC328 o BC558
S1 = pulsador normal abierto

LISTA DE MATERIALES
DEL RECEPTOR

miento del receptor, se puede

aplicar una seal de externa
de 100kHz de onda cuadrada
en paralelo con la bobina L2.
Hay que tomar en cuenta que
en todo el circuito impreso circula la corriente de red de
220V, por lo tanto no se deben
tocar las pistas con los dedos,
luego, girando la sintona del
generador llegar un momento en que se produzca el zumbido del traductor piezoelctrico. Si el receptor funciona de
esta forma, quiere decir que el
error est en el transmisor, por
lo cual se deber verificar su
funcionamiento.
LISTA DE MATERIALES
DEL TRANSMISOR

R1 = 100k
R2 = 3k3
R3 = 47
R4 = 1k
R5 = 10M
C1, C2 =4,7nF capacitores de
polister

R1 = 10M
R2 = 1k
R3 = 47
R4 = 3k3
R5 = 330k
R6 = 10k
R7 = 120k
R8 = 100k
R9 = 27k
R10 = 22k
C1, C6, C7, C8 = 0,1F - capacitores
cermicos
C2 = 47nF capacitor de polister
C3 = 47F x 25V cap. electroltico
C4 = 4,7nF capacitor cermico
C5 = 2,2nF capacitor cermico
D1, D2 = 1N4007 diodos rectificadores
DZ1 = diodo zner de 15V por 1W
L1, L2 = ver texto
Q1, Q2 = BC548 transistores NPN
de uso general
IC1 = CD4520 Circuito integrado
CMOS divisor por 10.
Tr = Transductor piezolctrico
Varios
Placas de circuito impreso,
gabinetes para el montaje, cables
de conexin, fichas para 220V,
estao, etc. **********************