Amplificadores Ópticos Edfa

CEFET-PR/DAELN/Prof. Dr.
A Pohl
Componentes de um Sistema de
Comunicao ptica
Sinal
Eltrico
tx
Fibra ptica
Emissor de
Luz
Sinal
Eltrico
rx
Fibra ptica
O/E
E/O
Regenerador
de Sinal
Emissor de
Luz
Receptor de
Luz
Receptor de
Luz
Amplificador
ptico
CEFET-PR/DAELN/Prof. Dr. A Pohl
LASER: princpio de
funcionamento
DEFINIO: Oscilador ptico
d
Realimentao
Meio Ativo
Sada
Entrada
Bombeamento
Espelho
Semi-Espelho
Amplificador: princpio de
funcionamento
DEFINIO: Sistema Amplificado
d
Meio Ativo
Bombeamento
Amplificao ptica: princpio

bsico
1) TOMO NO ESTADO NO-EXCITADO
E2
E1
Amplificao ptica: princpio

bsico
2) TOMO NO ESTADO EXCITADO
E2
E1
BOMBEAMENTO
Amplificao ptica
3) INCIDNCIA DE FTONS COM E = E2- E1
E2
E = h
E1
(Inverso de Populao)
BOMBEAMENTO
Amplificao ptica
4) AMPLIFICAO
E2
E1
E = h
Amplificador ptico:
caractersticas principais
GANHO
POTNCIA PTICA
LARGURA DE BANDA
NO-LINEARIDADE E SATURAO DE GANHO
RUDO
EFICINCIA (dB / mW)
Amplificador ptico coerente

ideal
CARACTERSTICAS
Sistema Linear
Ganho constante na banda de freqncias
Variao de fase linear com a freqncia
Amplificador ptico
(incoerente) real
CARACTERSTICAS
Sistema No Linear (Saturao)
Ganho varia na banda de freqncias
Fase varia com a freqncia
Rudo
Tipos de Amplificadores pticos

Amplificadores a fibra dopada (Terras Raras)

Amplificadores pticos Semicondutores
Amplificadores Raman a fibra (espalhamento
Raman estimulado)
Amplificadores Brillouin a fibra (espalhamento
Brillouin estimulado)
Faixa de Aplicao dos

Amplificadores pticos
Amplificao ptica a chave para a tecnologia DWDM

Tabela Comparativa
Ganho de pequeno
sinal
Figura de rudo
Dependncia com
a polarizao
Diafonia entre
canais
Controlo intrnseco
da polarizao
Tamanho fsico
mdio
Custo
EDFA
30dB
EDWA
15dB
SOA
20dB
4 dB
0.5dB
4.5 dB
<0.1dB
6-7 dB
1.0dB
No
No
Alto
No
Sim
Sim
dezenas de
metros
Alto
milmetros
centmetros
Baixo
Baixo
Fig. 1 Tabela comparativa de amplificadores pticos
EDFA Erbium Doped Fiber Amplifier

EDWA Erbium Doped Waveguide Amplifier
SOA Semiconductor Optical Amplifier
Amplificador ptico a
Semicondutor
Seja a equao de taxa que governa a densidade de portadores
n(t) no estado excitado da regio ativa:
d n(t )
n(t )
= Rb (t ) Rst (t )
dt
r
Rb(t)
(1)
w
Regio ativa
J (t )
qd
e Rst (t ) = a v g [n(t ) nL ] N f g v g N f
onde R b (t ) =
(2)
Amplificador ptico a
Semicondutor
Rb(t) Taxa de bombeamento externo (injeno de corrente)
J(t) densidade de corrente
d espessura da regio ativa na juno PN
r constante de tempo de recombinao (emisso espontnea mais
transies no-radiativas)
Rst(t) Taxa lquida de emisso estimulada
vg velocidade de grupo da radiao propagante no amplificador
fator de confinamento ptico
a() constante de ganho dependente da frequncia
nL densidade de portadores de limiar
Nf densidade de ftons
g() coeficiente de ganho total por unidade de comprimento
A densidade de ftons Nf calculada por:

Nf =
PS
(h )(w d )v g
PS potncia ptica do sinal de entrada

h - energia do fton
w d rea da regio ativa
No regime estacionrio tem-se:
d n(t )
n(t )
= 0 Rb (t ) = Rst (t ) +
dt
r
De a ( ) v g [n(t ) nL ]N f g v g N f
n(t ) =
g v g + nL a ( ) v g
a( ) v g
segue
(3)
Substituindo Rb , Rst e n(t) na eq. do regime estacionrio, obtm-se:

J
n
g
= g vg N f + = g vg N f +
+ nL
r
qd
a
1
g v g N f +
a r
J nL
=
q d r
J
n
qd L
g0

r
g=
=
1 + ( a r ) v g N f
v g N f + 1
a r
onde
J nL
g0
g 0 a( )
ou g =
N
qd r
1+ f
N sat
onde
N sat
1
a ( ) r v g
g coef. ganho no regime estacionrio por unidade de comprimento

Nsat densidade de saturao de ftons
g0 coef. ganho por unidade de comprimento na ausncia do sinal de
entrada (quando a densidade de ftons zero). Este fator
tambm conhecido como ganho de sinal zero ou
ganho de pequeno sinal.
Ganho do Amplificador (ou

Ganho do Sinal)
G=
Pout
Pin
onde G tambm dado por :

G = exp[(g m )L ] exp[g ( z )L ]
(4)
Pout potncia ptica do sinal de sada do amplificador

Pin- potncia ptica do sinal de entrada do amplificador
fator de confinamento
gm coeficiente de ganho no material semicondutor
- coeficiente de absoro efetivo
10
A uma distncia z da entrada da cavidade, g(z) ser:

g=
g0
g0
=
N
P (z )
1+ s
1+ f
Ps , sat
N sat
(5)
Ps, sat potncia ptica de saturao do amplificador

(potncia ptica interna para a qual g cai metade)
Observa-se que o coeficiente de ganho diminui com o aumento
da potncia ptica do sinal na cavidade.
A variao da potncia ao longo da cavidade calculada como:

dP
= g (z ) Ps ( z )
dz
P (z ) d P
dP
g0
=
Ps ( z ) 1 + s
= g 0 dz
Ps
d z 1 + Ps ( z )
P
s
,
sat
Ps , sat
Integrando a equao acima de z = 0 a z = L, tem-se
1
1
+
P (z ) Ps, sat dP
0
Ps , in s
1
P
(Ps, out Ps,in )
g o L = ln Ps Ps , out +
s , in
Ps , sat
L
Ps , out
g 0 dz =
11
Como G = Ps, out / Ps, in , obtm-se:
g o L = ln G +
G = 1+
Ps , sat
Ps , in
Ps , out
Ps , sat
Ps , in
Ps , sat
ou
G
ln 0
G
onde G0 = exp (g0 L)
Curva Caracterstica de Ganho de Amplificadores

Regio de saturao
Ganho (dB)
3 dB
Regio de
ganho
unitrio
Ps, in
12
Dependncia do Coef. de Ganho

em relao frequncia
g ( ) =
g0
2
1 + ( 0 ) T22 +
Ps
Ps , sat
(coeficiente de ganho)
g0 - valor de pico da curva de ganho
- frequncia do sinal ptico
0 frequncia da transio atmica
T2 - tempo relaxao dipolo (< 1 ps)
Ps - potncia ptica sinal amplificado
Ps, sat - potncia ptica saturao
Obs Na figura acima
Ganho : G = Pout / Pin

Amplificador a Fibra Dopado

com rbio
Fibra Dopada
Sinal
Com rbio
= 1550 nm
Filtro
Acoplador
ptico
Laser de
Bombeamento
= 980 nm
13
Estrutura dos Nveis de Energia

do on rbio (Er3+)
Banda de Bombeio
4I
11/2
Energia
Decaimento no radiativo (rpido)

Decaimento
Intrabanda (lento)
Absoro
980 nm
4I
13/2
Estado
Metaestvel
Emisso
espontnea
Emisso
estimulada
Absoro
1480 nm
Absoro
estimulada
4I
Notao
da Fsica Quntica:
15/2
Estado
Fundamental
2s+1 multiplicidade do spin do tomo

L momento angular orbital
j momento angular total
2s+1L
j
EDFA: curva de ganho

Caractersticas
Regio Operao: 1550 nm
Larg. Banda: > 30 nm
Rudo: 3 - 5 dB
Eficincia: 11 dB/mW
com bombeio em 980 m
14
Eficncia de Converso
A reduo do ganho ocorre quando a inverso de populao entre
os nveis de energia reduzida significativamente por um sinal
de nvel elevado.
Ps , out Ps , in +
Conservao de energia:
b
P
s b
onde b < s
e Ps, in << Pb
Ps, out potncia do sinal de sada do amplificador

Ps, in potncia do sinal de entrada do amplificador
Pb potncia de bombeio
s comprimento de onda do sinal amplificado
b comprimento de onda do bombeio
A quantidade de energia extrada do amplificador no pode ser maior do que a energia armazenada
pelo processo de bombeio.
Fator de converso de energia

FCE =
Ps , out Ps , in
Pb
Ps , out
Pb
b
1
s
A eficincia quntica de converso de energia um parmetro

independente de .
EQC =
s
FCE eficincia mxima = 1
b
Reescrevendo a equao para Ps,out em termos do ganho do

amplificador (G = Ps,out /Ps,in) , obtm-se:
Ps , out
Ps , in
1+
b Pb
s Ps , in
G 1+
b Pb
s Ps , in
15
Ganho do Amplificador
Quando
Ps , in >>
b
P
s b
(potncia do sinal de entrada grande)
ento o mximo ganho obtido unitrio (G = 1). O amplificador

transparente ao sinal.
Para se obter um ganho mximo para G, o sinal de entrada deve
obedecer a seguinte condio:
b Pb
b Pb
G 1
s Ps , in
Ps , in
s G 1
Exemplo: seja um EDFA com b= 980nm; Pb= 30 mW e

G = 20 dB @ 1550 nm
Ps , in (max )
980 30 103
= 190 W
1550 100 1
Curvas de Desempenho do EDFA
Ganho
30
20
10
Pb= 4 mW
Pb= 3 mW
Pb= 1 mW
Pb= 2 mW
Comprimento de fibra (metros)

10
20
30
40
16
Notas
Transio entre bandas 4I13/2- 4I15/2
E = 0,841 eV (1477nm) do nvel superior do estado
metaestvel para o nvel inferior do estado fundamental
E = 0,814 eV (1527nm) do nvel inferior do estado
metaestvel para o nvel inferior do estado fundamental
E = 0,775 eV (1600nm) do nvel inferior do estado
metaestvel para o nvel superior do estado fundamental
Transio entre bandas 4I11/2- 4I15/2
E = 1,27 eV (980nm) banda de bombeio
Caractersticas de Ampl. Opticos

dopados com rbio
Ganho e Figura de Rudo (dB)
20
16
12
Figura de Rudo
Ganho
8
4
0
1522
1529
1536
1543
1550
1557
Com prim ento de onda (nm )
1564
17
Rudo do Amplificador
Pout
Sinal
amplificado
Rudo ASE
980 nm
bombeio
1520 nm
1570 nm
O rudo de emisso espontnea amplificado (ASE Amplified

Spontaneous Emission) pode ser modelado como um fluxo
aleatrio de pulsos curtos e distribudo ao longo do meio de
amplificao.
Rudo do Amplificador
A densidade espectral de potncia ASE expressa como:
S ASE ( ) = h nsp [G ( ) 1] =
onde n sp =
PASE
opt
n2
n2 n1
opt largura de banda ptica do amplificador

nsp fator de inverso de populao
N1 densidade da populao de ons excitados no estado 1
N2 densidade de populao de ons no estado excitado 2
nsp = 1 para amplificador ideal
Mas normalmente nsp 1 (entre 1,4 e 4)
18
Contribuio da ASE para a SNR

No fotodetetor:
2
I f (Es + Erudo ) = Es2 + Erudo
+ 2 Es Erudo
Contribuio dos
batimentos
A potncia ptica incidente no fotodetetor ser*:

Prx = G Ps ,in + S ASE opt
2
itot
RMS
2
2
2
2
= shot
+ T2 + shot
ASE + sinal- ASE + ASE ASE
I2
R 2 G 2 Ps2,in
R Ps ,in
G
S
= 2f =

2
2 q opt 1 + 2 nsp (G 1)
itot
itot
N fotodeteto r
Vlida quando as contribuies do

batimento Ase-Ase e do rudo trmico forem desprezados.
*considerando-se o amplificador em frente ao RX
Contribuio dos Mecanismos de

Rudo
F.O.
F.O.
(rudo interferomtrico)
Tx
Rudo de
Intensidade Relativa (RIN)
No-linearidades
Rx
AFO
Rudos de Batimentos:
Sinal ASE
Balstico ASE
ASE - ASE
Rudo
Balstico
Trmico
19
Descrio dos Mecanismos de

Rudo
2
shot
= 2 q [R (GPin + S ASE opt ) + I e ] Rx
T2 = 4
K B T FnRx
Rx
RL
2
2
RIN
= FnRIN ,Tx (R Pin ) Rx
2
ASE
sinal
Rx
- ASE = 2 q R Pin Fn
ASE
2
2
balstico
opt Rx
- ASE = 2 q G Fn
2
ASE
ASE
) opt Rx
ASE = ( q G Fn
2
Fn ASE Figura de rudo do amplificador

Fn RIN, Tx Figura de rudo RIN do transmissor
Fn Rx Figura de rudo do pre-amplificador no Rx
Exerccio:
Derive uma expresso para o SNR de um sistema composto por um transmissor, um amplificador ptico e
um receptor ptico considerando todas as contribuies de rudo existentes no sistema.
Simplifique posteriormente essa expresso, considerando, no caso do amplificador,
apenas a contribuio de rudo devido ao batimento entre o sinal e a emissso espontnea do mesmo.
20
Cascata de Amplificadores
Tx
AFO
1 , L1
G1
AFO
2 , L2
Rx
AFO
G2
GN
N +1, LN+1
Pout ,1 = G1 Pin,1 = G1 PTx 10 1 L1

Pout , 2 = G2 Pin, 2 = G2 Pout ,1 10 2 L2 = G1 G2 PTx 10 1 L1 10 2 L2
M
Pout , N = GN Pin, N = G1 G2 KGN PTx 10 1 L1 K10 N LN
Vlida para amplificador ideal (sem rudo) e no regime linear.

Rudo na cascata de amplificadores:
Fnef = Fn1 +
Fn 2
F
FnN
+ n 3 + ... +
G1 G1 G2
G1 G2 L GN 1
Tecnologias pticas: O estado da Arte

Advento dos Amplificadores pticos - 1990s - Amplificao direta
do sinal ptico sem converso para o domnio eltrico
EDFAs
Amplificadores operam independentemente da taxa, formato e comprimento de
onda (Espectro de Ganho do Amplificador)
EDFAgain (dB)
30
20
10
0
-10
1520
1530
1540
1550
1560
1570
wavelength (nm)
Tornou vivel a tecnologia DWDM

21
Espalhamento Raman*
Figura: Transferncia de energia entre fton e molcula.
(a) processo Stokes e (b) processo anti-Stokes.
Quando um fton de energia Ef = E1 incide sobre uma molcula, ela

pode absorver a energia do fton e passar do estado vibratrio E0 para
o estado vibratrio E1. Se essa energia Ef for muito maior do que a
energia necessria para excitar a molcula at o nvel E1, a molcula
excitada at um nvel de energia superior, onde permanece por pouco
tempo por ser um estado instvel (virtual), e depois pode retornar at o
nvel E0 ou at o nvel E1.
Se ela retornar ao nvel E0, o fton liberado ter a mesma energia do
fton incidente. Se a molcula retornar ao nvel E1, parte da energia do
fton incidente fica armazenada na molcula em forma de vibrao e o
fton liberado ter uma energia igual a Ef - E1, portanto menor que a
energia inicial E1 (processo Stokes).
No processo anti-Stokes a excitao pode ocorrer entre o estado
excitado 1 e um estado vibratrio com nvel superior (estado V ), cujo
tempo de vida tambm curto. A transio pode ocorrer para um
estado com nvel de energia inferior a E1 (ou seja, para E0). Neste caso,
a energia do fton emitido ser igual soma da energia do fton
incidente e da energia correspondente diferena entre E1 E0
(processo anti-Stokes).
* C.V. Raman and K. S. Krishnan, A new type of secondary
radiation, Nature, vol. 121, p. 501, 1928.
Espalhamento Raman
Estimulado
O espalhamento Raman pode ser gerado (estimulado) por uma onda com frequncia
apropriada (onda de bombeio). Neste caso, um foton de bombeio convertido em
um fton de sinal mais uma diferena de energia que corresponde a um fnon
(estado de vibrao) da rede cristalina.
Caractersticas
1) O ganho Raman possui uma forma espectral que depende da frequncia de
separao entre o sinal e o bombeio (mas NO de suas frequncias absolutas).
2) O ganho Raman no depende da direo relativa de propagao da onda
correspondente ao sinal e ao bombeio.
3) O espalhamento Raman um processo rpido, da ordem de subpicosegundos
(no h energia acumulada em estados superiores ou metaestveis).
4) Processo possui eficincia baixa, o que requer o uso de muitos quilmetros de
fibra.
5) O ganho Raman dependente da polarizao. O ganho mais intenso quando
a onda de bombeio e a onda de sinal possuem a mesma polarizao.
22
Ganho Raman em xidos

Necessrio lasers de alta potncia

GeO2 xido de Germnio: larga seo
transversal de espalhamento Raman
Amplificao Raman com apenas

uma onda de bombeio (b)
d Ps
= s Ps + C
d z
( s , b )[Pb+

d Pb
= b P b s
d z
b
P s potncia
da onda
P b potncia
da onda
+ Pb P s
C R ( s , b )P s P b
de sinal
de bombeio
coeficient
e de atenuao
da onda
de sinal
coeficient
e de atenuao
da onda
de bombeio
coeficient
e de ganho
Raman
P+ bombeio na direo copropagante

P- bombeio na direo contrapropagante
23
Ganho Raman (Fibra de Slica)

Espectro de ganho Raman para fibra de Slica

Ganho possui aspecto triangular, com valor de
pico entre 13 e 14 THz.
Eficincia do Ganho Raman
Raman Amplification for Fiber Communications Systems,

Jake Bromage, J. Lightwave Technology, vol. 22, no. 1 pp. 79-93, 2004.
24
Amplificadores pticos em
Efeito Raman
Amplificadores pticos Raman foram inicialmente

demonstrados na dcada de 80
Inexistncia de lasers de alta potncia para o
Bombeamento
Por qu Lasers de alta Potncia?
Para amplificar sinais de 1270 at 1670 nm
O prprio processo Raman produz lasers de alta
potncia.
Qualquer fibra pode servir de meio de amplificao.
Configurao de Amplificadores
Configurao
Distribuda
Configurao
Discreta
25
Amplificador Raman
com vrios lasers de bombeio
Amplificador Raman
com vrios lasers de bombeio
Amplificao
em NZDSF com
bombeio contra-propagante
Raman Amplification for Fiber Communications Systems,

Jake Bromage, J. Lightwave Technology, vol. 22, no. 1 pp. 79-93, 2004.
26
Combinao para estender a

banda de amplificao em WDM
Ganho plano EDFA+Raman
Fontes de Rudo
A fonte mais importante de rudo o rudo de emisso espontnea
amplificado (ASE). No caso de amplificadores Raman, a ASE
gerada pelo espalhamento Raman espontneo.
Mecanismos de Rudo
Rudo de batimento sinal-espalhamento espontneo
Interferncia multicaminho
Efeito de mistura de quatro ondas (FWM) gerado
na interao (batimento) entre os lasers de bombeio
Rudo de batimento entre o sinal e o bombeio (FWM)
27

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Amplificao ptica: princpio

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Amplificao ptica: princpio

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Amplificador ptico coerente

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Tipos de Amplificadores pticos

Amplificadores a fibra dopada (Terras Raras)

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Faixa de Aplicao dos

Amplificao ptica a chave para a tecnologia DWDM

Fig. 1 Tabela comparativa de amplificadores pticos

EDFA Erbium Doped Fiber Amplifier

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A densidade de ftons Nf calculada por:

PS potncia ptica do sinal de entrada

No regime estacionrio tem-se:

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Substituindo Rb , Rst e n(t) na eq. do regime estacionrio, obtm-se:

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g coef. ganho no regime estacionrio por unidade de comprimento

Ganho do Amplificador (ou

onde G tambm dado por :

Pout potncia ptica do sinal de sada do amplificador

A uma distncia z da entrada da cavidade, g(z) ser:

Ps, sat potncia ptica de saturao do amplificador

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A variao da potncia ao longo da cavidade calculada como:

CEFET-PR/DAELN/Prof. Dr. A Pohl

Como G = Ps, out / Ps, in , obtm-se:

onde G0 = exp (g0 L)

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Curva Caracterstica de Ganho de Amplificadores

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Dependncia do Coef. de Ganho

Ganho : G = Pout / Pin

Amplificador a Fibra Dopado

Estrutura dos Nveis de Energia

Decaimento no radiativo (rpido)

2s+1 multiplicidade do spin do tomo

EDFA: curva de ganho

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Ps, out potncia do sinal de sada do amplificador

Fator de converso de energia

A eficincia quntica de converso de energia um parmetro

Reescrevendo a equao para Ps,out em termos do ganho do

(potncia do sinal de entrada grande)

ento o mximo ganho obtido unitrio (G = 1). O amplificador

Exemplo: seja um EDFA com b= 980nm; Pb= 30 mW e

Curvas de Desempenho do EDFA

Comprimento de fibra (metros)

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Caractersticas de Ampl. Opticos

Ganho e Figura de Rudo (dB)

Com prim ento de onda (nm )

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