LE TRANSISTOR MOS

Introduction
Description structurelle
Description comportementale
Quelques dveloppements Analytiques
Exemples d'utilisation

INTRODUCTION
Avant
Transistor effet de champ:
- Connu bien avant le bipolaire
Technologie difficile matriser
- VT
Rponse en frquence loin d'atteindre les performances actuelles
- trs dpendante des dimensions gomtriques
- du processus de fabrication
Actuellement
Technologie MOS mieux matrise
Technologie MOS supplante Bipolaire:
- Circuits logiques intgrs VLSI
- Certaines fonctions analogiques.
2

Avantages du MOS vis--vis du bipolaire

Structure trs simple (plus de 109 transistors sur 1 puce)
Surface rduite
Cot technologique

Isolation naturelle
- Composants vis--vis des composants voisins,
- Pas de "caissons d'isolation!
Limitation du nombre d'tapes de fabrication

Cot de conception
Cot d'exploitation

Structure trs simple (BIS)

Consommation trs faible
- En particulier pour les circuits CMOS
Trs haute impdance d'entre.

Divers

Possibilit de raliser des fonctions complexes

- Moins de composants que les bipolaires
- Exemple : les mmoires dynamiques

Description structurelle
MOS :Metal Oxide Semiconductor Grille Metal ou Polysilicium

GRILLE

GRILLE
SOURCE

DRAIN

SOURCE
POLYSILICIUM

METAL

OXYDE

n+

DRAIN

n+

OXYDE

n+

n+

SEMICONDUCTEUR

SEMICONDUCTEUR

SUBSTRAT

SUBSTRAT

Caractristiques lectriques
GRILLE
SOURCE

DRAIN

+ + + + + + + + + ++++
n+

--------------n+
MOS Canal N
p
SUBSTRAT

Oxyde fin
Capacit ---> IG = 0
Dispositif symtrique
Diodes polarises en inverse
Souvent, Source relie au substrat
Champ VDS implique courant IDS

Principe de fonctionnement
VGS > V T
GRILLE
SOURCE

DRAIN

++++++++++++
n+

- - - - -Canal
---------n+
VDS > 0

p
SUBSTRAT

Principe
VGB > VT
- Accumulation de charge l'interface SiO2
- Apparition d'un canal N
Champ lectrique entre Drain et Source
- Dplacement d'lectrons dans le Canal N
6
- Courant IDS

Symbole lectrique d'un transistor MOS canal n

D

ID

ID

IG = 0

V DS

IG = 0

B
ID

ID
VGS

VGB
S

ID

Substrat non reprsent si au mme potentiel

que la source

IG = 0
B

Trois modes diffrents de fonctionnements

ID
VGS = VGB

Vision trs pur

S

Observation des caractristiques

ID

ID

VGS > V T

MODE
LINEAIRE

MODE
BLOQUE

MODE
SATURE

V GS3
MODE
SATURE

MODE
LINEAIRE

VGS2

V GS1

VT

V T + V DS

VGS

VDS

V T + 1/2 . V DS

Caractristiques de transfert

Caractristiques de sortie

Le mode bloqu
D

VGS = VGB est infrieure VT (-2V ..... 2V)

Pas d'apparition du canal.
G

MOS ne conduit aucun courant

(idem bipolaire)
ID = 0

ID = 0

IG = 0

VDS quelconque

VGS < VT
S

ID

ID
Caractristiques de transfert

MODE
BLOQUE

MODE
SATURE

MODE
LINEAIRE

VGS3
MODE
SATURE

MODE
LINEAIRE

VGS2
Caractristiques de sortie
VGS1
VGS < VT
VT

VT + VDS
VT + 1/2 . VDS

VGS

VDS

Le mode linaire (ou mode de conduction)

D

VGS > VT & VDS < VDSsat = VGS - VT

Canal non uniforme entre source et drain.

ID
existe

IG = 0

VDS > 0
&
VDS < VGS - VT

Le transistor conduit
ID = ? (augmente avec la tension VDS)

VGS > VT
S

ID

ID
Caractristiques de transfert

MODE
BLOQUE

MODE
SATURE

MODE
LINEAIRE

VGS3
MODE
SATURE

MODE
LINEAIRE

VGS2
Caractristiques de sortie
VGS1
VGS < VT
VT

VT + VDS
VT + 1/2 . VDS

VGS

10

VDS

MOST en rgime linaire (linear mode)

VGS > VT

0V < VDS!< VDSsat = VGS - VT

G

VDS
b
ID = VDS ( VGS - VT )
2

n+

n+
b = m Cox W/L
K ou b = transconductance du MOST
en A/V2 ou A/V2 ,
f(technologie, dimensions du MOS)

m = mobilit des porteurs

(- pour MOSTn et + pour MOSTp)
Pas de PINCH-OFF (pincement) du canal dans ce mode

11

Le mode satur
D

VGS >VT & VDS >VDSsat = VGS - VT

Canal existe avec pincement ct drain
VDSsat varie avec VGS et vaut: VDSsat = VGS - VT

IDsat
IG = 0
G

V DS > VDSsat
&
VDSsat = VGS - VT

VGS > VT

Le transistor conduit
ID = ? (augmente avec la tension VDS)

ID

ID
Caractristiques de transfert

MODE
BLOQUE

MODE
SATURE

MODE
LINEAIRE

VGS3
MODE
SATURE

MODE
LINEAIRE

VGS2
Caractristiques de sortie
VGS1
VGS < VT
VT

VT + VDS
VT + 1/2 . VDS

VGS

12

VDS

MOST en rgime satur (saturation mode)

V

GS > V T

VDS > VDSsat

n+

n+

PINCH-OFF (Pincement) du canal ct droit

Le courant ne varie plus avec VDS
2
b

ID = 2 VGS - VT

13

Comparaison MOS & bipolaire

ID
MODE
BLOQUE

IC
MODE
SATURE

Caractristique de transfert
MODE
LINEAIRE

ID

VBE

IC

VGS > VT
VGS3

VBE3

MODE Linaire

MODE Satur

Caractristique de sortie

MODE
Satur

Uj

VGS

MODE
Linaire

VT + VDS
VT
VT + 1/2 . VDS

VGS2

VBE2

VGS1

VBE1

VDS

14 VCE

Rsum
Caractristiques de sortie:
Mode linaire vers mode satur avec VDS croissantes
Caractristique de transfert:
Mode satur vers mode linaire avec VGS croissantes
Mode satur :
VDS > VDSsat
VDS > VGS - VT ou VGS< VDS + VT
Mode linaire :
VDS < VDSsat
VDS < VGS - VT ou VGS > VDS + VT

15

Caractristiques lectriques du p-MOS

S

Le mode BLOQUE :

V GS < 0

VGS >VT & ID = 0

Le mode LINEAIRE : VGS <VT & VDS >VDSsat

VDS < 0

ID = K.VDS (VGS - VT - 1/2 VDS)

IG = 0
ID

Le mode SATURE : VGS <VT et VDS <VDSsat

ID = K/2 (VGS - VT )2

Tension de seuil VT ngative.

ID

La tension de saturation VDSsat est aussi ngative:

IG = 0

VDSsat = VGS - VT

ID
V GB
S

16

La technologie CMOS
Complementary Metal Oxide Semiconductor

n+

n+

p+

n-MOST
p
CAISSON (WELL)

p+
p-MOST
n

SUBSTRAT (BULK)

17

EXERCICE 1
Inverseur logique nMOS
Calculer et tracer la caractristique de transfert V2 = f(V1).

V2
droite V 2=V 1-V T

Vcc
R
I

Vcc

Vcc = 5 V
VT = 0,5 V

k = 50 A/V2
v

V2
1

MOST n satur

MOST n
bloqu

R = 10 k?
MOST n linaire

V1
VT

Vcc

18

EXERCICE 2
Inverseur logique pMOS
Calculer et tracer la caractristique de transfert V2 = f(V1).

V
Vcc
V

VD
ID

Vcc
Vcc = 5 V
VT = -0,5 V
MOST p linaire

k = 50 A/V2

MOST p
bloqu

R = 10 k?
V2
MOST p satur

V
+V T

Vcc +VT

Vcc

19

EXERCICE 3
Inverseur logique CMOS
Calculer et tracer la caractristique de transfert V2 = f(V1).
V cc

Vcc = 5 V

VTn = 1 V
VTp = -1 V

ID

V1

MOST n satur
MOST p linaire

K = 100 A/V2

MOST n
bloqu

V2

MOST p
linaire

MOST n satur
MOST p satur

MOST n
linaire
MOST p
bloqu

MOST n linaire
MOST p satur

V CC

V CC

VTp
V1 = 0

V1 = VCC
V2 = VCC

VTn

Vcc
2

Vcc +VTp Vcc

V2 = 0

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