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ROYAUME DU MAROC
UNIVERSITE ABDELMALEK ESSAADI
FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
TANGER
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Transistors bipolaires
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Examens corrigs
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EEA
A. ASTITO
www.astito.net
2015/2016
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Exercice III
Exercice I
Calculer la rsistance quivalente du diple entre A et B
Exercice IV
Exercice II
Rponse :
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Exercice V
Calculez pour chacun des circuits suivants les gnrateurs quivalents de Thvenin
et de Norton entre les points a et b.
Rponse
Exercice VI
Dterminez la tension vide Eth
et la rsistance interne Rth du
modle de Thvenin du diple
actif linaire situ droite des
bornes a et b. Dduisez-en
lintensit i du courant qui
parcourt la rsistance r . Prenez
R = 6 I = 8A, E = 4V et r = 2.
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Exercice VII
On donne R1 = 6k, R2=3K, R3=6k,
E1= 6 V et E2= 12 V.
a) Calculer la tension V en utilisant le
thorme de Millmann
b) Recalculer la tension V en utilisant le
thorme de Thvenin
Rponse :
Exercice VIII
On suppose que la tension seuil de la
diode est 0,6 V et sa rsistance
dynamique nulle. R1 = 320 et R2 = 460
.
Pour quelle valeur de VE la diode devient
passante?
On prend VE = 6 V, Calculer ID qui circule dans la diode, et les tensions
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Calculons RTH :
RTH est la rsistance quivalente vue entre les points A et B losque E
est teint ( ici on court-circuite E).
Exercice IX
Calcul de ETH
Dans le circuit suivant, la tension seuil de la diode est 0,7 Volts et sa rsistance
dynamique est nulle.
Etudier ce circuit et tracer la tension de sortie Vs(t) sur le mme graphe que
Ve(t).
Tracer la caractristique de transfert Vs = f(ve).
Donner la valeur maximale de vs et sa valeur minimale
Pour quelles valeurs de Ve la diode est elle passante
VAB = 4,3 V
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Exercice X
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a) D1 est bloque
b) D2 passante
c) u = 200 60 = 140 V
Exercice XII
Exercice XI
Rponse :
Les diodes ont le mme potentiel leurs cathodes VK. Sur l'anode, c'est D1 qui a
le potentiel le plus grand, donc c'est D1 qui subit la plus grande diffrence de
potentiel entre son anode et sa cathode, donc elle est passante et donc sa
tension VD1 = est 0,6 V c d que VK = 30-0,6 = 29,4 V
Donc D2 et D3 se bloquent puisque leurs anodes sont un potentiel infrieur
leurs cathodes VK
Rponse :
Exercice XIII
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Cas D passante
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EXERCICE XIV
Rponse :
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Exercice XV
Considrons le montage suivant :
Calculer Uo si :
a) Ui = +15 V
b) Ui = +3 V
c) Ui = 0V
d) Ui = - 10V
La tension seuil de la diode est suppose 0,6V et sa rsistance dynamique
nulle
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Transistors bipolaires
Exercice I
On considre le montage suivant avec un transistor npn de gain en courant
statique e =100 et la tension entre la base et l'metteur est de 0,7V
Exercice II
On considre le mme montage que (exercice 1),
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VE = VB 0,7 = 12 V
On donne RB = 430 K, RC = 2 K, RE = 2K
Exercice corrig
Rponse :
)
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Donc V = 266 mV
De mme la sortie du deuxime amplificateur on :
Vs = 3546 mV
Vs = 3,55 V
Exercice IV
On considre un montage deux amplificateurs monts en cascade
comme le montre le schma.
On suppose que les deux amplificateurs sont identiques et on donne :
Ze = 2 K, Zs = 1 K, Av0 = 20 (Av0 est le gain vide). RL = 2K
Si Ve a une amplitude de 20 mV quelle est l'amplitude de Vs? Expliquer
et justifier votre rponse.
Solution
L'amplificateur peut tre reprsent par le schma suivant :
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Exercice II
+E
3 +
2 -
Vs1
R
3 +
Ve
2 -
Vs2
Rponse
Solution :
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Exercice III
On considre le montage
suivant dans lequel
l'amplificateur oprationnel est
parfait.
1
2
Exercice I
On considre le montage suivant :
On donne IDSS = 10 mA, Vp = 8 volts
Solution
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Exercice II
On suppose que le transistor effet de champ est caractris par ses paramtres g et .
a) Expliquer ce que reprsente ces deux paramtres, c'est quoi leurs units et comment ils
peuvent tre dtermins
partir des caractristiques
statiques du transistor
Exercice III
b) Donner le schma
quivalent en dynamique du
montage
c) Calculer le gain en tension,
l'impdance d'entre et
l'impdance de sortie (calcul
analogique en fonction des
lments du montages et des
paramtres g et )
Solution :
g reprsente la pente du transistor et sa rsistance de sortie. On peut les dterminer
partir des caractristiques statiques ID = f(VGS) et I D = f(VDS). Ce sont les pentes des ses
caractristiques au voisinage du point de fonctionnement.
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Si on suppose qu'il ya un courant i positif qui circule dans le sens (E ==> R ==> les diodes), le
potentiel Vo sera (10 Ri) donc infrieur 10 et donc infrieure E1 et E2 et dans ce cas les diodes
ne peuvent tre que bloques puisque leurs anodes sont un potentiel infrieur aux potentiels de leurs
cathodes qui est 10 V.
Puisque les diodes sont bloques alors aucun courant ne circule dans R et donc Vo = E = +10 V.
NOM
Universit Abdelmalek Essadi
FSTT Dpt GE : 01/12/2014
CC1 d'lectronique : parcours GE / GM -S3 (1)
Dure = 1h
C) D1 P et D2 B
D) D1 B et D2 P
Prnom :
CNE :
Documents non autoriss
Tlphone interdit et doit tre teint
Echange de calculatrices, stylos, gommes, encre blanc strictement interdit
Rappel : la tension seuil d'une diode silicium est de 0,7 V et d'une diode germanium est de 0,3 V
D) 6,5 K
Les deux diodes sont passantes. Ri + 03 + 0, 7 = 12 V ; R = (12 - 0,3 - 0,7)/2 donc R = 5,5 Kiloohms
C) 0V
D) 1,371
5) Dans la figure 4 quel est l'tat de chacune des diodes idales? ( P = passante , B = bloque)
A) D3 P et D4 P
B) D3 P et D4 B
C) D3 B et D4 P
D) D3 B et D4 B
Figure 2
6 ) Dans la figure 5 la diode est en silicium, la caractristiques Vs = f(Ve) est :
Figure 1
Figure 3
Figure 5
Figure 4
Rponse :
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B)
C) 2
+1
D)
Figure 6
Aucune rponse n'est bonne car toutes les rponses donnes n'ont pas l'unit d'une rsistance
8) (E1=5,7V; E2 = 15 V; RB = 50K, RC = 1 K, RE= 500 , =100)
le potentiel au collecteur VC est gale :
A) -5V
B) 0V
C) +5V
D) +10V
E) +7,5V
Maille entre : VC + RC IC = E2
Donc VC = E2 RCIC
Il faut calculer IC donc IB = (E1 0,7) /[RE +(RB/)]
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