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Amplificateurs faibles niveaux

par

Patrick ALDEBERT
Ingnieur de lcole Suprieure dlectricit
Docteur en sciences
Adjoint du Directeur des tudes et Professeur lcole Suprieure dlectricit

1.
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5

Sources commandes.............................................................................
Sources commandes idales et relles ...................................................
Gains.............................................................................................................
Sources commandes diffrentielles.........................................................
Dcalage en tension et en courant.............................................................
Sources commandes oprationnelles .....................................................

E 320 - 2

2.
2.1
2.2
2.3

Ralisation damplificateurs faibles niveaux ...................................


Ralisation laide damplificateurs oprationnels..................................
Ralisation laide de transistors ..............................................................
Principe de ralisation damplificateurs oprationnels ............................

8
8
11
14

3.
3.1
3.2
3.3
3.4

Comportement frquentiel des amplificateurs ...............................


Origines et modlisation des phnomnes ractifs .................................
Influence des lments ractifs ..................................................................
Extension de la bande passante.................................................................
Comportement frquentiel des structures boucles
amplificateur oprationnel.......................................................................

14
15
17
19

19

4.
4.1
4.2

Stabilit ......................................................................................................
Critre de stabilit........................................................................................
Stabilisation et compensation ....................................................................

21
21
21

5.
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5

Comportement des amplificateurs vis--vis du bruit ....................


Mthodologie dtude .................................................................................
Origine et modlisation des phnomnes ................................................
Modlisation des composants bruyants vis--vis du bruit ......................
Facteur et temprature de bruit..................................................................
Minimisation du bruit..................................................................................

23
23
24
24
26
26

Pour en savoir plus ...........................................................................................

Doc. E 320

n amplificateur est un bloc fonctionnel qui ralise sur une grandeur lectrique (tension ou intensit) porteuse d'information l'opration mathmatique lmentaire : multiplication par une constante, et qui accrot l'nergie vhicule par cette grandeur.
Cette dernire proprit de l'amplification rsulte de la prsence d'un ou plusieurs lments actifs fondamentalement non linaires associs une source
d'alimentation assurant la fourniture de l'nergie ncessaire.
Pour raliser un amplificateur, le concepteur a accs un nombre important de
dispositifs technologiques (amplificateur oprationnel intgr, transistors bipolaires ou effet de champ, discrets ou intgrs au sein d'un circuit intgr
application spcifique ASIC (Application Specific Integrated Circuit)). Pour chacun d'eux, le nombre de variantes et de schmas possibles n'est limit que par
la crativit des concepteurs. Il serait donc illusoire de chercher en faire la
nomenclature exhaustive.

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Techniques de lIngnieur, trait lectronique

E 320 1

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________

L'amplification est une fonction fondamentale qui intervient dans la plupart


des systmes lectroniques explicitement ou implicitement (filtres actifs, oscillateurs, modulateurs...). Les choix effectuer (technologie, composants, structures...) dpendent des caractristiques des signaux traiter : composition
spectrale (signaux basse ou haute frquence, large bande, bande troite...),
amplitude...
Nous nous limiterons ici au cas des amplificateurs faibles niveaux pour lesquels l'amplitude des signaux traits est suffisamment faible pour pouvoir
confondre les caractristiques non linaires des composants actifs avec leur tangente au point de repos et ngliger l'influence des non-linarits. Les amplificateurs dits de puissance, traitant des signaux de niveau lev pour lesquels il faut
tenir compte de la courbure des caractristiques, des distorsions, des saturations..., font l'objet d'un autre article de ce trait.
Par ailleurs, nous restreindrons notre tude un domaine de frquences pour
lequel les composants peuvent tre reprsents par un modle constantes
localises. L'tude d'amplificateurs fonctionnant des frquences plus leves
repose sur des mthodes d'analyse et des modles diffrents (paramtres de
distribution...) et sort du cadre de cet article.
Aprs avoir rappel des notions gnrales sur les sources commandes, nous
indiquerons les principes de base de ralisation d'amplificateurs. On ne cherchera pas fournir une schmathque mais plutt dgager les proprits
essentielles des structures de base de manire guider le choix du concepteur.
Nous tudierons, dans un deuxime temps, le comportement frquentiel des
structures amplificatrices (limitations de la bande passante, stabilit...).
Enfin, aprs avoir rappel les notions fondamentales sur le bruit de fond, nous
chercherons caractriser les diffrents tages amplificateurs tudis vis--vis
du bruit et nous proposerons quelques solutions pour en minimiser l'effet.

1. Sources commandes
Nota : le lecteur pourra utilement se reporter larticle Thorie des circuits lectriques
linaires [E 3 000], rf. [19] dans le prsent trait. Les concepts gnraux rappels ici pourront galement tre approfondis en se reportant aux ouvrages mentionns dans la bibliographie [1] [4] [12].

1.1 Sources commandes idales


et relles
Fonctionnellement, un amplificateur se comporte comme un quadriple. Compte tenu de la dfinition gnrale propose prcdemment (bloc fonctionnel ralisant lopration mathmatique
lmentaire : multiplication par une constante sur un signal porteur
dinformation) et de la nature des grandeurs lectriques pouvant
porter ce signal (courant ou tension), cet oprateur idal peut tre
reprsent partir dune des sources commandes du tableau 1
que nous dsignerons par la suite par SCVV, SCVI, SCIV ou
SCII.
Une source commande idale apparat donc comme un quadriple unidirectionnel constitu dune source lie dont la branche de
commande est rduite un circuit ouvert (entre en tension) ou un
court-circuit (entre en courant).
Les sources commandes ralisables en pratique prsentent de
nombreuses imperfections par rapport ce modle idal. En particulier, en se limitant dans un premier temps aux imperfections
linaires vis--vis des variations des grandeurs lectriques traites,
elles prsentent une impdance dentre, une impdance de sortie
et un coefficient de transfert inverse qui peuvent tre reprsents en
utilisant un modle de quadriple plus complet (tableau 2). Limp-

E 320 2

dance dentre (resp. de sortie) de lamplificateur constitue avec


limpdance interne du gnrateur (resp. limpdance de charge) un
diviseur de tension ou de courant affectant la grandeur dentre
(resp. de sortie). Vis--vis de ce type dimperfection, une source
commande sera dite performante si elle peut tre considre
comme unidirectionnelle et si lattnuation des grandeurs dentre
et de sortie peut tre nglige. Le respect de ces conditions est
incompatible avec les conditions dadaptation dimpdance qui
devront tre privilgies pour viter les problmes lis aux lignes
parasites (interconnexions entre composants) si on doit traiter des
signaux en hautes frquences.
Dans cet article, pour simplifier les expressions, R1 // R2
dsignera :
R1 R2
R 1 // R 2 = ---------------------R1 + R2

1.2 Gains
1.2.1 Gains en tension et en courant
Toute source commande peut tre modlise en utilisant la
reprsentation matricielle des quadriples (paramtres admittances
[Y], impdances [Z] ou hybrides [G], [H] ou paramtres de chane
[A]) par lun des quatre schmas linaires du tableau 2. Si la source
commande caractriser est performante au sens voqu ci-avant,
le schma linaire privilgi est celui qui traduit la fonction principale du montage et qui tend vers lun des quatre cas limites du
tableau 1.

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AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX

(0)

Tableau 1 Sources commandes idales


Schmas

Matrices [G], [Y], [H] ou [Z]

Matrice de chane [A]

SCV V
Ie = 0

Is

gVe

Ve

Ie

Vs

Vs

0
g

0 Ve
0 Is

Ve

0
y

0 Ve
0 Vs

Ve

0
h

0 Ie
0 Vs

Ve

0
z

0 Ie
0 Is

Ie

1g
0

0
0

1 y Vs
Is
0

0
0

Vs
0
1 h Is

0 Vs
0 Is

SCV I
Ie = 0

Is

yVe

Ve

Ie

Vs

Is

Ie

SCI I
Ie

Is

h Ie

Ve = 0

Ve

Vs

Is

Ie

SCI V
Ie

Is

z Ie

Ve = 0

Zg

Ve

Vs

Vs

Ve
Ie

Zs

0
1z

0 Vs
0 Is

Ie

Is

Eg

Ve

Av
Av 0
Avc
Avc 0

Ze

Vs 0

Vs

gain en tension
gain en tension vide
gain en tension composite
gain en tension composite vide

Ve = E g

Ze
Ze + Zg

Zu

Jg

Yg

Y e Is 0

Ai
Ai 0
Aic
Aic 0
Ie = Jg

Yu

gain en courant
gain en courant vide
gain en courant composite
gain en courant composite vide

Ye
Ye + Yg

Vs 0 = Av 0 Ve = Avc 0 Eg

Is 0 = Ai0 Ie = Aic 0 Jg

Zu
Vs = Av Ve = Avc Eg = Vs 0
Zs + Z u

Is = Ai Ie = Aic Jg = Is 0

a dfinition des gains en tension

Ys

Yu
Ys + Yu

b dfinition des gains en courant

Figure 1 Gains en tension et en courant

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(0)

Tableau 2 Modlisation par quadriple des sources commandes relles


Schmas

Matrices [G], [Y], [H] ou [Z]

Matrice de chane [A]

SCV V
g22

Ie

Ve g11

g12 Is

g21 Ve

Is

Vs

Ie
Vs

g 11

g 12 V e

Ve

g 21

g 22

Is

Ie

y 11

y 12 V e

Ve

y 21

y 22 V s

Ie

h 11

h 12

Ie

Ve

h 21

h 22 V s

Ie

z 11

z 12 I e

Ve

z 21

z 22 I s

Ie

1
-------g 21
=
g 11
-------g 21

g 22
-------Vs
g 21
g 11 g 22 g 21 g 12 I s
-----------------------------------------g 21

SCV I
Ie

Ve

Is

y12 Vs

y11

y22 Vs

y21 Ve

Ie
Is

y 22
-------y 21
=
y 12 y 21 y 11 y 22
----------------------------------------y 21

1
-------- V
y 21
s
y 11 I s
-----------y 21

h 12 h 21 h 11 h 22
-----------------------------------------h 21
=
h 22
------------h 21

h 11
------------h 21

SCI I
Ie

Ve

h11

Is

h21 Ie

h12 Vs

h22 V
s

Ve
Is

1
-------h 21

Vs
Is

SCI V
Ie

Ve

z22

z11
+

z12 Vs

z21 Ie

Is

Vs

Ve
Vs

En pratique, on caractrise la transmission de lamplificateur en


valuant le gain, rapport entre la grandeur de sortie et la grandeur
dentre.
Pour une SCVV, on peut adopter la modlisation de la figure 1 a
en ngligeant le terme traduisant la raction de la grandeur de sortie
sur celle dentre et en dsignant par Ze limpdance dentre de
lamplificateur charg par Zu et Zs son impdance de sortie lorsquil
est attaqu par le gnrateur de Thvenin (Eg, Zg). On peut dfinir
quatre gains en tension selon que lon tient compte ou non de leffet
de diviseur de tension produit en entre par laction conjugue de
Zg et Ze et en sortie par Zu et Zs.
Les gains en tension (Av = Vs /Ve et Av0 = Vs0 /Ve), dfinis partir
de la tension dentre Ve ne font pas intervenir leffet de diviseur
de tension en entre alors que les gains en tension composite
(A vc = V s /E g et A vc0 = V s0 /E g) en tiennent compte.
Les gains en tension vide Av0 = Vs0 /Ve et en tension composite
vide Av0 = Vs0 /Ve sont dfinis partir de la tension Vs0 obtenue en
sortie dans une configuration telle que la puissance dlivre par la
sortie de la source commande est nulle (Zu infinie). Ils ne font pas
intervenir leffet de diviseur de tension la sortie.
Dans le cas de sources commandes performantes, leffet de diviseur de tension ou de courant en entre ou en sortie peut tre
nglig. Les quatre gains qui viennent dtre dfinis sont identiques
et on dsigne souvent alors simplement par gain de la structure le
rapport de la grandeur de sortie et de la grandeur dentre.
Les gains en tension permettent de caractriser correctement les
sources commandes de type SCVV. Dans le cas des autres types
de sources commandes, on peut dfinir formellement les gains en

E 320 4

z 11
------z 21
1
------z 21

z 11 z 22 z 12 z 21
-------------------------------------- V
z 21
s
Is
z 22
------z 21

tension mais ces grandeurs ne traduisent pas la fonction principale


du montage. Pour une SCII, on peut dfinir sur le mme principe
les gains en courant en adoptant une reprsentation de Norton
(figure 1 b).
Les gains en tension et en courant sont des grandeurs sans
dimension gnralement exprimes en dcibels :
A (dB) = 20 lg A
Les SCIV (resp. SCVI) sont caractrises par des transmittances (transmittance, transmittance vide, transmittance composite,
transmittance composite vide) homognes des impdances
(resp. des admittances) et parfois appeles galement transimpdances (resp. transadmittances).

1.2.2 Gains en puissance


Avant de dfinir les diffrents gains en puissance, utiliss en particulier dans les calculs relatifs au facteur de bruit, rappelons quen
rgime harmonique, la puissance disponible Pd dun gnrateur de
force lectromotrice efficace Eg et dimpdance interne Zg est la
puissance maximale que lon peut recueillir dans une impdance Z
branche aux bornes de la source. Cette puissance maximale est
obtenue pour Z = Z g* et a pour valeur :
E g2
P max = P d = ----------------------4Re ( Z g )

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Le gain en puissance G est dfini comme le rapport de la puissance fournie par le quadriple la charge Zu et de la puissance
applique lentre du quadriple :
V s2 Re ( 1 Z u )
I s2 Re ( Z u )
G = ------------------------- = ----------------------------------2
I e Re ( Z e )
V e2 Re ( 1 Z e )

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX

Zg 1
+

Source
commande
entre
diffrentielle
et sortie
rfrence

Ve1

Eg 1

Ved
Zg 2

Le gain en puissance utilisable Gu est dfini comme le rapport de


la puissance fournie la charge Zu par le quadriple et de la puissance disponible de la source :

Vs

Eg 2

Ve2

Re ( V s I s* )

4
G u = ----------------------------E g2 Re ( Z g )
Vis--vis de la sortie, on peut reprsenter le quadriple attaqu
par un gnrateur (Eg, Zg) par un schma quivalent de Thvenin
(Es, Zs) et dfinir une puissance disponible Pds pour ce gnrateur
(Es, Zs). Le gain en puissance disponible Gd est alors gal au rapport
de la puissance disponible Pds de la puissance disponible Pdg de la
source :

Zg 1
+

Source
commande
entre
et sortie
diffrentielles

Ve1

Eg 1

Ved
Zg 2

E s2
P ds
4 Re ( Z g )
G d = --------- = ----------------------- ----------------------P dg
4 Re ( Z s )
E g2

Vs1

Vsd

Eg 2

Ve2

Ces diffrents gains sexpriment gnralement en dcibels :

Vs2

G (dB) = 10 lg G
b
Figure 2 Sources commandes diffrentielles

1.3 Sources commandes diffrentielles


Les tensions qui interviennent dans les tableaux 1 et 2 et dans la
figure 1 sont dfinies formellement, indpendamment de toute
rfrence de potentiel (masse). En pratique, les tensions intervenant
dans un montage lectronique sont toujours dfinies par rapport
un potentiel de rfrence. Une source commande entre diffrentielle est une source commande traitant une tension apparemment
flottante (non rfrence) qui doit en ralit tre considre comme
la diffrence de deux tensions rfrences (figure 2).
Considrons une SCVV entre diffrentielle Ve1 Ve2 et sortie rfrence Vs (figure 2). La tension recueillie la sortie dun tel
amplificateur serait, sil tait idal :
Vs = Ad (Ve1 Ve2)
avec

Ad

gain utile de la source commande vis--vis du


mode diffrentiel.

En pratique, cause des dissymtries, chaque entre est amplifie avec un gain lgrement diffrent :

La rjection de la tension Vec est caractrise par le terme Ac /Ad


ou par son inverse Fr = Ad /Ac appel facteur (ou taux de rjection)
de mode commun. Fr est idalement infini et sexprime en dcibels :
V ec
V s = A d V ed + --------Fr
Le comportement lectrique dune source commande prsentant un taux de rjection Fr est identique celui dun amplificateur
idal (Fr infini) attaqu par une tension dentre diffrentielle
Ved + (Vec /Fr).
Cette remarque conduit une modlisation simple de la rjection
de mode commun par lintermdiaire dune source de tension Vec /Fr
(figure 9).
De mme, pour une source commande entre et sortie diffrentielles, on peut dfinir les tensions de sortie de mode commun et
de mode diffrentiel et traduire le comportement du systme par
lquation matricielle :

Vs = A1Ve1 A2Ve2

V sd

Dfinissons la tension dentre diffrentielle par Ved = Ve1 Ve2


(Ved est alors la tension dentre utile) et la tension dentre de
mode commun par Vec = (Ve1 + Ve2)/2. On peut alors crire :
A1 + A2
2 ( A1 A2 )
A1 + A2
V s = -------------------- V ed + ( A 1 A 2 )V ec = -------------------- V ed + ---------------------------- V ec
( A1 + A2 )
2
2
En introduisant le gain en mode diffrentiel Ad obtenu pour
Vec = 0 et gal (A1 + A2)/2 et le gain en mode commun Ac obtenu
pour Ved = 0 et gal (A1 A2), lexpression de Vs devient :
V s = A d V ed + A c V ec

A1 + A2
2 ( A1 A2 )
= -------------------- V ed + ---------------------------- V ec
( A1 + A2 )
2

V sc

A dd

A dc V ed

A cd

A cc V ec

V sd
reprsente le gain en mode diffrentiel du
A dd = ---------
V V = 0
ed ec
montage et en traduit la fonction principale.
V sc
A cc = ---------
V V
ec

reprsente le gain en mode commun.


ed

=0

V sd
V sc
et A cd = ---------
reprsentent respectiveA dc = ---------
V V = 0
V V = 0
ec ed
ed ec
ment le gain en tension diffrentielle en mode commun et le gain en

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tension de mode commun en mode diffrentiel. Ils sont nuls pour


une structure parfaitement symtrique.

Zg

On rencontre deux dfinitions possibles pour les grandeurs de


mode diffrentiel. La premire (Ved = Ve1 Ve2 et Vsd = Vs1 Vs2) que
nous avons implicitement employe jusqualors et qui reprsente
effectivement la grandeur utile est celle qui est utilise dans les
caractristiques damplificateurs oprationnels.

Vd

Source
commande
sans dcalage

Id

Eg

Vs

La seconde (Ved = (Ve1 Ve2)/2 et Vsd = (Vs1 Vs2)/2) permet


dobtenir une symtrie sduisante pour mener les calculs.

1.4 Dcalage en tension et en courant


a source entre rfrence

Compte tenu des sources ncessaires pour assurer la polarisation


des composants actifs, on constate quen labsence de signal utile
dentre (Eg = 0), le signal de sortie dun amplificateur continu
(amplificateur dont la bande passante stend jusquau continu)
nest pas nul. La dfinition du quadriple (diple linaire ne comportant pas de sources indpendantes internes) ne peut pas sappliquer
telle quelle pour caractriser un tel amplificateur.

Id 1

Zg 1

On peut nanmoins conserver la modlisation simple laide de


quadriples en introduisant une source de courant et une source de
tension (figure 3) pour modliser globalement ce dcalage sur la
grandeur de sortie.

Vd

Source
commande
sans dcalage

Eg 1
Zg 2

Un tage amplificateur pourra tre reprsent par un quadriple


de dcalage (Vd, Id) et une source commande sans dcalage prsentant ventuellement des imperfections (impdance ou admittance dentre, impdance ou admittance de sortie, coefficient de
transfert inverse).

Vs

Eg 2

Id 2

b source entre diffrentielle

1.5 Sources commandes oprationnelles

Figure 3 Modlisation du dcalage en sortie dun amplificateur


continu

Pour mettre en vidence lintrt de lusage de la rtroaction en


lectronique, considrons le schma bloc de la figure 4.
Le gain en boucle ferme de cette structure boucle est gal :
e

--- = ----------------e
1 +

Si tend vers linfini, le systme boucl a les proprits de 1/. En


particulier, on peut raliser la transmittance de raction partir de
composants passifs pour bnficier de la bonne linarit de ces derniers en adoptant une des structures lmentaires du tableau 3 ralisant un approche grossire de source commande partir de
composants passifs.

=
e 1 +
Figure 4 Rtroaction

Le schma bloc de la figure 4 ne traduit pas explicitement lexistence simultane des deux grandeurs duales : tension et courant.
Remplaons les blocs fonctionnels et par deux sources commandes en adaptant la topologie la nature des grandeurs
dentre et de sortie. Ainsi, le prlvement dune tension (resp. dun
courant) en sortie sera obtenu en plaant le diple de sortie de loprateur et le diple dentre de loprateur en parallle (resp. en
srie). De mme, si la grandeur dentre est un courant (resp. une
tension), la mise en parallle (resp. en srie) du diple dentre de
loprateur et du diple de sortie de loprateur permettra de raliser lopration de sommation-soustraction.
Par exemple, pour raliser une SCIV, on peut adopter le schma
de la figure 5. La source commande (SCVI ralise partir de
composants passifs) comporte de nombreuses imperfections (structure bidirectionnelle prsentant des impdances dentre et de sortie non idales...). Mais, on peut montrer [1] [2] [3] [4] que si le gain
de la source commande tend vers linfini, ces imperfections sont
sans effet sur les performances du systme boucl qui tend alors
vers une source commande idale de type SCIV et de gain 1/.

SCI V

Z11
Jg

Z22

Z12 Is

Z21 Ve

Gg

Figure 5 Exemple de ralisation de SCI>V en utilisant


la rtroaction

(0)

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Zu

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Tableau 3 Ralisation dapproches de sources commandes avec des composants passifs


Schmas

Coefficient de transfert

SCV V
Rg

Ie

Eg

R1

Is

R2

Ve

Vs

Ru

Vs
R2
g = ------ = ------------------- pour Rg << R1 + R2 et Ru >> R1 // R2
Eg
R1 + R2

Ru

Is
1
y = ------ = ------ pour Rg << R et Ru << R
Eg
R

Ru

Is
R1
h = ------ = ------------------- pour Rg >> (R1 // R2) et Ru << R1 + R2
Jg
R1 + R2

Ru

Vs
z = ------ = R pour Rg >> R et Ru >> R
Jg

SCV I
Rg

Ie

Eg

Is

Ve

Vs

SCI I
R2

Ie

Rg Ve

Jg

Is

Vs

R1

SCI V
Ie

Rg Ve

Jg

Is

Vs

Ie
I

Is

Ve

Vs

ie

ib = 0

I=V=0

I et V dtermins
par le circuit extrieur

a nullateur

b norateur

0
Ve
=
Ie
0

0
0

i2

Vs
Is

c nulleur

d amplificateur oprationnel :
approximation du nulleur

e transistor :
approche grossire du nulleur

Figure 6 Diples pathologiques et nulleur

On appelle source commande oprationnelle toute source commande unidirectionnelle dont le coefficient de transfert tend vers
linfini. Sa matrice chane est gale la matrice nulle. Un tel quadriple peut tre reprsent en introduisant les deux diples
pathologiques : nullateur et norateur dfinis dans larticle Thorie
des circuits lectriques linaires [E 3 000], rf. [19] dont le comportement lectrique est rappel la figure 6.
Un nullateur est un diple dfini par v = i = 0. Le norateur est un
diple parcouru par un courant et soumis une tension dtermins
par le circuit extrieur. Le nulleur, quadriple dont le diple dentre
est un nullateur et le diple de sortie est un norateur, est une modlisation de source commande oprationnelle idale. Sa matrice
chane tant gale la matrice nulle, le fonctionnement de base de
cet ensemble intgr dans un systme boucl peut tre analys en

considrant que le norateur dlivre la tension et le courant


ncessaires pour asservir le courant et la tension dentre zro.
La limite de toute source commande relle mais unidirectionnelle dont le coefficient de transfert tend vers linfini est un nulleur.
Cette proprit suggre une solution pour raliser une approche
physique du nulleur. En pratique, le gain infini sera approch par un
gain trs lev.
Lorsquil est exploit en rgime linaire et dans des conditions
assurant la stabilit, lamplificateur oprationnel est une approximation particulire du nulleur. De mme, le transistor bipolaire peut
tre considr comme une SCII de gain idalement infini. Cest
donc galement une approche grossire de nulleur. Le comportement lectrique du modle nulleur propos la figure 6 est quivalent celui dune source de courant lie de gain unitaire. Le transistor
effet de champ constitue galement une approche de nulleur.

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E 320 7

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________

2. Ralisation damplificateurs
faibles niveaux
Nota : le lecteur pourra utilement se reporter aux articles Thorie des circuits lectriques
linaires [E 3 000], rf. [19] et Diodes et transistors bipolaires discrets [20] dans le prsent
trait. On pourra galement se reporter aux ouvrages mentionns dans la bibliographie.

2.1 Ralisation laide damplificateurs


oprationnels
Lamplificateur oprationnel est un macrocomposant qui, par son
faible cot (de lordre de quelques francs) et sa facilit de mise en
uvre, constitue actuellement la solution privilgie pour raliser
des amplificateurs faibles niveaux en basse frquence.

2.1.1 Structures de base SCIV et SCVV


La transposition du schma-bloc de la figure 4 des sources
commandes associant un amplificateur oprationnel en chane
directe pour raliser loprateur et une des approches de sources
commandes du tableau 3 conduit quatre configurations. Les oprateurs SCVI et SCII sont difficilement exploitables car leur
charge nest pas rfrence la masse. En pratique, on retient donc
les deux structures de base SCIV et SCVV (figure 7).
La structure SCVV correspond au montage couramment appel
montage suiveur. Le cas limite o R1 est infinie et R2 nulle correspond une SCVV de gain unitaire frquemment utilise comme
adaptateur dimpdance.
Si on fait prcder la structure SCIV dune grande rsistance
(approche grossire de SCVI), on retrouve le montage inverseur
(figure 8 a). Les caractristiques dentre de ce dernier montage ne
sont pas idales (Ze non infinie) car elles sont lies celle dentre
de la SCVI ralise grossirement par une simple rsistance.

2.1.2 Influence des imperfections


de lamplificateur oprationnel
Par rapport au modle idal nulleur, les amplificateurs oprationnels disponibles sur le march prsentent de nombreuses
imperfections qui se rpercutent sur les performances globales des
structures ralises.
Les dfinitions des principales imperfections [6] [7] [8] [9] [10] telles quelles apparaissent dans les feuilles de spcification proposes par les constructeurs (cf. sites Web en [Doc. E 320]) sont
rsumes dans le tableau 4. Elles peuvent tre galement reprsentes sous la forme dun macromodle (figure 9).
Le tableau 5 donne, titre dexemple, linfluence des imperfections linaires de lamplificateur oprationnel sur le comportement
global des deux sources commandes de base dfinies sur la figure 7.

2.1.3 Autres applications de lamplificateur


oprationnel
Le domaine dapplication de lamplificateur oprationnel AO
dpasse lamplification de signaux faibles niveaux et le sujet de cet
article. Il peut tre utilis dans toutes les applications incluant implicitement la fonction amplification (oscillateur...) et traitant des signaux
basses frquences. La figure 8, qui prsente titre dexemple quelques autres applications classiques, ne prtend pas tre exhaustive.
On trouvera de nombreux autres exemples dans les ouvrages [1] [4]
[5] [6] [16] [17] cits en bibliographie ainsi que dans les notes dapplication proposes par les constructeurs (cf. [14] [15] et sites Web).
Lamplificateur oprationnel permet de mettre en uvre toute
synthse effectue base de nulleur et de raliser, en particulier, des
gyrateurs et des convertisseurs ou inverseurs dimpdances. La
synthse de filtres actifs constitue donc un domaine dapplication
important qui pourra tre approfondi par la lecture des articles
Thorie des circuits lectriques linaires [E 3 000], rf. [19],
Synthse et ralisation des filtres actifs [E 3 130], rf. [21], Filtres
capacits commutes [E 3 150], rf. [22]. De nombreuses applications non linaires sont galement possibles (amplificateur logarithmique, ralisation de non-linarits dfinies par segment, trigger de
Schmidt...).

Rg

SCOV V

SCV I

Vs

SCOI V

Jg

Eg

Gg

R2

Vs

R1
SCV V

Rg

Jg

Eg

R2
Vs = Eg (R1 + R2)/R1

Gg
Vs = RJg

a SCI V

R1

b SCV V

Figure 7 Principe de ralisation de SCI>V et SCV>V amplificateur oprationnel

E 320 8

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AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX

R2
Rg

R3

R1

Rg

R1

Ve

Eg

Eg 1
Vs

RC

Rg

R2

Vs

Eg 2

Vs
R
= 2
Ve
R1

V s = R3

E g1
R1

Eg 2
R2

Rc = R1//R2 optionnelle
(rduit linfluence des courants de polarisation)
a inverseur

b sommateur inverseur
R1

Rg

R2

R3

R4

Rg

Eg 1

R3
Rg

R1

R2

Vs

Eg
Vs

Eg 2

Vs 

1
RC

1
0

Vs 

Eg () d

c intgrateur

R2
R1

1+

2R3

R4

d amplificateur d'instrumentation

Rg
R

R /2

Eg

Ve

Vs

Vs

Ve
e redresseur double alternance de prcision (oprateur valeur absolue )

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E 320 9

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________

R2
Vs

Rg

R1
+

Ve

Eg

Ve

Vs

f trigger de Schmidt (comparateur hystrsis)


C

R0

C1
Rg

R1

R2

R0

R2

Vs

Eg

Ve

Vs
Eg

(p ) =

R3

Vs

C2

R1

f0 =

1 + C2 (R1 + R2) p + R1R2C1C2p2

g filtre actif (cellule de Sallen et Key)

1
2 R 0 C

h oscillateur ( pont de Wien)

Figure 8 Exemples dapplication de lamplificateur oprationnel


(0)

Tableau 4 Dfinition des imperfections principales de lamplificateur oprationnel


Tension de dcalage ramene lentre (Input offset voltage)
Tension diffrentielle qui, applique lentre, annule la tension de sortie
La plupart des constructeurs fournissent galement la valeur de la drive de ce paramtre en fonction de la temprature (Input offset voltage drift)
Courant de polarisation dentre (Input bias current)
Valeur moyenne des courants Ib+ et Ib circulant dans les deux entres de lamplificateur
La plupart des constructeurs fournissent galement la valeur de la drive de ce paramtre en fonction de la temprature (Input bias current drift)
Courant de dcalage ramen lentre (Input offset current)
Valeur absolue de la diffrence des courants Ib+ et Ib circulant dans les deux entres de lamplificateur
Gain en tension (Open Loop Voltage gain)
Gain utile de lamplificateur vis--vis du mode diffrentiel (not Ad au paragraphe 1.3)
Gnralement exprim en dB ou en V/V
Facteur de rjection de mode commun (Common Mode Rejection Ratio CMRR)
Rapport entre le gain utile vis--vis du mode diffrentiel et le gain vis--vis du mode commun (not Fr = Ad /Ac au paragraphe 1.3)
Gnralement exprim en dB
Facteur de rjection dalimentation (Power Supply Rejection Ratio PSRR)
Rapport entre le gain utile de lamplificateur (vis--vis du mode diffrentiel) et le gain vis--vis des fluctuations dalimentation.
Gnralement exprim en dB
Impdances dentre (Input impedance)
Impdance vis--vis du mode diffrentiel (differential input impedance) : impdance vue des entres de lamplificateur lorsque celui-ci est attaqu en mode diffrentiel (e+ = e)
Impdance vis--vis du mode commun (common-mode impedance) : impdance vue des entres de lamplificateur lorsque celui-ci est attaqu
en mode commun (e+ = e).
Les constructeurs donnent gnralement la partie rsistive (rsistance dentre) et la partie capacitive (capacit dentre)
Bruit ramen lentre (Equivalent input noise)
voir paragraphe 5.3.5
Vitesse de balayage (Slew rate)
Valeur maximale des fluctuations du signal de sortie (dVs /dt max)
Gnralement exprime en V/s

E 320 10

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Ib +

rectionnelles. Ce rgime de fonctionnement suppose lexistence


dun rgime de repos (polarisation des composants dtaille dans
larticle Diodes et transistors bipolaires discrets [20]) auquel se
superpose un rgime de variations traduisant lamplification proprement dite.

Cs

Cc +
Rcc +

Le transistor est un composant fondamentalement non linaire


dont le comportement lectrique fin peut tre analys laide de
modles non linaires complexes qui ne peuvent tre mis en uvre
que numriquement au sein de programmes de simulation lectrique (SPICE par exemple). Pour mener un calcul la main, il est
ncessaire de simplifier ces modles. Ainsi, pour tudier des structures amplificatrices transistors, on dissocie gnralement le
rgime de polarisation du rgime des variations que lon peut alors
tudier en adoptant un modle linaire obtenu en confondant,
autour du point de polarisation, les caractristiques du transistor
avec leur tangente en ce point. Cette approximation est videmment
dautant plus exacte que lamplitude des variations est petite.

Rs

E+

S
Vec /Fr

Vd

Rdd

Cd

Av
Vs

Ib

Rcc

Cc

Figure 9 Macromodle damplificateur oprationnel


(0)

Tableau 5 Influence des principales imperfections


linaires de lamplificateur oprationnel
sur les performances des structures de base
SCV V

SCI V

Tension de
dcalage
ramen en
entre

Dcalage en sortie

Dcalage en sortie

R1 + R2
V s = ------------------- V d
R2

R + Rg
V s = ----------------- V d
Rg

Courants de
polarisation

Dcalage en sortie

Dcalage en sortie

R1 + R2
V s = ------------------- R g I b+ R 1 I b
R2

Vs = RIb

Facteur de
rjection de
mode commun
Gain fini

Impdance de
sortie

Impdance
dentre

De nombreuses modlisations, plus ou moins simplifies, sont


alors possibles. Les paramtres hybrides (paramtres h), dfinissant
un schma quivalent sous la forme dun quadriple, ne sont pratiquement plus utiliss. Pour reprsenter le comportement du transistor bipolaire en rgime de variation, on prfre lheure actuelle
utiliser le schma naturel dEbers-Moll de la figure 10, simplifi et
adapt au type dtude (tude du rgime de variations dans la
bande passante, tude de la bande passante, tude du bruit...) en ne
faisant intervenir que les phnomnes pertinents et en ngligeant
tout ce qui peut ltre.
Les valeurs des lments intervenant dans ce modle sont dtermins partir du courant de polarisation dmetteur IE et des caractristiques du composant fournies par le constructeur.
re, rsistance dynamique dmetteur, reprsente linverse de la
pente de la caractristique de la diode base metteur au point de
polarisation dfinie pour VBE = VBE0 :
1
kT
r e = ------------------------------------------ = --------dI
qI
E
E

-------------- V = V
dV BE BE BE0

Erreur sur le gain


R1 + R2
A v ------------------R2 Fr

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX

0
avec

constante de Boltzmann (k = 1,38 1023 J/K),


charge de llectron (1,6 1019 C),
la temprature absolue de la jonction.

Erreur sur le gain

Erreur sur le gain

1 R1 + R2 2
A v ---- -------------------

A R
2

1
R2
A v ---- ------------------
A R // R

T (K)

Exemple : 300 K, on a reIE = 26 mV

Impdance
dentre non nulle

Cette rsistance dynamique est lie la transconductance gm du


transistor par :

Impdance de sortie non


nulle

R
Z e = -------------1+A
Impdance de sortie non nulle

dI C
g m = ------------= -----
re

dV BE VBE = VBE0

R1 + R2
Z s R s ------------------AR 2

R + Rg
Z s R s ----------------AR g

Impdance dentre finie

Impdance
dentre non nulle

R dd AR 2
Z e ---------------------R1 + R2

1
Z e = -----------------------------------(1 + A)
1
---------- + ------------------R
R dd

peut tre confondu aux basses frquences avec le gain en courant du transistor mont en base commune ( 1). On peut le relier
au paramtre fourni par le constructeur en utilisant la relation :
(1 )(1 + ) = 1
rce reprsente limpdance de sortie du transistor et traduit leffet
Early :
V Early
dI C
r ce = --------------
= -------------V
=
V
dV CB BE BE0
IC

2.2 Ralisation laide de transistors

o VEarly reprsente la tension dEarly dont lordre de grandeur est


une centaine de volts. Son influence est souvent masque par les
autres impdances du circuit (rsistance de charge) dans lequel le
transistor est insr. Elle est donc gnralement ngligeable.

2.2.1 Modlisation des transistors bipolaires

Cbc et Cbe ninterviennent que pour ltude de la bande passante


et du comportement frquentiel ( 3).

Pour raliser la fonction amplification, on peut utiliser des transistors (bipolaires ou effet de champ) en sources commandes unidi-

La variante issue dune transformation T- (modle de Giacoletto)


que lon rencontre parfois reprsente exactement les mmes ph-

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E 320 11

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________

ie = gm vbe

ie = gm vbe

Cb'c

rce

ie

ie

re

vbe

Cb'e

rce

re

vbe

a modle simplifi du transistor bipolaire pour une tude en petits


signaux dans la bande passante (structure en T dEbers-Moll)

b modle simplifi du transistor bipolaire pour une tude de la bande


passante (structure en T dEbers-Moll)

Cb'c

ie = gm vbe

Cb'c
B

ie
ib

Cb'e

rce

ic

Cb'e

re

vbe

vbe

( + 1)re

gm vbe

re

c modle simplifi du transistor bipolaire pour une tude du bruit


(structure en T dEbers-Moll)
B base

C collecteur

d modle simplifi du transistor bipolaire pour une tude


de la bande passante (structure en  de Giacoletto)
E metteur

Figure 10 Modlisation du transistor bipolaire

nomnes. Dans la suite de cet article, nous nutiliserons donc que


des schmas quivalents de type Ebers-Moll.

2.2.2 Modlisation des transistors


effet de champ
Les transistors effet de champ grille isole (MOSFET) peuvent
tre tudis en utilisant des modles (figure 11) trs voisins de ceux
qui ont t proposs pour leurs homologues bipolaires.
On peut conserver la topologie des modles de la figure 10 en
assimilant 1. Limpdance dentre des transistors effet de
champ est en effet trs leve et essentiellement capacitive. Le courant statique dans la grille peut alors tre considr comme nul.
rce est remplac par rds reprsentant limpdance de sortie du
transistor et Cbc et Cbe qui interviendront lors de ltude de la bande
passante et du comportement frquentiel sont remplacs par Cgs et
Cgd.
Pour un transistor effet de champ grille isole (MOSFET) en
rgime de pincement (rgime de fonctionnement exploit pour raliser des tages amplificateurs), le courant drain-source IDS varie, au

E 320 12

premier ordre, selon une loi parabolique en fonction de la tension


grille-source VGS :
K
I DS = ---- ( V GS V T ) 2
2
avec

VT

tension de seuil,

paramtre li la gomtrie du composant.

La transconductance du transistor gm se dduit trs simplement


de lexpression prcdente :
dI DS
g m = ---------------
= K ( V GS0 V T )
dV GS VGS = VGS0
Les transistors effet de champ prsentent une transconductance
plus faible que leurs homologues bipolaires.
Cette reprsentation propose par Schichmann et Hodges est voisine du schma dEbers-Moll utilis pour modliser le transistor
bipolaire. Elle permet dtablir un parallle entre les structures
transistor bipolaire ou effet de champ et den dgager des proprits indpendantes du type de composant. Nous utiliserons cette
reprsentation dans la suite de larticle. On rencontre toutefois couramment des modles structure en quivalents rappels pour
mmoire sur la fgure 11.

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AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX

Cgd

gm vbe

rds

is

is

rs = 1/gm

vgs

gm vgs

Cgs

rds

rs = 1/gm

vgs

a modle simplifi du transistor effet de champ pour une tude


en petits signaux dans la bande passante (structure en T de
Schichmann et Hodges)

b modle simplifi du transistor effet de champ pour une tude de la


bande passante (structure en T de Schichmann et Hodges)

Cgd

gm vgs
Cgd

is
Cgs

rds

id

Cgs

rs = 1/gm

vgs

gm vbe

vgs

rds

c modle simplifi du transistor effet de champ pour une tude


du bruit (structure en T de Schichmann et Hodges)
D drain

d modle simplifi du transistor effet de champ pour une tude


de la bande passante (structure en )
G grille

S source

Figure 11 Modlisation du transistor effet de champ

2.2.3 Structures de base

teur associe ou non une rsistance place dans lmetteur ou une


SCVV de gain unitaire.

Contrairement aux cas des amplificateurs oprationnels, il est


gnralement impossible de rpondre aux exigences du cahier dun
amplificateur faibles niveaux en utilisant un transistor unique associ quelques composants passifs. Pour obtenir des performances
convenables (bonne impdance dentre et de sortie, gain important, large bande passante...), il est presque toujours ncessaire
dassocier plusieurs tages et, au sein mme dun tage, de faire
appel des structures composites (Darlington, paire paradoxale...)
pour rduire linfluence des imperfections des transistors. Le nombre de schmas possibles est pratiquement illimit. Ltude dtaille
des structures possibles est du ressort dun cours de conception
analogique [1] [2] [3] [7] [8] [9] [16] [18]. On se limitera ici au rappel
des caractristiques principales des structures de base.

Dans les deux premiers cas, le transistor se comporte comme une


source de courant commande dont le courant de sortie peut tre
converti en tension laide dune rsistance Rc. Lensemble constitue alors une SCVV (resp. une SCIV) au nom consacr par
lusage metteur commun (resp. base commune) : source commune et grille commune dans le cas des transistors effet de
champ.

2.2.3.1 Structures de base un transistor


Lanalyse des schmas quivalents en petits signaux simplifis
lextrme (figure 12) rvle quun transistor en rgime de fonctionnement linaire peut tre considr comme une SCII de gain unitaire (traduction directe de leffet transistor), une SCVI de
transconductance I/R en utilisant la rsistance dynamique dmet-

Suite une habitude prise par les lectroniciens de raisonner sur


les tensions, la structure base commune est parfois caractrise
comme une SCVV qui apparat alors comme mdiocre (impdance dentre trs faible). Il est plus correct de lenvisager comme
un suiveur de courant (SCII de gain en courant voisin de 1 (en pratique gal au gain en courant du transistor), dimpdance dentre
re et dimpdance de sortie infinie si on nglige linfluence de la
rsistance rce. Si on utilise en sortie une rsistance Rc faisant office
de convertisseur courant-tension (approche grossire dune
SCIV), on peut galement considrer lensemble comme une
SCIV.
La structure SCVV de gain unitaire est galement appele mettodyne. Elle correspond au montage collecteur (ou drain) commun.

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E 320 13

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________

is

ve

is = v e /R

ve

a SCV I de gain 1/R

is

ve

vs

ve

b SCV V de gain 1

v s = ve

ie

is = ie

ie

c SCV I de gain 1

Figure 12 Utilisations possibles du transistor

Si on utilise un modle nulleur (figure 6), ce montage sassimile


au montage adaptateur dimpdance amplificateur oprationnel
voqu prcdemment.
Les proprits essentielles des trois montages metteur commun,
collecteur commun et base commune sont rsumes par les
figures 13, 14 et 15. Les lments ncessaires pour polariser le
transistor en rgime de fonctionnement linaire nont pas t mentionns sur les schmas de principe. Ils sont y implicitement
reprsents par les composantes continues (Eg0, Vs0, Vb0...).
2.2.3.2 Structure diffrentielle
La structure diffrentielle dont le schma de principe est donn
par la figure 15 est un exemple simple de source commande diffrentielle symtrique tudie au paragraphe 1. Les deux transistors,
supposs identiques et la mme temprature, sont polariss par
une source de courant ralise laide de transistors symbolise par
JE sur le schma de principe de la figure 16 a. Dans certains cas,
une grande rsistance RE peut faire office de source de courant.
Pour valuer les grandeurs Add, Adc, Acc, Acd et Fr, on tablit un
schma quivalent vis--vis du rgime de variations. Il peut alors
faire apparatre deux rgimes de fonctionnement (rgime de mode
commun et rgime de mode diffrentiel) partir desquels on pourra
dterminer simplement le fonctionnement global du systme par
application directe du principe de superposition. En rgime de
mode commun, une mme tension ec est applique sur les bases
des transistors. On remarque que si la source de courant polarisant
la structure est parfaite (RE infinie) la tension de sortie de mode
commun est nulle. En rgime de mode diffrentiel, on applique sur
les bases des transistors, deux tensions opposes ed et ed. Si le
montage est parfaitement symtrique, le point A constitue une
masse virtuelle.
Les termes Adc et Acd sont nuls si le montage est parfaitement
symtrique. La dtermination de ces expressions dans le cas dune
structure prsentant des dissymtries donne lieu des calculs complexes qui sortent du cadre de cet article.

2.3 Principe de ralisation


damplificateurs oprationnels
Un amplificateur oprationnel idal est une source commande
oprationnelle (coefficient de transfert infini). Les amplificateurs
oprationnels rels sont souvent raliss sous la forme de SCVV
entre diffrentielle et sortie rfrence. Lassociation en cascade
de plusieurs sources commandes dont la grandeur de sortie est

E 320 14

incompatible avec la grandeur dentre de la suivante (figure 17)


permet dobtenir un gain trs lev en utilisant un faible nombre
dtages lmentaires. Lutilisation de SCVI charge active est
alors trs courante.
Les amplificateurs oprationnels actuels sont pratiquement tous
raliss sous forme de circuits intgrs monolithiques, en technologie bipolaire ou MOS. Ils sont constitus de n tages de type SCVI
et dun tage final suiveur de gain unitaire (SCVV) jouant le rle
dadaptateur dimpdance et dtage de puissance (on parle alors
souvent dAO n tages). Le meilleur compromis entre gain et rapidit semble tre la structure deux tages couramment utilise
(SCVI + SCVI + SCVV en cascade). Les structures un tage
prsentent un gain modeste mais une bonne rapidit. Les structures
trois tages prsentent des performances de gain excellentes mais
sont difficiles compenser en frquence ( 3). Elles demeurent donc
exceptionnelles.
La figure 18 donne un exemple simple de schma damplificateur
oprationnel ralis en technologie monolithique bipolaire. Le premier tage est une SCVI diffrentielle charge par un miroir de
courant permettant dobtenir un courant rfrenc is1. Le deuxime
tage, SCVI charge active, est optimis pour avoir un gain trs
lev (voisin de 1 000) et impose la limitation en frquence. Ltage
de sortie push-pull (SCVV de gain unitaire fonctionnant en
classe B) rduit limpdance de sortie et permet de fournir un courant important. On trouvera dans les rfrences notes [2] [3] [6] [7]
[8] [9] et [18] de la bibliographie dautres exemples de structures
damplificateur oprationnel.

3. Comportement frquentiel
des amplificateurs
Si on reste dans le cadre des amplificateurs faibles niveaux dfini
dans lintroduction, le comportement et les limitations dun amplificateur vis--vis de la frquence des signaux sont linaires. Le gain
de ltage nest pas constant vis--vis de la frquence du signal
traiter et doit tre caractris par une transmittance indpendante
de lamplitude des signaux. Aprs avoir rappel lorigine et la modlisation des phnomnes affectant la bande passante des tages
transistors, nous en valuerons les limitations frquentielles et nous
proposerons quelques solutions pour repousser ces limites. Nous
envisagerons ensuite le cas des structures boucles mettant en
uvre des amplificateurs oprationnels.

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AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX

Zs
ic

ie
RC

Ze

VCC
I C 0 + ic

Rg

eg
+

RC

ie

Rg

ve

re

I E 0 + ie

Eg 0 + eg

RE

VEE

RE

a schma de principe

b schma quivalent pour valuer les


performances dans la bande passante

ic
Cb'c

ic

ie

ie

Rg

Rg
ie

eg

ve

Cb'e

RC

ie

re

C3

re

eg
ve

RE

C1 + C2
RE

c schma quivalent pour valuer la bande passante

Gc =

Ze =

d schma quivalent pour valuer la bande passante


aprs application de la transformation de Miller

RC

ic

=
eg
re + RE + (1 ) Rg
re + R E
1

= ( + 1)(re + RE)

Zs infinie si on nglige leffet de rce


Figure 13 Structure SCVI de gain 1/R (metteur commun)

3.1 Origines et modlisation


des phnomnes ractifs
Si on exclut le cas o le concepteur a associ volontairement la
fonction filtrage la fonction amplification (cas des amplificateurs
slectifs, prsence de capacits de liaisons, de dcouplages...), les
limitations des dispositifs lectroniques vis--vis de la frquence
des signaux sont dues la prsence dimpdances ractives parasites qui sont associes aux composants utiliss et qui affectent la frquence de coupure haute du systme. Si on se restreint un
domaine de frquence suffisamment faible (0 100 MHz environ)
pour que les paramtres des composants actifs puissent tre supposs constants et que leffet des inductances parasites puisse tre

nglig, la limitation en frquence provient essentiellement des


capacits parasites associes aux composants actifs.
Pour un calcul la main au premier ordre, le comportement des
transistors peut tre modlis en faisant intervenir ces lments
parasites dans les schmas quivalents proposs aux figures 10 et
11.
Ainsi le modle dEbers-Moll simplifi du transistor bipolaire
pourra tre complexifi (figure 10 b) en faisant intervenir les capacits de transition et de diffusion associes aux jonctions base-metteur et base-collecteur. En rgime de fonctionnement normal, la
capacit de diffusion de la diode base-collecteur polarise en
inverse peut tre nglige devant la capacit de transition. Le comportement ractif de la jonction base-collecteur peut donc tre
reprsent au premier ordre par une capacit Cbc. La capacit de
diffusion de la diode base-metteur polarise en direct est prdomi-

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E 320 15

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________

ie
VCC

Ze

Rg
eg

ie

Rg

Zs

re

ve

Eg 0 + eg
RE

Vs 0 + v s

RE

a schma de principe

Cb'c

b schma quivalent pour valuer les


performances dans la bande passante

ie

ie

Rg

Rg
ie

eg

vs

ve

Cb'e

ie

re

re

eg
ve

RE

C1
RE

vs

c schma quivalent pour valuer la bande passante

Avc =

Ze =

vs

d schma quivalent pour valuer la bande passante


aprs application de la transformation de Miller

vs
RE
=
1
eg
re + RE + (1 ) Rg

re + R E
1

= ( + 1)(re + RE)

Zs = re + (1 ) Rg 

Rg
( + 1)

Figure 14 Structure SCVV de gain 1 (collecteur commun)

nante sur la capacit de transition. Le comportement ractif de cette


jonction peut alors tre reprsent par une capacit Cbe dpendant
de la polarisation statique du transistor et lie la frquence de transition fT fournie par le constructeur par la relation :
1
f T = ---------------------------------------------2r e ( C be + C bc )
avec

re

rsistance dynamique dmetteur.

Pour traiter le cas des transistors effet de champ, on peut


complter le modle de Schichmann et Hodges et faire intervenir
deux capacits Cgd et Cgs. Les raisonnements et les rsultats tablis
dans le cas du transistor bipolaire se transposent alors sans difficult.

E 320 16

Les modles proposs prcdemment sont trop simplistes pour


reprsenter correctement le comportement des structures fonctionnant des frquences plus hautes (de lordre de 50 500 MHz). En
effet, de telles frquences, les rsistances daccs aux lectrodes,
les capacits parasites entre les bornes daccs, limpdance de sortie de la source commande jouent un rle non ngligeable. Les
modles qui en rsultent sont alors plus complexes et demandent
des moyens de calcul importants (logiciels de simulation lectrique). Dans un calcul la main, ils peuvent tre avantageusement
remplacs par une reprsentation base dun quadriple traduisant
globalement le comportement du transistor. Les paramtres utiliss
(gnralement Y) dpendent du point de polarisation et de la frquence du signal. Par consquent, ils ne sont utilisables simplement
que pour tudier des amplificateurs traitant des signaux haute frquence bande troite.

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AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX

Zs
ic

RC

ie

VCC
I C 0 + ic

(Jg 0 < 0)

Rg

a schma de principe

RC

jg

jg

Rg

b schma quivalent pour valuer les


performances dans la bande passante

Aic =

ic
jg

Rg
re + R E

ie

ie
Cb'e

re

I E 0 + ie

Jg 0 + jg

Cb'c

ie
Ze

VBB

ic

RC

re

Rg

c schma quivalent pour valuer la bande passante

1

Z e = re
Zs infinie si on nglige leffet de rce
Figure 15 Structure SCII de gain 1 (base commune)

3.2 Influence des lments ractifs

tue celui de Ce). Lorsque Av est ngatif et de valeur absolue leve,


leffet de cette capacit est multipli par un facteur voisin de Av (effet
Miller) et devient prpondrant.

La limitation principale de la bande passante des sources commandes est due aux capacits parasites associes aux points
dinterfaage. Nous allons tudier linfluence de la capacit dentre,
de la capacit de sortie et de la capacit reliant lentre et la sortie
dune source commande.

De mme, vis--vis de la sortie de la source commande, tout se


passe comme si la capacit Ces tait remplace par une capacit C2
de valeur (1 1/Av)Ces en parallle sur le diple de sortie (son effet
accentue celui de Cs).
Lapplication de la transformation prcdente (dite de Miller), qui
permet de remplacer une capacit entre lentre et la sortie dune
source commande par deux capacits connectes la masse,
ramne le calcul de lordre de grandeur de la frquence de coupure
ltude dun schma quivalent semblable celui de la figure 19.
Leffet conjugu des diffrentes impdances impliques linterface
entre deux tages introduit donc une frquence de coupure de
valeur :

La capacit dentre Ce en parallle sur le diple dentre dune


source commande affecte leffet de diviseur de tension ou de courant vu au paragraphe 1.
Quelle que soit la grandeur dentre (tension ou courant), la prsence de la capacit Ce introduit un ple la frquence
1
---------------------------------------- .
2 ( R g // R e )C e
Leffet de la capacit de sortie est identique car on retrouve en sortie un effet de diviseur de tension ou de courant analogue. La pr1
sence de Cs introduit donc un ple la frquence ---------------------------------------- .
2 ( R s // R u )C s
Considrons maintenant une source commande de nature quelconque dont lentre et la sortie sont relies par une capacit Ces
(figure 19).
Le courant iCes parcourant la capacit Ces est gal :
iCes = Cesp(ve vs)
Si on note Av le gain en tension de la source commande, on peut
exprimer iCes en fonction de ve ou de vs :
iCes = Cespve(1 Av) = Cespvs(1 1/Av)
Vis--vis de lentre de la source commande, tout se passe
comme si la capacit Ces tait remplace par une capacit C1 de
valeur (1 Av)Ces en parallle sur le diple dentre (son effet accen-

1
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------2 ( R s1 // R e2 ) ( C s1 + C e2 + C es1_s + C es2_e )
o Ces1_s (resp. Ces2_e) dsigne la capacit de raction Ces du premier tage ramene en sortie (resp. du second tage ramene en
entre).
Lorsque Ces nintervient pas dans lexpression de Av, cette transformation (dite de Miller) permet dvaluer simplement le comportement frquentiel dun tage amplificateur. Nous allons lappliquer
au cas des tages amplificateurs de base transistors bipolaires
tudis au paragraphe 2. Le cas des transistors effet de champ se
traite de faon identique compte tenu de la similitude des modles
adopts.
Pour tudier le comportement frquentiel de la structure metteur
commun (SCVI charge par une rsistance), on peut adopter le
modle de la figure 13. Afin dvaluer la frquence de coupure de
cet tage, nous pouvons nous ramener un schma plus simple en
appliquant la transformation de Miller vue prcdemment, en
notant Av = RC /(re + RE) la valeur du gain en tension de ltage dans
sa bande passante et en considrant que :

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E 320 17

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________

SCV I

RC 1
IC 1

Rg 1

SCV V

VCC

RC 2

ve 1

IC 2

re 1

r s1 ve 2

Rg 2

re 2

Av 02 ve 2

vs

Ru

g m1 v e 1

A
+

rs 2

Eg 1

vs = Av 2 ve 2 = gm1 (rs1//re 2) Av 2 ve1

Eg 2

Si les sources commandes sont idales, rs1 et re 2 sont infinies ;


le gain en tension vs /ve1 tend vers l'infini.

JE
VEE

Figure 17 Association de sources commandes incompatibles

Rg 1 = Rg 2 = R g
RC 1 = R C 2 = RC
a schma de principe

RC

V+

RC
ic 1

T3

T2

T11

T13

ic 2

ie 1

ie 2

T4

E+
A

T5

T12

C
Rg

eg 1

ie 1

ie 2

re

re

Rg

T8

eg 2

T14
T1

T6

T7

T9
T10

RE
V
RE impdance de la source de courant JE
Add =

Acc =

ic1 ic 2
e g1 e g 2
ic1 + ic 2
e g1 + e g 2

re + (1 ) Rg

re + 2RE + (1 ) Rg

eg1 + eg 2 = 0

eg1 eg 2 = 0

a schma interne

V+

Adc = Acd = 0 si la structure est parfaitement symtrique


b schma quivalent pour valuer les performances dans
la bande passante

SCV I
diffrentielle
E

T4

T13

E+

T5

i1
i2

is1 = i1 i2

i2

Figure 16 Structure SCVI diffrentielle


T7

T10

T14

SCV V
de gain 1
(push-pull)

Cbe peut tre remplace par une capacit C1 place en parallle sur lentre du transistor et de valeur :
C 1 = C be

re
-----------------re + RE

V
Miroir de courant

SCV I

b schma de principe simplifi

Cbc joue vis--vis de lentre le mme rle quune capacit C2


de valeur :
C2 = Cbc(1 + Av)

E 320 18

Figure 18 Exemple damplificateur oprationnel

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rateur et limpdance dentre de la structure tudie. La valeur du


second ple 2 ainsi obtenue est entache dune erreur importante
car lapproximation de Miller nest plus vraiment utilisable cette
frquence.

iCes
Ces

Ze

Zs

Dans le cas du montage collecteur commun (figure 14), compte


tenu du couplage entre lentre et la sortie (Cbe, re), le comportement frquentiel de la structure (figure 14) dpend de la nature de
la charge et de lordre de grandeur des composants. Dans le cas
simple o la charge est purement rsistive, la frquence de coupure
de ltage est due la rsistance Rg et limpdance dentre de la
structure. Cette dernire se compose dune partie rsistive
( + 1)(re + RE) et dune partie capacitive Cbc + Cbere /(re + RE).

Av
Rs
+

eg

Rg

ve

v s = A vv e

Ru

Ze

partir de lanalyse directe de la structure SCII de gain unitaire


(figure 15), on constate que la transmittance ic /jg de cette structure
possde :

Zs

C1 = Ces (1 Av )

eg

Ru

C2 = Ces (1 1/Av )

a calcul des capacits d'entre et de sortie quivalentes en utilisant


l'approximation de Miller

un ple d la capacit dentre situ une frquence


1
------------------------------------------- trs leve et situe au-del de la frquence de
2C be ( r e // R g )
transition fT ;
un ple d la capacit Cbc et la charge la frquence
1
------------------------- imposant la frquence de coupure de la structure.
2C bc R c
Cette structure prsente donc une large bande passante car elle
nest pas affecte par leffet Miller.

R s1
+

e g1

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX

Re 2

3.3 Extension de la bande passante


b modlisation de l'interface entre deux sources commandes,
aprs transformation de Miller
Figure 19 Approximation de Miller

Cbc joue vis--vis de la sortie le mme rle quune capacit C3


de valeur :
1
C 3 = C bc 1 + ----------

Av
Les capacits mentionnes sur la figure 11 introduisent deux
ples 1 et 2 dans lexpression du gain.
ic
1
1
ic
------ = ------
---------------------- ---------------------e = 0
eg
p
p
1 + ------ 1 + ------
g

1
2

ic
= --------------------------------------------------
----( 1 )R g + r e + R E
eg = 0
1
1 = -----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------re
R C + R E + r e
C be ------------------ + C bc ------------------------------------ [ R g // ( + 1 ) ( r e + R E ) ]
re + RE
re + RE

2 = ---------------------------------------------------C bc ( R C + R E + r e )
Lapproximation de Miller permet dvaluer le ple prdominant
1 li la capacit globale dentre, limpdance interne du gn-

Pour raliser des sources commandes prsentant la fois un


gain en tension lev et une large bande passante, il faut minimiser
leffet de la capacit reliant lentre et la sortie, cest--dire rduire
lerreur de courant C dV/dt introduite par cette capacit.
La solution immdiate consiste minimiser C par un choix judicieux de composants, un cblage soign ou ladoption dune structure (type base commune) approprie.
On peut galement envisager de minimiser les variations de tension aux bornes de cette capacit en utilisant le courant comme
grandeur porteuse de linformation. La structure cascode dont le
schma de principe est donn la fgure 20 est une application
directe de cette remarque. On peut lanalyser comme lassociation
dune SCVI (transistor T1) charge par une SCII de gain unitaire
(transistor T2) qui isole le collecteur de T1 des variations de tension
aux bornes de la charge RC. Le ple introduit par son impdance
dentre est situ une frquence voisine de fT. La frquence de
coupure est donc fixe par Rc et Cbc. Le transistor T1 fonctionne en
SCVI charge par une impdance trs faible (re2). Son gain en tension dans la bande passante [re1/(re1 + R)] est galement trs faible.
Leffet Miller a donc t fortement attnu alors que le gain global
(vs/ve) reste pratiquement gal celui de la SCVV constitue par
T1 charg directement par Rc.

3.4 Comportement frquentiel


des structures boucles
amplificateur oprationnel
On a montr lintrt de la rtroaction en lectronique au
paragraphe 1.

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E 320 19

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________

Rc

T2

Vcc

Rg
+

T1

VB 0

Eg + e g

RE

a schma de principe

2 ie2
Cb'c1

Rg

Cb'c1

1 ie1

Cb'c 2

r e2

Cb'c 2

Rc

Vs

ie2

re1
ie1

eg

Ve
RE

b schma quivalent en rgime de variations


Figure 20 Structure cascode

La transmittance dun amplificateur oprationnel boucl de gain


Av peut se mettre sous la forme :

Z2

Av

s
--- = H ----------------- = H -------------------1 +
1 + Av
e

Z1

a schma simplifi pour l'tude en boucle ouverte

Lamplificateur oprationnel est en pratique ralis laide de


transistors dont la bande passante est limite. Lorsque la frquence
augmente, Av diminue et la transmittance s/e scarte de la valeur
idale H .

A v 
1
 

Gain en boucle
ferme

0 dB

f0

fc

fT

b bande passante
Figure 21 Structure boucle

E 320 20

H correspond la transmittance idale obtenue quand le gain


Av est infini. Av est le gain en boucle ouverte obtenu en annulant
les signaux dentre, en coupant la boucle et en valuant la transmittance de la boucle ouverte. Dans cette optique, les deux montages de base tudis prcdemment se ramnent celui de la
figure 21 avec = Z1/(Z1 + Z2).

Pour tudier linfluence de la frquence sur Av(f) et par


rpercussion sur s/e, nous considrerons dans un premier temps
que est rel et que Av possde un seul ple au dessus de laxe
0 dB.
Av ( 0 )
A v ( f ) = ------------------- pour f < f0
f
1 + j ---f0

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dB

/d
ca

1
 1

de

1
 2

Av ( f )
H 0 = ---------------------------1 + A v ( f )

A v 

20

Linfluence de la frquence sur Av se ramne ltude de


lexpression :

Ltude en fonction de la frquence portera sur le module des


transmittances et on confondra au un premier ordre la courbe relle
et ses asymptotes.

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX

e
ad
c
/d
dB
de
ca
20
B/d
0d
4

Si Av(f) > 1, H0 = 1/
Si Av(f) < 1, H0 = Av(f)

0 dB

On peut donc tudier Av(f) dans le plan de Bode ou 1/|| dans


le plan o on a dj report la courbe Av(f) fournie par le constructeur de lamplificateur oprationnel.

a systmes stables

La frquence de transition fT de lamplificateur oprationnel correspond au point o la caractristique de pente 20 dB/dcade


coupe laxe des 0 dB.

e
ad
c
/d
dB
20
+

1
 1
1
 2

de
ca
B/d
0d
4

On constate que la bande passante de la structure boucle est


dautant plus grande que son gain en boucle ferme est faible (la
frquence de coupure de la structure boucle est dsigne fc sur la
figure 21). Si la transmittance de lamplificateur oprationnel est du
premier ordre, le rapport fc / reste constant.

de
ca
d

fT, caractristique de lamplificateur donne par les constructeurs,


est en gnral comprise entre 500 kHz et une dizaine de mgahertz.

/
dB

fT = Av(0)f0

A v 

20

Av ( 0 )
A v ( f ) = ------------------f
1 + j ---f0

0 dB

b systmes instables
Figure 22 Critre de stabilit

4. Stabilit
4.1 Critre de stabilit
Dans la pratique, Av possde de nombreux ples (ples dus
lamplificateur oprationnel, ples dus aux capacits parasites et
). Le dphasage de Av peut donc atteindre pour une valeur finie
f. Si, cette frquence, le module de Av est suprieur 1, la structure boucle est instable.
Pour tudier la stabilit de la structure boucle, on pourrait utiliser
les mthodes gnrales de lautomatique. Cependant, en lectronique, un systme est considr comme stable sil respecte les conditions de stabilit dfinies dans la thorie de la raction et si son
comportement est voisin de celui des systmes amortissement
optimal. Compte tenu de la faible prcision sur la position des ples
et des zros, on raisonne sur les tracs asymptotiques de Av et de
1/ et on utilise le critre simplifi de stabilit suivant : le systme
boucl sera stable avec une marge de gain et de phase convenable
si les tracs asymptotiques des modules de Av et 1/ se coupent en
un point o la diffrence entre la pente du module de Av et celle du
module de 1/ est suprieure ou gale 20 dB/dcade (figure 22).
Le trac de 1/ doit ventuellement tenir compte des lments
parasites dstabilisants (capacits dentre et de sortie de lamplificateur oprationnel...).
La capacit parasite Ce entre les entres de lamplificateur oprationnel modifie la transmittance de retour . Dans lexemple de la
R1
figure 23, R1 est alors remplac par --------------------------- .
1 + R1 Ce p

R1 + R2
1
--- devient alors ------------------- [ 1 + ( R 1 // R 2 )C e p ] .
R2

Une capacit Cs (capacit parasite ou partie capacitive de la


charge) place en sortie dun amplificateur oprationnel de rsistance de sortie Rs non nulle modifie le gain en boucle ouverte Av et
tend dstabiliser la structure boucle.
Dans lexemple de la figure 24, 1/ devient :
R1 + R2 + Rs
1
--- = -------------------------------- [ 1 + [ R s // ( R 1 + R 2 ) ]C s p ]
R2

4.2 Stabilisation et compensation


Lorsque le critre de stabilit nest pas rempli, on peut stabiliser le
montage :
en agissant sur la transmittance de lamplificateur oprationnel ;
en agissant sur la transmittance de retour .
La premire solution est trs utilise et facile mettre en uvre
condition que lamplificateur oprationnel permette cette compensation.
La deuxime solution est toujours possible et permet souvent
dobtenir les meilleures performances. Sa mise en uvre est cependant plus dlicate.

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E 320 21

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R1

R2

R1

R2

Ce

Rs
Cs

a structure non compense


+

Av

C2

R1

a structure non compense

R2

Ce

Av 

A v 

+
1
 

b compensation possible

0 dB
1
Rs Cs

1
C s ( R s + R 3)

A v 

1
C (R1 // R2)

b compensation possible
1
 

R1

R2

0 dB

sans compensation :
1

R 1 + R2
R1

[1 + (R1//R2)Ce p]

avec compensation :
1

R1 + R2
R1

C3

R3
Rs

si R1Ce = R2C2

Cs

c rponse en frquence

Av

Figure 23 Influence de la capacit dentre


idal :
1

4.2.1 Stabilisation par action sur Av

Ce type de stabilisation, souvent appel compensation, consiste


modifier la rponse en frquence de lamplificateur oprationnel en
agissant sur la position du premier ple ou du second. Plusieurs
solutions sont possibles mais, dans tous les cas, il est prfrable de
suivre les indications des notices techniques fournies par le constructeur.

R1 + R2
R2
sans compensation :

Une solution simple consiste diminuer la premire frquence de


coupure de lamplificateur oprationnel pour repousser le second
ple du gain en boucle ouverte Av sous laxe 0 dB. Cette solution,
prconise pour la plupart des amplificateurs oprationnels possdant des bornes de compensation, exploite gnralement leffet
Miller affectant ltage de plus grand gain. Elle se rduit alors au
cblage dune capacit entre les bornes de compensation.

E 320 22

R1 + R2 + Rs
R1

[1 + Rs //(R1 + R2)Ce p]

avec compensation :
1

R1 + R2 [1 + (R1//R2)C3 p] [1 + (R3 + Rs )Cs p]


R2

1 + R2C3 p + R3R2C3Cs p 2

Si R3 << R1 et Rs << R2

c rponse en frquence

Figure 24 Influence de la capacit de sortie

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Dans le cas damplificateurs oprationnels conus sur le principe


de celui de la figure 17, la premire frquence de coupure est voisine de :

1
f 1 = -------------------------------------------------------------------2 ( R s1 // R e2 ) A v2 C comp

R2
Rg

Les bornes de compensation (points nots A et B sur la figure 18)


permettent daccder lentre et la sortie de ltage imposant le
ple dominant pour augmenter la valeur de Ccomp par cblage dune
capacit externe de lordre de quelques dizaines de picofarads et
diminuer la frquence f1.

Vs

a principe

A v 

Une tude plus fine de la rponse en frquence de lamplificateur


oprationnel montrerait que le deuxime ple contribue dstabiliser la structure boucle. Cette solution de compensation a pour effet
secondaire den augmenter la valeur (effet de rpulsion des ples ou
splitting pole) et damliorer la marge de phase.

Av 

1
 

Cette technique de compensation peut tre mise en uvre trs


simplement sans affecter le rseau de raction ralisant le facteur de
retour . Par contre, la vitesse de balayage de lamplificateur oprationnel, inversement proportionnelle la capacit dentre du
second tage, se trouve diminue. Par ailleurs, la bande passante de
lamplificateur oprationnel est rduite et tend diminuer la prcision du systme boucl.

0 dB
1
R2 C

f
1
(R1 // R2)C

sans compensation :
1

4.2.2 Stabilisation par action sur la transmittance


de retour

Eg

Les amplificateurs compenss intrieurement sont dots dune


capacit de compensation interne qui positionne le second ple du
gain Av de lamplificateur oprationnel sur laxe 0 dB et garantit
alors la stabilit de toute structure reboucle par un facteur de
retour rel et de module infrieur 1 (1/ > 0 dB). Les bornes de
compensation nexistent alors pas ncessairement.

On trouvera dans les ouvrages cits en bibliographie [5] [6],


dautres techniques de compensation plus complexes (compensation deux ples, compensation par avance de phase).

R1

R1 + R2
R1

avec compensation :
1 R1 + R2 (R1 // R2)C p + 1
=
R1
R 2C p + 1

b rponse en frquence
Figure 25 Compensation par action sur le facteur de retour

Pour stabiliser une structure reboucle instable, il est toujours


possible de modifier la rponse en frquence du facteur de retour
pour que le critre de stabilit soit respect. Cette solution naffecte
pas les performances de lamplificateur oprationnel (vitesse de
balayage en particulier). En revanche, elle est moins systmatique
que les prcdentes car les solutions possibles dpendent de chaque rseau de raction particulier.
Considrons par exemple, le montage inverseur instable de la
figure 25. La droite 1/ coupe le trac asymptotique de Av en un
point o la pente vaut 40 dB/dcade. Pour stabiliser le montage,
on peut placer un condensateur C en parallle sur R2 de faon ce
que ne soit plus constant et tel que la diffrence des pentes des tracs asymptotiques de Av et 1/ soit de 20 dB/dcade.
Les figures 23 et 24 proposent, en complment quelques exemples de solutions pour remdier leffet nfaste des capacits
dentre et de sortie.

5. Comportement
des amplificateurs vis--vis
du bruit

premier temps, les diffrentes sources de bruit associes aux lments passifs et actifs usuels (rsistances, transistors...) puis on
valuera linfluence du bruit sur les performances dun tage amplificateur transistor ou amplificateur oprationnel. On donnera,
enfin, quelques indications pour le minimiser.

5.1 Mthodologie dtude


Ltude rigoureuse des bruits fait appel au modle mathmatique
de processus alatoire dfini par la thorie des probabilits et des
statistiques.
La densit spectrale de puissance permet de caractriser la
rpartition de la puissance du signal dans le domaine frquentiel.
Pour la dfinir, considrons un signal x(t) lentre dun filtre passe
bande centr sur f0 et de largeur df. Lorsque df tend vers zro, la
valeur quadratique moyenne dx f2 du signal dxf (t) filtr tend vers
zro mais le rapport S x ( f 0 ) = dx f2 df reste fini et gal la densit

Nota : le lecteur pourra utilement se reporter larticle Bruit de fond et mesures


[E 1 150], rf. [23] dans le prsent trait et aux rfrences [11] [13] de la bibliographie.

spectrale de puissance du signal x(t) au point f = f0. Elle sexprime en

On tudiera dans ce paragraphe linfluence du bruit sur les performances dun amplificateur faibles niveaux. On rappellera, dans un

A2/Hz ou en V2/Hz selon la nature de la grandeur lectrique qui porte


x(t).

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E 320 23

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Dans une bande de frquences [f0 df /2, f0 + df /2], le signal dx(t)


peut tre assimil un signal sinusodal de frquence f0 et de valeur
S x ( f 0 )df .

efficace

Pour tudier linfluence du bruit, nous nous contenterons ici de


complter les modles de composants proposs prcdemment
(figures 10 et 11) en introduisant des sources de courant dlivrant
un signal alatoire que nous caractriserons par leur densit spectrale de puissance. La mthodologie adopter pour valuer la densit spectrale de puissance du signal de bruit recueilli en un point
particulier du circuit peut donc se dcomposer comme suit :
1) modliser chaque composant lmentaire en introduisant dans
le schma quivalent en petits signaux les sources de bruit affectant
cet lment et dont les origines physiques seront dcrites dans le
prochain paragraphe ;
2) dans une bande de frquences [f0 df /2, f0 + df /2], remplacer
chaque source de courant alatoire par une source sinusodale de
mme valeur efficace afin de pouvoir utiliser les rsultats et les
mthodes dcrits dans la thorie des circuits linaires. Lorientation
de ces sources est sans importance car elles interviennent dans
lexpression de la densit spectrale du bruit en un point donn par
lintermdiaire de leur valeur quadratique moyenne ;
3) valuer la densit spectrale de puissance du signal en un point
particulier en tenant compte des ventuelles corrlations entre les
sources. Si on a pris soin dadopter une modlisation faisant intervenir des sources de bruit indpendantes ou peu correles, ce calcul
se ramne une somme quadratique des diffrentes contributions
lmentaires ;
4) calculer si besoin la valeur efficace du bruit en un point du circuit sur un intervalle de frquences [f1, f2] par intgration de la densit spectrale de puissance.

5.2 Origine et modlisation


des phnomnes
Les diffrents bruits qui peuvent intervenir dans les montages
lectroniques ont des origines varies. On ne retiendra ici que les
trois plus importants qui sont : le bruit thermique, le bruit de grenaille et le bruit de scintillement.
Le bruit thermique est d lagitation thermique alatoire des
lectrons. Il reprsente la valeur minimale du bruit dans un lment
rsistif. Dans le domaine de frquences tudi, sa densit spectrale
de puissance disponible peut tre considre comme constante
(bruit blanc) et gale :
S(f) = kT
avec

constante de Boltzmann (k = 1,38 1023 J/K),

temprature absolue.

Le bruit de grenaille est d aux fluctuations alatoires des courants dans les composants lectroniques actifs (diodes, transistors...).
Dans le cas dune jonction PN, la loi de Shockley traduisant le
comportement lectrique macroscopique fait apparatre deux flux
de porteurs. Compte tenu de la quantification de la matire, chaque
flux nest pas rigoureusement continu. Pour traduire le franchissement alatoire de la barrire de potentiel, on peut associer chacun
de ces flux un bruit indpendant de lautre, de densit spectrale de
puissance S(f) = 2qIx. La densit spectrale de puissance du bruit
de grenaille constitu de ces deux composantes est donc gale :
qV
S ( f ) = 2q I s exp -------- + I s 2qI

kT
avec

Is
q

E 320 24

courant de saturation,
charge de llectron (1,6 1019 C).

Elle dpend de la valeur du courant I qui polarise le composant.


Le bruit de scintillement appel parfois galement bruit en 1/f
existe dans tous les composants lectroniques actifs et dans certains composants passifs (rsistances au carbone...). Comme le
bruit de grenaille, ce bruit est toujours associ un courant continu
parcourant le composant et dpend donc de sa polarisation statique. Sa densit spectrale de puissance est gale :
KI a
S ( f ) = --------f
avec

coefficient dpendant de la technologie de


fabrication du composant,

valeur du courant parcourant le composant


(polarisation statique),

exposant compris entre 0,5 et 2.

5.3 Modlisation des composants


bruyants vis--vis du bruit
Le bruit intervenant dans un composant lmentaire (rsistance,
transistor...) peut tre modlis en incluant, dans le schma quivalent en rgime de variations, des sources de courant alatoire traduisant un mcanisme de bruit dcrit prcdemment.
Un systme lectronique est toujours plac dans un environnement extrieur et recueille des signaux parasites qui se transmettent
lintrieur par conduction, couplage capacitif ou inductif. Ltude
de ces phnomnes, importants dans la pratique, est du ressort de
la compatibilit lectromagntique [E 3 750], rf. [24]. On nen tiendra pas compte dans la suite de cet article et on se limitera ltude
de linfluence du bruit interne aux composants constituant le systme.

5.3.1 Rsistances
Une rsistance R la temprature T (K) est le sige dun bruit thermique qui peut tre reprsent par une source de courant
(figure 26) dlivrant un signal alatoire iR dont la densit spectrale
est gale :
di R2
4kT
--------------- = ---------df
R
La puissance disponible de bruit Pd est bien gale :
Pd = kT df
Cette puissance ne dpend pas de la rsistance R.
On peut galement faire intervenir un bruit en 1/f dpendant de la
technologie de fabrication de la rsistance. La densit spectrale de
puissance du bruit devient alors :
di R2
4kT KI 2
--------------- = ---------- + --------df
R
f
Pour raliser des amplificateurs faible bruit, on privilgiera donc
les rsistances couches mtalliques qui prsentent de meilleures
caractristiques.

5.3.2 Transistor jonction


Plusieurs modlisations du bruit affectant le transistor bipolaire
sont possibles. On retiendra ici celle de la figure 10.

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vb

Rg

iR

Source
commande
sans bruit

ib

Eg

Figure 26 Modlisation du bruit dune rsistance

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX

Vs

a par un quadriple de bruit (vb , ib )


Rg

Le bruit de grenaille nest pas reprsent directement par deux


sources de courant alatoire en parallle sur les diodes base-metteur et base-collecteur car, par effet transistor, ces sources de bruit
seraient fortement correles. On adopte donc une modlisation diffrente faisant intervenir deux sources de courant notes ib et ic qui
peuvent tre considres comme indpendantes.

veq
Source
commande
sans bruit

Vs

La source ib comporte un terme reprsentant le bruit en 1/f :


di c2
-------------- = 2qI C
df

b par une source de bruit quivalent ramen l'entre veq


Figure 27 Modlisation globale des bruits dun amplificateur
entre rfrence

di b2
KI Ba
--------------- = 2qI B + --------df
f
avec

coefficient dpendant de la technologie de


fabrication du composant,

IC et IB

valeurs du courant parcourant le collecteur et la


base (polarisation statique) (IC = IB),

exposant compris entre 0,5 et 2.

5.3.3 Transistor effet de champ


Le canal dun transistor effet de champ tant rsistif, le bruit
principal affectant ce type de transistor sera le bruit thermique
modlis sur le schma de la figure 11 par la source de courant id
qui tient compte galement dun bruit en 1/f :
di d2
KI Da
2
--------------- = 4kT --- g m + ---------f
df
3
avec

gm

transconductance du transistor,

coefficient dpendant de la technologie de


fabrication du composant,

ID

courant parcourant
statique),

exposant compris entre 0,5 et 2.

le

canal

(polarisation

Cette modlisation peut tre adopte pour caractriser les transistors effet de champ grille isole (MOSFET) ou jonction (JFET).
On notera cependant, qu lheure actuelle, le bruit en 1/f des premiers est nettement plus important que celui des seconds.

5.3.4 Modlisation globale des bruits dun tage


amplificateur
Ltude dun amplificateur en faisant intervenir les sources lmentaires intervenant au niveau de chaque composant devient vite
trs complexe ds que le nombre de composants devient important.
Une telle approche qui ne peut tre mise en uvre quau sein dun
simulateur lectrique sur ordinateur ne permet pas non plus de
caractriser les performances globales de lensemble vis--vis du
bruit.

Les diffrentes sources lmentaires de bruit internes aux composants produisent en sortie dun systme linaire (tage amplificateur) un signal parasite qui se superpose au signal utile dlivr par
la source Eg. Ces sources constituent des sources indpendantes
internes au quadriple quivalent dont on peut modliser globalement leffet, comme nous lavons fait pour le dcalage en sortie, en
introduisant un quadriple de bruit.
On peut ainsi dissocier la gnration du bruit et la fonction principale du quadriple (amplification) en considrant dune part ltage
amplificateur sans source de bruit et un quadriple de bruit (vb, ib)
traduisant globalement vis--vis de la sortie leffet des sources de
bruit dues aux diffrents composants constituant ltage amplificateur (figure 27 a). Ces sources vb et ib peuvent tre correles ou
non. Elles sont indpendantes de la source (Eg, Rg).
Par transformation de Thvenin, on peut galement se ramener
une modlisation ne faisant intervenir quune source unique
(figure 27 b). Cette source quivalente de bruit ramen lentre
dpend alors de la valeur de limpdance de la source.
2 v 2 + R 2 i 2 si on nglige les corrlations ventuelles
( v eq
b
g b
entre vb et ib).
Cette modlisation globale peut tre utilise pour caractriser les
tages amplificateurs lmentaires transistors bipolaires ou effet
de champ dcrits prcdemment.
On peut montrer par exemple [11] [13] que le bruit de ltage lmentaire de type SCVI transistor bipolaire, tudi au
paragraphe 2.2.3.1, peut tre modlis par une source quivalente
de bruit ramen lentre veq gale, si on nglige linfluence du
bruit en 1/f, :
2
dv eq
UT ( Rg + RE ) 2
IC
------------------- = 2q ----- ( R g + R E ) 2 + 2qI C ------- + ------------------------- + 4kTR E

IC

df

avec

UT

tension thermodynamique (= kT/q).

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E 320 25

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX _______________________________________________________________________________________________________

Lorsque le transistor est polaris une valeur du courant collecteur gale ICopt, la densit spectrale de puissance de cette source
quivalente de bruit est minimale et gale :
2
+1
dv eq
------------------- mm = 4kT ( R g + R E ) -------------------------- pour
df
+11
kT

I C = I Copt = ----------------------------- ----------------q ( Rg + RE ) + 1

ib1
Rg 1

vb

Source
commande
sans bruit

Rg 2

Eg 1

Vs

5.3.5 Amplificateur oprationnel


+

Les constructeurs caractrisent le bruit des amplificateurs oprationnels laide dun quadriple quivalent de bruit ramen
lentre (figure 28), dont ils fournissent la densit spectrale de puissance.

5.4 Facteur et temprature de bruit


Le facteur et la temprature de bruit sont deux autres reprsentations globales possibles des bruits dun amplificateur. Leur utilisation est frquente dans le cas des amplificateurs HF bande troite.
Considrons un quadriple rel Q la temprature T0 attaqu par
une source de rsistance interne Rg la mme temprature T0.
Notons Gd le gain en puissance disponible de ce quadriple.
La puissance disponible de bruit Ng de la rsistance Rg dans une
bande de frquence de largeur f est gale :
Ng = kT0 f
La puissance disponible de bruit Ns en sortie du quadriple (qui
peut se calculer en dterminant le schma quivalent de Thvenin
en sortie du quadriple) serait gale, si le quadriple Q tait non
bruyant, :
Ns = Gd kT0 f

Eg 2

ib 2

Figure 28 Modlisation globale des bruits dun amplificateur


entre diffrentielle

Le facteur de bruit peut alors sexprimer partir de la relation :


Sg Ng
F = -----------------Ss Ns
Si la source et le quadriple sont la mme temprature et si la
puissance disponible de bruit Ng est uniquement due la rsistance
Rg, le facteur de bruit F reprsente la dgradation du rapport signal
sur bruit. Cest une caractristique de lensemble quadriple rsistance Rg indpendante de la charge du quadriple.
Le bruit propre apport par le quadriple est gal :
NQ = (F 1) Gd k T0 f
On dfinit alors la temprature quivalente de bruit Teq du quadriple en posant :
NQ = Gd k Teq f

Q tant bruyant, la puissance disponible N s en sortie est suprieure Ns.

cest--dire Teq = (F 1)T0.

On appelle facteur de bruit F du quadriple Q, attaqu par un


gnrateur de rsistance interne Rg, le rapport :

Tout se passe comme si le quadriple ntait pas bruyant et que la


source tait la temprature T0 + Teq o Teq = (F 1)T0.

N s
F = --------Ns
Le facteur de bruit peut sexprimer en fonction des sources vb et
ib intervenant dans le quadriple de bruit de la figure 26 a ou en
fonction de la source quivalente de bruit ramen lentre de la
figure 26 b.

Lutilisation des notions de facteur et de temprature de bruit est


bien adapte au cas o la structure tudie est constitue de n quadriples placs en cascade et que leurs impdances dentre et de
sortie sont adaptes (configuration classique en amplification HF en
bande troite). En appelant Fn le facteur de bruit et Gdn le gain en
puissance disponible du ne quadriple attaqu par une source dont
limpdance interne est gale limpdance de sortie du (n 1)e
quadriple, le facteur de bruit F de la chane complte sexprime par
la formule de Friis :

2
2 + v2
v b2 + R g2 i b2 + v Rg
v eq
Rg
F = ------------------------------------------------------------ = ------------------------------------2
2
v Rg
v Rg

F2 1
F3 1
Fn 1
F = F 1 + --------------- + --------------------- + ... + -----------------------------------------------G d1
G d1 G d2
G d1 G d2 ...G d ( n 1 )

soit N s = FG d kT 0 f = FG d N g .

Il caractrise donc le rapport entre le bruit total apport par le quadriple et la source et le bruit d uniquement la source. Il faut donc
tre trs prudent car le facteur de bruit peut tre minimal sans que
pour autant le bruit en sortie le soit. Il suffit en effet daugmenter le
bruit apport par la source pour rduire le facteur de bruit sans amliorer pour autant les performances de lamplificateur.
Si on fait intervenir la puissance disponible Sg du signal utile du
gnrateur et la puissance disponible de signal utile Ss en sortie, on
peut crire :
Ss = Gd Sg

E 320 26

On remarque donc que si le premier quadriple a un gain en puissance disponible lev, le facteur de bruit de la chane est pratiquement gal au facteur de bruit du premier quadriple (F F1).

5.5 Minimisation du bruit


Loptimisation des performances dun amplificateur vis--vis du
bruit consiste minimiser la puissance du bruit qui lui est inhrent,

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calcul en sortie ou ramen en entre sous la forme dun quadriple


de bruit. Plusieurs niveaux daction sont possibles.
Tout dabord, en limitant la bande passante de lamplificateur au
strict minimum ncessaire, on limine par effet de filtrage les composantes de bruit situes en dehors de la bande de frquence utile.
Cette action est gnralement simple mettre en uvre et peut
conduire une augmentation significative du rapport signal/bruit.
On peut ensuite agir sur la structure globale de lamplificateur en
optimisant par exemple les performances de ltage situ le plus en
amont de la chane en relchant au besoin les autres caractristiques de cet tage. Lors de la conception de ce premier tage, on vitera lemploi de structures charges actives ou les polarisations par
pont de base, bruyantes par essence.

On pourra enfin agir au niveau des sources lmentaires en intervenant sur les grandeurs dinfluence qui leur sont associes [temprature (bruit thermique), polarisation statique (bruit de grenaille et
bruit en 1/f), polarisation des transistors bipolaires ICopt] et sur la
qualit des composants (rsistances couche mtallique, transistor
faible bruit...) pour minimiser le coefficient K intervenant dans le
bruit en 1/f. Le choix dune alimentation sur pile ou accumulateur
permettra de se prmunir des bruits extrieurs issus du rseau lectrique (ondulation rsiduelle, parasites...).

La tension de bruit ramen en entre quivalente veq que lon


peut calculer en appliquant le thorme de Thvenin lensemble
source quadriple de bruit est gale :
2 v 2 + R 2 i 2
v eq
b
g b

En fonction de la valeur de la rsistance Rg, on choisira le disposi2 . Si R est faible, on


tif technologique permettant de minimiser v eq
g
choisira plutt un transistor bipolaire puisque car ce type de composant offre une valeur faible de vb. A contrario, si la valeur de Rg est
leve, on cherchera minimiser ib. Le choix dun transistor effet
de champ sera alors mieux adapt.
La figure 29 propose un choix de dispositif technologique pour
une valeur de rsistance Rg donne.

AMPLIFICATEURS FAIBLES NIVEAUX

MOSFET
JFET
Transistor bipolaire

10 102 103 104 105 106 107 108 109 1010

Rg ()

Figure 29 Choix du type de composant en fonction de la rsistance


de source

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