SEMICONDUCTORES: DIODO RECTIFICADOR

1- OBJETIVOS:

a) Polarizacin directa e indirecta

b) Mtodo para determinacin de la curva caracterstica para un diodo
de Ge y Si.
c) Uso como rectificador de media onda y onda completa.
Caractersticas de cada caso.
d) Filtrado

2- FUNDAMENTOS TERICOS
Una sustancia semiconductora es aquella que queda entre lo que hemos definido
como conductor y no conductor entre los metales y aislante; por lo tanto es un
tipo de material que bajo ciertas condiciones puede actuar de una u otra forma. Si
la capacidad de conducir o no corriente la circunscribimos a la propiedad del
material y mas intrnsecamente a la estructura molecular del material, podemos
inferir que un conductor (Cu) es aquel que tiene una estructura atmica tal en que
es fcil liberar cargas elctricas, desprender electrones mientras que un aislante
no desprende electrones o por lo menos le es muy difcil llegar a un lugar del tomo
en el que desprenda electrones (................). Hay otros materiales en que su
estructura molecular le permite bajo ciertas condiciones liberar o no cargas
elctricas. Uno de esos materiales es el Ge (germanio) y el Si(silicio).
La estructura atmica para permanecer neutra requiere de 8 electrones en su
ultima orbita. (resonancia)

ESTRUCTURA ATOMICA DEL Ge

Lo mismo es valido para el Si.
La capa exterior de un tomo de Ge posee 4 electrones, estos 4 electrones de un
tomo se alinean con los 4 electrones de un tomo adyacente para crear un enlace
covalente o pares de electrones compartidos. Estos enlaces crean una estructura
cristalina que es geomtricamente estable. Se llega a una condicin en que en la
ltima rbita hay 8 electrones.
Luego podemos decir que un tomo de Ge es geomtricamente hablando una
estructura con un ncleo (4 PROTONES) y 4 electrones en su ltima rbita que
tienden a buscar el equilibrio.

+4
+4

+4

+4
+4
+4

1 tomo de Ge

+4

varios tomos compartiendo electrones

cuando forman la estructura cristalina los 4 electrones de un tomo son

compartidos por los electrones de los otros tomos adyacentes formando enlaces
covalentes. Hay pocos electrones libres como para conducir corriente
Si en este material aumentamos la temperatura la resistencia hmica disminuye y
los electrones adquieren suficiente energa cintica como para actuar como
portadores de corriente cuando estn bajo un campo elctrico. Este electrn que
puede dejar el enlace covalente deja un espacio vaco o hueco en la ligadura y
tambin a estos huecos se los considera portadores de corriente.
Este tipo de conduccin intrnseca tiene 2 desventajas :
1- requiere una fuente de gran cantidad de energa para poder romper los
enlaces
2- los portadores que se generan huecos y electrones se producen en
cantidades iguales, y lo que se busca es tener una corriente de uno u otro
tipo.
Para solucionar este problema se ha encontrado que la adicin de ciertas impurezas
reduce estas caractersticas indeseables.
SEMICONDUCTORES DOPADOS
El arsnico es una sustancia que posee 5 electrones de valencia en vez de 4 como el
Ge.
Consideremos la adicin de una pequea cantidad de arsnico en una masa de Ge.
Entonces 4 de los electrones del Ar formaran enlaces covalentes con 4 de los
electrones del Ge, quedando un quinto electrn dbilmente ligado y sin ningn lugar
particular a donde ir. Si este electrn se aleja de la estructura quedar un in de
arsnico cargado positivamente (en el ncleo quedan 5 protones)

+4

+4

Una pequea cantidad de

energa es suficiente
para que este e- pase a
conducir. Por otro lado
no deja detrs ningn
hueco o vaco.
Este Ge rico en
electrones se denomina
tipo N y las impurezas
son tomos donadores.

+4
e-

+4

+5

+4

+4

+4

+4

Si las impurezas son trivalentes 3

electrones de valencia se produce
un Ge tipo P y las impurezas son
aceptoras. Ahora hay un enlace
incompleto al que le falta un
electrn, por lo tanto el nico
portador es el hueco y tenemos
abundancia de cargas positivas
libres quedando los iones de la
impureza cargados negativamente

+4

+4

+4
e+

+4

+3

+4

+4

+4

+4

EL DIODO DE UNION
Las diversas tcnicas de fabricacin de diodos y transistores tienen un objetivo
comn que es producir un cristal en donde estn presentes una o mas uniones PN.
Una unin PN puede ser considerada como la frontera entre una capa de material P
y una de material N. Para simplificar el estudio suponga un estrato de material
tipo P que se junta con un material tipo N.

+
+
+

+
+
+

N
+
- +
-

donde los
y los
Los signos

son los iones positivos de la impureza que han perdido su electrn

son los iones negativos de la impureza que han capturado electrones.

+ son los huecos libres que se desplazan a travs de la regin P y los

signos son los electrones libres de la regin N.

Tanto una como otra regin son elctricamente neutras por existir igual cantidad
de carga en uno u otro sentido.
Suponga que acaba de formar la unin , la temperatura es constante y no hay
aplicado ningn potencial externo. Como la concentracin de huecos del lado P es
mucho mayor que del lado N estos tienden a difundirse del lado P al N , en lenguaje
tcnico decimos que existe un gradiente de la concentracin de huecos de P hacia
N. Anlogamente hay un gradiente de concentracin de electrones de N hacia P.
Podramos pensar que estos se recombinan hasta que no quedan mas portadores.
Esto no es as ya que por cada hueco queda un in negativo sin neutralizar y por
cada electrn que atraviesa la unin queda un in positivo. Estos iones se llaman
cargas descubiertas y el campo elctrico que forman se puede representar como
una batera

El flujo de electrones y huecos es una corriente de recombinacin que no persiste

en el tiempo ya que las cargas descubiertas en uno y otro lado comienzan a
rechazar las partculas de igual signo. Por lo tanto la batera representa el
potencial de barrera establecido por las cargas descubiertas que se opone a la
corriente de recombinacin por lo tanto uno pensara que se llega a una situacin de
equilibrio. Sin embargo la realidad es que ningn material P o N es perfectamente
puro. El material P tiene algunos electrones libres originados por la ruptura del
enlace debido a la agitacin trmica estos constituyen una corriente minoritaria y
si llega a la barrera ser atrado por la carga descubierta del lado N debido a la
direccin del campo. El mismo razonamiento se aplica a un hueco de la regin N
generado trmicamente. Esta corriente minoritaria se la conoce como corriente de
saturacin y depende nicamente de la temperatura. En condiciones de equilibrio la
corriente de recombinacion y la corriente de saturacin deben ser iguales ya que
ambas son opuestas, lo que se corresponde con un corto circuito en la unin.
Esta estructura cristalina es lo que constituye un diodo de unin al que se lo
esquematiza de la siguiente forma.
Anodo+ ctodo-

POLARIZACION DIRECTA
Coloque una fuente externa con la polaridad indicada en el grfico. Se observa que
esta disposicin tiende a disminuir la barrera de potencial que generan las cargas
descubiertas ya que son fuentes que se restan. Podemos suponer fsicamente que
la fuente entrega huecos a la regin P y el terminal negativo entrega electrones a
la regin N produciendo un efecto neto de reducir la barrera anterior y
restableciendo la circulacin de portadores mayoritarios. Sin embargo el
mecanismo de V es controlar la barrera y no impulsar cargas.
La barrera puede ser reducida pero no destruida ya que cualquier intento de
aplicar una tensin V mayor da como resultado la destruccin del cristal debido al
excesivo calor disipado en el (generacin trmica).

nodo

ctodo

Esta disposicin de borne positivo al material tipo

P y el borne negativo al N o dicho de otra forma
cuando el potencial aplicado a es mayor que el
potencial de N decimos que est POLARIZADO
DIRECTAMENTE. En estas condiciones puede
fluir una corriente apreciable.

Si graficamos la corriente en funcin de la tensin,

A
B
veremos que al ir aumentando V la corriente aumenta
muy lentamente, regin A, debido a que la tensin no ha
reducido tanto la barrera. Si V se sigue aumentando
V
veremos que en un momento la I tiende a aumentar muy
rpidamente, la corriente de recombinacin se ha hecho
lo suficientemente grande, regio B. la corriente debido a la temperatura no ha
aumentado por que sta solo depende de la temperatura y no de la V aplicada.
POLARIZACION INVERSA
Si invertimos la polaridad de la
Fuente el diodo queda polarizado inversamente
El campo establecido a travs del cristal ayuda
A la barrera a impedir el paso de portadores
Y la corriente que circula es muy pequea debida casi en su totalidad a la corriente
inversa de saturacin IO Cuando aumenta aun ms la tensin en sentido inverso
llegando a la tensin de ruptura VZ se observa que la corriente aumenta
bruscamente. Este aumento brusco se puede deber a dos fenmenos:

1- ruptura zener:
aumentando V se aumenta el campo elctrico lo que provoca la
ruptura de los enlaces covalentes.
2- ruptura por avalancha:
los electrones libres al ser acelerados por el campo elctrico chocan
con tomos vecinos provocando la liberacin de mas portadores y
llegando a una reaccin en cadena.
CARACTERSTICA TENSIN CORRIENTE
La corriente en el diodo esta relacionada con la tensin por la siguiente ecuacin:

I= IO ( eV/Vt - 1)

donde :
I = corriente en el diodo
IO = corriente inversa de saturacin
V = tensin de polarizacin
= constante para el Ge = 1 y
para el Si = 2
Vt = equivalente en tensin de la
temperatura Vt =T / 11600 ( T en K )
e = base de logaritmo neperiano 2.73

VZ

IO

Vtensin umbral: 0.2V para Ge y 0.6 para Si por

debajo de este valor la corriente directa es muy pequea

ESPECIFICACIONES DEL FABRICANTE:

1- TENSIN INVERSA DE PICO: mxima tensin inversa que puede ser
aplicada antes de alcanzar el punto de ruptura por avalancha
2- MXIMA TENSIN DE ENTRADA EFICAZ: es la mxima tensin ef que
puede ser aplicada para una carga resistiva o inductiva.. si la carga es
capacitiva la TPI puede ser mayor que la v de entrada => habr que reducirla
3- Mxima corriente directa media : mxima corriente permisible en sentido
directo
4- Corriente de cresta recurrente directa: mxima corriente directa
instantnea repetitiva admisible para una f (60Hz/50Hz) y una temperatura
determinada de la unin.
5- Mxima corriente inversa: mxima corriente de fuga cuando el diodo esta
polarizado a la tensin de cresta inversa
6- Corriente directa degradada : corriente continua que puede pasar para una
temperatura dada

4-USO COMO RECTIFICADOR

RMO: rectificador de media onda

I
Ief
Im

Un valor importante a tener en cuenta es la relacin entre la tensin eficaz

entregada por el trafo y la Vcc ( el valor medio de la CC pulsante) en la carga .
Vcc = Vmax /
Vef = 0.707 Vmax
Vcc = 1.41 Vef/ = 0.45 Vef
= Vmax = 1.41 Vef = Vcc

Luego
La TPI

R.O.C rectificador de onda completa

I

Ief
Im

Vef = 0.707 Vmax

Vcc = 2 ( de la anterior) = 2 (1.41 Vef / = 0.9 Vef
TPI = 2 Vmax = 2x 1.41 Vef
Donde Vef es la tensin eficaz de la mitad del trafo.
R.O.C rectificador en puente.

Vcc = 0.9 Vef

TPI = 2 Vmax/2 = Vmax.
5-FILTROS
Dado que los requerimientos de una fuente de alimentacin son obtener una onda
continua lo mas pura posible seria necesario eliminar las componentes alternas de
la onda pulsante. Esto se logra con distintos filtros que permiten aprovechar la
caracterstica de variacin con la frecuencia de los elementos reactivos.
Estos debern tener la configuracin de filtros pasa bajos. Filtro RC o LC.

Vr = Io / 2 . 1,41 . F . C
C = Io / 2 . 1,41 . F . Vr
Io ......corriente que entrega
F = f (frecuencia) si es 1/2 onda
F =2. f (frecuencia) si es onda completa o puente
Vr tensin de rizado o Ripple

Vr

DIODO COMO REGULADOR- ZENER

Un regulador de tensin es un dispositivo activo colocado entre la fuente de
alimentacin y la carga que permite obtener una tensin de salida estable e
independiente tanto de las variaciones de la tensin de entrada como de la carga.
1-Caracterstica del Zener
la diferencia entre el diodo zener y el diodo comn es que en el primero la tensin
de ruptura es perfectamente conocida y es esta caracterstica inversa la que se
aprovecha ya que un diodo zener polarizado en forma directa responde de la
misma forma que un diodo comn. Observe en la figura 1 la curva de polarizacin
inversa.
-Vzmax - Vzmin
0
-V

- Izmin

-Izmax
-Iz

fig 1

vemos que:
a- a medida que aumenta la tensin por el zener no circula corriente hasta un
determinado punto en que la corriente aumenta bruscamente que
corresponde a la tensin de ruptura
b- superada esta tensin cualquier variacin en la corriente no afecta
mayormente la tensin en los terminales del zener.
Rp

+
trafo

rectificador

filtro

Dz
Rc
Vs
regulador estabilizador carga

masa

Variaciones de la tensin de entrada con Rc constante

Vs = Ve If Rp
If = Iz + Ic
Vs = Ve ( Iz +Ic ) Rp

1- si Ve aumenta la Vs tiende a aumentar => aumenta considerablemente Iz y

aumenta la cada en Rp y compensa la variacin de Ve.
2- Si Ve disminuye la cada en Rp y compensa a Ve
Variacin de Rc con Ve constante:
Vs = Ve ( Iz +Ic ) Rp
1- un aumento de Ic aumenta la cada en Rp baja la Vs baja la Iz y compensa a
Ic manteniendo constante a If
2- una disminucin de Ic aumenta Vs => aumenta Iz y mantiene a If
Practica
1- obtener la curva del zener con polarizacin inversa. Implemente el circuito
correspondiente. Indique para que valor de corriente comienza a regular
2- Manteniendo una carga constante vare la tensin de entrada e indique para
que valor de Vemin se obtiene una Vs constante
3- Para una Ve constante vare la Rc y obtenga el valor mnimo de Rc para el
cual puede obtener un funcionamiento optimo como regulador
4- Vuelque los valores en una tabla
5- Obtenga la hoja de datos del zener.

http://clotho.ujavcali.edu.co/jaguilar/el1/Elect1b.html
http://www.fairchildsemi.com/

Fairchild Semiconductor - Search Fairchild Datasheets