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Caracterizacin de Detectores Mosfet para

Dosimetra In Vivo de Pacientes de Radioterapia
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Revista Colombiana de Fsica, vol. 40, No. 1, Abril 2008

Caracterizacin de Detectores Mosfet para Dosimetra In Vivo de

Pacientes de Radioterapia
Z. Valderrama1 , H. Machado2, MC. Plazas1
1

Universidad Nacional de Colombia, Departamento de Fsica, sede Bogot.

Instituto Nacional de Cancerologa E.S.E, Grupo de Fsica Mdica, Bogot.

Recibido 22 de Oct. 2007; Aceptado 3 de Mar. 2008; Publicado en lnea 15 de Abr. 2008

Resumen
La dosimetra con detectores tipo MOSFET permite verificar la dosis recibida por un paciente, cuantificando la sub o sobredosificacin al inicio del tratamiento de radioterapia o durante el proceso del mismo de modo que las correcciones puedan ser hechas en fracciones posteriores. Esto contribuye a la evaluacin de incertidumbres en la planeacin dosimtrica y
entrega de dosis en el tejido blanco y en los rganos de riesgo; as como tambin permite detectar posibles anomalas en el
funcionamiento de los equipos emisores de radiaciones ionizantes. El propsito de este trabajo es mostrar la viabilidad de
una rutina de dosimetra usando detectores MOSFET. Para alcanzar este propsito, se determinaron las caractersticas de
respuesta de los MOSFET usando un haz de fotones de 6MV.
Palabras claves: MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistors), radiaciones ionizantes, dosimetra.

Abstract
The dosimetry with MOSFET detectors allows us to verify the dose received by a patient, detecting a possible sub or over
dosage at the beginning of the radiation treatment or during the course of it. In such a way, those corrections can be made
on subsequent fractions. This contributes to the evaluation of uncertainties on the planning and delivery of dose to the target volume and organs at risk. At the same time, it allows to detect possible abnormalities on the operation of radiation
emitting equipment. The purpose of this work is to show the viability of a quality assurance routine using a Mosfet system.
To reach the goal, Mosfet detectors response characteristics were determined by means of a 6MV beam.
Key Words: MOSFET, ionizing radiations, dosimetry.
2008 Revista Colombiana de Fsica. Todos los derechos reservados.

1. Introduccin
La dosis de radiacin suministrada a un paciente durante su
tratamiento de radioterapia es importante cuando existen
rganos de riesgo. De hecho, en algunos tratamientos de
radioterapia es importante conocer la dosis en un rgano
especfico, debido a los posibles daos inducidos por la
radiacin. El Organismo Internacional de Energa Atmica
ha tenido una permanente preocupacin porque la dosis
prescrita por el mdico sea la dosis entregada durante el
tratamiento, es por esta razn que adelanta programas de
intercomparacin postal de dosis.

Un sistema de dosimetra es una herramienta que permite

evaluar la precisin y la exactitud del tratamiento prescrito
garantizando la calidad del mismo. Para la implementacin
de este tipo de sistema es necesario utilizar detectores de
radiacin a fin de conocer la dosis que recibe el paciente en
un punto dado. Este documento presenta la evaluacin
dosimtrica de detectores MOSFET para usarlos en dosimetra in vivo de pacientes. Se verifica la linealidad de la
dosis, la reproducibilidad, la respuesta de los detectores a
diferentes tamaos de campo, diferentes distancias fuentesuperficie, uso de cuas y la dependencia angular.

203

Z. Valderrama et al.: Caracterizacin de Detectores Mosfet para Dosimetria In Vivo de Pacientes de Radioterapia

Los detectores MOSFET son transistores de efecto de campo que contienen dos regiones tipo p, llamadas fuente y
drenaje y una regin de tipo n entre ambas, llamada canal.
Encima del canal se encuentra una capa delgada de dixido
de silicio, no conductor, sobre la cual va otra capa de oxido
llamada gate. Los electrones fluyen desde la fuente hasta el
drenaje cuando se aplica una tensin al gate (tensin de
polarizacin directa), de esta manera, el gate que acta
como un conmutador de control, conectando y desconectando el MOSFET.
La radiacin absorbida por un MOSFET produce un permanente cambio en su voltaje umbral debido a las cargas
atrapadas en el gate. Este cambio del voltaje es proporcional
a la dosis. La sensibilidad del voltaje umbral de MOSFET
es una funcin del gate durante la radiacin y su sensibilidad es tpicamente de 1 a 3 mV/cGy.
3. Resultados
La calibracin normalmente incluye primero la determinacin de un factor de calibracin llamado, Ncal, en las condiciones de la referencia, y segundo, la medida de factores de
correccin, K, para obtener la dosis de la entrada cuando
las condiciones de irradiacin difieren de las condiciones de
la referencia. Por esto, se definen inicialmente las condiciones de referencia para la irradiacin de los detectores Mosfet dadas en la Fig 1, para un campo de 10cmx10cm.
Los detectores son calibrados comparando su respuesta,
cuando son colocados sobre la superficie de un maniqu en
el eje del haz, con la dosis medida por una cmara de ionizacin colocada a la profundidad de dosis mxima. A partir
de esta comparacin se calcula el llamado factor de calibracin Ncal, dado por:

aquel que no necesita un factor de correccin K=1. Es usual

en dosimetra in vivo considerar que los factores de correccin K son independientes uno del otro. Por consiguiente,
para cada K una nica condicin de referencia es cambiada,
por ejemplo, para Kfield el nico parmetro cambiado es el
tamao de campo
5. Linealidad
En la Fig 3, se presenta la verificacin de la linealidad en la
respuesta del Mosfet en funcin de la dosis de radiacin, en
un rango de 50 a 600 cGy.
6. Dependencia Angular.
La Fig. 4. presenta la dependencia angular, para la cual el
volumen sensible del Mosfet se localiz en el isocentro con
el eje del haz incidiendo transversalmente sobre la capa de
build up que permite el equilibrio electrnico del Mosfet. Se
giro el gantry a diferentes ngulos desde 0 hasta 360 grados,
tomando medidas cada 15 grados en sentido de las manecillas del reloj. Para evitar la contaminacin electrnica generada por la camilla, los detectores Mosfet se colocaron a
15 cm del extremo de la camilla, de tal forma que el tamao de campo usado (10cmx10cm) desbordara y no tocara la
camilla.

DFS=100cm

Build up

Detectores

Profundidad de
Referencia (5cm)
Cmara de
Ionizacin

N cal =

D0
M

SSD d s

SSD + d max

K pl = 1,03 mV

cGy

(1)

Donde Do= (D/PDD)*100, ds= 0.66mm la distancia de la

superficie del phantom al centro del volumen sensible del
detector, M es la lectura del detector Mosfet y Kpl es el
factor que relaciona las mediadas hechas en agua con la
medidas hechas con las laminas de PMMA.

Fig.1 Condiciones de Referencia para la Irradiacin de los Detectores

54

52

Se realiz un chequeo de la reproducibilidad (Fig.2) para

cada uno de los detectores con una dosis de 50cGy en las
condiciones de referencia de la Fig. 1. Como resultado se
present una desviacin menor de 2%, con un nivel de confianza del 98%.
Los factores de correccin estn definidos como la razn de
la cmara de ionizacin y la lectura de los detectores para
una situacin clnica normalizada a la misma razn para las
condiciones de referencia. Un detector in vivo ideal debe ser

Lectura (mV)

4. Reproducibilidad.

50

48

46

A1

A2

A3

A4

A5

Detectores Mosfet

Fig.2 Estudio de la reproducibilidad de los detectores Mosfet.

204

rev. col. fs.(c), vol. 40, No. 1, (2008)

7. Dependencia con el Tamao de Campo.

1,10
1,08

K lin

1,06
1,04

M0
D
0 50 cGy
=
M

D x cGy

La figura 5 presenta los factores de correccin Kfield cuando

la respuesta del Mosfet es comparada con la respuesta de la
cmara de ionizacin para diferentes aberturas del colimador.

Klineal

1,02

8. Dependencia con la Distancia Fuente Superficie.

1,00

La correccin SSD es necesaria para verificar la ley del

inverso cuadrado entre la profundidad de dosis mxima y la
posicin del volumen activo del detector. La Tabla No 1
muestra los factores de correccin para SSD extendidas,
normalizadas a una SSD de 100cm.

0,98
0,96
0,94
0,92
0,90
0

100

200

300

400

500

Tabla No.1 Factor de Correccin para diferentes distancias fuente

superficie, normalizada a 100 cm

600

Dosis (cGy)

SSD
A1

Fig.3 Factor de Correccin para la linealidad de la respuesta del

Mosfet en funcin de la dosis
0
1,2

Kangular

330

30

1,0
0,8
300

0,6

60

90[cm]
0,99

95[cm]
1,03

100[cm]
1

110[cm]
1,02

120[cm]
1,02

A2

0,98

1,02

0,99

0,99

A3

1,01

0,98

1,02

1,01

A4

1,02

0,99

1,01

1,01

A5

0,99

1,02

1,02

1,01

0,4

Factor de Correccin de Bandeja y Cuas.

0,2
0,0

90

270

0,2
0,4
0,6

240

120

DFI= 1m

0,8

Icopor

1,0
210

1,2

MOSFET

150

15 cm

180

Fig.4. Dependencia Angular con el Mosfet en direccin perpendicular al eje del haz

El clculo de este factor es necesario para los casos en donde se necesitan bloques de un material atenuador para proteger rganos de riesgo, estos bloques se colocan sobre una
bandeja, la cual incide en la respuesta del detector. La tabla
2 muestra los factores de correccin para las diferentes
cuas y bandejas usadas comnmente en tratamiento de
radioterapia.
Tabla No.2 Factor de Correccin para diferentes distancias fuente
superficie, normalizada a 100 cm.

1,10

Cua o
Bandeja
15R
15L
30R
30L
45R
45L
60R
60L
Bhuecos
Branura
Blisa

1,08
1,06
1,04

Kfield

1,02
1,00
0,98
0,96
0,94
0,92

Kwedge
1
1,02
1,03
0,99
1,03
0,99
1,03
1
1,01
0,98
1,02

0,90
5

10

15

20

25

30

35

Conclusiones

Tamao Campo

Fig.4 Dependencia con el tamao del campo, normalizado a un

campo de referencia de 10cmx10cm. Se muestra las lecturas de
cada Mosfet.

Las medidas ejecutadas mostraron que los MOSFET presentan

ventajas tales como: la lectura en tiempo real y permanente
almacenamiento de la dosis total de radiacin, comportamiento
estable frente a los diferentes parmetros y simetra en cuanto
a la variacin angular de haz incidente. Para un sistema de

205

Z. Valderrama et al.: Caracterizacin de Detectores Mosfet para Dosimetria In Vivo de Pacientes de Radioterapia

dosimetra son adecuados por su gran estabilidad, precisin y

su pequeo tamao permite conocer la dosis en puntos crticos.
La disponibilidad y fcil uso de estos detectores hace que sean
muy promisorios en dosimetra clnica.

Referencias
[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

H. Halvorsen. Dosimetric evaluation of a new design MOSFET in vivo dosimeter. Medical. Physics,Vol. 32, No. 1, Enero 2005.
Paolo Scalchia, et al. Characterization of a new MOSFET
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Physics, Vol. 32, No. 6, June 2005.
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M Soubra J. Cygler, Evaluation of a dual bias dual metal
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