Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Taller Fundamentos de Electrnica

Para el siguiente taller debe subir el desarrollo del mismo en el enlace en Sicua, en formato PDF hasta
el domingo 20 de abril a media noche.
1. En los siguientes circuitos mostrado en la figura 1, para los cuales se tienen los siguientes parmetros:
k (W/L)=2mA/V2 y |Vt| = 2V y, W/L=10, encuentre las corrientes y voltajes all indicados.

Figura 1.
2. Para el circuito de la figura 2, tenemos que RS = 1k y la corriente de drenaje en el punto de operacin
es IDQ = 5mA. Los parmetros del transistor son kn = 100A/V2 , VTN = 2V y =0.01V-1
a) Determine la relacin entre el ancho y la longitud del transistor.
b) Con los resultados del punto anterior encuentre la ganancia de voltaje de pequea seal para RL
=
c) Encuentre la resistencia de salida en pequea seal Ro.
d) Con los resultados del punto a) encuentre Av para RL = 2k

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Figura 2.
3. Para los siguientes circuitos que emplean MOSFETS de enriquecimiento y para los cuales |Vt| = 2V y
nCox= 20 A/V2, W=20 m y L=2m, encuentre los voltajes y corrientes indicados en cada figura (3a,
3b, 3c, 3d).

Figura 3.
4. Para el circuito source-follower con una carga saturada como se muestra en la figura 4 y dado por los
siguientes parmetros knD = 1mA/V2 , VTND = 1V para MD, y VTNL = 1V, knL = 0.1mA/V2 para ML y

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suponiendo =0V-1 para los dos transistores con VDD=9V. Determinar VGG tal que el valor de reposo
vDSL sea 4V.
a) Encuentre la ganancia de voltaje de pequea seal para RL = 10k
b) Encuentre la resistencia de salida de pequea seal Ro.

Figura 4.
5. Para los siguientes circuitos (figura 5) que emplean MOSFETS de empobrecimiento y para los cuales
|Vt| = 2V y nCox= 20 A/V2, W/L=10, encuentre los voltajes y corrientes indicados en cada figura.

Figura 5.

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6. El transistor en el circuito common-gate mostrado en la figura 6, est dado por los siguientes parmetros
kn = 100A/V2 , VTN = 0.4V y =0V-1, con una resistencia de salida Ro=500 y el voltaje de drenaje a
fuente en el punto de operacin es VDSQ = VDS(sat)+0.3V.
a) Cul es el valor de RD?
b) Cul es la corriente de drenaje en el punto de operacin es IDQ?
c) Encuentre la resistencia de entrada Ri
d) Encuentre la ganancia de voltaje de pequea seal Av = Vo/Vi

Figura 6.
7. Para el transistor mostrado en la figura 7 se tiene que: gm=1mA/V y ro=100K. Encontrar vo/vi. Qu
ganancia se tiene cuando Rs=0?, y cul para Rs=3.76k?

Figura 7.

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8. Realice la simulacin del circuito indicado en la figura 8, y para ello debe utilizar la herramienta de
simulacin de circuitos electrnicos circuitlab (https://www.circuitlab.com), y en ella debe crear una
cuenta del tipo CircuitLab Student Edition (https://www.circuitlab.com/accounts/upgrade/academic/).
En caso de que no sea posible crear la cuenta CircuitLab Student Edition, alternativamente puede utilizar
http://www.partsim.com/, la cual posee caractersticas similares.

Figura 8.
Una vez creado un nuevo proyecto para que el simulador permita compartir su solucin debe realizar los
siguientes pasos:
Para circuitlab
i.
En https://www.circuitlab.com/workbench/ , seleccione el circuito y mrquelo como pblico
en Hacer pblico para que se genere un link el cual debe enviar para evaluar este punto.
ii. Para generar el link, una vez dentro de la simulacin seleccione Archivo / link & Share y
luego en Enlazar y Compartir y ah va encontrar el link que debe adjuntar.
Para partsim
i. Una vez ha guardada la simulacin, seleccione el icono share en la barra superior y en
Project visibilty public para que se genere un link el cual debe enviar para evaluar este
punto.
ii. Para generar el link, una vez dentro de la simulacin copie el enlace Share Link y ah va
encontrar el link que debe adjuntar.

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Una vez hecho lo anterior responda las siguientes preguntas:

a) Cules son los valores mximos y mnimos de Vin para que la seal de salida se mantenga
amplificada sin distorsin?
b) Qu sucede cuando Vin=1V y a qu se debe este fenmeno?
c) Encuentre una expresin para la ganancia que relacione Vin y Vout?
d) Cul es la ganancia de voltaje que presenta el amplificador de acuerdo a la simulacin?
e) La expresin para la ganancia terica hallada en el punto c) respecto a la indicada por el
simulador en d) que tanto difieren?
f) Para qu valores de Vcc se obtiene una mayor ganancia de voltaje sin distorsin?
Nota: En el simulador una vez seleccione un transistor de propsito general, edite sus parmetros e
importe el siguiente modelo SPICE. (nicamente para circuitlab). En partsim puede reemplazar el
transistor BC548A por un 2N2222.
*BC548A MCE 5-20-97
*Ref: Motorola Small-Signal Device Databook, Q4/94
*Si 625mW 30V 100mA 300MHz Amp pkg:TO-92B 3,2,1
.MODEL BC548A NPN (IS=10.2F NF=1 BF=234 VAF=98.6 IKF=60M ISE=5.6P NE=2
+ BR=4 NR=1 VAR=24 IKR=90M RE=0.515 RB=2.06 RC=0.206 XTB=1.5
+ CJE=7.05P VJE=1.1 MJE=0.5 CJC=5.21P VJC=0.3 MJC=0.3 TF=530P TR=368N)