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TEMA 3:

DEFECTOS en SLIDOS

CUESTIONES A TRATAR...
Qu tipo de imperfecciones aparecen en los slidos?

Se pueden variar y controlar el nmero y tipo de



defectos?

Cmo afectan los defectos a las propiedades del


material?

Son indeseables los defectos?

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Materiales
TIPOS DE DEFECTOS

tomos vacantes

tomos intersticiales
Defectos puntuales 0D

tomos sustitucionales Defectos lineales 1/2D

Defectos de rea 2/3D
Defec. de volumen 3D
Dislocaciones

Bordes de Grano

Por las caractersticas del curso nos


centraremos en defectos puntuales y
lineales y en bordes de grano.

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(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
Point defects: (a) vacancy, (b) interstitial atom, (c) small substitutional atom, (d)
large substitutional atom, (e) Frenkel defect, (f) Schottky defect. All of these defects
disrupt the perfect arrangement of the surrounding atoms.

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DEFECTOS PUNTUALES
Vacantes:
-sitios atmicos ordinarios que faltan en una estructura.

Vacante
distorsin
de planos

Auto-Intersticiales:
-tomos "extra" dispuestos entre sitios atmicos ordinarios.

Auto
distorsin
de planos intersticial

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DEFECTOS PUNTUALES:
CONCENTRACIN de EQUILIBRIO

La concentracin de equilibrio depende de la temperatura!

N de defectos Energa de activacin


ND = - Q
exp D
N de sitios kT
potencialmente N
defectuosos. cte Boltzmann Temperatura

(1,38 x 10 -23 J/tomo K)


(8,62 x 10 -5 eV/t omo K)
-- Cada sitio de la red es
potencialmente una vacante
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MEDIR la ENERGA de ACTIVACIN

Q se puede extraer de

un experimento.

Midiendo la concentracin de y representando la


defectos... dependencia lineal...

ND ND pendiente
ln 1
N N
-QD/k
dependencia
exponencial!

T
1/T
Concentracin de defectos
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ESTIMAR la CONCENTR. de VACANTES
N de vacantes en 1m3 en equilibrio para Cu a 1000C.
Dado:
= 8,4 g / cm 3 A Cu = 63,5g/mol
Q V = 0,9 eV/tomo N A = 6,02 x 10 23 tomos/mol

0,9 eV/tomo
ND - Q
= exp D
= 2,7 10 -4
N k T
1273 K
8,62 x 10 -5 eV/tomo-K
NA
Para 1m 3 , N = x x 1 m3 = 8,0 x 10 28 sitios
A Cu
Respuesta:
N D = 2,7 10 -4 8,0 x 10 28 sitios = 2,2 x 10 25 vacantes

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DEFECTOS PUNTUALES en ALEACIONES

Dos posibilidades si la impureza (B) se aade a la matriz (A):


Solucin slida de B en A
(ej., distancia aleatoria entre defectos puntuales)

Aleacin sustitucional
Aleacin intersticial

(ej., Cu en Ni) (ej., C en Fe)
Solucin slida de B en A ms partculas de una nueva fase
(normalmente para cantidades mayores de B)

Partcula de una segunda fase



-- composicin diferente y

-- normalmente estructura distinta;
-- en conjunto no es un defecto puntual
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Factores
Reglas de Hume - Rottery
Factor tamao
la diferencia entre los radios atmicos de ambos tipos
de tomos es menor del 15%.
factor electroqumico
Cuanta mayor diferencia, mayor es la probabilidad
formen un compuesto
la valencia relativa
un metal de valencia mayor tiene ms tendencia a
solubilizar que un metal de valencia inferior
Misma estructura cristalina
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COMPOSICIN
Definicin: Cantidad de impurezas (B) y de matriz (A) en el sistema.
Dos formas de dar la composicin en concentraciones:

Porcentaje en peso (wt%) Porcentaje atmico (at%)


masa de B n tomos B
CB = x 100 C' B = x 100
masa total n total tomos

Conversin entre wt % y at% en una aleacin A-B:

x 100

Para hacer la conversin: Peso atmico de B


masa de B = moles de B x AB Peso atmico de A
masa de A = moles de A xAA
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Other Point Defects in ceramics

Interstitialy - A point defect caused when a normal


atom occupies an interstitial site in the crystal.
Frenkel defect - A pair of point defects produced when
an ion moves to create an interstitial site, leaving
behind a vacancy.
Schottky defect - A point defect in ionically bonded
materials. In order to maintain a neutral charge, a
stoichiometric number of cation and anion vacancies
must form.

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Defecto Frenkel y Shottky

Frenkel Shottky

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Learning
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson

When a divalent cation replaces a monovalent cation, a second


monovalent cation must also be removed, creating a vacancy.

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DEFECTOS LINEALES
DISLOCACIONES:
son defectos lineales,

causan el deslizamiento de planos cristalinos al deformar ell
material,

su interaccin puede producir deformacin permanente (plstica).

Esquema de una barra de Cobre (FCC):


antes de la deformacin despus de deformar por traccin

escalones de
deslizamiento

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Dislocations

Dislocation - A line imperfection in a crystalline material.


Screw dislocation - A dislocation produced by skewing a crystal
so that one atomic plane produces a spiral ramp about the
dislocation.
Edge dislocation - A dislocation introduced into the crystal by
adding an extra half plane of atoms.
Mixed dislocation - A dislocation that contains partly edge
components and partly screw components.
Slip - Deformation of a metallic material by the movement of
dislocations through the crystal.

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DISLOCACIONES
Se definen por un vector de Burgers (b) y una direccin (L).
El mdulo de b define la magnitud de la distorsin Dislocacin de arista
de la red provocada por la dislocacin y se puede
calcular utilizando el circuito de Burgers. l b l es L
normalmente una fraccin de los vectores que
definen la celda unidad (dislocacin perfecta). En b
caso contrario se llama dislocacin parcial.

Los dos casos que se representan son los


Dislocacin de hlice o tornillo
ms extremos:
-- En dislocaciones de arista b L L
b
-- En dislocaciones de tornillo b II L
Los casos ms comunes en la prctica son
dislocaciones con componentes de los dos L
casos extremos (dislocaciones mixtas)
donde 0 < b^L < 90. b y L siempre
comparten un plano comn.
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Materiales
Screw dislocation
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

The perfect crystal (a) is cut and sheared one atom spacing, (b) and (c). The
line along which shearing occurs is a screw dislocation. A Burgers vector b
is required to close a loop of equal atom spacings around the screw
dislocation.

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Edge dislocation

The perfect crystal in (a) is cut and an extra plane of atoms is


inserted (b). The bottom edge of the extra plane is an edge
dislocation (c). A Burgers vector b is required to close a loop of
equal atom spacings around the edge dislocation. (Adapted
from J.D. Verhoeven, Fundamentals of Physical Metallurgy,
Wiley, 1975.)

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Mixed dislocation

A mixed dislocation. The


screw dislocation at the front
face of the crystal gradually
changes to an edge
dislocation at the side of the
crystal. (Adapted from W.T.
Read, Dislocations in Crystals.
McGraw-Hill, 1953.)

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DISLOCACIONES

Las dislocaciones tienden a acumularse en los planos de


deslizamiento...

Los planos de deslizamientos separan zonas del material
deslizadas respecto a zonas no deslizadas.
El movimiento de dislocaciones requiere roturas y creaciones
sucesivas de enlaces.
Mediante el sucesivo reordenamiento de un plano extra de tomos
(ver esquema de izquierda a derecha).

esfuerzo
cortante

Ciencia e Ingeniera de los de fig. 7.1, Callister Ed. 2000.


Adaptada 20
Materiales
DESLIZAMIENTO y ESTRUCTURA CRISTALINA

Deformacin: para deslizar son Vista desde encima de


preferidos los planos y direcciones dos planos apilados de
de mayor empaquetamiento posible. empaquetado cerrado
- El proceso es ms suave y progresivo y las
superficies son menos rugosas
Direcciones de mximo empaquet.
Plano de empaquet. compacto (debajo) Plano de empaquet. compacto (arriba)

Comparacin entre estructuras cristalinas:


FCC: muchos planos/direcciones de mximo empaquetamiento;

HCP: slo un plano y 3 direcciones de mximo empaquet.

BCC: ningn sistema de deslizamiento de mx. empaquet.

Resultados del Mg (HCP)


ensayo de traccin.
direccin de la traccin

Al (FCC)
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Materiales
Observing Dislocations

Etch pits - Tiny holes created at areas where dislocations meet


the surface. These are used to examine the presence and
number density of dislocations.
Slip line - A visible line produced at the surface of a metallic
material by the presence of several thousand dislocations.
Slip band - Collection of many slip lines, often easily visible.

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Materiales
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

A sketch illustrating dislocations, slip planes, and etch pit locations.


(Source: Adapted from Physical Metallurgy Principles, Third Edition,
by R.E. Reed-Hill and R. Abbaschian, p. 92, Figs. 4-7 and 4-8.
Copyright (c) 1992 Brooks/Cole Thomson Learning. Adapted by
permission.)

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Materiales
Optical image of etch pits in silicon carbide (SiC). The etch
pits correspond to intersection points of pure edge
dislocations with Burgers vector a/3 and the
dislocation line direction along [0001] (perpendicular to the
etched surface). Lines of etch pits represent low angle
grain boundaries (Courtesy of Dr. Marek Skowronski,
Carnegie Mellon University.)

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Materiales
Learning
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson
Learning
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson

(c)2003 Brooks/Cole, a division of Thomson Learning, Inc. Thomson Learning is a trademark used herein under license.

TEM photomicrographs of dislocations in Ti3Al: (a) Dislocation pileups


(x26,500). (b) Micrograph at x 100 showing slip lines and grain
boundaries in AI. (c) Schematic of slip bands development.

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DEFECTOS INTERFACIALES

Superficies externas
Lmites de grano
lmites de macla
Otros de defectos interfaciales
Fallos de apilamiento
Dominios magnticos

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DEFECTOS de REA: BORDES de GRANO

BORDES de GRANO:

son las fronteras entre los cristales de un policristal.

se producen, por ejemplo, en el proceso de solidificacin.

al cruzar la frontera hay un cambio de orientacin en el cristal.

regiones de empaquet.: impiden el movimiento de dislocaciones.

ngulo de desorientacin Trozo de metal


~ 8cm

bordes
de grano

Adaptada de fig. 4.7, flujo de Adaptada de fig. 4.10,


Callister Ed. 2000.
calentamiento Callister Ed. 2000.
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Materiales
(a) The atoms near the boundaries of the three
grains do not have an equilibrium spacing or
arrangement. (b) Grains and grain boundaries in a
stainless steel sample. (Courtesy Dr. A. Deardo.)

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The small angle grain boundary is
produced by an array of dislocations,
causing an angular mismatch
between lattices on either side of the
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

boundary.

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Twin
(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

Application of a stress to the perfect crystal (a) may cause a displacement of


the atoms, (b) causing the formation of a twin. Note that the crystal has
deformed as a result of twinning.
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(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

A micrograph of twins within a grain of brass (x250).

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Materiales
MICROSCOPA PTICA en METALOGRAFA (1)

til hasta 2000X aumentos.



Puliendo se quitan las imperfecciones superficiales (rayones).

Mediante ataque preferencial (ej. qumico) se cambia la
reflectancia, dependiente de la orientacin.

microscopio

planos de mayor
empaquetamiento

Adaptadas de figs. 4.11(b)


y (c), Callister, Ed. 2000.
micrografa de

latn (Cu y Zn)

Ciencia0.75mm
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Materiales
MICROSCOPA PTICA en METALOGRAFA (2)

Bordes de grano...
son imperfecciones,

son sensibles a los
microscopio
atacantes,

se revelan como
Superficie pulida
lneas oscuras,

en un policristal va
ranura superficial
cambiando la direccin. borde de grano

Tamao de grano
n ASTM

N = 2n-1
Adaptadas de fig. 4.12(a)
y (b), Callister Ed. 2000.

n granos / in 2 Fe-Cr alloy


a aumento 100x
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Domains in ferroelectric barium titanate. (Courtesy of Dr.
Rodney Roseman, University of Cincinnati.) Similar
domain structures occur in ferromagnetic and
ferrimagnetic materials.

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RESUMEN

Los defectos puntuales, lineales, y superficiales


aparecen en los materiales slidos.
El nmero y tipo de defectos se puede controlar
(ej. la concentracin de vacantes vara con la
temperatura)
Los defectos afectan a las propiedades de los
materiales
(ej., los bordes de grano dificultan el deslizamiento).
Los defectos pueden ser deseables o
inconvenientes

(ej., las dislocaciones pueden ser buenas o malas
dependiendo de que deseemos o no tener deformacin
plstica)
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