Práctica 1

Josefina Ivonne Rico Rodríguez, Miguel Ángel Ruiz Villegas, Gustavo Mendoza Arreguin, José Manuel López
Luna, David Peñaflor Luna

Departamento de ingeniería mecatrónica, Instituto Tecnológico de Celaya

Celaya, México

ricorodriguez.ivo@hotmail.com
miguelruiz.ville@outlook.com
stavmdza@gmail.com
jl_mane@hotmail.com
davidpenaflorluna@gmail.com

Resumen─ Actualmente los diodos se fabrican a partir de
la unión de dos materiales semiconductores de características
opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. En cada zona
la carga total es neutra: por cada electrón hay un ion positivo,
y por cada hueco un ion negativo, es decir, no existen
distribuciones de carga neta, ni campos eléctricos internos.
Electrones de la zona N pasan a la zona P. Huecos de la zona P
pasan a la zona N. El electrón que pasa la unión se recombina
con un hueco. Aparece una carga negativa, ya que antes de que
llegara el electrón la carga total era nula. Al pasar el hueco de
la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en
la zona P, con lo que también aparece una carga negativa. El
diodo es un componente eléctrico que solo permite el paso de la
corriente en un sentido, se le denomina semiconductor por este
mismo motivo, ya que conduce la corriente eléctrica solo en
determinadas condiciones.
Polarización en directa- La aplicación de un potencial de
polarización en directa V D “presionará” a los electrones en el
material de tipo n a los huecos en el terminal de tipo para que se
recombinen con los iones próximos al límite y reducirá el ancho de
la región de empobrecimiento. La corriente IS no cambia de
magnitud. Cuando se incrementa el voltaje aplicado, el ancho de la
región de empobrecimiento continuará reduciéndose hasta que el
flujo de electrones pueda atravesar la unión, lo que produce un
crecimiento exponencial de la corriente.
Se pueden mostrar las características generales de un diodo
semiconductor mediante la siguiente ecuación conocida como
ecuación de Shockley, para las regiones de polarización en directa
y en inversa: [1]
&'
𝐼" = 𝐼$ 𝑒 (&) −1

Palabras clave─ Diodo, corriente, electrones de Valencia,

semiconductor

I.INTRODUCCIÓN
Antes de pasar a la parte práctica, es necesario tener claros
algunos conceptos importantes, ya que de lo contrario es muy
probable que nuestra comprensión sea baja o confusa en cuanto a
interpretaciones físicas.

Un diodo semiconductor se crea uniendo un material n (con

portadores minoritarios (+)) a un material de tipo p (con portadores
minoritarios (-)). En el momento en que los dos materiales se unen,
los electrones y huecos de la región de unión se combinan y
provocan una carencia de portadores libres en la región próxima a
la unión.

Sin ninguna polarización (voltaje externo) aplicada a través de

un diodo semiconductor, el flujo neto de carga en una dirección es
cero.

Polarización en inversa- Si se aplica un potencial externo a Fig. 1 Características del diodo semiconductor de silicio.
través de la unión p-n con la terminal positiva conectada al
material tipo n y la negativa al tipo p, hay una mayor apertura de la
II. DESARROLLO
región de empobrecimiento, la cual crea una barrera demasiado
En esta práctica se realizó un único circuito en serie diodo-
grande y los portadores mayoritarios no la pueden superar, así que
el flujo de éstos se reduce efectivamente a cero. Sin embargo, si resistencia, donde la fuente de voltaje es variable, el diodo
hay flujo de portadores minoritarios. Esta se llama corriente de (1N4004) y la resistencia (220 ohms) de valores constantes.
saturación en inversa y está representada por IS, la cual rara vez es
de más de algunos mA. • Resultados obtenidos en la práctica
 Por medio de la realización de esta práctica se comprobó que
TABLA I el comportamiento de los diodos, está caracterizado por la
ID Y V D CUANDO LA FUENTE DE VOLTAJE ES VARIABLE ecuación de Shockley; La práctica consistió en aplicar un voltaje y
tomar lecturas de corriente, graficándolas para una mejor
E (V) V D (mV) ID (mA)
0.01 476 0.06
visualización del comportamiento del diodo al llegar al voltaje
0.02 574 0.46 forward. La grafica se arrojada de por la corriente y voltaje del
0.04 633 1.99 diodo fue exponencial.
0.06 650 2.65 Miguel Ángel Ruiz Villegas
1.4 695 6.33
2.4 719 11
3.5 737 15.93 De la práctica presentada en el laboratorio se obtuvieron
5 750 23.1 conocimientos sobre la utilización de un diodo, y se representó de
6.8 763 30.6 manera gráfica la corriente que éste libera, del mismo modo
9 777 40.7
anotando los datos correspondientes sobre voltaje y corriente, lo
cual ayudo a comprender su uso y función.
50 Gustavo Mendoza Arreguin

40 En esta práctica pudimos apreciar y entender de una manera

más práctica la curva característica del diodo, y poder entender de
30 una manera más clara como es que se comporta administrándole
20 diferentes voltajes y corrientes.
José Manuel López Luna
10
En la práctica realizada en el LSM se pudo observar, pese a las
0 dificultades, el comportamiento característico de un diodo
0 200 400 600 800 1000 rectificador a base de silicio cuando la fuente de voltaje (E) varia
su valor, a partir de los resultados obtenidos pudimos llegar a la
Fig. 2 Corriente del diodo (ID) en función de su voltaje (V D)
curva característica exponencial del diodo y ver que como su
III. DISCUSION pendiente tiende a ser más vertical conforme el voltaje aumenta.
Durante esta práctica nos dimos a la tarea de encontrar la curva David Peñaflor Luna
característica del diodo, esto de una manera practica en el
laboratorio de mecatrónica. Al principio nos enfrentamos a varias V. REFERENCIAS
dificultades, tales como que el diodo no embonaba en los orificios [1] R. L. Boylestand, L. Nashelsky, Electrónica: Teoría de circuitos
de la protoboard, pero esto fueron dificultades menores. y dispositivos electrónicos, décima ed. Ed. PEARSON
EDUCACIÓN, México, 2009, 912 pag.
En el momento que empezamos a introducir corriente y voltaje
nos dimos cuenta que algo no estaba correcto, ya que los valores
que obteníamos no nos daban la curva característica del diodo, por
lo que decidimos pedir la ayuda de nuestro profesor. Con su ayuda
y aclarándonos todo, usamos el generador de funciones para
apreciar de una mejor manera los valores de la corriente y el
voltaje que estábamos aplicando y sobre la cual estaba trabajando
el diodo. De esta manera fue más fácil hacer el bosquejo de la
curva característica del diodo de una manera gráfica, obtenida por
nosotros mismos.

En esta práctica pudimos apreciar y entender de una manera

más práctica la curva característica del diodo, y poder entender de
una manera más clara como es que se comporta administrándole
diferentes voltajes y corrientes.

IV. CONCLUSIONES
Después de aplicar valores mayores a 700mV, pudimos
observar que los valores para la corriente adoptaron un
comportamiento exponencial notorio, lo cual coincide con la
ecuación de Shockley, demostrando así que los diodos de éste tipo
en polarización directa tienen características generales según la
ecuación antes mencionada.
Josefina Ivonne Rico Rodríguez