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Hall
Lorsque le barreau est plong dans un champ magntique perpendiculaire aux faces : B // Oz et
parcouru par un courant I longitudinal // Ox, il apparat un champ lectrique transversal // Oy, dit
champ de Hall.
Nous reviendrons cette tude analytique de leffet Hall (calcul thorique) aprs une prsentation
par des schmas. Pour cela considrons un semi-conducteur de type P (p>>n) parcouru par un
courant I sous laction dune ddp U applique. Cette ddp Uapp engendre un champ lectrique
appliqu Eapp. Nous allons analyser par le suivi des lignes de champ, de courant et des
quipotentielles les changements que subit ce systme lorsquon le soumet laction dune
induction magntique B.
Pour ltude de leffet Hall, il est impratif de considrer uns systme daxes et de respecter les
orientations de toutes les grandeurs vectorielles (sens et directions).
Ainsi, dans notre cas le champ appliqu (Eapp) est de mme sens que laxe Ox et le champ
dinduction magntique B est de sens oppos Oz.
Semiconducteur de type P
Les porteurs mobiles sont des trous I
z
P
v v x
Eapp
Uapp
1
I
P
Lignes de champ
v
Eapp
Les lignes de
champ sont
parallles v
au champ
lectrique Lignes de courant
appliqu Eapp
Lignes de champ
I
Lignes P
quipotentielles
v
Eapp
N S
S I
P
v Force de Laplace :
FL=q (vB) FL=q (vB)
Le champ magntique agit sur
les trous (>0) en mouvement
par la force de Laplace.
Cette force dvie les trous vers
une face (selon le sens de la
vitesse v et de linduction
magntique B
6
2
SN
S
_
P
_
B _
_
_
_ v
Cette accumulation des trous du
cot droit (dans ce cas) induit un
dficit en trous sur la face
oppose et donc il apparait des
ions ngatifs en nombre gal
celui des trous accumuls de
lautre cot
Semiconducteur de type P
N
S
_
P
_
B _ EH
_
_
_ v
Cette rpartition des charges dans
le barreau est lorigine dun
champ lectrique induit quon
note EH (champ de Hall) du nom de
celui qui a dcouvert cet effet :
Edwin Herbert Hall en 1879
3
N
S
_
P
_
B _
_
_
_ qEH FvL=q (vB)
Au fur et mesure que les
trous saccumulent,
lintensit du champ induit
de Hall augmente et la force
quengendre ce champ sur les
trous mobiles augmente
Jusqu ce quelle quilibre la
force de Laplace
10
N
S
_
P
_
B _
_
_
_ qEH FvL=q (vB)
11
N
S
_
P
_
B _E
total
_
_ Eapp
EH
_ v
4
Semiconducteur de type P
N
S
_
P
_
B _E
total
_
_ Eapp
EH
_ v
13
Semiconducteur de type P
N
S
_
P
_
B _
_
_
Etotal
_ v
B _
_
_
_
_
Etotal
_ v
15
5
Lignes Ligne du champ lectrique total
quipotentielles Semiconducteur
S de type P
B
_
_
_
_
_
Etotal
_ v
16
I
N P
Lignes v P
quipotentielles
v
Lignes de courant
6
7
8