UNIVERSIDAD DE CIENCIAS Y ARTES DE CHIAPAS

INGENIERIA EN ENERGIAS RENOVABLES

CATEDRATICO:

M. EN C. LUIS ALBERTO HERNNDEZ DOMNGUEZ

SEMESTRE:

ALUMNOS:

ANGEL ANTONIO CANCINO NULUTAHUA

ROSA VIRGINIA GRIMALDI GUTIERREZ

BLANCA EDITH VILLANUEVA GALINDO

MATERIA:

FISICA DE SEMICONDUCTORES

TEMA:

TRABAJO FINAL

1
INDICE

LISTA DE ILUSTRACIONES..3

INTRODUCCIN..4

1.- SEMICONDUCTORES..5

2.- BANDA DE ENERGA..10

3.- EQUILIBRIO TRMICO..17

4.- DOPADO.21

5.- MECANISMO DE CONDUCCIN..24

6.- POTENCIAL RELATIVO...26

CONCLUSIN..31

BIBLIOGRAFA.32

2
LISTA DE ILUSTRACIONES

Ilustracin 1 Material semiconductor que ejemplifica la banda prohibida que

se encuentra en medio de la banda de valencia y la de conduccin a un

electrn volt. ..................................................................................................... 6

Ilustracin 2 Elementos que constituyen un transistor. ..................................... 9

Ilustracin 3 Estructura de los niveles energticos de los electrones: a) en un

tomo aislado, b) en una molcula formada por dos tomos y c) para un

conjunto de N tomos. .................................................................................... 12

Ilustracin 4 Estructura de bandas en materiales tipo: a) conductor, b)

semiconductores, y c) aislantes a temperaturas cercanas al cero absoluto. .. 15

Ilustracin 5 Estructura cristalina ideal del silicio ............................................ 18

Ilustracin 6 Movimiento de los portadores en un Semiconductor tipo N ....... 21

Ilustracin 7 Movimiento de los portadores en un Semiconductor tipo P....... 22

Ilustracin 8 Explicacin clara del movimiento en direccin opuesta de los

electrones y los huecos. ................................................................................. 25

Ilustracin 9 Unin P-N ................................................................................... 27

Ilustracin 10 Barrera de potencia .................................................................. 27

Ilustracin 11 Zona de Recombinacin........................................................... 28

Ilustracin 12 Polarizacin directa del diodo p-n. ........................................... 29

Ilustracin 13 Polarizacin directa del diodo p-n. ........................................... 30

3
INTRODUCCIN

Todos los cuerpos o elementos qumicos existentes en la naturaleza poseen

caractersticas diferentes, agrupadas todas en la denominada Tabla de Elementos

Qumicos.

En los ltimos aos las investigaciones elaboradas por un gran nmero de

cientficos, sobre el comportamiento al paso de la corriente elctrica en los materiales

llamados semiconductores, han dado en efecto una serie de descubrimientos y

adelantos de tal naturaleza que su desenlace es casi imposible prever.

Antes de 1940, los fenmenos que se desarrollaban en los semiconductores eran,

desde muchos puntos de vista, bastante misteriosos. La conductividad elctrica de

estos cuerpos, siendo notablemente inferior a la de los metales, no era

competentemente alta para considerarlos como aislantes; igualmente, en muchos

casos aumentaba rpidamente la conductividad con la temperatura, lo que constitua

un fenmeno desconocido en los metales.

Conforme el paso del tiempo la tecnologa de los dispositivos semiconductores

tuvieron un gran descubrimiento, lo cual influy significativamente en un rpido

avance, convirtindolos en dispositivos eficientes, fiables y ms econmicos.

Evidentemente, el estudio de las propiedades fsicas de los materiales

semiconductores y sus aplicaciones han dado como resultado importantes

desarrollos cientficos y tecnolgicos que han marcado de manera importante a la

sociedad. Un ejemplo de ello son los transistores, que son utilizados en muchos

dispositivos como, televisores, lavadoras, equipos de msica, relojes, computadoras,

4
etc. Es por eso que debido a la amplia aplicacin de estos materiales, resulta

importante conocer dichas propiedades as como su funcionamiento.

1.- SEMICONDUCTORES

Son materiales que presentan un comportamiento intermedio entre aislantes y

conductores en el que el ancho de banda prohibida es menor que un electrn-volts

(eV). Por ejemplo, aquellos en estado puro y a bajas temperaturas presentan baja

conductividad, actuando de manera similar a los aislantes. Esta propiedad est

relacionada directamente con la temperatura, de tal forma que a temperatura

ambiente, los semiconductores tienen una conductividad apreciable, pero menor a la

de un metal. Una caracterstica importante es, que a cierta temperatura, es posible

variar la conductividad de los semiconductores, si se aade una cantidad de

impurezas de determinados elementos qumicos, lo cual permite la fabricacin de

dispositivos y componentes electrnicos basados en estos materiales.

En el caso de la banda de conduccin, estos tienen mayor energa que la banda de

valencia, pero la brecha entre ambas es mucho ms pequea, de modo que, con un

incremento pequeo de energa, los electrones de valencia saltan a la banda de

conduccin y pueden circular por el medio. Cuando un electrn salta desde la banda

de valencia a la de conduccin deja un hueco en la banda de valencia que, aunque

parezca extrao, tambin se considera portador de corriente elctrica.

5
 Ilustracin 1. Material semiconductor que ejemplifica la banda prohibida que se encuentra en
medio de la banda de valencia y la de conduccin a un eV.

Para ser ms claros, es preciso mencionar que en los semiconductores hay dos tipos

de portadores de corriente elctrica:

Los electrones: con carga negativa

Los huecos con carga positiva.

Dentro de los materiales semiconductores, podemos hablar de un tipo en especfico

este es el caso de los semiconductores intrnsecos, que se encuentran en un estado

puro, es decir, que no contiene ninguna impureza ni tomos de otro tipo dentro de su

estructura. En ese enlace, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la

banda de valencia al traspasar la banda prohibida ser igual a la cantidad de

electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin.

De igual forma de manera general estos materiales debido a su uso elctrico, es

preciso mencionar que se clasifican de acuerdo a su control de potencia en:

Dispositivos no controlados.

Dispositivos semicontrolados.

6
 Dispositivos totalmente controlados.

Dispositivos no controlados.

En este grupo se encuentran los diodos. Los estados de conduccin o cierre y

bloqueo o abertura dependen del circuito de potencia. Consistiendo de la unin de

dos tipos de materiales semiconductores, uno tipo N y otro tipo P, donde se pueden

encontrar prcticamente en cualquier circuito electrnico.

Dispositivos semicontrolados.

Se denominan tiristores a todos aquellos componentes semiconductores con dos

estados estables cuyo funcionamiento se basa en la realimentacin regenerativa de

una estructura de 4 capas en una secuencia PNPN, siendo el equivalente electrnico

de los interruptores mecnicos, as como tiene la capacidad de dejar pasar

plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin tener nivel interludio

alguno.

Como ejemplo, a continuacin se har mencin de algunos de las principales

variantes de tiristores:

Rectificador controlado de silicio (SCR)

Es un rectificador construido con material de silicio con una tercera terminal para

efecto de control, posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta), de la cual su

objetivo es controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Acta a

semejanza de un interruptor, por ejemplo, cuando esta encendido (ON), existe una

7
trayectoria de flujo de corriente de baja resistencia del nodo al ctodo y cuando est

apagado (OFF), no genera el flujo de corriente.

TRIAC

Se comporta como dos SCR conectados en contraposicin, con una compuerta de

paso comn; puede ir en cualquier direccin desde el momento en que el voltaje de

ruptura se sobrepasa. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la

corriente de compuerta, igualmente como lo hace un SCR, con la diferencia de que

un TRIAC responde tanto a los impulsos positivos como a los negativos de su

compuerta.

De forma coloquial podra decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar

la corriente alterna.

Los TRIACs de baja potencia de manejan en muchas aplicaciones como

atenuadores de luz, controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas

de control computarizado de muchos elementos caseros.

Dispositivos totalmente controlados.

En este grupo, por ejemplo se encuentran los transistores bipolares BJT, Mosfet y lo

tiristores GTO.

Transitores BJT

8
El trmino bipolar hace referencia al hecho de que en la conduccin de la corriente

intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos) es el ms comn de los

transistores.

El transistor es un dispositivo de 3 partes con los siguientes nombres: base (B),

colector (C) y emisor (E). El transistor bipolar es un amplificador de

corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una

de sus partes (base), el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta,

siendo el ms comn de los transistores.

Ilustracin 2. Elementos que constituyen un transistor.

Mosfet:

MOSFET significa "FET de Metal xido Semiconductor" o FET de compuerta aislada.

En generalidades es un tipo especial de transistor que tiene una versin NPN y otra

PNP. En estos componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una

dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como

una puerta, un electrodo de metal.

Tiristor GTO

Es un dispositivo de electrnica de potencia que puede ser encendido por un solo

pulso de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor

9
normal; pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa

en la misma terminal, usualmente se emplea en muchas aplicaciones interesantes

en el dominio de altas potencias, volvindose ms y ms comunes en las unidades

de control de motores.

Para finalizar esta parte, comnmente los semiconductores son utilizados para

controlar la corriente alterna donde el cambio de la polaridad de la corriente revierte

en la conexin o desconexin del dispositivo, en diseos donde existen corrientes o

voltajes considerables, aplicndose de cierta forma dentro de lo comercial en

electrodomsticos como lo son los calentadores, los cargadores de bateras,

pantallas electrnicas, etc. y dentro de los transistores, stos tienen una multitud de

aplicaciones extensas, por mencionar algunos como la radio, televisin, los

osciladores, los generadores de onda y los fototransistores; es decir, en reas

totalmente dispersas tal como la medicina, comercializacin de diversos equipos

audiovisuales y laboratorios.

2.- BANDA DE ENERGA

Al considerar la configuracin electrnica de tomos aislados, la mecnica nos dice

que los electrones se mueven alrededor del ncleo con cierta energa que toma

valores definidos (orbitales o niveles atmicos). El clculo de esta energa es muy

compleja y slo puede llevarse a cabo de forma precisa para el tomo de hidrgeno,

que est formado por un protn y un electrn. El nivel ms bajo de energa (n=1)

tiene un valor de -13.6 eV y tambin recibe el nombre de estado fundamental del

10
tomo de hidrgeno. El signo negativo indica que se trata de una energa de enlace,

es decir la necesaria para sacar el electrn desde el estado fundamental hasta una

posicin fuera de la influencia del ncleo (distancias infinitas). Dicha energa de 13.6

eV tambin se le denomina energa de ionizacin. El estado fundamental representa

el estado de energa ms bajo, aunque tambin el electrn puede ocupar otros

estados de mayor energa (n>1) denominados estados excitados, cuando recibe

energa suficiente mediante un proceso de excitacin como trmica, luminosa, etc.

En la siguiente figura se muestra los niveles energticos del electrn para el tomo

de hidrgeno, en la cual se observa la curva de energa potencial que est

determinada por la expresin siendo r la distancia del electrn al

centro del tomo. La curva determina la regin espacial en la que el electrn puede

moverse bajo la influencia del ncleo, ya que fuera de ella, la energa de dicho

electrn es menor que la energa potencial y por ello no hay estados posibles para l.

Los tomos con mayor nmero de electrones tambin tienen una estructura de

niveles energticos similar a la del hidrgeno, pero estn distribuidos de una forma

ms compleja, ya que el valor de la energa depende de otros nmeros cunticos

adems del valor de n.

11
 Ilustracin 3. Estructura de los niveles energticos de los electrones: a)
en un tomo aislado, b) en una molcula formada por dos tomos y c)
para un conjunto de N tomos.

En el estado fundamental, los electrones del tomo se distribuyen entre los niveles

ms bajos de energa siguiendo el principio de exclusin de Pauli, que establece que

en cada estado cuntico (definido por un conjunto de nmeros cunticos) no puede

haber ms de un electrn, pero debido a la multiplicidad del espn, implica que cada

nivel de energa puede haber hasta un mximo de dos electrones.

Cuando se trata de molculas formadas por dos o ms tomos, solamente los

electrones de las capas ms externas de cada tomo participan en el enlace

interaccionando con el resto de los tomos y el resto de los electrones se mantiene

unido a sus ncleos respectivos. En un enlace covalente como el que presentan el

H2, Cl2, la interaccin de los electrones de enlace da lugar a un desdoblamiento de

los niveles de energa originales de estos electrones, que da lugar a dos niveles

12
nuevos separados por una cierta energa, E, uno de ellos con energa ms baja que

el estado fundamental y el otro con energa ms elevada que corresponde al estado

excitado. Los electrones de enlace se sitan en los nuevos niveles ocupando

primero los de energa ms baja y siguiendo el principio de exclusin de Pauli. Un

aspecto importante es que la diferencia de energa, E, entre el subnivel ms bajo y

el ms alto es independiente del nmero total de tomos que forman la molcula,

que tiene un valor de pocos eVs.

El fenmeno de desdoblamiento de los niveles atmicos es general y se presenta en

los slidos con enlace covalente, que es el caso de la mayora de los

semiconductores y de los metales, donde el nmero de tomos participantes en el

enlace es muy elevado (1023 tomos por centmetro cbico). En estos materiales, la

interaccin de los electrones de enlace con el conjunto de los N tomos del slido da

lugar al desdoblamiento de los niveles atmicos originales ms elevados en un total

de N nuevo subniveles, siendo la diferencia de energa entre el subnivel mximo y

mnimo de unos pocos eVs, lo que significa que estos subniveles se encuentran

prximos entre s ya que el valor de N es muy elevado. La continuidad en energa de

los subniveles define una banda de energa con una anchura de pocos eVs

constituida por N subniveles y con capacidad de alojar hasta 2N electrones

provenientes de los electrones de valencia de cada uno de los tomos, que ocupan

la denominada banda de valencia.

13
Los niveles excitados de los tomos, aunque no estn ocupados por electrones,

tambin estn sujetos a un desdoblamiento, que forman bandas de energa en el

caso de materiales slidos con un elevado nmero de tomos. De esta manera, los

niveles excitados se convierten en una banda continua de niveles energticos que se

sita por encima de la banda de valencia, denominada banda de conduccin,

separada por una zona o gap de energa donde no existen niveles, llamada banda

prohibida.

Los electrones que pertenecen a la banda de valencia y de conduccin son las que

confieren propiedades elctricas caractersticas a los materiales. Los factores

intrnsecos de dichos materiales como el tipo de enlace, distancia entre los tomos,

as como factores extrnsecos como la temperatura, contenido de impurezas,

determinan la energa de las bandas, su separacin, el nmero de electrones en

cada banda, etc.

En la imagen siguiente, se muestra la estructura de las bandas de energa tpica de

los materiales conductores, semiconductores y aislantes respectivamente, a

temperaturas prximas a 0 K. Como se ha mencionado, las dos bandas

representadas son las ltimas que pueden estar ocupadas por electrones de enlace

del material, siendo la banda de valencia la de energa inferior y la banda de

conduccin la de energa superior, ambas separadas por una zona de energa

prohibida llamada banda prohibida.

14
Ilustracin 4. Estructura de bandas en materiales tipo: a) conductor, b) semiconductores, y c) aislantes a
temperaturas cercanas al cero absoluto.

En las temperaturas prximas al cero absoluto, los electrones de la banda de

valencia ocupan los niveles ms bajos de energa, que en el caso de que la banda no

se encuentre totalmente ocupada, los niveles ms altos de energa dentro de ella

permanecern vacos. Cuando se alcanzan temperaturas ms elevadas, una fraccin

apreciable de electrones puede ser excitada a niveles con energa superiores

siempre que stos se encuentren vacantes. Esta condicin, es la que permite que los

electrones se puedan mover y que implica una ganancia en energa cintica y por

tanto en su energa total.

En lo semiconductores con enlace tpicamente covalente, a temperaturas prximas a

las del cero absoluto, todos los electrones de valencia participan en el enlace de

unos tomos con otros y la banda de valencia se halla completamente llena, mientras

que la de conduccin se encuentra vaca, por lo que no existe conduccin. A

temperaturas de 300 K una fraccin apreciable de electrones rompe el enlace y pasa

15
a la banda de conduccin donde existe un gran nmero de estados vacantes. Estas

vacantes junto con las que se crean en la banda de valencia, hacen que los

electrones puedan participar en la conduccin cuando se aplica un campo elctrico.

La energa para romper dichos enlaces es la que corresponde a la banda prohibida,

de 1 eV o menos para la mayora de los semiconductores.

Ejercicios

Calcular, a la temperatura 0C, para un semiconductor intrnseco de GaAs

a) La densidad de estados energticos

b) La energa de la banda prohibida

Solucin

a) La densidad de estados energticos en la banda de conduccin y valencia es un

parmetro dependiente de la temperatura segn las expresiones:

Dnde: a = , C = 1.5 y y adquieren los valores = 0.07 y =

0.09 respectivamente, con lo que siendo T = 273 K, tendremos:

16
b) La energa de la banda prohibida se expresa en su dependencia con la

temperatura como:

Y teniendo los siguientes valores:

Eg (0) = 1.52 eV a 0 K

a=

b= 204 K

1.44eV

3.- EQUILIBRIO TRMICO

En la siguiente figura se muestra el estado de una red cristalina ideal a una

temperatura de T= 0 K, que se conoce como modelo de enlace. La red cristalina se

dice ideal cuando no hay ninguna impureza, por ejemplo el Silicio intrnseco, sus

tomos estn fijos a la red y son iones con carga positiva +4q (q= 1.6 x 10 -19

Coulombs) debido a que han contribuido 4 electrones (con carga neta -4q) a sus

vecinos. De esta forma la estructura es elctricamente neutra (la carga neta es igual

a cero). A dicha temperatura no hay portadores disponibles para la conduccin, con

lo cual, el material es un aislante.

17
 Ilustracin 5. Estructura cristalina ideal del silicio

Cuando la temperatura aumenta (T>0 K) la energa trmica provoca el rompimiento

de enlaces covalentes, por lo que un electrn obtiene la energa suficiente para pasar

de la banda de valencia a la de conduccin y moverse, y su vez deja un hueco en la

primera banda que tambin tiene la capacidad de moverse. Esto genera un par

hueco-electrn.

La tasa de generacin trmica de portadores por unidad de volumen es una funcin

exponencial de la temperatura, se denota como Gth (T) y sus unidades son

portadores por unidad de volumen por segundo (1/cm3s). Los portadores tambin

pueden generarse por efecto ptico, si se ilumina el material con una fuente de luz

apropiada, de tal forma que un fotn impacta sobre la estructura, puede proveer la

energa suficiente para romper un enlace covalente y generar un par hueco-electrn.

18
La tasa de generacin por efecto ptico se denota como Gop y es independiente de la

temperatura. Por lo tanto, la tasa total de generacin de portadores se expresa como:

Por otra parte, cuando un electrn de la banda de conduccin y un hueco de la

banda de valencia se encuentran, se recombinan dando lugar a un enlace covalente.

Este mecanismo compensa y balancea la produccin de portadores.

La recombinacin de portadores puede clasificarse de acuerdo al tipo de energa

liberada:

Trmica: La recombinacin se traduce en una vibracin de la estructura

cristalina o fonon, es decir, calor. Este es el tipo de recombinacin

predominante en Silicio.

ptica: La recombinacin produce un fotn. Este mecanismo es casi

inexistente en Silicio, pero muy significativo en Arseniuro de Galio.

Para que la recombinacin ocurra se necesita un electrn y un hueco. Por lo tanto, si

una poblacin de portadores es alta y la otra es baja, la tasa de recombinacin ser

baja. Por el contrario, si ambas poblaciones son altas, la tasa de recombinacin ser

alta.

Si se mantiene la temperatura constante hasta alcanzar un estado de equilibrio, la

tasa de generacin de portadores debe ser igual a la tasa de recombinacin de

portadores.

19
Un caso importante es el de equilibrio trmico, definido por la inexistencia de

intercambio de energa del sistema con el medio exterior. En trminos prcticos, esto

se da ante la ausencia prolongada de estmulos externos (excitacin ptica o campos

elctricos aplicados), a una temperatura constante.

Ejercicio

Calcular los lmites de estabilidad trmica en la conductividad de un semiconductor

GaP dopado con at/cm3 Ed = 0.03 eV Eg = 1.8 eV.

Solucin

La estabilidad trmica tiene lugar entre la temperatura Ts, temperatura de ionizacin,

y Tcr, temperatura crtica, dadas por las expresiones:

Donde

Nv =

Nc =

Nd =

20
4.- DOPADO

Hasta ahora slo hemos hablado acerca de materiales semiconductores naturales,

pero cuando existe la posibilidad de disear y fabricar materiales con caractersticas

elctricas especficas a la medida agregando, de manera controlada, impurezas a

los semiconductores. Este proceso de introduccin de impurezas extraas se

denomina dopado.

Un ejemplo claro de esto est en los

semiconductores extrnsecos, con la

existencia de dos tipos dependiendo de

sus impurezas.

El primero es semiconductor de tipo N

que est contaminado con impurezas

donadoras, que son impurezas

Ilustracin 6. Movimiento de los portadores en un
Semiconductor tipo N
pentavalentes; es decir, el material con

tomos de valencia 5, como son Fsforo (P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb). Como

los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre

de

21
"portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores

minoritarios".

Para poder explicar esto claramente, se sita una tensin que se aplica al

semiconductor, cuando los electrones libres dentro del semiconductor se

mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha.

En el momento en el que un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los

electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.

Por otra parte los, semiconductores de tipo P

estn contaminados con impurezas aceptoras,

que son impurezas trivalentes; es decir, con

tomos de valencia 3, como son Boro (B), Galio

(Ga) o Indio (In), a modo de que el nmero de

huecos supere el nmero de electrones libres,

Ilustracin 7. Movimiento de los portadores en un
los huecos son los portadores mayoritarios y los Semiconductor tipo P.

electrones libres son los minoritarios. De la misma manera para esclarecer, situamos

una tensin al semiconductor, en donde los electrones libres se mueven hacia la

izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha.

En el tiempo en que los huecos que llegan al extremo derecho del cristal; estos, se

recombinan con los electrones libres del circuito externo.

Ejercicio

22
Calcular la resistividad de un substrato de silicio dopado con 1018 at. /cm3 de

elemento dopante.

Solucin

El Silicio es un semiconductor intrnseco. Partiendo del modelo clsico la

conductividad total ser la suma de las contribuciones individuales de cada tipo de

portador de carga libre, segn la expresin:

En la que, al estar todas las impurezas ionizadas a temperatura ambiente, se

cumple:

Y dado que:

Correspondientes a la densidad de elementos donantes, la conductividad resultar:

Por lo que la resistividad tendr un valor de:

Ejercicio 2

Calcular la resistividad de un sustrato de GaAs dopado con at. / De

elemento dopante tipo aceptor, a temperatura ambiente.

Solucin.

23
De manera similar al ejercicio anterior y considerando, al ser el elemento dopante de

tipo aceptor, que:

Por ende, se tiene:

Y por lo tanto se definir como:

Obtendremos, para la concentracin de dopante = at/cm3, el valor de la

movilidad 190 /Vs, con lo que:

5.- MECANISMO DE CONDUCCIN

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del

elemento semiconductor, notamos que mientras los electrones se mueven en una

direccin, los huecos o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el

mecanismo de conduccin de un elemento semiconductor consiste en mover cargas

negativas (electrones) en un sentido y cargas positivas (huecos o agujeros) en

sentido opuesto.

24
Ese mecanismo no es ms que el ejemplo anteriormente mencionado de movimiento

para las cargas negativas (o de electrones) que son de conduccin N", mientras

que para las cargas positivas (de huecos o agujeros), son de "conduccin P".

El movimiento de los huecos o electrones ocurre de dos formas: al aplicar un campo

elctrico se produce una fuerza de arrastre sobre los portadores provocando su

movimiento; y por concentracin de portadores, es decir, ocurre un movimiento del

lugar de mayor concentracin al de menor. Estos movimientos se presentan en todos

los dispositivos y varan de acuerdo al dopaje o impurezas presentes.

Ilustracin 8. Explicacin clara del movimiento en direccin opuesta de los electrones y los huecos.

Ejercicio

Calcular la conductividad a 350 K de un semiconductor Si-n dopado con

Solucin

Al estar dopado el silicio con un elemento donador, la conductividad a temperatura

ambiente, vendr dada por:

Para temperaturas diferentes, se cumple la expresin siguiente:

25
Por lo que para la temperatura de 350 K, y considerando el exponente trmico C

para el silicio de 2.6, la movilidad ser:

Obtenindose para la temperatura de 300 K con un valor aproximado de 1300

cm2/Vs, con lo que:

Por lo tanto, la conductividad a esta temperatura ser:

6.- POTENCIAL RELATIVO

Cuando los materiales de tipo p y tipo n se colocan en contacto uno con otro, la unin

se comporta de manera muy diferente a como lo hacen cada uno de los materiales

por s solos, en especial la conduccin, la corriente fluir fcilmente en una direccin

pero no en la otra. Este comportamiento no reversible, surge de la naturaleza del

proceso de transporte de carga en los dos tipos de materiales.

Unin P-N

Se le llama unin PN a la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio

(Si), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico.

Cuando entran en contacto las partes P y N hay una concentracin desigual de

portadores, en un lado hay exceso de electrones y en el otro de huecos. Se producir

26
por tanto una corriente de difusin, que tiene como objetivo igualar las

concentraciones de portadores, pero hay un efecto que lo frena

Ilustracin 9. Unin P-N

Cuando los electrones del lado N abandonan su tomo se producir un aumento de

carga positiva, dado que el protn del tomo no ve compensada su carga con otro

electrn. En el lado P pasar lo mismo, cuando los huecos abandonen sus tomos

de origen se producir una carga negativa.

Esta concentracin de cargas crear un campo elctrico y la consiguiente barrera de

potencia, impidiendo una difusin total de los portadores. Es decir, la corriente de

difusin creada por redistribucin de portadores hacia zonas donde son minoritarios

se compensa con una corriente de deriva creada por un campo elctrico.

Ilustracin 10. Barrera de potencia

27
Entre las dos uniones habr una zona donde los portadores se recombinarn con los

tomos y por lo tanto no habr ms portadores que los intrnsecos, es decir, los que

se generan trmicamente, y son muy pocos a temperatura ambiente. En esas

condiciones la unin de dos conductores resultar en un material no conductor, dada

la alta resistividad de la capa donde se han recombinado los portadores.

Ilustracin 11 Zona de Recombinacin

Polarizacin directa del diodo P-N.

Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unin P -

N y la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo

que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,

esto es equivalente a decir que empuja los huecos hacia la unin p-n.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo

electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente

elctrica constante hasta el final.

28
 Ilustracin 12 Polarizacin directa del diodo p-n.

Polarizacin inversa de la unin P N

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a

la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha

zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a

continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los

cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se

desplazan hasta llegar a la batera.

El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de

la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia,

con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de

silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el

denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la

batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos

29
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una

carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.

Ilustracin 13. Polarizacin directa del diodo p-n.

30
CONCLUSIN

Para comprender cmo funcionan los diodos, transistores y circuitos integrados que

han ayudado en el funcionamiento de distintos aparatos electrnicos que tenemos en

casa, es necesario estudiar los materiales semiconductores: aquellos que no se

comportan ni como conductores ni como aislantes.

Este tipo de materiales son verstiles al tener muchas aplicaciones, ya que al tener

dicho material semiconductor en un aparato electrnico podemos saber en qu

condiciones podr o no dar paso de corriente elctrica a travs de l.

Aunque este tipo de materiales se han estado estudiando durante muchos aos, en

el diseo electrnico siempre existen fenmenos que alejan a los componentes de su

comportamiento terico, por lo que no es posible sacar el mximo partido de un

diseo sin conocerlos, ya que su implementacin est sujeta a dichos fenmenos

que si no se tienen en cuenta impedirn un correcto funcionamiento.

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