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Chapitre 5
Emetteurs et rcepteurs de lumire
I- Introduction :
Tlcommunications optiques :
DEL ou
Laser Photodiode
Les metteurs
Les dtecteurs ou rcepteurs
Les photo coupleurs
Les guides et les modulateurs de rayonnement lectromagntiques.
Les matriaux qui interviennent le plus souvent sont des SC composs III-V (GaAs,
InP,), II-VI (CdS, ZnS,). Se sont gnralement les SC gap direct (GaAs, InP, GaSb)
qui sont utiliss en opto.
E
E
EC
EC
EG
EV
EV
k k
0 0
Dans les SC gap direct, la probabilit de transition est trs importante compare
celle dans les SC gap indirect.
1- Absorption :
Un photon peut induire le saut dun dun tat li de la BV vers un tat libre de la BC.
Ce processus sera mis profit dans les photodtecteurs.
libre
EC
EC
h EG
EV EV
li
Remarques :
Une absorption dun photon gnration dune paire trou.
Pour quil y est gnration de paire trou, il faut que lnergie du photon h soit
suprieure ou gale au gap du SC:
EG h (c / ) EG
Eph = h
1 . 24
E G ( eV )
( m )
est la longueur donde du photon incident .
0 0
0 e x
h
x x
0 x
En rgime permanent, le nombre de photons absorbs par unit de temps dans une
tranche dx du SC est proportionnel la quantit de photons dans cette tranche donc
d
au flux de photons 0(x) labscisse x. Donc = ( x )
dx
(x) = 0 exp(x)
est le coefficient dabsorption (cm-1 ou m-1) dpend fortement du SC et de la longueur
donde des photons incidents.
Dfinition :
On appelle seuil dabsorption, la longueur donde c du photon qui possde une nergie
1.24
juste suffisante pour faire passer un de la BV la BC c(m) = .
EG
Rmq :
2- mission spontane :
Une recombinaison est dite radiative lorsque lnergie dgage lors de la transition est
sous forme de photon.
libre
EC EC
h
EV
EV
Trou
Ce processus sera mis profit dans les metteurs de rayonnements tels que les diodes
lectroluminescentes.
3- mission stimule :
BC 3
2
h Photon =E2-E1
h
induit
BV 1
Ce processus sera mis profit dans les lasers SC. Dans de tels dispositifs il y a
amplification de lumire par mission stimule de rayonnement.
a- dfinition :
Une DEL est une jonction pn polarise en directe construite dans un SC gap direct ou
les recombinaisons sont essentiellement radiatives.
Cest un dispositif qui transforme de lnergie lectrique en nergie lumineuse.
Ei
Ef
= Ei - Ef
Recombinaison radiative : h
Remarque :
dans les DEL, lmission de photons est spontane et isotrope (galement rpartie
dans toutes les directions).
Schma lectrique:
b- Principe de fonctionnement:
h
h
qVD
n+ W p+
I(A)
V(volt)
1 2
Seuil 1.6 2 V
Analogue celle dune jonction ordinaire; elle possde un seuil et une rsistance
dynamique souvent plus levs cause des dopages levs.
d- Rendement externe :
Il est dfinit par le rapport entre la puissance lumineuse mise et la puissance lectrique
absorbe, ou par le rapport entre le nombre de photons recueillis et le nombre d injects.
P opt
ext = h = P opt ( m )
I I 1 . 24
q
Le rendement externe atteint dans les meilleures conditions les 8% cause des pertes
dus labsorption et aux rflexions linterface SC-air.
e- Spectre dmission :
Intensit
mise
(
m)
La lumire mise est caractrise par une largeur spectrale centre autour de la
longueur donde de la transition la plus probable qui correspond une nergie lgrement
suprieure EG.
f- Applications :
a- Definition:
La diode laser ou laser SC est une DEL dont la structure est conue pour favoriser
lmission stimule: Il y a donc amplification de lumire par mission stimule de
rayonnement.
La puissance lumineuse dgage par une diode laser dpend du courant inject dans la
diode (circulant dans la diode; P lorsque I )
P(mW)
Fonctionnement
en D.L
I(mA)
Fonctionnement IS
en DEL
Lmission est dabord spontane V ou I faible, lorsque I atteint une valeur de seuil IS
(courant de seuil), lmission stimule apparat. Ce seuil est trs sensible la temprature.
I faible fonctionnement en DEL (mission spontane).
I > IS fonctionnement en D.L (mission stimule) .
c- Applications :
Ce sont des matriaux semi-conducteurs dont la conductance varie sous clairement. Ils
utilisent la gnration de porteurs dans un SC soumis un champ lectrique externe.
h
Iph
Vs
Vcc Rc
1.24
EG (eV)
(m)
a- La photodiode :
Cest une jonction pn qui transforme lnergie lumineuse en nergie lectrique, cest un
capteur de rayonnement.
p n
h Courant lectrique ou
photo courant
Schma lectrique:
Principe de fonctionnement :
P - W
N
+ P N
E
V Front Base
Par absorption de photons incidents, les paires -trous cres sont spars et propulss
par le champ lectrique qui existe dans la ZCE. Ces porteurs de charges cres, donnent
naissance un photo courant de gnration.
Caractristique I(V) :
I
Obscurit
P1
clairement
P2
P3 > P2 > P1
P3
Donc : It = Iph
Les qualits requises pour un photodtecteur sont :
Il est dfinit par le rapport du nombre d recueillis par le nombre de photons injects,
cest aussi le nombre de porteurs gnrant le photocourant divis par le nombre de photons
entrant.
I ph
nbre d' lectrons recueillis q I ph
ext = ext = = h
nbre de.photons injects P opt qP opt
h
a -2- La sensibilit :
Cest le rapport du photo courant par la puissance optique, elle est exprime en (A/W).
Elle scrit en fonction du rendement quantique:
I ph q
( m )
q
S = = q =
P opt h 1 . 24
a- 3 - La rponse spectrale :
S ou
(
m)
EG
rponse spectrale
Remarque :
b- Photodiode PIN :
W
P I N
h
P I N
x
W
Si la polarisation inverse est suffisante, un champ lectrique important existe dans toute
la zone intrinsque et les photoporteurs atteignent trs vite leur vitesse limite Vs. On obtient
ainsi des photodiodes rapides et trs sensibles et donc un temps de rponse trs court (ns).
Principe :
Intrt :
grande sensibilit (W grand);
la polarisation inverse du dispositif permet de rduire le temps de
transit des porteurs sans pour autant augmenter la constante de temps
(R.C) du circuit (W constante).
c- Photodiode avalanche :
Principe :
Intrt :
Grande sensibilit (jusqu' 50 A/W).
Amplification de courant 100.
Inconvnient :
Gain sensible la temprature et la polarisation inverse.
Bruit due la nature alatoire du processus de multiplication des charges
(minimum lorsqu'un seul type de porteurs contribue).
Dfinition :
La photopile est une photodiode qui fonctionne sans polarisation externe: elle dbite
son photo courant dans une rsistance de charge RC sous clairement: Cest leffet
photovoltaque.
Iph
RC V
La photopile (ou cellule solaire) est un dtecteur de rayonnement solaire utilise pour la
conversion photolectrique ou photovoltaque.
- Caractristique I(V) :
I
Obscurit
clairement
V
Vco
I
Ic Vm
Lorsque la jonction est excite par un rayonnement, la caractristique I(V) ne passe plus
V est ngatif: La diode fournit
par lorigine, il existe une rgion dans laquelle le produit I
de lnergie lectrique. Il suffit alors de dfinir la rsistance de charge qui optimise la
puissance fournie.
- Rendement de la photopile:
valeur typique
(
0 ,8 (VCO .I CC ) 0 ,8 0 ,6 V 20 mA cm 2
10 %
)
Psolaire 1kW / m 2
Remarque:
V RC
I = Ii et V = Vd
3- Les photocoupleurs :
Entre Sortie
lectrique E R lectrique
IE IS
VS
PE q q PE
Pour la DEL : E = IE =
h IE h E
I S h q
Pour la photodiode : R = IS = PR R
q PR h
= E R R = I (% )
IS P
CTR =
IE PE