CONTENIDO

INTRODUCCION
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OBJETIVOS
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1 TRANSPORTE DE CARGA DE LOS SEMICONDUCTORES

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1.1.- Dispersin en Semiconductores

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1.2.- Relacin de velocidad-campo elctrico en semiconductores
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1.3.- Transporte en campo muy intenso: fenmeno de ruptura
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1.4.- Transporte de portadores por difusin
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1.5.- Trasporte por derivada y difusin: La relacin de Einstein
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2 PROPIEDADES OPTICAS EN SEMICONDUCTORES

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2.1.- Inyeccin de carga y cuasi-niveles de Fermi
2.2.- Inyeccin de carga y recombinacin radiactiva
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2.3.- Inyeccin de carga: efectos no radiactivos
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2.4.- La ecuacin de continuidad: longitud de difusin
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INTRODUCCION

La moderna electrnica de estado slido est convirtiendo la fantasa

en realidad. Los rastreadores laser, sensores trmicos y qumicos,
cmaras de video etc; estn llevando nuestras vidas a una tierra
mgica. En principio, todas las hazaas que realiza los modernos
sistemas de electrnica podran efectuarse mediante tubos de vacos,
bulbos u otras tecnologas sin semiconductores. Sin embargo, quin
querra hacer su ejercicio de carrera o caminata walkman de bulbos
de 20 kg? O jalar ms 500 kg de computadora porttil? Solo la
tecnologa del semiconductor pudo realizar esta hazaa.
La tecnologa del semiconductor de estado slido ha llevado
sistemas complejos y de gran valor al alcance de la gente comn. La
tecnologa de los semiconductores es confiable barata y proporciona
la comunidad ms importante del mundo actual: informacin y
conocimiento.
Los sistemas electrnicos de estado slido estn diseados para
recibir procesar y transmitir informacin. Estos dispositivos son los
bloques fundamentales de construccin de los cuales se ensamblan
todos los sistemas de estados slidos, como lo son los
semiconductores.
Como vemos los semiconductores son usados en distintitas campos
de las ciencias y mucho ms en la Ingeniera Electrnica, gracias a
sus diversas funciones que pueden desempear. Esto tambin se
debe al estudio de sus propiedades tanto elctricas como pticas,
que son severamente estudiadas e investigadas, para poder mejorar
sus utilidades y funcionamientos.
Es por eso que este trabajo se centra en su transporte y propiedades
pticas de los semiconductores, ya que al estudiarlas descubren que
al combinarse con otras sustancias, pueden producir sistemas
cunticos muy interesantes para la ciencia y la fsica cuntica.

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Esperemos que este trabajo pueda ser utilizado para un curso
introductorio de dispositivos semiconductores a nivel de principiante
y avanzado.

OBJETIVO

OBJETIVO GENERAL:

Proporcionar al estudiante un gran nmero de detalles, de

modo que pueda comprender el funcionamiento bsico de
los dispositivos como son los semiconductores.

OBJETIVOS ESPECIFICIFICOS:

Prepara al estudiante de nivel preuniversitario de modo

que puedan apreciar:
Porqu los semiconductores tienen propiedades
nicas como son las pticas y son los materiales
elegidos para los dispositivos.
Como funcionan diversas clases de dispositivos de
semiconductor mediante sus propiedades pticas.

Informar al alumno de las propiedades de material que se

requieren para desarrollar dispositivos superiores e
innovadores.

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 Ayudar a comprender al estudiante algunas propiedades
por medio de detalles y desarrollando conceptos
avanzados nicamente sobre las bases de argumentos
fsicos y de la perspicacia.

Propiedades pticas de los semiconductores

4.6.-PROPIEDADES OPTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES

En las secciones sobre transporte de electrones hemos discutido
cmo una imperfeccin puede causar dispersin de u electrn de un
estado a otro. Esta dispersin tambin puede ser ocasionada por una
partcula de luz o fotn. La interaccin entre fotones y electrones en
el semiconductor proporciona una rica variedad de fenmenos fsicos,
los cuales son explotados por el campo rpidamente de la
electrnica y optoelectrnica de estado slido.
La luz se representa mediante ondas electromagnticas y, puede
representarse como partculas u ondas. Las ondas electromagnticas
que viajan a travs de un medio como el semiconductor son descritas
por las ecuaciones de Maxwell, que muestran que las ondas tienen
una forma dada por la dependencia del vector de campo elctrico.

Donde:
Z: direccin de propagacin n: ndice de refraccin
W: frecuencia : coeficiente de absorcin del
medio

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 Si es cero la onda se propaga sin atenuacin con una velocidad

c
nr . Sin embargo para un alfa diferente de 0, el flujo de fotones I (

F F decae como:

Propiedades pticas en semiconductores

La absorcin de luz puede ocurrir por una variedad de razones incluso

absorcin por impureza en el material, absorcin entre bandas donde
los electrones en la banda de conduccin absorben la radiacin. Sin
embargo, la interaccin optoelectrnica ms importante en los
semiconductores as como en dispositivos est relacionados con la
transicin de banda a banda. Como lo muestra la imagen:

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 Absorcin Emisin

Propiedades pticas en semiconductores

PROCESO DE ABSORCION DE FOTONES. Un fotn dispersa un

electrn en la banda de valencia y ocasiona que el electrn vaya
hacia la banda de conduccin. En el proceso inverso el electrn en la
banda de conduccin se recombina con un hueco en la banda de
valencia para generar un fotn.
La dispersin involucra las cuestiones siguientes:

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 1. Conservacin de la energa: En estos procesos de absorcin
y emisin tenemos para las energas inicial y final de los
electrones :

Donde es la energa del fotn. Puesto que la diferencia de

energa mnima entre los estados de las bandas de conduccin
y valencia es la banda de separacin E g la energa del fotn
debe ser ms grande que la banda de separacin

2. Conservacin del momento: A dems de la conservacin de

la energa, tambin se necesita conservar el momento cristalino
K para el sistema de los electrones y del fotn.
El valor k ph del fotn est dado por:

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k ph =

Debido a que los valores k para el electrn y el hueco son los mismos
en transiciones verticales, tenemos que (para energas de fotn
mayores que la banda de separacin).

Propiedades pticas en semiconductores

Con todas estas cuestiones en mente, se puede calcular el coeficiente

de absorcin para un semiconductor. Para la luz polarizada a lo largo
de la direccin a, el coeficiente de absorcin resulta ser de:

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 Con N cv la densidad de estados de unin est dada por:

La cantidad ( a. p)if 2 se denomina el elemento de matriz dipolar o de

momento entre la banda de conduccin y valencia. El elemento de
matriz promedio de polarizacin para la mayora de semiconductor es:

Si introducimos algunos nmeros para el coeficiente de absorcin de la

luz no polarizada obtenemos para el GaAs ( E g 1.5eV)

Donde y E g estn en unidades de electrn-voltios. El pre

factor de cualquier otro semiconductor puede obtenerse mediante el

escalado de la razn de masa reducida.

Propiedades pticas de los semiconductores

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Si tenemos un electrn en un estado de banda de conduccin y un
hueco en el estado de bandas de valencia con el mismo nmero de k,
los dos pueden recombinarse y emitir un fotn. Hay dos clases de
procesos de emisin:
Emisin espontanea: un electrn se recombina con un hueco,
aun cuando ningn fotn est presente en la regin, y emite un
fotn.
La tasa para este proceso de emisin est dada por:

Si los fotones con frecuencia ya estn en presentes en la cavidad con

el semiconductor, la tasa de recombinacin se mejora por la
presencia de estos fotones. Si n ph ( ) es la ocupacin fotnica, la

tasa de emisin (llamada emisin estimulada) estar dada por:

As la tasa se incrementa en proporcin a la densidad de fotones ya

presentes en la cavidad.

La emisin estimulada: en esta emisin los fotones que se

emiten estn en fase con los fotones originales que se hallan
presentes, a radiacin es entonces coherente. Los diodos laser
dependen de la emisin estimulada.
La tasa de recombinacin radiactiva de un electrn que tiene un
momento k con un hueco (en ausencia de fotones) que
tenga el momento es:

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Propiedades pticas de los semiconductores

4.7.- INYECCION DE CARGA Y CAUSI NIVELES DE FERMI

Es la discusin del coeficiente de absorcin y tiempo de
recombinacin no hemos mencionado si los electrones y los huecos
se encuentran realmente presentes en los estados que estn
involucrados en los procesos pticos.
Anteriormente sustentamos que en la absorcin de fotones el estado
inicial en la banda de valencia est ocupado mientras que el estado
final se encuentra vaco. En general, esto no es cierto. Si los
electrones y huecos son inyectados en un semiconductor, ya sea por
cualquier mtodo, el sistema puede no estar en equilibrio, por lo que
se necesita funcin para describir el sistema cuando los electrones y
huecos no se hallan en equilibrio.
4.7.1- CUASI NIVELES DE FERMI
Si los electrones y huecos en exceso se inyectan en el semiconductor,
claramente la misma funcin no describira la ocupacin de los
estados. Bajo ciertas suposiciones la ocupacin de electrones y
huecos pueden describirse mediante el uso de los niveles los cuasi-
niveles de fermi. Estas suspensiones son:
Los electrones estn esencialmente en equilibrio trmico en la
banda de conduccin y los huecos en exceso se hallan en
equilibrio en la banda de valencia. Esto significa que los
electrones no estn ganando ni perdiendo energa de los
tomos de la red cristalina.
El tiempo de recombinacin electrn-hueco es mucho mayor
que el tiempo para que los electrones y huecos alcancen el
equilibrio dentro de las bandas de conduccin y valencia,
respectivamente.

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Propiedades pticas de los semiconductores

En este caso, los electrones y huecos de cuasi-equilibrio pueden

e
representarse por una funcin del electrn de fermi f (con nivel de

h
fermi de electrn) y una funcin de Fermi de hueco f (con un
diferente nivel de Fermi de hueco).Ahora tenemos que:

Al definir niveles de fermi separados para electrones y huecos, se

pueden estudiar las propiedades de los portadores en exceso por
medio de la misma relacin entre el nivel de Fermi y la densidad de
portador como desarrollarse para el en equilibrio. De esta manera,
aproximacin de Boltzmann tenemos:

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Propiedades pticas de los semiconductores

En las ms precisas aproximaciones de Joyce Dixon tenemos que:

Una expresin similar para Ev E Fp .Advierta el cambio de signo

para la espresion de cuasi-nivel de Fermi para el hueco.

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Propiedades pticas de los semiconductores

4.8.- INYECCION DE CARGA Y RECOMBINACION RADIATIVA

En este caso inyectaremos los huecos en la banda de valencia y los electrones
en la banda de conduccin. De es este modo se debe hablar acerca del
coeficiente de emisin menos el coeficiente de absorcin. Este trmino se
denomina la ganancia del material. Donde se dice que la ganancia=coeficiente
de emisin coeficiente de absorcin.

El termino dentro de parntesis cuadrados surge puesto que la emisin de

e h
fotones es proporcional a f , f mientras por otro lado el proceso de
absorcin es proporcional a (1-fe)-(1-fh).

La energa Ee y Eh son:

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Propiedades pticas de los semiconductores

A medida que los electrones y huecos son bombeados dentro del

sistema se recombinan a travs del proceso de emisin espontanea.
Este proceso no requiere que estn presente fotones que el proceso
de la emisin de fotones tenga lugar.
La tasa de recombinacin espontanea es bastante importante tanto
para dispositivos como optoelectrnicos. E s importante examinar la
tasa para varios casos importantes. Se proporcionarn los resultados
para la combinacin electrn-hueco para los casos siguiente:
1. Inyeccin de portador minoritario. Si n p y a la muestra
est fuertemente adulterada, podemos suponer que fe (Ee) est
cerca de la unidad. Entonces tenemos para la tasa a la que los
huecos:

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2. Inyeccin fuerte. Este caso es importante cuando se inyecta
una alta intensidad tanto de electrones como huecos. Ahora
suponer que tanto como f h son funciones de paso agudo y

obtenemos aproximadamente.

3. Inyeccin dbil. En este podemos utilizar la distribucin de Bolltzman

para describir las funciones de Fermi.

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