TEMA 2

SEMICONDUCTORES
FUERA DEL EQUILIBRIO
 Indice

Introduccin a las caractersticas del transporte

Ec aciones de arrastre
Ecuaciones
Ecuaciones de difusin
Pseudoniveles de Fermi
Procesos de recombinacin-generacin
Ecuaciones de continuidad
Ecuaciones de difusin de portadores minoritarios
Proceso de emisin termoinica
Transporte tnel
Efectos a campos
p elctricos altos
 Introduccin a las caractersticas del transporte

Estudiaremos los fenmenos de transporte en

semiconductores:
Arrastre
Difusin
Recombinacin
Generacin
Emisin termoinica
Transmisin tnel
Ionizacin por impacto
Ecuaciones bsicas de transporte
Mtodos de mdida de parmetros como
resistividad, movilidad, concentracin, tiempos
de vida, etc.
 Modelo de arrastre y difusin

El modelo de arrastre-difusin considera que las corrientes

en el interior del semiconductor se deben exclusivamente a
dos componentes: arrastre y difusin
Arrastre: movimiento de los portadores provocado por campos
elctricos externos o internos
Difusin: movimiento de portadores debido a gradientes de
concentracin, los portadores se desplazaran de donde son
y
mayoritarios a donde son minoritarios

J n J na J nd
J p J pa J pd
Siendo J J n J p J a J d
d d
donde
J a J na J pa
J d J nd J pd
 Corriente de arrastre: movilidad

En un sc los electrones en la BC y los huecos en la BV

se comportan como partculas libres:
No estn ligados a tomos
El efecto del potencial del cristal est incorporado en la masa
efectiva
En equilibrio termodinmico la energa trmica media
de un electrn en la BC se obtiene del teorema de
equiparticin de energa, 1/2KT por cada grado de
libertad. Igualando con la energa cintica se obtiene la
velocidad trmica media para Si y GaAs de 107 cm/seg
(movimiento aleatorio)

1 1
mn vth 3 kT
2

2 2
 Corriente de arrastre: movilidad

El movimiento trmico de un electrn individual

es una sucesin de colisiones con tomos de
la red, tomos de impurezas, etc.
Este movimiento aleatorio provoca que el
desplazamiento medio sea cero
Camino medio recorrido l: distancia media
entre dos colisiones (sobre 10-5 cm= 10-2 nm)
Tiempo medio recorrido c: tiempo medio entre
dos colisiones (sobre 10-12 seg)
 Corriente de arrastre: movilidad

Si superponemos un campo elctrico pequeo:

cada electrn experimenta una fuerza qE qE que
lo acelera entre las sucesivas colisiones
Aparece
A otra
t componente t de
d velocidad
l id d
adems de la trmica: velocidad de arrastre
Provoca un desplazamiento neto de los
electrones en la direccin opuesta al campo
 Corriente de arrastre: movilidad

Aplicando un campo elctrico bajo

Velocidad de arrastre vn :
En estado estacionario el momento ganado entre colisiones es perdido en la colisin
El momentot aplicado
li d all electrn
l t durante
d t ell vuelo
l libre=momento
lib t ganado
d por ell electrn
l t
-qE C mn vn
q
vn C E
mn
q C cm 2
M ilid d del
Movilidad l t n
d l electrn: . Unidades
U id d
mn V .seg
vn n E
vp pE
 Corriente de arrastre: movilidad

Los efectos o fuentes de dispersin son varios:

Fonones: debido a las vibraciones de la red por la
temperatura
Impurezas ionizadas: debido a los dopantes
Aleaciones: inhomogeneidades
g en los componentes
p de
las aleaciones
Imperfecciones en la red de los cristales
Defectos
D f t en las l interfaces
i t f
Impurezas no intencionadas: contaminaciones

Reduccin de la tasa de dispersin:

Reducir la densidad de los estados finales que
producen
d di
dispersin
i
Reducir el potencial de dispersin
 Corriente de arrastre: movilidad

Vibraciones de la red cristalina:

Ocurre a temperaturas superiores a 0 K
Aumentan las vibraciones al subir la
temperatura
Estas vibraciones modifican el potencial
peridico del cristal
Permiten intercambiar energa entre los
portadores y los ncleos del cristal
e ca e e la
Tericamente a movilidad
o dad debdebida
da a
vibraciones, L, disminuye T-3/2
 Corriente de arrastre: movilidad

Impurezas ionizadas:
Ocurre cuando un portador pasa cerca de una
impureza ionizada (donador o aceptor)
Debido a la fuerza de Coulomb
La probabilidad del choque con impurezas
ionizadas depende de la concentracin total
(suma de aceptores y donadores), NI=NA+ND
Se reduce al aumentar la temperatura (los
portadores van ms rpido y pasan menos
tiempo cerca de la impurezas)
p
Tericamente la movilidad debida a impurezas
ionizadas, I, aumenta T3/2/NI
 Corriente de arrastre: movilidad

La probabilidad de colisin en la unidad de tiempo es

la suma de cada una de las probabilidades parciales
de cada tipo de colisin:
1 1 1

C C,fonones C, impurezas
En trminos de movilidad:
1 1 1

L I
MOVILIDAD. Relacin con la temperatura

Silicio
 MOVILIDAD. Relacin con el dopado

Domina a altos dopados (Si)

0
min
N
1
N
ref
La movilidad de los electrones es
ms elevada debido a su masa
ms reducida
 Potencial

Semiconductor homogneo tipo N en equilibrio

Contactos hmicos perfectos (sin cada de tensin)
Aplicado
Aplicado un
n campo elctrico E E, los electrones e
experimentan
perimentan una
na ffuerza
er a qE
qE
El mnimo de la banda de conduccin es la energa potencial del electrn
La energa cintica del electrn es la distancia a la banda de conduccin
qE (gradiente energa potencial del electrn)
dE C
-qE=-
dx
EC E V Ei E F
1 dE C 1 dE i d
E
q dx q dx dx
E
i
q
 Corriente de arrastre

Ip Ip

carga
I
tiempo
S
Suponemos que llos portadores
t d se mueven a velocidad
l id d constante
t t va :
va t todos los portadores que estn a una distancia menor que va t , atraviesan A en el tiempo t
va tA todos los portadores que estn en ese volumen, atraviesan A en el tiempo t
pva tA nmero de portadores que atraviesan A en el tiempo t, p=n portadores/cm3
qpva tA carga que atraviesa A en el tiempo t
y
Sustituyendo: Ip|arrastre =qqppva A
La densidad de corriente es: J p|arrastre =qpv a
 Corriente de arrastre

J n|arrastre =-qnv n =qnn E

J p|arrastre =qpv p =qpp E
J=J n|arrastre J p|arrastre
J qnn E+qpp E=(qnn +qpp )E
 RESISTIVIDAD

Definicin: para un material homogneo es la constante de

proporcionalidad entre el campo elctrico aplicado y la
corriente total de partculas por unidad de rea que fluye
en el mismo
1
E J J E

Conductividad 1

Sustituyendo:

J arrastre J n|arrastre J p|arrastre qn nE q p pE 1 E

1
. Simplificar:
q( n n p p )
1
Tipo N n N log( ) log( qn ) log( N D )
qn N D
D


Tipo P p N A 1 log( ) log( q p ) log( N A )
q p N A
Resistividad. Determinacin experimental sonda de cuatro puntas

V
W CF (-cm)
I
CF: factor de correccin (depende del dimetro de la oblea, d,
y del espaciado entre puntas, s. Si d/s>20, CF=4.54)
Bajo ionizacin total a partir de la resistividad se calcula
la concentracin de portadores
 Efecto Hall
Permite medir directamente la concentracin de portadores
p
Situacin:
Semiconductor tipo P
Campo elctrico en el eje x
Campo magntico en el eje z
 Efecto Hall
Fuerza de Lorentz sobre los huecos que van hacia x en direccin -y:

qv B qvx Bz
Se acumulan huecos en la parte superior(efecto Hall). No hay corriente en esa direccin.
Surge un campo elctrico E y para compensar (campo Hall):
qE y qvx Bz E y vx Bz
Voltaje Hall, VH E yW
Usando la corriente de arrastre de huecos J p qpv p ,
Jp
E y Bz RH J p Bz
qp
1 1
RH = coeficiente Hall. Para electrones R H
qp qn
Sirve para determinar la concentracin:

p=
1

J p Bz


I B
A z IBzW
qRH qE y q VH qVH A
W

Todas las candidades son medibles
 Corriente de difusin

Las corrientes de difusin son directamente proporcionales a los

gradientes de concentracin de partculas (usando la ley de Fick):

J p|difusion qD p p
J n|difusion
dif i qqDn n
 Corriente de difusin
Consideremos el nmero de e- e que cruzan el plano x=0
x 0 por unidad de tiempo y de rea
rea. Los electrones
tienen una velocidad media debido a la agitacin trmica y realizan un recorrido medio. El flujo medio
que cruzaran el plano x=0 desde la izquierda sera 1
n ( l ) l 1
F1 2 n ( l )vth
c 2
1
Y de forma similar el flujo de e- que cruzaran ese plano desde la derecha: F2 n(l )vth
2
El flujo neto de corriente de la izquierda a la derecha viene dado por:
1
F F1 F2 vth n( l ) n(l )
2
Aproximando las densidades de electrones, n(-l) y n(l) por los dos primeros trminos de la serie de Taylor:
1 1 dn dn dn dn
F vth n( l ) n(l ) vth n 0 l n 0 l vth l Dn
2 2 dx dx dx dx
El trmino Dn se denomina coeficiente de difusin. Teniendo en cuenta que el e- tiene carga q, la
densidad de corriente de e- se puede poner como:
dn
d
J ndifusion qF qDn
dx
Idnticamente la corriente de difusin de huecos es:

dp
J pdifusion qF qD p
dx
 Expresiones finales de la corriente

J n qn nE qDn n

J p q p pE qD p p
Corriente total J J n J p

Los coeficientes de difusin se p

pueden
relacionar con las movilidades de
portadores a travs de las relaciones de
Einstein.
 RELACIONES DE EINSTEIN
El movimiento de portadores en un sistema unidimensional
a partir del teorema de equiparticin de energa es:
1 1
mn vth kT
2

2 2
Usando las relaciones ya establecidas:
q c
n
mn
Dn vthl
l vth c
Sustituyendo:
m kT n mn
Dn vthl vth vth c vth2 n n
q n
m q
kT Dn kT
Dn
n
q n q
kT D p kT
Dp p
q p q
 CUASI NIVELES DE FERMI

Se introducen dos nuevos niveles, denominados cuasi-niveles de

Fermi bajo estas suposiciones:
Los electrones y huecos estn esencialmente en equilibrio trmico en
Los
sus bandas
El tiempo de recombinacin e-h es mucho mayor que el tiempo para
que los electrones y huecos alcancen el equilibrio
q q dentro de las bandas
Ev
n N e ( E ) f ( E )dE
e
p N h ( E ) f h ( E )dE
Ec

1 1 1
f e (E) f h ( E) 1 f v ( E) 1
E EFn E EFp E E
exp
1 exp 1 exp Fp 1
B T
B T
B T

Expresiones finales para la concentracin:

(E Ec ) ( E v E Fp )
n N c expp Fn p N v exp
B T B T
 CUASI NIVELES DE FERMI

Expresiones finales para la concentracin:

( E Fn E c ) ( E v E Fpp )
n N c exp exp
p N v exp
B T B T

Ec Ec
EF EFn
Ei Ei
EFp
Ev Ev
Equilibrio No equilibrio
 PROCESOS DE GENERACIN Y RECOMBINACIN

Cuando un semiconductor es perturbado de su

situacin de equilibrio (pn=n
( 2 ) puede aparecer
i
una modificacin en la concentracin de
portadores en respuesta a esa perturbacin
perturbacin. Los
procesos R-G son mecanismos de restauracin
del orden:
Generacin: proceso por el cual se crean pares
de electrones y huecos (portadores)
(portadores).
Recombinacin: proceso por el cual los pares de
electrones y huecos son aniquilados
aniquilados.
PROCESOS DE GENERACIN
PROCESOS DE RECOMBINACIN
 Conservacin de energa y momento en procesos R-G

A temperatura
t t ambiente
bi t los
l procesos R R-G
G estn
t ocurriendo
i d
constantemente, incluso en condiciones de equilibrio. En
general slo suele haber un proceso dominante sobre el
resto para cada tipo de dispositivo
En cua
cualquiera
qu e a de estos p
procesos
ocesos es p
preciso
ec so co
conservar
se a la a
energa y el momento, lo cual condiciona el tipo de procesos
R-G en los semiconductor directos e indirectos
 Recombinacin directa en semiconductores directos

Equilibrio termodinmico

Gth nmero de pares electrones-huecos generados/(cm3seg)

Rth nmero de pares electrones-huecos destruidos/(cm3seg)
En equilibrio termodinmico
Gth Rth
pn ni2
n y p se mantienen constantes
 Recombinacin directa en semiconductores directos

Equilibrio termodinmico Bajo iluminacin

 Recombinacin directa en semiconductores directos

Bajo iluminacin de semiconductores directos (slo intercambio de energa no momento)

aumenta la concentracin de n y p en una relacin G L .
bi i ( cte. de
Recombinacin i lid d) R= np
d proporcionalidad):
Bajo equilibrio termodinmico para semiconductor tipo n: G th Rth n n0 p n0
Iluminado el semiconductor se obtiene:
R= n n p n (n n0 +n)(p n0 p)
G=G L G th
Donde n=n n n n0 , p=p n pn0 , y n=p para mantener la neutralidad de carga
dp n
Tenemos G R GL G th R
dt
d
dp n
Bajo estado estacionario 0 GL R G th U
dt
Obtenemos el ratio de recombinacin U R G th (n n0 +p n0 p)p
p n pn0 p n pn0
Bajo nivel de inyeccin, tipo N, p, p n0 nn 0 U n n0 p=
1 p
n n0
Tiempo de vida del exceso de portadores minoritarios p y n
 Tiempo de vida de portadores minoritarios

Bajo iluminacin:
p n pn0
GL U
p
p n p n0 p G L
En t=0 se quita la iluminacin tenemos condiciones de contorno:
p n (t 0) p n0 p G L
p n (t ) p n0
dp n p pn 0
La ecuacin a resolver es: Gth R U n
dt p

Solucin: p n (t ) p n0 p G L exp t
p
 RECOMBINACIN INDIRECTA: FORMULACIN MATEMTICA DE LOS PROCESOS
DE R-G A TRAVES DE CENTROS DE RECOMBINACIN

n
: parcial de n respecto al tiempo, debida a procesos RG a traves de centros
t R G
p
: parcial de p respecto al tiempo, debida a procesos RG a traves de centros
t R G

nT : n de centros R-G que estan llenos de e- por cm3

pT : n dde centros R-G
R G que estan ll
llenos de h por cm3
d h+
N T : n total de centros R-G por cm3 , N T =n T +pT
Existen 4 posibles transiciones:
a. Captura de un e- en un centro R-G
b. Emisin de un e- por un centro R-G
c. Captura
Captu a de uun h+ een uun ce
centro
t o R-G
G (o u
un ee- de R-G
G cae a BV)
V)
d. Emisin de un h+ por un centro R-G (o un e- de BV cae a R-G)

n n n

t R G t (a) t (b)

p p p

t R G t (c) t (d )
Caracterizacin de cada una de las transiciones

n n n
rn cn pT n en nT
t R G t t
(a) (b)

p p p
rp c p nT p eP pT
t R G t t
(c) (d )
Simplificacin (I)
Simplificacin (II)
 ESTADO ESTACIONARIO

Para la mayor parte de los anlisis que hacemos

consideramos que el dispositivo se encuentra en
estado estacionario o cuasi estacionario
(situacin estable independiente del tiempo,
distinto de equilibrio)
ESTADO ESTACIONARIO
 Simplificaciones

Vamos ahora a realizar otra simplificacin

p p
para
obtener un resultado ms sencillo de la
recombinacin ppara el caso de bajo
j nivel de
inyeccin (BNI):
Simplificaciones. Bajo nivel de inyeccin (I)
Simplificaciones. Bajo nivel de inyeccin (II)

n0 p p
R
p n0 p

p0 n n
R
n p0 n
Recombinacin superficial
Recombinacin y generacin superficial
 Recombinacin superficial
Estados superficiales: son estados energticos
localizados en la superficie que generan centros de
generacin-recombinacin
Con bajo nivel de inyeccin y cuando la concentracin en
superficie es similar a la concentracin en volumen. El
nmero de portadores recombinados en superficie f por
unidad de rea y tiempo:

U s vth p N st ( ps pn 0 )
donde ps es la concentracin de huecos en superficie
p
N st es la densidad de centros de recombinacin por unidad de rea superficial
v th es la velocidad trmica
p es el coeficiente de captura de huecos
Se define el coeficiente de recombinacin superficial a baja inyeccin
Slr vth p N st
 Recombinacin Auger

Ocurre cuando se transfiere energa y momento debida a la

recombinacin de un par de portadores a una tercera
partcula (electrn o hueco)
La tercera partcula absorbe la energa debido a la
recombinacin y la pierde poco a poco debido a procesos de
dispersin con la red cristalina
Es un proceso importante a alto dopado o a alto nivel de
inyeccin
Raug=n2p o p2n
La constante de proporcionalidad depende fuertemente de
la temperatura
 Ecuaciones fundamentales

D
H J t

B
Ecuaciones de Maxwell E
t
D

B 0

D es ell vector
t desplazamiento
d l i t elctrico,
l t i D E
E el campo elctrico
H campo magntico
B induccin magntica B H
J densidad de corriente
densidad espacial
p de carga
g
q (n p N A N D ), considerando ionizacin total N D N D , N A N A
permitividad
Suponemos SC homogneo =cte
 Ecuaciones fundamentales
D
2V Ecuacin de Poisson. Sustituyendo la densidad de carga:
D E
q
2V ( n p N A N D )
D

Teniendo en cuenta : H J
t
D
( H ) 0 J
t

J 0 Ecuacin de continuidad. [SC homogneo]
t
Descomponiendo el termino de J en la parte de huecos y electrones:
n p
J J n J p J n q J p q qG
t t
Dividiendo para electrones y el segundo para huecos:
n
J q qG
G
t
n

J q p
qG
t
p

El termino en G indica la variacion de n y p, y es debido a procesos

de Generacion/Recombinacion.
Se procucen cuando un e- pasa de la BV a la BC (Generacion)
o viceversa (Recombinacion)
Incognitas : n, p, V , J n , J p , G
 Ecuaciones de continuidad
n n n n n

t t arrastre t dif t R G t otrospro
p p p p p

t t arrastre t dif t R G t otrospro

Las ecuaciones de continuidad se pueden escribir de forma ms compacta

n n
rN gN 1
J N
n

n
t R G t otrospro q t a t dif

p p 1 p p
rp gp J P
t t q t a t
R G otrospro
dif

obtenemos
n 1
J N rN g N
t q
p 1
J P rP g P
t q
Ecuaciones de difusin de portadores minoritarios

A partir de las ecuaciones de continuidad y las densidades de corriente

y los trminos de recombinacin-generacin (caso 1D):
n 1 J N
(Gn Rn )
t q x
p 1 J p
(G p R p )
t q x

J n qn nE qDn n

J p q p pE qD p p
S obtiene,
Se bti d y D constantes:
considerando
id t t
n p E n p 2np np np0
n p n n E Dn G
t x x x 2
n
n
pn E pn 2 pn pn pn 0
pn p pE Dp G
t x x x 2
p
p
 CASOS PARTICULARES
Situacin estacionaria, sin iluminacin, solo inyeccin por un lateral constante, sin campo elctrico

n p
0
t
GL 0
2 n p n p
DN 0
x 2
n
x x
L
n p ( x ) Ae
A Ln
Be
B n
, Ln Dn n
Identicamente para huecos
2 pn pn
DP 0
x 2 p
x
x L
pn ( x ) Ae Be , Lp D p p
L p n

x
pn ( x ) pn (0) pn 0 e Lp
 CASOS PARTICULARES
Situacin estacionaria, sin iluminacin, solo injeccin por un lateral constante, sin campo elctrico.
Barra finita

W x
sinh
p
L
pn ( x ) pn (0) pn 0
W
sinh

Lp

En esta caso la corriente en el extremo x=W ser:

pn Dp 1
J p ( x W ) qD p q pn (0) pn 0
x Lp
W
sinh W
Lp

 Experimento Haynes-Shockley

Demuestra la corriente de arrastre y de difusin de

portadores minoritarios
Permite medir independientemente la movilidad y
el coeficiente de difusin de portadores
minoritarios
Experimento:
Partimos de un semiconductor tipo N
Se aplica
p un voltaje
j V1 q
que ggenera un campo
p
elctrico en direccin +x
Se inyectan portadores en x=0 y t=0 en el
contacto 1
Se miden los portadores en el contacto 2
 Experimento Haynes-Shockley

D
Despues ddell pulso
l considerando
id d campo cte.
E
tenemos G P 0, 0
x
Usando la ecuacin general simplificando:
pn pn 2 pn pn pn 0
p E Dp
t x x 2 p
Si no hay campo elctrico la solucin es:
N x2 t
p n ( x, t ) exp pn 0

4 D p t 4 D pt p
N es el nmero de e- y h+ generados por unidad de rea
Bajo campo elctrico la ecuacin x es reemplazada por x-p Et
Los portadores se mueven por arrastre a una velocidad p E
Experimento Hayes-Shockley
 Emisin termoinica
.

Es el proceso por el cual los electrones que tienen

energa superior a la afinidad pueden ser emitidos
all vaco

Densidad de electrones con energa superior a q

q( Vn )
n th q n ( E ) dE N C exp kT

siendo qVn EC EF
 Transporte tnel

Es la
E l b
base dde llos di
diodos
d ttnell
Dos semiconductores iguales separados una
distancia d y una barrera qV0
Resolviendo la ecuacin de Schrodinger en cada
zona y aplicando las condiciones de contorno
tenemos el coeficiente de transmisin:

2
C 2d 2m (qV 2
exp 2 d exp
n V0 E ) /

A
Es muyy ppequeo
q cuando d 1. Aumenta cuando:
-Distancia d se reduce
-Barrera qqV se reduce
-Masa efectiva se reduce
 EFECTOS A CAMPOS ALTOS
Saturacin de la velocidad
A campos bajos la velocidad de arrastre es proporcional al campo
elctrico. Asumimos que el tiempo entre colisiones es independiente del
campo (la velocidad de arrastre es pequea comparada con la velocidad
debida a la agitacin trmica 107 cm/s)
Al aumentar el campo elctrico (5 103V/cm) llega un momento en el cual
la velocidad de arrastre de los portadores no se incrementa
proporcionalmente sino que permanece constante, y pasa a ser
independiente del campo aplicado

0
vdsat
vdsat , n n E

1 A e T
Td
Corriente de difusin p pE

J p qpvdsat
EFECTOS A CAMPOS ALTOS
Transferencia de portadores entre valles
 EFECTOS A CAMPOS ALTOS
Transferencia de portadores entre valles

Cuando la estructura de bandas presenta varios mnimos

prximos
i en energa
es posible
ibl que llos portadores
t d ms

energticos (cuya energa se ve incrementada por el
p elctrico)) p
incremento del campo pasen de un valle a otro,,
cambiando adems sus propiedades de transporte.
EFECTOS A CAMPOS ALTOS Y PEQUEAS DIMENSIONES
Transporte balstico

Si longitud del dispositivo es del orden de la longitud media

de los procesos de dispersin habr mucha diferencia
entre las velocidades de los portadores
portadores, algunos
atravesarn el dispositivo sin sufrir apenas choques, otros
chocarn, producindose velocidades de los portadores
muy diferentes, las desviaciones de la media sern
importantes. Adems podra darse el caso que la longitud
del dispositivo fuera menor que la longitud media de los
procesos de dispersin, por lo cual pocos portadores
sufriran procesos de dispersin.
Tenemos velocidades de portadores muy altas debido a la
poca distancia a recorrer y a efectos de dispersin
pequeos con lo que dispondremos de dispositivos muy
rpidos.
Ionizacin por impacto