Chapitre 1

CHAPITRE I:
CARACTERISATION DES DIODES PIN EN COMMUTATION
CHAPITRE I
I. CARACTERISATION DES DIODES PIN EN COMMUTATION
I.1. INTRODUCTION
Les composants de puissance et en particulier les diodes PIN trouvent des
applications en nombre croissant dans le domaine de llectronique industrielle qui exige de
plus en plus de performances en termes de :
chute de tension en polarisation directe, chute qui doit tre la plus faible possible pour
limiter les pertes lors de la circulation de courants dintensit leve,
tension de claquage qui doit tre haute mais qui dpend naturellement de lapplication,
densit de courant en polarisation directe qui doit tre leve mais dpend naturellement
de lapplication,
vitesse de commutation qui est souhaite trs leve pour satisfaire la monte en
frquence des systmes de puissance et pour minimiser les contraintes sur linterrupteur
principal.
La physique des semi-conducteurs nous montre quil nest pas possible de satisfaire
simultanment ces quatre exigences. Par consquent les fabricants de composants ralisent
des compromis pour satisfaire au mieux ces contraintes. En effet, pour les diodes PIN, les
paramtres physiques qui jouent un rle primordial pour atteindre un meilleur compromis
sont: la concentration des atomes dopants, ND, dans la zone centrale, la largeur de la zone
centrale de la diode, W, la surface active du composant A et la dure de vie ambipolaire, .
Les valeurs de ces paramtres technologiques dpendent du domaine dapplication vis.
THESE - Hatem Garrab -6-

Contribution la modlisation lectro-thermique
de la cellule de commutation MOS-Diode
CHAPITRE I:
Vue laugmentation importante de la frquence de dcoupage des systmes lectroniques
de puissance, notre travail portera sur ltude des formes dondes du courant et de la tension
aux bornes des diodes PIN ultra-rapides, lors de la commutation. La diode PIN est le
dispositif presque indispensable dans les systmes lectroniques de puissance.
Dans la premire partie de ce chapitre, nous rappelons brivement laspect technologique et
physique de la diode de puissance. La description comportementale de la commutation au
blocage fera lobjet de la deuxime partie. La troisime partie sera consacre la
prsentation du banc de mesure, dvelopp au sein de notre laboratoire. En disposant de ce
banc de mesure et en adoptant des techniques de mesure du courant et de la tension,
diverses diodes PIN ont t caractrises en commutation. Puisque le blocage de la diode
PIN est assur par un transistor MOSFET dans notre circuit de commutation, il est
indispensable de tenir compte de ce dispositif lors de la modlisation du circuit de test. Do
la ncessit de modliser cet interrupteur command pour la simulation du comportement
transitoire des diodes PIN en commutation.
I.2. Aspect technologique de la diode pin de puissance
I.2.1 PROFIL DE DOPAGE DE LA DIODE PIN DE PUISSANCE
Lallure gnrale du profil de dopage de la diode de puissance PIN est reprsente dans la
figure I.1, pour chacune de deux versions disponibles sur le march. Elles se diffrencient
pour des raisons purement technologiques, en fonction de leur calibre, dtermin par la
tension de claquage VBR. On distingue deux cas :
- Haute tension (VBR 1500 V ) on utilise la technologie toute diffuse [Arnould-92]. Le
matriau de dpart est un substrat homogne faiblement dop de grande rsistivit ( 10
100 .cm ) dans lequel sont ralises des diffusions sur chaque face. Lpaisseur de la zone
centrale Wv est importante, et assez difficile contrler lors du processus de fabrication.

CHAPITRE I:
Concentration
(at.cm-3)
N+ diffus P diffus
Substrat homogne
dorigine peu dop
(10 100 .cm)
N+ P+
XJN W XJP
30 150m 30 500m 10 50m
e
Cas a
Figure I.1 (a): Allure du profil de dopage dune diode PIN, technologie " tout diffus ", [Anould-92].
Substrat homogne
Concentration dorigine trs dop
(at.cm-3) (30 10 m.cm)
Diffusion P
dans le dpt
pitaxie
N+ P+

XJN
W XJP
5 50m 5 20m
W substrat W pi Dpt pitaxi

400 500m peu dop (2 20 .cm)
Cas b
Figure I.1 (b): Allure du profil de dopage dune diode PIN, technologie " pi diffuse " [Anould-92].

CHAPITRE I:
- Pour les basses et moyennes tensions ne ncessitant pas une paisseur Wv trop
importante, les diodes sont pi-diffuses. Sur un substrat fortement dop N+, on fait crotre
une couche (ou plusieurs) pitaxie, faiblement dope, dpaisseur raisonnable et bien
contrle, dans laquelle on diffuse, ou on implante, une couche P+ pour former lanode. Lors
des diffrents recuits, les zones diffuses ou implantes vont voluer et modifier notamment
lpaisseur de la zone pitaxie.
Pour avoir des commutations douces des diodes PIN pi-diffuses, et viter le risque
de leur claquage particulirement pour des tensions leves appliques en inverse, un profil
de dopage amlior a t propos dans la littrature [Baliga-87] (figure I.2). Il sagit dun
substrat fortement dop N+ sur le quel on fait crotre successivement deux couches
pitaxies faiblement dopes et dpaisseurs raisonnables et bien contrles. Le dopage de
la premire couche pitaxie doit tre suffisamment lev pour limiter la dispersion de la
zone de dpltion et suffisamment faible pour permettre toujours la modulation de la
conductivit. La deuxime couche pitaxie est responsable de la tenue en tension en
inverse. Sur cette dernire on diffuse ou on implante une couche P+ pour former lanode.
Il existe dautres variantes pour le contrle de la rgion N-N+.

Substrat homogne
Concentration dorigine trs dop
(at.cm-3) (30 10 m.cm)
Diffusion P
dans le dpt
pitaxie
N+ P+
XJN

W XJP
5 50m 5 20m
W substrat W pi Dpt pitaxi

400 500m peu dop (2 20 .cm)
Figure I.2 : Allure du profil de dopage amlior de la diode PIN avec une technologie pi-diffuse

CHAPITRE I:
I.2.2 LES PROTECTIONS PERIPHERIQUES
La littrature propose plusieurs techniques de protection. Les plus couramment
utilises par les concepteurs, de part leur simplicit de ralisation et leur efficacit, sont la
structure Mesa [Lanois-97] (figure I.3), lextension latrale de jonction (JTE) [Temple-76]
(figure I.4) et les anneaux de garde [Alder-77] (figure I.5). La fonction quils assurent est
dtaler les quipotentielles en priphrie de la jonction polarise en inverse. Ltalement des
quipotentielles permet de diminuer localement lamplitude du champ lectrique la
priphrie pour viter la gnration des porteurs par un phnomne davalanche, et par
consquent un claquage prmatur en priphrie de la jonction par rapport au volume.
P+
N+
Fig I.3: Structure Mesa
P+ P P P
N+
Fig I.5: Anneaux de garde

CHAPITRE I:
P+ P
N+
Fig I.4: JTE
I.3. ASPECT PHYSIQUE
Les concepts de la physique des semi-conducteurs sont reprsents par des quations
mathmatiques. Dans un modle unidimensionnel, ces quations sont [SZE-81] :
a) lquation de Poisson
E ( x, t )
( x, t ) = (Eq I.1)
x
o ( x, t ) = q[( x) + p ( x, t ) n( x, t )] (Eq I.2)
et ( x) = N D ( x) N A ( x) (Eq I.3)
b) la dfinition du potentiel lectrique (Equation de Faraday)

( x, t ) = E ( x, t ) (Eq I.4)
x
c) les quations de continuit pour les lectrons et les trous
p 1 J p
( x, t ) = U ( x, t ) ( x, t ) (Eq I.5)
x q x
n 1 J n
( x, t ) = U ( x, t ) + ( x, t ) (Eq I.6)
t q x

CHAPITRE I:
o le taux de gnration-recombinaison (ShockleyRead-Hall) est :
pn ni
2
U ( x, t ) = (Eq I.7)
p n + n p + 0 ni
avec 0 ni = p1 n + p n1 (Eq I.8)
d) les quations de transport: conduction et diffusion
p
J p ( x, t ) = q p p( x, t ) E ( x, t ) qD p ( x, t ) (Eq I.9)
x
n
J n ( x, t ) = q n n( x, t ) E ( x, t ) + qDn ( x, t ) (Eq I.10)
x
La physique des semi-conducteurs impose des contraintes importantes pour la
ralisation des diodes de puissance commutation rapide. En effet, il nest pas possible
davoir simultanment une grande rapidit, une tenue en tension inverse leve et une faible
chute de tension ltat passant. Nous allons passer en revue ces trois caractristiques pour
mettre en vidence les contraintes imposes par chacune dentre elles et montrer ainsi les
bases des compromis ncessaires.
La tenue en tension en volume est lie au dopage ND et la largeur W de la zone centrale.
La figure I.6 montre lvolution de la tension de claquage en fonction de la concentration de
dopants et de lpaisseur de la zone centrale pour une diode PIN en silicium.
Sous polarisation inverse la zone de charge despace (ZCE), sige d'un champ lectrique,
s'largit de part et d'autre de la jonction mtallurgique et entrane la dsertion en porteurs
libres l'intrieur de ses limites. La distribution du champ lectrique est alors fonction des
concentrations en atomes dopants ioniss dans les rgions P et N. Le champ tant maximal
la jonction.

CHAPITRE I:
Rgion de coude
Figure I.6 : Tension de claquage en fonction de la concentration et de lpaisseur de la zone centrale
dune diode PvN [Arnould-92]
La neutralit globale de la ZCE implique une galit des charges de chaque cot de la
jonction et par consquent une extension de la ZCE plus importante du ct le moins dop
c'est dire du ct de la zone centrale. Lorsque la tension inverse applique augmente, le
champ lectrique maximal augmente avec l'extension de la ZCE, la forme du champ est soit
triangulaire tant que cette extension reste infrieure l'paisseur de la zone centrale, soit
trapzodale lorsqu'elle est suprieure. Dans ce dernier cas, il y a percement de la zone
centrale. Lorsque le champ lectrique atteint une valeur maximale appele champ critique
(Ec), les porteurs acclrs dans la ZCE acquirent suffisamment d'nergie, entre deux
interactions avec les atomes du rseau, pour ioniser ceux-ci et crer ainsi des paires
lectron-trou qui, acclres leur tour peuvent provoquer l'ionisation d'autres atomes. C'est
le phnomne d'avalanche qui survient donc pour une valeur critique du champ lectrique,

CHAPITRE I:
elle-mme atteinte pour une valeur particulire de la tension inverse applique, appele
tension de claquage (VBR).
Dans la pratique, le compromis entre la tenue en tension et une faible chute de tension
l'tat passant impose que l'avalanche survienne dans les conditions de percement.
A partir du schma de la figure I.6 on vrifie que :
Pour un dopage ND donn, la tenue en tension est plus faible si on rduit la largeur W de
la zone centrale.
Pour une mme largeur W de la couche centrale, l'augmentation du dopage entrane une
diminution de la tension de claquage. Le champ lectrique critique est un paramtre
physique du silicium, fonction du dopage et de la temprature [Baliga-87,Arnould-92].
En consquence, la ralisation d'une diode forte tenue en tension implique la prsence
d'une zone centrale faiblement dope et de grande paisseur W. Cette couche prsenterait
donc une rsistance importante proportionnelle W et inversement proportionnelle la
surface A si la conduction devait tre assure par les seuls porteurs majoritaires. Pour ce
type de diode on devrait avoir une grande chute de tension l'tat passant qui serait
directement lie la rsistivit et la largeur W de la zone centrale.
Heureusement, dans les cas pratiques en polarisation directe, la diode passe en rgime de
fort niveau dinjection. Cela veut dire que les porteurs minoritaires injects travers la zone
de charge d'espace sont en nombre suprieur leur dopage initial dans la zone la moins
dope. Elle est compltement remplie par une zone en forte injection que l'on appelle aussi
la zone de plasma. C'est une zone neutre o l'quilibre lectrostatique est ralis entre les
concentrations en lectrons et en trous. Quand la condition de forte injection nest pas
prsente partout dans la zone pitaxie, un terme de drive du courant (assist par champ)
sajoute au terme de diffusion, dautant plus que la polarisation directe de la diode est faible.
Il en rsulte alors une diminution importante de la chute de tension aux bornes de la zone
faiblement dope, qui est devenue la zone de plasma. Malgr une grande paisseur de la
zone de plasma, la chute de tension l'tat passant peut tre trs faible. Par exemple pour
une zone centrale de type N de 1014 cm-3 (~40 .cm) dpaisseur 100m aprs injection 1017

CHAPITRE I:
cm-3, la rsistivit apparente est 1000 fois plus faible qu' l'origine (~0.04.cm), ce qui donne
une faible chute de tension l'tat stationnaire [Arnould-92]. La chute de tension devient une
fonction complexe qui dpend de la quantit de charges stockes, de la largeur de la zone
de plasma et de la dure de vie ambipolaire . Celle-ci est la somme des dures de vie des
lectrons et des trous = n + p (Eq. I.11).
Le prix payer, outre le fait davoir simultanment une faible chute de tension l'tat
passant et une grande tenue en tension, est linstallation dune importante quantit de
charges dans la zone de plasma quil faudra vacuer avant desprer commuter de ltat
passant ltat bloqu.
En rgime dynamique on constate que l'vacuation de cette charge est d'autant plus lente
que la dure de vie ambipolaire est grande. La dure de vie peut tre contrle par diffusion
de mtaux lourds (Au, Pt) ou par bombardement lectronique. L'injection de ces mtaux
lourds permet d'amliorer les temps de commutation mais dgrade la chute de tension
l'tat passant et augmente les courants de fuites. On peut aussi utiliser lirradiation
lectronique dnergie suprieure au MeV. Elle a pour avantage dtre faite temprature
ambiante, aprs fabrication complte de la plaquette et dtre facilement ajuste la valeur
dsire. En pratique la largeur W et le dopage ND de la zone faiblement dope des diodes
PIN optimises sont situes dans les rgions de coudes de la figure I.6. Ceci va tre analys
en dtail dans le chapitre III (paragraphe III.7.2).
I.4. DESCRIPTION COMPORTEMENTALE DE LA COMMUTATION DE LA DIODE PIN
Dans ce paragraphe, nous allons tudier les diffrentes formes dondes du courant et de la
tension aux bornes de la diode PIN soumise une mise en conduction et un blocage. La
diode en commutation, na rien dun interrupteur idal. Les formes dondes du courant et de
la tension reprsentes dans la figure I.7 montrent les surtensions obtenues soit la mise en
conduction soit au blocage de la diode ainsi que le phnomne du recouvrement inverse par
le courant lors du blocage.

CHAPITRE I:
Ces phnomnes transitoires peuvent tre prjudiciables la diode elle mme et aux
lments semi-conducteurs auxquels elle est associe.
I Diode I Diode
parfaite relle
t t
trr
V V
t t
tFR
VR VR
Figure I.7 : Formes donde dune diode en commutation
I.4.1. LA MISE EN CONDUCTION
LD
Diode IF
VR
2 1
Interrupteur
M
Figure I.8: Circuit de commutation la fermeture dune diode de puissance.
LD est linductance de maille.

CHAPITRE I:
Ltablissement du courant dans une diode de puissance peut se faire en ouvrant
linterrupteur M tel que le montre la figure I.8. En effet, la diode initialement bloque (tat (1)
) et tenant la tension applique VR va se mettre conduire et la tension va se trouver
presque totalement aux bornes de linterrupteur (tat (2)). On constate alors que la
croissance du courant saccompagne dune surtension directe, dont la valeur maximale est
VFP, pendant un temps tFR, comme le montre la figure I.9.
IF I0
relle
VF
VFP
tFR
Figure I.9 : Commutation la mise en conduction dune diode
Cette surtension VFP et le temps de recouvrement direct tFR sont les deux paramtres qui
vont caractriser la rapidit de la mise en conduction de la diode. On interprte ce
phnomne comme ayant un caractre rsistif. Il correspond une variation de la rsistance
apparente de la diode en fonction du temps. Cette variation qui va de quelques ohms
ltablissement du courant, pour atteindre quelques milliohms au bout dun temps peu
diffrent de tFR. Elle est due laccroissement des concentrations de porteurs minoritaires
injects dans la zone centrale de la diode. Cette injection modifie le processus de
conduction, le courant tant de plus en plus vhicul par diffusion. Il en rsulte que la
rsistance apparente de la zone centrale ainsi donc que la chute de tension aux bornes de la
diode, dcrot avec le temps.

CHAPITRE I:
I.4.2. BLOCAGE DE LA DIODE
Le blocage de la diode PIN peut tre produit par la fermeture de linterrupteur M tel que le
montre la figure I.10. Cette dernire prsente la configuration la plus simple commune aux
convertisseurs pour reprsenter le comportement transitoire de la diode, rencontr en
pratique [MOREL-94, ANTONIO-94, ANTONIO-97]. Le pire cas pour les pertes lectriques
des diodes PIN apparat lors de louverture. Cest pour cela que notre travail de recherche
sera focalis sur ltude transitoire et la modlisation des diodes PIN lors de louverture.
iA
LD
vdiode Diode IF
VR
2 1
Interrupteur
M
vM
Figure I.10: Circuit de commutation louverture dune diode de puissance.
LD est linductance de maille.
Les formes donde du courant et de la tension louverture sont montres dans la figure I.11.
et dcrites dans le paragraphe suivant.
Sur ces caractristiques transitoires, nous dfinissons les paramtres qui sont lis aux
caractristiques internes de la diode [Thomson-83]:
IRM : courant inverse maximum,
VRM : tension inverse maximum,
tRR : temps de recouvrement inverse,
dvF / dt : pente de la tension inverse au moment du passage IRM ,

CHAPITRE I:
dIR /dt : pente du courant de recouvrement au moment du passage VRM.
Les autres paramtres sont externes la diode; ils rsultent des conditions exprimentales
du circuit de test:
diA/dt : Pente de dcroissance du courant passant dans la diode iA,
VR : Tension inverse applique,
IF : Courant direct dans la diode au moment du blocage.
A partir de la fermeture de linterrupteur, soit de linstant t0, on observe une dcroissance du
courant iA donne par lquation de maille du circuit de commutation :
di A V v +v
= R diode M (Eq I.12). Si M commute rapidement, la tension ces bornes,
dt LD
vM peut tre ngligeable par rapport VR. La tension aux bornes de la diode vdiode reste
lgrement positive cause de la prsence de la zone plasma dans la rgion centrale de la
diode. Cela permet de ngliger aussi la valeur de vdiode par rapport VR
di A V
= R (Eq I.13)
dt LD
La vitesse de commutation diA/dt est donc proportionnelle la tension inverse applique et
inversement proportionnelle linductance du circuit de commutation. Dans la pratique cette
inductance reprsente linductance parasite du cblage. A partir de t1 le courant sinverse et
donne lieu une pointe de courant dite courant de recouvrement inverse . A partir de t1
jusqu t2 la tension VF reste positive. En effet, tant que la concentration en porteurs
minoritaires au voisinage de la jonction PN est suprieure la concentration ND dans la zone
centrale, aucune zone de charge despace ne peut se dvelopper et la diode reste polarise
en direct. La tension v(t) aux bornes de la diode reste peu prs constante. Puis partir de
t2 la tension aux bornes de la diode donne lieu une surtension inverse en t4 dont la pointe
concide avec le point dinflexion de la remonte du courant. Le mcanisme de la remonte
du courant inverse partir de t3 est trs diffrent de ce quil tait auparavant car cest ici la
diode et non le circuit extrieur qui impose la vitesse de cette remonte. En effet entre t3 et
t4, la diode impose la vitesse de remonte dIR/dt dont rsulte une surtension

CHAPITRE I:
vD = LD dIR /dt qui prend naissance dans linductance srie LD et sajoute la tension VR.
4
IF = iA
2 tRR
0
-2
-4
-6 dIR/dt 0.1 IRM

Idiode[A]
-8 dIF/dt
-10
-12
-14 IRM
-16
100,00n 125,00n 150,00n
0
tVRM1
tVRM VRM1
-50
-100
dvF/dt
-150
Vdiode[V]
-200
-250
-300
-350
-400 VRM
t0 t1 t2 t3 t4 t5
100,00n 125,00n 150,00n
Temps[s]
Figure I.11 : caractristiques transitoires de louverture dune diode PIN simules par le logiciel
DESSIS-ISE ( VR = 150 V, IF = 2 A, LD = 100 nH, A = 3,26 mm2 , W = 40 m , = 180 ns, xJP = 16 m,
xJN = 72 m ).

CHAPITRE I:
La tension inverse atteint alors sa valeur maximale inverse VRM. Dans cette phase, le
comportement de la diode est donc dtermin par linteraction entre la zone de plasma, la
zone de charge despace et le circuit externe. En fin de recouvrement, la diode se comporte
alors comme une capacit non linaire en srie avec linductance et les rsistances du
circuit, ce qui donne une rponse oscillatoire amortie du systme avec une dcroissance
rapide du courant [Gamal-92]. Si la charge stocke dans la zone centrale est importante, elle
svacue par extraction aux limites de la zone neutre, et par recombinaison. La zone de
plasma joue alors un rle important et la diode prsente un recouvrement plus amorti.
I.4.3. INTERPRETATION DU PHENOMENE DE RECOUVREMENT INVERSE DE LA DIODE DE PUISSANCE
On interprte ce phnomne par les considrations suivantes: pendant la conduction, un
rgime de fort niveau dinjection stablit dans la zone centrale de diode la PIN. Lintgration
des quations de continuit en supposant que les trous et les lectrons se recombinent
avant datteindre lautre ct (dure de vie faible), donne la quantit de charges
emmagasines, Q0 = IF dite charge stocke dans la zone faiblement dope, tant la
dure de vie ambipolaire et IF le courant direct dans la diode. Pour que la diode soit bloque,
toute cette charge doit tre limine. Or, pendant le blocage une partie de ces charges
disparat spontanment par recombinaison lintrieur du semi-conducteur, et lautre partie
QR dite charge recouvre est vacue par le courant inverse. Cette charge recouvre
peut tre dcompose en deux parties : une charge recouvre Q1 de t1 t3 et une charge
recouvre Q de t3 t5 ( QR = Q1+Q). Si la vitesse de variation du courant pendant le
recouvrement inverse est trs grande, la recombinaison interne est ngligeable et la charge
recouvre est trs voisine de la charge stocke. Or, cest cette charge recouvre qui
engendre le courant de recouvrement inverse et toutes ses consquences. En particulier, la
vitesse de dcroissance du courant inverse partir de t3 est dterminante pour limportance
de la surtension. Les diodes remonte de courant trs rapide doivent supporter de fortes
surtensions.

CHAPITRE I:
I.5. BANC DE MESURE CARACTERISANT LES DIODES PIN EN COMMUTATION
Ce banc a t initialement dvelopp par C.C.LIN [Lin-94]. Il est depuis continuellement
amlior. Pour caractriser les diodes PIN ultra-rapides de puissance louverture nous
allons prsenter le circuit de commutation donn dans les figures I.8 et I.10. Puisque ce
circuit contient un interrupteur command, les caractristiques du circuit de commande de
linterrupteur sont importantes en terme de vitesse de commutation. En effet, si linterrupteur
command commute lentement la fermeture, le blocage de la diode sera fortement
dpendant de ce dernier. Afin de saffranchir en partie de cette dpendance, il est impratif
dutiliser un interrupteur command trs rapide. Il a t choisi un transistor MOSFET IRF740.
Ce transistor MOSFET est en pratique soulag par un transistor IGBT "MUP304" connect
en parallle avec le MOSFET, comme montr dans les figures I.12 et I.14.
Linductance l2 une grande valeur, elle permet de maintenir le courant direct IF constant
pendant quelques millisecondes. Cependant linductance l1 haute frquence avec une
valeur plus rduite, permet essentiellement de dconnecter lIGBT du circuit de commutation
durant la commutation et de maintenir le courant IF constant pendant la commutation.
Un systme de commande spcifique pour les deux transistors MOSFET et IGBT a t
conu. Leurs diagrammes temporels de commande sont dfinis dans la figure I.13. Le
transistor IGBT moins rapide que le MOSFET est plus robuste, il assure la plus grande partie
de la dissipation d'nergie et conduit la plupart du temps durant la priode de dcoupage.
L'IGBT est bloqu durant plusieurs dizaines de microsecondes chaque centaine de
millisecondes. Quand l'IGBT est bloqu, la cellule de commutation compte normalement un
seul cycle de commutation, cest dire une mise en conduction et un blocage de la diode.

CHAPITRE I:
LD
R C
Diode IF
VR
l1 l2
MOS
IGBT
Figure I.12 : Circuit exprimental quivalent pour la commutation de la diode PIN
Avant le blocage de l'IGBT, le transistor MOSFET passe l'tat conducteur pour assurer la
continuit du courant. La diode ne commute ltat conducteur quaprs blocage du
transistor MOSFET. La diode va se trouver ainsi en mode dit de roue libre durant un
court intervalle de temps, tD (5 15s). Cela vitera les effets dauto-chauffement de la
diode par conduction. Ds que le transistor MOSFET commute ltat passant, la diode se
bloque. Notre tude portera sur cette dernire phase transitoire de la diode.
Signal de
commande pour
la grille de tM tM
lIGBT tD
IGBT IGBT
t
Signal de
commande pour
la grille du MOS Diode MOS
MOSFET t
Fig. I.13 : Les squences du circuit de commande (Quand le transistor MOSFET est bloqu, la diode
est en mode de roue libre)

CHAPITRE I:
shunt Deux sondes de

tensions
VR
Capacit
polypropylne
+ cramique
MOSFET LIGBT Diode Circuit de

IRF740 et son circuit de PIN commande du
commande MOSFET
Fig. I.14 : Photographie du circuit de test pour la commutation de la diode PIN
Pour stabiliser la tension applique par le gnrateur nous avons ajout dans le circuit de
test en parallle avec la source de tension, une capacit polypropylne+cramique, C
(Figure I.14).
Pendant la conduction de la diode, le courant direct IF est positif, le gnrateur de tension
doit donc consommer de lnergie. Cela aboutit charger le condensateur C, ce qui pose
fort niveau de courant des problmes avec la rgulation de la source de tension VR qui nest
pas rversible en courant. Pour viter ce problme nous avons ajout dans le circuit de test,
en parallle avec la source VR, une rsistance R (figure I.12).
Pour les mesures de commutations rapides, nous avons besoin des instruments de mesures
avec des bandes passantes importantes. Pour suivre un signal qui a un temps de monte tr,
on est limit par le temps de monte maximum autoris par lappareil de mesure tm. Pour
minimiser linfluence de lappareil de mesure (oscilloscope + sonde), il faut que tm soit

CHAPITRE I:
ngligeable devant tr ( tm << tr ). Par consquent, nous avons besoin dinstruments de
mesures ayant des bandes passantes suprieures 500 MHZ.
1.5.1 MESURE DES COURANTS
Pour la mesure du courant en commutation avec des forts diA/dt suprieurs 1000A/s, les
problmes de mesure ne sont pas restreints aux temps de monte mais aussi aux
oscillations qui sajoutent au signal mesurer. Ces oscillations sont dues aux inductances et
capacits parasites. Des frquences doscillations de 10MHZ 100MHZ peuvent tre
atteintes. Donc, des sondes grande bande passante sont ncessaires pour tudier les
phnomnes cits prcdemment.
Parmi les techniques de mesure du courant cit dans la littrature, nous avons utilis des
shunts, qui permettent la mesure des courants et procurent une large bande passante. Ils
apportent dexcellents rsultats (rponse frquentielle, valeur de courant). Leur utilisation est
limite au niveau thermique. Labsence disolation galvanique rend la mesure difficile. Ce
type de capteur demeure lun des plus performants et prcis des techniques de mesure de
courant. Un shunt de type SDN-414-025 de rsistance 0.025 ohm ayant une bande passante
de valeur 1200MHz a t slectionn pour les mesures de commutation de courants. Deux
cbles coaxiaux ayant deux longueurs diffrentes et un cble coaxial semi-rigide (Ame en
cuivre de 0,5mm tam largent, blindage en cuivre assurant de faibles pertes en RF)
connectant le shunt l'entre de l'oscilloscope ont t utiliss pour prlever les formes
d'ondes du courant passant dans la diode lors de la commutation comme montr dans la
figure I.15. Le cble coaxial semi-rigide conserve de bonnes performances jusqu 18GHz si
il est utilis avec des connecteurs SMA. Nous remarquons partir de la figure I.15 que le
cble coaxial semi-rigide ayant une longueur de 0,5m est le plus appropri pour les mesures
les plus prcises puisqu'il induit une moindre dformation sur la forme d'onde de courant
passant dans la diode BYT12P600 lors de la commutation. C'est pour cela que nous avons
slectionn le cble de cuivre pour nos mesures de commutation des diodes PIN.

CHAPITRE I:
-2
-4
-6
Courant (A)
-8 Cble coaxial semi-rigide L=0.5m

Cble Coaxial L=1m
-10 Cble Coaxial L=0.5m
-12
-14
-16
-18
0,0 20,0n 40,0n 60,0n 80,0n 100,0n
Temps (S)
-15
-16
Courant (A)
-17
-18
Cble Coaxial semi-rigide L=0.5m

Cble Coaxial L=1m
Cble Coaxial L=0.5m
-19
30,0n 40,0n 50,0n
Temps (S)
Figure I.15 : Formes d'ondes de courant passant dans la diode BYT12P600 pour diffrents cbles.
(IF= 2A, VR= 150V)
1.5.2. MESURE DES TENSIONS
Parmi les lments qui vont limiter la prcision des mesures des tensions, il y a les sondes
de tension et loscilloscope. Ces derniers peuvent ajouter au signal mesur un dcalage
continu. En plus, les mesures peuvent tre perturbes par les bruits synchrones du signal
"capts" par les sondes [Carroll-90]. Pour rduire ces perturbations dans la mesure des
formes dondes de tension aux bornes de la diode nous prlevons les diffrences de

CHAPITRE I:
potentiel du ct cathode et du ct anode de la diode par rapport la masse du circuit et
nous faisons la diffrence entre ces deux signaux. La diffrence montre une rduction
importante des perturbations voques prcdemment. Nous utilisons deux sondes de
tension TekP6139A de haute impdance (10M) ayant une bande passante de 500MHZ, et
connectes un oscilloscope numrique TEKTRONIX TDS 744A par un cble de longueur
1,3m. Nous avons prlev la forme donde de tension aux bornes de la diode BYT12P600
lors de son ouverture pour une tension applique VR= 150V et pour un courant direct IF= 2A
(figure I.16).
-5 0
-1 0 0
[V ]
-1 5 0
d io d e
-2 0 0
V
-2 5 0 Vp
-3 0 0
-3 5 0
8 0 ,0 n 1 0 0 ,0 n 1 2 0 ,0 n 1 4 0 ,0 n 1 6 0 ,0 n 1 8 0 ,0 n
T e m p s [s ]
Figure 1.16 : Forme donde mesure de la tension aux bornes de la diode BYT12P600 lors de son
ouverture (VR= 150V, IF=2A)
Dans la figure ci-dessus, on remarque la prsence dun palier de tension avant sa
dcroissance rapide vers les grandes valeurs ngatives. Ce palier est d lexistence des
petites inductances dans le botier reprsentant les pattes et le packaging de la diode. Do
la naissance dune chute de tension Vp donne par la relation suivante
di A
Vp = Lp ( Eq I.14 )
dt

CHAPITRE I:
avec Lp= Lpa + Lpc, (Lpa = Lpc = 5nH) la somme des inductances du ct anode et du ct
cathode de la diode. La diffrence de potentiel mesure grce aux deux sondes de tension
nest autre que la somme de la chute de tension aux bornes de la puce de la diode et la
tension aux bornes des deux inductances cites prcdemment comme montr dans la
di A
figure I.17. Vdiode = Vac + L p (Eq I.15)
dt
Vac
iA
Lpc
Lpa
Vdiode
Figure I.17 : Botier de la diode
1.5.3. AUTOMATISATION DU BANC DE MESURE
Cble Expandeur Alimentation Oscilloscope

GPIB de GPIB de tension numrique
Cble
de cuivre
Banc Alimentation Gnrateur

PC de courant d'impulsion
de test
Figure I.18 : Photographie du banc de mesure

CHAPITRE I:
Une partie de notre travail a consist raliser le banc de mesure prsent dans la figure
I.18. Il permet la mesure automatique des caractristiques transitoires des composants de
puissance en commutation.
En disposant d'un logiciel dvelopp en langage JAVA [Wei-02], nous avons pu piloter par
l'intermdiaire du bus GPIB les alimentations programmables:
Alimentations utilises en source de tension:
-XANTREX XKW SERIES (3KW), Power Supply (0-300V), (0-10A).
Alimentation utilise en source de courant :
-HEWLETT PACKARD 6652A(0-20A)
Le bus GPIB (General Purpose Interface Bus) ayant une norme baptise IEEE-488 (IEEE
standard Digital Interface for programmable Instrumentation) sert simplifier les
interconnexions entre les divers instruments de mesure et un ordinateur. Il dfinit le nombre
de fils, la nature des signaux qui y circulent, leurs fonctions et leur squence, l'organisation
du connecteur et plus gnralement, les rgles d'change entre les divers appareils appels
dialoguer. Grce ce bus, la ralisation d'un ensemble de mesures pilots par ordinateur
se rduit une simple connexion Figure I.19.
Appareil 1 Appareil 2 Appareil N
Figure I.19 : Systme du BUS GPIB

CHAPITRE I:
Alors tous les instruments doivent comporter une interface GPIB et tre conformes la
norme standard IEEE-488.
Un expandeur/isolateur de bus GPIB est utilis entre l'ordinateur et loscilloscope pour deux
raisons :
- pour isoler le bus ct ordinateur et le bus flottant ct oscilloscope.
- pour viter l'introduction des perturbations due, d'une part, aux composants de puissance
sous test en commutation et, d'autre part, aux alimentations dcoupage, les sources de
tension et de courant. En effet, en disposant du GPIB-120 bus expandeur , les deux
systmes de bus sont isols lectriquement, de manire amliorer la compatibilit
lectromagntique du systme.
L'oscilloscope numrique est aussi reli l'ordinateur l'aide du bus d'interface GPIB. Grce
ce dernier nous pouvons enregistrer les formes d'ondes lectriques et les transfrer au PC.
La structure de base de l'automatisation du banc de mesure est dcrite dans la figure I.20

CHAPITRE I:
Diode sous test
Circuit de test
Caractristique
lectrique
IF
VR
Oscilloscope numrique Alimentation mode tension Alimentation mode courant
GPIB
Expandeur/isolateur
PC
Carte
GPIB
Figure I.20: Structure de base du banc de mesure automatis

CHAPITRE I:
En disposant de ce banc de mesure, quatre diodes PIN de puissance ont t caractrises
lors de louverture en fonction de la tension applique VR et du courant direct IF. Dans la
figure I.21, les formes dondes du courant et de la tension aux bornes des diodes :
BYT12P600, BYT12P1000, STTB506D et STTA81200 lors de louverture (VR= 150V, IF=2A)
ont t prsentes. Les formes dondes du courant ont la mme valeur de la pente
diA/dt = -1162A/s puisquelles sont testes dans les mmes conditions exprimentales.
-2
-4
-6
Idiode [A]
-8
B YT12P600
-1 0
-1 2 B YT12P1000
-1 4
STTB 506D
-1 6
-1 8 STTA81200
8 0 ,0 n 1 0 0 ,0 n 1 2 0 ,0 n 1 4 0 ,0 n 1 6 0 ,0 n
T im e [ s ]
-5 0
-1 0 0
-1 5 0
Vdiode[V]
-2 0 0
-2 5 0
-3 0 0
-3 5 0
-4 0 0
8 0 ,0 n 1 0 0 ,0 n 1 2 0 ,0 n 1 4 0 ,0 n 1 6 0 ,0 n
T im e [ s ]
Fig. I.21: Les formes dondes exprimentales pour une tension VR = 150V, un courant IF = 2A et pour
diverses diodes ultra-rapides lors de louverture (diA/dt = -1162 A/s)

CHAPITRE I:
En se servant dun programme JAVA dvelopp dans [Wei-01], la pente diA/dt est extraite
automatiquement partir de la forme donde du courant saisie sur loscilloscope pour tout le
domaine (IF, VR) balay. En disposant du logiciel "Origin" Une cartographie reprsentant les
valeurs de grandeur diA/dt en fonction de IF et VR pour les diodes testes est donne dans la
figure I.22 et I.23.
D io d e :B Y T 1 2 P 1 0 0 0 , B Y T 1 2 P 6 0 0 d i A /d t (ex prim ental)
200
-1 4 2 5 A / s -2 0 0 ,0 A / s
180
-3 7 5 ,0 A / s
160 -1 2 5 0 A / s -5 5 0 ,0 A / s
140 -7 2 5 ,0 A / s
-1 0 7 5 A / s
VR[V]
-9 0 0 ,0 A / s
120
-9 0 0 ,0 A / s -1 0 7 5 A / s
100
-1 2 5 0 A / s
-7 2 5 ,0 A / s
80 -1 4 2 5 A / s
-5 5 0 ,0 A / s -1 6 0 0 A / s
60
2 4 6 8 10
I F [A ]
Figure I.22 : Cartographie exprimentale (diA/dt) pour les diodes BYT12P600, BYT12P1000
D iode:STTB506D diA /dt (exprimental)

200
180
-1320 A/s -331,9 A/s
160 -419,9 A/s
140 -599,9 A/s
-780,0 A/s
VR[V]
120
-960,0 A/s
-960,0 A/s
100
-780,0 A/s -1140 A/s
80
-1320 A/s
-599,9 A/s
60 -1500 A/s
-419,9 A/s
40
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
I F [A]
Figure I.23 : Cartographie exprimentale (diA/dt) pour la diode STTB506D

CHAPITRE I:
Nous notons que la pente de dcroissance du courant direct, diA/dt est presque
indpendante du courant direct, IF alors quelle augmente en valeur absolue avec la tension
applique, VR. En effet, en ngligeant la tension aux bornes du MOSFET, cette pente du
courant diA/dt est relie la tension applique VR par lquation de maille de la cellule de
commutation:
diA V
= R (Eq. I.13)
dt LD
A partir des formes dondes de courant prleves lors de louverture de la diode BYT12P600
en variant la tension applique VR et le courant direct IF, nous avons pu dresser lallure de la
pente du courant diA/dt en fonction de VR pour diverses valeurs de IF dans la figure I. 24.
1800
1600
-diA/dt=VR/LD
1400
1200
-diA/dt [A/s]
1000
800 IF=1A
IF=2A
600
IF=4A
400 IF=6A
200
0
0 50 100 150 200 250 300
VR[V]
Figure I.24: Allure de la pente diA/dt de la diode BYT12P600 en fonction de VR pour diverses
valeurs de IF ( LD=122nH o LD est linductance de maille quivalente)
Nous remarquons que la variation de diA/dt nest pas parfaitement linaire en fonction de la
tension applique VR et nous notons que la pente du courant prsente des saturations mme
pour les faibles valeurs du courant IF. Ceci est du leffet du transistor MOSFET. Il en rsulte

CHAPITRE I:
que la relation classique prsente prcdemment nest pas toujours valable cause du rle
du transistor MOSFET lors de la commutation de la diode, de la configuration gomtrique
du circuit imprim induisant des mutuelles entre les diffrentes inductances du circuit. Ceci
sera tudi en dtail dans le troisime chapitre. Pour simuler les formes dondes propres la
diode lors de la commutation, Il est indispensable de dvelopper un modle prcis du
transistor MOSFET.
I.6 CONCLUSION
Pour simuler le comportement transitoire propre la diode PIN, nous avons dvelopp dans
ce chapitre un banc de mesure sophistiqu pour caractriser avec prcision diverses diodes
PIN de puissance lors de la commutation. Avant dentamer la partie simulation des formes
dondes du courant et de la tension aux bornes des diodes sous test lors de louverture, nous
avons rappel laspect technologique et physique de la diode PIN ainsi que les contraintes
exiges pour la conception des diodes PIN ultra-rapides de puissance. Dans ce chapitre
nous avons montr que le transistor MOSFET intervient lors de la commutation de la diode.
Par consquent, lhypothse de remplacement du transistor MOSFET par un interrupteur
rapide (pulse de tension court temps de monte) demeure erron. Do la ncessit
dutiliser un modle prcis du transistor MOSFET pour obtenir un bon accord entre le
comportement transitoire des diodes PIN exprimental et simul. Cela sera trait en
particulier au chapitre III.

CHAPITRE I:
REFERENCES :
[Arnould-92] : J.M.Arnould, P.Merle, "Dispositifs de llectronique de puissance" Tome 1,
Herms, paris, 1992, pp.1000.
[Cornu-73] : J. Cornu, "Field distribution near the surface of beveled p-n junctions at high
voltage devices, " IEEE Trans. Electron Devices, ED-20, 1973, pp.347-352
[Alder-78] : M.S. Alder and V.A.K. Temple, "Maximum surface and bulk electric fields at
breakdown for planar and beveled devices, " IEEE Trans. Electron Devices, ED-25, 1978,
pp.1266-1270
[Temple-77] : V.A.Temple, " Junction termination extension, a new technique for increasing
avalanche breakdown voltage and controlling surface electric fields in p-n junctions, " IEEE
international Electron Devices Meeting Digest, 1977, pp.423-426.
[Alder-77] : M.S. Alder, V.A.K. Temple, A.P. Ferro and R.C. Rustay, "Theory and breakdown
voltage for planar devices with a single field limiting ring," IEEE Trans on Electron Devices
ED-24, 1977, pp.107-113
[Kao-76] : Y. C. Kao and E.D. Wolley, "High voltage planar p-n junctions," Proc. IEEE, 55,
1967, pp.1409-1414
[Sze-81] : SZE. S.M. " Physics of semiconductor Devices " . New York : John Willey & Sons,
1981, 868p.
[Baliga-87] : B.J.Baliga, "Modern power Devices". 1st ed. NewYork : John wiley & Sons, Inc,
1987, 476p.
[Morel-94] : H.Morel, S.H Gamal, and J.P.Chante " State Variable Modeling of the power Pin
Diode Using an explicit Approximation of Semiconductor Device Equations : A novel
Approach", IEEE Transaction on Power Electronics, Vol.9, N1, 1994, pp.112-120.
[Antonio-94] : Antonio G. M. Strollo A New SPICE Subcircuit Model of Power P-I-N Diode
IEEE Transactions on power Electronics, Vol.9, N6, 1994, pp.553-559.

CHAPITRE I:
[Antonio-97] : Antonio .G. M. Strollo A New SPICE Model of Power P-I-N Diode Based on
Asymptotic Waveform Evaluation IEEE Transactions on power Electronics, Vol.12, N1,
1997, pp.12-20.
[Thomson-83] : THOMSON-CSF. " Le transistor de puissance dans la conversion dnergie".
Courbe voie, France: THOMSON-CSF, 1983, 340p.
[Gamal-92] : S.Gamal, "Etude et modlisation du composant lectrique des diodes de
puissance en haute temprature", Thse de doctorat, INSA de Lyon, France, 1992, 173p.
[Lin-94] : L.C. Chieh, "Contribution lidentification des paramtres technologiques de la
diode PIN de puissance partir des caractristiques de commutations louverture" Thse
de doctorat, INSA de Lyon, France, 1994, 105p.
[Farjah-93] : E. Farjah, J. Barbaroux, R. Perret, " Incertitude dans la mesure du courant : un
obstacle dans la caractrisation des composants en lectronique de puissance" J.Phys. III
France3 ,1993.
[Laboure-93] : E.Laboure, F. Costa, F. Forest, " Current measurment in static converters and
Realisation of high frequency passive current probe (50A-300MHz) ".Proc.EPE93, Brighton,
1993, pp.478-483.
[Wei-02] : M. Wei, "Extraction des paramtres et domaine de validit du modle dun
composant de puissance". Thse de doctorat, INSA de Lyon, France, 2002, 169p.
[Wei-01] : M. Wei, " Procdure de validation de modles de la diode PiN ". JCGE01,
novembre 2001, Nancy, 2001, pp.249-254.
[Carroll-90] : E.I. Carroll, R.S. Chokawali, Rj. Huard, " Accurate measurment of Energy Loss
in Power Semi-conductors ". PCIM90, May, 1990.

CHAPITRE I:
CHAPITRE I ........................................................................................................................................... 6
I. CARACTERISATION DES DIODES PIN EN COMMUTATION ........................... 6
I.1. Introduction................................................................................................................................................... 6
I.2. Aspect technologique de la diode pin de puissance ...................................................................................... 7
I.2.1 Profil de dopage de la diode pin de puissance ........................................................................................ 7
I.2.2 Les protections peripheriques ............................................................................................................. 10
I.3. Aspect physique.......................................................................................................................................... 11
I.4. Description comportementale de la commutation de la diode PIN............................................................. 15
I.4.1. La mise en conduction ......................................................................................................................... 16
I.4.2. Blocage de la diode.............................................................................................................................. 18
I.4.3. Intrprtation du phnomne de recouvrement inverse de la diode de puissance................................ 21
I.5. Banc de mesure caractrisant les diodes pin en commutation .................................................................... 22
1.5.1 Mesure des courants............................................................................................................................. 25
1.5.2. Mesure des tensions ............................................................................................................................ 26
1.5.3. Automatisation du banc de mesure ..................................................................................................... 28
I.6 Conclusion ................................................................................................................................................... 35


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CHAPITRE I:

CARACTERISATION DES DIODES PIN EN COMMUTATION

I. CARACTERISATION DES DIODES PIN EN COMMUTATION

Les composants de puissance et en particulier les diodes PIN trouvent des

applications en nombre croissant dans le domaine de llectronique industrielle qui exige de

plus en plus de performances en termes de :

limiter les pertes lors de la circulation de courants dintensit leve,

centrale de la diode, W, la surface active du composant A et la dure de vie ambipolaire, .

Les valeurs de ces paramtres technologiques dpendent du domaine dapplication vis.

THESE - Hatem Garrab -6-

Vue laugmentation importante de la frquence de dcoupage des systmes lectroniques

dispositif presque indispensable dans les systmes lectroniques de puissance.

Dans la premire partie de ce chapitre, nous rappelons brivement laspect technologique et

physique de la diode de puissance. La description comportementale de la commutation au

blocage fera lobjet de la deuxime partie. La troisime partie sera consacre la

prsentation du banc de mesure, dvelopp au sein de notre laboratoire. En disposant de ce

banc de mesure et en adoptant des techniques de mesure du courant et de la tension,

diverses diodes PIN ont t caractrises en commutation. Puisque le blocage de la diode

indispensable de tenir compte de ce dispositif lors de la modlisation du circuit de test. Do

la ncessit de modliser cet interrupteur command pour la simulation du comportement

transitoire des diodes PIN en commutation.

I.2. Aspect technologique de la diode pin de puissance

I.2.1 PROFIL DE DOPAGE DE LA DIODE PIN DE PUISSANCE

tension de claquage VBR. On distingue deux cas :

- Haute tension (VBR 1500 V ) on utilise la technologie toute diffuse [Arnould-92]. Le

matriau de dpart est un substrat homogne faiblement dop de grande rsistivit ( 10

centrale Wv est importante, et assez difficile contrler lors du processus de fabrication.

THESE - Hatem Garrab -7-

W substrat W pi Dpt pitaxi

THESE - Hatem Garrab -8-

lpaisseur de la zone pitaxie.

pitaxies faiblement dopes et dpaisseurs raisonnables et bien contrles. Le dopage de

zone de dpltion et suffisamment faible pour permettre toujours la modulation de la

conductivit. La deuxime couche pitaxie est responsable de la tenue en tension en

Il existe dautres variantes pour le contrle de la rgion N-N+.

W substrat W pi Dpt pitaxi

THESE - Hatem Garrab -9-

I.2.2 LES PROTECTIONS PERIPHERIQUES

La littrature propose plusieurs techniques de protection. Les plus couramment

dtaler les quipotentielles en priphrie de la jonction polarise en inverse. Ltalement des

quipotentielles permet de diminuer localement lamplitude du champ lectrique la

consquent un claquage prmatur en priphrie de la jonction par rapport au volume.

Fig I.3: Structure Mesa

Fig I.5: Anneaux de garde

THESE - Hatem Garrab -10-

Fig I.4: JTE

I.3. ASPECT PHYSIQUE

mathmatiques. Dans un modle unidimensionnel, ces quations sont [SZE-81] :

o ( x, t ) = q[( x) + p ( x, t ) n( x, t )] (Eq I.2)

b) la dfinition du potentiel lectrique (Equation de Faraday)

c) les quations de continuit pour les lectrons et les trous

THESE - Hatem Garrab -11-

o le taux de gnration-recombinaison (ShockleyRead-Hall) est :

avec 0 ni = p1 n + p n1 (Eq I.8)

d) les quations de transport: conduction et diffusion

La physique des semi-conducteurs impose des contraintes importantes pour la

bases des compromis ncessaires.

La tenue en tension en volume est lie au dopage ND et la largeur W de la zone centrale.

La figure I.6 montre lvolution de la tension de claquage en fonction de la concentration de

dopants et de lpaisseur de la zone centrale pour une diode PIN en silicium.

s'largit de part et d'autre de la jonction mtallurgique et entrane la dsertion en porteurs

THESE - Hatem Garrab -12-

Figure I.6 : Tension de claquage en fonction de la concentration et de lpaisseur de la zone centrale