MODULO 3 Exper1 M3-12.

doc

Dispositivos Electrnicos:

Diodo semiconductor

Curva caracterstica:
El diodo es un dispositivo no lineal de dos terminales que idealmente tiene la propiedad de conducir corriente
slo en un sentido (IF, forward current). En un diodo real, la corriente en sentido inverso (IR, reverse current) es
muy pequea.

El smbolo circuital del diodo es: iforward

A K
nodo ctodo

El diodo est construido sobre una pastilla semiconductora A K

P N
de Silicio Germanio, (en la mayora de los casos Si ).
El Anodo (A) y el Ctodo (K) se forman dopando la misma con impurezas
aceptoras y donoras de electrones; quedando Silicio tipo P y tipo N respectivamente

A continuacin se muestra la curva caracterstica i = f(v) del diodo de seal 1N4148:

i
20mA
iF
10mA directa

-100V vR -50V vF
iR V 1V 2V v

1A
inversa

2A

Se distinguen dos zonas con distintas escalas de tensin y corriente:

Directa: cuando el nodo es ms positivo que el Ctodo, o sea polarizado como en la figura 1, el diodo
conduce y la relacin entre i y v est gobernada por la ecuacin alineal:
+ VF -
i = IS (ev/VT - 1)
IF
IS : corriente inversa de saturacin (25nA @ 25C para el 1N4148) R
: constante que vale 1 para el Ge y 2 para el Si.
VT : voltio equivalente de temperatura: VT = T /11600 T [K] , @Tamb = 0.026V Vcc
v/V
Cuando v>>VT, i = IS e T en esta regin las tensiones directas del 1N4148 estn fig.1
entre 0.6V y 1V. Ej.: si V = 0.6V >> i = 2.5mA
A la cada de tensin en directa la llamamos VF. Cuando esta supera el valor de la tensin umbral V ,
la corriente comienza a aumentar en forma exponencial con la tensin. V=0.2v para Ge y 0.6V p/ Si.

Inversa: cuando el Anodo es mas negativo que el Ctodo, como en la figura 2,

v/V - VR +
el diodo conduce apenas algunos nanoamperes ( i = -Is porque e T << 1).
La IS del Ge es aproximadamente 1000 veces superior a la del Si.
A la corriente que circula en este sentido se la llama IR (reverse current). IR
R

Si seguimos aumentando la tensin inversa, llegaremos a la regin de ruptura

inversa (-100V) en donde la corriente aumenta abruptamente y slo queda limitada Vcc
por el circuito externo: R en el caso de la fig. 2. fig.2

Tanto en directa como en inversa el diodo puede destruirse si se supera su potencia mxima: P=V.I

1
Modelo lineal:

Podemos reemplazar al diodo por un modelo lineal:

i - Cuando est polarizado en directa, esta curva representa al siguiente circuito:

rd rd V
a k a k

V v

La fuente externa Vcc de la fig.1 deber superar el valor V para que circule corriente en sentido directo.

rd : resistencia dinmica , rd =V/I segn el diodo rd puede ir desde 20m hasta 15.

- Cuando est polarizado en inversa el modelo corresponde al de un circuito abierto (i = 0): a k

toda la tensin de la fuente externa de la fig.2 cae en el diodo.

Variacin con la temperatura:

Al aumentar la temperatura en una juntura PN aumenta la generacin de portadores minoritarios que son los
que componen la corriente inversa de saturacin IS. Esta se duplica cada 10C aproximadamente.
De la ecuacin del diodo y para I = cte se deduce que la cada de tensin VF en el diodo vara con un
coeficiente de -2.2mV/K. Esta ltima propiedad se suele usar para medir temperatura.

- Datos:
Existen diodos para distintas aplicaciones (seal, switching, rectificacin, etc,etc.) Dependiendo de ello es
como varan sus parmetros: corriente directa (IF); tensin directa (VF); tensin inversa (VR); corriente inversa
(IR); tiempo de recuperacin (trr); etc. Hay que tener en cuenta que la mayora de estos parmetros estn dados
para ciertos valores de corrientes, voltajes y temperatura ambiente. La siguiente tabla nos muestra
caractersticas de diferentes diodos.

Hoja de datos de distintos tipos de diodos:

trr

Entre los diodos ms utilizados estn el 1N4007 para rectificadores de baja corriente-alta tensin ( 1A 1000V)
y el 1N914 (=1N4148) para aplicaciones de velocidad (seal) con baja corriente.

2
 Nota:
En la mayora de las hojas de Datos de dispositivos semiconductores existe un grupo de especificaciones bajo
el nombre de Maximun Ratings , las cuales son muy importantes de tener en cuenta ya que si se superan
dichos valores el dispositivo se puede destruir. Para el diodo son muy importantes: VR , IF y Pmx

- Recta de carga:

En los circuitos con componentes lineales (resistencias, capacitores e inductores) podemos calcular corrientes
y tensiones utilizando los teoremas aplicables a sistemas lineales.
En el caso de circuitos con diodos o cualquier dispositivo en donde la relacin i-v se da por medio de una
curva se recurre a la resolucin grfica. Por ejemplo, calculemos el punto de trabajo del diodo ( IF ; VF ), en el
siguiente circuito serie utilizando la curva caracterstica.

+ v - En todo circuito se debe cumplir la ley de Kirchoff de tensiones, o sea que:

i Vcc = iR + v i = Vcc/R --v / R

R=200

esta ltima es la ecuacin de i(v) del circuito o ecuacin de la recta de carga

Vcc=4V

La recta de carga tiene una pendiente de 1/R y corta a los ejes v e i en: Vcc y Vcc/R respectivamente.
En el siguiente grfico estn dibujadas la recta de carga y la curva caracterstica del diodo.
i
El punto de trabajo Q (IF ; VF) ser aquel en el que se
Vcc/R =20mA satisfagan ambas condiciones. O sea que tiene la
IF .Q caracterstica del diodo y de la recta de carga que
representa la ecuacin del circuito.
10mA

Vcc=4V

1V 2V v

VF i.R

Aplicaciones en Instrumentacin:

Rectificacin de tensiones alternas en fuentes de alimentacin:

Una de las tpicas aplicaciones de los diodos es obtener tensiones contnuas a partir de una tensin alterna,
proveniente por ejemplo del secundario de un transformador cuyo primario est conectado a lnea (220Vac).
Este proceso se denomina rectificacin. Los rectificadores con diodos pueden adoptar alguna de las siguientes
configuraciones:

Rectificador de media onda (half-wave rectifier):

VF
e
+ - EM e = EM sent
+ +
220Vac
50Hz e iL RL vL t
- -
vL
El diodo conduce durante el semiciclo positivo de la tensin e VLCCEM /
del secundario del transformador. Durante el semiciclo
negativo no conduce, se comporta como una llave abierta, por VLCC
lo que deber soportar una tensin inversa mxima VR = EM
t
El valor medio de la onda rectificada VL es: VLCC EM /

3
 Rectificador de onda completa (full-wave) con punto medio:

Ahora utilizamos un transformador con punto medio que nos da una tensin e en cada uno de sus
medio-bobinados.
e
EM e = EM sen t
D1 iL
t
220Vac e
+
50Hz e VL RL vL
-
D2 VLCC VLCC 2EM /
D1 D2

t
Durante el semiciclo positivo conduce D1 y durante
el negativo D2. En el semiciclo que uno de los diodos
no conduce aquel deber soportar una tensin inversa mxima
VR = 2EM (el doble de la anterior).
Ahora el valor medio de la tensin sobre RL se duplicar: VLCC 2EM /

Rectificador de onda completa tipo puente (bridge):

En este caso, no se usa un trafo de punto medio pero se necesitan 4 diodos.
e
EM e=EM sen t
iL
+
D1 D2
+ t
VL RL
- vL
220Vca e D4 - D3
50HZ VLCC
D1 D2 VLCC 2EM /
D3 D4
t

Durante el semiciclo positivo conducen D1 y D3 durante el semiciclo negativo D2 y D4 .

En el semiciclo donde dos de los diodos no conducen estos debern soportar una tensin inversa mxima
VR = EM (la mitad del anterior). Nuevamente el valor medio de la tensin sobre RL ser: VLCC 2EM /

Rectificadores Filtrados:

Las tensiones de salida VL de los rectificadores precedentes se alejan de la ideal porque si bien tienen un
valor medio VLCC mantienen una componente grande de tensin alterna (ripple). Para modificar esto es que los
rectificadores son filtrados. Lo ms comn es agregar un capacitor C en paralelo con la carga RL . El capacitor
se va cargando mientras conduce alguno de los diodos y cuando estos dejan de conducir el capacitor entrega
su carga a RL descargndose con una constante de tiempo = RL.C .
Existen varios mtodos para calcular el valor de C para una dada RL , pero un clculo rpido dara que para
tener una onda de salida bastante plana se debe cumplir:
= RL.C >> 1/fL ; fL : frecuencia a la salida del rectificador

debido a que el capacitor se descarga slo a travs de RL (el los diodos impiden que lo haga a travs del
transformador). Vemos que, para un capacitor dado, mientras menor sea RL (o sea mayor IL) menor ser el
y el capacitor se descargar mas rpidamente con lo cual aumentar el ripple. Por lo que si queremos
mantenerlo bajo habr que aumentar el valor de C. La definicin del ripple (en %) de una onda es:

ripple % = Valor eficaz de las componentes alternas de la onda x 100

Valor medio de la onda

4
 Rectificador de media onda con filtro capacitivo:

vL
IL Vr VLCC 1/T (EM T - VrT /2)
EM
220Vac C + VLCC EM - Vr/2 = EM - IL/2fLC (*)
RL
50Hz e vL
- t c/ fL=50Hz

(*) Para el clculo de VLCC suponemos que el capacitor se carga instantneamente y se descarga a corriente
constante IL durante un tiempo T=1/fL , con lo que su cada es: Vr =T.IC/C = IC/(C.fL). Vemos que a mayor IL
tendremos menor valor medio, resultado lgico si pensamos que el capacitor se descargar mas rpidamente.

Rectificador de onda completa con filtro con capacitor:

D1 IL vL
VLCC EM - Vr / 2 = EM - IL / 2fLC
220Vac C RL Vr
50Hz D2 -
EM
c/ fL=100Hz
t

En este caso para un mismo RL.C el tiempo de la descarga del capacitor es menor => tendremos mayor VLCC

Conexin de una batera auxiliar ante una falla de lnea (battery backup)

Algunos circuitos necesitan permanecer activos todo el tiempo, an ante una falla de la lnea de alimentacin
(220Vac) como es el caso de los relojes de tiempo real. La siguiente conexin permite conectar la batera
cuando falte la fuente principal:

A
Fuente de +12V a +15V
220 Vac
alimentacin D2 Reloj de
filtrada tiempo
+15V real
+ +12V

Mientras exista tensin de lnea, D2 no conducir porque la tensin en A es superior a 12V.

Los diodos impiden que circule corriente de la fuente de alimentacin filtrada a la batera y viceversa.

Proteccin contra sobretensiones de interruptores que controlan corrientes inductivas

Cuando se corta la corriente que circula por un inductor, aparece en sus extremos una tensin vL = L di /dt la
misma puede ser elevada debido al brusco cambio en la corriente.
Por ejemplo, consideremos el siguiente circuito en el cual suponemos el interruptor inicialmente cerrado. El
inductor podra ser la bobina de un rel, de una electrovlvula, etc.
S Al abrir el interruptor, la inductancia L trata de mantener la corriente fluyendo desde A
A hacia B. Esto hace que el potencial en B se torne ms positivo que en A ; la bobina acta
como generador de tensin de valor : vL = L di /dt .
Vcc L Luego la tensin vs entre los contactos del interruptor ser : vs = Vcc + vL , esta puede
iL
ser tan elevada como para que se produzca un arco entre los mismos. Si el interruptor es
B mecnico esto disminuye la vida de los contactos y provoca interferencias que pueden
afectar a circuitos cercanos.

5
 Si el interruptor es un transistor, el pico de tensin puede provocar la superacin de su tensin de ruptura.
S
Una solucin a este problema es utilizar un diodo (free wheeling o dumping) en
paralelo con la bobina. De manera que cuando el contacto se abre, la tensin
- L
generada en la bobina polariza directamente al diodo y cuando llega al valor de la
Vcc V L tensin umbral de este V =0.6V (con la polaridad indicada) este comienza a
+ iOFF conducir iOFF , descargando as la energa almacenada en la bobina.
Luego vL no superar los 0.6V y no existir arco. Cuando el interruptor est
cerrado el diodo no conduce porque est polarizado en inversa.

- Diodo zener

- Curva caracterstica:

El diodo zener es un diodo semiconductor que funciona en la regin de ruptura inversa donde la tensin Vz
se mantiene aproximadamente constante, independientemente de la corriente que circule por l. Si se lo
polariza en directa funciona como un diodo comn. Hay una gran variedad de diodos zener con tensiones Vz
que van desde 2.4V a 400V y potencias desde 400mW a 5Watt o mas.
El smbolo que representa a un diodo zener es: nodo ctodo

Para que el diodo zener funcione correctamente se deben cumplir las siguientes condiciones:

- Que al menos circule por l una corriente IZK (de codo) que asegure que est en la zona de zener.
Tpicamente IZK va desde centenas de A hasta algunos mA dependiendo del zener.
Criterio de diseo: En caso de no saber la IZK se tomar igual a 1mA.

- Que la corriente inversa Iz que circula sea tal que no se supere la potencia mxima: Pz=Vz..Iz < Pzmx

La siguiente es la curva caracterstica de un diodo zener 1N4740 de Vz = 10V y 1W de potencia de disipacin.

i
Este diodo zener posee una resistencia dinmica:
RDIN = v/i de 7 , medida a 25mA (en un zener
ideal su valor sera 0).
Esta baja resistencia dinmica implica que ante
-10VVZK -5V grandes variaciones de corriente habr pequeas
IZK variaciones de tensin en sus bornes.
v
Ejemplo:
Calculemos cul es el porcentaje de variacin de la
zener zener 30mA tensin si la corriente se modifica un 10% alrededor
real ideal de 25mA:
V = RDIN I = 7 x 2.5 mA = 17.5mV
62mA
V / V = 0.0175/10 = 0.00175 = 0.175%

Aplicacin en Instrumentacin: Regulador de tensin paralelo con diodo zener

Veremos como un zener en paralelo con una carga RL regula la tensin en la misma ante variaciones de la
alimentacin de la corriente de carga. En un regulador real el zener se alimenta desde una tensin ms alta a
travs de una resistencia limitadora R que impide que el mismo se queme por exceso de corriente (potencia).

Variaciones de la tensin de salida en funcin de las variaciones de la tensin de entrada:

Podemos suponer un modelo del zener compuesto por una resistencia RDIN en serie con una fuente de tensin
constante VZ . Consideremos que iL << i ; condicin esta que se debe buscar al disear el regulador.

R
R i = (vIN - vOUT) / R
i iL
i iL RDIN i = (vIN - vOUT) / R , si iL<< i i iz
vIN vOUT vIN vOUT
iz iz vOUT = RDIN i = RDIN (vIN - vOUT) / R
Vz
vOUT = vIN RDIN /(R + RDIN) (1) 6
Vemos que las variaciones de la tensin vIN son atenuadas en un divisor de tensin constituido por R y RDIN.
Cuanto mayor sea R con respecto a RDIN tanto menor ser la variacin de vOUT debida a vIN.

Calculemos la variacin en la tensin de salida de un zener 1N4740 de 10V alimentado con una resistencia de
150 desde una fuente que puede variar entre 15 y 20V. La resistencia dinmica del zener es de 7.
Si aplicamos (1) tendremos:
vOUT = vIN RDIN/ (R + RDIN) = (20V- 15V ) .7 / (150 + 7) = 0.22V

O sea que si la fuente vari de 15 a 20V , un 33% , la salida slo lo hizo un 2.2% ( 0.22v 100 )
10v
Tambin podramos haber calculado vOUT con el modelo dado, donde I = (VIN VZ)/ (R + RDIN)
I 62mA 30mA =32mA vOUT = RDIN. I =0,22v
Resolucin grfica:
Si trazramos las rectas de carga para Vcc=15V y para Vcc=20V e intersectramos ambas con la curva del
zener tendramos sendos puntos de trabajo que nos daran corrientes de 30mA y 62mA respectivamente.

i = 62mA - 30mA = 32mA y como conocemos RDIN = V /i =7 podemos calcular V

V = RDIN i = 7 x 32mA = 0.22V V / V = 0.21V/ 10V = 2.2%

Variaciones de la tensin de salida en funcin de las variaciones de la corriente de carga IL:

Para el clculo supondremos que VIN y VOUT se mantienen constantes

i iL
R
o sea : i = (VIN - VOUT ) / R constante

vIN
RL
vOUT iL = - iZ
iZ
vOUT = RDIN iZ = RDIN iL

Las variaciones de la corriente de carga iL se transmiten totalmente como variaciones en la corriente del zener.
Por lo tanto en el diseo hay que buscar que iz >> iL tal que el zener pueda absorber las mismas sin salir de
su regin caracterstica.

Transistor bipolar de juntura (BJT):

El transistor bipolar de juntura (BJT) es un dispositivo semiconductor de tres terminales: Base, Colector y
Emisor. Est construido en base a dos junturas PN similares a las de un diodo. Puede amplificar tensin o
corriente, produciendo una seal de salida de mayor potencia que la seal de entrada, pero en s mismo no
genera una potencia extra sino que esta proviene de la fuente de alimentacin que polariza al mismo.
La idea es que con una dada seal de entrada a travs de su Base ( iB , vb ) obtener una seal de salida por
Colector o Emisor( iC , vc , ve ).
Existen dos clases de transistores segn sea su construccin: NPN y PNP cuyos smbolos son:

NPN C (colector) PNP C

B (base) B
E (emisor) E

Emisor Colector
N P N Emisor Colector
P N P

juntura B-E juntura B-C

Base Base
fig.1

En cualquiera de los dos tipos la flecha siempre marca el Emisor y la cola de esta, siempre es de material P
(al igual que en un diodo semiconductor). Emisor y Colector siempre son del mismo tipo de material.

7
Asimilando cada juntura con la p-n de un diodo, podramos dibujar el siguiente modelo para cada tipo:

npn: C pnp: C
C C

B B B B

E E
E E

fig. 2
- Polarizacin:

Para que el transistor funcione, es necesario polarizarlo. Esto es, conectarle fuentes de alimentacin y
resistencias que nos definan el punto de trabajo Q alrededor del cual va a trabajar.
Los circuitos siguientes muestran a los transistores npn y pnp polarizados para trabajar en su regin lineal,
que es aquella donde la seal de salida es proporcional a la de entrada.
Notar que en el transistor en todo momento se cumplen las leyes de Kirchoff de tensin y corriente, o sea:

Vce =Vcb + Vbe ; IE = IB + IC

npn pnp
IC IC
Rc Rc
Vcc
2
Vcb - - Vcc
Rb Vcb + + Rb
- +
Vce Vce
IB + - IB - +
Vb Vbe - IE Vb Vbe +
1 IE

fig. 3
La notacin es la siguiente:
IB : corriente de base Vbe: tensin base-emisor
IC : colector Vce: tensin colector-emisor
IE : emisor Vcb: tensin colector-base

Autopolarizacin:
Los circuitos de la figura anterior estn polarizados mediante dos fuentes independientes Vcc y Vb. Es ms
comn encontrar al transistor polarizado con una sola fuente, a este circuito se lo denomina autopolarizado.

Si hacemos un Thevenin entre

la base y masa tendremos el Rc
R1 I1>>IB Rc
siguiente circuito equivalente,
similar al de la fig.3, donde :
IB Rth
Vi VCC Vth= Vcc.R2/ (R1+R2) Vcc

Rth= R1//R2 Vth

R2

fig. 4

En el circuito autopolarizado se eligen los valores de R1 y R2 , buscando siempre que la corriente que circula
por ellas I1 sea bastante mayor (al menos 10 veces) que IB , de tal manera que la polarizacin de base sea ms
estable ante posibles variaciones de IB debido por ej. a efectos indeseados como ser T.
Veamos ahora las curvas caractersticas del transistor que suele dar el fabricante y que sirven para polarizar
correctamente el circuito.

8
Curvas caractersticas:
Las siguientes curvas corresponden al transistor BC337 (npn) para usos generales.
La fig.4 es la curva de base (IB vs. Vbe) y la fig.5 muestra las de colector ( IC vs. Vce).
En ambas estn trazadas las rectas de carga que corresponden a sus circuitos de base y de colector, mallas
1 y 2 de la fig. 3 respectivamente. Las ecuaciones son:
IB = (Vb - Vbe) / Rb ; IC = (VCC Vce) / RC

Curva de base: Curvas de colector:

fig.4 fig. 5

Curva de Base: La interseccin de la curva de base con su recta de carga nos da el punto de trabajo Qb que
define la corriente de base (100A por ej. ). Este valor es el que usaremos como parmetro en las Curvas de
Colector.

Curvas de Colector: Si en el circuito de base fijamos la polarizacin tal que IB=100A, entonces el punto de
trabajo en la curva de colector ser Q.

Zona Lineal:
Cuando el transistor funciona en la zona donde las curvas paramtricas se tornan rectilneas se dice que est
en su zona lineal y se cumplen las siguientes reglas:

1- El colector es ms positivo que el emisor en el caso de transistor npn (ms negativo para el pnp).

2- Las junturas base-emisor y base-colector funcionan como diodos. La juntura base-emisor est
directamente polarizada con una cada de potencial entre 0.6V y 0.8V y la juntura colector-base est
inversamente polarizada (ver fig.2).

3- Todo transistor tiene valores mximos de VCE , IC y PD que no deben ser superados para no destruirlo.
Hay otros valores lmites que a veces se especifican como IB, VBE (inversa), temperatura, etc.

4- Cuando se cumplen las reglas 1 a 3, la corriente de colector IC es bastante proporcional a la de base IB y se

cumple la siguiente ecuacin:

IC = hFE IB + (hFE + 1) ICO = IB + ( + 1) ICO IB

Dnde (hFE) es la ganancia de corriente, tpicamente igual a 250 para el BC337B e ICO es la corriente inversa
de saturacin, generalmente despreciable en los clculos (100nA para el BC337).
La ecuacin muestra cmo una pequea corriente de base controla una mucho mayor del lado de colector y
adems que: IE IC
Se suele decir que el transistor es un dispositivo comandado por corriente (la de base).

9
Transistor como fuente de I:

Un fuente de corriente constante es aquella que para

un rango dado de resistencias de carga, entrega
siempre la misma corriente.

Podemos ver en las curvas de colector, que en la

Zona Lineal para una corriente de base dada, el
transistor se comporta - en su circuito de colector
como una fuente de corriente, siendo su carga RC
en el circuito de la fig. 4

Si miramos la recta de carga, al variar RC vemos que

el punto de trabajo se mueve prcticamente sobre una
paralela (IB=100uA) al eje VCE , o sea que IC se
mantiene casi constante.

- Funcionamiento en seal - Amplificador:

Supongamos ahora que superponemos con la tensin de polarizacin, una pequea seal senoidal Vs.
En la curva de base podemos ver cmo se movera la recta de carga a (en forma paralela hacia c y b) al
variar la tensin Vb por efecto de Vs . Vemos que para que Vs pueda ser amplificada fielmente, hay que fijar
adecuadamente el punto de polarizacin Qb en la base del transistor, de tal manera que a las Vs le
correspondan IB de la misma forma. O sea que IB no se vea recortada como sucedera por si el punto de
trabajo Qb estuviera ubicado ms abajo, como ser con la recta d. Notar que las variaciones de corriente
de base se traducen en variaciones de las ib de las curvas de colector.
Alrededor de este punto Q y sobre la recta de carga es que variar la corriente de colector IC al variar la
corriente de base IB. Podemos as apreciar cmo una pequea variacin en la base: Vs, Ib, nos produjo
una gran variacin proporcional en colector: Vce, Ic.
Notar que con una recta de carga mas a la izquierda, el punto Q podra quedar fuera de la regin lineal.

IC 100
[mA] 300A
Vcc/RC 250A
80
IB
200A

b 60
150A
Vb/Rb a

c 40 Hiprbola
Q 100A
de Pmx
100A .Q b
20
IB = 50A
d
0 VCE
1V Vb Vbe 0 5 10 Vcc 15 20 [V]
Vce IC.RC

Vs

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 Una de las formas de sumar una seal alterna se muestra en el siguiente circuito donde esta se acopla
en alterna a travs de un capacitor. De tal manera que separamos la seal de la tensin de polarizacin.

VCC

R1 Rc VS VO2

C1
C
IB VO1
Vi
Vs VO1
Vo2
IE RL
R2
Re

El valor de C es tal que deja pasar sin alterar a VS , o sea VS=Vi . Si el transistor est trabajando en su zona
lineal una Vi producir una variacin de la corriente de base IB que se transmite al circuito de colector como
IC .IB. Calculemos la ganancia de tensin Av= Vo1 / Vi , cuando se toma la salida VO1 [C1 est para
bloquear la tensin continua y dejar pasar slo las variaciones de tensin en colector].
La variacin de tensin de entrada Vi se traduce en una variacin de corriente en Re tal que Vi=Re.IE ya
que suponemos que Vbecte. A su vez, dado que VC = VCC IC.RC y Vcc es constante , al aumentar IC en
IC tendremos una VC = Vo1 = - IC.Rc , luego ya que ICIE , ser:

Av = Vo1 / Vi = - IC.Rc / Re.IE - Rc / Re

Vemos entonces que: la salida Vo1 es invertida respecto a la entrada Vs

Si la salida la hubisemos tomado sobre RE , ahora Vo2 estara en fase con Vi y la ganancia de tensin
Av =Vo2 / Vi sera 1 ya que Vi Vo2 .

- Seguidor de Emisor:

Se denomina as, cuando la salida se toma por el emisor (Re). Esta configuracin,
Vcc=12V
tiene la caracterstica de que la salida de tensin es casi igual a la entrada, ya que
no existe amplificacin de tensin. Pero s existe de corriente, ya que IE IB con lo
R1 que este circuito, es capaz de entregar una corriente que no podra dar el
generador VS. En la figura vemos al seguidor junto con la red de polarizacin.
Rs C
Vs Otra aplicacin muy importante de este circuito -visto como un cuadripolo que
Vi tiene a Re como carga- es que en l, se cumple que su resistencia de entrada Rin
R2 VO y de salida Ro del circuito responden a:
Re

RinRe y Ro Rs/

Rin [ Rin=Vi/ii ; ii =iB ; Vi Vo= iE.Re .iB.Re Rin .iB.Re/iB= .Re ]

O sea valores muy altos de Rin y muy bajos de Ro, con lo que se lo suele encontrar entre dos etapas (por ej.
entre el generador y Re ) como adaptador de impedancias o buffer.
La resistencia de entrada al amplificador ser: Rin //(R1//R2). A su vez Ro est en paralelo con Re

El transistor como llave:

Otra de las aplicaciones tpicas del transistor es la de trabajar cmo una llave (switch). Se puede suponer que
el mismo abre o cierra el paso de corriente entre colector y emisor. Para esto el transistor trabaja fuera de la
zona lineal, en las regiones de corte y saturacin.

11
- Regiones de Corte y Saturacin:

Regin de Corte:
Se dice que el transistor est trabajando al corte o que est cortado, cuando se cumple que la corriente de
base IB es igual a la corriente inversa de saturacin ICO y la corriente de emisor IE es cero, o sea (IB=IC ).
No basta por lo tanto reducir a cero la IB para que no exista IE sino que adems IB debe ser negativa, para lo
cual habra que aplicar a la base una pequea tensin inversa (0.1V aproximadamente). Sin embargo en la
mayora de los casos prcticos se considera al transistor cortado cuando IB0

Regin de Saturacin:
En esta regin la VCE cae a unas pocas dcimas de voltio, y la corriente de colector IC es prcticamente
independiente de la corriente de base, de tal manera que por ms que aumente IB no lo har IC no se
cumple que IC .IB. Podemos considerar que la saturacin ocurre en el codo de las curvas caractersticas
de IC vs. VCE . En esta regin ambas junturas quedan polarizadas directamente, con lo cual la VCE puede ser
menor a 0,6V.

La siguiente curva de colector, IC vs.VCE

muestra las tres regiones posibles de uso:
Activa o Lineal, Corte y Saturacin.

Aplicaciones en Instrumentacin:

El transistor como llave y adaptador de niveles de corriente y tensin:

Aprovechamos la propiedad de que una pequea corriente de base controla una mucho mayor del lado de
colector para comandar con una seal de baja potencia, el encendido y apagado de una lmpara que
Vcc=12V requiere mayor tensin y corriente (12V ; 100mA)

Lmpara La seal de control es una tensin que vale 0V 5V (lgica TTL) pero
que no puede entregar una corriente superior a 10mA (o sea que no
IC podra encender la lmpara ni por tensin, ni por corriente).
12V/ 100mA
Vin Rb La resistencia de la lmpara es : RL=12V/100mA = 120
TTL +5V BC337
10k
con este valor y Vcc podemos trazar la recta de carga.
IB
Vcc = 12V = IC RL + VCE IC =12V/ RL - VCE / RL

Luego, usando la curva caracterstica de colector IC vs VCE podemos

estimar el punto de trabajo Q del transistor, como se ve en la figura siguiente. Para ello debemos calcular
primero la corriente de base IB
si Vin=5V IB = (Vin Vbe) / Rb ; IB=4.4V / 10K 440A

Con este valor tendremos la curva paramtrica de IB con la que se intersecta la recta de carga.

IC 100
mA 300A
Llave 250A
cerrada 80
200A
60
150A

40
100A
Llave
20 abierta
IB = 50A
12
0
0 5 10 15 20 VCE [V]
12V
 Aqu vemos que el transistor no est funcionando en la regin lineal, ya que si as fuera, la corriente de
colector tendra que ser de: IC = .IB = 250x440A = 110mA. Sin embargo de acuerdo al circuito de colector IC
no puede superar los 12V/120 = 100mA.
En este caso el transistor est saturado; con IC 90mA y VCE 1V. Luego casi toda la tensin Vcc cae en la
lmpara. Podemos decir que la llave colector - emisor est cerrada.
Cuando Vin est en su estado bajo (Vin=0V) no circula corriente por la base, luego IC 0 y VCE 12V la llave
colector - emisor est abierta.

Es importante destacar cmo, para una dada IB, cambiando la recta de carga (usualmente variando RL) se
puede lograr que el transistor trabaje en saturacin o en su regin lineal.
La potencia en el transistor es aproximadamente igual a: P = IC.VCE . As, una importante ventaja de
trabajar en corte y saturacin es que la disipacin del transistor es mucho menor que si trabajara en la zona
activa (por ej. con una Vcc=24V) ya que en saturacin VCE es muy baja y, en corte IC es muy baja.

Como vimos en el ejemplo del diodo, si la carga fuese la bobina de un rel debera conectarse un diodo en
paralelo con sta para evitar sobretensiones que pueden llegar a destruir el transistor en el momento de abrir la
llave ( Vce = Vcc+ Vbobina ).

Nota:
Existen distintos tipos de transistores, para distintas aplicaciones. Desde transistores de seal (BC547 npn :
VCEO=45V, IC=100mA , PD=500mwatt, fT =150Mhz ) hasta transistores de potencia (2N3055 npn : VCE0=60V,
IC=15A , PD=90watt , fT=10Khz ), pasando por transistores de conmutacin (switching) y transistores de radio
frecuencia (2N5179 npn: VCEO=12V , IC=50mA , PD=200mwatt , fT=1800Mhz ).
Recordar que independientemente de su aplicacin nunca se deben superar los Maximum Ratings.
Los datos ms importantes a tener en cuenta son: VCEO , IC , PD.

FET (Field Effect Transistors):

Existe otro tipo de transistor con una estructura diferente al transistor de juntura bipolar (BJT ), es el
denominado transistor de efecto de campo (FET). Es tambin un dispositivo de tres terminales, con uno de
ellos (Gate o compuerta) que controla la corriente que circula entre los otros dos (Drain y Source).
Los smbolos de los distintos tipo de Fets (JFET, MOSFET) son:

Drain D D D La correspondencia de terminales

entre un BJT y un FET es la siguiente:
Gate G G G
Source S S S Gate Base
JFET P JFET N MOSFET P MOSFET N
Drain Colector
Source Emisor

Lo que distingue al FET es que el Gate prcticamente no toma corriente [IG pA (10 A)] ; a diferencia de la
-12

necesaria corriente de base del BJT. Esto hace que su consumo de potencia sea mucho menor. As como se
dice que el BJT es un dispositivo gobernado por corriente (IB), el FET lo es por tensin (VGS).
Hoy da muchas aplicaciones en las que se usa un transistor BJT pueden ser reemplazadas por un FET
mejorando en muchas de ellas su performance (principalmente por el bajo consumo).

Dispositivos Optoelectrnicos

. Fotoresistores (LDR):

La conductividad de un semiconductor aumenta con la iluminacin incidente, debido a que la energa

lumnica libera portadores. Esta propiedad es la que se aprovecha para construir los fotoresitores (LDR: Light
Dependent Resistor). Su resistencia puede variar desde decenas de ohms (iluminado) hasta decenas de Mohm
en oscuridad. Los valores de resistencia varan con el tipo de LDR.

Las caractersticas ms importantes de un LDR son:

- La variacin de resistencia no es lineal con la iluminacin que recibe. La grfica logR vs. log I (iluminacin)
es una recta de pendiente negativa (a mayor iluminacin recibida, menor resistencia).
- Su tiempo de respuesta ante un escaln de iluminacin es del orden de los milisegundos, luego no es bueno
para seguir variaciones rpidas de luz. Incluso, no tiene el mismo tiempo de respuesta para pasar de luz a
oscuridad que a la inversa (responde ms rpidamente al cambio de oscuridad a luz).

13
 - Comparado con fotodiodos y fototransistores puede soportar altas tensiones (100V a 600V) y disipar
potencias altas (algunos hasta varios watios), lo que le permite manejar directamente dispositivos
que requieren mas potencia como por ejemplo rels. Su rango espectral de mxima sensibilidad vara de los
515nm a los 735nm, de longitud de onda de radiacin incidente.
La siguiente es una tabla con las caractersticas ms importantes de LDRs de distintos materiales:
Nota: PdM es la potencia mxima de disipacin; VM la tensin mxima aplicable al dispositivo; Rdark la
resistencia en oscuridad; R1000 la resistencia a 1000Lx ; M la longitud de onda de radiacin incidente de
mxima sensibilidad y tr el tiempo de crecimiento medido desde Rdark al 65% de R1000.

TIPO MATERIAL PdM /VM Rdark() R1000() M (nm) tr (ms)

8
RPY60 seleniuroCd 50mW/100V >1x10 >300 <800 720 1a3
8
RPY62 sulfoseleniuro 50mW/100V >1x10 3500 550 10 a 20
Cd
8
RPY64 sulfuro Cd 50mW/100V >1x10 3500 500 30 a 50

Aplicaciones ms importantes de los LDRs:

1- En fotometra, para medicin de iluminacin de baja precisin y bajo costo.
2- Como rel sensible a la luz, por eje. Para control de iluminacin pblica.

Nota: Cuando se habla de la energa incidente sobre un dispositivo ptico se suelen encontrar los trminos
irradiacin e iluminacin.
La irradiacin E se define como la densidad de potencia radiante que incide sobre una superficie, viene dada
2
en mwatt/cm . Representa al nmero de fotones por segundo que inciden sobre una cierta superficie. La
energa de los fotones se da en Julios. El concepto de iluminacin tiene que ver con la capacidad del ojo
humano de distinguir diferentes longitudes de onda de radiacin. Hay una curva de luminosidad normal
(campana) de respuesta del ojo para las diferentes (la mxima sensibilidad est en el amarillo 570nm)
La densidad de potencia radiante (irradiacin), ponderada con respecto a la curva de iluminacin normal se
2
llama iluminacin [lmenes/m =Lx]. En adelante los trminos irradiacin e iluminacin sern equivalentes.

. Fotodiodo:

Si a la juntura de un diodo se la polariza inversamente (o se la cortocircuita) y se la ilumina, se observa que

su corriente inversa IR variar linealmente con la iluminacin.
Su smbolo es:
D
IR IR

Al incidir energa radiante sobre una juntura P-N se generan portadores libres con lo que se produce un
incremento de la corriente inversa debida a la iluminacin (IL) o sea que se agrega el trmino IL a la ecuacin
del diodo. La ecuacin del fotodiodo entonces ser:
v/VT v/VT
i = IS (e - 1) - IL= IS e - (IS + IL )

si V=0: i = - IL ; si V<<0: i = -(IS + IL )

Vemos que aunque no exista radiacin incidente (IL=0) hay corriente inversa i = -IS es la llamada
dark current o corriente de oscuridad, la cual aumenta con la temperatura. Tambin vemos que para v=0
y sin iluminacin i = 0. O sea que en esta condicin la dark current no afecta la medicin de iluminacin.

- Curva tensin-corriente de un fotodiodo:

iluminac. i
i
creciente

-40V -20V VR 1V 2V -2V -1V Vo 1V 2V

dark current v 0.5mw/cm
2 V o v
2
Ee=1mw/cm
2
1.5 mw/cm
2
3mw/cm -200A -100A
2
3mw/cm 14
2
6mw/cm -200A
-400A
 En la ampliacin de la derecha podemos observar:
Si se cortocircuita la juntura (v = 0), aparece una corriente por el circuito externo. El fotodiodo se comporta
como un generador de corriente y la misma es proporcional a la iluminacin recibida.
Esta proporcionalidad tambin se da, si se mantiene en sus bornes una tensin inversa constante VR

A K A K
i
i

En circuito abierto (i = 0) se puede apreciar la fem fotovoltaica generada Vo (p/ el Si es de 0.5V y de 0.1V
p/Ge). Se puede construir un modelo equivalente donde Rint representa la resistencia interna.

A K A + - K
Rint
VO
Vo/V Vo/V
La tensin fotovoltaica corresponde a un diodo abierto (i=0) 0 = IS e T - (IS + IL ) IL / IS + 1 = e T

VO = VT ln(1 + IL / IS ).

Vemos que VO no es lineal con la iluminacin. Valor usual de VO0.45V

Si colocamos una RL en bornes del diodo, circular una corriente inversa que tampoco es lineal con la
iluminacin; estaremos en el cuarto cuadrante de la curva caracterstica.

Rint 3,4k, luego cuando se utiliza el fotodiodo como conversor de energa se debe usar como
carga una RL = Rint para obtener as la mxima transferencia desde el generador fotovoltaico.

Las caractersticas ms importantes de un fotodiodo son:

- Su tensin fotovoltaica en vaco V00.4V @ 1watt/cm , =900nm
2

- Es el dispositivo que ofrece mayor linealidad de corriente (inversa) vs. radiacin incidente. Su ganancia de
2
corriente vs. iluminacin es muy pequea, sensitividad tpica 0.1A/w/cm lo que implica que luego hay
que amplificar esta seal.
- Es el que tiene la menor Dark Current 2nA, luego si bien tiene poca ganancia, este es el mejor
semiconductor para medir muy bajas iluminaciones (dentro de los dispositivos simples).
- La gran mayora tiene su pico de sensibilidad espectral en el infrarrojo: entre 900 y 950nm.
- Su tiempo de respuesta es el ms bajo 50ns (mayor ancho de banda), por lo tanto es el que mejor
puede detectar seales luminosas que varen muy rpidamente, de Mhz a Ghz.

Aplicaciones:
- Como fotmetro de precisin por su gran linealidad.
- En fibras pticas, como transductor de seales luminosas digitales de alta velocidad.
- Detector de muy bajos niveles de iluminacin.
- Como generador solar ponindolos en serie, tpicamente 36 fotodiodos para obtener 18V.

. Fototransistor:

Es un transistor donde la juntura base-colector (polarizada en inversa) es un fotodiodo y donde el terminal

de base queda abierto o directamente no existe.
Su smbolo es:
La ecuacin de IC en un transistor es: IC = IB + (+1)ICO

Sin luz incidente y con IB = 0 es: IC = (+1)ICO

En presencia de luz, los portadores generados pasan a engrosar ICO (en forma similar a lo que sucede en el
fotodiodo).
IC = ( + 1) (ICO + IL ) +V

Vemos que la IL del fotofiodo ahora es amplificada por el del transistor

y obtenemos as una IC >>IL proporcional a la radiacin incidente.
Tambin se ve que en oscuridad (IL=0) la dark current es:
+ 1) ICO
Idark = ( IC = (+1)(ICO+IL)
o sea que tambin es amplificada veces, lo cual es una desventaja.

15
Las caractersticas ms importantes de un fototransistor son:

- No posee tan buena linealidad como el fotodiodo, debido a que vara con IC
- Tiene buena ganancia de corriente vs. radiacin (mayor que la del fotodiodo ). Sensitividad tpica:
2
5A/w/cm ; esto elimina la necesidad de amplificar la seal.
- Tiene mayor Dark Current 50nA luego. Si bien tiene mayor ganancia, este dispositivo no es el mejor para
medir muy bajas iluminaciones.
- Tiene mayor tiempo de respuesta ej. 3s (=> menor ancho de banda 200Khz) no es bueno para medir
seales luminosas muy rpidas.
- La sensitividad mxima esta entre los 800 y 950nm.

Aplicaciones:
- Sensor en controles remotos
- Detector de posicin
- Tacmetros pticos
- Llave ptica

Nota: Tanto en el fotodiodo como en el fototransistor su respuesta depende del ngulo de incidencia de la
radiacin. Existe en ambos un dato denominado angle of half sensitivity que nos da el ngulo de incidencia
con respecto al centro del mismo con el que obtendramos la mitad de su respuesta. Dependiendo de su
construccin va de +/- 8 a +/- 60.

La siguiente es una tabla de datos de fotodiodos, fototransistor y fotodarlington (gentileza Motorola).

La siguiente es una tabla comparativa entre los principales caractersticas de los sensores pticos vistos.
En la misma figura como 1, el elemento que presenta la mejor performance.

Linealidad Velocidad Sensibilidad (*)

Fotoresistor (LDR) 3 3 3

Fotodiodo 1 1 1 (*) a bajas ilumninac.

Fototransistor 2 2 2

16
. Diodo emisor de luz (LED):

Son diodos cuya caracterstica principal es que cuando por ellos circula corriente directa emiten una
determinada radiacin I. Se utilizan distintos materiales semiconductores: arseniuro de galio (infrarrojo) ,
fosfuro-arseniuro de galio (rojo y amarillo) y fosfuro de galio (verde). Su smbolo es:

LED

Tiene una curva similar a la de un diodo comn pero presentan una cada de tensin directa entre 1.5V y 2.5V.
Los LEDs son ms econmicos que las lmparas incandescentes, tienen mayor eficiencia y duran ms.
Los LEDs infrarrojos, rojos y amarillos producen una intensidad de radiacin o intensidad luminosa que
vara linealmente con la corriente directa a travs de ellos, la cual puede variar de 1mA a 100 mA. Los
infrarrojos son los emisores tpicos para fotodiodos y fototransistores.
A corriente constante la intensidad de radiacin o la intensidad luminosa decrecen con el aumento de la
temperatura. Tambin disminuye la potencia emitida con la edad del dispositivo.
Un valor a tener muy en cuenta para su proteccin es la mxima tensin inversa que soporta VR 6V , que es
un valor relativamente bajo comparado con el de un diodo comn. Veamos los datos tcnicos del MFOE200

. Optoacopladores

La combinacin de un LED con algn tipo de fotodetector conforma un dispositivo denominado optoacoplador
La principal aplicacin de estos componentes es transmitir informacin digital (y a veces analgica) entre dos
circuitos y al mismo tiempo aislarlos galvnicamente (separar las masas).
En el cuadro siguiente se ven las caractersticas de algunos optoacopladores comunes, donde CTR es la
relacin de transferencia entre la corriente de salida del receptor y la del emisor (led) y VDC es el mximo voltaje
de aislacin entre emisor y receptor que soporta durante 1seg.

TIPO ESQUEMA DISPOSITIVO CARACTERISTICAS CTR (%) VDC(V) BVCEO

(IC / IDIODO)
Alta velocidad de
Led 6N135 transmisin y alta
fotodiodo- 6N136 resistencia de 35 2500
transistor aislacin

Led - 4N35 Bajo costo.

fototransistor 4N36 Estandard industrial 100 5300 30

Alta dv/dt. Corriente del

Led - IL420 Baja corriente en el Led de 7500 VDRM
fototriac Led. disparo 600V
2mA

17
. Tiristores:

Los transistores permiten controlar potencia en circuitos alimentados con corriente contnua.
Existen dispositivos con los cuales es posible controlar potencia alterna en hornos, motores, iluminacin etc.

- Rectificador controlado de silicio (SCR) Tiristor:

Son componentes semiconductores de tres terminales: nodo, ctodo y compuerta gate. Estos dispositivos
se ponen en conduccin cuando estn polarizados en directa (el nodo ms positivo que el ctodo) y adems
se le inyecta un pulso de corriente IGATE de unos pocos miliamperes, entre el gate y el ctodo. La conduccin
cesa cuando la corriente a travs de ellos es menor a la de mantenimiento Ihold. En inversa se comporta
como un diodo comn. Existen de diferentes potencias desde 5A a 200A y tensiones de bloqueo directa ( VDRM)
de 50V a 1400V.

El smbolo circuital que lo representa es:

iforward
nodo (A) (K) ctodo

(G) compuerta

La siguiente es la curva caracterstica i vs. v , del SCR TIC106D:

i
ICCM = 5A
4A
VDRM = VRRM = 400V
Ihold = 8mA
VTM =1.7V @ ITM = 5A
2A

400V Ihold 5V 10V

VTM v

La siguiente es una aplicacin de rectificacin controlada por ngulo de fase:

iforward conduccin

iforward

V t
VG vG

El control de la potencia entregada a la lmpara se realiza variando la porcin del semiciclo positivo que deja
pasar el tiristor. Cuanto mas desfasado con respecto al inicio de la senoidal - sea el pulso de disparo (trigger)
en el gate , menos potencia ir a la carga.

18
. Triac

Su funcionamiento es similar al SCR excepto que puede conducir en ambas direcciones.

Se presenta el smbolo circuital y la curva caracterstica de un TRIAC TIC216D:

Term. 2 (T2) (T1) Term. 1

(G) Compuerta

i
4A

IT(RMS) = 6A
2A VDRM = 400V
Ihold = 30mA
5V 10V VTM = 2.2V
-v Ihold
-10V -5V v
VTM

-2A

-4A
i

Ahora con el pulso de gate en cada semiciclo controlamos la potencia sobre la carga que ser el doble de la
anterior. Los pulsos de disparo para el TRIAC pueden ser de cualquier polaridad.

i
i

V
t

VG
vG

19
. Reguladores de tensin de tres terminales

- Reguladores fijos

Estos circuitos integrados entregan una tensin constante en la salida dentro de determinada variacin de la
tensin de entrada y/o de la corriente de carga. Se dividen en reguladores Serie y Paralelo. En los reguladores
Serie (78L05) hay un elemento serie entre entrada y salida que absorbe las variaciones de tensin a la entrada.
En los reguladores Paralelo (TL431) hay un elemento en paralelo con la carga (RL) que absorbe ms o menos
corriente de tal manera que la tensin en la carga se mantiene constante, su comportamiento es similar al de
un diodo zener.

Una serie popular de reguladores Serie fijos es la 78XX. La tensin de salida se especifica por los dos ltimos
dgitos del nmero de parte que pueden ser:

05, 06, 08, 10, 12, 15, 18 o 24V

La corriente mxima de esta serie es de 1A.

En caso de excederse la corriente mxima o provocarse un sobre-calentamiento el circuito tiene una
proteccin interna que acta cortando el regulador sin daarlo.
Hay una versin de baja potencia que se conoce como 78LXX.
La serie 79XX es la versin de tensin negativa de la 78XX.

Tomemos como ejemplo el regulador 7805 de +5V de salida:

Vdrop-out
+
1 3 IO
7805
+7V <Vin< +35V Vout = +5V @ IM = 1A
0.1F
IQ 2 PDISIPACION Vdrop-out x IO

El capacitor en la salida mejora la respuesta transitoria y mantiene baja la impedancia de salida del regulador
a altas frecuencias.
Debe colocarse tambin un capacitor de 0.33F a la entrada del regulador cuando ste se encuentra a
considerable distancia de los capacitores de filtro del rectificador.
Dos parmetros importantes en las especificaciones:
1- Tensin de drop-out (Vdrop-out): es la mnima cada de tensin entre la entrada y la salida para que el
regulador funcione correctamente. En el caso del 7805 es de 2V.
2- Corriente de polarizacin (Iquiscent o IQ) : es la corriente que toma el regulador en la entrada cuando
la salida est en circuito abierto.

Existen versiones mejoradas con corrientes de polarizacin menores: 75A en el LP2950 y con tensiones de
dropout sensiblemente ms bajas por ej: 0.3V en el MAX664.

Aplicacin en Instrumentacin:

- Refuerzo de corriente en un regulador de tres terminales.

Mediante un transistor de paso puede derivarse del regulador parte de la corriente de carga:
Q1

1 3 VOUT
VIN 78XX
R1 = 6
2

20
 La corriente de carga la entrega el regulador hasta que se alcanzan los 100mA. A partir de este valor la cada
en R1 arranca el transistor Q1 y todo exceso de corriente por encima de 100mA lo provee el transistor.

. Reguladores ajustables

A veces se necesita disponer de tensiones que no proveen los reguladores fijos, por ejemplo 4.5V, o bien se
busca una tolerancia de la tensin de salida que sea mejor que el 3%, tpico en los reguladores fijos.
La solucin es utilizar un regulador ajustable tal como el LM317 (o el LM350) que se ha constituido en un
standard dentro de los de su tipo. Este regulador tiene una tensin mnima de 1.25V entre los terminales de
OUT y ADJ y la forma de aumentar VOUT es a partir del siguiente circuito:

VIN IN LM317 OUT VOUT

ADJ R1
240 1F
I1

R2
5k

El regulador pone 1.25V a travs de R1, y establece entonces una corriente de I1=1.25V/R1 . Esta corriente
junto con la de polarizacin (entre 50 y 100A) ingresan en R2 elevando el potencial de ADJ en: (1.25/R2)xR1.
La tensin de salida ser:

VOUT = 1.25V + 1.25x R2/R1 = 1.25 (1 +R2/R1)

El LM317 viene en distintos encapsulados que permiten entregar mayor corriente. Puede entregar hasta 2.2A
con una (VIN VOUT) < 15V y el disipador adecuado.

Como en los reguladores fijos hay nuevas versiones con menor tensin de drop-out, menor corriente de
polarizacin y mayor capacidad de corriente. El regulador LM337 es negativo.

Aplicacin en Instrumentacin:

- Fuente de corriente constante de 1A

Si observamos el circuito del regulador ajustable veremos que R2 RLOAD recibe una corriente constante
proveniente de R1 que depende nicamente de la relacin 1.25V/R1. Por lo tanto si consideramos a R2 como
resistencia de carga la fuente de corriente ser:

IN OUT Si hacemos R1 variable podemos tener una

VIN LM317 fuente de corriente variable.
ADJ R 1=1.25
Notar que existe una carga RLmx tal que:
IQ=50A
RLOAD ILOAD = 1.25V/1.25 =1A IL.RLmx + 1.25V Vout

21