Electrnica Analgica

Jorge Luis Barahona Avalos

Instituto de Electrnica y Mecatrnica

Ingeniera en Mecatrnica

Octubre, 2016
Temario Unidad I: Semiconductores Referencias

Temario

1. Materiales semiconductores.
2. Diodos.
3. Transistores BJT y MOSFET.
4. Optoacopladores.
5. Circuitos de aplicacin con amplificadores operacionales.
6. Fuentes lineales de alimentacin.
7. Circuitos temporizadores.

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Bibliografa

Bsica:
I Albert, M., & Bates David, J. (2007). Principios de
electrnica. Mc-Graw Hil/lnteramericana, Mxico.
I Robert, C., & Frederick, F. D. (1999). Amplificadores
operacionales y circuitos integrados lineales. Editorial Prentice
Hall Quinta Edicin, Mxico.
I Boylestad, R. L., Nashelsky, L., Salas, R. N., & Ramrez, F. R.
(2009). Electrnica: teora de circuitos y dispositivos
electrnicos. Pearson Prentice Hall.
I Hermosa, A. (2013). Electrnica Aplicada. Alfaomega.

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Bibliografa

De consulta:
I Neamen, D. A., & de Jess, F. (2000). Anlisis y diseo de
circuitos electrnicos (No. 621.382). McGrw-Hill,.
I Floyd, T. L., & Buchla, D. (2002). Fundamentals of analog
circuits. Pearson College Div.
I Martnez, S., & Gualda, J. A. (2006). Electrnica de potencia
componentes, topologas y equipos. Editorial Paraninfo,
Mxico.

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Materiales semiconductores

La etiqueta semiconductor por s misma proporciona una pista en

cuanto a las caractersticas de ste tipo de material. El prefijo semi
se aplica por lo general a todo aquello que se encuentre a la mitad
entre dos lmites [1].

El trmino conductor se aplica a cualquier material que permita un

flujo considerable de carga elctrica cuando se aplica una fuente de
voltaje de magnitud limitada entre sus terminales.

Un aislador es un material que ofrece un nivel muy bajo de conduc-

tividad cuando se aplica una fuente de voltaje entre sus terminales.

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Materiales semiconductores

Definicin de semiconductor
Es un material que tiene un nivel de conductividad en algn lugar
entre los extremos de un aislador (de muy baja conductividad) y
un conductor, que tiene un alto nivel de conductividad [1].

Inversamente proporcional a la conductividad de un material est su

resistencia al flujo de la carga, o corriente. Es decir que, a un nivel
ms alto de conductividad, corresponde un nivel ms bajo de resis-
tividad.

El trmino resistividad (denotada por la letra griega ) es utilizada

con frecuencia cuando se estn comparando los niveles de resistencia
de los materiales.

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Materiales semiconductores

Figure: Definiendo la resistividad.

En unidades mtricas, la resistividad de un material se mide en cm

o m, unidades que resultan de sustituir las unidades de cada
cantidad en la figura, en la siguiente ecuacin:

RA [][cm2 ]
= = = cm (1)
l cm

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Materiales semiconductores

De hecho, si el rea del material de la figura anterior es 1cm2 y la

longitud 1cm, la magnitud de la resistencia del cubo, es igual a la
magnitud de la resistividad del material, es decir:

l (1cm)
|R|= = = ||[ohms]
A (1cm2 )

Table: Valores tpicos de resistividad

Conductor Semiconductor Aislador

106 cm 50 cm(Ge) 1012 cm
(Cobre) 50 103 cm(Si) (mica)

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Materiales semiconductores

Es pertinente aclarar que, como se ver ms adelante, el silicio (Si)

y el germanio (Ge) no son los nicos materiales semiconductores.
Sin embargo, son los materiales que han recibido mayor atencin en
el desarrollo de semiconductores.

Debe notarse, en la tabla anterior, el rango extremo entre los mate-

riales conductor y aislador para una longitud de 1 cm (un rea de
1 cm2 ) de material. El Ge y el Si han recibido mucha atencin por
numerosas razones:
I Pueden ser fabricados con altos niveles de pureza.
I La capacidad de cambiar las caractersticas del material
significativamente: son dispositivos sensibles a la luz y el
calor.

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Materiales semiconductores
Algunas de las cualidades nicas del Ge y del Si se deben a su es-
tructura atmica. Los tomos de ambos materiales forman un patrn
bien definido que es peridico. Tal patrn es denominado un cristal
y el arreglo peridico de los tomos es llamado una red.

Figure: Estructura cristalina del Si y el Ge.

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Materiales semiconductores
Cualquier material compuesto nicamente de repetir estructuras cristali-
nas, es denominado una estructura mono-cristal. La estructura atmica
del Si y el Ge puede afectar puede afectar las catersticas elctricas
de ambos materiales.

Figure: Estructura atmica (a) del Si; (b) del Ge.

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Materiales semiconductores

Como ustedes saben, el tomo est compuesto de 3 partculas ele-

mentales: el electrn, el protn y el neutrn.

En la red atmica, los neutrones y protones forman el ncleo, mien-

tras que los electrones giran alrededor del ncleo en una rbita fija.
En la figura se muestran los modelos atmicos de Borh del Ge y el Si.

El Ge tiene 32 electrones que orbitan, mientras que el Si tiene 14. En

cada caso, hay 4 electrones en la rbita ms exterior (valencia). El
potencial (potencial de ionizacin) requerido para remover cualquiera
de estos 4 electrones es ms bajo que el requerido para cualquier otro
electrn en la estructura.

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Materiales semiconductores
En un cristal puro de Si o Ge estos 4 electrones estn enlazados
a 4 tomos adjuntos, como se muestra en la figura. Tanto el Ge
como el Si son referidos como tomos tetravalentes, porque tienen
4 electrones de valencia.

Figure: Enlace covalente del tomo de silicio.

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Materiales intrnsecos

Enlace covalente
Un enlace de tomos, fortalecido por la comparticin de elec-
trones, es llamado enlace covalente.

An cuando el enlace covalente resultar en un enlace ms fuerte en-

tre los electrones de valencia y su tomo vecino, es todava posible
para los electrones de valencia absorber suficiente energa cintica
por causas naturales para romper el enlace covalente y asumir el es-
tado libre.

El trmino libre revela que su movimiento es realmente sensible a

campos elctricos aplicados tales como aquellos establecidos por
fuentes de voltaje o cualquier diferencia de potencial.

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Materiales intrnsecos

Estas causas naturales incluyen efectos tales como energa lumnica

en forma de fotones y energa trmica del medio ambiente. A tem-
peratura ambiente existen aproximadamente 1.5 1010 portadores
libres en un centmetro cbico de materialintrnseco de silicio.

Material intrnseco
Los materiales intrnsecos son aquellos semiconductores que han
sido cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un
nivel muy bajo, esencialmente puro, tanto como se pueda hacer
disponible mediante tecnologa moderna.

Los electrones libres en el material debido slo a causas naturales

con denominados portadores intrnsecos. A la misma temperatura, el
material intrnseco de tendr aproximadamente 2.51013 portadores
libres por centmetro cbico.

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Materiales intrnsecos

Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede

resultar en un incremento sustancial del nmero de electrones
libres en el material.

Los materiales semiconductores tales como el Si y el Ge que mues-

tran una reduccin en su resistencia con un incremento en la
temperatura se dice que tienen un coeficiente de temperatura
negativo.

Ustedes probablemente recordarn que la resistencia de muchos con-

ductores se incrementa con la temperatura. Esto se debe al hecho de
que el nmero de portadores en un conductor no se incrementa con
la temperatura. As, un incremento en la temperatura resultar en
un nivel de resistencia incrementado y un coeficiente de temperatura
positivo.
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Niveles de energa
En una estructura atmica aislada existen niveles de energa discre-
tos (individuales) asociados con cada electrn orbitante, como se
muestra en la figura.

Figure: Niveles de energa discretos.

Entre ms distante est el electrn del ncleo, ms alto el nivel

de energa, y cualquier electrn que ha dejado su tomo "padre"
tiene un nivel de energa ms alto que cualquier electrn en la
estructura atmica.
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Niveles de energa
Entre niveles de energa discretos hay brechas (gaps) en las cuales
no pueden aparecer electrones en la estructura atmica.

Figure: Bandas de valencia y conducccin.

El electronvoltio (smbolo eV) es una unidad de energa que repre-

senta la variacin de energa cintica que experimenta un electrn
al moverse desde un punto de potencial Va hasta un punto de po-
tencial Vb cuando la diferencia Vba = Vb Va = 1V .

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Questions

Robert L Boylestad.
Electronic Devices and Circuit Theory.
Prentice Hall of India, 2012.

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