ELECTRNICA FSICA

Los materiales sobre los que vamos a tratr en este curso son slidos cristalinos
semiconductores.

- Slido: Aunque no tenemos una definicin precisa, para nuestros propsitos

podremos identificarlo sin ambiguedad.

Tipos de slidos segn la posicin relativa de sus tomos:

a) Cristalino b) Amorfo c) Policristalino

- Semiconductor: Lo definiremos ms adelante

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 Otras redes cbicas:
Celda unidad de los semiconductores
ms comunes (Si, Ge, GaAs...)

Red Cbica Centrada en Caras

FCC = Face Centered Cubic Red Cbica
(Simple)

a3 Red Cbica
a1 Centrada en
el Cuerpo
a2
BCC = Body
Centered
Cubic

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 Celda Unidad de los cristales del Diamante y la Zincblenda:
Estructura del Diamante
(2 tomos iguales)
Elemento a ()
C (diamante) 3.57
Si 5.43
Ge 5.66

Estructura de la Zincblenda
(2 tomos distintos)
Elemento a ()
AlP 5.45
AlAs 5.62
AlSb 6.13
a
GaP 5.45
GaAs 5.65
(Faltan las bases de las
caras frontal y trasera) InP 5.87

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 Estructura de enlaces de las redes del Diamante y de la Zincblenda

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 Propiedades de los electrones en los Slidos Cristalinos (I):

Las propiedades de los electrones en los cristales estn definidas por la mecnica cuntica.
Inicialmente se plantea como un problema de muchos cuerpos: N cores o ncleos y Z' N
(o Z N) electrones.
N = Nmero de tomos en el cristal.
Z' = Numero de electrones que no forman parte del core

Se puede reducir el problema al de un slo electrn:

2 )=U ( r )
2 me 2 ( r )+U ( r ) ( r )=E ( r ) con U ( r + R

Debido a la simetra de traslacin del cristal, se demuestra que:

( r )=e i kru k ( r ) con u k (r + R)=u r ) ( r ) k ( r )
k ( (Teorema de Bloch)

Reemplazando esta ltima en la ecuacin diferencial anterior:

p =i

2

2 me
2
u k (r )+

me ( kp )uk ( r )+U ( r )u k (r )=E ' u k ( r ) con
{E ' =E 2m
k
2 2

e
Ejercicio:
Obtener esta
ecuacin

Consecuencia: E depende de k y n E n (
k ) E n , k Aparecen bandas de Energa

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 Propiedades de los electrones en los Slidos Cristalinos (II):

Valores permitidos de k : Condiciones de contorno cclcas o de Born - Von Karman

m 1,2 ,3 =0,1 ,2..

2 m1 ^ 2 m2 ^ 2 m3 ^
k = k + k + k
a1 N 1 1 a2 N 2 2 a3 N 3 3 N1,2,3 : Nmero de tomos del cristal en la
direccin i-sima de la base primitiva

Sea = 2 p 1 k^ 1 + 2 p2 k^ 2 + 2 p3 k^ 3
K p1,2 ,3 =0,1 ,2..
a1 a2 a3

Resultados mecanico-cunticos:

+ k )=E n ( k ) Los valores de k son los que corresponden a 0

* E n (K m1,2,3 < N1,2,3
En cada banda hay N1N2N3 = N valores de k posibles :

* E n ( k )=E n (k ) Las bandas son simtricas respecto de k = 0

Se prefiere tomar -N1,2,3 /2 m1,2,3 < N1,2,3 /2 por simetra

Hay N estados por banda = Puede haber 2N electrones por banda

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 PRIMERA ZONA DE BRILLOUIN DE UNA RED CBICA CENTRADA EN CARAS (FCC)
kz

Notaciones Standard de Simetra:

Centro de la Zona: Punto
L Cualquiera de las direcciones [100]: Eje
Cualquiera de las direcciones [110]: Eje
Cualquiera de las direcciones [111]: Eje
ky

Interseccin del eje con la superficie de
Z la zona: Punto X.
K Interseccin del eje con la superficie de
X ' W la zona: Punto K.
kx Interseccin del eje con la superficie de
la zona: Punto L.

Direccin desde el punto X al W: Eje Z

Lnea que une los centros delos lados de
las caras cuadradas pasando por el
punto X: Eje '

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 ESTRUCTURA DE BANDAS (calculada) DEL SILICIO

Banda
Prohibida
(Gap)

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 Propiedades de los electrones en los Slidos Cristalinos (III):

* La velocidad (valor esperado) de un electrn en un estado k viene dado por:

1
k )= k E (
v ( k)

(Observese que, segn esto, un electrn en un estado k tendra una velocidad constante)

k recibe el nombre de momento cristalino o cuasimomento del electrn, y es la magnitud

que se conserva en la interaccin del electrn con otras partculas (ejem: fotn)

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 Ejemplo de transicin entre bandas con emisin de un fotn:

E f =E i h Conservacin de la energa
Condicines de la transicin:
k ef = k ei k f Conservacin del momento
cristalino
k el = k f
2 1
Si g =316 nm k f = nm
316

Si: Para el Si, k entre mximo BC y

Eg=1,12 eV mnimo de la BV vale:
g[int.]=316 nm
2
k 0.85 0.85
1
(n=3.5) nm 269k f
2a 20.5
La tramsicin no es posible. Hace
falta un fonn. El Si no es eficiente
para emitir luz.

En los materiales de gap directo (GaAs, AlGaAs) la transicin si se puede dar: Se usan en
dispositivos optoelectrnicos emisores de luz

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 Forma de las bandas de energa cerca de los mximos o los mnimos (extremos):

Sea k 0 un punto donde E ( k ) tiene un extremo. Suficientemente cerca de l podemos

hacer un desarrollo de Taylor hasta segundo orden:

3 2 2 2
1 E k T 1 E
k
E k =E k 0
k k 0 k k 0 =E k 0 k k 0 2
k k0
2 , = 1 k k k 0
2 k k k 0

Es simtrica Diagonaliza

2
1 E k 1
2
Matriz inversa de la masa efectiva
k k
k0
m * Puede tener valores negativos !!

2 2 2 2 2 2 2 2 2
2 k 1k 10 2 k 2k 20 2 k 3 k 30 k 1 k 2 k3
E k =E k0 E k =
2 m *1 2 m *2 2 m *3 2 m *1 2 m *2 2 m *3

Banda Parablica. Las superficies isoenergticas son elipsoides. (Caso de la BC del Si)
2
2 k1 k10 2 2
k
Si m*1 = m*2 = m*3 = m* E k =E k0 E k = Bandas esfricas
2m * 2m *

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 Dinmica de los electrones en un cristal - I -

Los estados de Bloch son estados estacionarios y en ellos los electrones se mueven con
velocidad constante: no hay aceleraciones.

Cuando aplicamos un campo electromagntico externo, E (r ), B ( r ), [ (r ), A(

r )]
aparecen fuerzas en determinadas direcciones y la simetra del cristal se rompe: No es
aplicable el teorema de Bloch. La teora desarrollada hasta ahora no es aplicable.

Cmo se estudia el cristal con campos externos?:

a) Aplicacin directa de la ecuacin de Schrdinger.

b) Teorema (mtodo) de la masa efectiva.

c) Modelo semiclsico de la dinmica de los electrones.

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 Dinmica de los electrones en un cristal - II -

=0).
Aplicacin directa de la ecuacin de Schrdinger (considereremos el caso B

[ i
2 2 1 Z 2 q2
ii j j
2 2 1
k i
q2
j R ,r
Z q2
ii k
j i k
]
2 M R + 2 |R R |+ 2 m r + 2 |r r | |R r |q (r ,t ) ( ,t )=i t ( ,t )
R
i
R R r r r
k

1, R
={R
siendo 2 R
N , r 1, r 2 r ZN }, N el nmero de tomos y Z el nmero atmico.

Hay (Z+1) N variables. Si N ~ 1023 at./cm3 sistema inabordable.

Se aproxima a una ecuacin monoelectrnica:

Si U ext =q ( r ,t ): [ 2 2
2m ]
+U cristal +U ext ( r , t )=i ( r , t )
t

Metodos de solucin:
- Transporte cuntico con funciones de Green -- Relativamente poco tomos (hasta 2000)
gran potencia de clculo.

- Teora del funcional densidad, DFT (Density Functional Theory).

Los resultados obtenidos son, por ahora poco prcticos y aplicables a estructuras
compuestas por pocos tomos (puntos cunticos).

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 Dinmica de los electrones en un cristal - III -
Teorema de la Masa Efectiva - I -

Consideremos un cristal ideal (sin campos externos aplicados). Sea:

- n (
k ) la energa de un electrn en la banda n y con vector de onda k.
- u k 0 ( r ) la funcin de onda de Bloch en el extremo de esa banda.
Si aplicamos un campo elctrico externo que representaremos por un potencial ( r , t ), la
energa de un electrn en el cristal ser Ucrist +Uext = Ucrist - q ( r , t ).

La nueva funcin de onda ( r ,t ) de un electrn en el cristal viene dada por cerca de un

extremo k 0 de la banda viene dada por:

( r , t )=F (r ,t )u k 0 ( r ) u k 0 ( r ) = Funcin de Bloch en el extremo

F ( r ,t )

Siendo F(r,t) la solucin de n (i )F ( r
,t )+U ext ( r
,t )F ( r
,t )=i
t F: Funcin envolvente
)F (r )+U (r )F (r )=E F ( r ) (Envelope function)
Si Uext no depende de t: n (i ext

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 Dinmica de los electrones en un cristal - IV
Teorema de la Masa Efectiva - II

Condiciones de validez:
- Se aplica a electrones en una sola banda: NO contempla transiciones entre bandas.
- Los campos deben variar lentamente en comparacin con las distancias interatmicas.
- Se puede extender a situaciones en las que esten presentes (tambin) campos magnticos
y a slidos que tengan bandas degeneradas. La ecuacin se convierte en un sistema de
ecuaciones acopladas.
2 2 2 2 2 2
k x ky kz
Aplicacin a bandas parablicas: Si (
k ) 0 + + +
2 m *x 2 m * y 2 m *z
2 2 2
2 F 2
F 2 F
2
2
2
+ U ext ( r ) F ( r )=(E n 0 )F ( r )E F ( r )
2 m *x x 2 m *y y 2 m *z z
Forma usual

2 2
k
Para bandas no parablicas istropas: (
k ) [ 1 (
k ) ]= : Coeficiente de
2m * no-parabolicidad

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 Dinmica de los electrones en un cristal - V
Modelo Semiclsico de Dinmica de los Electrones - I -

- Considera al electrn como una partcula puntual.

- Mezcla propiedades cunticas y clsicas. Funciona muy bien para dimensiones > 100 nm

Ecuaciones dinmicas:
1
1) k = F
ext =q ( E
+
v B) 2) v =
k (k )

Condiciones de aplicacin:
-- Los campos E deben variar muy lentamente respecto de las distancias
,B
interatmicas: (campos e-m) >> a (dist. interat.)
-- No deben haber transiciones entre bandas: < E G

Consecuencias:
a): (Slo campo elctrico aunque puede extenderse a campos magnticos)
d
k d r d
k +q E =0 ; v( k +q E )=0= k ( k ) q r ( r ) = [ (
k )q ( r ) ]
dt dt dt

( k )q ( r )=Cte=E

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 Dinmica de los electrones en un cristal - VI
Modelo Semiclsico de Dinmica de los Electrones - II -

b) a=

d v 1 d
=
dt dt
[ k ( k ) ] =
1
( )
m * ij
F ext ; Si m *ij 0 a =
1
m * ij
[q E v B ]=
1
m * ij
[q E v B ]

Misma ecuacin para partculas con masa efectiva y carga positiva

c) j = q v (k ) = 0 = v ( k )+
q q v (
k ) = j elec + j k j elec =j k
vaco vaco
todo k
k ocup
k vaco

j q v ( k )= q v ( k )= q v ( k )
elec =

k ocup
k vaco
k vaco

La corriente que aportan los electrones en una banda es la misma que la que aportarian
partculas de carga positiva situadas en los estados vacos de electrones: Estas partculas
de carga y masa positivas se denominan huecos
Para describir el transporte en las bandas, utilizaremos, en cada una, electrones o huecos,
segn nos convenga. (Pero nunca ambos a la vez)

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