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UNIVERSIDAD INDUSTRIAL DE SANTANDER

ESCUELA DE INGENIERAS ELCTRICA, ELECTRNICA Y DE TELECOMUNICACIONES
Perfecta Combinacin entre Energa e Intelecto
Informe
Laboratorio
II- TRANSISTORES
Tcnicas Digitales y Analgicas-27124

Fabin Ruiz Hernndez 2114151

Jhonattan Vargas Daza 2124878

E3T, Universidad Industrial de Santander

Bucaramanga, Colombia
Grupo (L2)
Carlos Andrs Angulo Julio 10/11/2016

INTRODUCCIN perilla del mismo en la opcin hfe y la ubicacin de

cada terminal segn la indicacin en el multmetro:

El transistor de unin bipolar es un dispositivo

electrnico de estado slido consistente en dos uniones
PN muy cercanas entre s, que permite aumentar la
corriente y disminuir el voltaje, adems de controlar el
paso de la corriente a travs de sus terminales. Es
utilizado para entregar una seal de salida en respuesta
a una seal de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Conformado por tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor Fig. 1: Identificacin de los terminales del transistor.
del colector.
Colector, de extensin mucho mayor. El siguiente paso fue el montaje del circuito de la
figura 2 y el anlisis del mismo:

OBJETIVOS

Analizar las regiones de operacin del transistor.

Empleando el multmetro, identificar los
terminales del transistor.
Medir tensiones en la resistencia del colector y en
la resistencia de la base.
Hallar la corriente de base y en el colector.
Hallar y analizar las regiones de operacin.
Fig. 2: Montaje del circuito.

Analizando el circuito desde la teora se tiene las

DESARROLLO siguientes expresiones:
Corriente base:
PRIMERA PARTE DE LA PRCTICA
VbbVbe
Ib= Ec. 1
La identificacin de los terminales del diodo se llev a Rb
cabo mediante la utilizacin del multmetro con la Corriente colector:
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0.196 4.26 4.391752577

VccVcb 0.294 4.48 4.618556701
Ic= Ec.2
Rc 0.402 4.48 4.618556701
0.485 4.49 4.628865979
La siguiente tabla muestra los valores tericos y 0.58 4.5 4.639175258
prcticos de las dos resistencias utilizadas: 0.697 4.5 4.639175258
0.85 4.5 4.639175258
RESISTENCI V.TEORIC V.EXPERIMENTA 0.91 4.5 4.639175258
A O L 1.02 4.5 4.639175258
Rc [k] 10 0.97
2.08 4.54 4.680412371
Rb [k] 100 984
Tabla 1: Resistencias del colector y base 2.97 4.56 4.701030928
respectivamente del circuito de la figura 2. 4.08 4.6 4.742268041
4.99 4.62 4.762886598
Luego del montaje del circuito la primera parte de la Tabla 3: Tensin Vbb=3.7 [V]-Vrb=3.04 [V], caso II.
prctica, consisti en aplicar una tensin V bb=1.6 [V]
y luego medir la tensin ms cercana a 1 [V] en la CASO 3
resistencia Rb (CASO I), Vbb=3.7 [V]-Vrb=3.04 [V] Vbb[V] Vrb[V] Ib[mA]
(CASOI I) y Vbb=0.7 [V]-Vrb=0.192[V] (CASO III). 0.7 0.192 0.195121951
CASO I Vce[V] Vrc[V] Ic[mA]
Vbb[V] Vrb[V] Ib[mA] 0.097 0.055 0.056701031
1.6 1.08 1.0975660976 0.188 0.14 0.144329897
Vce[V] Vrc[V] Ic[mA] 0.273 0.147 0.151546392
0.103 1.188 1.224742268 0.411 0.147 0.151546392
0.209 1.344 1.38556701 0.507 0.147 0.151546392
0.32 1.435 1.479381443 0.58 0.1472 0.151752577
0.401 1.437 1.481443299 0.696 0.1477 0.152268041
0.511 1.443 1.487628866 0.809 0.147 0.151546392
0.612 1.443 1.487628866 0.912 0.148 0.15257732
0.711 1.441 1.48556701 1.04 0.149 0.153608247
0.842 1.442 1.486597938 2.02 0.15 0.154639175
0.892 1.442 1.486597938 2.99 0.152 0.156701031
1.114 1.442 1.486597938 4.01 0.154 0.158762887
2.05 1.45 1.494845361 5.99 0.154 0.158762887
Tabla 4: Tensin Vbb=0.7 [V]-Vrb=10.192 [V], caso
3.06 1.45 1.494845361
II.
4 1.46 1.505154639
4.98 1.47 1.515463918
Tabla 2: Tensin Vbb=1.6 [V]-Vrb=1.08 [V], caso I.
La siguiente grfica muestra el comportamiento de la
CASO 2 corriente a travs del colector en funcin de la
Vbb[V] Vrb[V] Ib[mA] variacin de tensin en cada uno de los tres casos:
3.7 3.04 3.089430894
Vce[V] Vrc[V] Ic[mA]
0.106 1.689 1.741237113

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Fig.3: Curva caracterstica del funcionamiento del
transistor analizando los tres casos mencionados.
ANLISIS DE LAS GRFICAS DE LA FIGURA 3
Para realizar el anlisis de las grficas anteriores
primero se va mostrar lo relacionado con la parte
terica y luego hacer la comparacin ente la parte
prctica y la terica.
Fig. 4: Regiones de operacin del transistor.
Regin de corte: Un transistor est en corte cuando
la corriente de colector es igual la corriente de emisor
e igual a cero, (Ic = Ie = 0). En este caso
el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es
el voltaje de alimentacin del circuito. Como no hay
corriente circulando, no hay cada de voltaje. Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base es
igual a cero, (Ib = 0).
Regin de saturacin: Un transistor est saturado
cuando la corriente de colector es igual a la corriente
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del emisor e igual la corriente mxima, (Ic = Ie = I
mxima). En este caso la magnitud de la corriente
depende del voltaje de alimentacin del circuito y de
los resistores conectados en el colector o el emisor o en
ambos. Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base es lo suficientemente grande como
inducir una corriente de colector veces ms grande ya
que Ic = x Ib.
Regin activa: Cuando un transistor no est ni en su
regin de saturacin ni en la regin de corte entonces
est en una regin intermedia, la regin activa. En esta
regin la corriente de colector Ic depende
principalmente de la corriente de base Ib y de las
resistencias que hayan conectadas en el colector y
emisor.
En las tablas 2, 3 y cuatro se resaltan los valores
correspondientes a las corrientes de base del transistor.
En cada una de las grficas se pueden identificar las
regiones de operacin, en este caso saturacin y activa.
La regin de saturacin se puede identificar en el
intervalo en el cual el voltaje entre el colector y el
emisor desciende por debajo de la tensin umbral hasta
el punto donde la intensidad de corriente en el colector
es mxima.
La regin activa no presenta ninguna relacin de
linealidad entre Vce e Ic.
SEGUNDA PARTE DE LA PRCTICA
Para la segunda parte de la prctica se realiz el mismo
montaje de la figura 2 con las resistencias empleadas
para la construccin del circuito Rc = 10 [k] y Rb =
100 [k]. La alimentacin del circuito se dio de la
siguiente manera: En los terminales Vcc se aliment
con una tensin pico-pico de 6 [V] y en los terminales
Vbb con una seal cuadrada la cual se ajust de la
siguiente manera:
th[s] tl[s] T[s] f[kH]
10 90 100 10
1 9 10 100
Tabla 5: Datos para el ajuste de la onda de tensin
cuadrada Vbb.
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Para las siguientes figuras mostradas en el osciloscopio
el canal uno (color azul) corresponde a la tensin de
entrada, onda cuadrada y el canal dos (color amarillo)
corresponde a la tensin de salida en la resistencia del
colector Rc.
Tiempo de almacenamiento: ts (storage time):
Intervalo de tiempo entre el instante en que la tensin
de entrada comienza el descenso y el punto
correspondiente al 90% de la forma de onda
descendente de la corriente de colector. El tiempo de
almacenamiento es una funcin de hfe, y de las
corrientes de apertura y cierre. La no respuesta del
transistor durante el tiempo ts a la anulacin de la
excitacin, se debe a que el transistor en saturacin
tiene una carga en exceso de portadores minoritarios
almacenados en la base. El transistor no puede
responder hasta que ese exceso de carga de saturacin
se haya eliminado. En el caso extremo este tiempo ts
puede ser de dos a tres veces el tiempo de subida o de
bajada a travs de la regin activa.

Tiempo de cada: tf (fall time): Intervalo de tiempo

entre los puntos correspondientes al 90 y 10% de la
forma de onda descendente de la corriente de colector.

Tiempo de conexin o encendido: TON = td + tr:

Resulta de la suma de los tiempos de retardo td y de
subida tr. Es el tiempo total para pasar del corte a la
Fig. 5: Tiempos de conmutacin del transistor.
saturacin.
Tiempo de retardo: td (delay time): Intervalo de
Tiempo de desconexin o apagado: TOFF = ts + tf:
tiempo entre el punto correspondiente al instante de
Es la suma de los tiempos de almacenamiento ts ms el
aplicacin de la seal de entrada y el punto en que la
de cada tf. Es el tiempo total para pasar de la
seal de salida toma el 10% de su valor final. Este
saturacin al corte.
tiempo de retraso se debe, principalmente a dos
factores: 1.- Cuando un transistor acta como
Tiempo total de conmutacin: TT = (td + tr) + (ts +
conmutador, se lo polariza inversamente para llevarlo
tf) = TON + TOFF
al corte, con lo cual la capacidad de la juntura base-
emisor se carga a ese valor de tensin negativa; por tal
Las siguientes figuras representan la respuesta del
razn para pasarlo a la conduccin (saturacin) se
transistor del circuito de la figura 2 cuando se aplica a
necesita de cierto tiempo para descargar y cargar ese
su entrada un impulso rectangular.
condensador. A mayor valor de polarizacin inversa
mayor ser ese retardo.
Con la teora anteriormente expuesta se har una
2.- Se requiere de cierto tiempo para que la corriente de
comparacin con la parte prctica, iniciando con la
emisor se difunda a travs de la regin de la base.
frecuencia correspondiente a 10 [kHz]:
Tiempo de subida o crecimiento: tr (rise time):
Intervalo de tiempo entre los puntos correspondientes
al 10 y 90% de la forma de onda ascendente de la
corriente de colector. El tiempo de crecimiento es una
funcin de la frecuencia de corte alfa, f; y tambin
depende inversamente de la cantidad de corriente de
apertura; mientras mayor sea la corriente de apertura,
menor ser el tiempo de crecimiento.
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Fig. 6: Tiempo de retardo, frecuencia 10[kHz]. Fig. 8: Tiempo de almacenamiento, frecuencia

Como se observa en la figura 6 el tiempo de retardo de 10[kHz].
esta seal tiene un valor de td=570 [nS].
El tiempo de almacenamiento segn la figura 8,
ts=680[nS].

Fig. 7: Tiempo de subida o crecimiento, frecuencia

10[kHz].

El tiempo de subida o crecimiento de la figura 7, tr=

2.5 [S].

El tiempo de conexin o encendido se puede hallar con

la suma del tiempo de retardo y el tiempo de
crecimiento: TON=570[nS]+2.5 [S]=3070[nS].

Fig. 9: Tiempo de cada, frecuencia 10[kHz].

El tiempo de cada segn la grfica 9, tf=1.8[S].

El tiempo de desconexin o apagado se puede obtener

mediante la suma del tiempo de almacenamiento y el
tiempo de cada: TOFF=680[nS]+1.8 [S]=2480[nS]

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La segunda parte se realiz tomando una frecuencia de
100 [kHz]:
Fig. 10: Tiempo de subida o crecimiento, frecuencia
100[kHz].
El tiempo de subida o crecimiento para una seal con
frecuencia de entrada 100[kH] corresponde segn la
figura 10, tr=1.59 [S].
Fig. 11: Tiempo de encendido, frecuencia 100[kH].
La figura 11 muestre el tiempo de encendido de la
seal de 100[kHz], TON=660 [nS].
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Fig. 12: Tiempo de desconexin o apagado, frecuencia
100[kHz].
En la figura 12 no es posible identificar el tiempo de
almacenamiento y el tiempo de cada de la seal si no
que se ve el tiempo de apagado. Este tiempo
corresponde a TOFF=428[nS].
CONCLUSIONES
Se logr la identificacin de cada una de las zonas
de operacin del transistor y se comprendi cuando
un transistor esta en cada una de ellas o el proceso
que sigue para alcanzar cada una de ellas.
La corriente base es la corriente encargada del
control del transistor, ya que puede ser un circuito
abierto o un conductor ideal.
Los tiempos de encendido (TON) y apagado
(TOFF) limitan la frecuencia mxima a la cual
puede conmutar el transistor.
Para la frecuencia de 10 [kHz], los tiempos fueron:
TON=3070[nS] y TOFF=2480[nS], aplicando lo
dicho anterior la frecuencia mxima a la cual
puede conmutar el transistor ser:
1
Fmx=
TON +TOFF
1
Fmx=
3070+2480
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Fmx=180.18[kHz ] http://unicrom.com/regiones-operativas-y-
configuraciones-del-transistor-bipolar/

El transistor y sus zonas de operacin

BIBLIOGRAFA https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

Regiones operativas del transistor bipolar Tiempos de conmutacin del transistor

www.uhu.es/dario.garcia/praeleana5.doc