Gas-tight yttria-doped barium zirconate thin film electrolyte via chemical solution deposition technique

SOFCs memiliki kendala pada biaya tinggi yang berkaitan dengan suhu tinggi yang digunakan
sehingga sulit dapan pemilihan bahan. Oleh karena itu untuk mengurangi suhu, untuk rentang suhu rendah
(750-3000C), BZY digunakan sebagai acuan hubungan proton dengan perovskit elekrolit. Keunggulan BYZ
memiliki kondiktivitas ionik yang tinggi. Diharapkan penurunan ketebalan BZY dapat meningkatkan
kondukivitas sehingga meningkatnkan kinerja dari SOFC. BZY setebal 500nm dibuat lapisan tipis elektrolit
dengan fabrikasi teknik CSD yang di sintering pada suhu rendah 1000 0C dimana lebih rendah dari temperatur
minimal sintering pada zat padat yakni 1300 0C. Penguapan barium dan pemisahan fase yang sering ditemui
pada sintering zat padat tidak diamati.

Larutan dengan nanopartikel BZY yang tersebar merupakan hasil endapan pada kedua Si3N4
dipasivasi Si dan dipoles substrat anoda BZY-NiO dengan spin coating dengan kecepatan putar 4000rpm
selama 20s kemudian di bakar dalam oven pada 300 0C selama 10menit dengan tujuan untuk menghilangkan
materi organik, spin coating selanjutnya untuk pelapisan dan diulang 4kali untuk mendapatkan lapisan tipis
dengan ketebalan 500nm dan disinter lagi selama 2jam 600-1000 0C untuk densifikasi. Dibuat larutan baru dan
larutan dengan waktu satu bulan. Katoda yang dicetak dari LSCF diatas 1cm 2 pada elektrolit BZY dan
disintering pada 8000C. Reduksi in-situ anoda berkurang semalaman pada 400 0C pada hidrogren murni
sebelum OCV tercatat.

Dari hasil FTIR dengan panjang geombang 4000-500cm -1 pada suhu ruang, spektrum larutan baru dan
larutan dengan wkatu satu bulan saling tumoang tindih, berdasarkan wilayah gugus fungsional kedua larutan
merupakan kelompok fungsi sama, dan daerah yang tumpang tindih tidak terdapat distorsi dalam koordinasi
logam-oksigen pada larutan dengan waktu satu bulan. Dan sifat kimia dengan waktu satu bulan lebih stabil.
Larutan setelah beberapa hari mengalami sedimentasi partikel.

Dari hasil XRD pola lapisan tipis BZY pada Si3N4 dipasivasi substrat Si, di sinter pada beberapa
variasi temperatur antara 600-10000C. Pada suhu 8000C terdapat puncak tanpa belahan puncak, pada suhu
14500C tidak terdapat permasalahan pada pemisahan fase untuk BZY. Lapisan yang disinter pada 800 0C
keatas terdapat pelebaran puncak dibandibgkan dari elektrolit massal BZY yang disebabkan adanya kepadatan
yang tinggi kristal. Sehingga hanya pada 800 0C mulai dapat diamati hasil polikristalin dan fase tunggal BZY
sementara proses zat padat dapat menghasilkan fase tunggal BZY hanya pada 1100 0C atau lebih. Puncak silika
muncul dari substrat yang bereaski dengan udara pada 1000 0C.

Dari hasil XPS, bubuk tidak terdapat BaCO3 pada sintering suhu 8000C

Kemudian sintering di suhu 800;900;10000C. Nanopartikel BZY tersebar kedalam larutan sebagai
penghambat unsklusi dan menghasilkan medan tegangan multiaksial dalam lapisan selama densifikasi. Pada
suhu 8000 sangat perpori, namun pada 9000 porositas berkurang. Dan pada 10000 tidak ada retakan dan hampir
padat dengan sedikit pori karena kendala pada sintering. Pengaruh substrat keramik anoda logam tidak bisa
sepenuhnya dihilangkan. Pada permukaan lapisan BZY terapat sitribuso stoikiometri merata pada elemen.

OCV pengancingan sel (?) untuk memastikan kevakuman gas pada lapisan BZY.Selama semalaman
terjadi penurangan gas hidrogen di anoda. OCV stabils elama lebih dari 8 jam pada kisaran suhu 450-550 0C,
selama 8 jam pada OCV pada 1,08 V dari sel bahan bakat dengan substrat anoda NiO-BZY dan katoda LSCF.
Lapisan ini diaplikasikan pada elektrolit suhu dari menangah ke rendah pada SOFC.

Metode ini salah satu alternatif untuk fabrikasi berkualitas tinggi pada elektrolit lapisan tipis BZY
dengan ketebalan dibawah mikron.Suhu sintering rendah begitu efektif pada penekanan penguapan Ba,
pencegahan pemisahan fasa dan menghilagkan bantuan untuk sintering.
CSD = Chemical solution deposition SOFC = Solid Oxcide Fuel Cell
OCV = Open CircuitVoltage BZY = yttria-doped barium zirconate
LSCF = lanthanum strontium cobalt ferrite
 Investigation on La2Zr2O7 multilayers by chemical solution deposition

Lapisan YBO diproduksi pada suhu tinggi di oksigen atmosfer, substrat logam dapat teroksidasi dan
atom lgam dapat menembus ke lapisan superkonduktor yang merugikan lapisan ini. Maka dari itu harus ada
lapisan penyangga yang menstranfer tekstur substrat untuk superkonduktor sebagai hambatan untuk difusi ion
logam. Lapisan tunggal LZO diproduksi dengan metode CSD dengan larutan perkusor 0,8mol/L. Kemudian
diendapkan pada Ni-5 dengan spin coating dengan perputaran 400rpm selama 60s pada suhu kamar. Ketebalan
lapisan penyangga divariasi dari 80nm, 140nm dan 200nm.

Dari hasil substrat Ni5W yang dibandingkan dengan lapisan LZO menunjukan bahwa lapisan
penyangga tumbuh epixatial berotasi 45 0 pada bagian atas substrat. Dari FWHM Nilai Phi dan Omega yang
dilapisi substrat Ni5W dengan berbeda nomor dengan LZO menujukan inset yang sama dalam spektum -
scan menunjukkan I (400) intensitas puncak meningkat seiring bertambahnya lapisan, dan juga menurun
seiring menurunnya jumlah lapisan. Nilai Phi-scan dapat menueun karena pengaruh dari jumlah lapisan dan
dekat dengan substrat Ni5W, karena pada lapisan dobel nilai phi-scan menurun. Komponen lapisan ganda
lebih besar daripada komponen lapisan tunggal. Hasil ini terkaiy ketebalan lapisan penyangga.

Lapisan LZO memberikan efek smoothing pada substrat Ni5W dan pada lapisan antas antarmuka yg
baik. Nanovoid terbentuk secara pirolisis dikarenan gas yang kaya karbon yang mengisi nanovoid selama
pirolisis pada lapisan bawah ke lapisan atas dan tidka mempengaruhi tekstur.

Kualitas lapisan penyangga juga dilihat dari kekasaran lapisan dengan ATM ,semakin tebal lapisan
semakin besar kekasarannya dan butir LZO menjadi lebih besar. Kedalaman difusi elemen Ni dan W dalam
lapisan LZO dua dan tiga lebih besar daripada lapisan tunggal yang dapat disimpulkan itu padat dan mampu
untuk menghambat difusi ion dan menjaga tekstur biaksial tinggi pada permukaan lapisan penyangga.

Kemudian diendapkan lapisan superkonduktor YBCO pada sampel dengan CSD. Berdasarkan hasil
XRD, pada lapisan ganda memiliki intensitas relatif maksimum sedangkan pada lapisan ketiga memiliki
derajat kekristalan yang rendah, dimana itu juga berkesuaian dengan nilai terbesar dari kekasaran.

Berdasarkan hasil SEM, dengan lapisan tnggal dan lapis tiga kurang baik karena menunjukkan
porositas dan kristalinitas yang rendah. Namun untuk lapisan ganda dengan lapisan yang relatif padat dan
jumlah yang kurangdari a/b-axial yang berorientasi dari butir, sesuai dengan nilai minimal FWHM pada phi-
scan dan superkonduktivitasnya terbesar pada lapisan ganda yakni 0.4 MA/cm 2. Sehingga kinerja terbaik pada
lapisan ganda LZO .

LZO = La2Zr2O7
YBCO = YBa2Cu3O7x
FWHM = full-width at half maximum (values of the -scans decreases with the number of layers)
Effect of La2Zr2O7-buffered YSZ substrate on YBa2Cu3Oy thin films by chemical solution deposition

Untuk lapisan konduktor, lapisan LZO menyangga dengan atom permukaan yang datar dan bertekstur biaksial
tajam . Morfologi permukaan dari penyangga LZO dapat berupa permukaan datar, kasar dan berlubang dpat
dijumpai yang berdampak pada lapisan YBCO. LZO memiliki struktur piroklor dengan kisi kubik 3,81
yang berdampak baik dengan YBCO dan kompabilitas yang baik dengan substrat logam.

Kekasaran permukaan lapisan dapan mengambat pertumbuhan epitaksial dari YBCO. Dari perlakuan
oanas yang berbeda diadapatkan lapisan penyangga LZO dengan morfologi permukaan yang berbeda.
Keteblan lapisan penyangga LZO yakni sekitar 70nm.Pada pemanasan 1000 0C dengan waktu 30 menit
menunjukan permukaan datar dengan ukuran butir rata-rata 50-70nm dengan kekasaran lapisan yang snagat
lembut dengan area 4,5nm. Pada peningkatan waktu 2jam terjadi peleburan butir yang membuat ukuran butir
membesar area pindai menjadi 13nm. Dan pada pemanasan 900 0C dengan tingkat pemanasan yang tinggi
didapatkan morfologi lapisan permukaan yang khas dengan daerah pindai sekitar 8nm.

Rasio puncak intensitas menurun dengan meingkatnya kekasaran permukaan lapisan penyangga LZO
dan mengakibatkan epitaksial pertumbuhan lapisan YBCO memburuk. Beberapa fase pengotorpun disebabkan
oleh lapisan penyangga kasar. Semakin tinggi nilai suhu transisi dan perlawanan arah sampel , reaktivitas
kimia permukaan anatar lapisan LZO dan YBCO.

Pengaruh lapisan penyangga pada kerapatan Jc dengan pengukuran pada permukaan kasar didapatkan
nilai yang terendah yakni 0,4 MA/cm2. Dan tertinggi pada Permukaan yang datar yakni sebesar 2 MA/cm 2.
Sehingga permukaan penyangga yang datar salahsatu hal terpenting dalam preparasi kinerja tinggi terlapisi
konduktor.